JPH08274246A - リードフレームおよびそれを用いた半導体集積回路装置ならびにその製造方法 - Google Patents
リードフレームおよびそれを用いた半導体集積回路装置ならびにその製造方法Info
- Publication number
- JPH08274246A JPH08274246A JP7074336A JP7433695A JPH08274246A JP H08274246 A JPH08274246 A JP H08274246A JP 7074336 A JP7074336 A JP 7074336A JP 7433695 A JP7433695 A JP 7433695A JP H08274246 A JPH08274246 A JP H08274246A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- resin
- lead
- integrated circuit
- circuit device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 信頼性の向上を図るリードフレームおよびそ
れを用いた半導体集積回路装置ならびにその製造方法を
提供する。 【構成】 リードフレーム１におけるリード部１ａの表
面において、樹脂封止時に樹脂成形を行う金型のクラン
プ部に接触する箇所に絶縁性フィルム４が設置され、絶
縁性フィルム４が細巾の枠状に形成されたダムバーであ
り、絶縁性フィルム４はその弾性率が１００ＭPa以上
1.3ＧPa以下、好ましくは、１００ＭPa以上0.9ＧPa以下
の範囲で形成され、樹脂封止時に、ダムバーである絶縁
性フィルム４は金型のクランプ部によってリード部１ａ
間に押し込まれ、封止樹脂の流出を防ぐ。
れを用いた半導体集積回路装置ならびにその製造方法を
提供する。 【構成】 リードフレーム１におけるリード部１ａの表
面において、樹脂封止時に樹脂成形を行う金型のクラン
プ部に接触する箇所に絶縁性フィルム４が設置され、絶
縁性フィルム４が細巾の枠状に形成されたダムバーであ
り、絶縁性フィルム４はその弾性率が１００ＭPa以上
1.3ＧPa以下、好ましくは、１００ＭPa以上0.9ＧPa以下
の範囲で形成され、樹脂封止時に、ダムバーである絶縁
性フィルム４は金型のクランプ部によってリード部１ａ
間に押し込まれ、封止樹脂の流出を防ぐ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置に
関し、特に、リードフレームのリード部に絶縁性部材を
設置し、樹脂によって封止を行うリードフレームおよび
それを用いた半導体集積回路装置ならびにその製造方法
に関するものである。
関し、特に、リードフレームのリード部に絶縁性部材を
設置し、樹脂によって封止を行うリードフレームおよび
それを用いた半導体集積回路装置ならびにその製造方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】以下に説明する技術は、本発明を研究、
完成するに際し、本発明者によって検討されたものであ
り、その概要は次のとおりである。
完成するに際し、本発明者によって検討されたものであ
り、その概要は次のとおりである。
【０００３】半導体集積回路装置は高集積化、多機能化
に伴い多ピン化の傾向にある。このような多ピン化に対
応するパッケージ技術として、特開昭５８−２８８４１
号公報に記載されているように、金型のキャビティ周縁
部に沿ってポリイミド樹脂などの可圧縮性絶縁テープを
リードフレーム上に配し、金型のクランプ時に前記可圧
縮性絶縁テープをリードフレーム間に押し込み、樹脂の
流出を防止するダムを形成させる方法がある。
に伴い多ピン化の傾向にある。このような多ピン化に対
応するパッケージ技術として、特開昭５８−２８８４１
号公報に記載されているように、金型のキャビティ周縁
部に沿ってポリイミド樹脂などの可圧縮性絶縁テープを
リードフレーム上に配し、金型のクランプ時に前記可圧
縮性絶縁テープをリードフレーム間に押し込み、樹脂の
流出を防止するダムを形成させる方法がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記した技
術において、前記ポリイミド樹脂などの可圧縮性絶縁テ
ープを金型のクランプ時にリードフレーム間に押し込む
際に、前記可圧縮性絶縁テープが硬いと、リードフレー
ムに損傷を生じる。
術において、前記ポリイミド樹脂などの可圧縮性絶縁テ
ープを金型のクランプ時にリードフレーム間に押し込む
際に、前記可圧縮性絶縁テープが硬いと、リードフレー
ムに損傷を生じる。
【０００５】これにより、リードフレームが変形し、イ
ンナリードやダイパッドに変位を生じる。また、ボンデ
ィングワイヤの変位、または樹脂中におけるボイドの発
生を引き起こす。
ンナリードやダイパッドに変位を生じる。また、ボンデ
ィングワイヤの変位、または樹脂中におけるボイドの発
生を引き起こす。
【０００６】その結果、半導体集積回路装置の電気特性
が低下するという問題が発生する。さらに、半導体集積
回路装置の本体部の反りが大きくなり、成形後のアウタ
リードが平坦に並ばないという問題がある。
が低下するという問題が発生する。さらに、半導体集積
回路装置の本体部の反りが大きくなり、成形後のアウタ
リードが平坦に並ばないという問題がある。
【０００７】そこで、本発明の目的は、信頼性の向上を
図るリードフレームおよびそれを用いた半導体集積回路
装置ならびにその製造方法を提供することにある。
図るリードフレームおよびそれを用いた半導体集積回路
装置ならびにその製造方法を提供することにある。
【０００８】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１０】すなわち、本発明によるリードフレーム
は、そのリード部の表裏面の少なくともどちらか一方の
面において、樹脂封止時に樹脂成形を行う金型のクラン
プ部に接触する箇所に絶縁性部材が設置され、前記絶縁
性部材の弾性率が１００ＭPa以上 1.3ＧPa以下である。
は、そのリード部の表裏面の少なくともどちらか一方の
面において、樹脂封止時に樹脂成形を行う金型のクラン
プ部に接触する箇所に絶縁性部材が設置され、前記絶縁
性部材の弾性率が１００ＭPa以上 1.3ＧPa以下である。
【００１１】さらに、本発明によるリードフレームは、
そのリード部の表裏面の少なくともどちらか一方の面に
おいて、樹脂封止時に樹脂成形を行う金型のクランプ部
に接触する箇所に絶縁性部材が設置され、前記絶縁性部
材の弾性率が１００ＭPa以上0.9ＧPa以下である。
そのリード部の表裏面の少なくともどちらか一方の面に
おいて、樹脂封止時に樹脂成形を行う金型のクランプ部
に接触する箇所に絶縁性部材が設置され、前記絶縁性部
材の弾性率が１００ＭPa以上0.9ＧPa以下である。
【００１２】なお、本発明によるリードフレームは、前
記絶縁性部材の体積抵抗率が５×１０15Ω・ｃｍ以上で
ある。
記絶縁性部材の体積抵抗率が５×１０15Ω・ｃｍ以上で
ある。
【００１３】さらに、本発明によるリードフレームは、
前記絶縁性部材が細巾の絶縁性フィルムによって形成さ
れたダムバーである。
前記絶縁性部材が細巾の絶縁性フィルムによって形成さ
れたダムバーである。
【００１４】また、本発明による半導体集積回路装置
は、前記リードフレームに搭載された半導体素子が樹脂
封止されているものである。
は、前記リードフレームに搭載された半導体素子が樹脂
封止されているものである。
【００１５】なお、本発明による半導体集積回路装置の
製造方法は、半導体素子を搭載するリードフレームのリ
ード部の表裏面の少なくともどちらか一方の面におい
て、樹脂封止時に金型のクランプ部に接触する箇所に、
注入部材を用いて絶縁性部材である液状樹脂を吐出させ
て塗布した後、樹脂封止するものである。
製造方法は、半導体素子を搭載するリードフレームのリ
ード部の表裏面の少なくともどちらか一方の面におい
て、樹脂封止時に金型のクランプ部に接触する箇所に、
注入部材を用いて絶縁性部材である液状樹脂を吐出させ
て塗布した後、樹脂封止するものである。
【００１６】
【作用】上記した手段によれば、リードフレームのリー
ド部の表裏面の少なくともどちらか一方の面において、
樹脂封止時に樹脂成形を行う金型のクランプ部に接触す
る箇所に絶縁性部材が設置され、前記絶縁性部材の弾性
率が１００ＭPa以上 1.3ＧPa以下であることにより、リ
ードフレームが樹脂封止時に金型によってクランプされ
ても、リードフレームへの損傷を低減し、リードフレー
ムの変形を防止することができる。さらに、樹脂封止時
の樹脂漏れを防止することもできる。
ド部の表裏面の少なくともどちらか一方の面において、
樹脂封止時に樹脂成形を行う金型のクランプ部に接触す
る箇所に絶縁性部材が設置され、前記絶縁性部材の弾性
率が１００ＭPa以上 1.3ＧPa以下であることにより、リ
ードフレームが樹脂封止時に金型によってクランプされ
ても、リードフレームへの損傷を低減し、リードフレー
ムの変形を防止することができる。さらに、樹脂封止時
の樹脂漏れを防止することもできる。
【００１７】また、前記絶縁性部材の弾性率が１００Ｍ
Pa以上 0.9ＧPa以下であることにより、インナリードの
変形をさらに低減することができる。
Pa以上 0.9ＧPa以下であることにより、インナリードの
変形をさらに低減することができる。
【００１８】なお、前記絶縁性部材の体積抵抗率が５×
１０15Ω・ｃｍ以上であることにより、リードフレーム
におけるリード間のショートなどの電気的不良を低減す
ることができる。
１０15Ω・ｃｍ以上であることにより、リードフレーム
におけるリード間のショートなどの電気的不良を低減す
ることができる。
【００１９】また、前記絶縁性部材が細巾の絶縁性フィ
ルムによって形成されたダムバーであることにより、前
記ダムバーを切断する必要がなく、かつ、樹脂封止時の
樹脂漏れを防止することができる。
ルムによって形成されたダムバーであることにより、前
記ダムバーを切断する必要がなく、かつ、樹脂封止時の
樹脂漏れを防止することができる。
【００２０】さらに、前記リードフレームに搭載された
半導体素子が樹脂封止されている半導体集積回路装置で
あることにより、半導体集積回路装置の電気特性の低下
を防止でき、また、半導体集積回路装置の本体部の反り
を低減できるため、成形後のアウタリードを平坦に配置
することができる。
半導体素子が樹脂封止されている半導体集積回路装置で
あることにより、半導体集積回路装置の電気特性の低下
を防止でき、また、半導体集積回路装置の本体部の反り
を低減できるため、成形後のアウタリードを平坦に配置
することができる。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。
に説明する。
【００２２】図１は本発明のリードフレームの構造の一
実施例を示す平面図、図２は図１に示す本発明のリード
フレームにおける金型クランプ時のＡ−Ａ断面の構造の
一実施例を示す部分断面図、図３は本発明の半導体集積
回路装置の構造の一実施例を示す断面図、図４は本発明
のリードフレームに設置された絶縁性フィルムの樹脂封
止温度における弾性率とインナリード変位量との関係の
一実施例を示す試験結果図、図５は本発明のリードフレ
ームに設置された絶縁性フィルムの樹脂封止温度におけ
る弾性率とダイパッド変位量との関係の一実施例を示す
試験結果図、図６は本発明のリードフレームに設置され
た絶縁性フィルムの樹脂封止温度における弾性率と封止
樹脂漏れの発生率との関係の一実施例を示す試験結果
図、図７は本発明のリードフレームに設置された絶縁性
フィルムの高温試験データの一例を示す試験結果図であ
る。
実施例を示す平面図、図２は図１に示す本発明のリード
フレームにおける金型クランプ時のＡ−Ａ断面の構造の
一実施例を示す部分断面図、図３は本発明の半導体集積
回路装置の構造の一実施例を示す断面図、図４は本発明
のリードフレームに設置された絶縁性フィルムの樹脂封
止温度における弾性率とインナリード変位量との関係の
一実施例を示す試験結果図、図５は本発明のリードフレ
ームに設置された絶縁性フィルムの樹脂封止温度におけ
る弾性率とダイパッド変位量との関係の一実施例を示す
試験結果図、図６は本発明のリードフレームに設置され
た絶縁性フィルムの樹脂封止温度における弾性率と封止
樹脂漏れの発生率との関係の一実施例を示す試験結果
図、図７は本発明のリードフレームに設置された絶縁性
フィルムの高温試験データの一例を示す試験結果図であ
る。
【００２３】まず、本実施例のリードフレームの構造に
ついて説明すると、リードフレーム１におけるリード部
１ａの表面（ここでは、半導体素子２を搭載する側の面
を表面といい、以降、その反対側の面を裏面という）に
おいて、樹脂封止時に樹脂成形を行う金型３のクランプ
部に接触する箇所（以降、モールドラインという）に絶
縁性部材である絶縁性フィルム４が設置されているもの
である。
ついて説明すると、リードフレーム１におけるリード部
１ａの表面（ここでは、半導体素子２を搭載する側の面
を表面といい、以降、その反対側の面を裏面という）に
おいて、樹脂封止時に樹脂成形を行う金型３のクランプ
部に接触する箇所（以降、モールドラインという）に絶
縁性部材である絶縁性フィルム４が設置されているもの
である。
【００２４】ここで、本実施例による絶縁性部材は、細
巾の絶縁性フィルム４によって形成されたダムバーであ
り、その弾性率（本実施例で説明する弾性率は、縦弾性
率である）が１００ＭPa以上 1.3ＧPa以下の範囲で形成
されている。
巾の絶縁性フィルム４によって形成されたダムバーであ
り、その弾性率（本実施例で説明する弾性率は、縦弾性
率である）が１００ＭPa以上 1.3ＧPa以下の範囲で形成
されている。
【００２５】これは、樹脂封止の際の金型３のクランプ
時にリードフレーム１の変形によって発生するダイパッ
ド変位量１ｂは、0.2 mm程度が許容範囲とされているた
め、絶縁性フィルム４の弾性率を図５に示すように 1.3
ＧPa以下とすることにより、前記ダイパッド変位量１ｂ
を0.2 mm以内に抑えるものである。
時にリードフレーム１の変形によって発生するダイパッ
ド変位量１ｂは、0.2 mm程度が許容範囲とされているた
め、絶縁性フィルム４の弾性率を図５に示すように 1.3
ＧPa以下とすることにより、前記ダイパッド変位量１ｂ
を0.2 mm以内に抑えるものである。
【００２６】また、絶縁性フィルム４の弾性率を図６に
示すように、１００ＭPa以上とすることにより、樹脂封
止の際の封止樹脂漏れの発生率を０％にすることができ
る。すなわち、前記弾性率が１００ＭPaより小さい時に
は、封止樹脂漏れが発生しており、１００ＭPaより大き
いと、封止樹脂漏れは発生していない。
示すように、１００ＭPa以上とすることにより、樹脂封
止の際の封止樹脂漏れの発生率を０％にすることができ
る。すなわち、前記弾性率が１００ＭPaより小さい時に
は、封止樹脂漏れが発生しており、１００ＭPaより大き
いと、封止樹脂漏れは発生していない。
【００２７】これにより、絶縁性フィルム４の弾性率を
１００ＭPa以上 1.3ＧPa以下の範囲にする。
１００ＭPa以上 1.3ＧPa以下の範囲にする。
【００２８】なお、樹脂封止の際の金型３のクランプ時
にリードフレーム１の変形によって発生するインナリー
ド変位量１ｃは、0.1 mm程度が許容範囲とされているた
め、絶縁性フィルム４の弾性率を図４に示すように 0.9
ＧPa以下とすることにより、前記インナリード変位量１
ｃを0.1 mm以内に抑えることができる。
にリードフレーム１の変形によって発生するインナリー
ド変位量１ｃは、0.1 mm程度が許容範囲とされているた
め、絶縁性フィルム４の弾性率を図４に示すように 0.9
ＧPa以下とすることにより、前記インナリード変位量１
ｃを0.1 mm以内に抑えることができる。
【００２９】つまり、本実施例によるリードフレーム１
に設置する絶縁性フィルム４の弾性率は、１００ＭPa以
上 1.3ＧPa以下、好ましくは、１００ＭPa以上 0.9ＧPa
以下である。
に設置する絶縁性フィルム４の弾性率は、１００ＭPa以
上 1.3ＧPa以下、好ましくは、１００ＭPa以上 0.9ＧPa
以下である。
【００３０】したがって、絶縁性フィルム４の弾性率を
１００ＭPa以上 0.9ＧPa以下とすることにより、インナ
リード変位量１ｃおよびダイパッド変位量１ｂを所定値
以内とすることができ、さらに、樹脂封止時の封止樹脂
漏れを防止することができる。
１００ＭPa以上 0.9ＧPa以下とすることにより、インナ
リード変位量１ｃおよびダイパッド変位量１ｂを所定値
以内とすることができ、さらに、樹脂封止時の封止樹脂
漏れを防止することができる。
【００３１】また、絶縁性フィルム４の体積抵抗率を５
×１０15Ω・ｃｍ以上とすることにより、リードフレー
ム１におけるリード部１ａ間のショートなどの電気的不
良をさらに低減することができる。
×１０15Ω・ｃｍ以上とすることにより、リードフレー
ム１におけるリード部１ａ間のショートなどの電気的不
良をさらに低減することができる。
【００３２】これは、図７の試験結果図に示すように、
前記体積抵抗率が５×１０15Ω・ｃｍ、および６×１０
15Ω・ｃｍの場合は、不良数が零であり、３×１０15Ω
・ｃｍの場合は、吸湿時間700H、1000H において不良が
発生しているため、前記体積抵抗率を５×１０15Ω・ｃ
ｍ以上にする。
前記体積抵抗率が５×１０15Ω・ｃｍ、および６×１０
15Ω・ｃｍの場合は、不良数が零であり、３×１０15Ω
・ｃｍの場合は、吸湿時間700H、1000H において不良が
発生しているため、前記体積抵抗率を５×１０15Ω・ｃ
ｍ以上にする。
【００３３】なお、図７に示す試験結果図は、エポキシ
系の液状樹脂によってダムバーを形成し、８５℃／８５
％ＲＨの高温環境において、吸湿時間を100H〜1000H と
して、リード部１ａ間電流の測定により不良の有無を調
査したものである。この時、前記リード部１ａ間電流が
150μA に達したものを不良と判定した。
系の液状樹脂によってダムバーを形成し、８５℃／８５
％ＲＨの高温環境において、吸湿時間を100H〜1000H と
して、リード部１ａ間電流の測定により不良の有無を調
査したものである。この時、前記リード部１ａ間電流が
150μA に達したものを不良と判定した。
【００３４】ここで、本実施例の絶縁性部材である絶縁
性フィルム４の体積抵抗率は５×１０15Ω・ｃｍ以上で
あるが、絶縁性フィルム４の弾性率が１００ＭPa以上
1.3ＧPa以下、または、１００ＭPa以上 0.9ＧPa以下で
あれば、前記体積抵抗率は５×１０15Ω・ｃｍよりも小
さくてもよい。
性フィルム４の体積抵抗率は５×１０15Ω・ｃｍ以上で
あるが、絶縁性フィルム４の弾性率が１００ＭPa以上
1.3ＧPa以下、または、１００ＭPa以上 0.9ＧPa以下で
あれば、前記体積抵抗率は５×１０15Ω・ｃｍよりも小
さくてもよい。
【００３５】また、本実施例による絶縁性フィルム４
は、リードフレーム１のリード部１ａ上のモールドライ
ンに合わせて貼付したものである。したがって、四角形
の枠状を成すものである。
は、リードフレーム１のリード部１ａ上のモールドライ
ンに合わせて貼付したものである。したがって、四角形
の枠状を成すものである。
【００３６】さらに、絶縁性フィルム４は、例えば、ポ
リエチレンテレフタレート、ポリエーテルイミド、ポリ
フェニレンスルフェイト、ポリブチレンテレフタレート
などの熱可塑性樹脂や、エポキシ樹脂、フェノール樹
脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化樹脂
をそれぞれ単独あるいは二種類以上混合して形成したも
のである。
リエチレンテレフタレート、ポリエーテルイミド、ポリ
フェニレンスルフェイト、ポリブチレンテレフタレート
などの熱可塑性樹脂や、エポキシ樹脂、フェノール樹
脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化樹脂
をそれぞれ単独あるいは二種類以上混合して形成したも
のである。
【００３７】なお、本実施例による半導体集積回路装置
は、絶縁性フィルム４が設置されたリードフレーム１に
搭載した半導体素子２が樹脂封止されているＱＦＰ（Qu
ad Flat Package)タイプのものであり、その構成につい
て説明すると、半導体素子２を搭載するダイパッド１ｄ
を有しかつリード部１ａの前記モールドライン上に絶縁
性部材である絶縁性フィルム４が設置されたリードフレ
ーム１と、半導体素子２およびボンディングワイヤ５を
含んだその周辺部を封止する封止樹脂６とによって構成
されている。
は、絶縁性フィルム４が設置されたリードフレーム１に
搭載した半導体素子２が樹脂封止されているＱＦＰ（Qu
ad Flat Package)タイプのものであり、その構成につい
て説明すると、半導体素子２を搭載するダイパッド１ｄ
を有しかつリード部１ａの前記モールドライン上に絶縁
性部材である絶縁性フィルム４が設置されたリードフレ
ーム１と、半導体素子２およびボンディングワイヤ５を
含んだその周辺部を封止する封止樹脂６とによって構成
されている。
【００３８】ここで、ダイパッド１ｄは、タブ吊りリー
ド１ｇによって支持されている。また、ボンディングワ
イヤ５は、その代わりにはんだボールなどを使用しても
よく、さらに、前記半導体集積回路装置は、樹脂封止形
であれば他のＳＯＰ（SmallOutline Package)やＳＯＪ
（Small Outline J-leaded Package) タイプなどのもの
であってもよい。
ド１ｇによって支持されている。また、ボンディングワ
イヤ５は、その代わりにはんだボールなどを使用しても
よく、さらに、前記半導体集積回路装置は、樹脂封止形
であれば他のＳＯＰ（SmallOutline Package)やＳＯＪ
（Small Outline J-leaded Package) タイプなどのもの
であってもよい。
【００３９】次に、本実施例による半導体集積回路装置
の製造方法について説明する。
の製造方法について説明する。
【００４０】まず、接着剤などを塗布した絶縁性部材で
ある絶縁性フィルム４を金型３などによって切断して形
成する。つまり、リードフレーム１の前記モールドライ
ンに沿う四角形でかつ細巾の枠状に形成する。
ある絶縁性フィルム４を金型３などによって切断して形
成する。つまり、リードフレーム１の前記モールドライ
ンに沿う四角形でかつ細巾の枠状に形成する。
【００４１】続いて、絶縁性フィルム４をリードフレー
ム１の所定位置、すなわちリード部１ａの前記モールド
ライン上に載置し、加熱、圧着することにより、絶縁性
フィルム４をリードフレーム１に設置する。
ム１の所定位置、すなわちリード部１ａの前記モールド
ライン上に載置し、加熱、圧着することにより、絶縁性
フィルム４をリードフレーム１に設置する。
【００４２】さらに、リードフレーム１のダイパッド１
ｄに接着剤などを介して半導体素子２を固定し、インナ
リード１ｅと半導体素子２とをＡｕなどのボンディング
ワイヤ５によって電気的に接続する。
ｄに接着剤などを介して半導体素子２を固定し、インナ
リード１ｅと半導体素子２とをＡｕなどのボンディング
ワイヤ５によって電気的に接続する。
【００４３】その後、封止樹脂６によって半導体素子２
とその周辺部を封止する。この時、金型３のクランプに
よって、絶縁性フィルム４はリード部１ａ間に押し込ま
れダムの役割をする。
とその周辺部を封止する。この時、金型３のクランプに
よって、絶縁性フィルム４はリード部１ａ間に押し込ま
れダムの役割をする。
【００４４】したがって、前記ダムバーである絶縁性フ
ィルム４によって封止樹脂６の流出を防止する。
ィルム４によって封止樹脂６の流出を防止する。
【００４５】次に、本実施例のリードフレームおよびそ
れを用いた半導体集積回路装置ならびにその製造方法に
よって得られる効果について説明する。
れを用いた半導体集積回路装置ならびにその製造方法に
よって得られる効果について説明する。
【００４６】すなわち、リードフレーム１のリード部１
ａの表裏面の少なくともどちらか一方の面において、樹
脂封止時に樹脂成形を行う金型３のクランプ部に接触す
る箇所（モールドライン）に絶縁性フィルム４が設置さ
れ、絶縁性フィルム４の弾性率が１００ＭPa以上 1.3Ｇ
Pa以下であることにより、リードフレーム１が樹脂封止
時に金型３によってクランプされても、リードフレーム
１への損傷を低減し、リードフレーム１の変形を防止す
ることができる。さらに、樹脂封止時の樹脂漏れを防止
することもできる。
ａの表裏面の少なくともどちらか一方の面において、樹
脂封止時に樹脂成形を行う金型３のクランプ部に接触す
る箇所（モールドライン）に絶縁性フィルム４が設置さ
れ、絶縁性フィルム４の弾性率が１００ＭPa以上 1.3Ｇ
Pa以下であることにより、リードフレーム１が樹脂封止
時に金型３によってクランプされても、リードフレーム
１への損傷を低減し、リードフレーム１の変形を防止す
ることができる。さらに、樹脂封止時の樹脂漏れを防止
することもできる。
【００４７】これにより、インナリード１ｅまたはダイ
パッド１ｄが変位することを防止できるため、ボンディ
ングワイヤ５の変形や封止樹脂６中のボイドの発生を防
ぐことができる。
パッド１ｄが変位することを防止できるため、ボンディ
ングワイヤ５の変形や封止樹脂６中のボイドの発生を防
ぐことができる。
【００４８】また、絶縁性フィルム４の弾性率が１００
ＭPa以上 0.9ＧPa以下であることにより、インナリード
１ｅの変形をさらに低減することができる。
ＭPa以上 0.9ＧPa以下であることにより、インナリード
１ｅの変形をさらに低減することができる。
【００４９】なお、絶縁性フィルム４の体積抵抗率が５
×１０15Ω・ｃｍ以上であることにより、リードフレー
ム１におけるリード部１ａ間のショートなどの電気的不
良を低減することができる。
×１０15Ω・ｃｍ以上であることにより、リードフレー
ム１におけるリード部１ａ間のショートなどの電気的不
良を低減することができる。
【００５０】さらに、本実施例の絶縁性部材が細巾の絶
縁性フィルム４によって形成されたダムバーであること
により、前記ダムバーを切断する必要がなく、かつ、樹
脂封止時の樹脂漏れを防止することができる。
縁性フィルム４によって形成されたダムバーであること
により、前記ダムバーを切断する必要がなく、かつ、樹
脂封止時の樹脂漏れを防止することができる。
【００５１】また、リードフレーム１に搭載された半導
体素子２が樹脂封止されている半導体集積回路装置であ
ることにより、前記半導体集積回路装置の電気特性の低
下を防止でき、また、前記半導体集積回路装置の本体部
の反りを低減できるため、成形後のアウタリード１ｆを
平坦に配置することができる。
体素子２が樹脂封止されている半導体集積回路装置であ
ることにより、前記半導体集積回路装置の電気特性の低
下を防止でき、また、前記半導体集積回路装置の本体部
の反りを低減できるため、成形後のアウタリード１ｆを
平坦に配置することができる。
【００５２】これにより、前記半導体集積回路装置の信
頼性の向上を図ることができる。
頼性の向上を図ることができる。
【００５３】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００５４】例えば、前記実施例で説明した絶縁性部材
は絶縁性フィルムであったが、前記絶縁性部材は、前記
実施例で説明した範囲の弾性率または体積抵抗率を有す
るものであれば、絶縁性テープなどであってもよく、さ
らに、ポッティングによる液状樹脂によって形成された
ダムバーなどであってもよい。
は絶縁性フィルムであったが、前記絶縁性部材は、前記
実施例で説明した範囲の弾性率または体積抵抗率を有す
るものであれば、絶縁性テープなどであってもよく、さ
らに、ポッティングによる液状樹脂によって形成された
ダムバーなどであってもよい。
【００５５】また、リードフレームにおいて、前記絶縁
性部材を設置する箇所は、リードフレームのリード部の
モールドライン上であれば、その表裏どちらの面でもよ
く、さらに、両方の面に厚さを薄くして設置してもよ
い。
性部材を設置する箇所は、リードフレームのリード部の
モールドライン上であれば、その表裏どちらの面でもよ
く、さらに、両方の面に厚さを薄くして設置してもよ
い。
【００５６】なお、図８は前記ポッティングによる液状
樹脂を用いた場合のリードフレームの製造工程を示す図
である。
樹脂を用いた場合のリードフレームの製造工程を示す図
である。
【００５７】これは、半導体素子２を搭載するリードフ
レーム１のリード部１ａの表裏面の少なくともどちらか
一方の面において、樹脂封止時に金型３のクランプ部に
接触する箇所（モールドライン）に、絶縁性部材である
液状樹脂８を吐出させて塗布した後、樹脂封止するもの
である。
レーム１のリード部１ａの表裏面の少なくともどちらか
一方の面において、樹脂封止時に金型３のクランプ部に
接触する箇所（モールドライン）に、絶縁性部材である
液状樹脂８を吐出させて塗布した後、樹脂封止するもの
である。
【００５８】この時、液状樹脂８の塗布には、シリンジ
などの注入部材７を用い、その先端のノズルから液状樹
脂８を吐出するものである。
などの注入部材７を用い、その先端のノズルから液状樹
脂８を吐出するものである。
【００５９】また、液状樹脂８の塗布の代わりに、リー
ドフレーム１におけるダムバーの必要な箇所に、窓を設
けたシルクスクリーンやメタルマスクなどを用いて、ス
キージ（へら）によって他の樹脂などの絶縁性部材を塗
布してもよい。
ドフレーム１におけるダムバーの必要な箇所に、窓を設
けたシルクスクリーンやメタルマスクなどを用いて、ス
キージ（へら）によって他の樹脂などの絶縁性部材を塗
布してもよい。
【００６０】これによっても、前記実施例で説明したリ
ードフレームと同様の効果を得ることができる。
ードフレームと同様の効果を得ることができる。
【００６１】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００６２】（１）．リードフレームのリード部の表裏
面の少なくともどちらか一方の面において、樹脂封止時
に樹脂成形を行う金型のクランプ部に接触する箇所に絶
縁性部材が設置され、前記絶縁性部材の弾性率が１００
ＭPa以上 1.3ＧPa以下であることにより、リードフレー
ムが樹脂封止時に金型によってクランプされても、リー
ドフレームへの損傷を低減し、リードフレームの変形を
防止することができる。さらに、樹脂封止時の樹脂漏れ
を防止することもできる。
面の少なくともどちらか一方の面において、樹脂封止時
に樹脂成形を行う金型のクランプ部に接触する箇所に絶
縁性部材が設置され、前記絶縁性部材の弾性率が１００
ＭPa以上 1.3ＧPa以下であることにより、リードフレー
ムが樹脂封止時に金型によってクランプされても、リー
ドフレームへの損傷を低減し、リードフレームの変形を
防止することができる。さらに、樹脂封止時の樹脂漏れ
を防止することもできる。
【００６３】これにより、インナリードまたはダイパッ
ドが変位することを防止できるため、ボンディングワイ
ヤの変形や樹脂中のボイドの発生を防ぐことができる。
ドが変位することを防止できるため、ボンディングワイ
ヤの変形や樹脂中のボイドの発生を防ぐことができる。
【００６４】（２）．前記絶縁性部材の弾性率が１００
ＭPa以上 0.9ＧPa以下であることにより、インナリード
の変形をさらに低減することができる。
ＭPa以上 0.9ＧPa以下であることにより、インナリード
の変形をさらに低減することができる。
【００６５】（３）．前記絶縁性部材の体積抵抗率が５
×１０15Ω・ｃｍ以上であることにより、リードフレー
ムにおけるリード間のショートなどの電気的不良を低減
することができる。
×１０15Ω・ｃｍ以上であることにより、リードフレー
ムにおけるリード間のショートなどの電気的不良を低減
することができる。
【００６６】（４）．前記絶縁性部材が細巾の絶縁性フ
ィルムによって形成されたダムバーであることにより、
前記ダムバーを切断する必要がなく、かつ、樹脂封止時
の樹脂漏れを防止することができる。
ィルムによって形成されたダムバーであることにより、
前記ダムバーを切断する必要がなく、かつ、樹脂封止時
の樹脂漏れを防止することができる。
【００６７】（５）．前記リードフレームに搭載された
半導体素子が樹脂封止されている半導体集積回路装置で
あることにより、半導体集積回路装置の電気特性の低下
を防止でき、また、半導体集積回路装置の本体部の反り
を低減できるため、成形後のアウタリードを平坦に配置
することができる。これにより、半導体集積回路装置の
信頼性の向上を図ることができる。
半導体素子が樹脂封止されている半導体集積回路装置で
あることにより、半導体集積回路装置の電気特性の低下
を防止でき、また、半導体集積回路装置の本体部の反り
を低減できるため、成形後のアウタリードを平坦に配置
することができる。これにより、半導体集積回路装置の
信頼性の向上を図ることができる。
【図１】本発明のリードフレームの構造の一実施例を示
す平面図である。
す平面図である。
【図２】図１に示す本発明のリードフレームにおける金
型クランプ時のＡ−Ａ断面の構造の一実施例を示す部分
断面図である。
型クランプ時のＡ−Ａ断面の構造の一実施例を示す部分
断面図である。
【図３】本発明の半導体集積回路装置の構造の一実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図４】本発明のリードフレームに設置された絶縁性フ
ィルムの樹脂封止温度における弾性率とインナリード変
位量との関係の一実施例を示す試験結果図である。
ィルムの樹脂封止温度における弾性率とインナリード変
位量との関係の一実施例を示す試験結果図である。
【図５】本発明のリードフレームに設置された絶縁性フ
ィルムの樹脂封止温度における弾性率とダイパッド変位
量との関係の一実施例を示す試験結果図である。
ィルムの樹脂封止温度における弾性率とダイパッド変位
量との関係の一実施例を示す試験結果図である。
【図６】本発明のリードフレームに設置された絶縁性フ
ィルムの樹脂封止温度における弾性率と封止樹脂漏れの
発生率との関係の一実施例を示す試験結果図である。
ィルムの樹脂封止温度における弾性率と封止樹脂漏れの
発生率との関係の一実施例を示す試験結果図である。
【図７】本発明のリードフレームに設置された絶縁性フ
ィルムの高温試験データの一例を示す試験結果図であ
る。
ィルムの高温試験データの一例を示す試験結果図であ
る。
【図８】本発明の他の実施例であるリードフレームを用
いた半導体集積回路装置の製造方法の一例を示す平面図
である。
いた半導体集積回路装置の製造方法の一例を示す平面図
である。
１ リードフレーム １ａ リード部 １ｂ ダイパッド変位量 １ｃ インナリード変位量 １ｄ ダイパッド １ｅ インナリード １ｆ アウタリード １ｇ タブ吊りリード ２ 半導体素子 ３ 金型 ４ 絶縁性フィルム（絶縁性部材） ５ ボンディングワイヤ ６ 封止樹脂 ７ 注入部材 ８ 液状樹脂（絶縁性部材）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 菊池 卓 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体素子を搭載して樹脂封止されるリ
ードフレームであって、前記リードフレームのリード部
の表裏面の少なくともどちらか一方の面において、樹脂
封止時に樹脂成形を行う金型のクランプ部に接触する箇
所に絶縁性部材が設置され、前記絶縁性部材の弾性率が
１００ＭPa以上 1.3ＧPa以下であることを特徴とするリ
ードフレーム。 - 【請求項２】 半導体素子を搭載して樹脂封止されるリ
ードフレームであって、前記リードフレームのリード部
の表裏面の少なくともどちらか一方の面において、樹脂
封止時に樹脂成形を行う金型のクランプ部に接触する箇
所に絶縁性部材が設置され、前記絶縁性部材の弾性率が
１００ＭPa以上 0.9ＧPa以下であることを特徴とするリ
ードフレーム。 - 【請求項３】 請求項１または２記載のリードフレーム
であって、前記絶縁性部材の体積抵抗率が５×１０15Ω
・ｃｍ以上であることを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項４】 請求項１，２または３記載のリードフレ
ームであって、前記絶縁性部材が細巾の絶縁性フィルム
によって形成されたダムバーであることを特徴とするリ
ードフレーム。 - 【請求項５】 請求項１，２または３記載のリードフレ
ームであって、前記絶縁性部材がポッティングによる液
状樹脂によって形成されたダムバーであることを特徴と
するリードフレーム。 - 【請求項６】 請求項１，２，３，４または５記載のリ
ードフレームに搭載された半導体素子が樹脂封止されて
いることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 【請求項７】 半導体素子が樹脂によって封止される半
導体集積回路装置の製造方法であって、前記半導体素子
を搭載するリードフレームのリード部の表裏面の少なく
ともどちらか一方の面において、樹脂封止時に金型のク
ランプ部に接触する箇所に、注入部材を用いて絶縁性部
材である液状樹脂を吐出させて塗布した後、樹脂封止す
ることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7074336A JPH08274246A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | リードフレームおよびそれを用いた半導体集積回路装置ならびにその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7074336A JPH08274246A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | リードフレームおよびそれを用いた半導体集積回路装置ならびにその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08274246A true JPH08274246A (ja) | 1996-10-18 |
Family
ID=13544185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7074336A Pending JPH08274246A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | リードフレームおよびそれを用いた半導体集積回路装置ならびにその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08274246A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008056044A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 熱媒体加熱装置およびそれを用いた車両用空調装置 |
-
1995
- 1995-03-31 JP JP7074336A patent/JPH08274246A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008056044A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 熱媒体加熱装置およびそれを用いた車両用空調装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100256293B1 (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
| JP2552822B2 (ja) | 半導体パッケージおよびその製造方法 | |
| EP0856889B1 (en) | Semiconductor device mount structure and semiconductor device mounting method | |
| JPH1012773A (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| KR100366111B1 (ko) | 수지봉합형 반도체장치의 구조 | |
| JPH05267555A (ja) | 半導体装置およびその製造方法並びにそれに使用されるリードフレームおよびその製造方法 | |
| JP3274343B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH08274246A (ja) | リードフレームおよびそれを用いた半導体集積回路装置ならびにその製造方法 | |
| JPH08236560A (ja) | 半導体集積回路装置およびその製造方法 | |
| CN217334014U (zh) | 半导体器件 | |
| JPH06334070A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JP2000049272A (ja) | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置 | |
| KR0168841B1 (ko) | 금속전자 패키지 및 그 제조공정 | |
| JP2633557B2 (ja) | 樹脂封止型集積回路装置 | |
| JPH10189792A (ja) | 半導体パッケージ | |
| JP2001174507A (ja) | パッケージ評価用の異方性導電シート及びそれを用いた評価方法 | |
| JP3337526B2 (ja) | パッケージ型半導体部品の構造 | |
| JP3145892B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS59175753A (ja) | 半導体装置およびリ−ドフレ−ム | |
| JPH0547835A (ja) | 半導体装置の実装構造 | |
| JPH0945804A (ja) | 半導体パッケージ | |
| JP3514516B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2805246B2 (ja) | 電子部品搭載用基板 | |
| JPH0870089A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3336328B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造に用いられるリードフレーム |