JP2007091592A5 - - Google Patents
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すなわち、本発明によれば、０．０１〜２ｗｔ％のＳｉＯ2と９９．９９〜９８ｗｔ％のＳｉＣから実質的になる再結晶ＳｉＣ焼結体であって、該再結晶ＳｉＣ焼結体は、ＳｉＣを主成分とする成形体母原料から作製された気孔率１２．９％〜１６．７％の成形体に対し、炉の有効体積（加熱域）の０．０１〜１０倍のＡｒガスを毎分流しながら、０．０１〜２ａｔｍの圧力下で、２Ｈｒ以上かけて２０００℃まで昇温し、その後０．５〜２ａｔｍの圧力下で、２０００〜２５００℃の温度に昇温することにより製造され、その抵抗率が５００〜５００００Ω・ｃｍに制御され、熱伝導率が１００〜２００Ｗ／ｍ・Ｋであることを特徴とする再結晶ＳｉＣ焼結体が提供される。
Claims (1)
- ０．０１〜２ｗｔ％のＳｉＯ2と９９．９９〜９８ｗｔ％のＳｉＣから実質的になる再結晶ＳｉＣ焼結体であって、該再結晶ＳｉＣ焼結体は、ＳｉＣを主成分とする成形体母原料から作製された気孔率１２．９％〜１６．７％の成形体に対し、炉の有効体積（加熱域）の０．０１〜１０倍のＡｒガスを毎分流しながら、０．０１〜２ａｔｍの圧力下で、２Ｈｒ以上かけて２０００℃まで昇温し、その後０．５〜２ａｔｍの圧力下で、２０００〜２５００℃の温度に昇温することにより製造され、その抵抗率が５００〜５００００Ω・ｃｍに制御され、熱伝導率が１００〜２００Ｗ／ｍ・Ｋであることを特徴とする再結晶ＳｉＣ焼結体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006320997A JP4437809B2 (ja) | 1997-06-18 | 2006-11-29 | 高電気抵抗及び高熱伝導再結晶ＳｉＣ焼結体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16111797 | 1997-06-18 | ||
| JP2006320997A JP4437809B2 (ja) | 1997-06-18 | 2006-11-29 | 高電気抵抗及び高熱伝導再結晶ＳｉＣ焼結体及びその製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07264498A Division JP4355375B2 (ja) | 1997-06-18 | 1998-03-20 | 高電気抵抗及び高熱伝導再結晶ＳｉＣ焼結体及びその製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007091592A JP2007091592A (ja) | 2007-04-12 |
| JP2007091592A5 true JP2007091592A5 (ja) | 2007-05-31 |
| JP4437809B2 JP4437809B2 (ja) | 2010-03-24 |
Family
ID=37977712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006320997A Expired - Lifetime JP4437809B2 (ja) | 1997-06-18 | 2006-11-29 | 高電気抵抗及び高熱伝導再結晶ＳｉＣ焼結体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4437809B2 (ja) |
-
2006
- 2006-11-29 JP JP2006320997A patent/JP4437809B2/ja not_active Expired - Lifetime
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