JPH08236456A - 半導体薄膜の製造装置 - Google Patents
半導体薄膜の製造装置Info
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- JPH08236456A JPH08236456A JP7041118A JP4111895A JPH08236456A JP H08236456 A JPH08236456 A JP H08236456A JP 7041118 A JP7041118 A JP 7041118A JP 4111895 A JP4111895 A JP 4111895A JP H08236456 A JPH08236456 A JP H08236456A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明は、トレイによる不純物の持ち込み
をなくし、半導体薄膜中の欠陥の発生を防止する半導体
薄膜の製造装置を提供することを目的とする。 【構成】 この発明は、トレイ７に基板６を保持し、仕
込室１、反応室２、３、４、取り出し室５の順に搬送
し、反応室２、３、４で基板６上に半導体薄膜を形成す
る半導体膜膜の製造装置であって、取り出し室５から排
出されたトレイ７を仕込室１まで大気とは遮蔽状態に保
持されたまま移送するトレイ搬送室９を設けた。
をなくし、半導体薄膜中の欠陥の発生を防止する半導体
薄膜の製造装置を提供することを目的とする。 【構成】 この発明は、トレイ７に基板６を保持し、仕
込室１、反応室２、３、４、取り出し室５の順に搬送
し、反応室２、３、４で基板６上に半導体薄膜を形成す
る半導体膜膜の製造装置であって、取り出し室５から排
出されたトレイ７を仕込室１まで大気とは遮蔽状態に保
持されたまま移送するトレイ搬送室９を設けた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、太陽電池などに用い
られる非晶質シリコン（以下、ａ−Ｓｉと略記する。）
などの半導体薄膜を製造する装置に関する。
られる非晶質シリコン（以下、ａ−Ｓｉと略記する。）
などの半導体薄膜を製造する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、クリーンなエネルギーとして、太
陽光発電が注目されている。その中でも特にａ−Ｓｉ太
陽電池は、低コスト化に有望であることから、研究開発
が積極的に進められている。
陽光発電が注目されている。その中でも特にａ−Ｓｉ太
陽電池は、低コスト化に有望であることから、研究開発
が積極的に進められている。
【０００３】ａ−Ｓｉ薄膜を製造する半導体薄膜の製造
装置は、一般に図２に示すように構成されている。仕込
室１、反応室２、３、４及び取り出し室５の各真空チャ
ンバを備え、各真空チャンバーには、それぞれ真空ポン
プ１１、１２、１３、１４、１５及び基板を加熱する基
板加熱ヒータ２１、２２、２３、２４が設けられてい
る。そして、反応室２、３、４には、原料ガスを導入す
るガス導入系３２、３３、３４とＲＦパワー等のガス分
解系４２、４３、４４が設けられている。さらに、図示
はしないが、基板を保持するトレイ７を搬送する機構
と、チャンバー間にはトレイの通過できるスリットとそ
のスリットをふさぐことができるシャッタが具備されて
いる。
装置は、一般に図２に示すように構成されている。仕込
室１、反応室２、３、４及び取り出し室５の各真空チャ
ンバを備え、各真空チャンバーには、それぞれ真空ポン
プ１１、１２、１３、１４、１５及び基板を加熱する基
板加熱ヒータ２１、２２、２３、２４が設けられてい
る。そして、反応室２、３、４には、原料ガスを導入す
るガス導入系３２、３３、３４とＲＦパワー等のガス分
解系４２、４３、４４が設けられている。さらに、図示
はしないが、基板を保持するトレイ７を搬送する機構
と、チャンバー間にはトレイの通過できるスリットとそ
のスリットをふさぐことができるシャッタが具備されて
いる。
【０００４】このａ−Ｓｉ薄膜の製造装置を用いて、ａ
−Ｓｉ薄膜を製造する手順を次に説明する。
−Ｓｉ薄膜を製造する手順を次に説明する。
【０００５】まず、基板６をトレイ７にセットしたもの
を、大気圧にした仕込室１に挿入し、真空ポンプ１１で
真空引きする。そして、基板加熱ヒータ２１で基板を加
熱しながら高真空に達すると、真空状態のまま基板６の
セットされたトレイ７が反応室２に搬送される。反応室
２では原料ガス導入系３２より反応室２に導入されたＳ
ｉＨ4 等の原料ガスを、ガス分解系４２により分解し、
基板６上にａ−Ｓｉ薄膜を形成する。このように、反応
室２、反応室３及び反応室４にて順次所望の導電型のａ
−Ｓｉ薄膜を形成した後、取り出し室５を大気圧にして
基板６をセットしたトレイ７が取り出される。
を、大気圧にした仕込室１に挿入し、真空ポンプ１１で
真空引きする。そして、基板加熱ヒータ２１で基板を加
熱しながら高真空に達すると、真空状態のまま基板６の
セットされたトレイ７が反応室２に搬送される。反応室
２では原料ガス導入系３２より反応室２に導入されたＳ
ｉＨ4 等の原料ガスを、ガス分解系４２により分解し、
基板６上にａ−Ｓｉ薄膜を形成する。このように、反応
室２、反応室３及び反応室４にて順次所望の導電型のａ
−Ｓｉ薄膜を形成した後、取り出し室５を大気圧にして
基板６をセットしたトレイ７が取り出される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記した製
造装置においては、基板６を外した後、トレイ７は大気
中かオーブンの中に保管される。従って、次に、トレイ
７を使用するときは一度大気中に取り出し、基板をセッ
トすることになる。このため、トレイ７には大気中の水
分などの不純物が付着し、反応室でａ−Ｓｉ薄膜を形成
する際に、付着した不純物が放出されて薄膜中に取り込
まれ、膜中の欠陥の原因となる等の問題があった。
造装置においては、基板６を外した後、トレイ７は大気
中かオーブンの中に保管される。従って、次に、トレイ
７を使用するときは一度大気中に取り出し、基板をセッ
トすることになる。このため、トレイ７には大気中の水
分などの不純物が付着し、反応室でａ−Ｓｉ薄膜を形成
する際に、付着した不純物が放出されて薄膜中に取り込
まれ、膜中の欠陥の原因となる等の問題があった。
【０００７】この発明は、上述した従来の問題点を解消
するためになされたものにして、トレイによる不純物の
持ち込みをなくし、膜中の欠陥の発生を防止する半導体
薄膜の製造装置を提供することを目的とする。
するためになされたものにして、トレイによる不純物の
持ち込みをなくし、膜中の欠陥の発生を防止する半導体
薄膜の製造装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、トレイに基
板を保持し、仕込室、反応室、取り出し室の順に搬送
し、反応室で基板上に半導体薄膜を形成する半導体膜膜
の製造装置であって、前記取り出し室から排出されたト
レイを仕込室まで大気とは遮蔽状態に保持されたまま移
送する移送経路を設けたことを特徴とする。
板を保持し、仕込室、反応室、取り出し室の順に搬送
し、反応室で基板上に半導体薄膜を形成する半導体膜膜
の製造装置であって、前記取り出し室から排出されたト
レイを仕込室まで大気とは遮蔽状態に保持されたまま移
送する移送経路を設けたことを特徴とする。
【０００９】上記移送経路内に、トレイの付着物を除去
するためのクリーニング手段及びトレイを加熱する加熱
手段を設けると良い。
するためのクリーニング手段及びトレイを加熱する加熱
手段を設けると良い。
【００１０】
【作用】この発明の製造装置では、取り出し室から排出
されたトレイを仕込室まで大気とは遮蔽状態に保持され
るので、トレイを使用しない時も、基板をセットする時
も、外す時も一切トレイが大気に触れることがない。
されたトレイを仕込室まで大気とは遮蔽状態に保持され
るので、トレイを使用しない時も、基板をセットする時
も、外す時も一切トレイが大気に触れることがない。
【００１１】このように、トレイを大気に触れさせない
構造とすることにより、トレイによる不純物の持ち込み
が減少する。従って、この製造装置を用いて、ａ−Ｓｉ
薄膜形成することで、初期出力が高く、光劣化の小さい
高性能なａ−Ｓｉ太陽電池を製造することができる。
構造とすることにより、トレイによる不純物の持ち込み
が減少する。従って、この製造装置を用いて、ａ−Ｓｉ
薄膜形成することで、初期出力が高く、光劣化の小さい
高性能なａ−Ｓｉ太陽電池を製造することができる。
【００１２】
【実施例】以下、この発明の実施例を図１に従い説明す
る。図１は、この発明の半導体薄膜の製造装置を示す概
略構成図である。この実施例は、基本的には、図２に示
した従来のａ−Ｓｉ薄膜を製造する半導体薄膜の製造装
置と同様に構成されており、従来と同一部分には同一符
号を付す。
る。図１は、この発明の半導体薄膜の製造装置を示す概
略構成図である。この実施例は、基本的には、図２に示
した従来のａ−Ｓｉ薄膜を製造する半導体薄膜の製造装
置と同様に構成されており、従来と同一部分には同一符
号を付す。
【００１３】図１に示すように、この実施例において
も、仕込室１、反応室２、３、４、取り出し室５の各真
空チャンバを有する。そして、各真空チャンバーには、
各々真空ポンプ１１、１２、１３、１４、１５及び基板
加熱ヒータ２１、２２、２３、２４が設けられている。
さらに、反応室２、３、４には原料ガス導入系３２、３
３、３４とＲＦパワー等のガス分解系４２、４３、４４
が備えられる。そして、図示はしないが、トレイ７を搬
送する機構と、チャンバー間にはトレイの通過できるス
リットとそのスリットをふさぐこともできるシャッタが
具備されている。
も、仕込室１、反応室２、３、４、取り出し室５の各真
空チャンバを有する。そして、各真空チャンバーには、
各々真空ポンプ１１、１２、１３、１４、１５及び基板
加熱ヒータ２１、２２、２３、２４が設けられている。
さらに、反応室２、３、４には原料ガス導入系３２、３
３、３４とＲＦパワー等のガス分解系４２、４３、４４
が備えられる。そして、図示はしないが、トレイ７を搬
送する機構と、チャンバー間にはトレイの通過できるス
リットとそのスリットをふさぐこともできるシャッタが
具備されている。
【００１４】さらに、この実施例においては、複数枚の
基板６を収納するカセット８と、ａ−Ｓｉ薄膜形成前の
基板６を収納したカセット８を仕込んで真空ポンプ５３
で真空引きできる仕込カセット室５１を備える。そし
て、仕込室１には、十分に仕込カセット室５１を真空引
きした後に、仕込室１に移送されたトレイ７にカセット
８に収納された基板６を取り出しセットする基板取り付
け機構（図示せず）が設けられている。
基板６を収納するカセット８と、ａ−Ｓｉ薄膜形成前の
基板６を収納したカセット８を仕込んで真空ポンプ５３
で真空引きできる仕込カセット室５１を備える。そし
て、仕込室１には、十分に仕込カセット室５１を真空引
きした後に、仕込室１に移送されたトレイ７にカセット
８に収納された基板６を取り出しセットする基板取り付
け機構（図示せず）が設けられている。
【００１５】同様に、取り出し室５には、トレイ７にセ
ットされた基板６を取り外し、取り出しカセット室５２
のカセット８内へ基板６を案内する基板取り外し機構
（図示せず）が設けられている。
ットされた基板６を取り外し、取り出しカセット室５２
のカセット８内へ基板６を案内する基板取り外し機構
（図示せず）が設けられている。
【００１６】この取り出しカセット室５２から取り出し
カセット室５２にあるカセット８がａ−Ｓｉ薄膜形成済
み基板で一杯になると、カセット８が取り出される。そ
して、取り出し室５と取り出しカセット室５２とは、取
り出し室５が真空のままで、取り出しカセット室５５だ
けを大気圧にしてカセット８を取り出せるように構成さ
れている。そして、カセット８を取り出した後、空のカ
セット８を代わりにセットして、真空ポンプ５４にて真
空引きした後、ａ−Ｓｉ薄膜形成済み基板が取り出し室
５のトレイから外され、再びカセット８に移される。
カセット室５２にあるカセット８がａ−Ｓｉ薄膜形成済
み基板で一杯になると、カセット８が取り出される。そ
して、取り出し室５と取り出しカセット室５２とは、取
り出し室５が真空のままで、取り出しカセット室５５だ
けを大気圧にしてカセット８を取り出せるように構成さ
れている。そして、カセット８を取り出した後、空のカ
セット８を代わりにセットして、真空ポンプ５４にて真
空引きした後、ａ−Ｓｉ薄膜形成済み基板が取り出し室
５のトレイから外され、再びカセット８に移される。
【００１７】さて、この実施例の製造装置においては、
取り出し室５で基板６を外されたトレイ７を真空中で仕
込室１まで搬送するトレイ移送経路としてのトレイ搬送
室９が設けられている。即ち、トレイ搬送室９は真空ポ
ンプ５５により真空引きされ、トレイ搬送室９が高真空
状態に保持されるように構成されている。このトレイ搬
送室９により、取り出し室５から排出されたトレイ７を
仕込室１まで大気とは遮蔽状態に保持されたまま移送す
ることができる。
取り出し室５で基板６を外されたトレイ７を真空中で仕
込室１まで搬送するトレイ移送経路としてのトレイ搬送
室９が設けられている。即ち、トレイ搬送室９は真空ポ
ンプ５５により真空引きされ、トレイ搬送室９が高真空
状態に保持されるように構成されている。このトレイ搬
送室９により、取り出し室５から排出されたトレイ７を
仕込室１まで大気とは遮蔽状態に保持されたまま移送す
ることができる。
【００１８】また、、このトレイ搬送室９にはトレイ７
に付着したフレークを除去するために、ＳＵＳブラシ９
１を備えたクリーニング室９０が設けられ、このクリー
ニング室９０でトレイ７の清掃が行われる。
に付着したフレークを除去するために、ＳＵＳブラシ９
１を備えたクリーニング室９０が設けられ、このクリー
ニング室９０でトレイ７の清掃が行われる。
【００１９】さらに、トレイ搬送室９は常に高真空に保
たれているばかりではなく、トレイ加熱ヒータ１０も具
備しているため、トレイにはほとんど不純物が付着しな
い。
たれているばかりではなく、トレイ加熱ヒータ１０も具
備しているため、トレイにはほとんど不純物が付着しな
い。
【００２０】このように、この実施例の製造装置では、
取り出し室から排出されたトレイを仕込室まで大気とは
遮蔽状態に保持されるので、トレイを使用しない時も、
基板をセットする時も、外す時も一切トレイが大気に触
れることがなくなり、トレイによる不純物の持ち込みが
減少する。
取り出し室から排出されたトレイを仕込室まで大気とは
遮蔽状態に保持されるので、トレイを使用しない時も、
基板をセットする時も、外す時も一切トレイが大気に触
れることがなくなり、トレイによる不純物の持ち込みが
減少する。
【００２１】次に、表１に、図２に示す従来の半導体薄
膜の製造装置とこの発明の半導体薄膜の製造装置でそれ
ぞれ製造したａ−Ｓｉ太陽電池（面積１ｃｍ角）の、初
期出力（変換効率）及び光劣化（１．２５ｓｕｎ，４８
℃，３１０時間の光照射）後の出力を測定した結果を示
す。
膜の製造装置とこの発明の半導体薄膜の製造装置でそれ
ぞれ製造したａ−Ｓｉ太陽電池（面積１ｃｍ角）の、初
期出力（変換効率）及び光劣化（１．２５ｓｕｎ，４８
℃，３１０時間の光照射）後の出力を測定した結果を示
す。
【００２２】
【表１】
【００２３】表１から分かるように、この発明の半導体
薄膜の製造装置で製造した太陽電池では、初期出力（変
換効率）が１０％（１ポイント）向上し、光劣化率が５
ポイント改善され、光劣化後の変換効率が１７％（１．
３ポイント）も向上され、高性能なａ−Ｓｉ太陽電池を
形成できる。
薄膜の製造装置で製造した太陽電池では、初期出力（変
換効率）が１０％（１ポイント）向上し、光劣化率が５
ポイント改善され、光劣化後の変換効率が１７％（１．
３ポイント）も向上され、高性能なａ−Ｓｉ太陽電池を
形成できる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の半導体
薄膜の製造装置によれば、トレイに不純物がほとんど付
着しないので、膜中欠陥のない半導体薄膜が形成でき、
この膜を用いた太陽電池の性能を向上させることができ
る。
薄膜の製造装置によれば、トレイに不純物がほとんど付
着しないので、膜中欠陥のない半導体薄膜が形成でき、
この膜を用いた太陽電池の性能を向上させることができ
る。
【図１】この発明の実施例の半導体薄膜の製造装置を示
す概略構成図である。
す概略構成図である。
【図２】従来の半導体薄膜の製造装置を示す概略構成図
である。
である。
１ 仕込室 ２、３、４ 反応室 ５ 取り出し室 ６ 基板 ７ トレイ ８ カセット ９ トレイ搬送室 １０ トレイ加熱室 １１、１２、１３、１４、１５ 真空ポンプ ２１、２２、２３、２４ 基板加熱ヒータ ３２、３３、３４ 原料ガス導入系 ４２、４３、４４ ガス分解系 ５１ 仕込カセット室 ５２ 取り出しカセット室
Claims (2)
- 【請求項１】 トレイに基板を保持し、仕込室、反応
室、取り出し室の順に搬送し、反応室で基板上に半導体
薄膜を形成する半導体膜膜の製造装置であって、前記取
り出し室から排出されたトレイを仕込室まで大気とは遮
蔽状態に保持されたまま移送する移送経路を設けたこと
を特徴とする半導体薄膜の製造装置。 - 【請求項２】 上記移送経路内に、トレイの付着物を除
去するためのクリーニング手段及びトレイを加熱する加
熱手段を設けたことを特徴とする請求項１に記載の半導
体薄膜の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7041118A JP2842551B2 (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | 半導体薄膜の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7041118A JP2842551B2 (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | 半導体薄膜の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08236456A true JPH08236456A (ja) | 1996-09-13 |
| JP2842551B2 JP2842551B2 (ja) | 1999-01-06 |
Family
ID=12599551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7041118A Expired - Fee Related JP2842551B2 (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | 半導体薄膜の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2842551B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001156158A (ja) * | 1999-11-24 | 2001-06-08 | Anelva Corp | 薄膜作成装置 |
| WO2006077986A1 (ja) * | 2005-01-21 | 2006-07-27 | Showa Shell Sekiyu K.K. | 透明導電膜製膜装置及び多層透明導電膜連続製膜装置並びにその製膜方法 |
| JP2009246060A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Ihi Corp | インライン型処理装置 |
| JP2017520112A (ja) * | 2014-05-15 | 2017-07-20 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 粒子除去デバイス、及び粒子除去デバイスを操作する方法 |
-
1995
- 1995-02-28 JP JP7041118A patent/JP2842551B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001156158A (ja) * | 1999-11-24 | 2001-06-08 | Anelva Corp | 薄膜作成装置 |
| WO2006077986A1 (ja) * | 2005-01-21 | 2006-07-27 | Showa Shell Sekiyu K.K. | 透明導電膜製膜装置及び多層透明導電膜連続製膜装置並びにその製膜方法 |
| JP2006203022A (ja) * | 2005-01-21 | 2006-08-03 | Showa Shell Sekiyu Kk | 透明導電膜製膜装置及び多層透明導電膜連続製膜装置並びにその製膜方法 |
| KR101352412B1 (ko) * | 2005-01-21 | 2014-01-21 | 쇼와쉘세키유가부시키가이샤 | 투명 도전막 제막 장치, 다층 투명 도전막 연속 제막 장치및 이의 제막방법 |
| JP2009246060A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Ihi Corp | インライン型処理装置 |
| JP2017520112A (ja) * | 2014-05-15 | 2017-07-20 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 粒子除去デバイス、及び粒子除去デバイスを操作する方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2842551B2 (ja) | 1999-01-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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