JPH08259379A - 融液中の対流場を制御した単結晶育成方法 - Google Patents
融液中の対流場を制御した単結晶育成方法Info
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- JPH08259379A JPH08259379A JP7091432A JP9143295A JPH08259379A JP H08259379 A JPH08259379 A JP H08259379A JP 7091432 A JP7091432 A JP 7091432A JP 9143295 A JP9143295 A JP 9143295A JP H08259379 A JPH08259379 A JP H08259379A
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- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 成長方向に関する不純物濃度分布を均一化し
たＳｉ単結晶をチョクラルスキー法で得る。 【構成】 融液から単結晶を引上げる際、重力の加速度
をｇ，融液の体膨張係数をβ，ルツボの底面と成長界面
との温度差をΔＴ，融液の深さをＬ，熱拡散率をκ，動
粘性係数をνとするとき、Ｒａ＝ｇ・β・ΔＴ・Ｌ／κ
・νで定義されるレイリー数Ｒａが５×１０5 〜４×１
０7 の範囲になるように温度差ΔＴを制御する。 【効果】 成長界面における融液の対流モードが常にソ
フト乱流領域に維持され、融液中の不純物ムラが取り込
まれることなく、安定した温度条件下で単結晶が育成さ
れる。
たＳｉ単結晶をチョクラルスキー法で得る。 【構成】 融液から単結晶を引上げる際、重力の加速度
をｇ，融液の体膨張係数をβ，ルツボの底面と成長界面
との温度差をΔＴ，融液の深さをＬ，熱拡散率をκ，動
粘性係数をνとするとき、Ｒａ＝ｇ・β・ΔＴ・Ｌ／κ
・νで定義されるレイリー数Ｒａが５×１０5 〜４×１
０7 の範囲になるように温度差ΔＴを制御する。 【効果】 成長界面における融液の対流モードが常にソ
フト乱流領域に維持され、融液中の不純物ムラが取り込
まれることなく、安定した温度条件下で単結晶が育成さ
れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、チョクラルスキー法で
融液から単結晶を引上げる際に固液界面下部の融液対流
を制御することにより、成長方向に関する不純物濃度分
布を均一化したＳｉ単結晶を育成する方法に関する。
融液から単結晶を引上げる際に固液界面下部の融液対流
を制御することにより、成長方向に関する不純物濃度分
布を均一化したＳｉ単結晶を育成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】融液からＳｉ単結晶を育成する代表的な
方法として、チョクラルスキー法がある。チョクラルス
キー方法では、図１に示すように密閉容器１の内部に配
置したルツボ２を、回転及び昇降可能にサポート３で支
持する。ルツボ２の外周には、ヒータ４及び保温材５が
同心円状に設けられ、ルツボ２に収容した原料をヒータ
４で集中的に加熱し、融液６を調製する。融液６は、Ｓ
ｉ単結晶成長に好適な温度に維持される。融液６に種結
晶７を接触させ、種結晶７の結晶方位を倣ったＳｉ単結
晶８を成長させる。種結晶７は、ワイヤ９を介して回転
巻取り機構１０又は剛性のある引き上げ棒から吊り下げ
られ、Ｓｉ単結晶８の成長に応じて回転しながら引き上
げられる。また、ルツボ２も、サポート３を介し適宜回
転しながら下降する。サポート３の降下速度，回転速度
及び種結晶７の回転速度，上昇速度等は、融液６から引
上げられるＳｉ単結晶８の成長速度に応じて制御され
る。
方法として、チョクラルスキー法がある。チョクラルス
キー方法では、図１に示すように密閉容器１の内部に配
置したルツボ２を、回転及び昇降可能にサポート３で支
持する。ルツボ２の外周には、ヒータ４及び保温材５が
同心円状に設けられ、ルツボ２に収容した原料をヒータ
４で集中的に加熱し、融液６を調製する。融液６は、Ｓ
ｉ単結晶成長に好適な温度に維持される。融液６に種結
晶７を接触させ、種結晶７の結晶方位を倣ったＳｉ単結
晶８を成長させる。種結晶７は、ワイヤ９を介して回転
巻取り機構１０又は剛性のある引き上げ棒から吊り下げ
られ、Ｓｉ単結晶８の成長に応じて回転しながら引き上
げられる。また、ルツボ２も、サポート３を介し適宜回
転しながら下降する。サポート３の降下速度，回転速度
及び種結晶７の回転速度，上昇速度等は、融液６から引
上げられるＳｉ単結晶８の成長速度に応じて制御され
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】チョクラルスキー法で
得られた単結晶は、成長方向に関する微視的な濃度分布
が固液界面下部にある融液の対流条件に大きな影響を受
ける。引上げの初期段階では、ルツボ内に多量の融液が
存在しているので、ルツボの底部から固液界面まで十分
な高さがある。このとき、融液は、特定の構造を持たな
いソフト乱流となって固液界面に流れ込む。そのため、
この融液から成長した単結晶の不純物分布も、この融液
流動を倣ったものとなる。ルツボ内に残留している融液
は、単結晶の育成に応じて少なくなり、図２に示すよう
に特有の構造をもった周期対流に移行する。周期対流領
域に移るに従って、育成された単結晶に融液中の不純物
ムラを反映した不均一分布が現れる。従来のチョクラル
スキー法では、この不均一分布が現れる現象は避けられ
ないものとされており、結晶の後半部では規格外れとな
ることが多かった。本発明は、このような問題を解消す
べく案出されたものであり、固液界面近傍における融液
の対流条件を制御することにより、一本の結晶中で均一
な不純物分布をもつ部位の割合を増加させると共に、成
長方向に関して不純物濃度が均一化された高品質のＳｉ
単結晶を得ることを目的とする。
得られた単結晶は、成長方向に関する微視的な濃度分布
が固液界面下部にある融液の対流条件に大きな影響を受
ける。引上げの初期段階では、ルツボ内に多量の融液が
存在しているので、ルツボの底部から固液界面まで十分
な高さがある。このとき、融液は、特定の構造を持たな
いソフト乱流となって固液界面に流れ込む。そのため、
この融液から成長した単結晶の不純物分布も、この融液
流動を倣ったものとなる。ルツボ内に残留している融液
は、単結晶の育成に応じて少なくなり、図２に示すよう
に特有の構造をもった周期対流に移行する。周期対流領
域に移るに従って、育成された単結晶に融液中の不純物
ムラを反映した不均一分布が現れる。従来のチョクラル
スキー法では、この不均一分布が現れる現象は避けられ
ないものとされており、結晶の後半部では規格外れとな
ることが多かった。本発明は、このような問題を解消す
べく案出されたものであり、固液界面近傍における融液
の対流条件を制御することにより、一本の結晶中で均一
な不純物分布をもつ部位の割合を増加させると共に、成
長方向に関して不純物濃度が均一化された高品質のＳｉ
単結晶を得ることを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、その目的を達
成するため、融液から単結晶を引上げる際、重力の加速
度をｇ，融液の体膨張係数をβ，ルツボの底面と成長界
面との温度差をΔＴ，融液の深さをＬ，熱拡散率をκ，
動粘性係数をνとするとき、Ｒａ＝ｇ・β・ΔＴ・Ｌ／
κ・νで定義されるレイリー数Ｒａが５×１０5 〜４×
１０7 の範囲になるように温度差ΔＴを制御することを
特徴とする。レイリー数Ｒａは、浮力差により生じる対
流の状態を表す無次元数であり、浮力／粘性力の比を表
す。地上に置かれた流体では、下面加熱及び上面冷却の
場合、Ｒａ＞１７００で対流が生じ始め、Ｒａ＞１０10
程度で完全乱流となる。チョクラルスキー法でＳｉ単結
晶を育成する場合、レイリー数Ｒａは１０5 〜１０8程
度の値をとり、完全な乱流までには至らない。
成するため、融液から単結晶を引上げる際、重力の加速
度をｇ，融液の体膨張係数をβ，ルツボの底面と成長界
面との温度差をΔＴ，融液の深さをＬ，熱拡散率をκ，
動粘性係数をνとするとき、Ｒａ＝ｇ・β・ΔＴ・Ｌ／
κ・νで定義されるレイリー数Ｒａが５×１０5 〜４×
１０7 の範囲になるように温度差ΔＴを制御することを
特徴とする。レイリー数Ｒａは、浮力差により生じる対
流の状態を表す無次元数であり、浮力／粘性力の比を表
す。地上に置かれた流体では、下面加熱及び上面冷却の
場合、Ｒａ＞１７００で対流が生じ始め、Ｒａ＞１０10
程度で完全乱流となる。チョクラルスキー法でＳｉ単結
晶を育成する場合、レイリー数Ｒａは１０5 〜１０8程
度の値をとり、完全な乱流までには至らない。
【０００５】レイリー数Ｒａのファクターである重力加
速度ｇ，体膨張係数β，温度差ΔＴ，融液深さＬ，熱拡
散率κ，動粘性係数νのうち、単結晶の育成中に変化す
るファクターは、温度差ΔＴ及び融液深さＬであり、何
れも操業中にモニター可能な物理量である。また、温度
差ΔＴは、固液界面の温度が一定値に維持されることか
ら、（ルツボ底温度−凝固点温度）として表される。た
とえば、融液深さＬが７０ｍｍにあるとき、図３に示す
ようにレイリー数Ｒａはルツボ底温度に応じて変動す
る。すなわち、レイリー数Ｒａが５×１０5 より小さい
と、固液界面で周期対流が生じ易くなる。逆に４×１０
7 を超えるレイリー数Ｒａでは、サーマルプリューム
（熱塊）の発生により、固液界面の温度条件が不安定化
する。また、融液深さＬが５０ｍｍになったとき、レイ
リー数Ｒａが減少し、ソフト乱流から外れるようにな
る。これに対し、レイリー数Ｒａが５×１０5 〜４×１
０7 の範囲にあるとき、ソフト乱流状態が固液界面に維
持されることで撹拌が促進され、融液中の不純物ムラが
持ち込まれることなく、しかも安定した温度条件下で単
結晶が融液から育成される。そこで、図３の関係を参照
しながら育成中の所定の温度差ΔＴを生じさせるフィー
ドバックを制御系にかけるとき、引上げ方向全長にわた
り同じ対流モードの下で融液から単結晶を引き上げるこ
とができる。温度差ΔＴを変化させる操業条件として
は、ルツボの回転方向や回転速度の調整，二分割したヒ
ータを使用して結晶成長に必要な半径方向の温度勾配を
維持しながら深さ方向の温度差を変化させる方法等を採
用することができる。これにより、対流モードが常にソ
フト乱流領域に維持され、成長方向に関し不純物濃度分
布が均一化された単結晶が育成される。
速度ｇ，体膨張係数β，温度差ΔＴ，融液深さＬ，熱拡
散率κ，動粘性係数νのうち、単結晶の育成中に変化す
るファクターは、温度差ΔＴ及び融液深さＬであり、何
れも操業中にモニター可能な物理量である。また、温度
差ΔＴは、固液界面の温度が一定値に維持されることか
ら、（ルツボ底温度−凝固点温度）として表される。た
とえば、融液深さＬが７０ｍｍにあるとき、図３に示す
ようにレイリー数Ｒａはルツボ底温度に応じて変動す
る。すなわち、レイリー数Ｒａが５×１０5 より小さい
と、固液界面で周期対流が生じ易くなる。逆に４×１０
7 を超えるレイリー数Ｒａでは、サーマルプリューム
（熱塊）の発生により、固液界面の温度条件が不安定化
する。また、融液深さＬが５０ｍｍになったとき、レイ
リー数Ｒａが減少し、ソフト乱流から外れるようにな
る。これに対し、レイリー数Ｒａが５×１０5 〜４×１
０7 の範囲にあるとき、ソフト乱流状態が固液界面に維
持されることで撹拌が促進され、融液中の不純物ムラが
持ち込まれることなく、しかも安定した温度条件下で単
結晶が融液から育成される。そこで、図３の関係を参照
しながら育成中の所定の温度差ΔＴを生じさせるフィー
ドバックを制御系にかけるとき、引上げ方向全長にわた
り同じ対流モードの下で融液から単結晶を引き上げるこ
とができる。温度差ΔＴを変化させる操業条件として
は、ルツボの回転方向や回転速度の調整，二分割したヒ
ータを使用して結晶成長に必要な半径方向の温度勾配を
維持しながら深さ方向の温度差を変化させる方法等を採
用することができる。これにより、対流モードが常にソ
フト乱流領域に維持され、成長方向に関し不純物濃度分
布が均一化された単結晶が育成される。
【０００６】
【実施例】ルツボにＳｉ原料５ｋｇを装入し、加熱溶解
した。生成した融液は、湯面からルツボ底までの深さが
１０５ｍｍであった。この状態から結晶育成を開始し、
３ｋｇのＳｉ単結晶を作製した。結晶成長開始直後に
は、Ｌ＝１０５ｍｍ，δＴ＝４０℃であったため、Ｓｉ
融液に固有の体膨張係数β＝８．０×１０-4（１４３０
℃以下），１．０×１０-4（＞１４３０℃）、熱拡散率
κ＝２．５５×１０-5ｍ2 ／秒及び動粘性係数ν＝３．
０×１０-7ｍ2 ／秒を用いてレイリー数Ｒａを計算する
と、Ｒａ＝４．７５×１０-7であった。この後、Ｓｉ融
液が結晶成長に消費され浅くなるに従い、温度差ΔＴも
小さくなった。その結果、レイリー数Ｒａも減少し。ソ
フト乱流域から外れた。そこで、ルツボ底の温度及び図
２の関係を参照しながら、温度差ΔＴが大きくなるよう
にルツボの回転数を上げた。その結果、単結晶のほとん
どの部位をソフト乱流域で育成することが可能になっ
た。なお、比較のため、一定の回転速度でルツボを回転
させながら、単結晶を育成した。
した。生成した融液は、湯面からルツボ底までの深さが
１０５ｍｍであった。この状態から結晶育成を開始し、
３ｋｇのＳｉ単結晶を作製した。結晶成長開始直後に
は、Ｌ＝１０５ｍｍ，δＴ＝４０℃であったため、Ｓｉ
融液に固有の体膨張係数β＝８．０×１０-4（１４３０
℃以下），１．０×１０-4（＞１４３０℃）、熱拡散率
κ＝２．５５×１０-5ｍ2 ／秒及び動粘性係数ν＝３．
０×１０-7ｍ2 ／秒を用いてレイリー数Ｒａを計算する
と、Ｒａ＝４．７５×１０-7であった。この後、Ｓｉ融
液が結晶成長に消費され浅くなるに従い、温度差ΔＴも
小さくなった。その結果、レイリー数Ｒａも減少し。ソ
フト乱流域から外れた。そこで、ルツボ底の温度及び図
２の関係を参照しながら、温度差ΔＴが大きくなるよう
にルツボの回転数を上げた。その結果、単結晶のほとん
どの部位をソフト乱流域で育成することが可能になっ
た。なお、比較のため、一定の回転速度でルツボを回転
させながら、単結晶を育成した。
【０００７】育成された単結晶について、引き上げ方
向、すなわち成長方向に関する酸素濃度を測定した。測
定結果を示す図４にみられるように、本発明に従って育
成された単結晶では、酸素濃度の成長方向に関する変動
が少なく、ソフト乱流状態にある融液から単結晶が育成
されたことが示されている。これに対し、比較例の単結
晶では、成長方向に関して酸素濃度が周期的に変動し、
しかも変動幅も大きなものであった。これは、対流モー
ドが周期対流の領域に移行するに従って融液中の不純物
ムラが育成された単結晶に反映されたものであると推察
される。この対比から明らかなように、本発明に従って
融液の対流条件を制御するとき、不純物分布が均一化さ
れた単結晶が得られることが確認された。
向、すなわち成長方向に関する酸素濃度を測定した。測
定結果を示す図４にみられるように、本発明に従って育
成された単結晶では、酸素濃度の成長方向に関する変動
が少なく、ソフト乱流状態にある融液から単結晶が育成
されたことが示されている。これに対し、比較例の単結
晶では、成長方向に関して酸素濃度が周期的に変動し、
しかも変動幅も大きなものであった。これは、対流モー
ドが周期対流の領域に移行するに従って融液中の不純物
ムラが育成された単結晶に反映されたものであると推察
される。この対比から明らかなように、本発明に従って
融液の対流条件を制御するとき、不純物分布が均一化さ
れた単結晶が得られることが確認された。
【０００８】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明において
は、融液から単結晶を引上げる際、融液の対流係数が所
定の範囲となるようにルツボの底面と成長界面との温度
差を制御することにより、成長界面に生じる対流モード
をソフト乱流領域に維持している。これにより、融液中
の不純物ムラが単結晶に取り込まれることが抑制され、
しかも安定した温度条件下で単結晶が育成される。その
結果、育成方向に関する不純物濃度分布が均一になる領
域が長くなり、製品として使用できる割合が増加し、高
歩留りで品質安定性に優れた単結晶が得られる。
は、融液から単結晶を引上げる際、融液の対流係数が所
定の範囲となるようにルツボの底面と成長界面との温度
差を制御することにより、成長界面に生じる対流モード
をソフト乱流領域に維持している。これにより、融液中
の不純物ムラが単結晶に取り込まれることが抑制され、
しかも安定した温度条件下で単結晶が育成される。その
結果、育成方向に関する不純物濃度分布が均一になる領
域が長くなり、製品として使用できる割合が増加し、高
歩留りで品質安定性に優れた単結晶が得られる。
【図１】 融液からＳｉ単結晶を引き上げるチョクラル
スキー法
スキー法
【図２】 成長界面における融液の流動状態に及ぼす融
液深さ及び温度差ΔＴの影響を表したグラフ
液深さ及び温度差ΔＴの影響を表したグラフ
【図３】 ルツボ底温度とレイリー数Ｒａとの関係を表
したグラフ
したグラフ
【図４】 本発明実施例で得られた単結晶の成長方向に
関する酸素濃度分布を比較例と対比して示したグラフ
関する酸素濃度分布を比較例と対比して示したグラフ
１：密閉容器 ２：ルツボ ３：サポート ４：
ヒータ ５：保温材 ６：融液 ７：種結晶 ８：Ｓｉ単結晶 ９：ワ
イヤ １０：回転巻取り機構
ヒータ ５：保温材 ６：融液 ７：種結晶 ８：Ｓｉ単結晶 ９：ワ
イヤ １０：回転巻取り機構
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成８年１月３０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】
【実施例】ルツボにＳｉ原料５ｋｇを装入し、加熱溶解
した。生成した融液は、湯面からルツボ底までの深さが
１０５ｍｍであった。この状態から結晶育成を開始し、
３ｋｇのＳｉ単結晶を作製した。結晶成長開始直後に
は、Ｌ＝１０５ｍｍ，ΔＴ＝４０℃であったため、Ｓｉ
融液に固有の体膨張係数β＝８．０×１０−４（１４３
０℃以下），１．０×１０−４（＞１４３０℃）、熱拡
散率κ＝２．５５×１０−５ｍ２／秒及び動粘性係数ν
＝３．０×１０−７ｍ２／秒を用いてレイリー数Ｒａを
計算すると、Ｒａ＝４．７５×１０７であった。この
後、Ｓｉ融液が結晶成長に消費され浅くなるに従い、温
度差ΔＴも小さくなった。その結果、レイリー数Ｒａも
減少し。ソフト乱流域から外れた。そこで、ルツボ底の
温度及び図２の関係を参照しながら、温度差ΔＴが大き
くなるようにルツボの回転数を上げた。その結果、単結
晶のほとんどの部位をソフト乱流域で育成することが可
能になった。なお、比較のため、一定の回転速度でルツ
ボを回転させながら、単結晶を育成した。
した。生成した融液は、湯面からルツボ底までの深さが
１０５ｍｍであった。この状態から結晶育成を開始し、
３ｋｇのＳｉ単結晶を作製した。結晶成長開始直後に
は、Ｌ＝１０５ｍｍ，ΔＴ＝４０℃であったため、Ｓｉ
融液に固有の体膨張係数β＝８．０×１０−４（１４３
０℃以下），１．０×１０−４（＞１４３０℃）、熱拡
散率κ＝２．５５×１０−５ｍ２／秒及び動粘性係数ν
＝３．０×１０−７ｍ２／秒を用いてレイリー数Ｒａを
計算すると、Ｒａ＝４．７５×１０７であった。この
後、Ｓｉ融液が結晶成長に消費され浅くなるに従い、温
度差ΔＴも小さくなった。その結果、レイリー数Ｒａも
減少し。ソフト乱流域から外れた。そこで、ルツボ底の
温度及び図２の関係を参照しながら、温度差ΔＴが大き
くなるようにルツボの回転数を上げた。その結果、単結
晶のほとんどの部位をソフト乱流域で育成することが可
能になった。なお、比較のため、一定の回転速度でルツ
ボを回転させながら、単結晶を育成した。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 595056491 佐々木 斉 埼玉県大宮市大成町１−545 (71)出願人 595056505 碇 敦 茨城県つくば市東光台２−12−15 (72)発明者 十河 慎二 茨城県つくば市今鹿島4182−３ (72)発明者 泉妻 宏治 茨城県稲敷郡阿見町荒川沖1770−１−502 (72)発明者 川西 荘六 茨城県つくば市東光台１−16−２ (72)発明者 佐々木 斉 埼玉県大宮市大成町１−545 (72)発明者 木村 茂行 茨城県つくば市竹園３−712 (72)発明者 碇 敦 茨城県つくば市東光台２−12−15
Claims (1)
- 【請求項１】 融液から単結晶を引上げる際、重力の加
速度をｇ，融液の体膨張係数をβ，ルツボの底面と成長
界面との温度差をΔＴ，融液の深さをＬ，熱拡散率を
κ，動粘性係数をνとするとき、Ｒａ＝ｇ・β・ΔＴ・
Ｌ／κ・νで定義されるレイリー数Ｒａが５×１０5 〜
４×１０7 の範囲になるように温度差ΔＴを制御するこ
とを特徴とする融液中の対流場を制御した単結晶育成方
法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7091432A JP2760957B2 (ja) | 1995-03-24 | 1995-03-24 | 融液中の対流場を制御した単結晶育成方法 |
| EP96104453A EP0733725B1 (en) | 1995-03-24 | 1996-03-20 | Growth of silicon single crystal |
| DE69606449T DE69606449T2 (de) | 1995-03-24 | 1996-03-20 | Züchtung von Silizium-Einkristall |
| US08/621,054 US5683504A (en) | 1995-03-24 | 1996-03-22 | Growth of silicon single crystal |
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