JPH08290931A - 光ファイバ母材の製造方法 - Google Patents
光ファイバ母材の製造方法Info
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- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高い反射率を有する光ファイバ型回折格子の
作製に好適な光ファイバ製作用の光ファイバ母材の製造
方法を提供する。 【構成】 本発明の方法では、まず、外層クラッドとな
るべき、中空のガラス管を用意する。次に、ガラス管を
加熱しながら、これにガラス原料ガス、ゲルマニウム、
およびフッ素を含むドーパント原料ガスを導入して、ガ
ラス管内に内層クラッドとなるべき第１のガラス微粒子
を堆積後、更にガラス管を加熱して第１のガラス微粒子
を透明化する。引き続き、ガラス管を加熱しながら、こ
れにガラス原料ガス、およびゲルマニウムを含むドーパ
ント原料ガスを導入して、ガラス管内にコアとなるべき
第２のガラス微粒子を堆積後、更にガラス管を加熱して
第２のガラス微粒子を透明化する。次いで、ガラス管を
加熱して中実化して光ファイバ母材を得る。
作製に好適な光ファイバ製作用の光ファイバ母材の製造
方法を提供する。 【構成】 本発明の方法では、まず、外層クラッドとな
るべき、中空のガラス管を用意する。次に、ガラス管を
加熱しながら、これにガラス原料ガス、ゲルマニウム、
およびフッ素を含むドーパント原料ガスを導入して、ガ
ラス管内に内層クラッドとなるべき第１のガラス微粒子
を堆積後、更にガラス管を加熱して第１のガラス微粒子
を透明化する。引き続き、ガラス管を加熱しながら、こ
れにガラス原料ガス、およびゲルマニウムを含むドーパ
ント原料ガスを導入して、ガラス管内にコアとなるべき
第２のガラス微粒子を堆積後、更にガラス管を加熱して
第２のガラス微粒子を透明化する。次いで、ガラス管を
加熱して中実化して光ファイバ母材を得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ファイバ型回折格子
の作製に好適な光ファイバ製作用の光ファイバ母材の製
造方法に関するものである。
の作製に好適な光ファイバ製作用の光ファイバ母材の製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光学素子の一種である回折格子には種々
の態様のものがあるが、光通信システム等に利用する場
合には、通信用光ファイバとの接続が容易で、挿入損失
の低い光ファイバ型回折格子が好適である。
の態様のものがあるが、光通信システム等に利用する場
合には、通信用光ファイバとの接続が容易で、挿入損失
の低い光ファイバ型回折格子が好適である。
【０００３】従来の光ファイバ型回折格子の作製方法と
しては、特許出願公表昭６２−５０００５２に記載のも
のが知られている。これは、酸化ゲルマニウムを添加し
て高屈折率のコアを形成した石英系ファイバに強力な紫
外光を照射することより、コアに屈折率変化部を光軸に
沿って等間隔に配列して、回折格子を形成する方法であ
る。そして、紫外光を照射する光ファイバの製作は、酸
化ゲルマニウムが添加された高屈折率のコアと成るべき
部分と、酸化ゲルマニウムが添加されず、コアとなるべ
き部分よりも低屈折率のクラッドとなるべき部分とを備
える光ファイバ母材を加熱線引することによりなされ
る。
しては、特許出願公表昭６２−５０００５２に記載のも
のが知られている。これは、酸化ゲルマニウムを添加し
て高屈折率のコアを形成した石英系ファイバに強力な紫
外光を照射することより、コアに屈折率変化部を光軸に
沿って等間隔に配列して、回折格子を形成する方法であ
る。そして、紫外光を照射する光ファイバの製作は、酸
化ゲルマニウムが添加された高屈折率のコアと成るべき
部分と、酸化ゲルマニウムが添加されず、コアとなるべ
き部分よりも低屈折率のクラッドとなるべき部分とを備
える光ファイバ母材を加熱線引することによりなされ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
製造方法では、得られる回折格子の反射率は必ずしも十
分でない。すなわち、回折格子が作り込まれた光導波路
では、その反射率が重要な特性であるが、この反射率は
以下の式（１）のように、回折格子長（コア内におい
て、屈折率が周期的に変化している領域の長さ）と光誘
起屈折率変化に依存する。
製造方法では、得られる回折格子の反射率は必ずしも十
分でない。すなわち、回折格子が作り込まれた光導波路
では、その反射率が重要な特性であるが、この反射率は
以下の式（１）のように、回折格子長（コア内におい
て、屈折率が周期的に変化している領域の長さ）と光誘
起屈折率変化に依存する。
【０００５】 Ｒ＝ｔａｎｈ２（Ｌ・π・ΔｎUV／λ） …（１） ここで、Ｒは反射率、Ｌはコア内に作り込まれた回折格
子長、ΔｎUVは紫外光に対する屈折率変化（光誘起屈折
率変化）、λは反射波長である。
子長、ΔｎUVは紫外光に対する屈折率変化（光誘起屈折
率変化）、λは反射波長である。
【０００６】紫外光照射による屈折率変化はガラス中の
ゲルマニウム関連のガラス欠陥に起因することが知られ
ているが、従来のように通信用光ファイバを用いたので
はクラッド部分でのガラス欠陥が少ないために、この部
分における紫外光による屈折率変化ΔｎUVはコアでの屈
折率変化ΔｎUVに比べて小さい。したがって、導波路全
体として十分な反射率が得られない。
ゲルマニウム関連のガラス欠陥に起因することが知られ
ているが、従来のように通信用光ファイバを用いたので
はクラッド部分でのガラス欠陥が少ないために、この部
分における紫外光による屈折率変化ΔｎUVはコアでの屈
折率変化ΔｎUVに比べて小さい。したがって、導波路全
体として十分な反射率が得られない。
【０００７】さらに、紫外光が照射されると、その部位
のコア（回折格子が作り込まれた部位）の屈折率は高く
なるため、この部位のモードフィールド径は他の紫外光
が照射されていないコアのモードフィールド径より小さ
くなる。このモードフィールド径の変化がコア内に生じ
ると、モードミスマッチによりコア内を伝搬している光
がクラッド側へ放射され、伝送損失が増加するという。
のコア（回折格子が作り込まれた部位）の屈折率は高く
なるため、この部位のモードフィールド径は他の紫外光
が照射されていないコアのモードフィールド径より小さ
くなる。このモードフィールド径の変化がコア内に生じ
ると、モードミスマッチによりコア内を伝搬している光
がクラッド側へ放射され、伝送損失が増加するという。
【０００８】本発明は、上記を鑑みてなされたものであ
り、高い反射率を有する光ファイバ型回折格子の作製に
好適な光ファイバ製作用の光ファイバ母材の製造方法を
提供することを目的とする。
り、高い反射率を有する光ファイバ型回折格子の作製に
好適な光ファイバ製作用の光ファイバ母材の製造方法を
提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の光ファイバ母材
の製造方法は、（ａ）外層クラッドとなるべき、中空の
ガラス管を用意する第１の工程と、（ｂ）ガラス管を加
熱しながら、これにガラス原料ガス、ゲルマニウム、お
よびフッ素を含むドーパント原料ガスを導入して、ガラ
ス管内に内層クラッドとなるべき第１のガラス微粒子を
堆積後、更にガラス管を加熱して第１のガラス微粒子を
透明化する第２の工程と、（ｃ）ガラス管を加熱しなが
ら、これにガラス原料ガスおよびゲルマニウムを含むド
ーパント原料ガスを導入して、ガラス管内にコアとなる
べき第２のガラス微粒子を堆積後、更にガラス管を加熱
して第２のガラス微粒子を透明化する第３の工程と、
（ｄ）ガラス管を加熱して中実化する第４の工程とを備
える。
の製造方法は、（ａ）外層クラッドとなるべき、中空の
ガラス管を用意する第１の工程と、（ｂ）ガラス管を加
熱しながら、これにガラス原料ガス、ゲルマニウム、お
よびフッ素を含むドーパント原料ガスを導入して、ガラ
ス管内に内層クラッドとなるべき第１のガラス微粒子を
堆積後、更にガラス管を加熱して第１のガラス微粒子を
透明化する第２の工程と、（ｃ）ガラス管を加熱しなが
ら、これにガラス原料ガスおよびゲルマニウムを含むド
ーパント原料ガスを導入して、ガラス管内にコアとなる
べき第２のガラス微粒子を堆積後、更にガラス管を加熱
して第２のガラス微粒子を透明化する第３の工程と、
（ｄ）ガラス管を加熱して中実化する第４の工程とを備
える。
【００１０】ここで、第４の工程は、前記ガラス管内に
酸化物を還元する還元剤を導入しながら、ガラス管を加
熱して中実化する工程であることが好適である。還元剤
としては、塩素、フッ素、四塩化ケイ素、四塩化ゲルマ
ニウム及び四フッ化ケイ素のいずれか一つ以上を成分と
する気体を用いることができる。
酸化物を還元する還元剤を導入しながら、ガラス管を加
熱して中実化する工程であることが好適である。還元剤
としては、塩素、フッ素、四塩化ケイ素、四塩化ゲルマ
ニウム及び四フッ化ケイ素のいずれか一つ以上を成分と
する気体を用いることができる。
【００１１】また、第２の工程および第３の工程におけ
る透明ガラス化は、ガラス管内に四塩化ゲルマニウムを
導入しながら行うことができる。
る透明ガラス化は、ガラス管内に四塩化ゲルマニウムを
導入しながら行うことができる。
【００１２】また、第４の工程におけるガラス管の中実
化において、ガラス管に還元剤とともに不活性ガスを導
入することもできる。不活性ガスとしては、ヘリウム、
アルゴン及びネオンいずれか一つ以上を成分とする気体
を用いることができる。
化において、ガラス管に還元剤とともに不活性ガスを導
入することもできる。不活性ガスとしては、ヘリウム、
アルゴン及びネオンいずれか一つ以上を成分とする気体
を用いることができる。
【００１３】また、第５の工程における前記ガラス管の
中実化を、ガラス管内を約１７００℃から約２１００℃
までの温度にして行うことが好適である。
中実化を、ガラス管内を約１７００℃から約２１００℃
までの温度にして行うことが好適である。
【００１４】また、第４の工程の後、内層クラッドとな
るべきガラス層の外径は、コアとなるべきガラス層の直
径の６倍以下とすることが実用的である。
るべきガラス層の外径は、コアとなるべきガラス層の直
径の６倍以下とすることが実用的である。
【００１５】
【作用】本発明の光ファイバ母材の製造方法では、ま
ず、外層クラッドとなるべき、中空のガラス管を用意す
る（第１の工程）。
ず、外層クラッドとなるべき、中空のガラス管を用意す
る（第１の工程）。
【００１６】次に、ガラス管を加熱しながら、これにガ
ラス原料ガス、ゲルマニウム、およびフッ素を含むドー
パント原料ガスを導入して、ガラス管内に内層クラッド
となるべき第１のガラス微粒子を堆積後、更にガラス管
を加熱して第１のガラス微粒子を透明化する（第２の工
程）。こうして、加熱線引されて光ファイバの内層クラ
ッドとなった場合に、紫外光が照射されると屈折率が効
率的に変化する、内層クラッドとなるべき部分のガラス
層が形成される。
ラス原料ガス、ゲルマニウム、およびフッ素を含むドー
パント原料ガスを導入して、ガラス管内に内層クラッド
となるべき第１のガラス微粒子を堆積後、更にガラス管
を加熱して第１のガラス微粒子を透明化する（第２の工
程）。こうして、加熱線引されて光ファイバの内層クラ
ッドとなった場合に、紫外光が照射されると屈折率が効
率的に変化する、内層クラッドとなるべき部分のガラス
層が形成される。
【００１７】引き続き、ガラス管を加熱しながら、これ
にガラス原料ガス、およびゲルマニウムを含むドーパン
ト原料ガスを導入して、ガラス管内にコアとなるべき第
２のガラス微粒子を堆積後、更にガラス管を加熱して第
２のガラス微粒子を透明化する（第３の工程）。こうし
て、加熱線引されて光ファイバのコアとなった場合に、
紫外光が照射されると屈折率が効率的に変化する、コア
となるべき部分のガラス層が形成される。
にガラス原料ガス、およびゲルマニウムを含むドーパン
ト原料ガスを導入して、ガラス管内にコアとなるべき第
２のガラス微粒子を堆積後、更にガラス管を加熱して第
２のガラス微粒子を透明化する（第３の工程）。こうし
て、加熱線引されて光ファイバのコアとなった場合に、
紫外光が照射されると屈折率が効率的に変化する、コア
となるべき部分のガラス層が形成される。
【００１８】次いで、ガラス管を加熱して中実化（第４
の工程）して光ファイバ母材を得る。
の工程）して光ファイバ母材を得る。
【００１９】以上のようにして得られた、光ファイバ母
材を加熱線引して光ファイバを製作し、この光ファイバ
に紫外光を照射すると、コアと内層クラッドとで効率的
な屈折率変化が発生する。
材を加熱線引して光ファイバを製作し、この光ファイバ
に紫外光を照射すると、コアと内層クラッドとで効率的
な屈折率変化が発生する。
【００２０】すなわち、酸化ゲルマニウムがドープされ
たコアを備えるガラス光ファイバに紫外光を照射する
と、コアに紫外光が入射し、紫外光が入射した部分の屈
折率が変化（上昇）する。
たコアを備えるガラス光ファイバに紫外光を照射する
と、コアに紫外光が入射し、紫外光が入射した部分の屈
折率が変化（上昇）する。
【００２１】紫外光の入射によりガラスの屈折率が変化
するメカニズムは、完全には解明されてはいない。しか
しながら、屈折率変化の重要な要因として、ガラス中の
ゲルマニウムに関連した酸素欠損型の欠陥が考えられて
おり、Ｓｉ−ＧｅまたはＧｅ−Ｇｅなどの中性酸素モノ
空孔が想定されている。
するメカニズムは、完全には解明されてはいない。しか
しながら、屈折率変化の重要な要因として、ガラス中の
ゲルマニウムに関連した酸素欠損型の欠陥が考えられて
おり、Ｓｉ−ＧｅまたはＧｅ−Ｇｅなどの中性酸素モノ
空孔が想定されている。
【００２２】屈折率変化のメカニズムとして提案されて
いるクラマース・クローニッヒ機構によれば、屈折率変
化は以下のように説明される。すなわち、上記の欠陥は
波長２４０〜２５０ｎｍの紫外光を吸収し、この吸収に
よりＳｉ−ＧｅまたはＧｅ−Ｇｅ結合が切れて、新たな
欠陥が生じる。この新たな欠陥は、波長２１０ｎｍおよ
び２８０ｎｍ付近を中心に吸収帯を形成する。その結
果、クラマース・クローニッヒの関係に従いガラスの屈
折率が変化する。
いるクラマース・クローニッヒ機構によれば、屈折率変
化は以下のように説明される。すなわち、上記の欠陥は
波長２４０〜２５０ｎｍの紫外光を吸収し、この吸収に
よりＳｉ−ＧｅまたはＧｅ−Ｇｅ結合が切れて、新たな
欠陥が生じる。この新たな欠陥は、波長２１０ｎｍおよ
び２８０ｎｍ付近を中心に吸収帯を形成する。その結
果、クラマース・クローニッヒの関係に従いガラスの屈
折率が変化する。
【００２３】また、中実化にあたって、ガラス管に還元
剤を導入しながら中実化を行うこととすれば、還元剤の
還元作用により、ガラス微粒子に含まれるＳｉＯ2 のＳ
ｉ−Ｏ結合や、ＧｅＯ2 のＧｅ−Ｏ結合が切れて、Ｓｉ
−Ｇｅ結合やＧｅ−Ｇｅ結合を有する酸素欠損型の欠陥
構造が形成されやすくなる。これにより、酸素欠損型の
欠陥の数が増加するので、紫外光の吸収による屈折率変
化量も大きくなる。この結果、こうして製造された光フ
ァイバ母材を出発材として光ファイバ型回折格子を作製
すれば、屈折率が大きく変化した屈折率変化部を光ファ
イバが形成され、高い反射率を有する光ファイバ型回折
格子を作製することができる。
剤を導入しながら中実化を行うこととすれば、還元剤の
還元作用により、ガラス微粒子に含まれるＳｉＯ2 のＳ
ｉ−Ｏ結合や、ＧｅＯ2 のＧｅ−Ｏ結合が切れて、Ｓｉ
−Ｇｅ結合やＧｅ−Ｇｅ結合を有する酸素欠損型の欠陥
構造が形成されやすくなる。これにより、酸素欠損型の
欠陥の数が増加するので、紫外光の吸収による屈折率変
化量も大きくなる。この結果、こうして製造された光フ
ァイバ母材を出発材として光ファイバ型回折格子を作製
すれば、屈折率が大きく変化した屈折率変化部を光ファ
イバが形成され、高い反射率を有する光ファイバ型回折
格子を作製することができる。
【００２４】ここで、前記ガラス管内に四塩化ゲルマニ
ウムを導入しながら透明ガラス化を行なうと、ガラス管
の内壁に堆積したガラス層から揮散する酸化ゲルマニウ
ムが補充され、酸化ゲルマニウムのドーパント濃度が高
まる。
ウムを導入しながら透明ガラス化を行なうと、ガラス管
の内壁に堆積したガラス層から揮散する酸化ゲルマニウ
ムが補充され、酸化ゲルマニウムのドーパント濃度が高
まる。
【００２５】これにより、ガラス中に含まれる酸化ゲル
マニウムが増加すれば、酸素欠損型の欠陥の数が増加す
るので、紫外光の吸収による屈折率変化量も大きくな
り、作製される光ファイバ型回折格子は高い反射率を有
する。
マニウムが増加すれば、酸素欠損型の欠陥の数が増加す
るので、紫外光の吸収による屈折率変化量も大きくな
り、作製される光ファイバ型回折格子は高い反射率を有
する。
【００２６】また、本発明者らの知見によれば、中実化
の際に還元剤とともに不活性ガスを導入すると、作製さ
れる光ファイバ型回折格子の反射率が上昇しやすくな
る。
の際に還元剤とともに不活性ガスを導入すると、作製さ
れる光ファイバ型回折格子の反射率が上昇しやすくな
る。
【００２７】また、本発明者らの知見によれば、高い反
射率を得るには、コア径の小さなシングルモードファイ
バであってもコア径に対して６倍の外径の領域に回折格
子を形成すればよい。また、クラッド全体を紫外光の照
射による屈折率変化が発生する酸化ゲルマニウムの添加
状態にすると光導波路の強度が低減することが知られて
いる。そこで、本発明では、ゲルマニウムが添加された
内層クラッドとなるべき部分の外側に実質的にゲルマニ
ウムを添加しない外層クラッドとなるべき部分を設けて
いる。
射率を得るには、コア径の小さなシングルモードファイ
バであってもコア径に対して６倍の外径の領域に回折格
子を形成すればよい。また、クラッド全体を紫外光の照
射による屈折率変化が発生する酸化ゲルマニウムの添加
状態にすると光導波路の強度が低減することが知られて
いる。そこで、本発明では、ゲルマニウムが添加された
内層クラッドとなるべき部分の外側に実質的にゲルマニ
ウムを添加しない外層クラッドとなるべき部分を設けて
いる。
【００２８】
【実施例】以下、添付図面を参照しながら本発明の実施
例を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の
要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
例を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の
要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００２９】以下に説明する実施例では、一般的なＭＣ
ＶＤ装置を用いて作製した。以下、作製方法について説
明する。図１は、本実施例の光ファイバ母材の製造工程
図である。
ＶＤ装置を用いて作製した。以下、作製方法について説
明する。図１は、本実施例の光ファイバ母材の製造工程
図である。
【００３０】まず、略円筒状の天然石英管１００を用意
する。ここで、天然石英とは、天然に産する水晶を粉砕
し、これを酸水素炎やアーク炉やカーボン発熱体の電気
炉などで溶融して作製される透明な石英ガラスである。
する。ここで、天然石英とは、天然に産する水晶を粉砕
し、これを酸水素炎やアーク炉やカーボン発熱体の電気
炉などで溶融して作製される透明な石英ガラスである。
【００３１】次に、石英管１００を回転させながら管の
内部にガラスの原料ガスとドーパントの原料ガスとを導
入するとともに、石英管１００を外側から酸水素炎バー
ナ１２０を用いて加熱し、石英管１００の内壁に石英
（ＳｉＯ2 ）ガラスの微粒子１１０を堆積させる（図１
（ａ）参照）。
内部にガラスの原料ガスとドーパントの原料ガスとを導
入するとともに、石英管１００を外側から酸水素炎バー
ナ１２０を用いて加熱し、石英管１００の内壁に石英
（ＳｉＯ2 ）ガラスの微粒子１１０を堆積させる（図１
（ａ）参照）。
【００３２】ガラス原料ガスは、コアになるべき石英ガ
ラスの原料たる四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ4 ）と、この搬
送ガスである酸素とからなる。また、ドーパントの原料
ガスは、四塩化ゲルマニウム（ＧｅＣｌ4 ）と、フッ素
（Ｆ2 ）ガスと、この搬送ガスである酸素とからなる。
これらは、図示しないサチュレータからガス管を通じて
石英管１００に送り込まれる。
ラスの原料たる四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ4 ）と、この搬
送ガスである酸素とからなる。また、ドーパントの原料
ガスは、四塩化ゲルマニウム（ＧｅＣｌ4 ）と、フッ素
（Ｆ2 ）ガスと、この搬送ガスである酸素とからなる。
これらは、図示しないサチュレータからガス管を通じて
石英管１００に送り込まれる。
【００３３】これにより、次のような熱酸化反応が石英
管１００の内部で生じる。
管１００の内部で生じる。
【００３４】
【化１】
【００３５】上記の反応により管内で生成した石英ガラ
スの微粒子１１０は、石英管１００の内壁に付着して堆
積する。管内で生成した酸化ゲルマニウム（Ｇｅ
Ｏ２ ）の微粒子も同時に堆積する。そして、これらの
微粒子の間にフッ素原子が混入する。
スの微粒子１１０は、石英管１００の内壁に付着して堆
積する。管内で生成した酸化ゲルマニウム（Ｇｅ
Ｏ２ ）の微粒子も同時に堆積する。そして、これらの
微粒子の間にフッ素原子が混入する。
【００３６】バーナ１２０を石英管１００の軸に沿って
原料ガスの流れの方向にゆっくり移動させると、バーナ
１２０の移動に応じて継続的にガラス微粒子１１０が堆
積されてゆく。石英管１００は回転しているので、石英
菅の内壁全面にガラス微粒子１１０が堆積する。そし
て、堆積が終了したら、ガラス及びドーパント双方の原
料ガスの供給を停止する。
原料ガスの流れの方向にゆっくり移動させると、バーナ
１２０の移動に応じて継続的にガラス微粒子１１０が堆
積されてゆく。石英管１００は回転しているので、石英
菅の内壁全面にガラス微粒子１１０が堆積する。そし
て、堆積が終了したら、ガラス及びドーパント双方の原
料ガスの供給を停止する。
【００３７】引き続き、ガスの導入を止め、石英管１０
０を酸水素炎バーナ１２０を用いて内部温度を１７００
℃〜１８００℃に加熱して、石英ガラスの微粒子１１０
を透明化し、内層コアとなるべきガラス層１１１とする
（図１（ｂ）参照）。ここでは、ＭＣＶＤ法で一般的に
行われているように、石英管１００内に気体の塩素（Ｃ
ｌ2 ）と酸素（Ｏ2 ）を送り込んでもよい。塩素は脱水
作用を有しており、管内の水分を除く働きをし、また、
酸素は、酸化ゲルマニウムの揮散を抑えて、ドーパント
濃度の低下を抑制する作用を有する。なお、透明ガラス
化は、管内に四塩化ゲルマニウムを導入しながら行うこ
とも可能である。
０を酸水素炎バーナ１２０を用いて内部温度を１７００
℃〜１８００℃に加熱して、石英ガラスの微粒子１１０
を透明化し、内層コアとなるべきガラス層１１１とする
（図１（ｂ）参照）。ここでは、ＭＣＶＤ法で一般的に
行われているように、石英管１００内に気体の塩素（Ｃ
ｌ2 ）と酸素（Ｏ2 ）を送り込んでもよい。塩素は脱水
作用を有しており、管内の水分を除く働きをし、また、
酸素は、酸化ゲルマニウムの揮散を抑えて、ドーパント
濃度の低下を抑制する作用を有する。なお、透明ガラス
化は、管内に四塩化ゲルマニウムを導入しながら行うこ
とも可能である。
【００３８】次いで、石英管１００を回転させながら管
の内部にガラスの原料ガスとドーパントの原料ガスとを
導入するとともに、石英管１００を外側から酸水素炎バ
ーナ１２０を用いて加熱し、石英管１００の内壁に石英
（ＳｉＯ2 ）ガラスの微粒子１１５を堆積させる（図１
（ｃ）参照）。
の内部にガラスの原料ガスとドーパントの原料ガスとを
導入するとともに、石英管１００を外側から酸水素炎バ
ーナ１２０を用いて加熱し、石英管１００の内壁に石英
（ＳｉＯ2 ）ガラスの微粒子１１５を堆積させる（図１
（ｃ）参照）。
【００３９】ガラス原料ガスは、コアになるべき石英ガ
ラスの原料たる四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ4 ）と、この搬
送ガスである酸素とからなる。また、ドーパントの原料
ガスは、四塩化ゲルマニウム（ＧｅＣｌ4 ）と、この搬
送ガスである酸素とからなる。これらは、図示しないサ
チュレータからガス管を通じて石英管１００に送り込ま
れる。
ラスの原料たる四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ4 ）と、この搬
送ガスである酸素とからなる。また、ドーパントの原料
ガスは、四塩化ゲルマニウム（ＧｅＣｌ4 ）と、この搬
送ガスである酸素とからなる。これらは、図示しないサ
チュレータからガス管を通じて石英管１００に送り込ま
れる。
【００４０】これにより、図１（ａ）と同様の熱酸化反
応が石英管１００の内部で生じる。
応が石英管１００の内部で生じる。
【００４１】この反応により管内で生成した石英ガラス
の微粒子１１５は、石英管１００の内壁に付着して堆積
する。
の微粒子１１５は、石英管１００の内壁に付着して堆積
する。
【００４２】バーナ１２０を石英管１００の軸に沿って
原料ガスの流れの方向にゆっくり移動させると、バーナ
１２０の移動に応じて継続的にガラス微粒子１１５が堆
積されてゆく。石英管１００は回転しているので、石英
菅の内壁全面にガラス微粒子１１０が堆積する。そし
て、堆積が終了したら、ガラス及びドーパント双方の原
料ガスの供給を停止する。
原料ガスの流れの方向にゆっくり移動させると、バーナ
１２０の移動に応じて継続的にガラス微粒子１１５が堆
積されてゆく。石英管１００は回転しているので、石英
菅の内壁全面にガラス微粒子１１０が堆積する。そし
て、堆積が終了したら、ガラス及びドーパント双方の原
料ガスの供給を停止する。
【００４３】引き続き、ガスの導入を止め、石英管１０
０を酸水素炎バーナ１２０を用いて内部温度を１７００
℃〜１８００℃に加熱して、石英ガラスの微粒子１１５
を透明化し、内層コアとなるべきガラス層１１６とする
（図１（ｂ）参照）。ここでは、ＭＣＶＤ法で一般的に
行われているように、石英管１００内に気体の塩素（Ｃ
ｌ2 ）と酸素（Ｏ2 ）を送り込んでもよい。塩素は脱水
作用を有しており、管内の水分を除く働きをし、また、
酸素は、酸化ゲルマニウムの揮散を抑えて、ドーパント
濃度の低下を抑制する作用を有する。なお、透明ガラス
化は、管内に四塩化ゲルマニウムを導入しながら行うこ
とも可能である。
０を酸水素炎バーナ１２０を用いて内部温度を１７００
℃〜１８００℃に加熱して、石英ガラスの微粒子１１５
を透明化し、内層コアとなるべきガラス層１１６とする
（図１（ｂ）参照）。ここでは、ＭＣＶＤ法で一般的に
行われているように、石英管１００内に気体の塩素（Ｃ
ｌ2 ）と酸素（Ｏ2 ）を送り込んでもよい。塩素は脱水
作用を有しており、管内の水分を除く働きをし、また、
酸素は、酸化ゲルマニウムの揮散を抑えて、ドーパント
濃度の低下を抑制する作用を有する。なお、透明ガラス
化は、管内に四塩化ゲルマニウムを導入しながら行うこ
とも可能である。
【００４４】次いで、通常のＭＣＶＤ法と同様の手順
で、石英管１００の中実化を行なう（図１（ｅ）参
照）。本実施例では、石英管１００内に塩素のみを導入
しながら中実化を行った。流量は、約５００ｃｃ／ｍｉ
ｎとした。
で、石英管１００の中実化を行なう（図１（ｅ）参
照）。本実施例では、石英管１００内に塩素のみを導入
しながら中実化を行った。流量は、約５００ｃｃ／ｍｉ
ｎとした。
【００４５】バーナ火炎の温度を上げて、管の中心付近
の温度が１８００℃〜２１００℃となるように調節し、
石英管１００を回転させながら加熱する。これととも
に、ＭＣＶＤ装置を操作して石英管１００の管内圧力の
減圧度を調節すると、減圧度に応じて管の両端から引張
張力が加えられ、バーナ火炎の当たっている箇所で石英
管１００の空洞がつぶれる。こうして、石英管１００が
中実化される。なお、本実施例では、減圧度は約５ｍｍ
Ｈ2 Ｏであった。
の温度が１８００℃〜２１００℃となるように調節し、
石英管１００を回転させながら加熱する。これととも
に、ＭＣＶＤ装置を操作して石英管１００の管内圧力の
減圧度を調節すると、減圧度に応じて管の両端から引張
張力が加えられ、バーナ火炎の当たっている箇所で石英
管１００の空洞がつぶれる。こうして、石英管１００が
中実化される。なお、本実施例では、減圧度は約５ｍｍ
Ｈ2 Ｏであった。
【００４６】バーナ１２０を軸方向に沿って移動させる
と、石英管１００は連続的につぶれてゆき、最終的に
は、棒状体のガラス（ガラスロッド）になる。このガラ
スロッドは、酸化ゲルマニウムがドープされた石英ガラ
スからなるコアロッドと、このコアロッドを被覆する純
石英ガラス層からなる。
と、石英管１００は連続的につぶれてゆき、最終的に
は、棒状体のガラス（ガラスロッド）になる。このガラ
スロッドは、酸化ゲルマニウムがドープされた石英ガラ
スからなるコアロッドと、このコアロッドを被覆する純
石英ガラス層からなる。
【００４７】なお、中実化の際のバーナ火炎の温度は、
約１８００℃以下では石英管１００がつぶれず、約２１
００℃以上ではガラスが溶融してしまうことから、石英
管１００の中心付近の温度が約１８００〜２１００℃と
なる温度であることが好ましい。
約１８００℃以下では石英管１００がつぶれず、約２１
００℃以上ではガラスが溶融してしまうことから、石英
管１００の中心付近の温度が約１８００〜２１００℃と
なる温度であることが好ましい。
【００４８】以上のようにして、中実化の後、コアとな
るべき部分の径が３ｍｍ、内層クラッドとなるべき部分
の外径が１５ｍｍ、外層クラッドとなるべき部分の外径
が４５ｍｍの光ファイバ母材を得た。
るべき部分の径が３ｍｍ、内層クラッドとなるべき部分
の外径が１５ｍｍ、外層クラッドとなるべき部分の外径
が４５ｍｍの光ファイバ母材を得た。
【００４９】なお、クラッドの厚さの調整のため、更
に、上記の光ファイバ母材をクラッドチューブに挿入
し、真空中で加熱してガラスロッドとクラッドチューブ
を融着させて、光ファイバ母材（プリフォーム）とする
ことも可能である。なお、クラッドチューブは、石英管
１００と同じ屈折率の純石英ガラスとすることが好適で
ある。
に、上記の光ファイバ母材をクラッドチューブに挿入
し、真空中で加熱してガラスロッドとクラッドチューブ
を融着させて、光ファイバ母材（プリフォーム）とする
ことも可能である。なお、クラッドチューブは、石英管
１００と同じ屈折率の純石英ガラスとすることが好適で
ある。
【００５０】こうして得られた光ファイバ母材を電気炉
で２０００℃程度に加熱して溶融状態にした後、線引き
する。これにより、光ファイバが得られる。この光ファ
イバでは、（コア径）：（内層クラッド外径）：（外層
クラッド外径）が、光ファイバ母材における（コアとな
るべき部分の径）：（内層クラッドとなるべき部分の外
径）：（外層クラッドとなるべき部分の外径）と略一致
するので、コア径≒８μｍ、内層クラッド外径≒４０μ
ｍ、外層クラッド外径≒１２５μｍとなる。なお、この
光ファイバは、石英ガラスに６ｗｔ％の酸化ゲルマニウ
ム（ＧｅＯ2 ）が添加されたコアと、石英ガラスに６ｗ
ｔ％の酸化ゲルマニウム及び１ｗｔ％のフッ素（Ｆ）が
添加された内層クラッドと、実質的に石英ガラスのみか
ら成る外層クラッドとを備えている。
で２０００℃程度に加熱して溶融状態にした後、線引き
する。これにより、光ファイバが得られる。この光ファ
イバでは、（コア径）：（内層クラッド外径）：（外層
クラッド外径）が、光ファイバ母材における（コアとな
るべき部分の径）：（内層クラッドとなるべき部分の外
径）：（外層クラッドとなるべき部分の外径）と略一致
するので、コア径≒８μｍ、内層クラッド外径≒４０μ
ｍ、外層クラッド外径≒１２５μｍとなる。なお、この
光ファイバは、石英ガラスに６ｗｔ％の酸化ゲルマニウ
ム（ＧｅＯ2 ）が添加されたコアと、石英ガラスに６ｗ
ｔ％の酸化ゲルマニウム及び１ｗｔ％のフッ素（Ｆ）が
添加された内層クラッドと、実質的に石英ガラスのみか
ら成る外層クラッドとを備えている。
【００５１】図２は、光ファイバ型回折格子の作製方法
の一例の説明図である。図２に示す方法では、ホログラ
フィック干渉法により紫外光を干渉させて光ファイバに
照射する。この方法では、干渉手段２０は、ビームスプ
リッタ２１ａと反射鏡２１ｂ、２１ｃとから構成され
る。また、紫外光光源１０には、アルゴンレーザ光源１
１を用いた。
の一例の説明図である。図２に示す方法では、ホログラ
フィック干渉法により紫外光を干渉させて光ファイバに
照射する。この方法では、干渉手段２０は、ビームスプ
リッタ２１ａと反射鏡２１ｂ、２１ｃとから構成され
る。また、紫外光光源１０には、アルゴンレーザ光源１
１を用いた。
【００５２】アルゴンレーザ光源１１は、２４４ｎｍの
コヒーレントな紫外光を連続発振する。この紫外光は、
ビームスプリッタ２１ａにより透過光と反射光の２光束
に分岐される。分岐された各光束は、それぞれ反射鏡２
１ｂ及び２１ｃによって反射され、コア４１の軸方向に
対し互いに補角の関係にある７４゜（図２における
α）、１０６゜（図２における１８０゜−α）の角度を
もって光ファイバ４０に照射される。
コヒーレントな紫外光を連続発振する。この紫外光は、
ビームスプリッタ２１ａにより透過光と反射光の２光束
に分岐される。分岐された各光束は、それぞれ反射鏡２
１ｂ及び２１ｃによって反射され、コア４１の軸方向に
対し互いに補角の関係にある７４゜（図２における
α）、１０６゜（図２における１８０゜−α）の角度を
もって光ファイバ４０に照射される。
【００５３】分岐された各光束は干渉領域３０にて干渉
し、所定間隔の干渉縞を形成しつつ、光ファイバ４０に
照射される。そして、照射された紫外光は、外層クラッ
ド４５を透過し、内層クラッド４２およびコア４１に入
射して、入射した部分の屈折率を変化させる。
し、所定間隔の干渉縞を形成しつつ、光ファイバ４０に
照射される。そして、照射された紫外光は、外層クラッ
ド４５を透過し、内層クラッド４２およびコア４１に入
射して、入射した部分の屈折率を変化させる。
【００５４】図４は、光ファイバ４０への紫外光の照射
を示した図である。光ファイバ４０の径方向に対する紫
外光の入射角度θ（＝９０°−α）と紫外光の波長λと
を用いると、干渉縞の間隔Λは、 Λ＝λ／（２ｓｉｎθ） …（２） のように表される。したがって、コア４１及び内層クラ
ッド４２の紫外光が入射した領域には、屈折率の変化し
た部分が干渉縞の間隔Λを周期として光ファイバ４０の
光軸方向に沿って配列されるので、ピッチΛの回折格子
４３，４４が、それぞれコア４１、内層クラッド４２に
形成されることになる。こうして、コア４１及び内層ク
ラッド４２に回折格子を有する光導波路としての光ファ
イバが得られた。
を示した図である。光ファイバ４０の径方向に対する紫
外光の入射角度θ（＝９０°−α）と紫外光の波長λと
を用いると、干渉縞の間隔Λは、 Λ＝λ／（２ｓｉｎθ） …（２） のように表される。したがって、コア４１及び内層クラ
ッド４２の紫外光が入射した領域には、屈折率の変化し
た部分が干渉縞の間隔Λを周期として光ファイバ４０の
光軸方向に沿って配列されるので、ピッチΛの回折格子
４３，４４が、それぞれコア４１、内層クラッド４２に
形成されることになる。こうして、コア４１及び内層ク
ラッド４２に回折格子を有する光導波路としての光ファ
イバが得られた。
【００５５】コア４１の屈折率ｎ1 と回折格子４３のピ
ッチΛを用いると、周知なブラッグの回折条件により、
この回折格子の反射波長λR は、 λR ＝２・ｎ1 ・Λ ＝λ・ｎ1 ／ｓｉｎθ …（３） のように表される。なお、本実施例では、この反射波長
λR を１３００ｎｍに設定した。
ッチΛを用いると、周知なブラッグの回折条件により、
この回折格子の反射波長λR は、 λR ＝２・ｎ1 ・Λ ＝λ・ｎ1 ／ｓｉｎθ …（３） のように表される。なお、本実施例では、この反射波長
λR を１３００ｎｍに設定した。
【００５６】なお、紫外光の照射中は、ＬＥＤ光源から
の光を光ファイバ４０の一端から入射させ、他端に接続
されたスペクトルアナライザでこの光の透過スペクトル
を測定して、回折格子４３、４４の形成をリアルタイム
でモニターした。ここで、スペクトルアナライザは、回
折格子４３、４４を透過した光について波長と透過率と
の関係を測定する。
の光を光ファイバ４０の一端から入射させ、他端に接続
されたスペクトルアナライザでこの光の透過スペクトル
を測定して、回折格子４３、４４の形成をリアルタイム
でモニターした。ここで、スペクトルアナライザは、回
折格子４３、４４を透過した光について波長と透過率と
の関係を測定する。
【００５７】紫外光の照射が開始されると回折格子４
３、４４の形成が進むので、透過スペクトルにおいて透
過光の強度が反射波長を中心に減少する。透過スペクト
ルに変化がなくなれば、回折格子４３、４４の形成が飽
和したと考えられるので、この時点で紫外光の照射を停
止する。なお、本実施例では、飽和時間は約４０〜５０
分であった。
３、４４の形成が進むので、透過スペクトルにおいて透
過光の強度が反射波長を中心に減少する。透過スペクト
ルに変化がなくなれば、回折格子４３、４４の形成が飽
和したと考えられるので、この時点で紫外光の照射を停
止する。なお、本実施例では、飽和時間は約４０〜５０
分であった。
【００５８】反射率は、１００％から透過率を差し引い
て求まるので、回折格子４３、４４の形成が飽和した時
点の透過スペクトルから、波長と反射率との関係を示し
た反射スペクトルを求めることができる。その結果、本
実施例で作製された光ファイバ型回折格子の反射率は９
０％以上であり、良好な結果を得た。
て求まるので、回折格子４３、４４の形成が飽和した時
点の透過スペクトルから、波長と反射率との関係を示し
た反射スペクトルを求めることができる。その結果、本
実施例で作製された光ファイバ型回折格子の反射率は９
０％以上であり、良好な結果を得た。
【００５９】なお、ホログラフィック干渉法を用いて紫
外光を光ファイバ４０に照射したが、代わりに位相格子
法を用いることもできる。
外光を光ファイバ４０に照射したが、代わりに位相格子
法を用いることもできる。
【００６０】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、様々な変形が可能である。例えば、中実化
の際に導入する還元剤としては、塩素以外にもフッ素、
四塩化ケイ素、四塩化ゲルマニウム、四フッ化ケイ素等
の気体を用いることができる。また、これらの気体のう
ち数種類を同時に導入しても良い。
のではなく、様々な変形が可能である。例えば、中実化
の際に導入する還元剤としては、塩素以外にもフッ素、
四塩化ケイ素、四塩化ゲルマニウム、四フッ化ケイ素等
の気体を用いることができる。また、これらの気体のう
ち数種類を同時に導入しても良い。
【００６１】また、上記の還元剤と同時に導入する不活
性ガスとして、ヘリウムの代わりに、気体のアルゴンや
ネオンを用いることができると考えられ、これらの気体
のうち数種類を同時に導入しても良い。
性ガスとして、ヘリウムの代わりに、気体のアルゴンや
ネオンを用いることができると考えられ、これらの気体
のうち数種類を同時に導入しても良い。
【００６２】また、公知のＭＣＶＤ法と同様に、光ファ
イバ母材の内層クラッド作製にあたっては、ドーパント
の原料ガスとして本実施例の四塩化ゲルマニウム（Ｇｅ
Ｃｌ4 ）及び酸素に加えて、他のドーパント原料ガスを
同時に導入することができる。例えば、酸化ゲルマニウ
ムに加えて酸化ボロン（Ｂ2 Ｏ3 ）がコアにドープされ
た光ファイバを作製する場合は、四塩化ゲルマニウムと
搬送ガスたる酸素に加えて、臭化ボロン（ＢＢｒ3 ）と
この搬送ガスたる酸素を石英管に導入する。他のドーパ
ントをドープする場合も、このようにＭＣＶＤ法に準じ
てドーパント原料ガスを導入すれば良い。
イバ母材の内層クラッド作製にあたっては、ドーパント
の原料ガスとして本実施例の四塩化ゲルマニウム（Ｇｅ
Ｃｌ4 ）及び酸素に加えて、他のドーパント原料ガスを
同時に導入することができる。例えば、酸化ゲルマニウ
ムに加えて酸化ボロン（Ｂ2 Ｏ3 ）がコアにドープされ
た光ファイバを作製する場合は、四塩化ゲルマニウムと
搬送ガスたる酸素に加えて、臭化ボロン（ＢＢｒ3 ）と
この搬送ガスたる酸素を石英管に導入する。他のドーパ
ントをドープする場合も、このようにＭＣＶＤ法に準じ
てドーパント原料ガスを導入すれば良い。
【００６３】また、当初に用意する石英管にもゲルマニ
ウムがドープされていてもよい。
ウムがドープされていてもよい。
【００６４】
【発明の効果】以上、詳細に説明した通り、本発明の製
造方法で製造された光ファイバ母材は内層クラッドとな
るべき部分にもＧｅＯ2 が添加されているので、この光
ファイバ化後に紫外光を照射すると、コア及び内層クラ
ッドの双方に回折格子が形成されるので、この回折格子
が形成された領域ではコアを伝搬する導波光のみなら
ず、導波光のうちクラッド側へ放射される光も反射さ
れ、モードフィールド全域にわたって導波光が反射され
るとともに光導波路の強度が維持される。したがって、
高い反射率を有する光ファイバ型回折格子を実現でき
る。
造方法で製造された光ファイバ母材は内層クラッドとな
るべき部分にもＧｅＯ2 が添加されているので、この光
ファイバ化後に紫外光を照射すると、コア及び内層クラ
ッドの双方に回折格子が形成されるので、この回折格子
が形成された領域ではコアを伝搬する導波光のみなら
ず、導波光のうちクラッド側へ放射される光も反射さ
れ、モードフィールド全域にわたって導波光が反射され
るとともに光導波路の強度が維持される。したがって、
高い反射率を有する光ファイバ型回折格子を実現でき
る。
【００６５】また、還元剤を導入しながら中実化を行っ
て製造すれば、光ファイバに紫外光を照射したときのガ
ラスの屈折率変化量が大きくなる。したがって、屈折率
が大きく変化した屈折率変化部を光ファイバに形成し
て、高い反射率を有する光ファイバ型回折格子を作製す
ることができる。
て製造すれば、光ファイバに紫外光を照射したときのガ
ラスの屈折率変化量が大きくなる。したがって、屈折率
が大きく変化した屈折率変化部を光ファイバに形成し
て、高い反射率を有する光ファイバ型回折格子を作製す
ることができる。
【図１】本発明の実施例の光ファイバ母材の製造工程図
である。
である。
【図２】光ファイバへの紫外光の照射による回折格子の
形成の説明図である。
形成の説明図である。
１０…紫外光光源、２０…干渉手段、２１ａ…ビームス
プリッタ、２１ｂ，２１ｃ…反射鏡、２２…位相格子、
３０…干渉領域、４０…光ファイバ型回折格子、４１…
コア、４２…内層クラッド、４３，４４…回折格子、４
５…外層クラッド、１００…天然石英管、１１０，１１
５…石英ガラスの微粒子、１１１，１１６…透明化ガラ
ス層、１２０…酸水素炎バーナ。
プリッタ、２１ｂ，２１ｃ…反射鏡、２２…位相格子、
３０…干渉領域、４０…光ファイバ型回折格子、４１…
コア、４２…内層クラッド、４３，４４…回折格子、４
５…外層クラッド、１００…天然石英管、１１０，１１
５…石英ガラスの微粒子、１１１，１１６…透明化ガラ
ス層、１２０…酸水素炎バーナ。
Claims (8)
- 【請求項１】 外層クラッドとなるべき、中空のガラス
管を用意する第１の工程と、 前記ガラス管を加熱しながら、これにガラス原料ガス、
ゲルマニウム、およびフッ素を含むドーパント原料ガス
を導入して、前記ガラス管内に内層クラッドとなるべき
第１のガラス微粒子を堆積後、更に前記ガラス管を加熱
して前記第１のガラス粒子を透明化する第２の工程と、 前記ガラス管を加熱しながら、これにガラス原料ガスお
よびゲルマニウムを含むドーパント原料ガスを導入し
て、前記ガラス管内にコアとなるべき第２のガラス微粒
子を堆積後、更に前記ガラス管を加熱して前記第２のガ
ラス粒子を透明化する第３の工程と、 前記ガラス管を加熱して中実化する第４の工程と、 を備えることを特徴とする光ファイバ母材の製造方法。 - 【請求項２】 前記第４の工程は、前記ガラス管内に酸
化物を還元する還元剤を導入しながら、前記ガラス管を
加熱して中実化する工程であることを特徴とする請求項
１記載の光ファイバ母材の製造方法。 - 【請求項３】 前記還元剤は、塩素、フッ素、四塩化ケ
イ素、四塩化ゲルマニウム及び四フッ化ケイ素のいずれ
か一つ以上を成分とする気体であることを特徴とする請
求項２記載の光ファイバ母材の製造方法。 - 【請求項４】 前記第２の工程および前記第３の工程に
おける前記透明ガラス化は、前記ガラス管内に四塩化ゲ
ルマニウムを導入しながら行うことを特徴とする請求項
１記載の光ファイバ母材の製造方法。 - 【請求項５】 前記第４の工程における前記ガラス管の
中実化において、前記ガラス管に前記還元剤とともに不
活性ガスを導入することを特徴とする請求項１記載の光
ファイバ母材の製造方法。 - 【請求項６】 前記不活性ガスは、ヘリウム、アルゴン
及びネオンいずれか一つ以上を成分とする気体であるこ
とを特徴とする請求項５記載の光ファイバ母材の製造方
法。 - 【請求項７】 前記第４の工程における前記ガラス管の
中実化を、前記ガラス管内を約１７００℃から約２１０
０℃までの温度にして行うことを特徴とする請求項１記
載の光ファイバ母材の製造方法。 - 【請求項８】 前記第４の工程の後、内層クラッドとな
るべきガラス層の外径は、コアとなるべきガラス層の直
径の６倍以下であることを特徴とする請求項１記載の光
ファイバ母材の製造方法。
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|---|---|---|---|---|
| WO2004018374A1 (en) * | 2002-08-20 | 2004-03-04 | Lg Cable Ltd. | Method of manufacturing optical fiber preform using modified chemical vapor deposition including dehydration and dechlorination process and optical fiber manufactured by the method |
| US6728458B2 (en) | 2001-02-28 | 2004-04-27 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical fiber and fiber grating device |
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| CN103011578A (zh) * | 2012-12-17 | 2013-04-03 | 中天科技精密材料有限公司 | 一种制造凹陷包层超低水峰光纤芯棒的装置及其方法 |
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-
1995
- 1995-04-17 JP JP09088595A patent/JP3601103B2/ja not_active Expired - Lifetime
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