JPH0828407B2 - フィルムキャリア及びその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、例えば、ＩＣ、ＬＳ
Ｉ、ＶＬＳＩ等の集積回路チップの実装に用いられるよ
うなフィルムキャリア及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、上述例のフィルムキャリアとして
は、フッ素樹脂系以外の樹脂を主体とするフィルムキャ
リアがある。すなわち溶液製膜法によりポリイミド（Po
lyimide 、PI）をフィルム状に形成したもの、ダイスを
用いた溶融押出法によりポリエステル（Polyester ）を
フィルム状に形成したもの、変性ポリイミド（具体的に
はトリアジン樹脂にビスマレイミドを反応させた耐熱性
樹脂のことで、ＢＴ ＲＥＳＩＮ）やガラスエポキシ等
の樹脂をガラスクロスに対して含浸させ、かつフィルム
状に形成したもの等があるが、これらフッ素樹脂系以外
の樹脂を主体とするフィルムキャリアは比誘電率が３．
５以上となり、低誘電特性を確保することができない問
題点があった。

【０００３】一方、このような問題点を解決し、低誘電
特性を確保するためにフッ素樹脂系の樹脂（ＰＴＦＥ、
ＰＦＡ、ＦＥＰ等）を主体とするフィルムキャリアおよ
びその製造方法が既に発明されている。

【０００４】このフッ素樹脂系の樹脂を主体とするフィ
ルムキャリアおよびその製造方法を、図２４、図２５、
図２６に基づいて詳述する。

【０００５】まず図２４に示す従来構成について述べる
と、このフィルムキャリアは、ガラス布９１にフッ素樹
脂ディスパージョン（例えばＰＴＦＥディスパージョ
ン）を含浸、乾燥および焼成したレジンクロス９２を形
成し、複数層、例えば２層のレジンクロス９２，９２を
積層したものの少なくとも片面に所定厚さの金属箔（具
体的にはＣｕ箔）９３を配置し、これら各要素を上述の
樹脂の融点（ＰＴＦＥの場合には３２７℃）以上の温度
条件下にて加熱加圧して、一体化成形したフィルムキャ
リア９４である。

【０００６】しかし、この従来のフィルムキャリア９４
は上述のガラス布９１を用いる関係上、レジンクロス９
２の表面平坦度が低く、高精度パターン、細線化、微細
パターンの形成が困難となる問題点があった。

【０００７】また上述のガラス布９１とＰＴＦＥ等の樹
脂との密着性が悪いので、樹脂の含浸、乾燥工程中にお
いて水分の蒸発によるボイド（小孔）がガラスヤーン中
に残存し、このボイドは加熱加圧しても除去することが
困難であるから、デバイスの気密性が不完全になるう
え、メッキ手段やエッチング手段によりリードを形成す
る際、メッキ液やエッチング溶剤の浸み込みが発生する
問題点があった。

【０００８】さらに上述のガラス布９１を基材として用
いるため、繰返し曲げ強度が低く、フィルムキャリアに
デバイスホール等のパンチング穴を加工する際には、そ
の破断面からガラス粉が脱落し、ワイヤボンディング時
においてチップ表面にガラス粉が付着するうえ、パンチ
ング加工性も望ましくない。

【０００９】加えて、デバイスホールおよびスプロケッ
トホールの形成後に金属箔９３を接着する際、上述の加
熱加圧時に熱によってガラス布９１が伸びるため、寸法
変化が大きくなって上述の各ホールの良好な寸法精度を
保つことができず、薄板化した場合には、ハンダ耐熱性
が低下する問題点があった。このハンダ耐熱性が低下す
る理由は、上述のボイドによりガラス布９１を構成する
ガラスクロスの交差部分に空気溜りが形成されており、
ハンダ時にこの空気が膨張することで、レジンクロス９
２が金属箔９３から剥離することに起因する。

【００１０】次に図２５に示す従来構成について述べる
と、このフィルムキャリアは、圧縮成形用ＰＴＦＥ樹脂
粉末を圧縮成形法により成形焼成した後に、スカイビン
グマシーンによりＰＴＦＥ樹脂フィルム９５を形成し、
このＰＴＦＥ樹脂フィルム９５と金属箔としてのＣｕ箔
９６との間に、ＰＦＡまたはＦＥＰ等の接着用フィルム
９７を介設し、ＰＴＦＥの融点３２７℃以上の温度条件
下で、加熱加圧して各要素９６，９７，９５を一体化形
成したフィルムキャリア９８である。

【００１１】しかし、この従来のフィルムキャリア９８
は、上述の加熱加圧時にＰＴＦＥ樹脂フィルム９５（Ｐ
ＴＦＥディスパージョンを塗工、乾燥、焼成したもので
はなく、フィルムである。）が伸びると共に、圧縮クリ
ープによる歪が発生するため、反り、捩れ、歪が大き
く、寸法精度にばらつきが発生するうえ、接着用フィル
ム９７にシワやコンタミネーション（contamination 、
汚れ）が発生しすく、製品歩留りが低く、かつ接着強さ
のばらつきが大きい等の問題点があった。

【００１２】次に図２６に示す従来構成（特開平２−２
０５３３２号公報に記載の構成）について述べると、こ
のフィルムキャリアは、ガラス布９９にＰＴＦＥ樹脂を
含浸させて、ベースの絶縁層１００を形成した後に、こ
の絶縁層１００の片側の上面にＰＦＡ樹脂からなる接着
層１０１を上載し、軽く熱圧着して、この接着層１０１
を下側の絶縁層１００に対して仮止めし、次にプレス打
抜き手段によりデバイスホールおよびスプロケットホー
ルなどの各種のホール１０２を形成した後に、電解銅箔
１０３を上記接着層１０１上面に配置して、温度３７０
℃、圧力３０kg／cm² 時間３０分間の各条件下で熱圧着
して、フィルムキャリア１０４を製造したものである。

【００１３】しかし、この従来のフィルムキャリア１０
４においては、上述のプレス打抜きによりホール１０２
を形成する時、絶縁層１００と接着層１０１との樹脂系
の２層のみであるから、ホール形成時の機械的強度が不
足して良好なホールの寸法精度を確保することができ
ず、加えてガラス布９９を用いる関係上、既述した各種
の問題点があった。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】この発明の請求項１記
載の発明は、ガラス布を一切使用しないでフィルムキャ
リアを形成することにより、樹脂層の表面平坦度に優
れ、高精度パターン、細線化、微細パターンの形成が容
易で、かつガラス布使用に起因する毛細管現象や空気泡
を包含する要素がなく、パターンをエッチング手段にて
形成する際のエッチング液の浸み込みがなく、また優れ
た耐屈曲性および耐熱性を有すると共に、パンチング加
工性および寸法精度が良好で、特にデバイスホール、ス
プロケットホールおよびアウタリードホールの各ホール
の寸法精度を確保することができ、さらには薄板化によ
るハンダ耐熱性の低下もなく、低誘電特性を確保するこ
とができる両面導電層タイプのフィルムキャリアの製造
方法の提供を目的とする。

【００１５】この発明の請求項２記載の発明は、上記請
求項１記載の発明の目的と併せて、片面導電層タイプの
フィルムキャリアを容易に製造することができるフィル
ムキャリアの製造方法の提供を目的とする。

【００１６】この発明の請求項３記載の発明は、上記請
求項１記載の発明の目的と併せて、スルーホール内壁に
おける第１樹脂層の濡れ性（付着性）の大幅な向上を図
ることができる両面導電層タイプのフィルムキャリアの
製造方法の提供を目的とする。

【００１７】この発明の請求項４記載の発明は、上記請
求項１および２記載の発明の目的と併せて、寸法精度の
高い多層フィルムキャリアを形成することができるフィ
ルムキャリアの製造方法の提供を目的とする。

【００１８】この発明の請求項５記載の発明は、ガラス
布を一切使用しないでフィルムキャリアを形成すること
により、樹脂層の表面平坦度に優れ、高精度パターン、
細線化、微細パターンの形成が容易で、かつガラス布使
用に起因する毛細管現象や空気泡を包含する要素がな
く、パターンをエッチング手段にて形成する際のエッチ
ング液の浸み込みがなく、また優れた耐屈曲性および耐
熱性を有すると共に、パンチング加工性および寸法精度
が良好で、特にデバイスホール、スプロケットホールお
よびアウタリードホールの各ホールの寸法精度を確保す
ることができ、さらには薄板化によるハンダ耐熱性の低
下もなく、低誘電特性を確保することができる両面導電
層タイプのフィルムキャリアの提供を目的とする。

【００１９】

【課題を解決するための手段】この発明の請求項１記載
の発明は、第１金属箔にＰＴＦＥディスパージョンを塗
工、乾燥および焼成して第１樹脂層を形成する第１の工
程と、上記第１樹脂層の上面にＰＴＦＥより低融点のフ
ッ素樹脂を用いて接着層としての第２樹脂層が形成され
たフィルムを構成する第２の工程と、上記フィルムにデ
バイスホール、スプロケットホールおよびアウタリード
ホールを形成する第３の工程と、上記第２樹脂層の上面
に第２金属箔を配置した後に、加熱圧着して一体化成形
する第４の工程とを備え、両面導電層タイプと成すフィ
ルムキャリアの製造方法であることを特徴とする。

【００２０】この発明の請求項２記載の発明は、上記請
求項１記載の発明の構成と併せて、上記第１金属箔をエ
ッチング手段により除去して、片面導電層タイプと成す
フィルムキャリアの製造方法であることを特徴とする。

【００２１】この発明の請求項３記載の発明は、無機質
ミルドファイバおよび微粒子の一方が配合されたＰＴＦ
Ｅディスパージョンを第１金属箔に塗工、乾燥および焼
成して第１樹脂層を形成する第１の工程と、上記第１金
属箔および第１樹脂層にデバイスホール、スプロケット
ホール、アウタリードホールを形成する第２の工程と、
上記第１樹脂層の上面にＰＴＦＥより低融点のフッ素樹
脂を用いて接着層としての第２樹脂層が形成されたフィ
ルムを構成する第３の工程と、上記第２樹脂層の上面
に、第２金属箔を配置した後に、加熱圧着して一体化成
形する第４の工程とを備え、両面導電層タイプと成すフ
ィルムキャリアの製造方法であることを特徴とする。

【００２２】この発明の請求項４記載の発明は、上記請
求項１および２記載の発明の構成と併せて、両面導電層
タイプおよび片面導電層タイプのフィルムキャリアを所
定枚数積層して多層フィルムキャリアを形成するフィル
ムキャリアの製造方法であることを特徴とする。

【００２３】この発明の請求項５記載の発明は、第１金
属箔にＰＴＦＥからなる第１樹脂層が形成され、該第１
樹脂層の上面にＰＴＦＥより低融点のフッ素樹脂からな
る接着層としての第２樹脂層が形成され、該第２樹脂層
の上面に第２金属箔が形成されたフィルムキャリアであ
ることを特徴とする。

【００２４】

【発明の効果】この発明の請求項１記載の発明によれ
ば、第１金属箔の上面に第１樹脂層および第２樹脂層を
形成した後に、第１金属箔をパンチング時の補強材に兼
用してデバイスホール、スプロケットホールおよびアウ
タリッドホールを形成し、さらに第２樹脂層に第２金属
箔を配置した後に、加熱圧着して両面導電層タイプのフ
ィルムキャリアを一体化成形する方法であって、ガラス
布を一切使用しないので、樹脂層の表面平坦度に優れ、
このため高精度パターン、細線化、微細パターンの形成
が容易な効果がある。

【００２５】またガラス布の使用に起因する毛細管現象
や空気泡（空気溜りやボイド）を包含する要素が一切な
いため、パターンをエッチング手段にて形成する際のエ
ッチング液の浸み込みがなく、薄板化してもハンダ耐熱
性の低下がない効果がある。

【００２６】さらにガラス布を使用しないため、優れた
耐屈曲性および耐熱性を有する効果があるうえ、デバイ
スホール、スプロケットホールおよびアウタリードホー
ルの形成時には、上述の第１金属箔が補強材として機能
するため、充分な機械的強度が確保できて、パンチング
加工性が向上し、これら各ホールの寸法精度の向上を図
ることができる。加えて誘電率はＰＴＦＥの誘電率εｒ
＝２．１が略そのまま生かされるため、低誘電特性のフ
ィルムキャリアを得ることができる効果がある。

【００２７】この発明の請求項２記載の発明によれば、
上記請求項１記載の発明の効果と併せて、上記第１金属
箔をエッチング手段により除去して片面導電層タイプと
成すので、この片面導電層タイプのフィルムキャリアを
容易に製造することができる効果がある。

【００２８】この発明の請求項３記載の発明によれば、
上記請求項１記載の発明の効果と併せて、ＰＴＦＥディ
スパージョンには無機質ミルドファイバ（inorganic mi
lledfiber）および微粒子の一方を配合したので、スル
ーホール内壁における第１樹脂層の濡れ性（付着性）の
大幅な向上を図ることができる効果がある。

【００２９】またデバイスホール、スプロケットホー
ル、アウタリードホールの形成後において第２樹脂層を
形成するので、上述の無機質ミルドファイバおよび微粒
子等の脱落を、この第２樹脂層により防止することがで
きる効果がある。

【００３０】この発明の請求項４記載の発明によれば、
請求項１および２記載の発明の効果と併せて、両面導電
層タイプのフィルムキャリア（請求項１記載のフィルム
キャリア）と片面導電層タイプのフィルムキャリア（請
求項２記載のフィルムキャリア）とを所定枚数積層して
多層フィルムキャリアを製造するので、寸法精度の高い
多層構造のフィルムキャリアを容易に製造することがで
きる効果がある。

【００３１】この発明の請求項５記載の発明によれば、
上記第１金属箔に第１樹脂層および第２樹脂層を介して
第２金属箔を形成し、ガラス布を一切使用しないでフィ
ルムキャリアを構成したので、樹脂層の表面平坦度に優
れ、高精度パターン、細線化、微細パターンの形成が容
易で、かつガラス布使用に起因する毛細管現象や空気泡
を包含する要素がなく、パターンをエッチング手段にて
形成する際のエッチング液の浸み込みがなく、また優れ
た耐屈曲性および耐熱性を有すると共に、パンチング加
工性および寸法精度が良好で、特にデバイスホール、ス
プロケットホールおよびアウタリードホールの各ホール
の寸法精度を確保することができ、さらには薄板化によ
るハンダ耐熱性の低下もなく、低誘電特性を確保するこ
とができる効果がある。

【００３２】

【実施例】この発明の一実施例を以下図面に基づいて詳
述する。 （第１実施例）図１乃至図８はフィルムキャリアの製造
方法の第１実施例（請求項１に対応）を示し、図１に示
すように一方が粗化面１で、他方が光沢面２の第１金属
箔としての第１Ｃｕ箔３を設ける。この第１Ｃｕ箔３と
しては繊維状結晶組織を有する厚さ約３５μｍの無酸素
圧延Ｃｕ箔または柱状結晶組織を有する厚さ約３５μｍ
の電解Ｃｕ箔を用いる。なお、上述の第１Ｃｕ箔３は主
としてリードレス導電層（グランド用）として用いる。

【００３３】次に、ＰＴＦＥディスパージョンを貯溜し
たタンクに、ガイドローラ等の案内手段を介して上述の
第１Ｃｕ箔３を浸漬し、浸漬後の第１Ｃｕ箔３を相対向
するヒータ間の空間を通過させることで、第１Ｃｕ箔３
の粗化面１および光沢面２の両面にＰＴＦＥディスパー
ジョンが塗工、乾燥および焼成された厚さ１０数μｍ〜
１００μｍの範囲内の第１樹脂層４，５を形成して、図
２の如く成す。

【００３４】次に上述の第１Ｃｕ箔３における光沢面２
側の第１樹脂層５を剥離して、除去すると、図３に示す
ように第１Ｃｕ箔３の片側に第１樹脂層４が形成された
構造に成すことができる（第１の工程）。

【００３５】ここで、絶縁層として用いる上述の第１樹
脂層４の厚さは充分な機械的強度を確保するための厚さ
としての１０数μｍから１００μｍの範囲、望ましくは
特性インピーダンスマッチングを得やすい厚さ５０μｍ
から１００μｍとすることが推奨される。なお第１樹脂
層４の厚さが過大な場合には熱的歪が増大し、変形およ
び熱膨張に起因する寸法変化が増大するので、上記範囲
内とする。

【００３６】次に図４に示すように、第１樹脂層４の上
面にＰＴＦＥの融点（３２７℃）に対して低融点のフッ
素樹脂たとえばＰＦＡ（融点３１０℃）を塗工、乾燥お
よび焼成して接着層としての第２樹脂層６が厚さ約３〜
５μｍに形成されたフィルム７を構成する（第２の工
程）。なお上述のＰＴＦＥの融点（３２７℃）に対して
低融点のフッ素樹脂としては上述のＰＦＡの他にＦＥＰ
（融点２７５℃）を用いてもよい。

【００３７】次に図５に示すように、上述のフィルム７
の所定箇所にデバイスホール８Ｄ、アウタリードホール
８Ａ、スプロケットホール８Ｓ（図７参照）等の各種の
ホール８を形成する（第３の工程）。

【００３８】次に図６に示すように上述の第２樹脂層６
の上面にＴＡＢ（Tape Automated Bonding）導電層とな
る第２金属箔としての第２Ｃｕ箔９を配置した後に、加
熱圧着して一体化成形する（第４の工程）。なお、この
第２のＣｕ箔９はその光沢面側を第２樹脂層６に対接
し、接着力の向上を図る。

【００３９】次に上述の第２Ｃｕ箔９の所定部分をエッ
チングすると、図７、図８に示すような両面導電層タイ
プのフィルムキャリアＡを製造することができる。な
お、図７、図８において９ＩＮはインナリード、９ＯＵ
Ｔはアウタリード、１０はスルーホール、１１はＩＣで
ある。

【００４０】このように上述の第１Ｃｕ箔３の上面に第
１樹脂層４および第２樹脂層６を形成した後に、第１Ｃ
ｕ箔３をパンチング時の補強材に兼用してデバイスホー
ル８Ｄ、スプロケットホール８Ｓ、アウタリードホール
８Ａを形成し、さらに第２樹脂層６に第２Ｃｕ箔９を配
置した後に、加熱圧着して両面導電層タイプのフィルム
キャリアＡを一体化成形する方法であって、ガラス布を
一切使用しないので、各樹脂層４，６の表面平坦度に優
れ、このため高精度パターン、細線化、微細パターンの
形成が容易な効果がある。

【００４１】またガラス布の使用に起因する毛細管現象
や空気泡（空気溜りやボイド）を包含する要素が一切な
いため、パターンをエッチング手段にて形成する際のエ
ッチング液の浸み込みがなく、薄板化してもハンダ耐熱
性の低下がない効果がある。

【００４２】さらにガラス布を使用しないため、優れた
耐屈曲性および耐熱性を有する効果があるうえ、デバイ
スホール８Ｄ、スプロケットホール８Ｓ、アウタリード
ホール８Ａを形成時には、上述の第１Ｃｕ箔３が補強材
として機能するため、パンチング加工性が向上し、これ
ら各ホール８の寸法精度の向上を図ることができる効果
がある。

【００４３】加えて誘電率はＰＴＦＥ（第１樹脂層４参
照）の誘電率εｒ＝２．１が略そのまま生かされるた
め、低誘電特性のフィルムキャリアＡを得ることができ
る効果がある。

【００４４】（第２実施例）図９はフィルムキャリアの
製造方法の第２実施例（請求項２に対応）を示し、図６
乃至図８で示した両面導電層タイプのフィルムキャリア
Ａにおける第１Ｃｕ箔３をエッチング手段により除去し
て、片面導電層タイプのフィルムキャリアＢを製造した
ものである。このように上述の第１Ｃｕ箔３のエッチン
グ処理の有無により片面導電層タイプまたは両面導電層
タイプを選定することができる。なお、その他の点につ
いては先の第１実施例とほぼ同様の作用、効果を奏する
ので、図９において前図と同一の部分には同一番号およ
び同一符号を付して、その詳しい説明を省略する。

【００４５】（第３実施例）図１０乃至図１７はフィル
ムキャリアの製造方法の第３実施例（請求項１に対応）
を示し、まず図１０に示すように一方が粗化面１で、他
方が光沢面２の第１金属箔としての第１Ｃｕ箔３を設け
る。

【００４６】次に図１１に示すように第１Ｃｕ箔３の粗
化面１側にＰＦＡのトップコート層１２を形成する。こ
のトップコート層１２は厚さが約３〜５μｍで乾燥処理
のみを施した未焼結層とする。

【００４７】次に図１２に示すように上述のトップコー
ト層１２の上面に層厚約１０数μｍ〜１００μｍ、望ま
しくは５０μｍ〜１００μｍの第１樹脂層４を形成する
（第１の工程）。このＰＴＦＥからなる第１樹脂層４の
形成方法は先の第１実施例と同様である。

【００４８】次に図１３に示すように、第１樹脂層４の
上面にＰＴＦＥの融点（３２７℃）に対して低融点のフ
ッ素樹脂たとえばＰＦＡ（融点３１０℃）を塗工、乾燥
および焼成して接着層としての第２樹脂層６が厚さ約３
〜５μｍに形成されたフィルム７を構成する（第２の工
程）。

【００４９】次に図１４に示すように、上述のフィルム
７の所定箇所にデバイスホール、アウタリードホール、
スプロケットホール等の各種のホール８を形成する（第
３の工程）。

【００５０】次に図１５に示すように、上述の第２樹脂
層６の上面にＴＡＢ導電層となる第２金属箔としての第
２Ｃｕ箔９を配置した後に、加熱圧着して一体化成形す
る（第４の工程）。なお、この第２Ｃｕ箔９はその光沢
面側を第２樹脂層６に対接して、接着力の向上を図る点
については先の第１実施例と同様である。

【００５１】次に図１６に示すように、上述の第１Ｃｕ
箔３をエッチング手段により除去した後に、図１７に示
す如く別のＣｕ箔１３をトップコート層１２の下面に配
設する。

【００５２】このように上述の第１Ｃｕ箔３に予めトッ
プコート層１２を形成すると、この第１Ｃｕ箔３を除去
した後、別のＣｕ箔１３の接着が容易となり、両面導電
層タイプのフィルムキャリアＣを得ることができる。な
お、その他の点は先の第１実施例とほぼ同様の作用、効
果を奏するので、図１０乃至図１７において前図と同一
の部分には同一番号および同一符号を付して、その詳し
い説明を省略する。

【００５３】（第４実施例）図１８乃至図２２はフィル
ムキャリアの製造方法の第４実施例（請求項３に対応）
を示し、まず図１８に示すように一方が粗化面１で、他
方が光沢面２の第１金属箔としての第１Ｃｕ箔３を設け
る。

【００５４】次にＰＴＦＥディスパージョンに対して体
積比で２５％以下の無機質ミルドファイバおよび微粒子
の少なくとも一方が配合されたディスパージョンを設け
る。上述の微粒子または微粉としては具体的にはガラス
微粉、ビーズ、中空微粒、Ａｌ₂ Ｏ₃ （アルミナ）の微
粉、ＳｉＯ₂ （シリカ、silica）微粉を用いる。なお配
合率を２５％以上にすると微粒子等の離脱が生ずるた
め、２５％以下にする。

【００５５】そして、上述の無機質ミルドファイバおよ
び微粒子の一方が配合されたＰＴＦＥディスパージョン
を第１Ｃｕ箔３の粗化面１側に塗工、乾燥および焼成し
て図１９に示すように第１樹脂層１４を形成する（第１
の工程）。この第１樹脂層１４の形成方法は先の第１実
施例と同様である。

【００５６】次に上述の第１Ｃｕ箔３および第１樹脂層
１４に図２０に示すようにデバイスホール、スプロケッ
トホール、アウタリードホール等の各種のホール８を形
成する（第２の工程）。

【００５７】次に図２１に示すように上述の第１樹脂層
１４の上面にＰＴＦＥより低融点のフッ素樹脂たとえば
ＰＦＡ（融点３１０℃）を塗工、乾燥および焼成して接
着層としての第２樹脂層６が厚さ約３〜５μｍに形成さ
れたフィルム７を構成する（第３の工程）。

【００５８】この場合、第２樹脂層６の形成より前段階
で各種のホール８が形成されているので、ＰＦＡはホー
ル８の口縁にも配設され、無機質ミルドファイバ、微粒
子の脱落を防止する。

【００５９】次に図２２に示すように上述の第２樹脂層
６の上面にＴＡＢ導電層となる第２金属箔としての第２
Ｃｕ箔９を配置した後に、加熱圧着して一体化成形し、
両面導電層タイプのフィルムキャリアＤを製造する（第
４の工程）。なお、この第２Ｃｕ箔９はその光沢面側を
第２樹脂層６に対接して、接着力の向上を図る点につい
ては先の第１実施例と同様である。

【００６０】このようにＰＴＦＥディスパージョンに対
して無機質ミルドファイバ、微粒子を配合したので、ス
ルーホール（図７参照）内壁における第１樹脂層１４の
濡れ性（付着性）の大幅な向上を図ることができる効果
がある。

【００６１】加えて、デバイスホール、スプロケットホ
ール、アウタリードホール等の各種のホール８の形成後
に、第２樹脂層６を形成するので、上述の無機質ミルド
ファイバ、微粒子等の脱落を、この第２樹脂層６により
防止することができる効果がある。なお、その他の点に
ついては先の第１実施例と略同様の作用、効果を奏する
ので、図１８乃至図２２において前図と同一の部分には
同一番号および同一符号を付してその詳しい説明を省略
する。

【００６２】（第５実施例）図２３はフィルムキャリア
の製造方法の第５実施例を示し、この実施例では図９で
示した片面導電層タイプのフィルムキャリアＢと、図７
で示した両面導電層タイプのフィルムキャリアＡ（但
し、何れのフィルムキャリアＡ，Ｂも加熱圧着以前のも
のを用い、かつそのＴＡＢ導電層に回路パターンをエッ
チング手段により形成した後のフィルムキャリアとを所
定枚数積層し加熱圧着により一体化成形して多層フィル
ムキャリアＥを形成したものである。このように構成す
ると、ガラス布を一切使用していないため、寸法精度の
高い多層構造のフィルムキャリアＥを容易に製造するこ
とができる効果がある。なお、その他の点については先
の実施例とほぼ同様の作用、効果を奏するので、図２３
において前図と同一の部分には同一番号および同一符号
を付して、その詳しい説明を省略する。

【００６３】この発明の構成と、上述の実施例との対応
において、この発明の第１金属箔は、実施例の第１Ｃｕ
箔３に対応し、以下同様に、ＰＴＦＥより低融点のフッ
素樹脂は、ＰＦＡ（テトラフルオロエチレン・パーフル
オロアルキルビニルエーテル共重合体）に対応し、第２
金属箔は、第２Ｃｕ箔９に対応するも、この発明は、上
述の実施例の構成のみに限定されるものではない。例え
ば上記接着層として用いる第２樹脂層６はＰＦＡに代え
て、ＦＥＰ（テトラフロオロエチレン・ヘキサフルオロ
プロピレン共重合体）を用いてもよいことは勿論であ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のフィルムキャリアの製造方法に用いる
第１Ｃｕ箔の断面図。

【図２】第１樹脂層の形成中途工程を示す断面図。

【図３】第１樹脂層の形成完了工程を示す断面図。

【図４】第２樹脂層の形成中途工程を示す断面図。

【図５】各種ホールの形成工程を示す断面図。

【図６】一体化成形工程を示す断面図。

【図７】本発明の製造方法により製造された両面導電層
タイプのフィルムキャリアを示す断面図。

【図８】図７の平面図。

【図９】本発明の製造方法により製造された片面導電層
タイプのフィルムキャリアを示す断面図。

【図１０】本発明のフィルムキャリアの製造方法の他の
実施例に用いる第１Ｃｕ箔の断面図。

【図１１】トップコート層の形成工程を示す断面図。

【図１２】第１樹脂層の形成工程を示す断面図。

【図１３】第２樹脂層の形成工程を示す断面図。

【図１４】各種ホールの形成工程を示す断面図。

【図１５】第２Ｃｕ箔の形成工程を示す断面図。

【図１６】第１Ｃｕ箔のエッチング工程を示す断面図。

【図１７】Ｃｕ箔配設工程を示す断面図。

【図１８】本発明のフィルムキャリアの製造方法のさら
に他の実施例に用いる第１Ｃｕ箔の断面図。

【図１９】第１樹脂層の形成工程を示す断面図。

【図２０】各種ホールの形成工程を示す断面図。

【図２１】第２樹脂層の形成工程を示す断面図。

【図２２】一体化成形工程を示す断面図。

【図２３】本発明の製造方法により製造された多層フィ
ルムキャリアの断面図。

【図２４】従来のフィルムキャリアを示す断面図。

【図２５】従来のフィルムキャリアを示す断面図。

【図２６】従来のフィルムキャリアを示す断面図。

【符号の説明】 ３…第１Ｃｕ箔 ４…第１樹脂層 ６…第２樹脂層 ７…フィルム ８…ホール ８Ａ…アウタリードホール ８Ｄ…デバイスホール ８Ｓ…スプロケットホール ９…第２Ｃｕ箔 １４…第１樹脂層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−205332（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−68149（ＪＰ，Ａ) 実開 平２−104637（ＪＰ，Ｕ)

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】第１金属箔にＰＴＦＥディスパージョンを
   塗工、乾燥および焼成して第１樹脂層を形成する第１の
   工程と、 上記第１樹脂層の上面にＰＴＦＥより低融点のフッ素樹
   脂を用いて接着層としての第２樹脂層が形成されたフィ
   ルムを構成する第２の工程と、 上記フィルムにデバイスホール、スプロケットホールお
   よびアウタリードホールを形成する第３の工程と、 上記第２樹脂層の上面に第２金属箔を配置した後に、加
   熱圧着して一体化成形する第４の工程とを備え、 両面導電層タイプと成すフィルムキャリアの製造方法。
2. 【請求項２】請求項１記載のフィルムキャリアの製造方
   法において、さらに上記第１金属箔をエッチング手段に
   より除去して、片面導電層タイプと成すフィルムキャリ
   アの製造方法。
3. 【請求項３】無機質ミルドファイバおよび微粒子の一方
   が配合されたＰＴＦＥディスパージョンを第１金属箔に
   塗工、乾燥および焼成して第１樹脂層を形成する第１の
   工程と、 上記第１金属箔および第１樹脂層にデバイスホール、ス
   プロケットホール、アウタリードホールを形成する第２
   の工程と、 上記第１樹脂層の上面にＰＴＦＥより低融点のフッ素樹
   脂を用いて接着層としての第２樹脂層が形成されたフィ
   ルムを構成する第３の工程と、 上記第２樹脂層の上面に、第２金属箔を配置した後に、
   加熱圧着して一体化成形する第４の工程とを備え、 両面導電層タイプと成すフィルムキャリアの製造方法。
4. 【請求項４】両面導電層タイプおよび片面導電層タイプ
   のフィルムキャリアを所定枚数積層して多層フィルムキ
   ャリアを形成する請求項１および２記載のフィルムキャ
   リアの製造方法。
5. 【請求項５】第１金属箔にＰＴＦＥからなる第１樹脂層
   が形成され、 該第１樹脂層の上面にＰＴＦＥより低融点のフッ素樹脂
   からなる接着層としての第２樹脂層が形成され、 該第２樹脂層の上面に第２金属箔が形成されたフィルム
   キャリア。