JPH08249614A - 制御飽和薄膜磁気書込みヘッド - Google Patents
制御飽和薄膜磁気書込みヘッドInfo
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- JPH08249614A JPH08249614A JP8044407A JP4440796A JPH08249614A JP H08249614 A JPH08249614 A JP H08249614A JP 8044407 A JP8044407 A JP 8044407A JP 4440796 A JP4440796 A JP 4440796A JP H08249614 A JPH08249614 A JP H08249614A
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ゼロ・スロート・ポイントとヨーク・フレア
・ポイントとの間の第１および第２の磁気ヨーク層の幅
が徐々に広がり、この長さにわたって磁束密度が一様に
なり、単一電流で長さ全体が急激に飽和に達するように
なっている薄膜磁気ヘッドを提供する。 【解決手段】 その結果、この長さの飽和が起こると、
空気軸受け表面のギャップの磁場がわずかに増加し、飽
和値を上回る電流の場合に書込み磁場が一定になる。
・ポイントとの間の第１および第２の磁気ヨーク層の幅
が徐々に広がり、この長さにわたって磁束密度が一様に
なり、単一電流で長さ全体が急激に飽和に達するように
なっている薄膜磁気ヘッドを提供する。 【解決手段】 その結果、この長さの飽和が起こると、
空気軸受け表面のギャップの磁場がわずかに増加し、飽
和値を上回る電流の場合に書込み磁場が一定になる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般的には磁気ヘ
ッドに関し、より具体的には薄膜磁気書込みヘッドに関
する。
ッドに関し、より具体的には薄膜磁気書込みヘッドに関
する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドは、ディスク・ドライブ
などのデータ記憶装置では広く使用されている。本出願
人に譲渡された米国特許第４８７８２９０号には、薄膜
磁気ヘッドの１つの設計が示されている。また、米国特
許第５２５５１４２号にも、同様の薄膜磁気ヘッドの設
計が記載されている。このタイプの薄膜磁気ヘッド２
（図１を参照）は磁気ヨーク３を含み、この磁気ヨーク
は２つの磁気層を含み、これらの磁気層は、後部ギャッ
プ領域４では互いに接触し、中央領域では間隔をあけて
離れ、電極先端領域５ではわずかな間隔をあけて離れ、
変換ギャップを形成する。磁気ヨーク３は、中央領域の
２つの磁気層間の空間に付着させたフラット・コイル６
によって励起される。この磁気ヨーク層は、電極先端領
域ではほぼ一定の幅を有し、この幅はフレア・ポイント
７まで延び、このフレア・ポイントで磁気ヨーク層の幅
は徐々に広くなり、その幅広の領域が後部ギャップ領域
４まで延びている。
などのデータ記憶装置では広く使用されている。本出願
人に譲渡された米国特許第４８７８２９０号には、薄膜
磁気ヘッドの１つの設計が示されている。また、米国特
許第５２５５１４２号にも、同様の薄膜磁気ヘッドの設
計が記載されている。このタイプの薄膜磁気ヘッド２
（図１を参照）は磁気ヨーク３を含み、この磁気ヨーク
は２つの磁気層を含み、これらの磁気層は、後部ギャッ
プ領域４では互いに接触し、中央領域では間隔をあけて
離れ、電極先端領域５ではわずかな間隔をあけて離れ、
変換ギャップを形成する。磁気ヨーク３は、中央領域の
２つの磁気層間の空間に付着させたフラット・コイル６
によって励起される。この磁気ヨーク層は、電極先端領
域ではほぼ一定の幅を有し、この幅はフレア・ポイント
７まで延び、このフレア・ポイントで磁気ヨーク層の幅
は徐々に広くなり、その幅広の領域が後部ギャップ領域
４まで延びている。
【０００３】このタイプの薄膜磁気ヘッドは、長年にわ
たって多くの応用分野で正常に使用されてきた。しか
し、このヘッドは、書込み電流が広範囲に及んでも書込
み磁場が一定でなければならない応用分野には適さない
ような動作特性を有する。
たって多くの応用分野で正常に使用されてきた。しか
し、このヘッドは、書込み電流が広範囲に及んでも書込
み磁場が一定でなければならない応用分野には適さない
ような動作特性を有する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
主な目的は、大電流範囲でも書込み磁場が一定になる薄
膜磁気ヘッドを提供することにある。
主な目的は、大電流範囲でも書込み磁場が一定になる薄
膜磁気ヘッドを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、薄膜磁
気ヘッドは、電極先端領域から後部ギャップ領域まで延
びる第１の磁気ヨーク層と、電極先端領域で第１の磁気
ヨーク層から所定のわずかな距離だけ離れて変換ギャッ
プを形成し、ゼロ・スロート・ポイントで第１の磁気ギ
ャップ層から分かれ始めて中央領域で磁気ヨーク層間の
空間を形成し、後部ギャップ領域で第１の磁気ヨーク層
と接触している第２の磁気ヨーク層とを含む。これらの
磁気ヨーク層は、ゼロ・スロート・ポイントから前記後
部ギャップ領域に向かってフレア・ポイントまで延び、
そこで磁気ヨーク層の幅が徐々に増加する。このヨーク
構造は、磁気ヨーク層間の空間に付着させた導体コイル
によって活動化される。第１および第２の磁気ヨーク層
の幅は、ゼロ・スロート・ポイントとフレア・ポイント
との間で徐々に広がり、書込み電流がコイルに印加され
ると、ゼロ・スロート・ポイントからフレア・ポイント
までの磁気ヨーク層の長さがほぼ同時に飽和し、その飽
和値を上回る書込み電流の場合に書込み磁場が一定にな
るようになっている。
気ヘッドは、電極先端領域から後部ギャップ領域まで延
びる第１の磁気ヨーク層と、電極先端領域で第１の磁気
ヨーク層から所定のわずかな距離だけ離れて変換ギャッ
プを形成し、ゼロ・スロート・ポイントで第１の磁気ギ
ャップ層から分かれ始めて中央領域で磁気ヨーク層間の
空間を形成し、後部ギャップ領域で第１の磁気ヨーク層
と接触している第２の磁気ヨーク層とを含む。これらの
磁気ヨーク層は、ゼロ・スロート・ポイントから前記後
部ギャップ領域に向かってフレア・ポイントまで延び、
そこで磁気ヨーク層の幅が徐々に増加する。このヨーク
構造は、磁気ヨーク層間の空間に付着させた導体コイル
によって活動化される。第１および第２の磁気ヨーク層
の幅は、ゼロ・スロート・ポイントとフレア・ポイント
との間で徐々に広がり、書込み電流がコイルに印加され
ると、ゼロ・スロート・ポイントからフレア・ポイント
までの磁気ヨーク層の長さがほぼ同時に飽和し、その飽
和値を上回る書込み電流の場合に書込み磁場が一定にな
るようになっている。
【０００６】
【発明の実施の形態】次に図２を参照すると、本発明は
図２に示すように磁気ディスク記憶システムで実施され
るものとして記載されているが、本発明は、たとえば、
磁気テープ記録システムなどの他の磁気記録システム
や、磁場の検出にセンサが使用される他の応用分野にも
適用可能であることが明らかになるだろう。磁気ディス
ク記憶システムは、スピンドル１４上に支持され、ディ
スク・ドライブ・モータ１８によって回転される、少な
くとも１つの回転可能磁気ディスク１２を含む。各ディ
スク上の磁気記録媒体は、ディスク１２上の同心データ
・トラック（図示せず）の環状パターンの形式になって
いる。
図２に示すように磁気ディスク記憶システムで実施され
るものとして記載されているが、本発明は、たとえば、
磁気テープ記録システムなどの他の磁気記録システム
や、磁場の検出にセンサが使用される他の応用分野にも
適用可能であることが明らかになるだろう。磁気ディス
ク記憶システムは、スピンドル１４上に支持され、ディ
スク・ドライブ・モータ１８によって回転される、少な
くとも１つの回転可能磁気ディスク１２を含む。各ディ
スク上の磁気記録媒体は、ディスク１２上の同心データ
・トラック（図示せず）の環状パターンの形式になって
いる。
【０００７】ディスク１２上には少なくとも１つのスラ
イダ１３が位置決めされ、それぞれのスライダ１３が１
つまたは複数の磁気読取り／書込み変換器２１（通常、
読取り／書込みヘッドという）を支持している。ディス
クが回転すると、スライダ１３がディスク表面２２上を
半径方向に内側および外側に向かって移動し、ヘッド２
１が所望のデータが記録されているディスクのさまざま
な部分にアクセスできるようになっている。それぞれの
スライダ１３は、サスペンション１５によってアクチュ
エータ・アーム１９に取り付けられている。サスペンシ
ョン１５はわずかなスプリング力を与え、このスプリン
グ力がスライダ１３をディスク表面２２に対して偏向さ
せる。それぞれのアクチュエータ・アーム１９はアクチ
ュエータ手段２７に取り付けられている。図１に示すア
クチュエータ手段は、たとえば、ボイス・コイル・モー
タ（ＶＣＭ）にすることができる。ＶＣＭは、一定の磁
場内で移動可能なコイルを含み、そのコイル移動の方向
と速度は制御装置によって供給されるモータ電流信号に
よって制御される。
イダ１３が位置決めされ、それぞれのスライダ１３が１
つまたは複数の磁気読取り／書込み変換器２１（通常、
読取り／書込みヘッドという）を支持している。ディス
クが回転すると、スライダ１３がディスク表面２２上を
半径方向に内側および外側に向かって移動し、ヘッド２
１が所望のデータが記録されているディスクのさまざま
な部分にアクセスできるようになっている。それぞれの
スライダ１３は、サスペンション１５によってアクチュ
エータ・アーム１９に取り付けられている。サスペンシ
ョン１５はわずかなスプリング力を与え、このスプリン
グ力がスライダ１３をディスク表面２２に対して偏向さ
せる。それぞれのアクチュエータ・アーム１９はアクチ
ュエータ手段２７に取り付けられている。図１に示すア
クチュエータ手段は、たとえば、ボイス・コイル・モー
タ（ＶＣＭ）にすることができる。ＶＣＭは、一定の磁
場内で移動可能なコイルを含み、そのコイル移動の方向
と速度は制御装置によって供給されるモータ電流信号に
よって制御される。
【０００８】ディスク記憶システムの動作中、ディスク
１２が回転すると、スライダ１３とディスク表面２２と
の間に空気軸受が形成され、それがスライダ上で上向き
の力すなわち揚力を発揮する。したがって、この空気軸
受は、サスペンション１５のわずかなスプリング力を相
殺し、動作中にわずかでほぼ一定の間隔分だけスライダ
１３をディスク表面から離してわずかに浮き上がった状
態で支持する。
１２が回転すると、スライダ１３とディスク表面２２と
の間に空気軸受が形成され、それがスライダ上で上向き
の力すなわち揚力を発揮する。したがって、この空気軸
受は、サスペンション１５のわずかなスプリング力を相
殺し、動作中にわずかでほぼ一定の間隔分だけスライダ
１３をディスク表面から離してわずかに浮き上がった状
態で支持する。
【０００９】ディスク記憶システムのさまざまな構成要
素は、アクセス制御信号や内部クロック信号など、制御
ユニット２９によって生成される制御信号によって動作
が制御される。通常、制御ユニット２９は、たとえば、
論理制御回路、記憶手段、マイクロプロセッサなどを含
む。制御ユニット２９は、線２３上のドライブ・モータ
制御信号や、線２８上のヘッド位置シーク制御信号な
ど、さまざまなシステムの動作を制御するための制御信
号を生成する。線２８上の制御信号は、関連ディスク１
２上の所望のデータ・トラックまで指定のスライダ１３
を最適に移動させて位置決めするために、所望の電流プ
ロファイルを提供する。読取り／書込みヘッド２１との
読取り信号および書込み信号のやりとりは、記録チャネ
ル２５によって行われる。
素は、アクセス制御信号や内部クロック信号など、制御
ユニット２９によって生成される制御信号によって動作
が制御される。通常、制御ユニット２９は、たとえば、
論理制御回路、記憶手段、マイクロプロセッサなどを含
む。制御ユニット２９は、線２３上のドライブ・モータ
制御信号や、線２８上のヘッド位置シーク制御信号な
ど、さまざまなシステムの動作を制御するための制御信
号を生成する。線２８上の制御信号は、関連ディスク１
２上の所望のデータ・トラックまで指定のスライダ１３
を最適に移動させて位置決めするために、所望の電流プ
ロファイルを提供する。読取り／書込みヘッド２１との
読取り信号および書込み信号のやりとりは、記録チャネ
ル２５によって行われる。
【００１０】典型的な磁気ディスク記憶システムの上記
の説明と、図２の添付図面は、例示のみを目的とするも
のである。したがって、ディスク記憶システムは多数の
スライダを含む場合もあることは明らかなはずである。
の説明と、図２の添付図面は、例示のみを目的とするも
のである。したがって、ディスク記憶システムは多数の
スライダを含む場合もあることは明らかなはずである。
【００１１】本発明の特徴によれば、磁気電極のゼロ・
スロート高と、ヨーク部分を形成するために電極がフレ
アし始めるポイントとの間の部分の幅は、徐々に増加す
る。すなわち、ゼロ・スロート高からフレア・ポイント
までテーパを形成する。この幅の増加量は、テーパの長
さにわたって磁束密度が一様になるように選択する。し
たがって、所定の電流になると、テーパの長さ全体が急
激に飽和に達する。飽和時にこの長さは、電極先端への
追加磁束のための非常に幅広のエア・ギャップとして機
能する。その結果、長さの飽和が発生すると、空気軸受
け表面（ＡＢＳ）での変換ギャップの磁場はわずかに増
加し、飽和値を上回る書込み電流の場合に書込み磁場が
一定になる。
スロート高と、ヨーク部分を形成するために電極がフレ
アし始めるポイントとの間の部分の幅は、徐々に増加す
る。すなわち、ゼロ・スロート高からフレア・ポイント
までテーパを形成する。この幅の増加量は、テーパの長
さにわたって磁束密度が一様になるように選択する。し
たがって、所定の電流になると、テーパの長さ全体が急
激に飽和に達する。飽和時にこの長さは、電極先端への
追加磁束のための非常に幅広のエア・ギャップとして機
能する。その結果、長さの飽和が発生すると、空気軸受
け表面（ＡＢＳ）での変換ギャップの磁場はわずかに増
加し、飽和値を上回る書込み電流の場合に書込み磁場が
一定になる。
【００１２】次に図３および図４を参照すると、同図に
は本発明による薄膜磁気ヘッドの特定の実施例が示され
ている。薄膜磁気ヘッド３０は、たとえば、パーマロイ
などの磁性材料からなる２つの層３２（ｐ１）および３
４（ｐ２）から形成されたヨーク構造を含む。層３２お
よび３４は、整形層３１および３３をそれぞれ含む２つ
の段階に付着していることが好ましい。これらの層３２
および３４は、後部ギャップ領域３８を除き、絶縁層３
５、３６、３７によって分離され、この後部ギャップ層
では物理的に接触し、電極先端領域３９では、非磁性材
料からなる薄い層４０によって分離されて変換ギャップ
４１を形成する。
は本発明による薄膜磁気ヘッドの特定の実施例が示され
ている。薄膜磁気ヘッド３０は、たとえば、パーマロイ
などの磁性材料からなる２つの層３２（ｐ１）および３
４（ｐ２）から形成されたヨーク構造を含む。層３２お
よび３４は、整形層３１および３３をそれぞれ含む２つ
の段階に付着していることが好ましい。これらの層３２
および３４は、後部ギャップ領域３８を除き、絶縁層３
５、３６、３７によって分離され、この後部ギャップ層
では物理的に接触し、電極先端領域３９では、非磁性材
料からなる薄い層４０によって分離されて変換ギャップ
４１を形成する。
【００１３】本発明の特徴によれば、電極先端領域３９
の幅は、以下に詳述するようにゼロ・スロート・ポイン
ト４５からフレア・ポイント４６に向かってテーパされ
ている。層３２および３４の間の空間には平らな導体コ
イル４２が含まれている。コイル４２は、絶縁材料から
なる層３５、３６、３７の間に楕円パターン状にメッキ
された２つの層内に複数の巻線４３ａ〜ｎを有する。変
換ギャップ４１の端部は、非磁性基板４４上に形成され
たＡＢＳと一致し、その基板上に上記の層が付着されて
いる。変換ギャップ４１は、回転式磁気ディスク１２な
どの磁気記録媒体と空気軸受け関係にあって相互に作用
する。磁気ディスクが回転すると、ヘッド３０は、ＡＢ
Ｓがディスクの記録表面２２に非常に隣接した状態で浮
上する。
の幅は、以下に詳述するようにゼロ・スロート・ポイン
ト４５からフレア・ポイント４６に向かってテーパされ
ている。層３２および３４の間の空間には平らな導体コ
イル４２が含まれている。コイル４２は、絶縁材料から
なる層３５、３６、３７の間に楕円パターン状にメッキ
された２つの層内に複数の巻線４３ａ〜ｎを有する。変
換ギャップ４１の端部は、非磁性基板４４上に形成され
たＡＢＳと一致し、その基板上に上記の層が付着されて
いる。変換ギャップ４１は、回転式磁気ディスク１２な
どの磁気記録媒体と空気軸受け関係にあって相互に作用
する。磁気ディスクが回転すると、ヘッド３０は、ＡＢ
Ｓがディスクの記録表面２２に非常に隣接した状態で浮
上する。
【００１４】図５を参照すると、ヘッド３０の電極先端
領域３９は、ゼロ・スロート・ポイント４５とフレア・
ポイント４６との間に延びるテーパ部分４７を含む。ゼ
ロ・スロート・ポイントは、変換ギャップ４１付近のポ
イントであって、コイル４２が付着される空間を形成す
るためにヨーク層３２および３４が分かれ始めるポイン
トとして定義される。
領域３９は、ゼロ・スロート・ポイント４５とフレア・
ポイント４６との間に延びるテーパ部分４７を含む。ゼ
ロ・スロート・ポイントは、変換ギャップ４１付近のポ
イントであって、コイル４２が付着される空間を形成す
るためにヨーク層３２および３４が分かれ始めるポイン
トとして定義される。
【００１５】電極先端領域をテーパした結果、薄膜磁気
ヘッドの動作に及ぼす影響は、図６を参照することによ
って理解することができる。図６の最上部の曲線４８
は、電極先端領域がほぼ均一の幅を有する先行技術の構
造を示している。この曲線によれば、約５ｍＡの飽和電
流を上回ると、ギャップ磁場が増加を続け、書込み電流
も増加することが分かる。
ヘッドの動作に及ぼす影響は、図６を参照することによ
って理解することができる。図６の最上部の曲線４８
は、電極先端領域がほぼ均一の幅を有する先行技術の構
造を示している。この曲線によれば、約５ｍＡの飽和電
流を上回ると、ギャップ磁場が増加を続け、書込み電流
も増加することが分かる。
【００１６】この理由は図７で分かるが、同図には、飽
和前のｐ１（３２）とｐ２（３４）の全磁束とゼロ・ス
ロート位置４５からｐ１またはｐ２に沿った距離の関係
が示されている。全磁束の最高値はｘ＝１８ｕｍに近い
（フレア・ポイント４６付近）。磁束密度が最高のポイ
ントがヘッドに使用される材料のＢｓ値に達すると飽和
の兆候が始まるが、そのポイントでは、ヘッド内のその
ポイントの増分透磁性が空気と同じになる。すなわち、
透磁性＝１になる。コイル電流がさらに増加するには、
磁束がこの有効エア・ギャップを飛び越えて、最終的に
電極先端に達する必要がある。電流が増加すると、飽和
領域が膨張し、エア・ギャップが拡大する。図６は、こ
の領域の長さが数ミクロンまで拡大する可能性があるも
のの、ＡＢＳでのギャップ磁場を実質的に増加させるの
に十分なほど磁束が有効ギャップを越えることを示して
いる。
和前のｐ１（３２）とｐ２（３４）の全磁束とゼロ・ス
ロート位置４５からｐ１またはｐ２に沿った距離の関係
が示されている。全磁束の最高値はｘ＝１８ｕｍに近い
（フレア・ポイント４６付近）。磁束密度が最高のポイ
ントがヘッドに使用される材料のＢｓ値に達すると飽和
の兆候が始まるが、そのポイントでは、ヘッド内のその
ポイントの増分透磁性が空気と同じになる。すなわち、
透磁性＝１になる。コイル電流がさらに増加するには、
磁束がこの有効エア・ギャップを飛び越えて、最終的に
電極先端に達する必要がある。電流が増加すると、飽和
領域が膨張し、エア・ギャップが拡大する。図６は、こ
の領域の長さが数ミクロンまで拡大する可能性があるも
のの、ＡＢＳでのギャップ磁場を実質的に増加させるの
に十分なほど磁束が有効ギャップを越えることを示して
いる。
【００１７】この先行技術の動作とは対照的に、図６の
下の２つの曲線４９および５０は、約５ｍＡの書込み電
流で飽和が起こるが、電極先端領域がテーパされた実施
例のコイル電流をさらに増加させるためにギャップ磁場
の増加は一切起こらないことを示している。
下の２つの曲線４９および５０は、約５ｍＡの書込み電
流で飽和が起こるが、電極先端領域がテーパされた実施
例のコイル電流をさらに増加させるためにギャップ磁場
の増加は一切起こらないことを示している。
【００１８】本発明の特定の実施例は図８に示されてい
るが、同図では、ｐ１とｐ２の両方の幅がゼロ・スロー
トの３ミクロン上からｘ＝１８ミクロンのヨーク・フレ
ア・ポイントまで徐々に増加している。磁束密度は、ｐ
１とｐ２両方の約１５ミクロンの長さにわたって一様に
なっていることが分かる。その結果、ヘッドが飽和状態
に入ると、同時にそれも１５ミクロンの長さ全体にわた
ってそのようになる。このため、磁束が越えるための有
効エア・ギャップが前述の先行技術の設計よりかなり大
きくなり、先行技術の設計に比べ、ＡＢＳでのギャップ
磁場の増加が大幅に低減される。これは、図６の曲線４
９および５０に示されている。
るが、同図では、ｐ１とｐ２の両方の幅がゼロ・スロー
トの３ミクロン上からｘ＝１８ミクロンのヨーク・フレ
ア・ポイントまで徐々に増加している。磁束密度は、ｐ
１とｐ２両方の約１５ミクロンの長さにわたって一様に
なっていることが分かる。その結果、ヘッドが飽和状態
に入ると、同時にそれも１５ミクロンの長さ全体にわた
ってそのようになる。このため、磁束が越えるための有
効エア・ギャップが前述の先行技術の設計よりかなり大
きくなり、先行技術の設計に比べ、ＡＢＳでのギャップ
磁場の増加が大幅に低減される。これは、図６の曲線４
９および５０に示されている。
【００１９】書込み電流とは無関係に特定レベルのギャ
ップ磁場を達成できるように、設計要因のトレードオフ
を行うことができることが分かるだろう。図５に示す電
極先端領域のテーパは線形テーパであり、これは理想的
なテーパに非常に近いものを表している。しかし、図８
の特定の実施例のｐ２の実際のテーパは図９に示す。実
際のテーパはわずかな湾曲を有し、したがって、最適制
御が必要な場合は連続湾曲テーパを使用する必要がある
ことが分かるだろう。
ップ磁場を達成できるように、設計要因のトレードオフ
を行うことができることが分かるだろう。図５に示す電
極先端領域のテーパは線形テーパであり、これは理想的
なテーパに非常に近いものを表している。しかし、図８
の特定の実施例のｐ２の実際のテーパは図９に示す。実
際のテーパはわずかな湾曲を有し、したがって、最適制
御が必要な場合は連続湾曲テーパを使用する必要がある
ことが分かるだろう。
【００２０】好ましい実施例は、ゼロ・スロートからヨ
ーク・フレア・ポイントまでのできるだけ大きい長さに
わたってｐ１とｐ２の両方がテーパされる。しかし、精
度の低い制御で十分な場合には、ゼロ・スロート４５と
フレア・ポイント４６との間の空間により長さの短いテ
ーパを使用することによって、これを得ることができる
はずである。図１０に示す４つの曲線は、それぞれ異な
るテーパ長を有するものである。これらの曲線は、テー
パ領域の長さが減少するにつれて、電流による書込み磁
場の変動がより大きくなることを示している。
ーク・フレア・ポイントまでのできるだけ大きい長さに
わたってｐ１とｐ２の両方がテーパされる。しかし、精
度の低い制御で十分な場合には、ゼロ・スロート４５と
フレア・ポイント４６との間の空間により長さの短いテ
ーパを使用することによって、これを得ることができる
はずである。図１０に示す４つの曲線は、それぞれ異な
るテーパ長を有するものである。これらの曲線は、テー
パ領域の長さが減少するにつれて、電流による書込み磁
場の変動がより大きくなることを示している。
【００２１】設計上のトレードオフのもう１つの選択肢
は、ｐ１またはｐ２だけをテーパすることである。この
場合、テーパは後部ギャップ領域３８までの全域にわた
って延びる必要がある。この設計の結果は図１１に示す
が、予想通り、中間レベルの書込み電流の独立性が示さ
れている。
は、ｐ１またはｐ２だけをテーパすることである。この
場合、テーパは後部ギャップ領域３８までの全域にわた
って延びる必要がある。この設計の結果は図１１に示す
が、予想通り、中間レベルの書込み電流の独立性が示さ
れている。
【００２２】本発明の好ましい実施例に関して本発明を
具体的に示し説明してきたが、当業者であれば、本発明
の精神、範囲、教示を逸脱せずに形式および細部のさま
ざまな変更が可能であることを理解するだろう。したが
って、ここに開示する本発明は、単に例示にすぎず、特
許請求の範囲に明記されたように範囲のみ限定されると
見なすべきである。
具体的に示し説明してきたが、当業者であれば、本発明
の精神、範囲、教示を逸脱せずに形式および細部のさま
ざまな変更が可能であることを理解するだろう。したが
って、ここに開示する本発明は、単に例示にすぎず、特
許請求の範囲に明記されたように範囲のみ限定されると
見なすべきである。
【００２３】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
の事項を開示する。
【００２４】（１）記録表面を有する磁気記録媒体と、
薄膜磁気ヘッドと、前記ヘッドを支持する空気軸受けス
ライダと、前記磁気記録媒体の記録表面に前記磁気ヘッ
ドを非常に隣接させて前記空気軸受けスライダを支持す
るヘッド・アーム手段と、前記ヘッド・アーム手段を支
持し、前記磁気記録媒体の記録表面に対して前記ヘッド
・アーム手段を移動させるアクセス手段とを含み、前記
薄膜磁気ヘッドが電極先端領域から後部ギャップ領域ま
で延びる第１の磁気ヨーク層と、前記電極先端領域で前
記第１の磁気ヨーク層から所定のわずかな距離だけ離れ
て変換ギャップを形成し、ゼロ・スロート・ポイントで
前記第１の磁気ギャップ層から分かれ始めて中央領域で
前記磁気ヨーク層間に空間を形成し、前記後部ギャップ
領域で前記第１の磁気ヨーク層と接触する、第２の磁気
ヨーク層とを含み、前記第１および第２の磁気ヨーク層
が、前記ゼロ・スロート・ポイントから前記後部ギャッ
プ領域に向かってフレア・ポイントまで延び、そのフレ
ア・ポイントで前記磁気ヨーク層の幅が徐々に増加し、
前記ヨーク構造が、前記磁気ヨーク層間の空間に付着さ
せた導体コイルによって活動化され、前記第１および前
記第２の磁気ヨーク層の幅が前記ゼロ・スロート・ポイ
ントと前記フロア・ポイントとの間で徐々に広がり、書
込み電流が前記コイルに印加されると、前記ゼロ・スロ
ート・ポイントから前記フレア・ポイントまでの磁気ヨ
ーク層の長さがほぼ同時に飽和し、飽和値を上回る書込
み電流の場合に書込み磁場が一定になるようになってい
ることを特徴とする、磁気ディスク記録システム。 （２）電極先端領域から後部ギャップ領域まで延びる第
１の磁気ヨーク層と、前記電極先端領域で前記第１の磁
気ヨーク層から所定のわずかな距離だけ離れて変換ギャ
ップを形成し、ゼロ・スロート・ポイントで前記第１の
磁気ギャップ層から分かれ始めて中央領域で前記磁気ヨ
ーク層間に空間を形成し、前記後部ギャップ領域で前記
第１の磁気ヨーク層と接触する、第２の磁気ヨーク層と
を含み、前記第１および第２の磁気ヨーク層が、前記ゼ
ロ・スロート・ポイントから前記後部ギャップ領域に向
かってフレア・ポイントまで延び、そのフレア・ポイン
トで前記磁気ヨーク層の幅が徐々に増加し、前記ヨーク
構造が、前記磁気ヨーク層間の空間に付着させた導体コ
イルによって活動化され、前記第１および前記第２の磁
気ヨーク層の幅が前記ゼロ・スロート・ポイントと前記
フロア・ポイントとの間で徐々に広がり、書込み電流が
前記コイルに印加されると、前記ゼロ・スロート・ポイ
ントから前記フレア・ポイントまでの磁気ヨーク層の長
さがほぼ同時に飽和し、飽和値を上回る書込み電流の場
合に書込み磁場が一定になるようになっていることを特
徴とする、薄膜磁気ヘッド。 （３）前記ゼロ・スロート・ポイントと前記フレア・ポ
イントとの間の前記第１および前記第２の磁気ヨーク層
の幅の変動が線形テーパを含むことを特徴とする、上記
（２）に記載の薄膜磁気ヘッド。 （４）前記ゼロ・スロート・ポイントと前記フレア・ポ
イントとの間の前記第１および前記第２の磁気ヨーク層
の幅の変動が連続湾曲テーパを含むことを特徴とする、
上記（２）に記載の薄膜磁気ヘッド。 （５）前記第１および前記第２の磁気ヨーク層の幅の変
動が、前記ゼロ・スロート・ポイントと前記フレア・ポ
イントとの間の距離のかなりの部分にわたって延びてい
ることを特徴とする、上記（２）に記載の薄膜磁気ヘッ
ド。 （６）前記第１および前記第２の磁気ヨーク層の幅の変
動が、前記ゼロ・スロート・ポイントと、前記フロア・
ポイントまでの途中のポイントとの間に延びていること
を特徴とする、上記（５）に記載の薄膜磁気ヘッド。 （７）前記第１および前記第２の磁気ヨーク層の幅の変
動が、前記ゼロ・スロート・ポイントを超えたポイント
から前記フレア・ポイントまで延びていることを特徴と
する、上記（５）に記載の薄膜磁気ヘッド。 （８）前記ゼロ・スロート・ポイントと前記フレア・ポ
イントとの間の幅が前記第１の磁気ヨーク層についての
み変動することを特徴とする、上記（２）に記載の薄膜
磁気ヘッド。 （９）前記ゼロ・スロート・ポイントと前記フレア・ポ
イントとの間の幅が前記第２の磁気ヨーク層についての
み変動することを特徴とする、上記（２）に記載の薄膜
磁気ヘッド。
薄膜磁気ヘッドと、前記ヘッドを支持する空気軸受けス
ライダと、前記磁気記録媒体の記録表面に前記磁気ヘッ
ドを非常に隣接させて前記空気軸受けスライダを支持す
るヘッド・アーム手段と、前記ヘッド・アーム手段を支
持し、前記磁気記録媒体の記録表面に対して前記ヘッド
・アーム手段を移動させるアクセス手段とを含み、前記
薄膜磁気ヘッドが電極先端領域から後部ギャップ領域ま
で延びる第１の磁気ヨーク層と、前記電極先端領域で前
記第１の磁気ヨーク層から所定のわずかな距離だけ離れ
て変換ギャップを形成し、ゼロ・スロート・ポイントで
前記第１の磁気ギャップ層から分かれ始めて中央領域で
前記磁気ヨーク層間に空間を形成し、前記後部ギャップ
領域で前記第１の磁気ヨーク層と接触する、第２の磁気
ヨーク層とを含み、前記第１および第２の磁気ヨーク層
が、前記ゼロ・スロート・ポイントから前記後部ギャッ
プ領域に向かってフレア・ポイントまで延び、そのフレ
ア・ポイントで前記磁気ヨーク層の幅が徐々に増加し、
前記ヨーク構造が、前記磁気ヨーク層間の空間に付着さ
せた導体コイルによって活動化され、前記第１および前
記第２の磁気ヨーク層の幅が前記ゼロ・スロート・ポイ
ントと前記フロア・ポイントとの間で徐々に広がり、書
込み電流が前記コイルに印加されると、前記ゼロ・スロ
ート・ポイントから前記フレア・ポイントまでの磁気ヨ
ーク層の長さがほぼ同時に飽和し、飽和値を上回る書込
み電流の場合に書込み磁場が一定になるようになってい
ることを特徴とする、磁気ディスク記録システム。 （２）電極先端領域から後部ギャップ領域まで延びる第
１の磁気ヨーク層と、前記電極先端領域で前記第１の磁
気ヨーク層から所定のわずかな距離だけ離れて変換ギャ
ップを形成し、ゼロ・スロート・ポイントで前記第１の
磁気ギャップ層から分かれ始めて中央領域で前記磁気ヨ
ーク層間に空間を形成し、前記後部ギャップ領域で前記
第１の磁気ヨーク層と接触する、第２の磁気ヨーク層と
を含み、前記第１および第２の磁気ヨーク層が、前記ゼ
ロ・スロート・ポイントから前記後部ギャップ領域に向
かってフレア・ポイントまで延び、そのフレア・ポイン
トで前記磁気ヨーク層の幅が徐々に増加し、前記ヨーク
構造が、前記磁気ヨーク層間の空間に付着させた導体コ
イルによって活動化され、前記第１および前記第２の磁
気ヨーク層の幅が前記ゼロ・スロート・ポイントと前記
フロア・ポイントとの間で徐々に広がり、書込み電流が
前記コイルに印加されると、前記ゼロ・スロート・ポイ
ントから前記フレア・ポイントまでの磁気ヨーク層の長
さがほぼ同時に飽和し、飽和値を上回る書込み電流の場
合に書込み磁場が一定になるようになっていることを特
徴とする、薄膜磁気ヘッド。 （３）前記ゼロ・スロート・ポイントと前記フレア・ポ
イントとの間の前記第１および前記第２の磁気ヨーク層
の幅の変動が線形テーパを含むことを特徴とする、上記
（２）に記載の薄膜磁気ヘッド。 （４）前記ゼロ・スロート・ポイントと前記フレア・ポ
イントとの間の前記第１および前記第２の磁気ヨーク層
の幅の変動が連続湾曲テーパを含むことを特徴とする、
上記（２）に記載の薄膜磁気ヘッド。 （５）前記第１および前記第２の磁気ヨーク層の幅の変
動が、前記ゼロ・スロート・ポイントと前記フレア・ポ
イントとの間の距離のかなりの部分にわたって延びてい
ることを特徴とする、上記（２）に記載の薄膜磁気ヘッ
ド。 （６）前記第１および前記第２の磁気ヨーク層の幅の変
動が、前記ゼロ・スロート・ポイントと、前記フロア・
ポイントまでの途中のポイントとの間に延びていること
を特徴とする、上記（５）に記載の薄膜磁気ヘッド。 （７）前記第１および前記第２の磁気ヨーク層の幅の変
動が、前記ゼロ・スロート・ポイントを超えたポイント
から前記フレア・ポイントまで延びていることを特徴と
する、上記（５）に記載の薄膜磁気ヘッド。 （８）前記ゼロ・スロート・ポイントと前記フレア・ポ
イントとの間の幅が前記第１の磁気ヨーク層についての
み変動することを特徴とする、上記（２）に記載の薄膜
磁気ヘッド。 （９）前記ゼロ・スロート・ポイントと前記フレア・ポ
イントとの間の幅が前記第２の磁気ヨーク層についての
み変動することを特徴とする、上記（２）に記載の薄膜
磁気ヘッド。
【図１】先行技術による薄膜磁気ヘッドの平面図であ
る。
る。
【図２】本発明を実施する磁気ディスク記憶システムの
簡略化したブロック図である。
簡略化したブロック図である。
【図３】本発明による薄膜磁気ヘッドの平面図である。
【図４】図３の線４−４についての断面図である。
【図５】図３および図４の薄膜磁気ヘッドの電極先端領
域の拡大図である。
域の拡大図である。
【図６】先行技術の薄膜磁気ヘッドに関する１つの曲線
と、本発明の２つの実施例に関する曲線とを示す、ギャ
ップ磁場を書込み電流に対してプロットしたグラフであ
る。
と、本発明の２つの実施例に関する曲線とを示す、ギャ
ップ磁場を書込み電流に対してプロットしたグラフであ
る。
【図７】先行技術の薄膜磁気ヘッドに関する、飽和前の
ｐ１とｐ２の全磁束対ゼロ・スロートからのｐ１または
ｐ２に沿った距離のグラフである。
ｐ１とｐ２の全磁束対ゼロ・スロートからのｐ１または
ｐ２に沿った距離のグラフである。
【図８】本発明の特定の実施例による、磁束密度をゼロ
・フロートからｐ１またはｐ２に沿った距離に対してプ
ロットしたグラフである。
・フロートからｐ１またはｐ２に沿った距離に対してプ
ロットしたグラフである。
【図９】図８に示す特定の実施例に関するｐ２の幅のテ
ーパを示すグラフである。
ーパを示すグラフである。
【図１０】本発明に関する、ｐ１／ｐ２のテーパの長さ
をギャップ磁場に対してプロットしたグラフである。
をギャップ磁場に対してプロットしたグラフである。
【図１１】先行技術の磁気ヘッドと本発明によるヘッド
の２つの特定の実施例に関する、ピーク書込み磁場を書
込み電流に対してプロットしたグラフである。
の２つの特定の実施例に関する、ピーク書込み磁場を書
込み電流に対してプロットしたグラフである。
【符号の説明】 ３１ 整形層 ３２ 層 ３３ 整形層 ３４ 層 ３５ 絶縁層 ３６ 絶縁層 ３７ 絶縁層 ３８ 後部ギャップ領域 ３９ 電極先端領域 ４０ 層 ４１ 変換ギャップ ４２ 導体コイル ４３ａ〜ｎ 巻線 ４４ 非磁性基板 ４５ ゼロ・スロート・ポイント ４６ フレア・ポイント
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 メーソン・エル・ウィリアムズ・ザサード アメリカ合衆国95120 カリフォルニア州 サンノゼヴァーガス・コート 5826
Claims (9)
- 【請求項１】記録表面を有する磁気記録媒体と、 薄膜磁気ヘッドと、前記ヘッドを支持する空気軸受けス
ライダと、 前記磁気記録媒体の記録表面に前記磁気ヘッドを非常に
隣接させて前記空気軸受けスライダを支持するヘッド・
アーム手段と、 前記ヘッド・アーム手段を支持し、前記磁気記録媒体の
記録表面に対して前記ヘッド・アーム手段を移動させる
アクセス手段とを含み、 前記薄膜磁気ヘッドが電極先端領域から後部ギャップ領
域まで延びる第１の磁気ヨーク層と、 前記電極先端領域で前記第１の磁気ヨーク層から所定の
わずかな距離だけ離れて変換ギャップを形成し、ゼロ・
スロート・ポイントで前記第１の磁気ギャップ層から分
かれ始めて中央領域で前記磁気ヨーク層間に空間を形成
し、前記後部ギャップ領域で前記第１の磁気ヨーク層と
接触する、第２の磁気ヨーク層とを含み、 前記第１および第２の磁気ヨーク層が、前記ゼロ・スロ
ート・ポイントから前記後部ギャップ領域に向かってフ
レア・ポイントまで延び、そのフレア・ポイントで前記
磁気ヨーク層の幅が徐々に増加し、 前記ヨーク構造が、前記磁気ヨーク層間の空間に付着さ
せた導体コイルによって活動化され、 前記第１および前記第２の磁気ヨーク層の幅が前記ゼロ
・スロート・ポイントと前記フロア・ポイントとの間で
徐々に広がり、書込み電流が前記コイルに印加される
と、前記ゼロ・スロート・ポイントから前記フレア・ポ
イントまでの磁気ヨーク層の長さがほぼ同時に飽和し、
飽和値を上回る書込み電流の場合に書込み磁場が一定に
なるようになっていることを特徴とする、磁気ディスク
記録システム。 - 【請求項２】電極先端領域から後部ギャップ領域まで延
びる第１の磁気ヨーク層と、 前記電極先端領域で前記第１の磁気ヨーク層から所定の
わずかな距離だけ離れて変換ギャップを形成し、ゼロ・
スロート・ポイントで前記第１の磁気ギャップ層から分
かれ始めて中央領域で前記磁気ヨーク層間に空間を形成
し、前記後部ギャップ領域で前記第１の磁気ヨーク層と
接触する、第２の磁気ヨーク層とを含み、 前記第１および第２の磁気ヨーク層が、前記ゼロ・スロ
ート・ポイントから前記後部ギャップ領域に向かってフ
レア・ポイントまで延び、そのフレア・ポイントで前記
磁気ヨーク層の幅が徐々に増加し、 前記ヨーク構造が、前記磁気ヨーク層間の空間に付着さ
せた導体コイルによって活動化され、 前記第１および前記第２の磁気ヨーク層の幅が前記ゼロ
・スロート・ポイントと前記フロア・ポイントとの間で
徐々に広がり、書込み電流が前記コイルに印加される
と、前記ゼロ・スロート・ポイントから前記フレア・ポ
イントまでの磁気ヨーク層の長さがほぼ同時に飽和し、
飽和値を上回る書込み電流の場合に書込み磁場が一定に
なるようになっていることを特徴とする、薄膜磁気ヘッ
ド。 - 【請求項３】前記ゼロ・スロート・ポイントと前記フレ
ア・ポイントとの間の前記第１および前記第２の磁気ヨ
ーク層の幅の変動が線形テーパを含むことを特徴とす
る、請求項２に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】前記ゼロ・スロート・ポイントと前記フレ
ア・ポイントとの間の前記第１および前記第２の磁気ヨ
ーク層の幅の変動が連続湾曲テーパを含むことを特徴と
する、請求項２に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項５】前記第１および前記第２の磁気ヨーク層の
幅の変動が、前記ゼロ・スロート・ポイントと前記フレ
ア・ポイントとの間の距離のかなりの部分にわたって延
びていることを特徴とする、請求項２に記載の薄膜磁気
ヘッド。 - 【請求項６】前記第１および前記第２の磁気ヨーク層の
幅の変動が、前記ゼロ・スロート・ポイントと、前記フ
ロア・ポイントまでの途中のポイントとの間に延びてい
ることを特徴とする、請求項５に記載の薄膜磁気ヘッ
ド。 - 【請求項７】前記第１および前記第２の磁気ヨーク層の
幅の変動が、前記ゼロ・スロート・ポイントを超えたポ
イントから前記フレア・ポイントまで延びていることを
特徴とする、請求項５に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項８】前記ゼロ・スロート・ポイントと前記フレ
ア・ポイントとの間の幅が前記第１の磁気ヨーク層につ
いてのみ変動することを特徴とする、請求項２に記載の
薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項９】前記ゼロ・スロート・ポイントと前記フレ
ア・ポイントとの間の幅が前記第２の磁気ヨーク層につ
いてのみ変動することを特徴とする、請求項２に記載の
薄膜磁気ヘッド。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP (1) | JPH08249614A (ja) |
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