JP2001509306A - 赤外線パネル - Google Patents

赤外線パネル

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Abstract

(57)【要約】 赤外線パネルにおいて、電気加熱要素2を取り付けているセラミックファイバー材料でできた壁部1であって、該要素が電源に接続されるようになっており、該要素が赤外線を放射するような高温にまで該要素を加熱し、該加熱要素がステープルによって前記壁部に取り付けられている、その壁部を具備し、該加熱要素2が前記壁部1の表面6とは間隔をあけて取り付けられていることを特徴とする赤外線パネル。

Description

【発明の詳細な説明】 赤外線パネル 本発明は赤外線パネルに関するものである。 赤外線パネルは当業者において知られており、なかでも、スウェーデンのカン タールAB社によって供給されている。 そのようなパネルは、原理的には、電気抵抗ワイヤをセラミックファイバー材 料の壁部上に取りつけることによって構成されている。該抵抗ワイヤは電源に接 続され、高温、例えば、1500度Cないし1600度Cに加熱される。該抵抗 ワイヤは次に赤外線を放射する。 これらの既知のパネルに関する1つの問題は、抵抗ワイヤの実効寿命が、該パ ネルの望みの実効寿命期間に関して十分に長くないという点にある。例えば、製 紙産業においては、赤外線パネルは紙や紙パルプを乾燥するために用いることが でき、その製造過程を連続させるために長い実効寿命期間が必要となる。例えば 、製紙産業は16000時間の実効寿命期間が望ましい。カンタール スーパー 1800の名称でカンタールAB社から市販されている既知の抵抗要素からなる 既知のパネルは、6000時間の実効寿命期間を有している。 硅素化モリブデンでできた電気抵抗要素は長い間知られてきている。これらの 抵抗要素は主として、例えば約1700度Cまでの温度で作動するオーブンのよ うな、いわゆる高温仕様の目的のために用いられることがわかっている。 スウェーデン特許明細書第458,646は抵抗要素としてカンタール スー パー1900を記載している。使用されている材料は化学式がMox1-xSi2 の均質な材料である。該化学式においては、モリブデンとタングステンが同形結 晶であり、従って、同一の構造物の中で互いに置き換わることができる。前記材 料はMoSi2とWSi2の混合物は含有していない。 SiO2は高温において酸素にさらされると、放物線状の生長率で加熱要素の 表面において生長し、この生長率は加熱要素の断面寸法とは無関係に同一である 。1850度Cの下で数100時間運転した後の層の厚さは0.1mmないし0. 2 mmである。室温にまで冷却すると、このガラス成分の層は固化し、加熱要素の基 礎材料の熱膨張率がガラス成分のそれと大きく異なっているので、該基礎材料に 対して張力を加えることになるであろう。ガラス成分の熱膨張率は0.5x10-6 であり、他方、基礎材料の熱膨張率は7−8x10-6である。 これらの張力は、もちろん、ガラス成分の層の厚さが増加すると共に増加する であろう。該張力が基礎材料の機械強度を越えると破壊が発生するが、このこと はガラス成分がある臨界厚さより大きく生長率した時に生じる。 もっとほっそりした要素の場合には、ガラス成分によって構成される断面積の 、基礎材料の断面積に対する比率は、太い要素の場合におけるよりも大きいであ ろう。ガラス成分の臨界厚さには、同一の作業温度、同一の一般的な運転条件の 下では、ほっそりした要素の場合の方が、太い要素の場合よりもより短い作業時 間の後に到達するであろう。 今まで、このことが赤外線パネルの実効寿命期間の支配的な要因であると信じ られてきた。 しかしながら、抵抗ワイヤを取りつけているパネルの構造が極めて重要である ことがわかってきた。 本発明は実効寿命期間が、同じ抵抗ワイヤを用いた場合の既知のパネルのそれ より長くなる赤外線パネルを提供する。 本発明は赤外線パネルに関するものであり、該赤外線パネルは、電気抵抗要素 を取りつけているセラミックファイバー材料でできた壁部であって、該要素が電 源に接続されるようになっており、該要素が赤外線を放射するような高温にまで 該抵抗要素を加熱し、該抵抗要素がステープルによって前記壁部に取りつけられ ている、その壁部を具備し、該抵抗要素が前記壁部の表面とは間隔をあけて取り つけられていることを特徴としている。 本発明について、その例示的な実施例を参照し、添付図面を参照しながら、も っと詳細に説明する。 図1は直前方から見た赤外線パネルの説明図である。 図2は図1の線A−Aから見たパネルの断面図である。 図1と図2は、電気抵抗要素2を取りつけているセラミックファイバー材料で できた壁部1からなる赤外線パネルを示している。該セラミックファイバー材料 は約50%のAl23を含む珪酸アルミニウム型の材料であってもよい。前記抵 抗要素は導電媒体3,4を介して電源に接続されるようになっており、該要素は 抵抗線が赤外線を放射するような高温にまで加熱することができる。該抵抗ワイ ヤはステープル5によって壁部1に取りつけられている。該壁部1は適当な材料 、好ましくは、酸化アルミニウムの含有量が該壁部1のそれよりも少ないシート 7によって取りつけられている。 本発明によると、前記抵抗要素は壁部1の表面6の上に、それとは間隔をあけ て取りつけられている。このことは、抵抗要素が壁部1と接触して取りつけられ ている場合に得られる出力密度よりも高い出力密度を得ることができるという点 で極めて重要な特徴である。抵抗要素が壁部から離れているという理由で、要素 の全外表面から自由に赤外線を放射することができる。また、要素2が壁部1と 接触している場合のように、該要素が過熱状態になる危険性もない。 本実施例は要素2あるいはその導電体3,4を冷却する必要性をなくしている 。この特徴は非常に有利なことであり、赤外線出力に対する放射出力の効率を、 ハロゲンランプを用いるシステムと比較して20〜30%増加させることができ る。 赤外線におけるエネルギー密度は既知のガス放射器によって得られるエネルギ ー密度より、2ないし3倍になり得る。より短い波長の放射も得られ、より効果 的な乾燥作用を得ることができる。1.5μmの波長において主ピークを有し、 2.2μmの波長において2次ピークを有する赤外線は典型的なカンタール社の 抵抗要素である。 本発明によるパネルのエネルギー密度は250−340Kw/m-にまで達し 、紙の乾燥の効率は60%以上になる。ガス放射器の対応的なエネルギー密度は 90−150Kw/mであり、ハロゲン赤外線は220−300Kw/m-であ る。ハロゲン赤外線の効率は約30−40%である。 従って、冷却が不必要なので、本発明の必要な設備のコストを下げて、結果的 に高効率かつ高エネルギー密度が得られることは明らかである。また本発明によ る赤外線パネルがガス放射器やハロゲン放射器よりも良好な特性を有するであろ うことは明らかである。もし抵抗要素あるいは加熱要素を壁部1に接触させる場 合には、要素の操作中に形成されるガラス成分が壁部に定着することになるであ ろう。要素が冷却される場合には、前記ガラス成分が最初に固化し、該要素が収 縮する場合には、要素の引張強度が壁部におけるファイバー材料の圧縮強度や、 ガラス成分のファイバー材料への接着力よりも小さいので、要素が引きはがされ るような重大な危険性が存在する。 本発明の1つの極めて好ましい実施例によると、壁部の表面6と抵抗要素2と の間に、セラミック棒8,10,12,14,16が相互に間隔を開けて配置さ れている。また、抵抗要素の反対側にも、相互に間隔をおいてセラミック棒9, 11,13,15が配置されている。 前記セラミック棒8−16はそれぞれの棒の周りで係合しているステープル5に よって壁部1に固定されている。前記棒とステープルとは、以後支持セラミック と呼ぶ。 従って、前記抵抗要素2は前部の棒と後部の棒との間の所定位置に保持され、 該棒はステープルによって保持される。 このような非常に有利な設計の結果によって、前記抵抗要素は支持セラミック と単に点接触するだけであり、ガラス成分が支持セラミックに接着する表面積は 少なくなり、要素が収縮あるいは緊縮しても、該要素が固化したガラス成分を引 きはがすことはできなくなるであろう。 本発明の1つの好的実施例においては、加熱要素あるいは加熱抵抗体の両側に おけるそれぞれのセラミック棒が、前記壁部の表面と平行な位置において、互い に他に対して偏っており、例えばセラミック棒10,12,14,16が加熱抵 抗体2の一方の側に存在する場合には、該加熱抵抗体の他の側にはセラミック棒 は存在しない、というようになっている。そのようなセラミック棒10,12, 14,16とセラミック棒9,11,13,15との平行な配置関係は図面から 明らかになる。 このような配置をすることによって、いわゆるホットスポット、即ち、加熱要 素あるいは加熱抵抗体の最大許容温度より温度が高くなり、その結果破壊に至る ことのあるポイントの発生が防がれる。放射が加熱要素の一方の側において禁じ られているので、この位置の温度は、もし棒が平行関係の中で互いに他に対して 偏っていない場合より低くなるであろう。 前記セラミック棒9−16は、内部において抵抗要素の材料を含有するロッド が延在するセラミックチューブからなっていることが好ましい。このことによっ てセラミック棒の破損の結果としての破壊に対する保護手段が提供される。該セ ラミック棒は、あるいは、固体のセラミック材料でできていてもよい。 また、前記ロッドを組み込んでいる前記セラミックチューブが、図1のセラミ ック棒9に関して示したように、その長さ方向において2個あるいはそれ以上の チューブ17に分割されていることも好ましい。このことによって、セラミック チューブが熱応力の結果として破壊する危険性をなくしている。 好的実施例によると、セラミック棒内を延在するロッド状の抵抗要素は壁部1 に取りつけられた2個のロッド18,19に分割されて、それぞれのロッドの自 由端20,21が互いに他と接触しないようになっている。このことは図1のロ ッド18に関して示されている。このことによって、それぞれのロッドに対して 、クリープ電流や、スパークオーバーや、あるいはショートサーキットの発生を なくしながら、より大きな最大電圧をかけることが可能になる。 本発明の他の実施例によると、前記ステープル5もまた抵抗要素材料でできて おり、ワイヤの外側において、少なくとも加熱要素あるいは抵抗要素2と接触す るステープル5の領域において、セラミックチューブ22,23が設けられてい る。このことによって、要素の脚部間におけるショートサーキットを防ぐことが できる。 本発明の好的実施例においては、前記セラミック棒の表面および前記ステープ ルのセラミック表面は、Al23を多く含有している材料からなっている。該材 料は、好ましくは、約99%のAl23と約1%のSiO2を有しているであろ う。ガラス成分と支持セラミックとの間の接着力は、使用している材料が高い濃 度の酸化アルミニウムを有している場合の方が、少ない濃度の酸化アルミニウム を有している場合よりも、小さいということがわかっている。 本発明の1つの重要な特徴は、それぞれのステープル5が、それによって保持 されているセラミック棒9−16とは離れているという点にある。このことによ ってセラミック棒は、構造物が温度変化に応じて動く時に、ステープル5に関し て、さらには加熱要素2に関して移動することができるようになっている。 極めて好ましい実施例においては、前記加熱要素2、あるいは抵抗要素はモリ ブデンおよびタンウステンを含有する均質な硅素化合物からなっており、その化 学式はMox1-xSi2であり、ここでxは0.5から0.75の範囲内にあり 、全重量の10%ないし40%がホウ化モリブデンあるいはホウ化タングステン の少なくとも1つの化合物によって置き換えられ、該化合物は前記硅素化合物の 中で粒子状になって存在している。 この材料は高温に対して耐性があり、先に述べた要素よりもガラス成分が少量 になっていることがわかっている。ガラス成分が構造物に接着するために要素が 破壊するということに関する間題は、前述した抵抗要素を用いた場合にはなくな り、しかも同時に温度が上昇するにつれて効率も増加する。 本発明の好的実施例によると、前記加熱要素の導電体3,4はセラミックセメ ント24によって壁部1,7の中で接着されており、該導電体はそれ自身の軸線 の周りで壁部に対して回転できないようにして壁部内を貫通している。そうして いなければ、加熱要素がその運転温度に到達する時に、そのような回転現象が生 じるかもしれない。前記導電体の回転現象は、加熱要素の周りで発生する磁場に よって生じ、要素の各種の脚部が相互に影響し合う。 1つの特定の設計のパネルについて今まで記述してきたが、当業者にとっては 、本発明の概念がパネルの形状には関係なく、また加熱要素がどのように曲げら れているかには関係なく、全ての赤外線パネルに適用できることは理解されるで あろう。 従って本発明は前述して説明してきた実施例に限定されるものではなく、添付 した請求の範囲の中において修正が可能である。
【手続補正書】特許法第184条の8第1項 【提出日】平成10年12月7日(1998.12.7) 【補正内容】 請求の範囲 1. 赤外線パネルにおいて、電気加熱要素あるいは加熱の抵抗体(2)を取り 付けているセラミックファイバー材料でできた壁部(1)であって、該要素が電 源に接続されるようになっており、該要素が赤外線を放射するような高温にまで 該要素を加熱し、該加熱要素がステープルによって前記壁部に取り付けられてい る、その壁部を具備し、該加熱要素(2)がセラミック捧(10−16)によっ て前記壁部(1)の表面(6)とは間隔をあけて取り付けられており、該セラミ ック棒(10,12,14,16)が相互に間隔をあけて、また前記壁部の表面 (6)と加熱要素(2)との間に配置されており、該セラミック棒(9,11, 13,15)が該加熱要素(2)の他の側において、相互に間隔をあけて配置さ れ、該セラミック棒がそれぞれのセラミック棒(9−11)の周りで把持してい るステープル(5)によって前記壁部(1)に固定されていることを特徴とする 赤外線パネル。 2. 前記材料が約99%のAl2Oと約1%のSiO2からなっている、請求の 範囲第1項に記載された赤外線パネル。 3. 前記加熱要素(2)のそれぞれの側におけるそれぞれのセラミック棒(9 −16)が、前記壁部の表面(6)と平行な平面において相互に偏っており、従 って該加熱要素の一方の側に存在する場合には、該要素の反対側にはセラミック 捧が存在しない、請求の範囲第1項あるいは第2項に記載された赤外線パネル。 4. 前記セラミック棒(8,9−16)が加熱の抵抗材料を含有するロッド( 25)を組み込んだセラミックチューブ(26)からなっている、請求の範囲第 1項、第2項あるいは第3項のいずれか1項に記載された赤外線パネル。 5. 前記セラミックチューブ(26)がその長さ方向において2個あるいはそれ 以上のチューブ(17)に分割されている、請求の範囲第4項に記載された赤外 線パネル。 6. 前記加熱の抵抗材料でできたロッドが前記壁部(1)に取り付けられた2 個のロッド(18,19)に分割されて、該ロッド(18,19)の自由端(2 0,21)が互いに他と接触しない、請求の範囲第4項あるいは5項に記載 された赤外線パネル。 7. 前記ステープル(5)が加熱の抵抗材料でできたワイヤ(27)からなっ ており、該ワイヤの外側において、少なくとも加熱要素(2)と接触するステー プルの領域において、セラミックチューブ(22,23)が設けられている、請 求の範囲第1項、第2項、第3項、第4項、第5項、あるいは第6項のいずれか 1項に記載された赤外線パネル。 8. それぞれのセラミック棒(8,9−16)の表面およびそれぞれのステー プル(5)のセラミック表面が、Al23を多く含有している、請求の範囲第1 項から第7項のいずれか1項に記載された赤外線パネル。 9. 前記ステープル(5)が、それによって保持されているセラミック棒(8 ,9−16)とは離されている、請求の範囲第1項から第8項のいずれか1項に 記載された赤外線パネル。 10.前記加熱要素(2)がモリブデンおよびタングステンを含有する均質な硅 素化合物からなっており、その化学式がMox1-xSi2であり、ここでXは0 .5から0.75の範囲内にあり、全重量の10%ないし40%がホウ化モリブ デンあるいはホウ化タングステンの少なくとも1つの化合物によって置き換えら れ、該化合物が該硅素化合物の中で粒子状になって存在している、請求の範囲第 1項から第9項のいずれか1項に記載された赤外線パネル。 11.前記加熱要素(2)の導電体(3,4)が、該導電体が前記壁部を貫通す る場所において、セラミックセメント(24)によって壁部(1,7)の中で接 着されており、該導電体がそれ自身の軸線の周りで壁部(1)に対して回転でき ないようになっている、請求の範囲第1項から第10項のいずれか1項に記載さ れた赤外線パネル。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE, DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,IT,L U,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ,CF ,CG,CI,CM,GA,GN,ML,MR,NE, SN,TD,TG),AP(GH,GM,KE,LS,M W,SD,SZ,UG,ZW),EA(AM,AZ,BY ,KG,KZ,MD,RU,TJ,TM),AL,AM ,AT,AU,AZ,BA,BB,BG,BR,BY, CA,CH,CN,CU,CZ,DE,DK,EE,E S,FI,GB,GE,GH,GM,GW,HU,ID ,IL,IS,JP,KE,KG,KP,KR,KZ, LC,LK,LR,LS,LT,LU,LV,MD,M G,MK,MN,MW,MX,NO,NZ,PL,PT ,RO,RU,SD,SE,SG,SI,SK,SL, TJ,TM,TR,TT,UA,UG,US,UZ,V N,YU,ZW

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1. 赤外線パネルにおいて、電気加熱要素(2)を取り付けているセラミック ファイバー材料でできた壁部(1)であって、該要素が電源に接続されるように なっており、該要素が赤外線を放射するような高温にまで該要素を加熱し、該加 熱要素がステープルによって前記壁部に取り付けられている、その壁部を具備し 、該加熱要素(2)が前記壁部(1)の表面(6)とは間隔をあけて取り付けら れていることを特徴とする赤外線パネル。 2. セラミック棒(10,12,14,16)が相互に間隔をあけて、また前 記壁部の表面(6)と加熱要素(2)との間に配置されており、セラミック棒( 9,11,13,15)が該加熱要素(2)の他の側において、相互に間隔をあ けて配置され、該セラミック棒がそれぞれのセラミック棒(9−11)の周りで 把持しているステープル(5)によって前記壁部(1)に固定されている、請求 の範囲第1項に記載された赤外線パネル。 3. 前記材料が約99%のAl2Oと約1%のSiO2からなっている、請求の 範囲第2項に記載された赤外線パネル。 4. 前記加熱要素(2)のそれぞれの側におけるそれぞれのセラミック棒(9 −16)が、前記壁部の表面(6)と平行な平面において相互に偏っており、従 って該加熱要素の一方の側に存在する場合には、該要素の反対側にはセラミック 棒が存在しない、請求の範囲第2項あるいは第3項に記載された赤外線パネル。 5. 前記セラミック棒(8,9−16)が加熱の抵抗材料を含有するロッド( 25)を組み込んだセラミックチューブ(26)からなっている、請求の範囲第 2項、第3項あるいは第4項のいずれか1項に記載された赤外線パネル。 6. 前記セラミックチューブ(26)がその長さ方向において2個あるいはそ れ以上のチューブ(17)に分割されている、請求の範囲第5項に記載された赤 外線パネル。 7. 前記加熱の抵抗材料でできたロッドが前記壁部(1)に取り付けられた2 個のロッド(18,19)に分割されて、該ロッド(18,19)の自由端(2 0,21)が互いに他と接触しない、請求の範囲第5項あるいは6項に記載され た赤外線パネル。 8. 前記ステープル(5)が加熱の抵抗材料でできたワイヤ(27)からなっ ており、該ワイヤの外側において、少なくとも加熱要素(2)と接触するステー プルの領域において、セラミックチューブ(22,23)が設けられている、請 求の範囲第1項、第2項、第3項、第4項、第5項、第6項あるいは第7項のい ずれか1項に記載された赤外線パネル。 9. それぞれのセラミック棒(8,9−16)の表面およびそれぞれのステー プル(5)のセラミック表面が、Al23を多く含有している、請求の範囲第2 項から第8項のいずれか1項に記載された赤外線パネル。 10.前記ステープル(5)が、それによって保持されているセラミック棒(8 ,9−16)とは離されている、請求の範囲第2項から第9項のいずれか1項に 記載された赤外線パネル。 11.前記加熱要素(2)がモリブデンおよびタングステンを含有する均質な硅 素化合物からなっており、その化学式がMox1-xSi2であり、ここでxは0. 5から0.75の範囲内にあり、全重量の10%ないし40%がホウ化モリブデ ンあるいはホウ化タングステンの少なくとも1つの化合物によって置き換えられ 、該化合物が該硅素化合物の中で粒子状になって存在している、請求の範囲第1 項から第10項のいずれか1項に記載された赤外線パネル。 12.前記加熱要素(2)の導電体(3,4)が、該導電体が前記壁部を貫通す る場所において、セラミックセメント(24)によって壁部(1,7)の中で接 着されており、該導電体がそれ自身の軸線の周りで壁部(1)に対して回転でき ないようになっている、請求の範囲第1項から第11項のいずれか1項に記載さ れた赤外線パネル。
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