JPH08260070A - ＨｆＣ分散強化Ｗ合金の製造方法 - Google Patents
ＨｆＣ分散強化Ｗ合金の製造方法Info
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- 239000006185 dispersion Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 31
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 11
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000835 fiber Substances 0.000 abstract description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 abstract 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000005660 chlorination reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000009770 conventional sintering Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000012783 reinforcing fiber Substances 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＨｆＣが均一微細分散されたＨｆＣ分散強化
Ｗ合金を安価で、かつ大量に製造することができるＨｆ
Ｃ分散強化Ｗ合金の製造方法を提供する。 【構成】 流動層ＣＶＤ法を用いることにより生成され
たＨｆＣ被覆量ＨｆＣ被覆Ｗ粉末を焼結してＨｆＣ分散
強化Ｗ合金を製造する。
Ｗ合金を安価で、かつ大量に製造することができるＨｆ
Ｃ分散強化Ｗ合金の製造方法を提供する。 【構成】 流動層ＣＶＤ法を用いることにより生成され
たＨｆＣ被覆量ＨｆＣ被覆Ｗ粉末を焼結してＨｆＣ分散
強化Ｗ合金を製造する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＨｆＣ分散強化Ｗ合
金の製造方法に関するものである。さらに詳しくは、こ
の発明は、繊維強化超耐熱合金に用いられる強化繊維等
として有用な、ＨｆＣ分散強化Ｗ合金の安価で、かつ大
量な製造を可能とする新しい方法に関するものである。
金の製造方法に関するものである。さらに詳しくは、こ
の発明は、繊維強化超耐熱合金に用いられる強化繊維等
として有用な、ＨｆＣ分散強化Ｗ合金の安価で、かつ大
量な製造を可能とする新しい方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術とその課題】ＨｆＣ分散強化Ｗ合金は、Ｗ
またはＷ合金に分散強化のためにＨｆＣが添加された合
金であり、高温強度に優れた特性を有するため、繊維強
化超耐熱合金に用いられる強化繊維等の、高温において
優れた強度が必要とされる材料に有用なものとして知ら
れている。そして、このＨｆＣ分散Ｗ合金において優れ
た高温強度特性を実現するためには、その製造時にＨｆ
ＣをＷ中に均一微細に分散させることが必要とされてい
る。このためにはＨｆＣが完全に均一固溶したビレット
を作製しなければならない。しかしながら、Ｗ中ではＨ
ｆの拡散が極めて遅いため、ただ単にＷ粉末とＨｆ粉末
とを混合させただけの混合粉末では、これをプレス成形
した後に加熱焼結させる従来の焼結法によっては、Ｈｆ
Ｃが均一固溶したビレットを作製することが困難であっ
た。
またはＷ合金に分散強化のためにＨｆＣが添加された合
金であり、高温強度に優れた特性を有するため、繊維強
化超耐熱合金に用いられる強化繊維等の、高温において
優れた強度が必要とされる材料に有用なものとして知ら
れている。そして、このＨｆＣ分散Ｗ合金において優れ
た高温強度特性を実現するためには、その製造時にＨｆ
ＣをＷ中に均一微細に分散させることが必要とされてい
る。このためにはＨｆＣが完全に均一固溶したビレット
を作製しなければならない。しかしながら、Ｗ中ではＨ
ｆの拡散が極めて遅いため、ただ単にＷ粉末とＨｆ粉末
とを混合させただけの混合粉末では、これをプレス成形
した後に加熱焼結させる従来の焼結法によっては、Ｈｆ
Ｃが均一固溶したビレットを作製することが困難であっ
た。
【０００３】このために、従来では、ＨｆＣ分散強化Ｗ
合金を製造する方法として、溶解法が採用されている。
しかしながら、この溶解法による製造では、融点の非常
に高いＷ（融点３４１０℃）を溶解させなければならな
いために、その設備が巨大なものとなり、また、大量生
産が困難であるという欠点があった。この発明は、以上
のような従来技術の欠点を解決するために創案されたも
のであり、ＨｆＣが均一微細に分散されたＨｆＣ分散強
化Ｗ合金を安価で、かつ大量に製造することができる、
ＨｆＣ分散強化Ｗ合金の新しい製造方法を提供すること
を目的としている。
合金を製造する方法として、溶解法が採用されている。
しかしながら、この溶解法による製造では、融点の非常
に高いＷ（融点３４１０℃）を溶解させなければならな
いために、その設備が巨大なものとなり、また、大量生
産が困難であるという欠点があった。この発明は、以上
のような従来技術の欠点を解決するために創案されたも
のであり、ＨｆＣが均一微細に分散されたＨｆＣ分散強
化Ｗ合金を安価で、かつ大量に製造することができる、
ＨｆＣ分散強化Ｗ合金の新しい製造方法を提供すること
を目的としている。
【０００４】なお、ＨｆＣ分散強化Ｗ合金が優れた特性
を発現するためにはビレットの製造後さらに複雑な加工
熱処理をおこなう必要があるが、この発明はビレットの
製造に用いられる溶解工程を焼結工程で置き換えること
を目的としたものであり、以後の加工熱処理工程に変更
を加えるものではない。
を発現するためにはビレットの製造後さらに複雑な加工
熱処理をおこなう必要があるが、この発明はビレットの
製造に用いられる溶解工程を焼結工程で置き換えること
を目的としたものであり、以後の加工熱処理工程に変更
を加えるものではない。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記の通り
の課題を解決するものとして、ＨｆＣ被覆Ｗ粉末を焼結
することを特徴とするＨｆＣ分散強化Ｗ合金の製造方法
を提供する。またこの発明は、上記方法において、流動
層ＣＶＤ法を用いることにより生成させたＨｆＣ被覆Ｗ
粉末を焼結原料として用いることや、被覆されるＷ粉末
の直径が１０μｍ以下であって、ＨｆＣの添加量が合金
全体の１ｍｏｌ％以下であること、またＷ合金にはＲｅ
等の元素が添加された合金であること等をもこの発明は
その態様としている。
の課題を解決するものとして、ＨｆＣ被覆Ｗ粉末を焼結
することを特徴とするＨｆＣ分散強化Ｗ合金の製造方法
を提供する。またこの発明は、上記方法において、流動
層ＣＶＤ法を用いることにより生成させたＨｆＣ被覆Ｗ
粉末を焼結原料として用いることや、被覆されるＷ粉末
の直径が１０μｍ以下であって、ＨｆＣの添加量が合金
全体の１ｍｏｌ％以下であること、またＷ合金にはＲｅ
等の元素が添加された合金であること等をもこの発明は
その態様としている。
【０００６】以下、さらに詳しくこの発明の製造方法を
説明する。まず、図１は、焼結原料であるＨｆＣ被覆Ｗ
粉末を得るための一つの方法として、流動層ＣＶＤ法の
概念を示した図である。この方法では、流動層ＣＶＤ反
応塔（１）を加熱炉（２）により加熱する。そして、流
動層ＣＶＤ反応塔（１）には、反応物質として、たとえ
ばＨｆＣｌx とＣＨ4 を導入する。この時、反応後に生
成されるＨｆＣ被覆Ｗ粉末については、ＨｆＣの添加量
が目的とする合金全体の１ｍｏｌ％以下となるように反
応物質の流量を調整する。また、ＡｒガスとＨ2 ガスを
吹き込み、塔内の分散板（３）により、直径１０μｍ以
下のＷ粉末を用いて流動層を形成させる。このＡｒの雰
囲気中において、ＨｆＣｌx とＣＨ4とＨ2 とが反応
し、Ｗ粒子の表面にＨｆＣが被覆される。反応塔（１）
からはＡｒガスと反応副産物であるＨＣｌと余剰成分で
あるＣＨ4 等が排出される。
説明する。まず、図１は、焼結原料であるＨｆＣ被覆Ｗ
粉末を得るための一つの方法として、流動層ＣＶＤ法の
概念を示した図である。この方法では、流動層ＣＶＤ反
応塔（１）を加熱炉（２）により加熱する。そして、流
動層ＣＶＤ反応塔（１）には、反応物質として、たとえ
ばＨｆＣｌx とＣＨ4 を導入する。この時、反応後に生
成されるＨｆＣ被覆Ｗ粉末については、ＨｆＣの添加量
が目的とする合金全体の１ｍｏｌ％以下となるように反
応物質の流量を調整する。また、ＡｒガスとＨ2 ガスを
吹き込み、塔内の分散板（３）により、直径１０μｍ以
下のＷ粉末を用いて流動層を形成させる。このＡｒの雰
囲気中において、ＨｆＣｌx とＣＨ4とＨ2 とが反応
し、Ｗ粒子の表面にＨｆＣが被覆される。反応塔（１）
からはＡｒガスと反応副産物であるＨＣｌと余剰成分で
あるＣＨ4 等が排出される。
【０００７】なお、反応のための炭素源は、上記のＣＨ
4 に限られることはなく、アセチレン、エタン、エチレ
ン等の炭化水素が適宜に用いられる。流動層の反応温度
も特に限定されることはなく、たとえば８００〜１８０
０℃程度が適宜に設定される。たとえばこのようにして
流動層ＣＶＤ法により生成されたＨｆＣ被覆Ｗ粉末を焼
結原料として用い、この粉末をプレス成形した後焼結処
理を施すことによりＨｆＣが均一微細分散された高温強
度の優れたＨｆＣ分散強化Ｗ合金を製造する。焼結につ
いては、不活性ガス、Ｈ2 ガス、あるいは真空の雰囲気
において、通常は２３００℃程度以上の温度において実
施する。もちろんＨｆＣ被覆Ｗ粉末の製造は、上記の流
動層ＣＶＤ法に限られることはない。また、さらに優れ
た特性を有するＨｆＣ分散強化Ｗ合金を製造するため
に、Ｒｅ等の元素を併せて添加する場合もある。
4 に限られることはなく、アセチレン、エタン、エチレ
ン等の炭化水素が適宜に用いられる。流動層の反応温度
も特に限定されることはなく、たとえば８００〜１８０
０℃程度が適宜に設定される。たとえばこのようにして
流動層ＣＶＤ法により生成されたＨｆＣ被覆Ｗ粉末を焼
結原料として用い、この粉末をプレス成形した後焼結処
理を施すことによりＨｆＣが均一微細分散された高温強
度の優れたＨｆＣ分散強化Ｗ合金を製造する。焼結につ
いては、不活性ガス、Ｈ2 ガス、あるいは真空の雰囲気
において、通常は２３００℃程度以上の温度において実
施する。もちろんＨｆＣ被覆Ｗ粉末の製造は、上記の流
動層ＣＶＤ法に限られることはない。また、さらに優れ
た特性を有するＨｆＣ分散強化Ｗ合金を製造するため
に、Ｒｅ等の元素を併せて添加する場合もある。
【０００８】
【作用】この発明では、上記の通りの方法によってＷ粉
末表面にＨｆＣ粉末が均一に被覆されたＨｆＣ被覆Ｗ粉
末を用いて焼結法によりＨｆＣが均一微細に分散された
ＨｆＣ分散強化Ｗ合金を安価で、かつ大量に製造するこ
とができる。
末表面にＨｆＣ粉末が均一に被覆されたＨｆＣ被覆Ｗ粉
末を用いて焼結法によりＨｆＣが均一微細に分散された
ＨｆＣ分散強化Ｗ合金を安価で、かつ大量に製造するこ
とができる。
【０００９】
【実施例】以下、実施例を示し、さらに詳しくこの発明
について説明する。もちろんこの発明は以下の例によっ
て限定されるものではない。すなわち、まず、流動層Ｃ
ＶＤ法により、平均粒径３〜５μｍのＷ粉末の表面にＨ
ｆＣを６〜８ｎｍ（Ｗに対するＨｆＣ量０．３〜０．４
ｍａｓｓ％に相当する量）被覆させてＨｆＣ被覆Ｗ粉末
を製造する。図２は、ＨｆＣ被覆Ｗ粉末を製造するため
の流動層ＣＶＤ反応装置の一構造例を示したものであ
る。
について説明する。もちろんこの発明は以下の例によっ
て限定されるものではない。すなわち、まず、流動層Ｃ
ＶＤ法により、平均粒径３〜５μｍのＷ粉末の表面にＨ
ｆＣを６〜８ｎｍ（Ｗに対するＨｆＣ量０．３〜０．４
ｍａｓｓ％に相当する量）被覆させてＨｆＣ被覆Ｗ粉末
を製造する。図２は、ＨｆＣ被覆Ｗ粉末を製造するため
の流動層ＣＶＤ反応装置の一構造例を示したものであ
る。
【００１０】まず、流動層ＣＶＤ反応塔（１）内にＷ粉
末を装填して、分散板（３）の下方よりＡｒガスを流し
て流動層を形成させ、加熱炉（２）により加熱する。次
いで流動層ＣＶＤ反応塔（１）内に設けたＨｆの塩化反
応室（６）に、Ａｒ−１０％Ｃｌ2 ガスを導入してＨｆ
塩化物を生成させ、これを流動層内に供給する。また、
ＣＨ4 、Ａｒ、およびＨ2 をそれぞれ流量計（５）によ
り流量を調整しながら導入する。このＡｒガスの雰囲気
中においてＨｆ塩化物とＣＨ4 とがＨ2と反応して、Ｈ
ｆＣが生成し、ＨｆＣ被覆Ｗ粉末が生成される。この
後、このＨｆＣ被覆Ｗ粉末をプレス成形し、真空中２３
００℃において１時間焼結させることによりＨｆＣ分散
強化Ｗ合金ビレットを製造した。この製造されたＨｆＣ
分散強化Ｗ合金ビレットは焼結密度９２％であった。ま
た、図３は、この発明の方法により製造されたＨｆＣ分
散強化Ｗ合金と、同じく焼結で製造されたＷ、市販の冷
間加工されたＷ棒それぞれのマイクロビッカース硬さを
示したものである。この図３から明らかなように、Ｈｆ
Ｃ分散強化Ｗ合金ビレットは部分的に１５００を越える
ビッカース硬さを示しており、同じ方法で製造されたＷ
が３００ビッカース硬さ、市販の冷間加工されたＷ棒が
５００ビッカース硬さであることと比較すると、この発
明の方法により製造されたＨｆＣ分散強化Ｗ合金はビレ
ットにおいてＨｆＣによる分散強化が有効に発現されて
いることがわかる。
末を装填して、分散板（３）の下方よりＡｒガスを流し
て流動層を形成させ、加熱炉（２）により加熱する。次
いで流動層ＣＶＤ反応塔（１）内に設けたＨｆの塩化反
応室（６）に、Ａｒ−１０％Ｃｌ2 ガスを導入してＨｆ
塩化物を生成させ、これを流動層内に供給する。また、
ＣＨ4 、Ａｒ、およびＨ2 をそれぞれ流量計（５）によ
り流量を調整しながら導入する。このＡｒガスの雰囲気
中においてＨｆ塩化物とＣＨ4 とがＨ2と反応して、Ｈ
ｆＣが生成し、ＨｆＣ被覆Ｗ粉末が生成される。この
後、このＨｆＣ被覆Ｗ粉末をプレス成形し、真空中２３
００℃において１時間焼結させることによりＨｆＣ分散
強化Ｗ合金ビレットを製造した。この製造されたＨｆＣ
分散強化Ｗ合金ビレットは焼結密度９２％であった。ま
た、図３は、この発明の方法により製造されたＨｆＣ分
散強化Ｗ合金と、同じく焼結で製造されたＷ、市販の冷
間加工されたＷ棒それぞれのマイクロビッカース硬さを
示したものである。この図３から明らかなように、Ｈｆ
Ｃ分散強化Ｗ合金ビレットは部分的に１５００を越える
ビッカース硬さを示しており、同じ方法で製造されたＷ
が３００ビッカース硬さ、市販の冷間加工されたＷ棒が
５００ビッカース硬さであることと比較すると、この発
明の方法により製造されたＨｆＣ分散強化Ｗ合金はビレ
ットにおいてＨｆＣによる分散強化が有効に発現されて
いることがわかる。
【００１１】
【発明の効果】この発明により、以上詳しく説明したよ
うに、Ｗ粉末表面にＨｆＣ粉末が均一に被覆されたＨｆ
Ｃ被覆Ｗ粉末から焼結法によりＨｆＣが均一微細に分散
されたＨｆＣ分散強化Ｗ合金を安価で、かつ大量に製造
することができる。
うに、Ｗ粉末表面にＨｆＣ粉末が均一に被覆されたＨｆ
Ｃ被覆Ｗ粉末から焼結法によりＨｆＣが均一微細に分散
されたＨｆＣ分散強化Ｗ合金を安価で、かつ大量に製造
することができる。
【図１】流動層ＣＶＤ法の概念を示した図である。
【図２】ＨｆＣ被覆Ｗ粉末を生成する流動層ＣＶＤ反応
装置の構造図である。
装置の構造図である。
【図３】この発明の一実施例であるＨｆＣ分散強化Ｗ合
金、同じ方法で製造されたＷ、市販の冷間加工されたＷ
棒それぞれのマイクロビッカース硬さを示す図である。
金、同じ方法で製造されたＷ、市販の冷間加工されたＷ
棒それぞれのマイクロビッカース硬さを示す図である。
１ 流動層ＣＶＤ反応塔 ２ 加熱炉 ３ 分散板 ４ ガス精製装置 ５ 流量計 ６ Ｈｆ塩化反応室 ７ マノメータ ８ コールドトラップ
Claims (5)
- 【請求項１】 ＨｆＣ被覆Ｗ粉末を焼結することを特徴
とするＨｆＣ分散強化Ｗ合金の製造方法。 - 【請求項２】 流動層ＣＶＤ法により生成させたＨｆＣ
被覆Ｗ粉末を焼結する請求項１のＨｆＣ分散強化Ｗ合金
の製造方法。 - 【請求項３】 ＨｆＣが被覆されているＷ粉末の直径が
１０μｍ以下である請求項１または２のＨｆＣ分散強化
Ｗ合金の製造方法。 - 【請求項４】 ＨｆＣの添加量が合金全体の１ｍｏｌ％
以下である請求項１ないし３のいずれかのＨｆＣ分散強
化Ｗ合金の製造方法。 - 【請求項５】 合金にＲｅ等の元素が添加されている請
求項１ないし４のいずれかのＨｆＣ分散強化Ｗ合金の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7067296A JP2756928B2 (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | ＨｆＣ分散強化Ｗ合金の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7067296A JP2756928B2 (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | ＨｆＣ分散強化Ｗ合金の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08260070A true JPH08260070A (ja) | 1996-10-08 |
| JP2756928B2 JP2756928B2 (ja) | 1998-05-25 |
Family
ID=13340898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7067296A Expired - Lifetime JP2756928B2 (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | ＨｆＣ分散強化Ｗ合金の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2756928B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2796576A1 (en) * | 2011-12-20 | 2014-10-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Tungsten alloy, and tungsten alloy part, discharge lamp, transmitting tube and magnetron using tungsten alloy |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5773103A (en) * | 1980-10-27 | 1982-05-07 | Res Dev Corp Of Japan | Production of high strength heat resistant metallic material |
| JPS6123733A (ja) * | 1984-07-10 | 1986-02-01 | Fukuda Kinzoku Hakufun Kogyo Kk | 分散強化型銅合金の製造方法 |
| JPH0273944A (ja) * | 1988-09-09 | 1990-03-13 | Toshiba Corp | 耐食性材料 |
| JPH06116732A (ja) * | 1990-12-26 | 1994-04-26 | Natl Res Inst For Metals | 流動化反応方法 |
| JPH06227870A (ja) * | 1992-10-21 | 1994-08-16 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 複合材料およびその製造方法 |
-
1995
- 1995-03-27 JP JP7067296A patent/JP2756928B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5773103A (en) * | 1980-10-27 | 1982-05-07 | Res Dev Corp Of Japan | Production of high strength heat resistant metallic material |
| JPS6123733A (ja) * | 1984-07-10 | 1986-02-01 | Fukuda Kinzoku Hakufun Kogyo Kk | 分散強化型銅合金の製造方法 |
| JPH0273944A (ja) * | 1988-09-09 | 1990-03-13 | Toshiba Corp | 耐食性材料 |
| JPH06116732A (ja) * | 1990-12-26 | 1994-04-26 | Natl Res Inst For Metals | 流動化反応方法 |
| JPH06227870A (ja) * | 1992-10-21 | 1994-08-16 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 複合材料およびその製造方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2796576A1 (en) * | 2011-12-20 | 2014-10-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Tungsten alloy, and tungsten alloy part, discharge lamp, transmitting tube and magnetron using tungsten alloy |
| JPWO2013094695A1 (ja) * | 2011-12-20 | 2015-04-27 | 株式会社東芝 | タングステン合金、およびそれを用いたタングステン合金部品、放電ランプ、送信管並びにマグネトロン |
| EP2796576A4 (en) * | 2011-12-20 | 2015-10-14 | Toshiba Kk | TUNGSTEN ALLOY AND TUNGSTEN ALLOY, DISCHARGE LAMP, TRANSFER TUBE AND MAGNETRON WITH TUNGSTEN ALLOY |
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