JPH08258051A - レンズ金型の製造方法 - Google Patents
レンズ金型の製造方法Info
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- JPH08258051A JPH08258051A JP7094479A JP9447995A JPH08258051A JP H08258051 A JPH08258051 A JP H08258051A JP 7094479 A JP7094479 A JP 7094479A JP 9447995 A JP9447995 A JP 9447995A JP H08258051 A JPH08258051 A JP H08258051A
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- nickel
- lens
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- nickel sulfate
- lens mold
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29D—PRODUCING PARTICULAR ARTICLES FROM PLASTICS OR FROM SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE
- B29D11/00—Producing optical elements, e.g. lenses or prisms
- B29D11/00009—Production of simple or compound lenses
- B29D11/00365—Production of microlenses
Abstract
(57)【要約】
【目的】 解像度が高く、面の表面粗さが極めて小さい
レンズ金型の製造方法を提供することを目的とする。 【構成】レンズ金型の製造方法において導電性基板上に
レジストパタ−ン孔を形成し、スルファミン酸を主成分
として、少なくとも硫酸ニッケル１０〜５０％、光沢剤
１〜３％とから成るめっき液を使用し、電鋳法により前
記導電性基板上に設けたレジストパタ−ン孔間にニッケ
ル金属を析出させることを特徴とする。
レンズ金型の製造方法を提供することを目的とする。 【構成】レンズ金型の製造方法において導電性基板上に
レジストパタ−ン孔を形成し、スルファミン酸を主成分
として、少なくとも硫酸ニッケル１０〜５０％、光沢剤
１〜３％とから成るめっき液を使用し、電鋳法により前
記導電性基板上に設けたレジストパタ−ン孔間にニッケ
ル金属を析出させることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は映像投射スクリ−ンに使
用するレンズの成形用金型の製造方法に関する。
用するレンズの成形用金型の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図９、１０は、レンズ金型マスタの作製
方法の一例を示す拡大断面図であり、図９はレンズ素子
を、また図１０は、このレンズ素子を用いて作製したレ
ンズ板成型金型マスタをそれぞれ示す。図９においてレ
ンズ素子単体２０は、前面が半球レンズ形２１をしてお
り、後方にテ−パ状２２に縮小して、凸レンズ形２３を
している。前記凸レンズの曲率半径ｒは、半球レンズの
Ｒにほぼ等しく、両レンズの光学軸が一致している。次
に、このレンズ素子単体レンズ２０を、前記テ−パ２１
に対応する孔を規則的にあけた導電性基板２４に順次は
め込み、必要に応じて導電性をもった合成樹脂をキャス
テングなどの手段により基板上の空間２５及び２６に充
填してから、化学めっき及びそれに続く電解めっきによ
り表面に金属層２７を形成して成型金型マスタ３０とす
る。
方法の一例を示す拡大断面図であり、図９はレンズ素子
を、また図１０は、このレンズ素子を用いて作製したレ
ンズ板成型金型マスタをそれぞれ示す。図９においてレ
ンズ素子単体２０は、前面が半球レンズ形２１をしてお
り、後方にテ−パ状２２に縮小して、凸レンズ形２３を
している。前記凸レンズの曲率半径ｒは、半球レンズの
Ｒにほぼ等しく、両レンズの光学軸が一致している。次
に、このレンズ素子単体レンズ２０を、前記テ−パ２１
に対応する孔を規則的にあけた導電性基板２４に順次は
め込み、必要に応じて導電性をもった合成樹脂をキャス
テングなどの手段により基板上の空間２５及び２６に充
填してから、化学めっき及びそれに続く電解めっきによ
り表面に金属層２７を形成して成型金型マスタ３０とす
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図９、
図１０の従来例のレンズ金型作製方法は、あらかじめ加
工したレンズ単体素子２０を導電性基板２４にはめ込ん
でいく方法なので、微小径レンズの作製が極めて困難で
あり、工数が大幅にかかっていた。またレンズ単体素子
２０は加工により作製しているので表面粗さが１μｍ程
度と粗く、乱反射が大きく高解像度な映像投射スクリ−
ンが得られないという欠点があった。本発明のレンズ金
型の作製方法は、面の表面粗さの小さい微小レンズの作
製を極めて短時間で可能とする方法を提供することを目
的とする。
図１０の従来例のレンズ金型作製方法は、あらかじめ加
工したレンズ単体素子２０を導電性基板２４にはめ込ん
でいく方法なので、微小径レンズの作製が極めて困難で
あり、工数が大幅にかかっていた。またレンズ単体素子
２０は加工により作製しているので表面粗さが１μｍ程
度と粗く、乱反射が大きく高解像度な映像投射スクリ−
ンが得られないという欠点があった。本発明のレンズ金
型の作製方法は、面の表面粗さの小さい微小レンズの作
製を極めて短時間で可能とする方法を提供することを目
的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明になるレンズ金型
作製方法は、導電性基板上にレジストパタ−ン孔を形成
し、スルファミン酸ニッケルを主成分とし、少なくとも
硫酸ニッケル１０〜５０％、光沢剤１〜３％とから成る
めっき液を使用し、電鋳法により前記導電性基板上に設
けたレジストパタ−ン孔間にニッケル金属を析出させる
ことを特徴とする。
作製方法は、導電性基板上にレジストパタ−ン孔を形成
し、スルファミン酸ニッケルを主成分とし、少なくとも
硫酸ニッケル１０〜５０％、光沢剤１〜３％とから成る
めっき液を使用し、電鋳法により前記導電性基板上に設
けたレジストパタ−ン孔間にニッケル金属を析出させる
ことを特徴とする。
【０００５】
【作用】本発明にあっては、電鋳法により、フォトリソ
グラフィ技術を用いて形成したレジストパタ−ン孔間に
ニッケル金属を析出させてレンズ金型を形成するので、
微小寸法のレンズ金型の作製が容易である。またスルフ
ァミン酸を主成分とし少なくとも硫酸ニッケル１０〜５
０％及び光沢剤１〜３％濃度の条件範囲のめっき液組成
を使用することにより、レンズ金型表面の表面粗さは１
２０ｎｍ以下と極めて小さく押さえることができる。従
って、この金型を利用して作製したレンズは面の表面粗
さを極めて小さく押さえたものとすることができる。そ
の結果、収差や乱反射の極めて少ないレンズが作製でき
るので、明瞭で高解像度の映像投射スクリ−ンを得るこ
とができる。またレジストパタ−ン孔径を変えて作製す
ることにより、異なる曲率を持った半球レンズ形の金型
が作製可能なので、焦点距離の異なる映像投射スクリ−
ンを容易に得ることができる。
グラフィ技術を用いて形成したレジストパタ−ン孔間に
ニッケル金属を析出させてレンズ金型を形成するので、
微小寸法のレンズ金型の作製が容易である。またスルフ
ァミン酸を主成分とし少なくとも硫酸ニッケル１０〜５
０％及び光沢剤１〜３％濃度の条件範囲のめっき液組成
を使用することにより、レンズ金型表面の表面粗さは１
２０ｎｍ以下と極めて小さく押さえることができる。従
って、この金型を利用して作製したレンズは面の表面粗
さを極めて小さく押さえたものとすることができる。そ
の結果、収差や乱反射の極めて少ないレンズが作製でき
るので、明瞭で高解像度の映像投射スクリ−ンを得るこ
とができる。またレジストパタ−ン孔径を変えて作製す
ることにより、異なる曲率を持った半球レンズ形の金型
が作製可能なので、焦点距離の異なる映像投射スクリ−
ンを容易に得ることができる。
【０００６】
【実施例】本発明の一実施例を以下の図に基づいて説明
する。図１は、本発明の第１の実施例のレンズ金型の製
造工程を示す断面図、図２は本発明の第２の実施例のレ
ンズ金型の製造工程を示す断面図、図３は本発明で用い
た電鋳法の装置の概略図である。次に、第１の実施例に
ついて、図１を参照して説明する。まず、ガラス基板２
を用意し、このガラス基板２上にＮｉスパッタ膜３を形
成した基板を導電性基板とする。さらに、Ｎｉスパッタ
膜３上にレジスト４を塗布する。次に、図示しないフォ
トマスクをレジスト４上に乗せ、フォトリソグラフィ−
技術によりレジストパタ−ン孔（本実施例では例えばφ
３００μｍの円形）５を所定の間隔で形成してレジスト
パタ−ン基板１ａを作製する。
する。図１は、本発明の第１の実施例のレンズ金型の製
造工程を示す断面図、図２は本発明の第２の実施例のレ
ンズ金型の製造工程を示す断面図、図３は本発明で用い
た電鋳法の装置の概略図である。次に、第１の実施例に
ついて、図１を参照して説明する。まず、ガラス基板２
を用意し、このガラス基板２上にＮｉスパッタ膜３を形
成した基板を導電性基板とする。さらに、Ｎｉスパッタ
膜３上にレジスト４を塗布する。次に、図示しないフォ
トマスクをレジスト４上に乗せ、フォトリソグラフィ−
技術によりレジストパタ−ン孔（本実施例では例えばφ
３００μｍの円形）５を所定の間隔で形成してレジスト
パタ−ン基板１ａを作製する。
【０００７】次に本発明になるレンズ金型１０ａの作製
方法につき図３を参照して説明する。浴槽１６に、スル
ファミン酸ニッケル４００ｇ／ｌ、硫酸ニッケル０〜２
００ｇ／ｌ（０〜５０％）、塩化ニッケル５ｇ／ｌ，硼
酸３０ｇ／ｌ、ＣＨ3 （ＣＨ2 ）11ＯＳＯ3 Ｎａ０．１
ｇ／ｌ、光沢剤（サッカリン３ｇ／ｌ、クマリン０．６
ｇ／ｌ）とから成るめっき液１５を作製する。光沢剤は
析出金属の表面の平滑性を助けるものであるが、多量に
添加するともろくなり、ピンホ−ル等の発生が生じるの
で、１〜３％程度がよい。
方法につき図３を参照して説明する。浴槽１６に、スル
ファミン酸ニッケル４００ｇ／ｌ、硫酸ニッケル０〜２
００ｇ／ｌ（０〜５０％）、塩化ニッケル５ｇ／ｌ，硼
酸３０ｇ／ｌ、ＣＨ3 （ＣＨ2 ）11ＯＳＯ3 Ｎａ０．１
ｇ／ｌ、光沢剤（サッカリン３ｇ／ｌ、クマリン０．６
ｇ／ｌ）とから成るめっき液１５を作製する。光沢剤は
析出金属の表面の平滑性を助けるものであるが、多量に
添加するともろくなり、ピンホ−ル等の発生が生じるの
で、１〜３％程度がよい。
【０００８】このめっき液１５中に陽極電極１１及び陰
極電極１２を設置する。ニッケル金属１１ａよりなる陽
極電極１１は陰極電極１２に対向する面に塩ビ１３が接
着され、その一部が開口１４している。すなわち陽極電
極開口部１４が陽極電極１１として働く。陰極電極１２
は前記の如く形成したレジストパタ−ン基板１ａを用い
る。レジストパタ−ン基板１ａの面積は例えば５×５ｃ
ｍ2 である。陽極電極１１と陰極電極１２間の距離は一
定の間隔１０ｃｍと固定してある。
極電極１２を設置する。ニッケル金属１１ａよりなる陽
極電極１１は陰極電極１２に対向する面に塩ビ１３が接
着され、その一部が開口１４している。すなわち陽極電
極開口部１４が陽極電極１１として働く。陰極電極１２
は前記の如く形成したレジストパタ−ン基板１ａを用い
る。レジストパタ−ン基板１ａの面積は例えば５×５ｃ
ｍ2 である。陽極電極１１と陰極電極１２間の距離は一
定の間隔１０ｃｍと固定してある。
【０００９】図示しない直流電源に陽極電極１１側をプ
ラス、陰極電極１２側をマイナスにつなぎ、通電する。
これにより、陽極電極１１によりニッケル金属１１ａが
開口部１４より溶出され、レジストパタ−ン孔５内にニ
ッケル６が析出され、所望の半球レンズ形７が形成され
たレンズ金型１０ａを作製する。
ラス、陰極電極１２側をマイナスにつなぎ、通電する。
これにより、陽極電極１１によりニッケル金属１１ａが
開口部１４より溶出され、レジストパタ−ン孔５内にニ
ッケル６が析出され、所望の半球レンズ形７が形成され
たレンズ金型１０ａを作製する。
【００１０】図２は、本発明の第２の実施例の製造工程
を示す断面図である。なお、図１と同一部分には同一符
号を用い、その詳細な説明は省略する。第２の実施例に
おいてはガラス基板２にＮｉスパッタ膜３が形成された
導電性基板の代わりにＣｕ−Ｚｎ金属基板８を導電性基
板としたものである。この導電性基板の上に、前記と同
様の手段によりレジスト４を塗布し、このレジスト４上
に図示しないフォトマスクを乗せ、フォトリソグラフィ
技術により例えば円形のレジストパタ−ン孔５を所定の
間隔で形成してレジストパタ−ン基板１ｂを形成する。
そしてこのレジストパタ−ン基板１ｂを前記と同様めっ
き液１５中に入れて、この基板１ｂを陰極電極として用
いて、前記と同様所望の半球レンズ形７が形成されたレ
ンズ金型１０ｂを作製する。
を示す断面図である。なお、図１と同一部分には同一符
号を用い、その詳細な説明は省略する。第２の実施例に
おいてはガラス基板２にＮｉスパッタ膜３が形成された
導電性基板の代わりにＣｕ−Ｚｎ金属基板８を導電性基
板としたものである。この導電性基板の上に、前記と同
様の手段によりレジスト４を塗布し、このレジスト４上
に図示しないフォトマスクを乗せ、フォトリソグラフィ
技術により例えば円形のレジストパタ−ン孔５を所定の
間隔で形成してレジストパタ−ン基板１ｂを形成する。
そしてこのレジストパタ−ン基板１ｂを前記と同様めっ
き液１５中に入れて、この基板１ｂを陰極電極として用
いて、前記と同様所望の半球レンズ形７が形成されたレ
ンズ金型１０ｂを作製する。
【００１１】ここで本発明の第１の実施例における平滑
な半球レンズ面を得るための条件を検討する。図４は、
陽極電極開口部１４の面積をパラメ−タ−とした硫酸ニ
ッケル濃度と半球レンズ形７面の表面粗さとの関係図で
ある。横軸には硫酸ニッケル濃度、縦軸には半球レンズ
形表面の粗さを示す。陽極電極開口部１４の面積は９ｃ
ｍ2 と２５ｃｍ2 の２種類をパラメ−タ−として行っ
た。Ｒｍａｘは半球レンズ形７表面の最大粗さ、Ｒｚは
半球レンズ形７表面のうちの任意の面積である０．１３
×０．１１ｍｍ範囲における面積内にとった任意の１０
点における平均粗さ、Ｒａはその算術平均粗さである。
半球レンズ形７表面の粗さ及びその曲率半径測定は走査
型白色干渉顕微鏡により行った。
な半球レンズ面を得るための条件を検討する。図４は、
陽極電極開口部１４の面積をパラメ−タ−とした硫酸ニ
ッケル濃度と半球レンズ形７面の表面粗さとの関係図で
ある。横軸には硫酸ニッケル濃度、縦軸には半球レンズ
形表面の粗さを示す。陽極電極開口部１４の面積は９ｃ
ｍ2 と２５ｃｍ2 の２種類をパラメ−タ−として行っ
た。Ｒｍａｘは半球レンズ形７表面の最大粗さ、Ｒｚは
半球レンズ形７表面のうちの任意の面積である０．１３
×０．１１ｍｍ範囲における面積内にとった任意の１０
点における平均粗さ、Ｒａはその算術平均粗さである。
半球レンズ形７表面の粗さ及びその曲率半径測定は走査
型白色干渉顕微鏡により行った。
【００１２】この図より理解できるように、硫酸ニッケ
ル１０％以下では半球レンズ形７面の表面粗さのバラツ
キが大きく、５０％以上では半球レンズ形の形成ができ
ず、レンズ金型としては使用に耐えないことがわかる。
半球レンズ形７表面の粗さは最大値で１２０ｎｍであ
り、硫酸ニッケル濃度が１０〜５０％の範囲で最適であ
ることを示している。半球レンズ形７面の表面粗さは２
０〜４０％の硫酸ニッケル濃度範囲では濃度依存性がな
いため、平滑なレンズ金型の作製には特に好ましい。ま
た陽極電極開口部１４の電極面の面積を小さくしていく
と、半球レンズ形７面の表面粗さは大きくなる傾向にあ
る。これは陽極から供給されるニッケルイオン濃度が低
いので緻密な結晶構造を作り出すことができないためで
ある。陽極電極開口部１４の面積の最適値は９〜２５ｃ
ｍ2 である。
ル１０％以下では半球レンズ形７面の表面粗さのバラツ
キが大きく、５０％以上では半球レンズ形の形成ができ
ず、レンズ金型としては使用に耐えないことがわかる。
半球レンズ形７表面の粗さは最大値で１２０ｎｍであ
り、硫酸ニッケル濃度が１０〜５０％の範囲で最適であ
ることを示している。半球レンズ形７面の表面粗さは２
０〜４０％の硫酸ニッケル濃度範囲では濃度依存性がな
いため、平滑なレンズ金型の作製には特に好ましい。ま
た陽極電極開口部１４の電極面の面積を小さくしていく
と、半球レンズ形７面の表面粗さは大きくなる傾向にあ
る。これは陽極から供給されるニッケルイオン濃度が低
いので緻密な結晶構造を作り出すことができないためで
ある。陽極電極開口部１４の面積の最適値は９〜２５ｃ
ｍ2 である。
【００１３】図５は陽極電極開口部１４の面積をパラメ
−タ−とした硫酸ニッケル濃度と半球レンズ形７の曲率
半径との関係図である。横軸には硫酸ニッケル濃度、縦
軸には半球レンズ形７の曲率半径を示す。陽極電極開口
部１４の面積は９ｃｍ2 （○）と２５ｃｍ2 （△）の２
種類をパラメ−タ−として行った。この図より理解でき
るように、１０〜４０％の硫酸ニッケル濃度範囲では、
陽極電極開口部１４の面積による半球レンズ形７の曲率
半径の変動は約５％と非常に小さい。また硫酸ニッケル
濃度の増加に伴い、半球レンズ形７の曲率半径は小さく
なっていく。従って、この範囲では半球レンズ形７の曲
率半径の異なる、安定したレンズ金型１０ａの形状を作
製できる。
−タ−とした硫酸ニッケル濃度と半球レンズ形７の曲率
半径との関係図である。横軸には硫酸ニッケル濃度、縦
軸には半球レンズ形７の曲率半径を示す。陽極電極開口
部１４の面積は９ｃｍ2 （○）と２５ｃｍ2 （△）の２
種類をパラメ−タ−として行った。この図より理解でき
るように、１０〜４０％の硫酸ニッケル濃度範囲では、
陽極電極開口部１４の面積による半球レンズ形７の曲率
半径の変動は約５％と非常に小さい。また硫酸ニッケル
濃度の増加に伴い、半球レンズ形７の曲率半径は小さく
なっていく。従って、この範囲では半球レンズ形７の曲
率半径の異なる、安定したレンズ金型１０ａの形状を作
製できる。
【００１４】図６は積算電流と半球レンズ形７の曲率半
径との関係図である。積算電流はめっき液中を流れる電
流とその経過時間の積である。横軸には積算電流、縦軸
には半球レンズ７の曲率半径を示す。積算電流の増加に
ともない、半球レンズ形７の曲率半径は比例して大きく
なっていく。すなわち曲率半径の異なる大きさのレンズ
金型１０ａ形状を作製できる。
径との関係図である。積算電流はめっき液中を流れる電
流とその経過時間の積である。横軸には積算電流、縦軸
には半球レンズ７の曲率半径を示す。積算電流の増加に
ともない、半球レンズ形７の曲率半径は比例して大きく
なっていく。すなわち曲率半径の異なる大きさのレンズ
金型１０ａ形状を作製できる。
【００１５】図７は本発明の第２の実施例に用いるＣｕ
−Ｚｎ金属基板８及び本発明の第１の実施例に用いるガ
ラス基板２にＮｉスパッタした膜３を用いた時のレジス
トパタ−ン孔５径と半球レンズ形７の曲率半径との関係
（比較）図である。横軸にはレジストパタ−ン孔５径、
縦軸には半球レンズ形７の曲率半径を示す。○はＮｉス
パッタ膜、△はＣｕ−Ｚｎ金属基板である。導電性のよ
いＣｕ−Ｚｎ金属基板８の場合にすると、レジストパタ
−ン孔５径を２００〜４００μｍに変えると半球レンズ
形７の曲率半径は０．８〜１．４ｍｍの間で変化させる
ことができ、かつ実用に適したものであることが分か
る。
−Ｚｎ金属基板８及び本発明の第１の実施例に用いるガ
ラス基板２にＮｉスパッタした膜３を用いた時のレジス
トパタ−ン孔５径と半球レンズ形７の曲率半径との関係
（比較）図である。横軸にはレジストパタ−ン孔５径、
縦軸には半球レンズ形７の曲率半径を示す。○はＮｉス
パッタ膜、△はＣｕ−Ｚｎ金属基板である。導電性のよ
いＣｕ−Ｚｎ金属基板８の場合にすると、レジストパタ
−ン孔５径を２００〜４００μｍに変えると半球レンズ
形７の曲率半径は０．８〜１．４ｍｍの間で変化させる
ことができ、かつ実用に適したものであることが分か
る。
【００１６】図８は本発明の第１、第２実施例に用いる
導電性基板の種類をパラメ−タ−とした硫酸ニッケル濃
度と半球レンズ形７の曲率半径との関係（比較）図であ
る。横軸には硫酸ニッケル濃度、縦軸には半球レンズ形
７の曲率半径を示す。○はＮｉスパッタ膜、△はＣｕ−
Ｚｎ基板である。同一のレジストパタ−ン孔５径にした
時、導電性のよいＣｕ−Ｚｎ金属基板８の方がより大き
な曲率を持った半球レンズ形７が得られることがわか
る。従って、導電率の良い金属を用いると、大きく曲率
の異なるレンズ金型１０ｂが作製できる。
導電性基板の種類をパラメ−タ−とした硫酸ニッケル濃
度と半球レンズ形７の曲率半径との関係（比較）図であ
る。横軸には硫酸ニッケル濃度、縦軸には半球レンズ形
７の曲率半径を示す。○はＮｉスパッタ膜、△はＣｕ−
Ｚｎ基板である。同一のレジストパタ−ン孔５径にした
時、導電性のよいＣｕ−Ｚｎ金属基板８の方がより大き
な曲率を持った半球レンズ形７が得られることがわか
る。従って、導電率の良い金属を用いると、大きく曲率
の異なるレンズ金型１０ｂが作製できる。
【００１７】
【発明の効果】本発明によるレンズ金型の製造方法によ
れば、導電性基板上にレジストパタ−ン孔を形成し、ス
ルファミン酸を主成分として少なくとも硫酸ニッケル１
０〜５０％及び光沢剤１〜３％からなるめっき液を使用
して、電鋳法により前記導電性基板上に設けたレジスト
パタ−ン孔間にニッケル金属を析出させレンズ金型を作
製するので、微小寸法で、例えば１２０ｎｍ以下の表面
粗さの少ないレンズ金型の作製が可能となる。従って、
これをマスタとして作製したレンズも、また表面粗さの
小さいものとなる。このようにして作製されたレンズ
は、解像度が高く、収差や乱反射のない明瞭な映像投射
スクリ−ンとなる。また本発明は、電鋳法で作製するの
でいったんセットした後は時間管理だけで済むため工数
の削減が大幅にできる。更に本発明によれば、レジスト
パタ−ン孔径を変えて作製することにより、異なる曲率
を持った半球レンズ形の金型が容易に作製可能なので、
焦点距離の異なる映像投射スクリ−ンを容易に得ること
ができる。
れば、導電性基板上にレジストパタ−ン孔を形成し、ス
ルファミン酸を主成分として少なくとも硫酸ニッケル１
０〜５０％及び光沢剤１〜３％からなるめっき液を使用
して、電鋳法により前記導電性基板上に設けたレジスト
パタ−ン孔間にニッケル金属を析出させレンズ金型を作
製するので、微小寸法で、例えば１２０ｎｍ以下の表面
粗さの少ないレンズ金型の作製が可能となる。従って、
これをマスタとして作製したレンズも、また表面粗さの
小さいものとなる。このようにして作製されたレンズ
は、解像度が高く、収差や乱反射のない明瞭な映像投射
スクリ−ンとなる。また本発明は、電鋳法で作製するの
でいったんセットした後は時間管理だけで済むため工数
の削減が大幅にできる。更に本発明によれば、レジスト
パタ−ン孔径を変えて作製することにより、異なる曲率
を持った半球レンズ形の金型が容易に作製可能なので、
焦点距離の異なる映像投射スクリ−ンを容易に得ること
ができる。
【図１】本発明の第１の実施例のレンズの製造方法を示
す工程図である。
す工程図である。
【図２】本発明の第２の実施例のレンズの製造方法を示
す工程図である。
す工程図である。
【図３】本発明で使用する電鋳法装置の概略図である。
【図４】陽極電極開口部面積をパラメ−タ−とした硫酸
ニッケル濃度と半球レンズ形面の表面粗さとの関係図で
ある。
ニッケル濃度と半球レンズ形面の表面粗さとの関係図で
ある。
【図５】陽極電極開口面積をパラメ−タ−とした硫酸ニ
ッケル濃度と半球レンズ形の曲率半径との関係図であ
る。
ッケル濃度と半球レンズ形の曲率半径との関係図であ
る。
【図６】積算電流と半球レンズ形の曲率半径との関係図
である。
である。
【図７】導電性基板の種類をパラメ−タ−としたレジス
トパタ−ン孔径と半球レンズ形の曲率半径との関係図で
ある。
トパタ−ン孔径と半球レンズ形の曲率半径との関係図で
ある。
【図８】導電性基板の種類をパラメ−タ−とした硫酸ニ
ッケル濃度と半球レンズ形の曲率半径との関係図であ
る。
ッケル濃度と半球レンズ形の曲率半径との関係図であ
る。
【図９】従来の製造方法で作製されたレンズ素子単体の
平面図である。
平面図である。
【図１０】従来のレンズ板成型金型マスタの断面図であ
る。
る。
１ａ、１ｂ レジストパタ−ン基板 ２ ガラス基板 ３ 金属膜（スパッタ膜） ４ レジスト ５ レジストパタ−ン孔 ６ ニッケル金属 ７ 半球レンズ形 ８ 導電性基板 １０ａ、１０ｂ レンズ金型
Claims (1)
- 【請求項１】導電性基板上にレジストパタ−ン孔を形成
し、スルファミン酸ニッケルを主成分として少なくとも
硫酸ニッケル１０〜５０％、光沢剤１〜３％とから成る
めっき液を使用し、電鋳法により前記導電性基板上に設
けたレジストパタ−ン孔間にニッケル金属を析出させる
ことを特徴とするレンズ金型の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7094479A JPH08258051A (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | レンズ金型の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7094479A JPH08258051A (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | レンズ金型の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08258051A true JPH08258051A (ja) | 1996-10-08 |
Family
ID=14111422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7094479A Pending JPH08258051A (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | レンズ金型の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08258051A (ja) |
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- 1995-03-27 JP JP7094479A patent/JPH08258051A/ja active Pending
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