JPH08241707A - 酸化物薄膜を負極活性物質として使用した二次電池 - Google Patents
酸化物薄膜を負極活性物質として使用した二次電池Info
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- JPH08241707A JPH08241707A JP7072371A JP7237195A JPH08241707A JP H08241707 A JPH08241707 A JP H08241707A JP 7072371 A JP7072371 A JP 7072371A JP 7237195 A JP7237195 A JP 7237195A JP H08241707 A JPH08241707 A JP H08241707A
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
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- Secondary Cells (AREA)
- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
- Cell Electrode Carriers And Collectors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 十分にリチウム化したV,Nb,W,Mo等
の金属酸化物薄膜を付与し、負極活性物質として使用す
ることにより、充放電特性に優れた二次電池を得る。 【構成】 非水電解質溶液又は固体電解質を含む二次電
池において、金属基板,シリコン基板又は高分子基板上
に形成され、予めリチウム化した五酸化バナジウム薄
膜,五酸化ニオブ薄膜,三酸化タングステン薄膜又は三
酸化モリブデン薄膜を負極活性物質とし、金属基板,シ
リコン基板又は高分子基板上に形成された五酸化バナジ
ウム薄膜,五酸化ニオブ薄膜,LiCoO2 薄膜,Li
NiO2 薄膜,LiMn2 O4 薄膜,Lix MnO4 薄
膜(0.3<x<0.6)又はTiS2 薄膜を正極活性
物質として組み合わせている。 【効果】 より大きい充放電容量で優れたサイクル特性
を示し、薄型化及び小型化が可能な二次電池となる。
の金属酸化物薄膜を付与し、負極活性物質として使用す
ることにより、充放電特性に優れた二次電池を得る。 【構成】 非水電解質溶液又は固体電解質を含む二次電
池において、金属基板,シリコン基板又は高分子基板上
に形成され、予めリチウム化した五酸化バナジウム薄
膜,五酸化ニオブ薄膜,三酸化タングステン薄膜又は三
酸化モリブデン薄膜を負極活性物質とし、金属基板,シ
リコン基板又は高分子基板上に形成された五酸化バナジ
ウム薄膜,五酸化ニオブ薄膜,LiCoO2 薄膜,Li
NiO2 薄膜,LiMn2 O4 薄膜,Lix MnO4 薄
膜(0.3<x<0.6)又はTiS2 薄膜を正極活性
物質として組み合わせている。 【効果】 より大きい充放電容量で優れたサイクル特性
を示し、薄型化及び小型化が可能な二次電池となる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、予めリチウムを含ませ
た金属酸化物薄膜を負極活性物質として使用した二次電
池に関する。
た金属酸化物薄膜を負極活性物質として使用した二次電
池に関する。
【0002】
【従来の技術】電子機器,電気機器の小型・軽量化に伴
って、電池に対する小型・軽量化の要求も強くなってき
ている。この傾向から、従来の一次電池のなかでも、高
エネルギー密度を示すリチウム電池の二次電池化が強く
望まれている。これまで提案されているリチウム電池と
しては、五酸化ニオブ薄膜を正極材とする非水電解質リ
チウム電池[J.Electrochem.vol.1
28,p.345(1981)],TiS2 薄膜を正極
材とする薄型固体電解質リチウム二次電池[Solid
State,Ionics,vol.9−10,p.
1445(1983)],アモルファスV2 O5 薄膜を
正極材とする薄型固体電解質リチウム二次電池[Sol
id State Technology,p.59
(1993)],LiMn2 O4 薄膜を正極材とする非
水電解質リチウム二次電池[J.Electroche
m.Soc.,vol.139,p.1845(199
2)]等が知られている。これらのリチウム電池におい
ては、何れも金属リチウムを負極材として使用してい
る。
って、電池に対する小型・軽量化の要求も強くなってき
ている。この傾向から、従来の一次電池のなかでも、高
エネルギー密度を示すリチウム電池の二次電池化が強く
望まれている。これまで提案されているリチウム電池と
しては、五酸化ニオブ薄膜を正極材とする非水電解質リ
チウム電池[J.Electrochem.vol.1
28,p.345(1981)],TiS2 薄膜を正極
材とする薄型固体電解質リチウム二次電池[Solid
State,Ionics,vol.9−10,p.
1445(1983)],アモルファスV2 O5 薄膜を
正極材とする薄型固体電解質リチウム二次電池[Sol
id State Technology,p.59
(1993)],LiMn2 O4 薄膜を正極材とする非
水電解質リチウム二次電池[J.Electroche
m.Soc.,vol.139,p.1845(199
2)]等が知られている。これらのリチウム電池におい
ては、何れも金属リチウムを負極材として使用してい
る。
【0003】最近では、V2 O5 ,LiCoO2 ,Li
NiO2 等の結晶粉末体を正極材として使用し、五酸化
ニオブ結晶粉末体のリチウム化物Lix Nb2 O5
(1.1<x<2)を負極材として使用したリチウム二
次電池が特開平2−49364号公報,特開平5−13
080号公報等で紹介されている。本発明者等も、RF
スパッタリング法で金属基板上に製膜した五酸化バナジ
ウム薄膜を正極とし、同様に製膜した五酸化ニオブ薄膜
を予めリチウム化した薄膜Lix Nb2 O5 (1<x<
2)を負極材として使用する薄型二次電池を特開平5−
312563号公報で提案した。
NiO2 等の結晶粉末体を正極材として使用し、五酸化
ニオブ結晶粉末体のリチウム化物Lix Nb2 O5
(1.1<x<2)を負極材として使用したリチウム二
次電池が特開平2−49364号公報,特開平5−13
080号公報等で紹介されている。本発明者等も、RF
スパッタリング法で金属基板上に製膜した五酸化バナジ
ウム薄膜を正極とし、同様に製膜した五酸化ニオブ薄膜
を予めリチウム化した薄膜Lix Nb2 O5 (1<x<
2)を負極材として使用する薄型二次電池を特開平5−
312563号公報で提案した。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来提案されているリ
チウム二次電池の多くは、金属リチウムを負極材として
使用している。しかし、金属リチウムは、活性度が非常
に高く、発火の危険がある。そのため、取扱いが困難で
あり、その上サイクル性能も十分でない。そこで、より
活性度が低いLi−Alのようなリチウム合金やカーボ
ンのリチウム化物Lix Cが使用されている。しかし、
リチウム合金は、サイクル性能の点で劣る。カーボンの
リチウム化物Lix Cは、薄膜電極としての製造が極め
て困難であるため、電池の小型化・軽量化のネックとな
っている。
チウム二次電池の多くは、金属リチウムを負極材として
使用している。しかし、金属リチウムは、活性度が非常
に高く、発火の危険がある。そのため、取扱いが困難で
あり、その上サイクル性能も十分でない。そこで、より
活性度が低いLi−Alのようなリチウム合金やカーボ
ンのリチウム化物Lix Cが使用されている。しかし、
リチウム合金は、サイクル性能の点で劣る。カーボンの
リチウム化物Lix Cは、薄膜電極としての製造が極め
て困難であるため、電池の小型化・軽量化のネックとな
っている。
【0005】しかも、Lix Nb2 O5 (1.1<x<
2)は、2〜1V対Liの高い電極電位をもつことか
ら、これを負極として使用した二次電池では電圧及び放
電容量が大きく低下する欠点がある。このように、薄型
二次電池用の負極材として適当な材料がないのが現状で
ある。本発明は、このような問題を解消すべく案出され
たものであり、予め十分にリチウム化したバナジウム,
ニオブ,タングステン,モリブデン等の金属酸化物薄膜
を負極活性物質として使用することにより、電池の薄型
化及び軽量化を可能にすると共に、充放電性に優れた二
次電池を提供することを目的とする。
2)は、2〜1V対Liの高い電極電位をもつことか
ら、これを負極として使用した二次電池では電圧及び放
電容量が大きく低下する欠点がある。このように、薄型
二次電池用の負極材として適当な材料がないのが現状で
ある。本発明は、このような問題を解消すべく案出され
たものであり、予め十分にリチウム化したバナジウム,
ニオブ,タングステン,モリブデン等の金属酸化物薄膜
を負極活性物質として使用することにより、電池の薄型
化及び軽量化を可能にすると共に、充放電性に優れた二
次電池を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、その目的を達
成するため、非水電解質溶液又は固体電解質を電解質と
して含む二次電池において、金属基板,シリコン基板又
は高分子基板上に形成され、予め十分にリチウム化した
五酸化バナジウム薄膜,五酸化ニオブ薄膜,三酸化タン
グステン薄膜又は三酸化モリブデン薄膜を負極活性物質
とし、金属基板,シリコン基板又は高分子基板上に形成
された五酸化バナジウム薄膜,五酸化ニオブ薄膜,Li
CoO2 薄膜,LiNiO2 薄膜,LiMn2 O4 薄
膜,LixMnO4 薄膜(0.3<x<0.6)又はT
iS2 薄膜を正極活性物質として組み合わせたものであ
る。リチウム化は、十分な放電容量を得る上から、金属
化合物薄膜中にリチウムを電気化学的に0.1V対Li
の低い電極電位になるまで挿入して行った。この酸化物
薄膜中のリチウム量は、1Vと0.1V対Liの電位間
で可逆的に取り込まれるリチウム量から決定した。
成するため、非水電解質溶液又は固体電解質を電解質と
して含む二次電池において、金属基板,シリコン基板又
は高分子基板上に形成され、予め十分にリチウム化した
五酸化バナジウム薄膜,五酸化ニオブ薄膜,三酸化タン
グステン薄膜又は三酸化モリブデン薄膜を負極活性物質
とし、金属基板,シリコン基板又は高分子基板上に形成
された五酸化バナジウム薄膜,五酸化ニオブ薄膜,Li
CoO2 薄膜,LiNiO2 薄膜,LiMn2 O4 薄
膜,LixMnO4 薄膜(0.3<x<0.6)又はT
iS2 薄膜を正極活性物質として組み合わせたものであ
る。リチウム化は、十分な放電容量を得る上から、金属
化合物薄膜中にリチウムを電気化学的に0.1V対Li
の低い電極電位になるまで挿入して行った。この酸化物
薄膜中のリチウム量は、1Vと0.1V対Liの電位間
で可逆的に取り込まれるリチウム量から決定した。
【0007】金属基板,シリコン基板,高分子基板の基
板は、箔状で使用することもできる。負極活性物質とし
ては、Lix V2 O5 (x=2〜5)の化学式で表され
る五酸化バナジウムをリチウム化した薄膜,Lix Nb
2 O5 (x=2〜5)の化学式で表される五酸化ニオブ
をリチウム化した薄膜,Lix WO3 (x=1〜7)の
化学式で表される三酸化タングステンをリチウム化した
薄膜,Lix MoO3(x=1〜5)の化学式で表され
る三酸化モリブデンをリチウム化した薄膜がある。
板は、箔状で使用することもできる。負極活性物質とし
ては、Lix V2 O5 (x=2〜5)の化学式で表され
る五酸化バナジウムをリチウム化した薄膜,Lix Nb
2 O5 (x=2〜5)の化学式で表される五酸化ニオブ
をリチウム化した薄膜,Lix WO3 (x=1〜7)の
化学式で表される三酸化タングステンをリチウム化した
薄膜,Lix MoO3(x=1〜5)の化学式で表され
る三酸化モリブデンをリチウム化した薄膜がある。
【0008】
【作用】本発明者は、リチウム二次電池系の負極材とし
て使用される材料について多数の実験を行った結果、非
水電解質溶液又は固体電解質を用いた電池において、金
属基板,シリコン基板,ポリプロピレン等の高分子基板
上にRFスパッタリング法で析出させた五酸化バナジウ
ム,五酸化ニオブ,三酸化タングステン,三酸化モリブ
デン等を予めリチウム化した薄膜が有効な負極活性物質
であることを見い出した。リチウム化した薄膜は、電池
の薄型化及び小型化に適し、しかも充放電容量が大き
く、優れた充放電特性を示す。基板として使用する金属
基板,シリコン基板,高分子基板等の上にRFスパッタ
リング法等によって金属酸化物薄膜を製膜する。なかで
も、金属基板及び高分子基板は、電池の薄型化及び小型
化に適した基板材料である。高分子基板を使用する際に
は、リードとして働く金属薄膜を基板表面に予め作製し
た後で、金属酸化物薄膜を製膜する。また、RFスパッ
タリング法に替えて、真空蒸着法,電子ビーム蒸着法,
DCマグネトロンスパッタリング法等を採用することも
できる。
て使用される材料について多数の実験を行った結果、非
水電解質溶液又は固体電解質を用いた電池において、金
属基板,シリコン基板,ポリプロピレン等の高分子基板
上にRFスパッタリング法で析出させた五酸化バナジウ
ム,五酸化ニオブ,三酸化タングステン,三酸化モリブ
デン等を予めリチウム化した薄膜が有効な負極活性物質
であることを見い出した。リチウム化した薄膜は、電池
の薄型化及び小型化に適し、しかも充放電容量が大き
く、優れた充放電特性を示す。基板として使用する金属
基板,シリコン基板,高分子基板等の上にRFスパッタ
リング法等によって金属酸化物薄膜を製膜する。なかで
も、金属基板及び高分子基板は、電池の薄型化及び小型
化に適した基板材料である。高分子基板を使用する際に
は、リードとして働く金属薄膜を基板表面に予め作製し
た後で、金属酸化物薄膜を製膜する。また、RFスパッ
タリング法に替えて、真空蒸着法,電子ビーム蒸着法,
DCマグネトロンスパッタリング法等を採用することも
できる。
【0009】RFスパッタリング法によりAr雰囲気中
で基板上に形成された五酸化バナジウム薄膜,五酸化ニ
オブ薄膜,三酸化タングステン薄膜,三酸化モリブデン
薄膜等は、X線回折測定結果から何れもアモルファス構
造をもっていることが判った。更に、これらの薄膜は、
適当な温度で加熱処理することにより、結晶性の構造に
変えることができた。これらの金属酸化物薄膜は、構造
中に外から通じる多数の隙間をもつため、薄膜中にLi
+ イオンが容易に侵入する。Li+ イオンは、充電によ
って侵入箇所から脱出する作用を呈する。この侵入及び
脱出は可逆的であり、結果として式(1)に示すように
充放電の繰返しが可能になる。
で基板上に形成された五酸化バナジウム薄膜,五酸化ニ
オブ薄膜,三酸化タングステン薄膜,三酸化モリブデン
薄膜等は、X線回折測定結果から何れもアモルファス構
造をもっていることが判った。更に、これらの薄膜は、
適当な温度で加熱処理することにより、結晶性の構造に
変えることができた。これらの金属酸化物薄膜は、構造
中に外から通じる多数の隙間をもつため、薄膜中にLi
+ イオンが容易に侵入する。Li+ イオンは、充電によ
って侵入箇所から脱出する作用を呈する。この侵入及び
脱出は可逆的であり、結果として式(1)に示すように
充放電の繰返しが可能になる。
【0010】
【0011】基板上に形成された金属酸化物薄膜をリチ
ウム化するためには、リチウムイオン含有電解液中で薄
膜を放電させる方法,n−ブチルリチウムを含むヘキサ
ン溶液中又はヨウ化リチウムを含むアセトニトリル溶液
中に薄膜を浸漬し反応させる方法等が採用される。予め
リチウム化することにより、金属酸化物の構造中にリチ
ウムを予め貯蔵できる。このとき、酸化物構造中のリチ
ウム量が増加するに従って、低い電極電位が得られる。
1〜0.1V対Liの電位範囲で、五酸化バナジウムで
はLix V2 O5 (x=2〜5),五酸化ニオブではL
ix Nb2 O5 (x=2〜5),三酸化タングステンで
はLix WO3 (x=1〜7),三酸化モリブデンでは
Lix MoO3(x=1〜5)が生成する。大部分のリ
チウムは、充電によって可逆的に除去できる。そのた
め、これらリチウム化した金属酸化物薄膜を二次電池の
負極として使用すると、より高い電圧が得られ、放電容
量が増大し、優れた充放電特性が得られる。
ウム化するためには、リチウムイオン含有電解液中で薄
膜を放電させる方法,n−ブチルリチウムを含むヘキサ
ン溶液中又はヨウ化リチウムを含むアセトニトリル溶液
中に薄膜を浸漬し反応させる方法等が採用される。予め
リチウム化することにより、金属酸化物の構造中にリチ
ウムを予め貯蔵できる。このとき、酸化物構造中のリチ
ウム量が増加するに従って、低い電極電位が得られる。
1〜0.1V対Liの電位範囲で、五酸化バナジウムで
はLix V2 O5 (x=2〜5),五酸化ニオブではL
ix Nb2 O5 (x=2〜5),三酸化タングステンで
はLix WO3 (x=1〜7),三酸化モリブデンでは
Lix MoO3(x=1〜5)が生成する。大部分のリ
チウムは、充電によって可逆的に除去できる。そのた
め、これらリチウム化した金属酸化物薄膜を二次電池の
負極として使用すると、より高い電圧が得られ、放電容
量が増大し、優れた充放電特性が得られる。
【0012】また、金属基板,シリコン基板,高分子基
板等に表面に形成したV2 O5 ,Nb2 O5 ,LiCo
O2 ,LiNiO2 ,Lix MnO2 (0.3<x<
6),LiMn2 O4 ,TiS2 等の薄膜を正極活性物
質として使用することにより、放電時に酸化物構造中へ
のLi+ イオンの侵入及び充電時に酸化物構造からのL
i+ イオンの脱出が1.5〜4V対Liの高い電位で可
逆的に生じる。なお、これらの正極材としての金属酸化
物薄膜の製膜法としては、RFスパッタリング法や電子
ビーム蒸着法の他に、これらの金属酸化物の微粉末をフ
ッ化ビニリデンの結着材とN−メチル−2−ピロリジン
の溶剤を用いて基板上に塗布して製膜する方法も可能で
ある。
板等に表面に形成したV2 O5 ,Nb2 O5 ,LiCo
O2 ,LiNiO2 ,Lix MnO2 (0.3<x<
6),LiMn2 O4 ,TiS2 等の薄膜を正極活性物
質として使用することにより、放電時に酸化物構造中へ
のLi+ イオンの侵入及び充電時に酸化物構造からのL
i+ イオンの脱出が1.5〜4V対Liの高い電位で可
逆的に生じる。なお、これらの正極材としての金属酸化
物薄膜の製膜法としては、RFスパッタリング法や電子
ビーム蒸着法の他に、これらの金属酸化物の微粉末をフ
ッ化ビニリデンの結着材とN−メチル−2−ピロリジン
の溶剤を用いて基板上に塗布して製膜する方法も可能で
ある。
【0013】
実施例1:純度99.9%のV2 O5 をターゲットとし
て使用しRFスパッタリング法で厚み0.05mmのS
US304ステンレス鋼箔の上に膜厚380nmの五酸
化バナジウム薄膜を製膜した。スパッタリング条件は、
RF出力100W,Ar雰囲気圧80mmトリチェリー
に設定した。五酸化バナジウム薄膜は、膜厚を繰返し干
渉計を用いて測定し、V2 O5 の密度3.36g/cm
3 からその重量を算出した。この五酸化バナジウム薄膜
は、X線回折によって非晶質構造を持っていることが判
った。五酸化バナジウム薄膜が形成されたステンレス鋼
箔から表面積1cm2 の電極箔を切り出した。正極材と
しては、五酸化バナジウム薄膜が形成されたままの電極
箔を使用した。負極材としては、ステンレス鋼箔上の上
記の五酸化バナジウム薄膜を1M−LiClO4 のポロ
ピレンカーボネート溶液に浸漬し、放電によって予めリ
チウム化した酸化物薄膜Li5 V2 O5 を使用した。こ
れら正極材及び負極材を、プロピレンカーボネートに1
モル濃度の過塩素酸リチウムを溶解することにより調製
した電解液に浸漬し、本発明電池Aを構成した。
て使用しRFスパッタリング法で厚み0.05mmのS
US304ステンレス鋼箔の上に膜厚380nmの五酸
化バナジウム薄膜を製膜した。スパッタリング条件は、
RF出力100W,Ar雰囲気圧80mmトリチェリー
に設定した。五酸化バナジウム薄膜は、膜厚を繰返し干
渉計を用いて測定し、V2 O5 の密度3.36g/cm
3 からその重量を算出した。この五酸化バナジウム薄膜
は、X線回折によって非晶質構造を持っていることが判
った。五酸化バナジウム薄膜が形成されたステンレス鋼
箔から表面積1cm2 の電極箔を切り出した。正極材と
しては、五酸化バナジウム薄膜が形成されたままの電極
箔を使用した。負極材としては、ステンレス鋼箔上の上
記の五酸化バナジウム薄膜を1M−LiClO4 のポロ
ピレンカーボネート溶液に浸漬し、放電によって予めリ
チウム化した酸化物薄膜Li5 V2 O5 を使用した。こ
れら正極材及び負極材を、プロピレンカーボネートに1
モル濃度の過塩素酸リチウムを溶解することにより調製
した電解液に浸漬し、本発明電池Aを構成した。
【0014】実施例2:純度99.9%のNb2 O5 を
ターゲットとして使用しRFスパッタリング法で厚み
0.05mmのSUS304ステンレス鋼箔の上に膜厚
340nmの五酸化ニオブ薄膜を製膜した。スパッタリ
ング条件は、RF出力100W,Ar雰囲気圧80mm
トリチェリーに設定した。五酸化バナジウム薄膜は、膜
厚を繰返し干渉計を用いて測定し、Nb2 O5 の密度
4.94g/cm3 からその重量を算出した。この五酸
化ニオブ薄膜は、X線回折によって非晶質構造を持って
いることが判った。五酸化ニオブ薄膜が形成されたステ
ンレス鋼箔から表面積1cm2 の電極箔を切り出した。
負極材としては、この五酸化ニオブ薄膜を1M−LiC
lO4 のポロピレンカーボネート溶液に浸漬し、放電に
よって予めリチウム化した酸化物薄膜Li5 Nb2 O5
を使用した。正極材としては、実施例1と同じ五酸化バ
ナジウム薄膜をそのまま使用した。正極材及び負極材
を、プロピレンカーボネートに1モル濃度の過塩素酸リ
チウムを溶解することにより調製した電解液に浸漬し、
本発明電池Bを構成した。
ターゲットとして使用しRFスパッタリング法で厚み
0.05mmのSUS304ステンレス鋼箔の上に膜厚
340nmの五酸化ニオブ薄膜を製膜した。スパッタリ
ング条件は、RF出力100W,Ar雰囲気圧80mm
トリチェリーに設定した。五酸化バナジウム薄膜は、膜
厚を繰返し干渉計を用いて測定し、Nb2 O5 の密度
4.94g/cm3 からその重量を算出した。この五酸
化ニオブ薄膜は、X線回折によって非晶質構造を持って
いることが判った。五酸化ニオブ薄膜が形成されたステ
ンレス鋼箔から表面積1cm2 の電極箔を切り出した。
負極材としては、この五酸化ニオブ薄膜を1M−LiC
lO4 のポロピレンカーボネート溶液に浸漬し、放電に
よって予めリチウム化した酸化物薄膜Li5 Nb2 O5
を使用した。正極材としては、実施例1と同じ五酸化バ
ナジウム薄膜をそのまま使用した。正極材及び負極材
を、プロピレンカーボネートに1モル濃度の過塩素酸リ
チウムを溶解することにより調製した電解液に浸漬し、
本発明電池Bを構成した。
【0015】実施例3:LiCoO2 の結晶性微粉末
(0.735mg/cm2 )と導電剤のアセチレンブラ
ック(0.0015mg/cm2 )をポリフッ化ビニリ
デンの結着剤とN−メチル−2−ピロリジンの溶剤を用
いてステンレス鋼箔上に塗布し、80℃で1時間減圧乾
燥した。LiCoO2 薄膜が形成されたステンレス鋼箔
から表面積1cm2 の電極箔を切り出し、そのまま正極
材として使用した。負極材としては、実施例2で得た五
酸化ニオブ薄膜(1cm2 )をそのまま使用した。Li
CoO2 量は、Nb2 O5 量の10倍のモル数使用し
た。これら正極材及び負極材を、ポリプロピレンカーボ
ネートに1モル濃度の過塩素酸リチウムを溶解すること
により調製した電解液に浸漬し、本発明電池Cを構成し
た。この場合は、予め充電を行い、次の反応に従って五
酸化ニオブ薄膜をLi5 Nb2 O5 とした。 (充電)10LiCoO2 +Nb2 O5 →5LiCoO
2 +Li5 Nb2 O5
(0.735mg/cm2 )と導電剤のアセチレンブラ
ック(0.0015mg/cm2 )をポリフッ化ビニリ
デンの結着剤とN−メチル−2−ピロリジンの溶剤を用
いてステンレス鋼箔上に塗布し、80℃で1時間減圧乾
燥した。LiCoO2 薄膜が形成されたステンレス鋼箔
から表面積1cm2 の電極箔を切り出し、そのまま正極
材として使用した。負極材としては、実施例2で得た五
酸化ニオブ薄膜(1cm2 )をそのまま使用した。Li
CoO2 量は、Nb2 O5 量の10倍のモル数使用し
た。これら正極材及び負極材を、ポリプロピレンカーボ
ネートに1モル濃度の過塩素酸リチウムを溶解すること
により調製した電解液に浸漬し、本発明電池Cを構成し
た。この場合は、予め充電を行い、次の反応に従って五
酸化ニオブ薄膜をLi5 Nb2 O5 とした。 (充電)10LiCoO2 +Nb2 O5 →5LiCoO
2 +Li5 Nb2 O5
【0016】比較例:実施例と同様にRFスパッタリン
グ法で析出させた五酸化バナジウム薄膜を正極とした。
負極材としては、同様に製膜した五酸化ニオブ薄膜をリ
チウム化した化学式Li2 Nb2 O5 をもつ薄膜を使用
した。これら正極材及び負極材を、実施例と同じ電解液
に浸漬し、比較電池を構成した。本発明電池A〜C及び
比較電池を使用し定電流密度0.01mA/cm2 及び
25℃で充放電を繰り返したところ、それぞれ図1〜3
に示す充放電曲線が得られた。本発明電池A(図1)は
200サイクル目,本発明電池B(図2)は100サイ
クル目,本発明電池C(図3)は100サイクル目の充
放電曲線を示し、比較電池は50サイクル目の充放電曲
線を示している。この対比から明らかなように、本発明
電池A〜Cは、比較電池の約2倍の放電時間をもち、よ
り高い電圧の下に大きな電圧の低下なしに100〜20
0サイクル以上の充放電を繰返し行うことができること
が判る。以上の実施例では、基板としてステンレス鋼箔
を使用したが、他の金属基板やシリコン基板,高分子基
板でも同様の結果が得られた。また、五酸化バナジウム
に替えて五酸化ニオブ,三酸化タングステン,三酸化モ
リブデン等をリチウム化した薄膜を負極材として使用し
た場合でも、優れた充放電特性が得られた。
グ法で析出させた五酸化バナジウム薄膜を正極とした。
負極材としては、同様に製膜した五酸化ニオブ薄膜をリ
チウム化した化学式Li2 Nb2 O5 をもつ薄膜を使用
した。これら正極材及び負極材を、実施例と同じ電解液
に浸漬し、比較電池を構成した。本発明電池A〜C及び
比較電池を使用し定電流密度0.01mA/cm2 及び
25℃で充放電を繰り返したところ、それぞれ図1〜3
に示す充放電曲線が得られた。本発明電池A(図1)は
200サイクル目,本発明電池B(図2)は100サイ
クル目,本発明電池C(図3)は100サイクル目の充
放電曲線を示し、比較電池は50サイクル目の充放電曲
線を示している。この対比から明らかなように、本発明
電池A〜Cは、比較電池の約2倍の放電時間をもち、よ
り高い電圧の下に大きな電圧の低下なしに100〜20
0サイクル以上の充放電を繰返し行うことができること
が判る。以上の実施例では、基板としてステンレス鋼箔
を使用したが、他の金属基板やシリコン基板,高分子基
板でも同様の結果が得られた。また、五酸化バナジウム
に替えて五酸化ニオブ,三酸化タングステン,三酸化モ
リブデン等をリチウム化した薄膜を負極材として使用し
た場合でも、優れた充放電特性が得られた。
【0017】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明の二次電
池は、RFスパッタリング法等で製膜し且つ十分にリチ
ウム化した五酸化バナジウム薄膜,五酸化ニオブ薄膜,
三酸化タングステン薄膜,三酸化モリブデン薄膜等を負
極活性物質として使用している。これら薄膜は、1〜
0.1V対Liの低い電極電位で充放電の繰返しが可能
なため、二次電池の負極材として使用するとき、大きな
電気容量でもって充放電が可能で、優れたサイクル特性
を呈する二次電池が得られる。このようにして、薄型化
及び小型化できる二次電池が提供される。
池は、RFスパッタリング法等で製膜し且つ十分にリチ
ウム化した五酸化バナジウム薄膜,五酸化ニオブ薄膜,
三酸化タングステン薄膜,三酸化モリブデン薄膜等を負
極活性物質として使用している。これら薄膜は、1〜
0.1V対Liの低い電極電位で充放電の繰返しが可能
なため、二次電池の負極材として使用するとき、大きな
電気容量でもって充放電が可能で、優れたサイクル特性
を呈する二次電池が得られる。このようにして、薄型化
及び小型化できる二次電池が提供される。
【図1】 本発明に従った二次電池Aと比較電池との充
放電繰返し特性を示すグラフ
放電繰返し特性を示すグラフ
【図2】 本発明に従った二次電池Bと比較電池との充
放電繰返し特性を示すグラフ
放電繰返し特性を示すグラフ
【図3】 本発明に従った二次電池Cと比較電池との充
放電繰返し特性を示すグラフ
放電繰返し特性を示すグラフ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01M 10/40 H01M 10/40 B
Claims (6)
- 【請求項1】 非水電解質溶液又は固体電解質を含み、
金属基板,シリコン基板又は高分子基板上に形成され、
予め十分にリチウム化した五酸化バナジウム薄膜,五酸
化ニオブ薄膜,三酸化タングステン薄膜又は三酸化モリ
ブデン薄膜を負極活性物質とし、金属基板,シリコン基
板又は高分子基板上に形成された五酸化バナジウム薄
膜,五酸化ニオブ薄膜,LiCoO2 薄膜,LiNiO
2 薄膜,LiMn2 O4 薄膜,Lix MnO4 薄膜
(0.3<x<0.6)又はTiS2薄膜を正極活性物
質としている二次電池。 - 【請求項2】 請求項1記載の金属基板,シリコン基板
又は高分子基板が箔基板である二次電池。 - 【請求項3】 五酸化バナジウムをリチウム化した薄膜
がLix V2 O5 (x=2〜5)の化学式をもつ請求項
1又は2記載の二次電池。 - 【請求項4】 五酸化ニオブをリチウム化した薄膜がL
ix Nb2 O5 (x=2〜5)の化学式をもつ請求項1
又は2記載の二次電池。 - 【請求項5】 三酸化タングステンをリチウム化した薄
膜がLix WO3 (x=1〜7)の化学式をもつ請求項
1又は2記載の二次電池。 - 【請求項6】 三酸化モリブデンをリチウム化した薄膜
がLix MoO3 (x=1〜5)の化学式をもつ請求項
1又は2記載の二次電池。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7072371A JPH08241707A (ja) | 1995-03-06 | 1995-03-06 | 酸化物薄膜を負極活性物質として使用した二次電池 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7072371A JPH08241707A (ja) | 1995-03-06 | 1995-03-06 | 酸化物薄膜を負極活性物質として使用した二次電池 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08241707A true JPH08241707A (ja) | 1996-09-17 |
Family
ID=13487390
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7072371A Pending JPH08241707A (ja) | 1995-03-06 | 1995-03-06 | 酸化物薄膜を負極活性物質として使用した二次電池 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08241707A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US6383684B1 (en) | 1999-03-25 | 2002-05-07 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Lithium secondary battery comprising tungsten-containing oxide of monoclinic crystal structure |
US6403258B1 (en) | 1999-03-25 | 2002-06-11 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Lithium secondary battery comprising tungsten composite oxide |
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WO2007102433A1 (ja) | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Incorporated National University Iwate University | 二次電池及びその製造方法並びにシステム |
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CN113470991A (zh) * | 2021-07-14 | 2021-10-01 | 山东大学 | 一种锂离子电容器及其制备方法 |
-
1995
- 1995-03-06 JP JP7072371A patent/JPH08241707A/ja active Pending
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