JPH08241049A - 導電性フリット及びこれを用いた画像表示装置 - Google Patents

導電性フリット及びこれを用いた画像表示装置

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JPH08241049A
JPH08241049A JP8000186A JP18696A JPH08241049A JP H08241049 A JPH08241049 A JP H08241049A JP 8000186 A JP8000186 A JP 8000186A JP 18696 A JP18696 A JP 18696A JP H08241049 A JPH08241049 A JP H08241049A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 青板ガラスとの固定強度、電気的接続が十分
な導電性フリット及び該フリットを用い長時間の画像表
示にも電子軌道のずれを生じない、蛍光体の発光位置や
発光形状の変化を生じない、固定強度の十分な画像表示
装置の提供。 【解決手段】 フリットガラス及び表面に金属が形成さ
れたガラス微細粒子フィラーより成る目的の導電性フリ
ット、該フリットにビークルを加えペースト状とした導
電性フリットペースト、蛍光部材及び電子加速電極が形
成されたフェースプレートに対向して配置された電子源
を有する電子源基板、導電性スペーサを少なくとも有す
る画像表示装置の該導電性スペーサの電子加速電極及び
電子源に対する固定並びに電気的接続に前記導電性フリ
ットを用いて成る目的の画像表示装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特定の導電性フリ
ット（＝ｆｒｉｔ：粉末、ペースト又は焼成体）及び該
導電性フリットを用いた特定の画像表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、導電性フリットとして、導電
性物質として金属粉末とガラス粉末との混合物が示され
ており、例えば特開昭５６−３０２４０号公報には、導
電性物質としての銀粉末とガラス粉末との混合物が開示
されている。
【０００３】また、従来より、一般に電子を用いた画像
表示装置においては、真空雰囲気を維持する外囲器、電
子を放出させるための電子源とその駆動回路、電子の衝
突により発光する蛍光体等を有する画像形成部材、電子
を画像形成部材に向けて加速するための加速電極及びそ
の高圧電源等々を必要とする。また、薄型画像表示装置
等のように扁平な外囲器を用いる画像表示装置において
は、耐大気圧構造体としてスペーサを用いる場合もある
（例えば、本願出願人による特開平２−２９９１３６号
公報）。
【０００４】以下に画像表示装置の電子源に用いられる
電子放出素子について説明する。従来、電子放出素子と
して熱電子源と冷陰極電子源の２種類が知られている。
冷陰極源電子源には、電界放出型（以下、ＦＥ型と略記
する）、金属／絶縁層／金属型（以下、ＭＩＭ型と略記
する）及び表面導電型電子放出素子等がある。
【０００５】ＦＥ型の例としては、Ｗ．Ｐ．Ｄｙｋｅ＆
Ｗ．Ｗ．Ｄｏｌａｎ，“Ｆｉｅｌｄｅｍｉｓｓｉｏ
ｎ”，Ａｄｖａｎｃｅ ｉｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐｈ
ｙｓｉｃｓ，８，８９（１９５６）或いはＣ．Ａ．Ｓｐ
ｉｎｄｔ，“ＰｈｙｓｉｃａｌＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓ
ｏｆ ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ ｆｉｅｌｄ ｅｍｉｓｓｉ
ｏｎ ｃａｔｈｏｄｅｓ ｗｉｔｈ ｍｏｌｙｂｄｅｎ
ｕｍ”，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，４７，５２４８
（１９７６）等が知られている。
【０００６】また、ＭＩＭ型の例としては、Ｃ．Ａ．Ｍ
ｅａｄ，“Ｔｈｅ ｔｕｎｎｅｌ−ｅｍｉｓｓｉｏｎ
ａｍｐｌｉｆｉｅｒ”，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ．，３
２，６４６（１９６１）等が知られている。
【０００７】表面伝導型電子放出素子型の例としては、
Ｍ．Ｉ．Ｅｌｉｎｓｏｎ，Ｒａｄｉｏ Ｅｎｇ．Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎ Ｐｈｙｓ．，１０（１９６５）等がある。
表面伝導型電子放出素子は、基板上に形成された小面積
の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことにより、電子放
出が生ずる現象を利用するものである。この表面伝導型
電子放出素子としては、前記エリンソン等によるＳｎＯ
2 膜を用いたもの、Ａｕ薄膜によるもの［Ｇ．Ｄｉｔｔ
ｍｅｒ：“Ｔｈｉｎ ｓｏｌｉｄＦｉｌｍｓ”，９，３
１７（１９７２）］、Ｉｎ2 Ｏ3 ／ＳｎＯ2 薄膜による
もの［Ｍ．Ｈａｒｔｗｅｌｌ ａｎｄ Ｃ．Ｇ．Ｆｏｎ
ｓｔａｄ：”ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥＤ Ｃｏｎ
ｆ．”，５１９（１９７５）］、カーボン薄膜によるも
の［荒木久 他：真空、第２６巻、第１号、２２頁（１
９８３）］等が報告されている。
【０００８】これらの表面伝導型電子放出素子の典型的
な素子構成として前述のＭ．ハートウェルの素子構成を
図１３に示す。同図において３１は基板である。３４は
導電性薄膜で、Ｈ型形状のパターンに、スパッタで形成
された金属酸化物薄膜等からなり、後述の通電フォーミ
ングと呼ばれる通電処理により電子放出部３５が形成さ
れる。尚、電子放出部３５の位置及び形状については、
不明であるので模式図として表した。
【０００９】従来、これらの表面伝導型放出素子におい
ては、電子放出を行う前に導電性薄膜３４を予め通電フ
ォーミングと呼ばれる通電処理によって電子放出部３５
を形成するのが一般的であった。即ち、通電フォーミン
グとは前記導電性薄膜３４の両端に直流電圧或いは非常
に緩やかな昇電圧例えば１Ｖ／分程度を印加通電し、導
電性薄膜を局所的に破壊、変形もしくは変質せしめ、電
気的に高抵抗な状態にした電子放出部３５を形成するも
のである。尚、電子放出部３５は導電性薄膜３４の一部
に亀裂が発生しその亀裂付近から電子放出が行われる。
前記通電フォーミング処理をした表面伝導型電子放出素
子は、上述の導電性薄膜３４に電圧を印加し、素子に電
流を流すことにより上述の電子放出部３５より電子を放
出せしめるものである。
【００１０】上述の表面伝導型放出素子は構造が単純で
製造も容易であることから大面積に亘り多数素子を配列
形成することができるという利点がある。このような特
徴を生かすような諸々の応用が研究されている。例え
ば、電荷ビーム源、画像表示装置等の表示装置が挙げら
れる。
【００１１】多数のＳＣＥを配列形成した例としては、
並列にＳＣＥを配列し、個々の素子の両端を配線にてそ
れぞれ結線した行を多数行配列した電子源が挙げられる
（例えば、本願出願人による特開平１−３１３３２号公
報）。
【００１２】ＳＣＥを複数個配置してなる電子源と上記
電子源より放出された電子によって可視光を発光せしめ
る画像形成部材としての蛍光体とを組み合わされること
により、種々の画像形成装置、主として表示装置が構成
されるが（例えば、本願出願人によるＵＳＰ５０６６８
８３号明細書）、大画面の装置にても比較的容易に製造
することができ、且つ表示品位に優れた自発光型表示装
置であるために、ＣＲＴに替わる画像形成装置として期
待されている。
【００１３】例えば、本願出願人が先に提案した特開平
２−２５７５５１号公報等に記載されるような画像形成
装置において、多数形成されたＳＣＥの選択は、該ＳＣ
Ｅを並列に配置して結線した配線（行方向配線）、及び
該行方向配線と直交する方向（列方向）に、電子源と蛍
光体間の空間に設置された制御電極に結線した配線（列
方向配線）への適当な駆動信号によるものである。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】然しながら上記従来例
の導電性フリット及び該導電性フリットを用いた画像形
成装置では以下のような問題点が生ずる恐れのあること
が判明した。
【００１５】即ち、本発明者らは、金属粉末と低融点ガ
ラス粉末とを配合させた導電性フリットを用いて、例え
ば蛍光部材及び電子加速電極が形成されたフェースプレ
ートと、該フェースプレートと対向して配置された電子
源を有する電子源基板と、前記電子加速電極と電子源と
の間に配置された導電性スペーサとを、少なくとも有す
る画像表示装置を作製した。
【００１６】その結果、前記スペーサの電子加速電極と
電子源に対する機械的固定及び電気的接続を行なうと、
機械的固定及び電気的接続を十分満足できる状態とする
のは困難であり、これらを十分満足な状態とするために
は、精細な制御と熟練が要求されることが判明した。
【００１７】詳しくは機械的固定強度を充分に得るため
に低融点ガラス粉末の割合を増加させると、電気的接続
が不十分になり、長時間画像を表示させたりするとスペ
ーサが帯電し、電場が変化して電子軌道のずれが生じ、
蛍光体の発光位置や発光形状の変化が生じてしまう場合
があった。
【００１８】また逆に電気的接続を充分に確保するよう
に金属粉末の割合を増加させると、導電性フリットの熱
膨張係数が増大する結果、固着部におけるガラスを基材
とするスペーサとの熱膨張係数の差が大きくなることも
一因となって破損等が起き、機械的固定強度が不十分に
なるので大気圧支持ができないという不具合が生じる場
合があった。
【００１９】本発明の目的は、上記のような諸々の問題
点を解消することができる特定の導電性フリット（粉
末、ペースト又は焼成体）、及び該導電性フリットを用
いた特定の画像表示装置を提供することにある。本発明
の他の目的は、発光位置や発光形状の変化が実質的にゼ
ロか若しくは極めて小さく、抑制された画像表示装置を
提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明者等は、
導電性フリット及び導電性フリットを用いた画像表示装
置における上述の問題を解決して本発明の目的を達成す
べく鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成に至ったもの
である。
【００２１】上記の目的は以下に示す本発明によって達
成される。即ち本発明は、導電性フリットにおいて、該
フリットが低融点ガラス及び表面に金属が形成されたガ
ラス微細粒子フィラーより成ることを特徴とする導電性
フリット、並びに該フリットが、低融点ガラス、表面に
金属が形成されたガラス微粒子フィラー及び低膨張セラ
ミックスフィラーよりなることを特徴とする導電性フリ
ットを開示するものである。
【００２２】また本発明は、蛍光部材及び電子加速電極
が形成されたフェースプレート、該フェースプレートに
対向して配置された電子源を有する電子源基板、及び前
記電子加速電極と電子源との間に配置された導電性スペ
ーサとを有する画像表示装置において、前記導電性スペ
ーサの電子加速電極又は配線に対する電気的接続に、前
記本発明の導電性フリットを用いた画像表示装置、並び
に前記導電性スペーサの電子加速電極又は配線に対する
固定並びに電気的接続に、前記本発明の導電性フリット
を用いた画像表示装置を開示するものである。
【００２３】上述した技術的課題を解決し、上述した目
的を達成する本発明は、下述する構成のものである。
【００２４】即ち、本発明の導電性フリットの第１の態
様は、導電性フリットにおいて、該フリットが、低融点
ガラス及び表面に金属が形成されたガラス微細粒子フィ
ラーより成ることを特徴とするものである。
【００２５】本発明の導電性フリットの第２の態様は、
導電性フリットにおいて、該フリットが、低融点ガラ
ス、表面に金属が形成されたガラス微粒子フィラー及び
低膨張セラミックスフィラーよりなることを特徴とする
ものである。
【００２６】本発明は、画像表示装置を包含する。本発
明の画像表示装置は、蛍光部材及び電子加速電極が形成
されたフェースプレート、該フェースプレートに対向し
て配置された電子源を有する電子源基板、及び前記電子
加速電極と電子源との間に配置された導電性スペーサと
を有する画像表示装置において、前記導電性スペーサの
電子加速電極又は配線に対する固定並びに電気的接続
に、本発明の導電性フリットを用いたことを特徴とする
ものである。
【００２７】上述した構成の本発明によれば、上述した
技術的課題が解決され、上述した目的が達成される。
【００２８】即ち、導電性フィラーとして、表面に金属
が形成されたガラス微細粒子フィラーを用いた本発明の
導電性フリットによれば固定強度と電気的接続の双方の
所要条件を満足させることができる。
【００２９】電気的接続を十分に確保しようとして、表
面に金属が形成されたガラス微細粒子フィラーの割合を
増加させても、ガラスフリットの熱膨張係数を増大させ
る要因が、表面の金属のみであるために、金属粉末のみ
を増加させた場合と異なり、ガラスフリットの熱膨張係
数の増大を押さえることができるので、固着部での十分
な固定強度を得ることができる。従って、本発明の導電
性フリットによれば固定強度と電気的接続の双方の所要
条件を満足させることができる。この結果、本発明の導
電性フリットを用いることにより、上記問題点を解消し
た画像形成装置を提供することができる。
【００３０】更に、本発明の導電性フリットを用いるこ
とにより、長時間画像表示させても電子軌道のずれが生
じたり、蛍光体の発光位置や発光形状の変化を生じるこ
とがなく、且つ固定強度が十分な画像表示装置を提供す
ることができる。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の好ましい実施態
様について説明する。
【００３２】本発明の導電性フリット及び画像表示装置
の構成は、前述した通りのものである。
【００３３】導電性フィラーとして表面に金属が形成さ
れたガラス微細粒子フィラーを用いた本発明の導電性フ
リットにおいては、金属粒子フィラーに比べ熱膨張係数
が増大することがない。
【００３４】一般に粒子化できる金属の、例えばＡｇ，
Ａ１，Ａｕ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｂ等の熱膨張係数は
約１２０×１０-7℃-1以上で、ガラス微細粒子フィラー
は約９０×１０-7℃-1以下であって比較して大きいため
に、金属粒子フィラーの場合には配合量が増えると、ガ
ラス微細粒子フィラーに比べ、フリットとしての熱膨張
係数が増大してしまう。そこで、本発明の導電性フリッ
トにおいては、導通に必要な金属はフィラー表面だけに
形成して、フィラーの基材には熱膨張係数の小さいガラ
ス等を用いることにより、熱膨張係数の増大を防いでい
るのである。
【００３５】本発明の導電性フリットにおいて、導電性
フィラーは、基材にソーダライムガラス（青板ガラス）
或いはシリカ等のガラス球を用いることができる。そし
て、その形状は、真球に近いものが望ましい。また、平
均粒径は、混合する低融点ガラスの平均粒径と同程度の
ものがよく、且つ粒度分布が少ないものが望ましい。ま
た最大粒径も混合する低融点ガラスの最大粒径と同程度
のものがよいが、特に塗布（形成）する形状が微少な場
合（約１ｍｍ以下）は、その形状の１／２以下の粒径が
望ましい。
【００３６】本発明の導電性フリットは、この基材の表
面にメッキ法等により金属膜を形成することによって得
られる。この場合、密着性向上のために、下引き層を設
けてもよい。表面に形成する金属膜の金属は、Ｃｕ，Ｃ
ｒ，Ｎｉ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ等を用いることができ、特
に限定はされないが、Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ等が酸化され難
いので好ましい。膜厚としては０．００５〜１μｍの範
囲が望ましく、より好ましくは０．０２〜０．１μｍの
範囲である。膜厚が０．００５μｍ未満であると抵抗が
大きすぎ、また１μｍを超えると熱膨張係数の差が大き
くなり、表面に割れなどが生じる。また表面のみに金属
を形成するので、例えばＡｕのみの粉末と比較して、大
いにコストを下げることができる。
【００３７】本発明の導電性フリットは、導電性フィラ
ーを低融点ガラスに対して、重量百分率で３〜９５％配
合することによって構成するのが望ましい。３％より少
ないと体積固有抵抗が高くなり、９５％より多いと青板
（ソーダライム）ガラスとの接着強度がなくなる。また
５〜４０％程度の範囲では、体積固有抵抗値が１０-5〜
１０4 Ωｃｍ程度で青板（ソーダライム）ガラスとの接
着強度も強い。
【００３８】導電性フィラーの含有量で、特に良好なの
は１０〜２５％の範囲であり、この範囲内では体積固有
抵抗値が１０-3〜１０Ωｃｍ程度と安定して、青板（ソ
ーダライム）ガラスとの接着強度も強い。しかし４０％
程度を超えると、体積固有抵抗値は１０-5〜１Ωｃｍ程
度と低くなるが、青板（ソーダライム）ガラスとの接着
強度が弱くなる。つまり導電性フィラーの配合比が低い
と、抵抗値が高くなって、青板（ソーダライム）ガラス
との接着強度も強くなり、逆に配合比が高いと、抵抗値
は低くなるが青板（ソーダライム）ガラスとの接着強度
が弱くなる傾向にある。
【００３９】また例えば熱膨張係数が本発明の導電性フ
リットと異なる被接着部材を本発明の導電性フリットを
用いて接着させる場合においては、必要に応じて低膨張
セラミックスフィラーを０〜２５％の範囲で本発明の導
電性フリット中に含有させ、被接着部材と熱膨張係数を
整合させるのが望ましい。
【００４０】本発明において、低膨張セラミックスフィ
ラーとしては、熱膨張係数が７０×１０-7℃-1以下であ
るセラミックスフィラーを採用するのが望ましく、具体
的には、ジルコン、チタン酸鉛、チタン酸アルミ、アル
ミナ、ムライト、コージェライト、β−ユークリプタイ
ト、β−スポジューメンから選ばれた少なくとも一種が
好ましい。そして、その含有量が重量百分率で２５％を
超えると機械的固定強度が低下する。
【００４１】また、平均粒径、最大粒径は、前記導電性
フィラーのそれよりも小さくする。また、前記の通常の
フリットとは、低融点ガラスを主成分とする粉末状無機
接着剤で、被接着物との熱膨張差による割れ等を防止す
るために、セラミックスフィラー粉末を含有させて熱膨
張を調整したものである。
【００４２】このようにして作製された導電性フリット
粉末は、塗布時の良好な作業性を得ようとする場合には
ペースト状にする。このために、バインダー（粘結材）
を溶剤に溶かしたビークルに導電性フリット粉末を配合
する。バインダーには、アクリル系等の合成樹脂等を、
溶剤には、アルコール、エーテル等の有機溶剤等が用い
られる。
【００４３】導電性フリット粉末又は導電性フリットペ
ーストは焼成を行い、導電性フリット焼成体と成すこと
により、機械的固定強度及び電気的接続の媒体とするこ
とができる。尚、必要に応じて仮焼成の行程を導入し
て、予め導電性フリットペーストの有機バインダーの分
解、燃焼をさせてもよい。
【００４４】本発明の導電性フリットは、ディスペンサ
ーで塗布することが可能である。この場合、低融点ガラ
ス及びフィラーの平均粒径を５〜５０μｍとすることに
より、精度良く、しかも細い形状で塗布を行なうことが
できる。
【００４５】次に、本発明の導電性フリットを用いた本
発明の画像表示装置について説明する。はじめに、本発
明に用いることが可能な電子源について述べる。本発明
に用いる冷陰極電子源としては、構成が単純で、製造が
容易な表面伝導型電子放出素子が好適に用いられる。
【００４６】本発明に用いることのできる表面伝導型電
子放出素子の例としては、基本的に平面型表面伝導型電
子放出素子及び垂直型表面伝導型電子放出素子の２種類
が挙げられる。図１は、基本的な表面伝導型電子放出素
子の構成を示す模式的平面図及び断面図ある。
【００４７】図１において１は基板、２及び３は素子電
極、４は導電性薄膜、５は電子放出部である。
【００４８】基板１としては、青板（ソーダライム）ガ
ラス及びＳｉＯ2 を表面に形成した青板ガラスが用いら
れる。素子電極２，３の材料としては一般的導電体が用
いられ、例えばＮｉ，Ｃｒ，Ａｕ，Ｍｏ，Ｗ，Ｐｔ，Ｔ
ｉ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｐｄ等の金属或いは合金及びＰｄ，Ａ
ｇ，Ａｕ，ＲｕＯ2 ，Ｐｄ−Ａｇ等の金属或いは金属酸
化物とガラス等から構成される印刷導体、Ｉｎ2 Ｏ3 −
ＳｎＯ2 等の透明導電体及びポリシリコン等の半導体材
料等から適宜選択される。
【００４９】素子電極間隔Ｌは、好ましくは数百オング
ストローム〜数百マイクロメートルである。また素子電
極間に印加する電圧は低い方が望ましく、再現良く作成
することが要求されるため、好ましい素子電極間隔は数
マイクロメートル〜数十マイクロメートルである。
【００５０】素子電極長さＷは、電極の抵抗値、電子放
出特性から数マイクロメートル〜数百マイクロメートル
であり、また素子電極２，３の膜厚は、数百オングスト
ローム〜数マイクロメートルが好ましい。尚、図１に示
す構成だけでなく、他に基板１上に導電性薄膜４、素子
電極２，３の電極を順に形成させた構成にしてもよい。
【００５１】導電性薄膜４は良好な電子放出特性を得る
ために微粒子で構成された微粒子膜が特に好ましく、そ
の膜厚は素子電極２，３へのステップカバレージ、素子
電極２，３間の抵抗値及び後述する通電フォーミング条
件等によって適宜設定されるが、好ましくは数オングス
トローム〜数千オングストロームで、特に好ましくは１
０〜５００オングストロームである。そのシート抵抗値
は１０3 〜１０7 オーム／□である。
【００５２】また導電性薄膜４を構成する材料は、Ｐ
ｄ，Ｐｔ，Ｒｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｔｉ，Ｉｎ，Ｃｕ，Ｃ
ｒ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｔａ，Ｗ，Ｐｂ等の金属、Ｐｄ
Ｏ，ＳｎＯ2 ，Ｉｎ2 Ｏ3 ，ＰｂＯ，Ｓｂ2 Ｏ3 等の酸
化物、ＨｆＢ2 ，ＺｒＢ2 ，ＬａＢ6 ，ＣｅＢ6 ，ＹＢ
4 ，ＧｄＢ4 等の硼化物、ＴｉＣ，ＺｒＣ，ＨｆＣ，Ｔ
ａＣ，ＳｉＣ，ＷＣ等の炭化物、ＴｉＮ，ＺｒＮ，Ｈｆ
Ｎ等の窒化物、Ｓｉ，Ｇｅ等の半導体、カーボン等が挙
げられる。
【００５３】尚、ここで述べる微粒子膜とは複数の微粒
子が集合した膜であり、その微細構造として、微粒子が
個々に分散配置した状態のみならず、微粒子が互いに隣
接、或いは重なり合った状態（島状も含む）の膜を表し
ており、微粒子の粒径は数オングストローム〜数千オン
グストロームであり、好ましくは１０〜２００オングス
トロームである。
【００５４】電子放出部５は導電性薄膜４の一部に形成
された高抵抗の亀裂であり、通電フォーミング等により
形成される。また亀裂内には数オングストローム〜数百
オングストロームの粒径の導電性微粒子を有することも
ある。この導電性微粒子は導電性薄膜４を構成する物質
の少なくとも一部の元素を含んでいる。また電子放出部
５及びその近傍の導電性薄膜４は炭素及び炭素化合物を
有することもある。
【００５５】図２は、基本的な垂直型表面伝導型電子放
出素子の構成を示す模式的断面図である。図２において
図１と同一の部材については同一符号を付与してある。
２１は段差形成部である。
【００５６】基板１、素子電極２及び３、導電性薄膜
４、電子放出部５は、前述した平面型表面伝導型電子放
出素子と同様の材料で構成することができ、段差形成部
２１は絶縁性材料で構成され、段差形成部２１の膜厚が
先に述べた平面型表面伝導型電子放出素子の素子電極間
隔Ｌに相当する。その間隔は、数百オングストローム〜
数十マイクロメートルである。またその間隔は、段差形
成部の製法及び素子電極間に印加する電圧により制御す
ることができるが、好ましくは数百オングストローム〜
数マイクロメートルである。
【００５７】導電性薄膜４は、素子電極２及び３と段差
形成部２１作成後に形成するため、素子電極２，３の上
に積層される。尚、図２において電子放出部５は段差形
成部２１に直線状に形成されているように示されている
が、作成条件、通電フォーミング条件等に依存し、形
状、位置ともこれに限るものではない。
【００５８】以下、図１及び図３に基づいて電子源基板
の作製方法について説明する。尚、図３において図１と
同一の部材については同一符号を付与してある。 （１）基板を洗剤、純水及び有機溶剤により十分に洗浄
後、真空蒸着法、スパッタ法等により素子電極材料を堆
積する。その後、フォトリソグラフィー技術により該基
板上に素子電極２，３を形成する（図３（ａ）参照）。
【００５９】（２）素子電極２，３を設けた基板１に、
有機金属溶液を塗布して放置することにより有機金属薄
膜を形成する。ここでいう有機金属溶液とは前述の導電
性膜４を形成する金属を主元素とする有機金属化合物の
溶液である。その後、有機金属薄膜を加熱焼成処理し、
リフトオフ、エッチング等によりパターニングし、導電
性薄膜４を形成する（図３（ｂ）参照）。尚、ここでは
有機金属溶液の塗布法により説明したが、これに限るも
のでなく真空蒸着法、スパッタ法、化学的気相堆積法、
分散塗布法、ディッピング法、スピンナー法等によって
形成される場合もある。
【００６０】（３）続いて通電フォーミングと呼ばれる
通電処理を行う。通電フォーミングは素子電極２，３間
に不図示の電源より通電を行い、導電性薄膜を局所的に
破壊、変形もしくは変質せしめ、構造を変化させた部位
を形成させるものである。この局所的に構造変化させた
部位を電子放出部とよぶ（図３（ｃ）参照）。
【００６１】通電フォーミングの電圧波形の例を図４に
示す。電圧波形は、特にパルス波形が好ましく、パルス
波高値が一定の電圧パルスを連続的に印加する場合（図
４（ａ）参照）、及びパルス波高値を増加させながら電
圧パルスを印加する場合（図４（ｂ）参照）とがある。
【００６２】先ずパルス波高値をが一定電圧とした場合
（図４（ａ）参照）について説明する。図４（ａ）にお
けるＴ１及びＴ２は電圧波形のパルス幅とパルス間隔で
あり、Ｔ１を１マイクロ秒〜１０ミリ秒、Ｔ２を１０マ
イクロ秒〜１００ミリ秒とし、三角波の波高値（通電フ
ォーミング時のピーク電圧）は表面伝導型電子放出素子
の形態に応じて適宜選択し、適当な真空度、例えば、１
０-5ｔｏｒｒ程度の真空雰囲気下で、数秒〜数十分間印
加する。尚、素子の電極間に印加する波形は三角波に限
定することはなく、矩形波等所望の波形を用いてもよ
い。
【００６３】図４（ｂ）におけるＴ１及びＴ２は、図４
（ａ）と同じであり、三角波の波高値（通電フォーミン
グ時のピーク電圧）は、例えば０．１Ｖステップ程度づ
つ増加させ適当な真空雰囲気下で印加する。
【００６４】尚、この場合の通電フォーミング処理はパ
ルス間隔Ｔ２中に、導電性薄膜４を局所的に破壊、変形
しない程度の電圧、例えば０．１Ｖ程度の電圧で、素子
電流を測定し、抵抗値を求め、例えば、１Ｍオーム以上
の抵抗を示したときに通電フォーミング終了とする。
【００６５】（４）次に通電フォーミングが終了した素
子に活性化工程と称する処理を施すことが望ましい。活
性化工程とは、例えば、１０-4〜１０-5ｔｏｒｒ程度の
真空度にて通電フォーミング同様、パルス波高値が一定
の電圧パルスを繰り返し印加する処理のことであり、真
空中に存在する有機物質に起因する炭素及び炭素化合物
を導電薄膜上に堆積させ素子電流Ｉｆ、放出電流Ｉｅを
著しく変化させる処理である。活性化工程は素子電流Ｉ
ｆと放出電流Ｉｅを測定しながら、例えば、放出電流Ｉ
ｅが飽和した時点で終了する。また印加する電圧パルス
は動作駆動電圧で行うことが好ましい。
【００６６】尚、ここでは炭素或いは炭素化合物とは、
グラファイト（単（多）結晶双方を指す）非晶質カーボ
ン（非晶質カーボン及び多結晶グラファイトとの混合物
を指す）であり、その膜厚は５００オングストローム以
下が好ましく、より好ましくは３００オングストローム
以下である。
【００６７】（５）このようにして作成した電子放出素
子をフォーミング工程、活性化工程における真空度より
も高い真空度の雰囲気下にて動作駆動させるのがよい。
また、更に高い真空度の雰囲気下にて８０〜１５０℃の
加熱後に動作駆動させることが望ましい。
【００６８】尚、フォーミング工程、活性化処理した真
空度より高い真空度とは、例えば、１０-6以上の真空度
であり、新たに炭素或いは炭素化合物が導電薄膜上に殆
ど堆積しない真空度である。このように処理することに
よって素子電流Ｉｆ、放出電流Ｉｅを安定化させること
が可能になる。
【００６９】表面伝導型電子放出素子の基本特性につい
て図５及び図６を参照しながら説明する。
【００７０】図５は、真空処理装置の一例を示す模式図
であり、この真空処理装置は測定評価装置としての機能
をも兼ね備えている。図５においても、図２に示した部
位と同じ部位には図２に付した符号と同一の符号を付し
ている。図５において、５５は真空容器であり、５６は
排気ポンプである。真空容器５５内には電子放出素子が
配されている。即ち、１は電子放出素子を構成する基体
であり、２及び３は素子電極、４は導電性薄膜、５は電
子放出部である。５１は、電子放出素子に素子電圧Ｖｆ
を印加するための電源、５０は素子電極２，３間の導電
性薄膜４を流れる素子電流Ｉｆを測定するための電流
計、５４は素子の電子放出部より放出される放出電流Ｉ
ｅを捕捉するためのアノード電極である。５３はアノー
ド電極５４に電圧を印加するための高圧電源、５２は素
子の電子放出部５より放出される放出電流Ｉｅを測定す
るための電流計である。一例として、アノード電極の電
圧を１〜１０ｋｖの範囲とし、アノード電極と電子放出
素子との距離Ｈを、２〜８ｍｍの範囲として測定を行う
ことができる。
【００７１】真空容器５５内には、不図示の真空計等の
真空雰囲気下での測定に必要な機器が設けられていて、
所望の真空雰囲気下での測定評価を行えるようになって
いる。排気ポンプ５６は、ターボホンプ、ロータリーポ
ンプからなる通常の高真空装置系と更に、イオンポンプ
等からなる超高真空装置系とにより構成されている。こ
こに示した電子源基板を配した真空処理装置の全体は、
不図示のヒーターにより２００℃まで加熱できる。従っ
て、この真空処理装置を用いると、前述の通電フォーミ
ング以降の工程も行うことができる。
【００７２】図６は、図５に示した真空処理装置を用い
て測定された放出電流Ｉｅ、素子電流Ｉｆと素子電圧Ｖ
ｆの関係を模式的に示した図である。図６においては、
放出電流Ｉｅが素子電流Ｉｆに比べて著しく小さいの
で、任意単位で示している。
【００７３】図６からも明らかなように、表面伝導型電
子放出素子は、放出電流Ｉｅに関して対する三つの特徴
的性質を有する。
【００７４】即ち、（ｉ）本素子はある電圧（しきい値
電圧と呼ぶ、図６中のＶｔｈ）以上の素子電圧を印加す
ると急激に放出電流Ｉｅが増加し、一方しきい値電圧Ｖ
ｔｈ以下では放出電流Ｉｅが殆ど検出されない。つま
り、放出電流Ｉｅに対する明確なしきい値電圧Ｖｔｈを
持った非線形素子である。
【００７５】（ii）放出電流Ｉｅが素子電圧Ｖｆに単調
増加依存するため、放出電流Ｉｅは素子電圧Ｖｆで制御
できる。
【００７６】（iii ）アノード電極５４に捕捉される放
出電荷は、素子電圧Ｖｆを印加する時間に依存する。つ
まり、アノード電極５４に捕捉される電荷量は、素子電
圧Ｖｆを印加する時間により制御できる。
【００７７】以上の説明より理解されるように、表面伝
導型電子放出素子は、入力信号に応じて、電子放出特性
を容易に制御できることになる。この性質を利用すると
複数の電子放出素子を配して構成した電子源、画像形成
装置等、多方面への応用が可能となる。
【００７８】次に本発明の画像形成装置について述べ
る。画像形成装置に用いられる電子源基板は複数の表面
伝導型電子放出素子を基板上に配列することにより形成
される。
【００７９】表面伝導型電子放出素子の配列の方式には
表面伝導型電子放出素子を並列に配置し、個々の素子の
両端を配線で接続する梯子型配置（以下、梯子型電子源
基板と称する）や、表面伝導型電子放出素子の一対の素
子電極にそれぞれＸ方向配線、Ｙ方向配線を接続した単
純マトリクス配置（以下、マトリクス型配置電子源基板
と称する）が挙げられる。尚、梯子型配置電子源基板を
有する画像形成装置には、電子放出素子からの電子の飛
翔を制御する電極である制御電極（グリッド電極）を必
要とする。
【００８０】以下この原理に基づいて構成した電子源の
構成について、図７を用いて説明する。７１は電子源基
板、７２はＸ線方向配線、７３はＹ線方向配線、７４は
表面伝導型電子放出素子、７５は結線である。尚、表面
伝導型電子放出素子７４は前述した平面型或いは垂直型
の何れであってもよい。
【００８１】同図において電子源基板７１に用いる基板
は前述したガラス基板等であり、用途に応じて形状が適
宜設定される。ｍ本のＸ方向配線７２は、ＤＸ１、ＤＸ
２、〜ＤＸｍからなり、Ｙ方向配線７３は、ＤＹ１、Ｄ
Ｙ２、〜ＤＹｎ本の配線よりなる。
【００８２】また、多数の表面伝導型素子にほぼ均等な
電圧が供給されるように、材料、膜厚、配線幅が適宜設
定される。これらｍ本のＸ方向配線７２とｎ本のＹ方向
配線７３間は、不図示の層間絶縁層により電気的に分離
されてマトリクス配線を構成する。（ｍ，ｎは共に正の
整数）。
【００８３】不図示の層間絶縁膜はＸ方向配線７２を形
成した基板７１の全面或いは一部に所望の領域に形成さ
れる。Ｘ方向配線７２とＹ方向配線７３はそれぞれ外部
端子として引き出される。
【００８４】更に表面伝導型放出素子７４の素子電極
（不図示）がｍ本のＸ方向配線７２とｎ本のＹ方向配線
７３と結線７５によって電気的に接続されている。また
表面伝導型放出素子は、基板或いは不図示の層間絶縁層
上の何れに形成してもよい。
【００８５】また詳しく後述するが、前記Ｘ方向配線７
２には、Ｘ方向に配列する表面伝導型放出素子７４の行
を入力信号に応じて走査するための走査信号を印加する
ための不図示の走査信号発生手段と電気的に接続されて
いる。
【００８６】一方、Ｙ方向配線７３には、Ｙ方向に配列
する表面伝導型放出素子７４の列の各列を入力信号に応
じて、変調するための変調信号を印加するための変調信
号発生を印加するための不図示の変調信号発生手段と電
気的に接続されている。
【００８７】更に表面伝導型放出素子の各素子に印加さ
れる駆動電圧は当該素子に印加される走査信号と変調信
号の差電圧として供給されるものである。上記構成にお
いて、単純なマトリクス配線だけで個別の素子を選択し
て独立に駆動可能になる。
【００８８】次に以上のようにして作成した単純マトリ
クス配置の電子源を用いた画像形成装置について、図８
〜図１０を用いて説明する。図８は画像形成装置の基本
構成図であり、図９は蛍光膜、図１０はＮＴＳＣ方式の
テレビ信号に応じて表示をするための駆動回路のブロッ
ク図を示し、その駆動回路を含む画像形成装置を表す。
【００８９】図８において７１は電子放出素子を基板上
に作製した電子源基板、８６は青板ガラス基板８３の内
面に蛍光膜８４とメタルバック（電子加速電極）８５が
形成されたフェースプレート、８２は支持枠、８９は薄
い青板ガラス基板にＳｎＯ2等の導電膜を形成した導電
性スペーサであり、これら部材が封着され外囲器８８が
作製される。この際、電子源基板７１及びフェースプレ
ート８６と支持枠８２の固着には、通常の絶縁性フリッ
トを用い、電子源基板の電子源（配線）及びフェースプ
レートの電子加速電極と導電性スペーサ８９の固着には
本発明の導電性フリット８０を用いる。
【００９０】図８において７４は図１における電子放出
部に相当する。７２，７３は表面伝導型電子放出素子の
一対の素子電極と接続されたＸ方向配線及びＹ方向配線
である。
【００９１】図９において９２は蛍光体である。蛍光体
９２はモノクロームの場合は蛍光体のみからなるが、カ
ラーの蛍光膜の場合は蛍光体の配列によりブラックスト
ライプ或いはブラックマトリクス等と呼ばれる黒色導電
材９１と蛍光体９２とで構成される。ブラックストライ
プ、ブラックマトリクスが設けられる目的は、カラー表
示の場合、必要となる三原色蛍光体の各蛍光体９２間の
塗り分け部を黒くすることにより混色等を目立たなくす
ることと、蛍光膜８４における外光反射によるコントラ
ストの低下を抑制することである。ブラックストライプ
の材料としては、通常よく用いられている黒鉛を主成分
とする材料だけでなく、導電性があり、光の透過及び反
射が少ない材料であればこれに限るものではない。ガラ
ス基板９３に蛍光体を塗布する方法としては、モノクロ
ーム、カラーによらず沈澱法や印刷法が用いられる。
【００９２】また蛍光膜８４（図８参照）の内面側には
通常、メタルバック８５（図８同）が設けられる。メタ
ルバック８５の目的は、蛍光体の発光のうち内面側への
光をフェースプレート８６側へ鏡面反射することにより
輝度を向上すること、電子ビーム加速電圧を印加するた
めの電極として作用すること、外囲器８８内で発生した
負イオンの衝突によるダメージからの蛍光体の保護等で
ある。メタルバックは蛍光膜作製後、蛍光膜の内面側表
面の平滑化処理（通常、フィルミングと称される）を行
い、その後Ａｌを真空蒸着等で堆積することにより作製
することができる。フェースプレート８６には、更に蛍
光膜８４の導電性を高めるため、蛍光膜８４の外面側に
透明電極（不図示）を設けてもよい。
【００９３】外囲器８８は不図示の排気管を通じ、１０
-7ｔｏｒｒ程度の真空度にされ、封止がおこなわれる。
また外囲器８８の封止後の真空度を維持するためにゲッ
ター処理を行う場合もある。これは外囲器８８の封止を
行う直前或いは封止後に抵抗加熱或いは高周波加熱等の
加熱法により、外囲器８８内の所定の位置（不図示）に
配置されたゲッターを加熱し、蒸着膜を形成する処理で
ある。ゲッターは通常、Ｂａ等が主成分であり、該蒸着
膜の吸着作用により、例えば、１０-5〜１０-7ｔｏｒｒ
の真空度を維持するものである。尚、表面伝導型電位放
出素子のフォーミング以降の工程は適宜設定される。
【００９４】次に、単純マトリクス配置型基板を有する
電子源を用いて構成した画像形成装置を、ＮＴＳＣ方式
のテレビ信号に基づきテレビジョン表示を行うための駆
動回路の概略構成を図１０のブロック図を用いて説明す
る。１０１は前記表示パネルであり、また１０２は走査
回路、１０３は制御回路、１０４はシフトレジスタ、１
０５はラインメモリ、１０６は同期信号分離回路、１０
７は変調信号発生器、Ｖｘ及びＶａは直流電圧源であ
る。
【００９５】以下、各部の機能を説明するが、先ず表示
パネル１０１は端子Ｄｏｘ１〜Ｄｏｘｍ及びＤｏｙ１〜
Ｄｏｙｎ及び高圧端子Ｈｖを介して外部の電気回路と接
続している。このうち端子Ｄｏｘ１〜Ｄｏｘｍには前記
表示パネル内に設けられている電子源、即ちＭ行Ｎ列の
行列状にマトリクス配線された表面伝導型電子放出素子
群を一行（Ｎ素子）ずつ順次駆動してゆくための走査信
号が印加される。
【００９６】一方、端子Ｄｙ１〜Ｄｙｎには前記走査信
号により選択された一行の表面伝導型電子放出素子の各
素子の出力電子ビームを制御するための変調信号が印加
される。また高圧電子Ｈｖには直流電圧源Ｖａより、例
えば１０ｋＶの直流電圧が供給されるが、これは表面伝
導型電子放出素子より出力される電子ビームに蛍光体を
励起するのに十分なエネルギーを付与するための加速電
圧である。
【００９７】次に走査回路１０２について説明する。同
回路は内部にＭ個のスイッチング素子を備えるもの（図
中、Ｓｌ〜Ｓｍで模式的に示される）で、各スイッチン
グ素子は直流電圧源Ｖｘの出力電圧もしくは０［Ｖ］
（グランドレベル）の何れか一方を選択し、表示パネル
１０１の端子Ｄｘ１〜Ｄｘｍと電気的に接続するもので
ある。Ｓｌ〜Ｓｍの各スイッチング素子は、制御回路１
０３が出力する制御信号Ｔｓｃａｎに基づいて動作する
ものだが、実際には例えばＦＥＴのようなスイッチング
素子を組み合わせることにより構成することが可能であ
る。
【００９８】尚、前記直流電圧源Ｖｘは、前記表面伝導
型電子放出素子の特性（電子放出しきい値電圧）に基づ
き走査されていない素子に印加される駆動電圧が、電子
放出しきい値電圧以下となるような一定電圧を出力する
よう設定されている。
【００９９】また制御回路１０３は、外部より入力する
画像信号に基づいて適切な表示が行なわれるように各部
の動作を整合させる働きをもつものである。次に説明す
る同期信号分離回路１０６より送られる同期信号Ｔｓｙ
ｎｃに基づいて各部に対してＴｓｃａｎ、Ｔｓｆｔ及び
Ｔｍｒｙの各制御信号を発生する。
【０１００】同期信号分離回路１０６は、外部から入力
されるＮＴＳＣ方式のテレビ信号から同期信号成分と輝
度信号成分とを分離するための回路で、周波数分離（フ
ィルター）回路を用いれば構成できるものである。同期
信号分離回路１０６により分離された同期信号はよく知
られるように垂直同期信号と水平同期信号より成るが、
ここでは説明の便宜上Ｔｓｙｎｃ信号として図示した。
一方、前記テレビ信号から分離された画像の輝度信号成
分を便宜上ＤＡＴＡ信号と表すが同信号はシフトレジス
タ１０４に入力される。
【０１０１】シフトレジスタ１０４は時系列的にシリア
ルに入力される前記ＤＡＴＡ信号を画像の１ライン毎に
シリアル／パラレル変換するためのもので、前記制御回
路１０３より送られる制御信号Ｔｓｆｔに基づいて動作
する。（即ち制御信号Ｔｓｆｔは、シフトレジスタ１０
４のシフトクロックであると言い換えてもよい。）シリ
アル／パラレル変換された画像１ライン分（電子放出素
子Ｎ素子分の駆動データに相当する）のデータはＩｄ１
〜ＩｄｎのＮ個の並列信号として前記シフトレジスタ１
０４より出力される。
【０１０２】ラインメモリ１０５は、画像１ライン分の
データを必要時間の間だけ記憶するための記憶装置であ
り、制御回路１０３より送られる制御信号Ｔｍｒｙに従
って適宜Ｉｄ１〜Ｉｄｎの内容を記憶する。記憶された
内容はＩｄ１〜Ｉｄｎとして出力され変調信号発生器１
０７に入力される。
【０１０３】変調信号発生器１０７は、前記画像データ
Ｉｄ１〜Ｉｄｎの各々に応じて表面伝導型電子放出素子
の各々を適切に駆動変調するための信号源で、その出力
信号は、端子Ｄｏｙ１〜Ｄｏｙｎを通じて表示パネル１
０１内の表面伝導型電子放出素子に印加される。
【０１０４】前述したように本発明に関わる電子放出素
子は、放出電流Ｉｅに対して以下の基本特性を有してい
る。即ち前述したように電子放出には明確なしきい値電
圧Ｖｔｈがあり、該Ｖｔｈ以上の電圧を印加されたとき
にのみ電子放出が生じる（図６参照）。
【０１０５】また電子放出しきい値以上の電圧に対して
は、素子への印加電圧の変化に応じて放出電流も変化し
てゆく。尚、電子放出素子の材料や構成、製造方法を変
えることにより、電子放出しきい値電圧Ｖｔｈの値や印
加電圧に対する放出電流の変化の度合いが変わる場合も
あるが、何れにしても以下のようなことが云える。
【０１０６】即ち、本素子にパルス状の電圧を印加する
場合、例えば電子放出しきい値以下の電圧を印加しても
電子放出は生じないが、電子放出しきい値以上の電圧を
印加する場合には電子ビームが出力される。その際、第
１にはパルスの波高値Ｖｍを変化させることにより出力
ビームの強度を制御することが可能である。第２には、
パルスの幅Ｐｗを変化させることにより出力される電子
ビームの電荷の総量を制御することが可能である。
【０１０７】従って、入力信号に応じて電子放出素子を
変調する方式としては、電圧変調方式、パルス幅変調方
式等が挙げられ、電圧変調方式を実施するには変調信号
発生器１０７としては、一定の長さの電圧パルスを発生
するが入力されるデータに応じて適宜パルスの波高値を
変調するような電圧変調方式の回路を用いる。
【０１０８】また、パルス幅変調方式を実施するには変
調信号発生器１０７としては、一定の波高値の電圧パル
スを発生するが、入力されるデータに応じて適宜電圧パ
ルスの幅を変調するようなパルス幅変調方式の回路を用
いるものである。
【０１０９】以上説明した一連の動作により、本発明の
画像表示装置は、表示パネル１０１を用いてテレビジョ
ンの表示を行ない得る。尚、上記説明では特に記載はな
いが、シフトレジスタ１０４やラインメモリ１０５は、
デジタル信号式のものでもアナログ信号式のものでも差
し支えなく、要は画像信号のシリアル／パラレル変換や
記憶が所定の速度で行なわれればよい。
【０１１０】デジタル信号式を用いる場合には、同期信
号分離回路１０６の出力信号ＤＡＴＡをデジタル信号化
する必要があるが、これは１０６の出力部にＡ／Ｄ変換
器を備えれば可能である。また、これと関連してライン
ンメモリ１０５の出力信号がデジタル信号かアナログ信
号かにより、変調信号発生器１０７に用いられる回路が
若干異なったものとなる。
【０１１１】先ずデジタル信号の場合について述べる。
電圧変調方式においては変調信号発生器１０７には、例
えばよく知られるＤ／Ａ変換回路を用い、必要に応じて
増幅回路等を付け加えればよい。
【０１１２】またパルス幅変調方式の場合、変調信号発
生器１０７は、例えば高速の発振器の出力する波数を計
数する計数器（カウンタ）及び計数器の出力値と前記メ
モリの出力値を比較する比較器（コンパレータ）を組み
合せた回路を用いることにより構成できる。必要に応じ
て比較器の出力するパルス幅変調された変調信号を表面
伝導型電子放出素子の駆動電圧にまで電圧増幅するため
の増幅器を付け加えてもよい。
【０１１３】次にアナログ信号の場合について述べる。
電圧変調方式においては変調信号発生器１０７には、例
えばよく知られているオペアンプ等を用いた増幅回路を
用いればよく、必要に応じてレベルシフト回路等を付け
加えてもよい。またパルス幅変調方式の場合に、例えば
よく知られた電圧制御型発振回路（ＶＣＯ）を用いれば
よく、必要に応じて表面伝導型電子放出素子の駆動電圧
にまで電圧増幅するための増幅器を付け加えてもよい。
【０１１４】以上のように完成した画像表示装置におい
て、こうして各電子放出素子には、容器外端子Ｄｏｘ１
〜Ｄｏｘｍ、Ｄｏｙ１〜Ｄｏｙｎを通じ、電圧を印加す
ることにより、電子放出させ、高圧端子Ｈｖを通じ、メ
タルバック８５、或いは透明電極（不図示）に高圧を印
加し、電子ビームを加速し、蛍光膜８４に衝突させ、励
起・発光させることにより画像表示することができる。
【０１１５】以上述べた構成は、表示等に用いられる好
適な画像形成装置を製作する上で必要な概略構成であ
り、例えば各部材の材料等、詳細な部分は上述内容に限
られるものではなく、画像形成装置の用途に適するよう
に適宜選択する。また、入力信号例として、ＮＴＳＣ方
式を挙げたが、これに限るものでなく、ＰＡＬ、ＳＥＣ
ＡＭ方式等の諸方式でもよく、また、これよりも、多数
の走査線から成るＴＶ信号（例えば、ＭＵＳＥ方式をは
じめとする高品位ＴＶ）方式でもよい。
【０１１６】次に、前述の梯子型配置電子源基板及びそ
れを用いる画像表示装置について図１１及び図１２によ
り説明する。図１１において、１１０は電子放出基板、
１１１は電子放出素子、１１２のＤｘ１〜Ｄｘ１０は前
記電子放出素子に接続する共通配線である。電子放出素
子１１１は、基板１１０上に、Ｘ方向に並列に複数個配
置される。（これを素子行と称する）。この素子行を複
数個基板上に配置し、梯子型電子源基板とする。各素子
行の共通配線間に適宜駆動電圧を印加することにより、
各素子行を独立に駆動することが可能になる。即ち、電
子ビームを放出させる素子行には電子放出しきい値以上
の電圧を、電子ビームを放出させない素子行には電子放
出しきい値以下の電圧を印加すればよい。また、各素子
行間の共通配線Ｄｘ２〜Ｄｘ９を、例えばＤｘ２、Ｄｘ
３を同一配線とするようにしてもよい。
【０１１７】図１２は、梯子型配置の電子源を備えた画
像形成装置の構造を示すための概略構成図である。１２
０はグリッド電極、１２１は電子が通過するための空
孔、１２２は、Ｄｏｘ１，Ｄｏｘ２，〜Ｄｏｘｍよりな
る容器外端子、１２３はグリッド電極１２０と接続され
たＧ１，Ｇ２，〜Ｇｎからなる容器外端子、１２４は前
述のように各素子行間の共通配線を同一配線とした電子
源基板である。尚、図８及び図１１と同一の符号は同一
の部材を示す。前述の単純マトリクス配置の画像形成装
置（図８参照）との違いは、電子源基板１１０とフェー
スプレート８６の間にグリッド電極１２０を備えている
ことである。
【０１１８】基板１１０とフェースプレート８６の中間
には、グリッド電極１２０が設けられている。グリッド
電極１２０は、表面伝導型放出素子から放出された電子
ビームを変調することができるもので、梯子型配置の素
子行と直交して設けられたストライプ状の電極に電子ビ
ームを通過させるため、各素子に対応して１個ずつ円形
の開口１２１が設けられている。グリッドの形状や設置
位置は必ずしも図１２に示すようなものでなくともよ
く、開口としてメッシュ状に多数の通過口を設けること
もあり、また例えば表面伝導型放出素子の周囲や近傍に
設けなくてもよい。容器外端子１２２及びグリッド容器
外端子１２３は、不図示の制御回路と電気的に接続され
ている。
【０１１９】本発明の画像形成装置においては、素子行
を１列ずつ順次駆動（走査）していくのと同期してグリ
ッド電極列に画像１ライン分の変調信号を同時に印加す
ることにより、各電子ビームの蛍光体への照射を制御
し、画像を１ラインずつ表示することができる。
【０１２０】また本発明によれば、テレビジョン放送の
表示装置のみならずテレビ会議システム、コンピュータ
ー等の表示装置に適した画像形成装置を提供することが
できる。更には、感光性ドラム等で構成された光プリン
ターとしての画像形成装置としても用いることもでき
る。また、電子放電素子として表面伝導型電子放出素子
ばかりでなく、ＭＩＭ型電子放出素子、電界放出型電子
放出素子等の冷陰極電子源にも適用可能であり、更には
熱電子源による画像表示装置にも適用することができ
る。
【０１２１】
【実施例】以下、実施例に基いて本発明を更に具体的に
説明するが、本発明がこれらによって何ら限定されるも
のではない。
【０１２２】［実施例１］導電性フィラーとして、表面
にＡｕメッキを行ったソーダライムガラス球を用いた導
電性フリットについて説明する。の１例を示す。導電性
フィラーの基材には、ソーダライムガラス球であって、
平均粒径が１５μｍであり、且つ粒度分布の良好なもの
を用いた。このソーダライムガラス球の表面にメッキ法
により、下地にＮｉ膜を０．１μｍ、その上にＡｕ膜を
０．０２μｍ形成することにより、導電性フィラーを作
製した。この導電性フィラーをフィラーの入っていない
フリットガラス粉末に対して４０重量％配合することに
より、導電性フリット粉末を作製した。
【０１２３】このようにして作製された導電性フリット
粉末は、塗布時の作業性を良くするために、アクリル系
樹脂のバインダー（粘結材）をテルピネオールの溶剤に
溶かしたビークルに導電性フリット粉末を配合すること
により、導電性フリットペーストを作製した。
【０１２４】この導電性フリットペーストを、ディスペ
ンサーを用いて、青板（ソーダライム）ガラス上に塗布
した後、電気炉を用いて空気中で最高温度４００〜４５
０℃にて焼成を行った。
【０１２５】このようにして作製された導電性フリット
焼成体には、青板（ソーダライム）ガラスとの固定強度
は十分であり、且つ体積固有抵抗値も１ｍΩｃｍで、電
気的接続には十分な値であった。
【０１２６】［実施例２］導電性フィラーとして、表面
にＡｇメッキを施したシリカ（ＳｉＯ2 ）球を用いた導
電性フリットについて説明する。導電性フィラーの基材
には、シリカ球であって、平均粒径が１０μｍであり、
且つ粒度分布の良好なものを用いた。このシリカ球表面
にメッキ法により、下地にＮｉ膜を０．１μｍ、その上
にＡｇ膜を０．０３μｍ形成することにより、導電性フ
ィラーを作製した。この導電性フィラーをフィラーの入
っていないフリットガラス粉末に対して３０重量％配合
することにより、導電性フリット粉末を作製した。
【０１２７】このようにして作製された導電性フリット
粉末は、塗布時の作業性を良くするために、アクリル系
樹脂のバインダー（粘結材）をテルピネオールの溶剤に
溶かしたビークルに導電性フリット粉末を配合すること
により、導電性フリットペーストを作製した。この導電
性フリットペーストを、実施例１と同様に焼成を行っ
た。
【０１２８】このようにして作製された導電性フリット
焼成体には、青板（ソーダライム）ガラスとの固定強度
は十分であり、且つ体積固有抵抗値も数十ｍΩｃｍで、
電気的接続には十分な値であった。
【０１２９】［実施例３］本発明の導電性フリットをマ
トリクス型配置電子源基板とフェースプレートとの組み
立てに用いて構成した画像表示装置について説明する。
【０１３０】図８は本例の画像表示装置の一部を破断し
た斜視図であり、図１４は図８に示した画像表示装置の
要部断面図（Ａ−Ａ′断面の一部）である。図１４にお
いて、４は平板状の青板ガラス４Ａの表面に半導電性薄
膜４Ｂを形成した導電性スペーサ、３は導電性フリッ
ト、１はＸ方向配線２等から成る電子源基板（青板ガラ
ス）、１０は青板ガラス基板１、蛍光膜８及びメタルバ
ック９から成るフェースプレート、６は支持枠である。
【０１３１】導電性スペーサの固定及び電気的接続は、
実施例１に示した導電性フリットぺーストをディスペン
サーを用いて、塗布、仮焼成後、封着により行った。ま
た支持枠６は通常の絶縁性フリットを用いて、同時に封
着した。このようにして作成された画像表示装置は、導
電性スペーサの固定強度及び電気的接続は十分であっ
た。従って、電気的接続が不十分な場合に、スペーサが
帯電してしまい、電場が変化し、電子軌道のずれが生じ
て蛍光体の発光位置や発光形状に変化を来すという恐れ
や、固定強度が不十分な場合に生ずる耐大気圧支持がで
きなくなるといった恐れを解消することができた。
【０１３２】［実施例４］梯子型電子源基板を用いた画
像表示装置について説明する。導電性スペーサには、表
面に半導体薄膜を形成した円柱形状のソーダライムガラ
スを用い、また導電性スペーサの固定及び電気的接続に
は、実施例２に示した導電性フリットペーストを用い
て、実施例３と同様にして作成された画像表示装置は、
導電性スペーサの固定強度及び電気的接続は十分であ
り、実施例３と同様な効果が得られた。
【０１３３】［実施例５］低融点ガラス粉末に導電性フ
ィラーを表１示すような重量百分率の割合で混合し、青
板（ソーダライム）ガラスとの接着強度と体積固有抵抗
を測定した。結果を表１に示す。ここで、接着強度は、
引張試験機（オリエンテック社製）を用いて剪断剥離法
により、また体積固有抵抗は、高抵抗測定機を用いて薄
膜法により求めた。
【０１３４】ここで使用した低融点ガラスは、日本電気
硝子社製ＬＳ０２００である。導電性フィラーの基材は
シリカ球（ＳｉＯ2 ）で、平均粒径が４２μｍ、最大粒
径が６０μｍであり、且つ粒度分布の良好なものであ
る。そしてこのシリカ球の表面に無電解メッキ法によ
り、下地にＮｉ膜を０．１μｍ、その上にＡｕ膜を０．
０３μｍ形成させ、導電性フィラーとして用いた。そし
て混合した導電性ガラス粉末を、４００〜４５０℃の温
度で焼成した後評価した。表１より、接着強度と体積固
有抵抗の両方を満足する導電性フィラーの好ましい含有
率の範囲は３〜９５％の範囲であり、より好ましくは１
０〜６０％の範囲、最適には１０〜２５％の範囲出ある
ことが理解される。
【０１３５】［実施例６］導電性フィラーの基材は、シ
リカ球であって、平均粒径が２３μｍ、最大粒径４８μ
ｍであり、且つ粒度分布の良好なものを用いた。そして
このシリカ球の表面に無電解メッキ法により、下地にＮ
ｉ膜を０．１μｍ、その上にＡｕ膜を０．０２μｍ形成
することにより、導電性フィラーを作製した。
【０１３６】この導電性フィラーを低融点ガラス粉末
（日本電気硝子社製ＬＳ３０００（ＰｂＯ、Ｂ2 Ｏ3 、
ＴｉＯ2 が主成分）非結晶性）に対して、重量百分率で
２７％を含有させ、また、熱膨張係数を合わせるため、
低膨張セラミックスフィラー（ジルコン）を重量百分率
で１０％配合することにより、導電性フリット粉末を作
製した。
【０１３７】このようにして作製された導電性フリット
粉末は、塗布時の作業性を向上させるために、アクリル
系樹脂のバインダー（粘結材）を、テルピネオールの溶
剤に重量百分率で１０％溶かしたビークルに１：１２の
重量割合で導電性フリット粉末を配合することにより、
導電性フリットペーストを作製した。
【０１３８】そしてこの導電性フリットペーストを、デ
ィスペンサーを用いて、青板（ソーダライム）ガラス上
に塗布した後、乾燥させ、ビークルを除去するため空気
中で３５０〜３８０℃の温度で仮焼成を行い、さらに空
気中で４００〜４５０℃の温度で本焼成を行った。
【０１３９】このようにして作製された導電性フリット
焼成体には、青板（ソーダライム）ガラスとの接着強度
があり、且つ体積固有抵抗値は３０ｍΩｃｍで優れたも
のであった。
【０１４０】［実施例７］導電性フィラーの基材は、ソ
ーダライムガラス球であって、平均粒径が１８μｍ、最
大粒径３２μｍであり、且つ粒度分布の良好なものを用
いた。そしてこのソーダライムガラス球の表面にメッキ
法により、下地にＮｉ膜を０．１μｍ、その上にＡｇ膜
を０．０３μｍ形成することにより、導電性フィラーを
作製した。次いでこの導電性フィラーを低融点ガラス粉
末（日本電気硝子社製ＬＳ６５００（ＰｂＯ、Ｂ
2 Ｏ3 、ＺｎＯが主成分）、結晶性）に対して、重量百
分率で３８％含有させることにより、導電性フリット粉
末を作製した。
【０１４１】このようにして作製された導電性フリット
粉末は、塗布時の作業性を向上させるために、アクリル
系樹脂のバインダー（粘結材）を、テルピネオールの溶
剤に重量百分率で１０％溶かしたビークルに１：１２の
重量割合で導電性フリット粉末を配合することにより、
導電性フリット粉末を作製した。
【０１４２】次いでこの導電性フリットペーストを、デ
ィスペンサーを用いて、青板（ソーダライム）ガラス上
に塗布した後、乾燥させ、ビークルを除去するため空気
中で３５０〜３８０℃の温度で仮焼成を行い、さらに空
気中で４３０〜４８０℃の温度で本焼成を行った。
【０１４３】このようにして作製された導電性フリット
焼成体には、青板（ソーダライム）ガラスとの接着強度
があり、且つ体積固有抵抗値は１ｍΩｃｍで優れたもの
であった。
【０１４４】［実施例８］導電性フィラーの基材は、ソ
ーダライムガラス球であって、平均粒径が１２μｍ、最
大粒径３２μｍであり、且つ粒度分布の良好なものを用
いた。そしてこのソーダライムガラス球の表面にメッキ
法により、下地にＮｉ膜を０．１５μｍ、その上にＡｕ
膜０．０５μｍ形成することにより、導電性フィラーを
製作した。この導電性フィラーを低融点ガラス粉末（日
本電気硝子社製ＬＳ３０００（ＰｂＯ、Ｂ2 Ｏ3 、Ｔｉ
Ｏ2 が主成分）非結晶性）に対して、重量百分率で５２
％を含有させ、また、熱膨張係数を合わせるため、低膨
張セラミックスフィラー（ジルコン）を重量百分率で６
％配合することにより、導電性フリット粉末を作製し
た。
【０１４５】このようにして作製された導電性フリット
粉末は、塗布時の作業性を向上させるために、アクリル
系樹脂のバインダー（粘結材）を、テルピネオールの溶
剤に重量百分率で１０％溶かしたビークルに１：１２の
重量割合で導電性フリット粉末を配合することにより、
導電性フリットペーストを作製した。
【０１４６】次いでこの導電性フリットペーストを、デ
ィスペンサーを用いて、青板（ソーダライム）ガラス上
に塗布した後、乾燥させ、ビークルを除去するため空気
中で３５０〜３８０℃の温度で仮焼成を行い、さらに空
気中で４００〜４５０℃の温度で本焼成を行った。
【０１４７】このようにして作製された導電性フリット
焼成体には、青板（ソーダライム）ガラスとの接着強度
があり、且つ体積固有抵抗値は０．５ｍΩｃｍで優れた
ものであった。
【０１４８】［実施例９］本発明の実施例５〜８に示し
た導電性フリットを画像表示装置に用いた例を示す。
【０１４９】図１５（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ図８
に示される本例の画像表示装置のＡ−Ａ’断面の一部及
びＢ−Ｂ’断面の一部である。
【０１５０】図１５（ａ）及び（ｂ）において、１００
は平板上の青板（ソーダライム）ガラスの表面に半導電
性膜１００Ａを形成した導電性スペーサ、３０３は導電
性スペーサ接着部材である幅３２０μｍの導電性フリッ
ト、３１０は電子源が形成された青板（ソーダライム）
ガラス基板３０１、Ｘ方向配線３０２等から成る電子源
基板、３０９は青板ガラス基板３０８、蛍光膜３０７、
メタルバック３０６から成るフェースプレートである。
導電性フリットペーストをディスペンサーを用いて、メ
タルバック３０６及びＸ方向配線３０２上に塗布した後
仮焼成し、はじめにスペーサ１００をメタルバック３０
６に位置合わせをして、一方の当接面を押しつけて、焼
成することにより電気的接続及び機械的固定を行った
後、同様に、Ｘ方向配線３０２に位置合わせをして他方
の当接面を押しつけて、焼成することにより電気的接続
及び機械的固定を行うことにより画像表示装置を完成さ
せた。
【０１５１】このようにして作製された画像表示装置は
導電性スペーサの機械的固定強度がとれ、また、電気的
接続は良好であった。従って、電気的接続が不十分な場
合の、スペーサが帯電してしまい電場が変化し、電子軌
道のずれが生じて、蛍光体の発光位置や発光形状に変化
をきたすという恐れや、固定強度が不十分になる結果と
しての、耐大気圧支持ができなくなるという恐れを解消
することができた。
【０１５２】［実施例１０］図１６（ａ）及び（ｂ）
は、それぞれ図８に示される本例の画像表示装置のＡ−
Ａ’断面の一部及びＢ−Ｂ’断面の一部である。また、
図１６（ｃ）は図４（ａ）のＣ−Ｃ’断面でフリット形
状を示したものである。
【０１５３】図１６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）において、
１００は平板上の青板（ソーダライム）ガラスの表面に
半導電性膜１００Ａを形成した導電性スペーサ、４０３
は導電性スペーサ接着部材で４０３ａは実施例５〜８に
示した幅２５０μｍの導電性フリットペースト、４０３
ｂは幅２５０μｍの結晶化フリットガラス、４１０は電
子源が形成された青板（ソーダライム）ガラス基板４０
１、Ｘ方向配線４０２等から成る電子源基板、４０９は
青板ガラス基板４０８、蛍光膜４０７、メタルバック４
０６から成るフェースプレートである。
【０１５４】図１６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すよう
に、メタルバック４０６上及びＸ方向配線４０２上に導
電性フリットペーストを、スペーサ１００が配置される
中央位置付近位置に、結晶性フリットガラス（日本電気
硝子社製Ｌ７１０７）４０３ｂを、４０３ａ以外のスペ
ーサ１００が配置される位置にディスペンサーを用いて
塗布したあと、おのおの仮焼成をする。
【０１５５】そしてはじめに、スペーサ１００をメタル
バック４０６に位置合わせして、一方の当接面を押しつ
けて焼成することにより、メタルバック４０６とスペー
サ１００との電気的接続は４０３ａで行い、４０３ｂで
機械的固定を行った後、同様に、Ｘ方向配線４０２に位
置合わせをして他方の当接面を押しつけて焼成すること
により、Ｘ方向配線４０２とスペーサ１００との電気的
接続は４０３ａで行い、４０３ｂで機械的固定を行うこ
とにより画像表示装置を完成させた。
【０１５６】つまり本例は、フェースプレート及び電子
源基板とスペーサとの電気的接続は本発明の導伝性フリ
ットで行い、機械的固定は結晶性フリットガラスを用い
て行うということである。
【０１５７】このようにして作製された画像表示装置は
導電性スペーサの機械的固定強度が得られ、また、電気
的接続は良好であった。
【０１５８】従って、電気的接続が不十分な場合の、ス
ペーサが帯電してしまい電場が変化し、電気軌道のずれ
が生じて、蛍光体の発光位置や発光形状に変化をきたす
という恐れや、固定強度が不十分になる結果としての、
耐大気圧支持ができなくなるという恐れを解消すること
ができた。
【０１５９】［実施例１１］図１７（ａ）及び（ｂ）
は、それぞれ図８に示される本例の画像表示装置のＡ−
Ａ’断面の一部及びＢ−Ｂ’断面の一部である。また、
図１７（ｃ）は図５（ａ）のＤ−Ｄ’断面でフリット形
状に示したものである。
【０１６０】図１７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）において、
１００は平板上の青板（ソーダライム）ガラスの表面に
半導電性膜１００Ａを形成した導電性スペーサ、５０３
は導電性スペーサ接着部材で、５０３ａは実施例５〜８
に示した幅２５０μｍの導電性フリットペースト、４０
３ｂは幅１５０〜２００μｍの非結晶化フリット、５１
０は電子源が形成された青板（ソーダライム）ガラス基
板５０１、Ｘ方向配線５０２等から成る電子源基板、５
０９は青板ガラス基板５０８、蛍光膜５０７、メタルバ
ック５０６から成るフェースプレートである。
【０１６１】図１７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すよう
に、メタルバック５０６上及びＸ方向配線５０２上に、
非結晶性フリットガラス（日本電気硝子社製ＬＳ３０８
１）をスペーサ１００が配置される中央位置付近位置だ
け断面形状が小さくなるように、ディスペンサーを用い
て塗布し、その小さくなった部分に導電性フリットペー
ストを、ディスペンサーを用いて塗布した後、おのおの
仮焼成する。
【０１６２】そしてはじめに、スペーサ１００をメタル
バック５０６に位置合わせして、一方の当接面を押しつ
けて焼成することにより、メタルバック５０６とスペー
サ１００との電気的接続は５０３ａで行い、５０３ｂで
機械的固定を行った後、同様に、Ｘ方向配線５０２に位
置合わせをして他方の当接面を押しつけて焼成すること
により、Ｘ方向配線５０２とスペーサ１００との電気的
接続は５０３ａで行い、５０３ｂで機械的固定を行うこ
とにより画像表示装置を完成させた。
【０１６３】つまり本例は、フェースプレート及び電子
源基板とスペーサとの電気的接続は本発明の導伝性フリ
ットで行い、機械的固定は非結晶性フリットガラスを用
いて行うということである。
【０１６４】このようにして作製された画像表示装置は
導電性スペーサの機械的固定強度が得られ、また、電気
的接続も良好であった。
【０１６５】従って、電気的接続が不十分な場合の、ス
ペーサが帯電してしまい電場が変化し、電子軌道のずれ
が生じて、蛍光体の発光位置や発光形状に変化をきたす
という恐れや、固定強度が不十分になる結果としての、
耐大気圧支持ができなくなるという恐れを解消すること
ができた。
【０１６６】
【表１】
【０１６７】
【発明の効果】上記のように本発明により、青板（ソー
ダライム）ガラスとの固定強度が十分で且つ、電気的接
続も十分な導電性フリットを得ることができる。更に、
本発明の導電性フリットを用いることにより、長時間画
像表示させても電子軌道のずれが生じたり、蛍光体の発
光位置や発光形状の変化を生じることがなく、且つ固定
強度が十分な画像表示装置を作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】表面伝導型電子放出素子の構成を示す模式的平
面図及び断面図。
【図２】本発明の基本的な垂直型表面伝導型電子放出素
子の構成を示す模式的断面図。
【図３】本発明の基本的な表面伝導型電子放出素子の製
造方法の一例を示す模式的工程説明図。
【図４】本発明の通電フォーミングの電圧波形の１例を
示す説明図。
【図５】電子放出特性を測定するための測定評価装置を
示す模式的概略構成図。
【図６】電子放出特性の１例を示す線グラフ図。
【図７】単純マトリクス配置の電子源を示す模式的説明
図。
【図８】画像形成装置の概略構成を示す模式的斜視図。
【図９】蛍光膜の構成を示す模式的平面図。
【図１０】ＮＴＳＣ方式のテレビ信号に応じて表示を行
うための駆動回路、並びに該回路を有する画像表示装置
を示すブロック図、兼概略構成図。
【図１１】梯子配置の電子源を示す模式的平面図。
【図１２】画像形成装置の概略構成を示す模式的斜視
図。
【図１３】従来の表面伝導型電子放出素子の構成を示す
模式的平面図。
【図１４】本発明の画像表示装置の１部を示す模式的断
面図。
【図１５】本発明の画像表示装置の１部を示す模式的断
面図。
【図１６】本発明の画像表示装置の１部を示す模式的断
面図。
【図１７】本発明の画像表示装置の１部を示す模式的断
面図。
【符号の説明】
１，３１，７１，１２４ （電子源）基板 ２，３２，３３ 素子電極（Ｘ方向配線） ３，８０ 素子電極（導電性フリット） ４，３４，８９ 導電性薄膜（スペーサ） ５，３５ 電子放出部（絶縁性フリット） ６，８２ 支持枠 ７ 青板ガラス基板 ８，８４ 蛍光膜 ９，８５ メタルバック １０，８６ フェースプレート ２１ 段差形成部 ５０ 電流計（素子電極２〜３間の導電性薄膜４を流れ
る素子電流Ｉｆを測定するための） ５１ 電源（素子放電素子に素子電圧Ｖｆを印加するた
めの） ５２ 電流計（素子の電子放出部５より放出される放出
電流Ｉｅを測定するための） ５３ 高圧電源（アノード電極５４に電圧を印加するた
めの） ５４ アノード電極（素子の電子放出部より放出される
放出電流Ｉｅを捕捉するための） ５５ 真空装置 ５６ 排気ポンプ ７２ Ｘ方向配線 ７３ Ｙ方向配線 ７４ 表面伝導型電子放出素子 ７５ 結線 ８３，９３ ガラス基板 ８７ 高圧端子 ８８ 外囲器 ９１ 黒色導電材 ９２ 蛍光体 １０１ 表示パネル １０２ 走査回路 １０３ 制御回路 １０４ シフトレジスタ １０５ ラインメモリ １０６ 同期信号分離回路 １０７ 変調信号発生器（Ｖｘ及びＶａは直流電圧源） １１０ 電子源（放出）基板 １１１ 電子放出素子 １１２ 共通配線（Ｄｘ１〜Ｄｘ１０は前記電子放出素
子を配線するための） １２０ グリッド電極 １２１ 空孔（電子が通過するための） １２２ 容器外端子（Ｄｏｘ１，Ｄｏｘ２〜Ｄｏｘｎよ
りなる） １２３ グリッド容器外端子（グリッド電極１２０と接
続されたＧ１，Ｇ２〜Ｇｎからなる）
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｊ 31/12 Ｈ０１Ｊ 31/12 Ｃ

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 導電性フリットにおいて、該フリット
    が、低融点ガラス及び表面に金属が形成されたガラス微
    細粒子フィラーより成ることを特徴とする導電性フリッ
    ト。
  2. 【請求項２】 導電性フリットにおいて、該フリット
    が、低融点ガラス、表面に金属が形成されたガラス微粒
    子フィラー及び低膨張セラミックスフィラーよりなるこ
    とを特徴とする導電性フリット。
  3. 【請求項３】 前記表面に金属が形成されたガラス微粒
    子フィラーを、重量百分率で３〜９５％含有する請求項
    １又は２記載の導電性フリット。
  4. 【請求項４】 前記含有量が、１０〜６０％の範囲にあ
    る請求項３記載の導電性フリット。
  5. 【請求項５】 前記含有量が、１０〜２５％の範囲にあ
    る請求項４記載の導電性フリット。
  6. 【請求項６】 前記ガラス微粒子フィラーの材質が、シ
    リカ又はソーダライムガラスである請求項１又は２記載
    の導電性フリット。
  7. 【請求項７】 前記ガラス微粒子フィラーの形状が、球
    である請求項１又は２記載の導電性フリット。
  8. 【請求項８】 前記金属が、表面メッキ法により形成さ
    れた請求項１又は２記載の導電性フリット。
  9. 【請求項９】 前記導電性フリットにビークルを加え、
    ペースト状にした請求項１乃至８のいずれかに記載の導
    電性フリット。
  10. 【請求項１０】 前記導電性フリットを更に焼成した請
    求項１又は２記載の導電性フリット。
  11. 【請求項１１】 蛍光部材及び電子加速電極が形成され
    たフェースプレート、該フェースプレートに対向して配
    置された電子源を有する電子源基板、及び前記電子加速
    電極と電子源との間に配置された導電性スペーサとを有
    する画像表示装置において、前記導電性スペーサの電子
    加速電極又は配線に対する電気的接続に、請求項１又は
    ２記載の導電性フリットを用いた画像表示装置。
  12. 【請求項１２】 蛍光部材及び電子加速電極が形成され
    たフェースプレート、該フェースプレートに対向して配
    置された電子源を有する電子源基板、及び前記電子加速
    電極と電子源との間に配置された導電性スペーサとを有
    する画像表示装置において、前記導電性スペーサの電子
    加速電極又は配線に対する固定並びに電気的接続に、請
    求項１又は２記載の導電性フリットを用いた画像表示装
    置。
  13. 【請求項１３】 前記導電性スペーサの基材が、ソーダ
    ライムガラスである請求項１１又は１２記載の画像表示
    装置。
  14. 【請求項１４】 前記電子源が、表面伝導型の電子放出
    素子である請求項１１乃至１３のいずれかに記載の画像
    表示装置。
  15. 【請求項１５】 前記表面に形成された金属の層厚が、
    ０．００５〜１μｍの範囲にある請求項１又は２記載の
    導電性フリット。
  16. 【請求項１６】 前記層厚が、０．０２〜０．１μｍの
    範囲にある請求項１５記載の導電性フリット。
  17. 【請求項１７】 前記低融点ガラス及び前記ガラス微細
    粒子フィラーの平均粒径が、５〜５０μｍの範囲にある
    請求項１又は２記載の導電性フリット。
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