JPH08288103A - 電気抵抗素子 - Google Patents
電気抵抗素子Info
- Publication number
- JPH08288103A JPH08288103A JP8089524A JP8952496A JPH08288103A JP H08288103 A JPH08288103 A JP H08288103A JP 8089524 A JP8089524 A JP 8089524A JP 8952496 A JP8952496 A JP 8952496A JP H08288103 A JPH08288103 A JP H08288103A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- boride
- molybdenum
- resistance element
- electric resistance
- tungsten
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 28
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 15
- LGLOITKZTDVGOE-UHFFFAOYSA-N boranylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#B LGLOITKZTDVGOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- OFEAOSSMQHGXMM-UHFFFAOYSA-N 12007-10-2 Chemical compound [W].[W]=[B] OFEAOSSMQHGXMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 8
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims abstract description 7
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 7
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 26
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 4
- 229910000953 kanthal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- -1 silicide compound Chemical class 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/58085—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicides
- C04B35/58092—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicides based on refractory metal silicides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
- C04B2235/3804—Borides
- C04B2235/3813—Refractory metal borides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/60—Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
- C04B2235/602—Making the green bodies or pre-forms by moulding
- C04B2235/6021—Extrusion moulding
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
- C04B2235/6583—Oxygen containing atmosphere, e.g. with changing oxygen pressures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/80—Phases present in the sintered or melt-cast ceramic products other than the main phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/80—Phases present in the sintered or melt-cast ceramic products other than the main phase
- C04B2235/85—Intergranular or grain boundary phases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
- C04B2235/9669—Resistance against chemicals, e.g. against molten glass or molten salts
- C04B2235/9684—Oxidation resistance
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高温で使用し得る電気抵抗素子を提供するこ
と。 【解決手段】 少なくとも１個の高温帯と、少なくとも
２個のリードイン導体とを含み、該高温帯が、モリブデ
ンとタングステンとを含み化学式：ＭＯx Ｗ1-xＳｉ2
［式中、ｘは０．５〜０．７５である］で示される均質
なケイ化物材料を含む、ケイ化モリブデン型の電気抵抗
素子であって、総重量の１０〜４０％が化合物：ホウ化
モリブデン又はホウ化タングステンの少なくとも１種に
よって置換され、該化合物がケイ化物材料中に粒子形状
で存在することを特徴とする前記電気抵抗素子。
と。 【解決手段】 少なくとも１個の高温帯と、少なくとも
２個のリードイン導体とを含み、該高温帯が、モリブデ
ンとタングステンとを含み化学式：ＭＯx Ｗ1-xＳｉ2
［式中、ｘは０．５〜０．７５である］で示される均質
なケイ化物材料を含む、ケイ化モリブデン型の電気抵抗
素子であって、総重量の１０〜４０％が化合物：ホウ化
モリブデン又はホウ化タングステンの少なくとも１種に
よって置換され、該化合物がケイ化物材料中に粒子形状
で存在することを特徴とする前記電気抵抗素子。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はケイ化モリブデン型
の電気抵抗素子に関する。この点で、本発明は、本質的
にケイ化化合物から構成され、モリブデンが該ケイ化化
合物の金属成分の主要部分を成す素子に関する。
の電気抵抗素子に関する。この点で、本発明は、本質的
にケイ化化合物から構成され、モリブデンが該ケイ化化
合物の金属成分の主要部分を成す素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】ケイ化モリブデン型の電気抵抗素子は当
該技術分野において長い間知られている。これらの主要
な用途はいわゆる高温用途、主として、約１，７００℃
の温度において稼働するオーブンに見い出される。この
ような抵抗素子はスウェーデン特許明細書第４５８，６
４６号に開示されており、この特許ではケイ化物中でモ
リブデンが部分的にタングステンによって置換されてい
る。この物質は、化学式：Ｍｏx Ｗ1-x Ｓｉ2 を有する
均質な物質である。この化学式において、モリブデンと
タングステンとは同一形態であり、したがって、同じ構
造において相互に交換可能である。したがって、この物
質はＭｏＳｉ2 とＷＳｉ2 との両物質の混合物を構成し
ていない。この特許明細書による素子は商品名：Ｋａｎ
ｔｈａｌ Ｓｕｐｅｒ１９００で販売されている。
該技術分野において長い間知られている。これらの主要
な用途はいわゆる高温用途、主として、約１，７００℃
の温度において稼働するオーブンに見い出される。この
ような抵抗素子はスウェーデン特許明細書第４５８，６
４６号に開示されており、この特許ではケイ化物中でモ
リブデンが部分的にタングステンによって置換されてい
る。この物質は、化学式：Ｍｏx Ｗ1-x Ｓｉ2 を有する
均質な物質である。この化学式において、モリブデンと
タングステンとは同一形態であり、したがって、同じ構
造において相互に交換可能である。したがって、この物
質はＭｏＳｉ2 とＷＳｉ2 との両物質の混合物を構成し
ていない。この特許明細書による素子は商品名：Ｋａｎ
ｔｈａｌ Ｓｕｐｅｒ１９００で販売されている。
【０００３】原則として、抵抗素子の製造材料は最初に
粉末状態で存在する。この粉末を結合剤（例えば、ポリ
マー又は粘土）及び水と混合した後に、押出成形する。
押出成形した物質を次に乾燥させ、不活性雰囲気又は酸
化性雰囲気中で１，４００〜１，８００℃の温度に加熱
し、それによって粒子を共に焼結させる。
粉末状態で存在する。この粉末を結合剤（例えば、ポリ
マー又は粘土）及び水と混合した後に、押出成形する。
押出成形した物質を次に乾燥させ、不活性雰囲気又は酸
化性雰囲気中で１，４００〜１，８００℃の温度に加熱
し、それによって粒子を共に焼結させる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記特許明細書に開示
された種類の抵抗素子は酸化性雰囲気中で１，８５０℃
までの温度においてオーブン内で用いることができ、極
めて良好な寿命を示す。これは例えば、それぞれ６ｍｍ
と９ｍｍの加熱帯を有するＫａｎｔｈａｌの標準素子に
用いられる。より短い滞留時間の場合には、１，９００
℃までの温度が可能である。それぞれ３ｍｍと４ｍｍの
加熱帯直径を有する標準素子３／６又は４／９のよう
な、より細長い又は薄い素子も１，９００℃の温度にお
いてより短い時間使用可能であるが、例えば実験用炉の
ように、別々の加熱期間と冷却期間とを組合せて最高使
用温度における長い寿命を必要とする機能素子としての
それらを使用すると、有効最大温度は３／６素子の場合
には１，８３０℃に、４／９素子の場合には１，８５０
℃に限定される。
された種類の抵抗素子は酸化性雰囲気中で１，８５０℃
までの温度においてオーブン内で用いることができ、極
めて良好な寿命を示す。これは例えば、それぞれ６ｍｍ
と９ｍｍの加熱帯を有するＫａｎｔｈａｌの標準素子に
用いられる。より短い滞留時間の場合には、１，９００
℃までの温度が可能である。それぞれ３ｍｍと４ｍｍの
加熱帯直径を有する標準素子３／６又は４／９のよう
な、より細長い又は薄い素子も１，９００℃の温度にお
いてより短い時間使用可能であるが、例えば実験用炉の
ように、別々の加熱期間と冷却期間とを組合せて最高使
用温度における長い寿命を必要とする機能素子としての
それらを使用すると、有効最大温度は３／６素子の場合
には１，８３０℃に、４／９素子の場合には１，８５０
℃に限定される。
【０００５】より細長い素子で有効最大温度が低下する
理由は、操作中に物質の表面にシリカ層の形成を生じ
る、物質の表面酸化に本質的に関係する。
理由は、操作中に物質の表面にシリカ層の形成を生じ
る、物質の表面酸化に本質的に関係する。
【０００６】高温において酸素にさらした場合に、加熱
素子の表面上に二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）が放物線状の
成長速度で成長し、加熱素子の横断面の寸法に関係な
く、同表面に留まる。素子が１，８５０℃の温度におい
て数百時間、操作された後に、０．１〜０．２ｍｍの厚
さまで良好に成長する層が形成されがちである。この物
質が室温まで冷却されると、シリカ層は硬化し、それに
よって、基体材料の熱膨張係数とシリカ表面の熱膨張係
数との間の顕著な差の結果として加熱素子の基体材料に
張力がかかる。シリカ表面の熱膨張係数は０．５ｘ１０
-6であるが、基体材料の熱膨張係数は（７〜８）ｘ１０
-6である。
素子の表面上に二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）が放物線状の
成長速度で成長し、加熱素子の横断面の寸法に関係な
く、同表面に留まる。素子が１，８５０℃の温度におい
て数百時間、操作された後に、０．１〜０．２ｍｍの厚
さまで良好に成長する層が形成されがちである。この物
質が室温まで冷却されると、シリカ層は硬化し、それに
よって、基体材料の熱膨張係数とシリカ表面の熱膨張係
数との間の顕著な差の結果として加熱素子の基体材料に
張力がかかる。シリカ表面の熱膨張係数は０．５ｘ１０
-6であるが、基体材料の熱膨張係数は（７〜８）ｘ１０
-6である。
【０００７】張力は当然、シリカ層の厚さの増加と共に
増大する。引張り応力が前記材料の機械的強度を越える
ときに基体材料に破壊が生じ、このような破壊はシリカ
表面がある一定の臨界厚さを越えて成長するときに生じ
る。より細長い素子の場合には、粗大な又は厚い素子の
場合よりも、シリカ表面が基体材料に比べて大きい横断
面積部分を占める。したがって、細長い素子の場合に
は、粗大な又は厚い素子の場合よりも、同じ作用温度及
び同じ稼働条件において一般に、非常に迅速にシリカ層
の臨界厚さに達する。
増大する。引張り応力が前記材料の機械的強度を越える
ときに基体材料に破壊が生じ、このような破壊はシリカ
表面がある一定の臨界厚さを越えて成長するときに生じ
る。より細長い素子の場合には、粗大な又は厚い素子の
場合よりも、シリカ表面が基体材料に比べて大きい横断
面積部分を占める。したがって、細長い素子の場合に
は、粗大な又は厚い素子の場合よりも、同じ作用温度及
び同じ稼働条件において一般に、非常に迅速にシリカ層
の臨界厚さに達する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、一部は素子の
機械的強度を高めることによって、一部はシリカ層の成
長を低下させることによって、このような抵抗素子をか
なり改良する。このように、本発明は、少なくとも１個
の高温帯と、少なくとも２個のリードイン導体とを含
み、該高温帯が、モリブデンとタングステンとを含み化
学式：ＭＯx Ｗ1-x Ｓｉ2 ［式中、ｘは０．５〜０．７
５である］で示される均質なケイ化物材料を含む、ケイ
化モリブデン型の電気抵抗素子であって、総重量の１０
〜４０％が化合物ホウ化モリブデン又はホウ化タングス
テンの少なくとも１種によって置換され、該化合物がケ
イ化物材料中に粒子形状で存在することを特徴とする電
気抵抗素子に関する。
機械的強度を高めることによって、一部はシリカ層の成
長を低下させることによって、このような抵抗素子をか
なり改良する。このように、本発明は、少なくとも１個
の高温帯と、少なくとも２個のリードイン導体とを含
み、該高温帯が、モリブデンとタングステンとを含み化
学式：ＭＯx Ｗ1-x Ｓｉ2 ［式中、ｘは０．５〜０．７
５である］で示される均質なケイ化物材料を含む、ケイ
化モリブデン型の電気抵抗素子であって、総重量の１０
〜４０％が化合物ホウ化モリブデン又はホウ化タングス
テンの少なくとも１種によって置換され、該化合物がケ
イ化物材料中に粒子形状で存在することを特徴とする電
気抵抗素子に関する。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明を次にさらに詳細に説明す
る。本発明は、少なくとも１個の高温帯と、少なくとも
２個のリードイン導体とを含むケイ化モリブデン型の電
気抵抗素子に関する。該高温帯は、モリブデンとタング
ステンとを含み化学式：ＭＯx Ｗ1-x Ｓｉ2 ［式中、ｘ
は０．５〜０．７５である］で示される均質なケイ化物
材料を含む。
る。本発明は、少なくとも１個の高温帯と、少なくとも
２個のリードイン導体とを含むケイ化モリブデン型の電
気抵抗素子に関する。該高温帯は、モリブデンとタング
ステンとを含み化学式：ＭＯx Ｗ1-x Ｓｉ2 ［式中、ｘ
は０．５〜０．７５である］で示される均質なケイ化物
材料を含む。
【００１０】本発明によると、総重量の１０〜４０％は
化合物：ホウ化モリブデン又はホウ化タングステンの少
なくとも１種によって置換されている。本発明による
と、上記化合物はケイ化物材料中に粒子形状で存在す
る。このことは、化合物が、均質なケイ化物材料の粉末
粒子に機械的に結合する個別の粒子であることを意味す
る。上記焼結プロセスによって、結合が得られる。
化合物：ホウ化モリブデン又はホウ化タングステンの少
なくとも１種によって置換されている。本発明による
と、上記化合物はケイ化物材料中に粒子形状で存在す
る。このことは、化合物が、均質なケイ化物材料の粉末
粒子に機械的に結合する個別の粒子であることを意味す
る。上記焼結プロセスによって、結合が得られる。
【００１１】本発明の素子の材料の機械的強度がＭｏx
Ｗ1-x Ｓｉ2 から成る素子に比べて少なくとも２５％改
良されることが、意外にも判明した。例えば、２５重量
％のＷＢの添加は室温における曲げ強度を４５０ＭＰａ
から６００ＭＰａまで増加させる。本発明の好ましい１
実施態様によると、ｘが０．６〜０．７であり、好まし
くは０．６６である。
Ｗ1-x Ｓｉ2 から成る素子に比べて少なくとも２５％改
良されることが、意外にも判明した。例えば、２５重量
％のＷＢの添加は室温における曲げ強度を４５０ＭＰａ
から６００ＭＰａまで増加させる。本発明の好ましい１
実施態様によると、ｘが０．６〜０．７であり、好まし
くは０．６６である。
【００１２】１種以上の前記化合物が総重量の１０％〜
２０％、好ましくは１５％を成すことが好ましい。原料
の現在の価格のために、前記化合物の少なくとも主要部
分がホウ化モリブデンから成ることが好ましい。ホウ化
タングステンはホウ化タングステン類：ＷＢ、Ｗ2 Ｂ、
ＷＢ2 又はＷ2Ｂ5 の１種以上である。ホウ化モリブデ
ンがホウ化モリブデン類：ＭｏＢ、Ｍｏ2 Ｂ、ＭｏＢ2
及びＭｏ2 Ｂ5 の１種以上であることができる。
２０％、好ましくは１５％を成すことが好ましい。原料
の現在の価格のために、前記化合物の少なくとも主要部
分がホウ化モリブデンから成ることが好ましい。ホウ化
タングステンはホウ化タングステン類：ＷＢ、Ｗ2 Ｂ、
ＷＢ2 又はＷ2Ｂ5 の１種以上である。ホウ化モリブデ
ンがホウ化モリブデン類：ＭｏＢ、Ｍｏ2 Ｂ、ＭｏＢ2
及びＭｏ2 Ｂ5 の１種以上であることができる。
【００１３】ホウ化モリブデンがＭｏＢであり、ホウ化
タングステンがＷＢであることが、原料の現在の価格を
考慮すると、好ましい。本発明の他の好ましい実施態様
によると、上記リードイン導体は素子の構成材料と一致
する物質からも製造される。
タングステンがＷＢであることが、原料の現在の価格を
考慮すると、好ましい。本発明の他の好ましい実施態様
によると、上記リードイン導体は素子の構成材料と一致
する物質からも製造される。
【００１４】本発明の素子の場合の酸化成長(oxidation
growth)はＫａｎｔｈａｌ １９００ Ｓｕｐｅｒによ
って経験される酸化成長よりも低い。極度に高い温度
（すなわち、１，８００℃を越える温度）における本発
明の素子の酸化成長はＫａｎｔｈａｌ １９００ Ｓｕ
ｐｅｒによって経験される酸化成長よりも５０〜６０％
まで低い。したがって、時間の関数として、シリカ層の
成長によって生ずる機械的強度の巨視的低下は、本発明
の組成物の場合には、特に極端な高温においてずっと低
い。
growth)はＫａｎｔｈａｌ １９００ Ｓｕｐｅｒによ
って経験される酸化成長よりも低い。極度に高い温度
（すなわち、１，８００℃を越える温度）における本発
明の素子の酸化成長はＫａｎｔｈａｌ １９００ Ｓｕ
ｐｅｒによって経験される酸化成長よりも５０〜６０％
まで低い。したがって、時間の関数として、シリカ層の
成長によって生ずる機械的強度の巨視的低下は、本発明
の組成物の場合には、特に極端な高温においてずっと低
い。
【００１５】したがって、本発明は電気抵抗素子を、例
えば３／６素子及び４／９素子のような、比較的細長い
素子であっても、１８８０〜１９００℃までの極端な温
度条件において多重サイクルにわたって、長時間用いる
ことを可能にする。３／６素子及び４／９素子とは、そ
れぞれ、３ｍｍと４ｍｍの加熱帯直径を有する素子を意
味する。
えば３／６素子及び４／９素子のような、比較的細長い
素子であっても、１８８０〜１９００℃までの極端な温
度条件において多重サイクルにわたって、長時間用いる
ことを可能にする。３／６素子及び４／９素子とは、そ
れぞれ、３ｍｍと４ｍｍの加熱帯直径を有する素子を意
味する。
【００１６】ホウ化タングステン及び／又はホウ化モリ
ブデンが基体材料の機械的強度と、シリカ層の成長と、
これらによる素子の全体強度とに及ぼす有利な効果のた
めに、高い使用温度が可能になる。これによって、序文
に挙げた電気抵抗素子に関する改良が本発明によって達
成される。
ブデンが基体材料の機械的強度と、シリカ層の成長と、
これらによる素子の全体強度とに及ぼす有利な効果のた
めに、高い使用温度が可能になる。これによって、序文
に挙げた電気抵抗素子に関する改良が本発明によって達
成される。
Claims (8)
- 【請求項１】 少なくとも１個の高温帯と、少なくとも
２個のリードイン導体とを含み、該高温帯が、モリブデ
ンとタングステンとを含み化学式：ＭＯx Ｗ 1-x Ｓｉ2
［式中、ｘは０．５〜０．７５である］で示される均質
なケイ化物材料を含む、ケイ化モリブデン型の電気抵抗
素子であって、総重量の１０〜４０％が化合物：ホウ化
モリブデン又はホウ化タングステンの少なくとも１種に
よって置換され、該化合物がケイ化物材料中に粒子形状
で存在することを特徴とする前記電気抵抗素子。 - 【請求項２】 ｘが０．６〜０．７であり、好ましくは
０．６６である請求項１記載の電気抵抗素子。 - 【請求項３】 １種以上の前記化合物が総重量の１０％
〜２０％、好ましくは１５％である請求項１又は２に記
載の電気抵抗素子。 - 【請求項４】 前記化合物の少なくとも主要部分がホウ
化モリブデンから構成される請求項１〜３のいずれかに
記載の電気抵抗素子。 - 【請求項５】 ホウ化モリブデンがＭｏＢ、Ｍｏ2 Ｂ、
ＭｏＢ2 及びＭｏ2Ｂ5 の１種以上のホウ化モリブデン
である請求項１〜４のいずれかに記載の電気抵抗素子。 - 【請求項６】 ホウ化タングステンがＷＢ、Ｗ2 Ｂ、Ｗ
Ｂ2 又はＷ2 Ｂ5 の１種以上のホウ化タングステンであ
る請求項１〜４のいずれかに記載の電気抵抗素子。 - 【請求項７】 ホウ化モリブデンがＭｏＢであり、ホウ
化タングステンがＷＢである請求項１〜６のいずれかに
記載の電気抵抗素子。 - 【請求項８】 前記リードイン導体が、素子が一般に構
成される材料に一致する材料から構成される請求項１〜
６のいずれかに記載の電気抵抗素子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SE9501356-1 | 1995-04-11 | ||
| SE9501356A SE504235C2 (sv) | 1995-04-11 | 1995-04-11 | Elektriskt motståndselement av molybdensilicidtyp |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08288103A true JPH08288103A (ja) | 1996-11-01 |
Family
ID=20397937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8089524A Pending JPH08288103A (ja) | 1995-04-11 | 1996-04-11 | 電気抵抗素子 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5708408A (ja) |
| EP (1) | EP0737985B1 (ja) |
| JP (1) | JPH08288103A (ja) |
| DE (1) | DE69625535T2 (ja) |
| ES (1) | ES2186766T3 (ja) |
| SE (1) | SE504235C2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2921469A1 (en) | 2015-02-23 | 2015-09-23 | JX Nippon Mining & Metals Corporation | Molybdenum disilicide heating element which contains tungsten |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3657800B2 (ja) * | 1998-02-20 | 2005-06-08 | 株式会社リケン | 二珪化モリブデン系複合セラミックス発熱体及びその製造方法 |
| SE520251C2 (sv) * | 1999-05-20 | 2003-06-17 | Sandvik Ab | Motståndselement av molybdensilicidtyp för sintring av metallpulver |
| SE9904170L (sv) * | 1999-11-18 | 2000-12-11 | Sandvik Ab | Molybdensilicid-material med hög hållfasthet |
| RU2178958C2 (ru) * | 2000-02-17 | 2002-01-27 | Институт физики твердого тела РАН | Жаростойкий материал |
| SE519027C2 (sv) * | 2000-05-18 | 2002-12-23 | Sandvik Ab | Förfarande för att öka livslängden hos värmeelement vid lägre temperatur |
| SE520149C2 (sv) | 2000-09-29 | 2003-06-03 | Sandvik Ab | Förfarande för att öka livslängden hos värmeelement av molybdensilicidtyp vid lägre temperatur |
| SE0004819L (sv) | 2000-12-21 | 2002-02-05 | Sandvik Ab | Motståndselement för extrema temperaturer |
| US6983104B2 (en) | 2002-03-20 | 2006-01-03 | Guardian Industries Corp. | Apparatus and method for bending and/or tempering glass |
| SE521794C2 (sv) * | 2002-04-05 | 2003-12-09 | Sandvik Ab | Tillverkningsförfarande för ett värmeelement av molybdensilicidtyp, jämte ett värmeelement |
| JP4920873B2 (ja) * | 2002-04-05 | 2012-04-18 | サンドビック インテレクチュアル プロパティー アクティエボラーグ | モリブデンケイ化物タイプの加熱エレメントの製造方法 |
| SE521796C2 (sv) * | 2002-04-05 | 2003-12-09 | Sandvik Ab | Förfarande för tillverkning av ett värmeelement av molybdensilicidtyp jämte ett värmeelement |
| KR20120027218A (ko) * | 2009-05-05 | 2012-03-21 | 산드빅 인터렉츄얼 프로퍼티 에이비 | 가열 소자 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3681737A (en) * | 1969-05-16 | 1972-08-01 | Bengt Magnusson | Electric resistance heater |
| JPS6014092B2 (ja) * | 1975-09-18 | 1985-04-11 | 電気化学工業株式会社 | 発熱体 |
| JPS5350496A (en) * | 1976-10-19 | 1978-05-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Resistor compound |
| US4267435A (en) * | 1979-08-23 | 1981-05-12 | The Kanthal Corporation | Electric resistance heating element |
| SE458646B (sv) * | 1987-09-14 | 1989-04-17 | Kanthal Ab | Elektriskt motstaandselement av mosi2-typ |
| JPH01115876A (ja) * | 1987-10-27 | 1989-05-09 | Agency Of Ind Science & Technol | 耐酸化性高強度焼結体 |
| US5069841A (en) * | 1990-01-09 | 1991-12-03 | University Of California | Molybdenum disilicide alloy matrix composite |
| WO1995031416A1 (en) * | 1994-05-13 | 1995-11-23 | Micropyretics Heaters International | Sinter-homogenized heating products |
-
1995
- 1995-04-11 SE SE9501356A patent/SE504235C2/sv not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-04-03 US US08/627,040 patent/US5708408A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-04-10 EP EP96850073A patent/EP0737985B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-04-10 DE DE69625535T patent/DE69625535T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-04-10 ES ES96850073T patent/ES2186766T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1996-04-11 JP JP8089524A patent/JPH08288103A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2921469A1 (en) | 2015-02-23 | 2015-09-23 | JX Nippon Mining & Metals Corporation | Molybdenum disilicide heating element which contains tungsten |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69625535D1 (de) | 2003-02-06 |
| SE9501356L (sv) | 1996-10-12 |
| EP0737985A3 (en) | 1997-08-13 |
| ES2186766T3 (es) | 2003-05-16 |
| EP0737985B1 (en) | 2003-01-02 |
| EP0737985A2 (en) | 1996-10-16 |
| US5708408A (en) | 1998-01-13 |
| SE9501356D0 (sv) | 1995-04-11 |
| DE69625535T2 (de) | 2003-09-04 |
| SE504235C2 (sv) | 1996-12-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH08288103A (ja) | 電気抵抗素子 | |
| JPH10324571A (ja) | 二珪化モリブデン系セラミックス発熱体及びその製造方法 | |
| CA3092946C (en) | A heating element comprising chromium alloyed molybdenum disilicide and the use thereof | |
| CN108430951B (zh) | 一种新的硅化钼基组合物 | |
| JP2001509306A (ja) | 赤外線パネル | |
| EP1344428B1 (en) | A resistor element for extreme temperatures | |
| JP4920873B2 (ja) | モリブデンケイ化物タイプの加熱エレメントの製造方法 | |
| JP2560680B2 (ja) | 耐熱性絶縁電線とその製造方法、および耐熱性絶縁材料の製造方法 | |
| JP2001206783A (ja) | 無機繊維質成形体、断熱材及びこれらの製造方法 | |
| KR20040105845A (ko) | 규화몰리브덴 타입의 발열 소자와 그 제조 방법 | |
| JPH07315933A (ja) | ＳｉＣ質耐火物及びその製造方法 | |
| JPH1053459A (ja) | アルミナ磁器組成物 | |
| JP4623778B2 (ja) | 炭素系発熱体の製造方法 | |
| KR20040105844A (ko) | 규화몰리브덴 타입의 발열 소자와 그 제조 방법 | |
| JPH10297972A (ja) | 高温用ＭｏＳｉ２ 基複合セラミックスヒーターの発熱部素材とその製造方法 | |
| JPH11242987A (ja) | 炭素系発熱体 | |
| SU1339902A1 (ru) | Керамический материал дл электронагревателей | |
| JPH02185939A (ja) | 耐熱電線用複合導体及びその製造方法 | |
| CN111868009A (zh) | 加热元件 | |
| SU928672A1 (ru) | Металлокерамический материал дл изготовлени электронагревателей | |
| JPS6180784A (ja) | 遠赤外線放射発熱体および製法 | |
| JPH03101087A (ja) | セラミックス発熱体 | |
| JPH10209582A (ja) | セラミックス基板及びセラミックス回路基板の製造方法 | |
| JP4437809B2 (ja) | 高電気抵抗及び高熱伝導再結晶ＳｉＣ焼結体及びその製造方法 | |
| JPH10208854A (ja) | ＳｉＣ−ＭｏＳｉ２ 複合材ヒータ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20050606 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20050512 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20050926 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051107 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20051013 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20051013 |