JPH08287456A - テクスチャリング加工用組成物 - Google Patents
テクスチャリング加工用組成物Info
- Publication number
- JPH08287456A JPH08287456A JP7088406A JP8840695A JPH08287456A JP H08287456 A JPH08287456 A JP H08287456A JP 7088406 A JP7088406 A JP 7088406A JP 8840695 A JP8840695 A JP 8840695A JP H08287456 A JPH08287456 A JP H08287456A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- texturing
- composition
- magnetic disk
- present
- fine particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/8404—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers manufacturing base layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
- B24B37/044—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor characterised by the composition of the lapping agent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1472—Non-aqueous liquid suspensions
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/74—Record carriers characterised by the form, e.g. sheet shaped to wrap around a drum
- G11B5/82—Disk carriers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気ディスクの下地層（磁性層の下層）に対
し、均質でバリ発生をなくすかまたは極力軽減したテク
スチャリング条痕を形成する組成物を提供する。 【構成】 ダイヤモンド等の微粒子または粉末とアルキ
レングリコールモノアルキルエーテル並びに脂肪酸また
はそれらの金属塩を含有する磁気ディスクのテクスチャ
リング加工用組成物。
し、均質でバリ発生をなくすかまたは極力軽減したテク
スチャリング条痕を形成する組成物を提供する。 【構成】 ダイヤモンド等の微粒子または粉末とアルキ
レングリコールモノアルキルエーテル並びに脂肪酸また
はそれらの金属塩を含有する磁気ディスクのテクスチャ
リング加工用組成物。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスクにテクスチ
ャリング条痕を付けるテクスチャリング加工用組成物に
関し、特に磁気ディスクの表面に均一に条痕を形成する
ことのできるテクスチャリング加工用組成物に関する。
ャリング条痕を付けるテクスチャリング加工用組成物に
関し、特に磁気ディスクの表面に均一に条痕を形成する
ことのできるテクスチャリング加工用組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近益々増大する磁気ディスクの記録密
度の要求を満たすために、磁気ディスク表面と磁気ヘッ
ドとの距離は益々小さくなり、例えば０．１〜０．３μ
ｍ程度になっている。このため磁気ディスクの表面はで
きるだけ平坦である必要があるが、磁気ディスクの平坦
化に伴って磁気ヘッドが磁気ディスク表面に付着し磁気
ディスクの回転を止めたり、磁気ディスクの静止後再駆
動しなくなり（業界的にはそれを「磁気ヘッドの吸着」
という）、ハードディスクドライブの始動が不能になる
というトラブルも起こる。このような「磁気ヘッドの吸
着」を防ぐために、通常磁気ディスクの下地層（磁性層
の下層）にいわゆるテクスチャリング加工を施してい
る。
度の要求を満たすために、磁気ディスク表面と磁気ヘッ
ドとの距離は益々小さくなり、例えば０．１〜０．３μ
ｍ程度になっている。このため磁気ディスクの表面はで
きるだけ平坦である必要があるが、磁気ディスクの平坦
化に伴って磁気ヘッドが磁気ディスク表面に付着し磁気
ディスクの回転を止めたり、磁気ディスクの静止後再駆
動しなくなり（業界的にはそれを「磁気ヘッドの吸着」
という）、ハードディスクドライブの始動が不能になる
というトラブルも起こる。このような「磁気ヘッドの吸
着」を防ぐために、通常磁気ディスクの下地層（磁性層
の下層）にいわゆるテクスチャリング加工を施してい
る。
【０００３】テクスチャリング加工とは、所定の粒径の
砥粒が付着した研磨テープあるいは砥粒の懸濁液を磁気
ディスクの下地層表面に摺接して、磁気ディスク下地層
の表面に微小な条痕を形成することである。このとき、
テクスチャリング条痕はいわゆる「磁気ヘッドの吸着」
を防止するためにはある程度の大きさが必要であるが、
浮上中の磁気ヘッドと衝突する程大きくてはいけないと
いう要件を満たす必要がある。その上、テクスチャリン
グ条痕は十分に均一でなければならない。このような条
痕を形成するためのテクスチャリング加工用組成物とし
て、従来、ダイヤモンド砥粒やアルミナ砥粒を研削液に
混合したスラリーが用いられている。
砥粒が付着した研磨テープあるいは砥粒の懸濁液を磁気
ディスクの下地層表面に摺接して、磁気ディスク下地層
の表面に微小な条痕を形成することである。このとき、
テクスチャリング条痕はいわゆる「磁気ヘッドの吸着」
を防止するためにはある程度の大きさが必要であるが、
浮上中の磁気ヘッドと衝突する程大きくてはいけないと
いう要件を満たす必要がある。その上、テクスチャリン
グ条痕は十分に均一でなければならない。このような条
痕を形成するためのテクスチャリング加工用組成物とし
て、従来、ダイヤモンド砥粒やアルミナ砥粒を研削液に
混合したスラリーが用いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】磁気ディスクの記録密
度を向上させるには、磁気ディスクの下地層のテクスチ
ャリング加工面の表面粗さを小さくし、磁気ヘッドの浮
上高さを従来より小さくするとともに、テクスチャリン
グ加工面の微小なバリ（砥粒による切削屑が加工表面か
ら分離されずに残った突起物）も極力軽減する必要があ
る。従来のテクスチャリング加工用組成物ではバリが多
く、浮上中の磁気ヘッドがこれらバリ等に衝突し、記録
や読取りのエラーやＣＳＳ（Ｃｏｎｔａｃｔ Ｓｔａｒ
ｔ ａｎｄＳｔｏｐ）特性の悪化を来たし、磁気ディス
クの性能向上の障害となっている。本発明は、磁気ディ
スクの下地層（磁性層の下層）に対し、均質で、バリ発
生をなくすかまたは極力軽減したテクスチャリング条痕
を形成する組成物を提供することを目的とするものであ
る。
度を向上させるには、磁気ディスクの下地層のテクスチ
ャリング加工面の表面粗さを小さくし、磁気ヘッドの浮
上高さを従来より小さくするとともに、テクスチャリン
グ加工面の微小なバリ（砥粒による切削屑が加工表面か
ら分離されずに残った突起物）も極力軽減する必要があ
る。従来のテクスチャリング加工用組成物ではバリが多
く、浮上中の磁気ヘッドがこれらバリ等に衝突し、記録
や読取りのエラーやＣＳＳ（Ｃｏｎｔａｃｔ Ｓｔａｒ
ｔ ａｎｄＳｔｏｐ）特性の悪化を来たし、磁気ディス
クの性能向上の障害となっている。本発明は、磁気ディ
スクの下地層（磁性層の下層）に対し、均質で、バリ発
生をなくすかまたは極力軽減したテクスチャリング条痕
を形成する組成物を提供することを目的とするものであ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の目的
を達成すべき鋭意努力し、検討した結果、（Ａ）ダイヤ
モンド、ＣＢＮ、アルミナおよび炭化ケイ素の中の少な
くとも１種の微粒子または粉末と、（Ｂ）一般式Ｒ1 Ｏ
｛（ＣＨ2 ）n Ｏ｝m Ｈで表わされるアルキレングリコ
ールモノアルキルエーテル〔式中、Ｒ1 は炭素数１〜４
の直鎖または分岐鎖のアルキル基を示し、ｍは１〜３の
整数、ｎは２または３の数を示す。〕および（Ｃ）炭素
数１０〜２２の脂肪酸またはそれらの金属塩のうち少な
くとも１種を含有することを特徴とする磁気ディスクの
テクスチャリング加工用組成物を見出した。
を達成すべき鋭意努力し、検討した結果、（Ａ）ダイヤ
モンド、ＣＢＮ、アルミナおよび炭化ケイ素の中の少な
くとも１種の微粒子または粉末と、（Ｂ）一般式Ｒ1 Ｏ
｛（ＣＨ2 ）n Ｏ｝m Ｈで表わされるアルキレングリコ
ールモノアルキルエーテル〔式中、Ｒ1 は炭素数１〜４
の直鎖または分岐鎖のアルキル基を示し、ｍは１〜３の
整数、ｎは２または３の数を示す。〕および（Ｃ）炭素
数１０〜２２の脂肪酸またはそれらの金属塩のうち少な
くとも１種を含有することを特徴とする磁気ディスクの
テクスチャリング加工用組成物を見出した。
【０００６】まず、本発明に使用する微粒子または粉末
について述べる。アルミナまはた炭化ケイ素の微粒子ま
たは粉末とは、ＪＩＳ Ｒ６１１１−１９８７に規定さ
れた人造研削材またはそれに準ずるものであって、ＪＩ
Ｓ Ｒ６００１−１９８７に規定されている粒度または
それに準ずる粒度の研磨材、砥粒の粗粉および微粉をい
い、更には焼結用のアルミナ粉末または炭化ケイ素粉末
も本発明に含まれる。本発明に使用するダイヤモンドの
微粒子または粉末とは、天然または工業用合成のダイヤ
モンドであって、上記のＪＩＳ Ｒ６００１−１９８７
に準じる粒度のものやそれ以外に最大粒度が１０μｍ以
下で特殊な粒度分布を持っている微粒子または粉末でも
本発明に使用できる。また、本発明に使用するＣＢＮの
微粒子または粉末とは、工業的に合成されたもので、粒
度については上記のダイヤモンドの場合と同様なものを
いう。
について述べる。アルミナまはた炭化ケイ素の微粒子ま
たは粉末とは、ＪＩＳ Ｒ６１１１−１９８７に規定さ
れた人造研削材またはそれに準ずるものであって、ＪＩ
Ｓ Ｒ６００１−１９８７に規定されている粒度または
それに準ずる粒度の研磨材、砥粒の粗粉および微粉をい
い、更には焼結用のアルミナ粉末または炭化ケイ素粉末
も本発明に含まれる。本発明に使用するダイヤモンドの
微粒子または粉末とは、天然または工業用合成のダイヤ
モンドであって、上記のＪＩＳ Ｒ６００１−１９８７
に準じる粒度のものやそれ以外に最大粒度が１０μｍ以
下で特殊な粒度分布を持っている微粒子または粉末でも
本発明に使用できる。また、本発明に使用するＣＢＮの
微粒子または粉末とは、工業的に合成されたもので、粒
度については上記のダイヤモンドの場合と同様なものを
いう。
【０００７】本発明に使用する上記の微粒子または粉末
の好ましい粒度は、最大粒径として５μｍ以下が好まし
く、より好ましくは４μｍ以下である。５μｍを越える
と形成されるテクスチャリング条痕が大きすぎ、表面粗
さが大きくなりすぎたり、またスクラッチ（磁気ディス
ク表面にテクスチャリング加工により生じた線状の深い
溝で、他の条痕に比べて幅および深さが際だっているも
の。）が発生し易くなり好ましくない。
の好ましい粒度は、最大粒径として５μｍ以下が好まし
く、より好ましくは４μｍ以下である。５μｍを越える
と形成されるテクスチャリング条痕が大きすぎ、表面粗
さが大きくなりすぎたり、またスクラッチ（磁気ディス
ク表面にテクスチャリング加工により生じた線状の深い
溝で、他の条痕に比べて幅および深さが際だっているも
の。）が発生し易くなり好ましくない。
【０００８】また、平均粒径としては０．１〜３μｍが
好ましい。３μｍを越えるとテクスチャリング加工によ
り形成される条痕は大きすぎ、またスクラッチが発生し
易くなり、０．１μｍ未満であると切削力が低下し、形
成される条痕も小さすぎ「磁気ヘッドの吸着」防止が不
十分となり好ましくない。
好ましい。３μｍを越えるとテクスチャリング加工によ
り形成される条痕は大きすぎ、またスクラッチが発生し
易くなり、０．１μｍ未満であると切削力が低下し、形
成される条痕も小さすぎ「磁気ヘッドの吸着」防止が不
十分となり好ましくない。
【０００９】ダイヤモンド、ＣＢＮ、アルミナおよび炭
化ケイ素の中の少なくとも１種の微粒子または粉末の本
発明であるテクスチャリング加工用組成物内での含有量
は０．１〜５wt％が好ましく、より好ましくは０．２〜
１wt％である。０．１wt％未満ではテクスチャリング加
工能率の低下とテクスチャリング条痕の不均一化をもた
らし、また５wt％を越えてもテクスチャリング加工能率
の更なる向上は認められず経済的でないので５wt％を越
えると好ましくない。上記の微粒子または粉末を混合し
て使用する場合も上記の含有量の範囲が好ましい。
化ケイ素の中の少なくとも１種の微粒子または粉末の本
発明であるテクスチャリング加工用組成物内での含有量
は０．１〜５wt％が好ましく、より好ましくは０．２〜
１wt％である。０．１wt％未満ではテクスチャリング加
工能率の低下とテクスチャリング条痕の不均一化をもた
らし、また５wt％を越えてもテクスチャリング加工能率
の更なる向上は認められず経済的でないので５wt％を越
えると好ましくない。上記の微粒子または粉末を混合し
て使用する場合も上記の含有量の範囲が好ましい。
【００１０】次に、一般式Ｒ1 Ｏ｛（ＣＨ2 ）n Ｏ｝m
Ｈで表わされるアルキレングリコールモノアルキルエー
テル〔式中、Ｒ1 は炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖の
アルキル基を示し、ｍは１〜３の整数、ｎは２または３
の数を示す。〕について述べる。本発明におけるアルキ
レングリコールモノアルキルエーテルとしては、具体的
には、エチレングリコールモノメチルエーテル（ＣＨ3
ＯＣＨ2 ＣＨ2 ＯＨ）、エチレングリコールモノエチル
エーテル（Ｃ2 Ｈ5 ＯＣＨ2 ＣＨ2 ＯＨ）、エチレング
リコールモノブチルエーテル（Ｃ4 Ｈ9 ＯＣＨ2 ＣＨ2
ＯＨ）、ジエチレングリコールモノメチルエーテル（Ｃ
Ｈ3（ＯＣＨ2ＣＨ2）2ＯＨ）、ジエチレングリコールモ
ノエチルエーテル(Ｃ2Ｈ5（ＯＣＨ2ＣＨ2）2ＯＨ）、ジ
エチレングリコールモノブチルエーテル(Ｃ4Ｈ9（ＯＣ
Ｈ2ＣＨ2）2ＯＨ）、プロピレングリコールモノメチル
エーテル（ＣＨ3ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＨ）、プロピレン
グリコールモノエチルエーテル(Ｃ2Ｈ5ＯＣＨ2ＣＨ2Ｃ
Ｈ2ＯＨ）、プロピレングリコールモノブチルエーテル
(Ｃ4Ｈ9ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＨ）、ジプロピレングリコ
ールモノメチルエーテル(ＣＨ3(ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2)2Ｏ
Ｈ)、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル(Ｃ2
Ｈ5（ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2)2ＯＨ）、トリエチレングリコ
ールモノメチルエーテル(ＣＨ3(ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2)3Ｏ
Ｈ)、トリエチレングリコールモノエチルエーテル（Ｃ2
Ｈ5（ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2）3ＯＨ）、トリプロピレング
リコールモノメチルエーテル（ＣＨ3（ＯＣＨ2ＣＨ2Ｃ
Ｈ2)3ＯＨ）等が挙げられる。
Ｈで表わされるアルキレングリコールモノアルキルエー
テル〔式中、Ｒ1 は炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖の
アルキル基を示し、ｍは１〜３の整数、ｎは２または３
の数を示す。〕について述べる。本発明におけるアルキ
レングリコールモノアルキルエーテルとしては、具体的
には、エチレングリコールモノメチルエーテル（ＣＨ3
ＯＣＨ2 ＣＨ2 ＯＨ）、エチレングリコールモノエチル
エーテル（Ｃ2 Ｈ5 ＯＣＨ2 ＣＨ2 ＯＨ）、エチレング
リコールモノブチルエーテル（Ｃ4 Ｈ9 ＯＣＨ2 ＣＨ2
ＯＨ）、ジエチレングリコールモノメチルエーテル（Ｃ
Ｈ3（ＯＣＨ2ＣＨ2）2ＯＨ）、ジエチレングリコールモ
ノエチルエーテル(Ｃ2Ｈ5（ＯＣＨ2ＣＨ2）2ＯＨ）、ジ
エチレングリコールモノブチルエーテル(Ｃ4Ｈ9（ＯＣ
Ｈ2ＣＨ2）2ＯＨ）、プロピレングリコールモノメチル
エーテル（ＣＨ3ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＨ）、プロピレン
グリコールモノエチルエーテル(Ｃ2Ｈ5ＯＣＨ2ＣＨ2Ｃ
Ｈ2ＯＨ）、プロピレングリコールモノブチルエーテル
(Ｃ4Ｈ9ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＨ）、ジプロピレングリコ
ールモノメチルエーテル(ＣＨ3(ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2)2Ｏ
Ｈ)、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル(Ｃ2
Ｈ5（ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2)2ＯＨ）、トリエチレングリコ
ールモノメチルエーテル(ＣＨ3(ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2)3Ｏ
Ｈ)、トリエチレングリコールモノエチルエーテル（Ｃ2
Ｈ5（ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2）3ＯＨ）、トリプロピレング
リコールモノメチルエーテル（ＣＨ3（ＯＣＨ2ＣＨ2Ｃ
Ｈ2)3ＯＨ）等が挙げられる。
【００１１】本発明のテクスチャリング加工用組成物で
特に水を含有しない場合や水に希釈せず使用する場合、
アルキレングリコールモノアルキルエーテルのうち、引
火点の高いジエチレングリコールモノメチル（またはエ
チル、ブチル）エーテル、トリプロピレングリコールモ
ノメチルエーテルが好ましく、また労働安全衛生法第５
７条で健康障害を生ずるおそれのある化合物でその名称
等の表示が義務付けられているエチレングリコールモノ
メチル（またはエチル、ブチル）エーテルは好ましくな
い。また、これらのアルキレングリコールモノアルキル
エーテルのテクスチャリング加工用組成物内での含有量
は、９０〜９９．８wt％が好ましい。
特に水を含有しない場合や水に希釈せず使用する場合、
アルキレングリコールモノアルキルエーテルのうち、引
火点の高いジエチレングリコールモノメチル（またはエ
チル、ブチル）エーテル、トリプロピレングリコールモ
ノメチルエーテルが好ましく、また労働安全衛生法第５
７条で健康障害を生ずるおそれのある化合物でその名称
等の表示が義務付けられているエチレングリコールモノ
メチル（またはエチル、ブチル）エーテルは好ましくな
い。また、これらのアルキレングリコールモノアルキル
エーテルのテクスチャリング加工用組成物内での含有量
は、９０〜９９．８wt％が好ましい。
【００１２】次に、本発明に使用する脂肪酸またはそれ
らの金属塩について記す。脂肪酸としては、炭素数１０
〜２２の飽和またはモノ、ジおよびトリ不飽和脂肪酸を
いい、金属塩としては、Ｎａ，Ａｌ，Ｂａ，Ｃｄ，Ｃ
ａ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｌｉ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｐｂ，Ｚ
ｎ，Ｓｒ等の上記の飽和または不飽和脂肪酸の金属塩を
いう。炭素数１０〜２２の飽和またはモノ、ジおよびト
リ不飽和脂肪酸としては、具体的には、カプリン酸、ラ
ウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン
酸、アラキン酸、ベヘン酸、オレイン酸、リノール酸、
リノレン酸等が挙げられる。これらのうち、テクスチャ
リング加工後の洗浄性の良さからすると、特に液体のも
のがよく、不飽和脂肪酸等がより望ましく、飽和脂肪酸
のうちでは炭素数が低いもの程好ましい。
らの金属塩について記す。脂肪酸としては、炭素数１０
〜２２の飽和またはモノ、ジおよびトリ不飽和脂肪酸を
いい、金属塩としては、Ｎａ，Ａｌ，Ｂａ，Ｃｄ，Ｃ
ａ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｌｉ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｐｂ，Ｚ
ｎ，Ｓｒ等の上記の飽和または不飽和脂肪酸の金属塩を
いう。炭素数１０〜２２の飽和またはモノ、ジおよびト
リ不飽和脂肪酸としては、具体的には、カプリン酸、ラ
ウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン
酸、アラキン酸、ベヘン酸、オレイン酸、リノール酸、
リノレン酸等が挙げられる。これらのうち、テクスチャ
リング加工後の洗浄性の良さからすると、特に液体のも
のがよく、不飽和脂肪酸等がより望ましく、飽和脂肪酸
のうちでは炭素数が低いもの程好ましい。
【００１３】本発明には、上記の脂肪酸またはそれらの
金属塩を単独または混合して使用するが、炭素数１０〜
２２以外の脂肪酸、金属塩を混合して使用してもよい
が、本発明の目的を十分に達成させるためには炭素数１
０〜２２のものを主に使用する必要がある。脂肪酸また
は金属塩のテクスチャリング加工用組成物内での含有量
は０．１〜５wt％が好ましい。０．１wt％未満では加工
後のバリを十分に抑えるには難点があり、５wt％を越え
てもそれ程効果が向上し難くなり、また本発明の組成物
として均一分散系にすることが難しくなったり、後述す
るように更に水を混合する場合には溶解性にも問題がで
てくるため好ましくない。
金属塩を単独または混合して使用するが、炭素数１０〜
２２以外の脂肪酸、金属塩を混合して使用してもよい
が、本発明の目的を十分に達成させるためには炭素数１
０〜２２のものを主に使用する必要がある。脂肪酸また
は金属塩のテクスチャリング加工用組成物内での含有量
は０．１〜５wt％が好ましい。０．１wt％未満では加工
後のバリを十分に抑えるには難点があり、５wt％を越え
てもそれ程効果が向上し難くなり、また本発明の組成物
として均一分散系にすることが難しくなったり、後述す
るように更に水を混合する場合には溶解性にも問題がで
てくるため好ましくない。
【００１４】本発明のテクスチャリング加工用組成物
は、上記の成分の他に、水、界面活性剤、防食剤、防腐
剤、分散剤、消泡剤等を含有してもよい。これらのう
ち、水以外のものは概ね５wt％以下の添加量である。
は、上記の成分の他に、水、界面活性剤、防食剤、防腐
剤、分散剤、消泡剤等を含有してもよい。これらのう
ち、水以外のものは概ね５wt％以下の添加量である。
【００１５】本発明のテクスチャリング加工用組成物に
水を添加する場合もあるが、添加し水を含有させる理由
は本発明のテクスチャリング加工用組成物としては、ダ
イヤモンド、ＣＢＮ、アルミナ、炭化ケイ素の微粒子ま
たは粉末を除いた成分は、本発明の目的達成には均一な
溶液状態またはエマルジョン状態になっていることが望
ましいため、例えばラウリン酸Ｎａのような脂肪酸金属
塩を本発明の一成分とする場合、水を添加した方がかえ
って均一溶液状態になることがあるからであり、その他
に水を添加する理由としては、本発明のテクスチャリン
グ加工用組成物としての引火性低下や安全性向上等やコ
スト低下のためである。
水を添加する場合もあるが、添加し水を含有させる理由
は本発明のテクスチャリング加工用組成物としては、ダ
イヤモンド、ＣＢＮ、アルミナ、炭化ケイ素の微粒子ま
たは粉末を除いた成分は、本発明の目的達成には均一な
溶液状態またはエマルジョン状態になっていることが望
ましいため、例えばラウリン酸Ｎａのような脂肪酸金属
塩を本発明の一成分とする場合、水を添加した方がかえ
って均一溶液状態になることがあるからであり、その他
に水を添加する理由としては、本発明のテクスチャリン
グ加工用組成物としての引火性低下や安全性向上等やコ
スト低下のためである。
【００１６】本発明のテクスチャリング加工用組成物
は、上記のように最初から水を含有していてもよいが、
該組成物を使用する際に水に希釈して使用する場合もあ
る。水の添加量は特に限定するものではないが、水を含
有した本発明の組成物の場合でも（Ａ）ダイヤモンド、
ＣＢＮ、アルミナおよび炭化ケイ素の中の少なくとも１
種の微粒子または粉末の当該組成物内での含有量は０．
１〜５wt％が好ましく、また（Ｃ）炭素数１０〜２２の
脂肪酸またはそれらの金属塩のうち少なくとも１種の当
該組成物内での含有量は０．１〜５wt％が好ましい。よ
って、アルキレングリコールモノアルキルエーテルの当
該組成物内での含有量は９０〜９９．８wt％より低下す
ることとなる。
は、上記のように最初から水を含有していてもよいが、
該組成物を使用する際に水に希釈して使用する場合もあ
る。水の添加量は特に限定するものではないが、水を含
有した本発明の組成物の場合でも（Ａ）ダイヤモンド、
ＣＢＮ、アルミナおよび炭化ケイ素の中の少なくとも１
種の微粒子または粉末の当該組成物内での含有量は０．
１〜５wt％が好ましく、また（Ｃ）炭素数１０〜２２の
脂肪酸またはそれらの金属塩のうち少なくとも１種の当
該組成物内での含有量は０．１〜５wt％が好ましい。よ
って、アルキレングリコールモノアルキルエーテルの当
該組成物内での含有量は９０〜９９．８wt％より低下す
ることとなる。
【００１７】本発明の目的を十分に達成するためには本
発明のテクスチャリング加工用組成物は、ダイヤモン
ド、ＣＢＮ、アルミナ、炭化ケイ素の微粒子または粉末
を除いた成分は均一な溶液になっていることが望まし
く、少なくてもエマルジョン状態になっていることが好
ましいため、界面活性材を添加し均一溶液化またはエマ
ルジョン化することが望ましい。
発明のテクスチャリング加工用組成物は、ダイヤモン
ド、ＣＢＮ、アルミナ、炭化ケイ素の微粒子または粉末
を除いた成分は均一な溶液になっていることが望まし
く、少なくてもエマルジョン状態になっていることが好
ましいため、界面活性材を添加し均一溶液化またはエマ
ルジョン化することが望ましい。
【００１８】本発明のテクスチャリング加工用組成物
は、磁気ディスクの下地層に対して均質で、バリ発生を
なくすかまたは極力軽減したテクスチャリング条痕を形
成するのに効果があり、特に磁気ディスクの下地層がＮ
ｉ−Ｐメッキの場合に最も優れており、ダイヤモンド、
ＣＢＮ、アルミナ、炭化ケイ素の微粒子または粉末であ
る砥粒等により磁気ディスクの下地層であるＮｉ−Ｐを
切削し、その切削屑が磁気ディスク基板よりテクスチャ
リング条痕の溝から分離しないで残っている切削屑のめ
くれや堆積物等からなる突起物であるバリの発生をなく
すかまたは極力抑えることに本発明の組成物は効果があ
る。
は、磁気ディスクの下地層に対して均質で、バリ発生を
なくすかまたは極力軽減したテクスチャリング条痕を形
成するのに効果があり、特に磁気ディスクの下地層がＮ
ｉ−Ｐメッキの場合に最も優れており、ダイヤモンド、
ＣＢＮ、アルミナ、炭化ケイ素の微粒子または粉末であ
る砥粒等により磁気ディスクの下地層であるＮｉ−Ｐを
切削し、その切削屑が磁気ディスク基板よりテクスチャ
リング条痕の溝から分離しないで残っている切削屑のめ
くれや堆積物等からなる突起物であるバリの発生をなく
すかまたは極力抑えることに本発明の組成物は効果があ
る。
【００１９】次にテクスチャリング加工方法について概
説するが、本発明はこれに限定されるものではない。磁
気ディスクはＡｌ合金製等の基板にはＮｉ−Ｐメッキ等
からなる下地層を形成させた後、ガラス等の基板には直
接下地層となる基板の上面をテクスチャリング加工し、
その上に磁性層を形成させたものである。メッキ法によ
り形成した下地層は、テクスチャリング加工前に鏡面研
磨（ポリッシング）を施し、好ましくは表面粗さ（Ｒｍ
ａｘ）を０．０５μｍ以下にする。
説するが、本発明はこれに限定されるものではない。磁
気ディスクはＡｌ合金製等の基板にはＮｉ−Ｐメッキ等
からなる下地層を形成させた後、ガラス等の基板には直
接下地層となる基板の上面をテクスチャリング加工し、
その上に磁性層を形成させたものである。メッキ法によ
り形成した下地層は、テクスチャリング加工前に鏡面研
磨（ポリッシング）を施し、好ましくは表面粗さ（Ｒｍ
ａｘ）を０．０５μｍ以下にする。
【００２０】図１に示すように、ポリッシングした下地
層１１の表面に、摺接用パッド（フェルト）２を貼付し
た治具３を押圧し、磁気ディスク１を回転させながら、
摺接用パッド２の上流側に設けたスラリー供給装置４か
らテクスチャリング加工用組成物５を下地層１１上に供
給する。
層１１の表面に、摺接用パッド（フェルト）２を貼付し
た治具３を押圧し、磁気ディスク１を回転させながら、
摺接用パッド２の上流側に設けたスラリー供給装置４か
らテクスチャリング加工用組成物５を下地層１１上に供
給する。
【００２１】摺接用パッドとしては、ナイロン等の可撓
性繊維からなる植毛パットや、ポリウレタンの発泡パッ
ド等を使用することができる。摺接用パッド２を下地層
１１に押圧する圧力は、１０〜５０kPa 程度が好まし
い。テクスチャリング加工において、磁気ディスク１の
回転速度は５０〜２００rpm とするのが好ましい。この
範囲より遅いと加工速度が低下し、また速いと内外部で
の加工むらができる。摺接用ッド２は静止していてもよ
いが、必要に応じて磁気ディスク１と同方向に１〜１０
rpm の速度で回転させてもよい。このようにして図２に
示すようなテクスチャリング条痕Ｇが形成される（ただ
し、図中条痕Ｇは説明のため誇張して描いている）。
性繊維からなる植毛パットや、ポリウレタンの発泡パッ
ド等を使用することができる。摺接用パッド２を下地層
１１に押圧する圧力は、１０〜５０kPa 程度が好まし
い。テクスチャリング加工において、磁気ディスク１の
回転速度は５０〜２００rpm とするのが好ましい。この
範囲より遅いと加工速度が低下し、また速いと内外部で
の加工むらができる。摺接用ッド２は静止していてもよ
いが、必要に応じて磁気ディスク１と同方向に１〜１０
rpm の速度で回転させてもよい。このようにして図２に
示すようなテクスチャリング条痕Ｇが形成される（ただ
し、図中条痕Ｇは説明のため誇張して描いている）。
【００２２】このようなテクスチャリング加工により形
成される条痕は、一般に０．１〜５μｍの幅および０．
０１〜０．１μｍの深さを有する。幅が０．１μｍ未満
であると磁気ヘッドの吸着防止作用が不十分であり、ま
た５μｍを越えると磁気ヘッドとの摩擦力が大きくなり
過ぎる。通常テクスチャリング条痕が不均一になり、ス
クラッチのような極めて大きな凹部やバリのような凸部
ができると、表面粗さのパラメータである最大高さ（Ｒ
ｍａｘ）と平均粗さ（Ｒａ）との比が大きくなる。一
方、表面粗さが均一になると、Ｒａが同じでもＲｍａｘ
が小さくなる。従って、条痕の均一性をＲｍａｘ／Ｒａ
の比で現わした場合、１０以下であるのが好ましい。
成される条痕は、一般に０．１〜５μｍの幅および０．
０１〜０．１μｍの深さを有する。幅が０．１μｍ未満
であると磁気ヘッドの吸着防止作用が不十分であり、ま
た５μｍを越えると磁気ヘッドとの摩擦力が大きくなり
過ぎる。通常テクスチャリング条痕が不均一になり、ス
クラッチのような極めて大きな凹部やバリのような凸部
ができると、表面粗さのパラメータである最大高さ（Ｒ
ｍａｘ）と平均粗さ（Ｒａ）との比が大きくなる。一
方、表面粗さが均一になると、Ｒａが同じでもＲｍａｘ
が小さくなる。従って、条痕の均一性をＲｍａｘ／Ｒａ
の比で現わした場合、１０以下であるのが好ましい。
【００２３】図１に示す例では、テクスチャリング条痕
は磁気ディスクの回転方向に（同心円状に）形成され
る。回転方向の条痕は、磁気ヘッドの相対的移動方向と
平行であるので、磁気ヘッドの障害になることはない。
また、環状の各条痕が所定の角度（例えば１５°）で交
差するように規則的に形成することもできる。いずれに
しても、磁気ヘッドが安定して飛行できるようにするこ
とが重要である。テクスチャリング加工した下地層１１
上に磁性層を形成する。磁性層はメッキ法、スパッタリ
ング法、蒸着法等により薄く（一般に０．０５〜０．１
５μｍ）形成するので、磁性層の表面にはテクスチャリ
ング条痕とほとんど同じ条痕が現われる。磁性層の上に
更に形成する保護層は、カーボン等の潤滑性の良好な材
料をスパッタリング法等で薄く（一般に０．０１〜０．
０３μｍ）形成したものである。従って、保護層の表面
にもテクスチャリング条痕とほぼ同じ条痕が現われる。
は磁気ディスクの回転方向に（同心円状に）形成され
る。回転方向の条痕は、磁気ヘッドの相対的移動方向と
平行であるので、磁気ヘッドの障害になることはない。
また、環状の各条痕が所定の角度（例えば１５°）で交
差するように規則的に形成することもできる。いずれに
しても、磁気ヘッドが安定して飛行できるようにするこ
とが重要である。テクスチャリング加工した下地層１１
上に磁性層を形成する。磁性層はメッキ法、スパッタリ
ング法、蒸着法等により薄く（一般に０．０５〜０．１
５μｍ）形成するので、磁性層の表面にはテクスチャリ
ング条痕とほとんど同じ条痕が現われる。磁性層の上に
更に形成する保護層は、カーボン等の潤滑性の良好な材
料をスパッタリング法等で薄く（一般に０．０１〜０．
０３μｍ）形成したものである。従って、保護層の表面
にもテクスチャリング条痕とほぼ同じ条痕が現われる。
【００２４】
【実施例】本発明を以下の実施例により詳細に説明する
が、本発明はそれらに限定されるものではない。また、
以下の実施例ではアルキレングリコールモノアルキルエ
ーテルの代表的なものとしてジエチレングリコールモノ
ブチルエーテルについて記載したが、本発明はこれに限
定されるものではない。 実施例１〜３ ３．５インチ磁気ディスク用アルミニウム基板１２にＮ
ｉ−Ｐメッキを施して厚さ１０μｍの下地層１１を形成
したものを概略、図１に示すような装置（テクスチャリ
ングマシン（ストラスバーク社製モデル６ＤＥ−ＤＣ−
ＳＰ−１））に取り付け、１２０rpm の速度で回転させ
た。
が、本発明はそれらに限定されるものではない。また、
以下の実施例ではアルキレングリコールモノアルキルエ
ーテルの代表的なものとしてジエチレングリコールモノ
ブチルエーテルについて記載したが、本発明はこれに限
定されるものではない。 実施例１〜３ ３．５インチ磁気ディスク用アルミニウム基板１２にＮ
ｉ−Ｐメッキを施して厚さ１０μｍの下地層１１を形成
したものを概略、図１に示すような装置（テクスチャリ
ングマシン（ストラスバーク社製モデル６ＤＥ−ＤＣ−
ＳＰ−１））に取り付け、１２０rpm の速度で回転させ
た。
【００２５】スラリー供給装置４から、表１に示す組成
で混合した実施例１〜３のテクスチャリング加工用組成
物を磁気ディスク１の下地層１１上にスプレー状に供給
した。噴霧時間は０．３秒でその間組成物を１．５cc使
用し、９．７秒間隔を開け、同量の組成物をまた０．３
秒間噴霧することを繰返した。この状態で直径４４mmの
ナイロン製植毛パッド２を貼付した治具３を磁気ディス
ク１と同方向に５rpm の速度で回転させながら、磁気デ
ィスク１に３０kPa の圧力で押し当て、１分間テクスチ
ャリング加工を実施した。
で混合した実施例１〜３のテクスチャリング加工用組成
物を磁気ディスク１の下地層１１上にスプレー状に供給
した。噴霧時間は０．３秒でその間組成物を１．５cc使
用し、９．７秒間隔を開け、同量の組成物をまた０．３
秒間噴霧することを繰返した。この状態で直径４４mmの
ナイロン製植毛パッド２を貼付した治具３を磁気ディス
ク１と同方向に５rpm の速度で回転させながら、磁気デ
ィスク１に３０kPa の圧力で押し当て、１分間テクスチ
ャリング加工を実施した。
【００２６】加工の完了後、磁気ディスク１を洗浄・乾
燥し、重量減（加工前の重量−加工後の重量）からテク
スチャリング加工速度を求めた。また、テクスチャリン
グ条痕の均一さおよびバリの有無は、微分干渉顕微鏡
（オリンパス光学工業（株）製ＢＨＭＪＬ−３３ＭＤ、
倍率５００倍）および暗視野顕微鏡（オリンパス光学工
業（株）製ＢＨＭＪＬ−３３ＭＤ、倍率５００倍）観察
により判定し、１視野あたり直径０．５μｍ以上で高さ
０．１μｍ以上のバリの個数で評価した。その結果を表
１に示す。また、加工面の表面粗さ（最大高さＲｍａｘ
および中心線平均粗さＲａ）は、タリステップおよびタ
リデータ２０００（いずれもランクテーラーホブソン社
製）により測定し、Ｒｍａｘ／Ｒａの比を用いて、テク
スチャリング条痕の均一性を評価した。結果を表１に示
す。
燥し、重量減（加工前の重量−加工後の重量）からテク
スチャリング加工速度を求めた。また、テクスチャリン
グ条痕の均一さおよびバリの有無は、微分干渉顕微鏡
（オリンパス光学工業（株）製ＢＨＭＪＬ−３３ＭＤ、
倍率５００倍）および暗視野顕微鏡（オリンパス光学工
業（株）製ＢＨＭＪＬ−３３ＭＤ、倍率５００倍）観察
により判定し、１視野あたり直径０．５μｍ以上で高さ
０．１μｍ以上のバリの個数で評価した。その結果を表
１に示す。また、加工面の表面粗さ（最大高さＲｍａｘ
および中心線平均粗さＲａ）は、タリステップおよびタ
リデータ２０００（いずれもランクテーラーホブソン社
製）により測定し、Ｒｍａｘ／Ｒａの比を用いて、テク
スチャリング条痕の均一性を評価した。結果を表１に示
す。
【００２７】ＣＳＳ特性を評価するために、テクスチャ
リング加工した下地層１１の上に、直流スパッタ装置で
厚さ１００nmのＣｒ層、厚さ４０nmのＣｏ−１２Ｃｒ−
２Ｔａ磁性層および厚さ２５nmのカーボン保護層を成膜
し、最後に潤滑剤を２nmの厚さに塗布した。このように
して得られた磁気ディスクをアルティックヘッド使用の
ハードディスクドライブ（磁気ヘッド荷重：５ｇ）に組
み込み、パーフロロポリエーテル潤滑剤を用いて、静止
位置から３６００rpm の回転速度まで加速した後停止
し、再度上記速度まで回転させるサイクル（ＣＳＳサイ
クル）を繰り返し、ＣＳＳサイクル回数と摩擦係数μと
の関係を調べた。結果を表１に示す。
リング加工した下地層１１の上に、直流スパッタ装置で
厚さ１００nmのＣｒ層、厚さ４０nmのＣｏ−１２Ｃｒ−
２Ｔａ磁性層および厚さ２５nmのカーボン保護層を成膜
し、最後に潤滑剤を２nmの厚さに塗布した。このように
して得られた磁気ディスクをアルティックヘッド使用の
ハードディスクドライブ（磁気ヘッド荷重：５ｇ）に組
み込み、パーフロロポリエーテル潤滑剤を用いて、静止
位置から３６００rpm の回転速度まで加速した後停止
し、再度上記速度まで回転させるサイクル（ＣＳＳサイ
クル）を繰り返し、ＣＳＳサイクル回数と摩擦係数μと
の関係を調べた。結果を表１に示す。
【００２８】なお、２００００回までのＣＳＳサイクル
に耐えられたものについては、２００００回サイクル終
了時の摩擦係数μの値で表示し、ヘッドが破損したもの
については破損時のＣＳＳサイクルの回数で表示した。
実施例１〜３の場合、２００００回まで耐えたので摩擦
係数値として表１に表示する。
に耐えられたものについては、２００００回サイクル終
了時の摩擦係数μの値で表示し、ヘッドが破損したもの
については破損時のＣＳＳサイクルの回数で表示した。
実施例１〜３の場合、２００００回まで耐えたので摩擦
係数値として表１に表示する。
【００２９】実施例４〜８ 純水に表１に示すダイヤモンド粉末、ジエチレングリコ
ールモノブチルエーテルおよびそれぞれの脂肪酸を入れ
超音波分散させて実施例４〜８のテクスチャリング加工
用組成物を造った。表１に示した３種の添加量をトータ
ルし、１００より引いた値が水の含有量(wt％）であ
る。テクスチャリング加工用組成物がエマルジョン状態
でなく、ダイヤモンド粉末を除いた成分を均一な溶液に
するために必要な最低限の添加量のジエチレングリコー
ルモノブチルエーテルを混合した。実施例４〜８の組成
物をそれぞれ実施例１〜３と同様にテクスチャリング試
験をし、同様な評価等を行なった。その結果を表１に示
す。
ールモノブチルエーテルおよびそれぞれの脂肪酸を入れ
超音波分散させて実施例４〜８のテクスチャリング加工
用組成物を造った。表１に示した３種の添加量をトータ
ルし、１００より引いた値が水の含有量(wt％）であ
る。テクスチャリング加工用組成物がエマルジョン状態
でなく、ダイヤモンド粉末を除いた成分を均一な溶液に
するために必要な最低限の添加量のジエチレングリコー
ルモノブチルエーテルを混合した。実施例４〜８の組成
物をそれぞれ実施例１〜３と同様にテクスチャリング試
験をし、同様な評価等を行なった。その結果を表１に示
す。
【００３０】
【表１】
【００３１】実施例９〜１３ 脂肪酸をそれぞれのナトリウム塩に代えた以外は実施例
４〜８と同様にテクスチャリング加工用組成物を造り、
テクスチャリング試験を行なった。その結果を表２に示
す。
４〜８と同様にテクスチャリング加工用組成物を造り、
テクスチャリング試験を行なった。その結果を表２に示
す。
【００３２】実施例１４〜１９ 脂肪酸としてオレイン酸を使用し、表２に示すようにそ
の含有量を０．０５〜１０wt％の範囲としたこと以外は
実施例５〜８と同様にして組成物を造り、テクスチャリ
ング試験を行なった。ＣＳＳ特性の評価はせず、その他
の結果を表２に示す。実施例１４〜１９のジエチレング
リコールモノブチルエーテルの添加量は、ダイヤモンド
粉末を除いた成分が均一な溶液となるために必要な最低
限のものとした。
の含有量を０．０５〜１０wt％の範囲としたこと以外は
実施例５〜８と同様にして組成物を造り、テクスチャリ
ング試験を行なった。ＣＳＳ特性の評価はせず、その他
の結果を表２に示す。実施例１４〜１９のジエチレング
リコールモノブチルエーテルの添加量は、ダイヤモンド
粉末を除いた成分が均一な溶液となるために必要な最低
限のものとした。
【００３３】
【表２】
【００３４】表２から分かるようにオレイン酸の添加量
は、０．０５wt％では、バリを抑える効果がもう一歩で
あり、０．１wt％から効果が顕著に現われ、０．５wt％
以上で効果が大きくなり、また５wt％を越えると除去速
度が低下するとともに、オイレン酸を純水に均一に混合
させるために必要なジエチレングリコールモノブチルエ
ーテルの添加量も増加するため、オレイン酸の場合適し
た添加量は、０．５〜５wt％であることになる。脂肪酸
や脂肪酸金属塩によってそれらの好ましい添加量は異な
り、また均一混合状態にする際のアルキレングリコール
モノアルキルエーテルの混合量も異なってくる。
は、０．０５wt％では、バリを抑える効果がもう一歩で
あり、０．１wt％から効果が顕著に現われ、０．５wt％
以上で効果が大きくなり、また５wt％を越えると除去速
度が低下するとともに、オイレン酸を純水に均一に混合
させるために必要なジエチレングリコールモノブチルエ
ーテルの添加量も増加するため、オレイン酸の場合適し
た添加量は、０．５〜５wt％であることになる。脂肪酸
や脂肪酸金属塩によってそれらの好ましい添加量は異な
り、また均一混合状態にする際のアルキレングリコール
モノアルキルエーテルの混合量も異なってくる。
【００３５】実施例２０〜３３ 表３に示すようにダイヤモンド粉末の粒度や添加量を変
えたもの並びに溶融アルミナおよび炭化ケイ素粉末を含
有するテクスチャリング加工用組成物を実施例４〜８に
準じて造り、実施例１〜３と同様のテクスチャリング試
験を行ない、表３に示す結果を得た。
えたもの並びに溶融アルミナおよび炭化ケイ素粉末を含
有するテクスチャリング加工用組成物を実施例４〜８に
準じて造り、実施例１〜３と同様のテクスチャリング試
験を行ない、表３に示す結果を得た。
【００３６】
【表３】
【００３７】比較例１ 純水に実施例１で使用したダイヤモンド粉末を０．４wt
％入れ超音波分散させた組成物を造り、実施例１と同様
のテクスチャリング試験を行なった。その結果を表４に
示す。表４より分かるように表面粗さも実施例に比べ数
段劣り、テクスチャリング条痕の均一性を示すＲｍａｘ
／Ｒａの値も倍で劣っていることを示している。バリの
個数も多く、またＣＳＳサイクル試験でも２００００回
のテストに耐えられず８０００回でヘッドが破損してし
まった。
％入れ超音波分散させた組成物を造り、実施例１と同様
のテクスチャリング試験を行なった。その結果を表４に
示す。表４より分かるように表面粗さも実施例に比べ数
段劣り、テクスチャリング条痕の均一性を示すＲｍａｘ
／Ｒａの値も倍で劣っていることを示している。バリの
個数も多く、またＣＳＳサイクル試験でも２００００回
のテストに耐えられず８０００回でヘッドが破損してし
まった。
【００３８】比較例２ 純水に実施例２０で使用した溶融アルミナ粉末を０．４
wt％入れ超音波分散し、比較例２の組成物を造り、実施
例１と同様のテクスチャリング試験を行なった。その結
果を表４に示す。
wt％入れ超音波分散し、比較例２の組成物を造り、実施
例１と同様のテクスチャリング試験を行なった。その結
果を表４に示す。
【００３９】比較例３〜４ 脂肪酸または金属塩を含有せず、実施例１に使用したダ
イヤモンド粉末０．４wt％含有し、表４に示すように純
水とジエチレングリコールモノブチルエーテルとを混合
した比較例３とジエチレングリコールモノブチルエーテ
ルのみを混合した比較例４の組成物を造り、実施例１と
同様のテクスチャリング試験を行なった。その結果を表
４に示す。
イヤモンド粉末０．４wt％含有し、表４に示すように純
水とジエチレングリコールモノブチルエーテルとを混合
した比較例３とジエチレングリコールモノブチルエーテ
ルのみを混合した比較例４の組成物を造り、実施例１と
同様のテクスチャリング試験を行なった。その結果を表
４に示す。
【００４０】
【表４】
【００４１】
【発明の効果】本発明で初めてテクスチャリング加工用
組成物として （１）バリの発生が皆無かまたは極めて少ない。 （２）小さな表面粗さで、テクスチャリング条痕が均一
である。 （３）著しく良好なＣＳＳ特性を発揮し、記録エラーを
低減し、記録密度の向上が達成できる。 等の効果を有する。
組成物として （１）バリの発生が皆無かまたは極めて少ない。 （２）小さな表面粗さで、テクスチャリング条痕が均一
である。 （３）著しく良好なＣＳＳ特性を発揮し、記録エラーを
低減し、記録密度の向上が達成できる。 等の効果を有する。
【図１】本発明等のテクスチャリング加工用組成物を用
いて磁気ディスクに対し、テクスチャリング加工をする
様子を示す概略斜視図である。
いて磁気ディスクに対し、テクスチャリング加工をする
様子を示す概略斜視図である。
【図２】テクスチャリング加工した磁気ディスクを概略
的に示す半径方向断面図である。
的に示す半径方向断面図である。
１ 磁気ディスク １１ 下地層 １２ 基板 ２ テクスチャリング加工用パッド ３ パッド支持用治具 ４ テクスチャリング加工用組成物供給装置 ５ テクスチャリング加工用組成物
Claims (1)
- 【請求項１】 （Ａ）ダイヤモンド、ＣＢＮ、アルミナ
および炭化ケイ素の中の少なくとも１種の微粒子または
粉末と、 （Ｂ）一般式Ｒ1 Ｏ｛（ＣＨ2 ）n Ｏ｝m Ｈで表わされ
るアルキレングリコールモノアルキルエーテル〔式中、
Ｒ1 は炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖のアルキル基を
示し、ｍは１〜３の整数、ｎは２または３の数を示
す。〕および（Ｃ）炭素数１０〜２２の脂肪酸またはそ
れらの金属塩のうち少なくとも１種を含有することを特
徴とする磁気ディスクのテクスチャリング加工用組成
物。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08840695A JP3640317B2 (ja) | 1995-04-13 | 1995-04-13 | テクスチャリング加工用組成物 |
| US08/631,174 US5626640A (en) | 1995-04-13 | 1996-04-12 | Composition adapted for use in texturing process for magnetic disc |
| MYPI96001409A MY112831A (en) | 1995-04-13 | 1996-04-12 | Composition adapted for use in texturing process for magnetic disc |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08840695A JP3640317B2 (ja) | 1995-04-13 | 1995-04-13 | テクスチャリング加工用組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08287456A true JPH08287456A (ja) | 1996-11-01 |
| JP3640317B2 JP3640317B2 (ja) | 2005-04-20 |
Family
ID=13941925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08840695A Expired - Fee Related JP3640317B2 (ja) | 1995-04-13 | 1995-04-13 | テクスチャリング加工用組成物 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5626640A (ja) |
| JP (1) | JP3640317B2 (ja) |
| MY (1) | MY112831A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002047868A1 (en) * | 2000-12-15 | 2002-06-20 | Showa Denko K.K. | Composition for texturing process |
| US6569216B1 (en) | 1998-11-27 | 2003-05-27 | Kao Corporation | Abrasive fluid compositions |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6296740B1 (en) * | 1995-04-24 | 2001-10-02 | Si Diamond Technology, Inc. | Pretreatment process for a surface texturing process |
| US20040025442A1 (en) * | 2000-12-15 | 2004-02-12 | Katsura Ito | Composition for texturing process |
| US20070254562A1 (en) * | 2004-08-30 | 2007-11-01 | Showa Denko K.K. | Magnetic Disk Substrate and Production Method of Magnetic Disk |
| US8801496B2 (en) * | 2006-04-28 | 2014-08-12 | HGST Netherlands B.V. | Reducing agglomeration of particles while manufacturing a lapping plate using oil-based slurry |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4035163A (en) * | 1975-01-13 | 1977-07-12 | Desoto, Inc. | Conditioning cleanser for ceramic surfaces |
| DE2531431C3 (de) * | 1975-07-14 | 1979-03-01 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fuer Elektronik-Grundstoffe Mbh, 8263 Burghausen | Poliermittel zur Herstellung schleierfreier Halbleiteroberflächen |
| DE3314789A1 (de) * | 1983-04-23 | 1984-10-25 | Basf Ag, 6700 Ludwigshafen | Schleif-, laepp- und polierpasten |
| JPS62135598A (ja) * | 1985-12-10 | 1987-06-18 | 三井東圧化学株式会社 | 洗浄剤組成物 |
| US4952240A (en) * | 1989-06-15 | 1990-08-28 | Pro-Max Performance, Inc. | Scratch remover and polish containing oleic diethanolamide, an abrasive alumina and a bentonite |
| JP3114070B2 (ja) * | 1990-12-21 | 2000-12-04 | 株式会社ソフト九九コーポレーション | ガラス表面の油膜除去剤 |
| JP3108547B2 (ja) * | 1992-08-11 | 2000-11-13 | 敏和 田端 | 洗浄の容易な固形バフ研磨剤 |
| JP3227855B2 (ja) * | 1993-01-22 | 2001-11-12 | 宇部興産株式会社 | 芳香族コポリエステルアミド |
-
1995
- 1995-04-13 JP JP08840695A patent/JP3640317B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-04-12 MY MYPI96001409A patent/MY112831A/en unknown
- 1996-04-12 US US08/631,174 patent/US5626640A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6569216B1 (en) | 1998-11-27 | 2003-05-27 | Kao Corporation | Abrasive fluid compositions |
| WO2002047868A1 (en) * | 2000-12-15 | 2002-06-20 | Showa Denko K.K. | Composition for texturing process |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5626640A (en) | 1997-05-06 |
| MY112831A (en) | 2001-09-29 |
| JP3640317B2 (ja) | 2005-04-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4273475B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
| JP3856843B2 (ja) | 磁気記録媒体基板用研磨材組成物及びこれを用いた磁気記録媒体基板の製造方法 | |
| JP3998813B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
| US20080280538A1 (en) | Polishing composition | |
| US6500049B2 (en) | Lapping oil composition for finish-grinding | |
| US6248143B1 (en) | Composition for polishing glass and polishing method | |
| JPH07216345A (ja) | 研磨用組成物 | |
| JPH08287456A (ja) | テクスチャリング加工用組成物 | |
| JPWO2006006721A1 (ja) | テクスチャリング加工用組成物 | |
| JP3877924B2 (ja) | 磁気ディスク基板研磨用組成物 | |
| JP4675049B2 (ja) | テクスチャ加工用潤滑液組成物 | |
| JP4092006B2 (ja) | 研磨液組成物 | |
| JP4116136B2 (ja) | 研磨液組成物 | |
| JP4015945B2 (ja) | テクスチャリング加工用組成物、スラリー、および磁気ディスクの製造方法 | |
| JP4092015B2 (ja) | 研磨液組成物 | |
| JP3857799B2 (ja) | ガラス研磨用研磨材組成物およびその研磨方法 | |
| US20040025442A1 (en) | Composition for texturing process | |
| JPH10219300A (ja) | 研磨液用洗浄剤組成物 | |
| JP2003082337A (ja) | ハードディスク用水性研削材組成物 | |
| JP3555972B2 (ja) | 磁気ディスクのテクスチャリング加工用組成物及びその製造方法 | |
| JP2001262129A (ja) | ハードディスク用水性研削材組成物 | |
| JP2000345143A (ja) | ガラス研磨用研磨材組成物およびそれを用いた研磨方法 | |
| JP3231600B2 (ja) | 磁気ディスク研磨用組成物及びそれを用いた研磨液 | |
| JP2007109319A (ja) | 磁気ハードディスク基板のテクスチャ加工方法 | |
| JPH10249713A (ja) | 研磨液組成物及び研磨方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD13 | Notification of appointment of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7433 Effective date: 20050114 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050114 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080128 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110128 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110128 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140128 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |