CN103402908B - 在大面积上生产高度有序的纳米柱或纳米孔结构的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种特别在大面积上生产高度有序的纳米柱或纳米孔结构的改进方法，所述结构可用作NIL、热压印或注射成型工艺中的母模。所述方法涉及以下步骤：使用通过胶束嵌段共聚物纳米光刻工艺制成的金属纳米粒子的有序阵列装饰表面；以50‑500nm的深度将主基底蚀刻，其中所述纳米粒子作为掩膜，并且由此制备了对应于所述纳米粒子位置的纳米柱或纳米锥的有序阵列；在结构化过程使用纳米结构化的母模或者模板。而且，已完成的纳米结构化的基底表面可以用作涂覆有连续的金属层的牺牲母模，并且然后将该母模蚀刻掉，以留下具有纳米孔的有序阵列的金属模板，其中所述纳米孔的有序阵列为纳米柱或纳米锥原始阵列的负阵列。

Description

在大面积上生产高度有序的纳米柱或纳米孔结构的方法
发明背景
在各种基底表面上的纳米柱阵列或纳米锥阵列近年来因其可在重要工业应用中大范围地使用而获得了越来越多的关注。例如，这些结构可用作抗反射涂层(蛾眼效应)、用来减小摩擦或者改变润湿性。生产这些结构的最初方法专注于昂贵技术例如电子束光刻的使用。目前，已发明出许多基于自组装的由下而上法(如，《Nano Letters》第八卷，1429-1433(2008)，作者：Lohmüller，T.等；《ACS Nano》第3卷，第9期(2009)：2601-2608，作者：Park等)。这些技术使得生产成本下降至低到足以允许商业开发的水平。然而，至今还没有任何产品面市。
如已提到的，不仅纳米柱阵列的产生受到了关注，纳米锥阵列的产生也同样引起了人们的兴趣。然而，几乎所有与150纳米范围基底上的有序孔阵列有关的报道都仍然在使用昂贵并且耗时的光刻技术。以相对合理的成本复制纳米图案的现存唯一技术是纳米压印光刻。然而，鉴于此技术中用作模板(stamp)的母模(master)非常昂贵且需要频繁更换，其在许多应用中的大规模商用仍受到限制。
DE102007014538A1和DE102009060223.2中公开的BCML技术最终给用于高端光学器件的新一代精密抗反射涂层提供了可能性。所述高端光学器件的例子有高端相机镜头，医疗器械或者纳米/微型光学设备。然而，大量大规模生产的光学元件仍存在于借助透镜将光线聚集到光纤中的领域，如投影仪、手机相机或下一代的移动通信。这些“低端”光学器件的生产成本必须非常低。因此，选择的材料往往是聚合物，如PMMA。传统的薄膜抗反射涂层难以用在由聚合物制成的光学元件上，因为抗反射膜在聚合物上的粘接存在问题。因此，适宜采用其他抗反射技术，如Lohmüller，T.等在《Nano Letters》第八卷，1429-1433(2008)中提到的蛾眼结构化。然而，更重要的问题是传统抗反射涂层会显著增加光学元 件的生产成本。这也正是为何Lohmüller，T.等和DE 102007014538A1提出的技术不适用于那些对成本非常敏感的应用的原因。对于那些用于除抗反射涂层以外其他目的的低成本光学器件或纳米柱阵列来说，相同的论点也成立。
Park等已经在《ACS Nano》第3卷，第9期(2009)：2601-2608中提到了应用BCML技术在熔融的二氧化硅上制造柱体，随后将其作为NIL处理中的母模。但是，该文描述的方法非常复杂且费时。特别是，其花费几天时间提供以纳米柱纳米结构化的基底，纳米柱之间的平均距离在20nm以下且不能轻易地调整至更大的距离。
到目前为止，没有任何大规模生产具有纳米柱/纳米锥/纳米孔的成本敏感型产品的方法面市。
发明内容
鉴于现有技术中所采用方法的这些缺陷，本发明的主要目的是提供以简单、快捷和成本高效的方式、特别是在大面积上、生产高度有序的纳米柱或纳米孔结构的改进方法，所述结构可用作NIL，热压印或注射成型工艺中的母模。
所述目的已通过提供权利要求1和2的方法实现。本发明的其他方面和/或具体实施方式为其它权利要求的主题。
权利要求1涉及一种在基底表面制造高度有序的纳米孔或纳米柱结构的方法，包括：
a)提供主基底，其至少一个表面上饰有通过胶束嵌段共聚物纳米光刻工艺制成的金属纳米粒子的有序阵列。
b)以预定深度将步骤a)所述的主基底蚀刻，优选深度的范围为50-500nm，其中，所述纳米粒子作为掩膜，并且制备对应于所述纳米粒子位置的纳米柱或纳米锥的有序阵列。
c)将步骤b)中得到的纳米结构化的基底作为纳米压印光刻(NIL)、热压印或注射成型工艺中的母模或模板。
权利要求2涉及在基底表面制造高度有序的纳米孔或纳米柱结构的 方法，包括：
a)提供主基底，其至少一个表面上饰有通过胶束嵌段共聚物纳米光刻工艺制成的金属纳米粒子的有序阵列。
b)以预定深度将步骤a)所述的主基底蚀刻，优选深度的范围为50-500nm，其中，所述纳米粒子作为掩膜，并且制备对应于所述纳米粒子位置的纳米柱或纳米锥的有序阵列；
c)将步骤b)得到的纳米结构化基底表面用连续金属层涂覆；
d)用除去所述主基底而不除去金属层的蚀刻剂如HF选择性蚀刻步骤c)的产物，由此产生包含纳米孔有序阵列的金属基底，其中纳米孔有序阵列为纳米柱或纳米锥原始阵列的负(negative)阵列。
本发明包括两种大体不同的方法，其都通过价格低廉的复制工艺将表面纳米结构化。
方法一涉及纳米压印光刻(NIL，nanoimprint lithography)。在这项技术中，抗蚀层被沉积在表面上，其后用模板将该抗蚀层纳米结构化。随后，利用紫外线照射或加热使所述抗蚀层聚合。最后将模板移去，薄且硬化的抗蚀层则留在所述表面上，然后利用干蚀刻、溅射或其他方法对其进行进一步加工。该进一步加工所述样品的附加步骤在本申请稍后描述的技术中是非必要的，但NIL的优势在于有关所述基底材料的挠性。
方法二涉及若干用于基底的直接结构化的更直接方法。对于某些材料(如塑料、玻璃)，可以直接将样品结构化而无需额外步骤。所述方法有很多，如注射成型、反应注射成型、热压印、注射压缩成型、精密成型(玻璃)和热成型。然而，由于这些方法都非常相似，以下讨论仅区分两种最不同的方法，即热压印和注射成型。在热压印中，加热的母模被按压入模坯(blank)中；在注射成型中，液态塑料被注入模具里。在是玻璃的情况中，热压印被称为精密成型，且此项技术在过去几年里获得了很多关注。
在以上两种方法中，首先都是将主基底纳米结构化。纳米柱/纳米锥根据DE 102007014538A1(柱)或DE102009060223.2(锥)中的步骤制造，即以饰有纳米粒子的基底表面开始，其中该纳米粒子通过胶束嵌段共聚 物纳米光刻(在图1中示出)制造。
用于 NIL 的模板
主基底通过以上所述的方法装饰有纳米柱或纳米锥。该纳米结构化的基底不用作光学元件(抗反射性)，而是作为NIL(纳米压印蚀刻)工艺中的模板。至于主基底，主要可使用任何适用于反应性离子蚀刻的基底。更具体地，所述基底选自由玻璃和硅组成的组，该玻璃特别为硼硅酸盐玻璃和熔融二氧化硅。
优选地，熔融二氧化硅用作所述主基底。该材料因结合了一些有利特征而经常被选作商用模板。第一，其可透过紫外线，因此可允许以UV照射开始抗蚀层的硬化(聚合)处理。第二，其膨胀系数小，这对于由加热形成的抗蚀层有利。第三，SiO2(熔融二氧化硅)易被含有硅烷基团的化学品处理从而改变其润湿特性。通常以疏水性硅烷处理熔融二氧化硅以防止所述基底粘附至NIL-抗蚀层。
在根据权利要求1或2的方法中，步骤b)的蚀刻优选包括反应性离子蚀刻处理。用于该处理的蚀刻剂可为本领域已知的适合蚀刻各种主基底的任何蚀刻剂。更具体地，所述蚀刻剂选自由氯气(chlorine)、气态氯化合物、氟烃、碳氟化合物、氧气(oxygen)、氩气(argon)、SF6及其任意混合物组成的组。
在本发明方法的一种具体实施例中，所述纳米锥的形状基本相当于半个双曲线体。
这样的纳米锥可根据DE102009060223.210中公开的方法制造。该方法的特征在于：在蚀刻步骤b)中，调整蚀刻参数，从而制造双曲线体结构，并通过在双曲线体结构的最小直径区域施加优选为超声波的机械外力断开所述双曲线体结构来制造所述纳米锥。
在本发明的方法中，步骤a)中的纳米粒子可以是任何可由胶束嵌段共聚物纳米光刻制成的金属纳米粒子。更具体地，所述金属纳米粒子为贵金属如金、银、铂的纳米粒子，优选金纳米粒子、镍纳米粒子或者铬纳米粒子。
所述主基底的纳米柱或纳米锥的平均间距通常为20-400nm，优选25-300nm，更优选50-250nm。如DE 102007014538A1(柱)或DE102009060223.2(锥)中公开的其制造方法有利地允许在亚微米级范围内的大范围上方便地地调整柱或孔之间的间隔及高度。
从图2显而易见，所述抗蚀层在经NIL处理之后饰有孔。所述纳米结构化的抗蚀层可用作掩膜以通过蚀刻(干蚀刻工艺)在其下方的基底(支撑所述抗蚀层)上制造孔阵列。在所述抗蚀层上由这种孔生成纳米柱结构的方法有以下任意一种：先用PVD(物理气相沉积)然后去除所述抗蚀层，或者用另一个下方的抗蚀膜将所述结构反转。这两种方法都是行之有效的。因此，使用由纳米柱结构化的母模制造孔或柱结构是直截了当的。
目前市场上可获得的用于NIL的工具(母模模板)非常昂贵。依据规格，其价格可超过10000欧元/片，这是用现有技术制造的母模价格的500倍多。鉴于NIL工艺中的模板不得不频繁更换，显著降低母模模板的成本即可降低生产成本。
本发明提供一种通过相当便捷、迅速、高效的处理、经由NIL技术在各种材料/表面上复制柱或孔结构的模板，导致生产成本的显著下降。
用于热压印或注射成型的母模
上述NIL法用于在表面上形成特殊抗蚀层的图案。需要在附加步骤(如干蚀刻)中将该抗蚀层图案转印至所述基底自身上。因此，需要其他方法来直接结构化样品，因为这对于廉价的批量生产组件而言是优选的。这样的方法主要有两种：利用压缩成型或铸造法形成样品。在压缩成型的情况中，热压印(用于塑料)和精密成型(用于塑料)之间通常是有区别的。但两种情况中的技术是相同的，即将经加热的母模按压进模具中。随后，移走所述母模，冷却复制品，如需要可对复制品进行其它处理。
另一方法是注射成型，其不需要将母模按压进模具中，而是把经加热的液体材料(通常是聚合物)注入母模模具中。待冷却及硬化后，移 走所述模具，如需要可对样品进行其它处理。
这两个方法都需要母模，其与最终产品形状相反。例如，在生产凸透镜时需要凹母模。此外，所述工具材料的选择通常不是熔融二氧化硅而是金属合金。这阻止利用我们如上所述的BCML法容易地制造母模。取而代之的，需要下述附加步骤。整个过程与LIGA法相似(《Microelectronic Engineering》第4卷，第1期，35-36(1986年5月)，作者：Becker等)，但不需要同步辐射。
首先，如上针对NIL中模板所述的，制造主模板如熔融二氧化硅模板。
得到的纳米结构化主模板被“种”(装饰)以金属，该金属优选耐氢氟酸且较硬的金属，如铬或镍。这可由两种不同的方法实现：采用物理气相沉积(PVD)如溅射或蒸发，或者通过把金属胶体粘接到所述熔融二氧化硅基底上。
随后，用无电镀沉积使金属膜长出。在镍和铬的情况下，此方法是一种广泛应用于工业的完善工艺。所述样品被浸没在电镀溶液中直至获得所需的膜厚度。
如有必要，可通过电镀(过程比无电镀沉积快)进一步增大所述层的厚度。若金属层足够厚，则将整个样品结合至载体板。该载体板也配有合适的架座，使其可作为母模放置于注射成型或压缩成型设备中。
所述金属层的金属可以是任何能够抵抗在之后蚀刻步骤中用到的蚀刻剂的金属或者金属合金。更具体地，所述金属层的金属选自由镍、铬或诸如镍-钴一类合金组成的组。
在最后一步中，所述主基底被移至用于熔融二氧化硅或玻璃基底的蚀刻溶液例如氢氟酸溶液中。
通过这些步骤所得的纳米结构化金属基底可作为纳米压印光刻(NIL)、热压印或注射成型工艺中的母模或者模板以将所述纳米结构复制至其他基底。
在本发明的一种优选实施方式中，在上述纳米压印光刻(NIL)、热压印或注射成型工艺期间纳米结构化的最终基底表面是非平面，特别地， 是凸面或凹面表面。
更具体地，在上述纳米压印光刻(NIL)、热压印或注射成型工艺中纳米结构化的最终基底表面是光学元件或传感器件或太阳能电池的部件的表面，所述光学元件如雷达干扰带(window)、透镜、微透镜阵列、人工晶状体。
玻璃(或熔融二氧化硅)可经多种方法被加工成几乎任意的形状。主要的例子是非常微小的微透镜阵列(MLA,microlense array)。鉴于也可以使用DE 102007014538A1和DE102009060223.21,2,3中描述的技术为纳米柱提供几乎每一种形貌，供注射成型或压缩成型(热压印或精细成型)使用的负母模(negative master)可形成以满足大部分应用。本发明人的团队已显示了在熔融微透镜阵列上制造微柱。也将可以利用以上所述的方法制造MLA中的注射成型工具。投影仪是典型的应用，其中MLA是必要的。光线强度对于该应用非常重要，尤其是对于新兴的LED投影仪。然而，由于生产成本是非常重要的因素，大多数投影仪的微透镜阵列根本没有抗反射涂层。但是，尽管注射成型/热压印/精密成型工艺相对于直接制造纳米结构化的样品有其优势，目前仍没有成本有效的方法来制造饰有有序纳米柱阵列的模具/模板。
所述的基本复制技术目前被广泛应用并且在几乎无数出版物及专利中提及。也有一些出版物/专利涉及各种这些复制技术所用到的工具的生产技术。无电镀沉积和电沉积是制造薄层及微机械工具(LIGA工艺)的标准技术。与原来的LIGA技术相比，本方法无需附加抗蚀层且不用同步辐射。另一处不同在于所用的基底材料：玻璃或者熔融二氧化硅而不是PMMA。总之，本发明提供使用由上述方法制成的柱/锥图案化的熔融二氧化硅样品作为热压印或注射成型中的NIL母模或工具而并非抗反射涂层。据发明人所知，该方法是为首个快捷、价格低廉可商用的模板/工具生产方法。
以下借助非限制性实施例及附图对本发明进行进一步说明。
附图说明
图1为示出通过胶束嵌段共聚物纳米光刻来制造主基底上的纳米柱的方法的示意图。
图2为示出采用顶部有纳米柱阵列的熔融二氧化硅样品作为NIL工艺中的模板的示意图。
图3为示出制造用于热压印和注射成型的纳米结构化金属工具的示意图。
图3a为示出顶部有纳米柱的熔融二氧化硅样品的示意图。
图3b为示出用薄金属层或胶体种过后的纳米柱阵列的示意图。
图3c为示出图3b中柱阵列的示意图，但其中的薄金属层已通过无电镀沉积长成为连续的膜。
图3d为示出完整工具的示意图，其中工具与载体板结合并配有合适的架座。
图3e为示出成品工具的示意图。
图4为熔融二氧化硅样品上的柱结构(高度近似为250nm)的SEM图。该图以45度视角拍摄且该表面已用金刚石尖划擦以更清晰地展示所述柱的形状。
图5为示出塑料箔的电子显微图像。该塑料箔上压印了如图1的样品，但其高度低于图1中柱的高度。该结构被复制于一大面积上且前述的柱阵列被转换成孔阵列。
图6为与图5相同的样品的电子显微图像，但其放大倍数更高。所述因压印的纳米柱而形成的孔清晰可见。
图7为聚合物片的SEM图，其中已压入具有较高纳米柱的模板。不管该柱的高度，制造方法与图2和图3中的相同。此处视角为45度，其中的缺陷是由压印过程中的灰尘污染造成的。
图8为图7中所示样品的俯视SEM图。
图9为熔融二氧化硅样品的电子显微图像，该样品已被压入聚合物片中以制造图7及图8中所示的结构。所述柱结构保持不变。此处视角为45度。
图10为25度视角下拍摄的与图4相似的柱结构的电子显微图像，但该结构通过溅射涂覆了薄金层。同预计的一样，仅通过溅射制造封闭膜是不可能的(鉴于样品形貌的原因)。
图11为与图10相同的样品的电子显微图像，但该样品已经过无电镀金沉积。产生的厚膜将所述柱结构完全覆盖。
图12示出的是在玻璃已被氢氟酸去掉后位于图11反面的金金属膜。所述玻璃的柱结构已转移至金属中。使用该结构做模具或模板可产生样品，其如图4中原始样品一样装饰有柱。
具体实施方式
实施例 1
用于NIL/压印工艺的母模的制造方法及特点
已利用如下的测试验证了上述饰有纳米柱/纳米锥的样品适用作NIL/压印工艺中的母模：采用NIL设备，把一份样品压入塑料膜。此塑料膜用于特殊NIL工艺的中间步骤中，此塑料膜由Obducat公司制造且为公众提供。
如在以上概述部分针对第二种方法所述的，此塑料膜作为压印可行性的模型系统。测试两种不同的纳米柱阵列：具有较小柱的纳米柱阵列和具有略高柱的纳米柱阵列。该(较高)熔融二氧化硅纳米柱模板的SEM图像在图4中示出。
所述熔融二氧化硅母模通过NIL工艺压入塑料膜。为达到此目的，已使用饰有纳米柱的扁平熔融二氧化硅母模(主要根据DE 102007014538A1的方法)。各个柱之间的间距和高度分别约为80nm和约100nm至250nm。在NIL工艺前，所述母模已由蒸发沉积的硅烷(3-氨基丙基三乙氧硅烷)处理过以减小母模和样品间的粘附。采用具有较小柱的母模会形成有序排列的孔(如图5、6)，但具有较高结构的母模复制出其他纳米结构(如图7、8)。为证明所述母模上的柱结构未在转印过程中被破坏且母模可多次使用，在母模被压入所述塑料膜后扫描其电镜图像。所述柱结构保持不变(如图9)。
实施例 2
注射成型或压缩成型工艺中金属母模的制造方法及测试
利用下述实验证明可成功地制造用于注射成型或压缩成型工艺的工具。首先，用胶束嵌段共聚物纳米光刻制造饰有纳米柱或纳米锥的熔融二氧化硅样品(主要如DE 102007014538A1或DE102009060223.2中所述)。得到的柱间距约为80nm，柱高度约为250nm。随后，该样品在一种市场可获得的工具(Baltec MSC01)中经过约120s溅射(如图10)被涂覆约50nm的薄金层。此处使用金而非镍或铬，原因是金较容易通过无电镀沉积而沉积。
接下来该层通过无电镀沉积进一步生长(如图11)。为达到此目的，所述样品被暴露于1mM HAuCl4水溶液。所述无电镀沉积由还原剂盐酸羟胺启动。整个沉积过程持续约1h。所得的膜有些许粗糙，这在无电镀沉积中经常发生。如果这成为问题，可通过附加的退火步骤将膜抚平。所述过程的下一步是结合载体板。为加快进程，该步骤被略过，且金涂覆的样品被抗氢氟酸环氧化物结合以进行概念验证试验。最后，所述样品于室温下在40％的氢氟酸中蚀刻12h以去除SiO2，剩余的金属结构如图12所示。此处所示的结构即是通过生产所述注射成型工具的最后步骤所实现的(如图3e)。所得到的结构为原始柱结构的负结构。

Claims (21)

1.一种在基底表面制造高度有序的纳米孔或纳米柱结构的方法，包括：
a)提供主基底，其至少一个表面上饰有通过胶束嵌段共聚物纳米光刻工艺制成的金属纳米粒子的有序阵列；
b)以预定深度将步骤a)的主基底蚀刻，其中，所述纳米粒子作为掩膜，并且制备了对应于所述纳米粒子位置的纳米柱或纳米锥的有序阵列；
c)用连续的金属层涂覆步骤b)得到的纳米结构化基底表面；
d)用除去所述主基底而不除去金属层的蚀刻剂选择性蚀刻步骤c)的产物，由此产生包含纳米孔有序阵列的金属基底，其中所述纳米孔有序阵列为纳米柱或纳米锥原始阵列的负阵列；
其中所述纳米锥的形状基本相当于半个双曲线体，
在蚀刻步骤b)中，生成双曲线体结构，并通过在所述双曲线体结构的最小直径区域施加机械外力断开所述双曲线体结构来生成所述纳米锥。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤c)中用连续金属层涂覆所述主基底由以下步骤实现：
i)通过物理气相沉积或者金属胶体的粘附来施用初始金属膜即种子层；
ii)用无电镀沉积或电镀使所述初始金属膜增长，直至所述金属层达到预定的最终厚度。
3.根据权利要求1或2所述的方法，所述金属层的金属选自由镍、铬或镍-钴的合金组成的组。
4.根据权利要求1或2所述的方法，所述方法进一步包括将步骤d)中得到的纳米结构化金属基底作为纳米压印光刻NIL、热压印或注射成型工艺中的母模或者模板。
5.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述主基底选自由玻璃和硅组成的组。
6.根据权利要求1或2所述的方法，其中步骤b)的蚀刻包括反应性离子蚀刻处理。
7.根据权利要求6所述的方法，其中步骤b)的蚀刻包含用蚀刻剂处理，所述蚀刻剂选自由氯气、气态氯化合物、氟烃、碳氟化合物、氧气、氩气、SF6及其任意混合物组成的组。
8.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述纳米粒子为贵金属纳米粒子。
9.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述纳米柱或纳米锥的平均间距为20-400nm。
10.根据权利要求1或2所述的方法，其中在纳米压印光刻NIL、热压印或注射成型工艺期间纳米结构化的最终基底表面是非平面表面。
11.根据权利要求1或2所述的方法，其中在纳米压印光刻NIL、热压印或注射成型工艺期间纳米结构化的最终基底表面是光学元件或传感器件或太阳能电池的部件的表面。
12.根据权利要求1所述的方法，其中预定深度的范围为50-500nm。
13.根据权利要求1所述的方法，其中蚀刻剂为HF。
14.根据权利要求1所述的方法，其中机械外力是超声波。
15.根据权利要求2所述的方法，其中物理气相沉积是溅射或蒸发。
16.根据权利要求5所述的方法，其中所述玻璃为硼硅酸盐玻璃、熔融二氧化硅。
17.根据权利要求8所述的方法，其中所述纳米粒子为金纳米粒子、镍纳米粒子或者铬纳米粒子。
18.根据权利要求9所述的方法，其中所述纳米柱或纳米锥的平均间距为25-300nm。
19.根据权利要求9所述的方法，其中所述纳米柱或纳米锥的平均间距为50-250nm。
20.根据权利要求10所述的方法，其中非平面表面是凸面或凹面表面。
21.根据权利要求11所述的方法，其中所述光学元件为雷达干扰带、透镜、微透镜阵列、人工晶状体。
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