JP4437809B2 - 高電気抵抗及び高熱伝導再結晶SiC焼結体及びその製造方法 - Google Patents
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Description
電子機器の性能を高度化させるために、同時にその製造設備、製造環境についても絶え間なく急速に改良改善されている。
特に、液晶画面製造プロセスや半導体の処理分野では、強度、耐腐食性、熱伝導率および電気絶縁性に優れた材料を用いた設備の使用が検討されており、その際、製造治具として高価な金属やファインセラミックスが検討されている。
更に、全ての原料は、クリーンルーム等の清浄な状態で取り扱うこと無しに、高純度なファインセラミックスや複合材、金属材の焼結は困難であったため、非常に高価な製造設備を準備せざるを得ず、高価な製品となっていた。
非酸化セラミックスや再結晶SiC複合材の焼成時には、特に焼成雰囲気に存在するC(遊離炭素)と酸素の反応、およびC(遊離炭素)とSiO2の反応によって生じるCOガスの脱離により生じる欠陥や、特異な結晶粒成長により強度が極端に低下すると共に、焼結体中に残存する気孔が多くなり、熱伝導率のバラツキが発生していた。
特に、再結晶SiCの場合、500℃以下の低温時の電気抵抗体としては、0.1〜50Ω・cmと低い値であるとともに、バラツキがあり、更に一般的に電気絶縁体的性質を有するセラミックスの特徴を阻害しており、特に低温度環境下で用いる場合の用途を限定されていた。
これにより、例えばニクロム線ヒーターと接触し、間接加熱する液晶画面プレス板などに漏電の心配なく適用することができる。
また、半導体CPU用ヒートスプレッダー、サイリスタ用ヒートシンク等への適用が可能となる。
まず、成形体母原料をプレス成形した成形体、成形体母原料にバインダーを添加し、スラリーにしたものを鋳込み成形した成形体及びそれを更に仮焼し、バインダーを除いた成形体を作製する。このバインダー除去は、酸素のある雰囲気あるいは不活性ガス雰囲気中で行ってもよい。
これは、個々のSiC粒子の表面に存在したSiO2等の不純物が、一定流量のガス流によって除去されるため、再結晶時に大きく成長したSiC粒子が、SiO2等のガラス質の被膜がほとんど無い状態で、隣接したSiC粒子と接触結合した状態となるために、SiC本来の高熱伝導率を発現させることができるからである。
出発原料として、SiC粗粒、SiC微粒を、表1に示すような重量%、純度(%)でそれぞれ混合した(成形体母原料)。
尚、成形体をスラリー化するため、10〜20wt%の水とバインダーを適宜添加している。
以上、得られた再結晶SiC焼結体の特性を表2に示す。
Claims (1)
- 0.01〜2wt%のSiO2と99.99〜98wt%のSiCから実質的になる再結晶SiC焼結体であって、該再結晶SiC焼結体は、SiCを主成分とする成形体母原料から作製された気孔率12.9%〜16.7%の成形体に対し、炉の有効体積(加熱域)の0.01〜10倍のArガスを毎分流しながら、0.01〜2atmの圧力下で、2Hr以上かけて2000℃まで昇温し、その後0.5〜2atmの圧力下で、2000〜2500℃の温度に昇温することにより製造され、その抵抗率が500〜50000Ω・cmに制御され、熱伝導率が100〜200W/m・Kであることを特徴とする再結晶SiC焼結体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006320997A JP4437809B2 (ja) | 1997-06-18 | 2006-11-29 | 高電気抵抗及び高熱伝導再結晶SiC焼結体及びその製造方法 |
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JP16111797 | 1997-06-18 | ||
JP2006320997A JP4437809B2 (ja) | 1997-06-18 | 2006-11-29 | 高電気抵抗及び高熱伝導再結晶SiC焼結体及びその製造方法 |
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Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
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JP2007091592A JP2007091592A (ja) | 2007-04-12 |
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JP2006320997A Expired - Lifetime JP4437809B2 (ja) | 1997-06-18 | 2006-11-29 | 高電気抵抗及び高熱伝導再結晶SiC焼結体及びその製造方法 |
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JP (1) | JP4437809B2 (ja) |
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