JPH08235528A - プレーナ薄膜構造体の製造方法 - Google Patents
プレーナ薄膜構造体の製造方法Info
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- JPH08235528A JPH08235528A JP7312793A JP31279395A JPH08235528A JP H08235528 A JPH08235528 A JP H08235528A JP 7312793 A JP7312793 A JP 7312793A JP 31279395 A JP31279395 A JP 31279395A JP H08235528 A JPH08235528 A JP H08235528A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0035—Multiple processes, e.g. applying a further resist layer on an already in a previously step, processed pattern or textured surface
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 薄膜部材上に光イメージ形成可能材料を実質
的に平面な層状体として形成すること。 【解決手段】 基板及び第１薄膜部材は、第１のフォト
レジスト層で覆われている。第１の薄膜部材上の第１の
フォトレジスト層中には、凹凸が形成される。凹凸の外
側の第１のフォトレジスト層の残りの部分は、断面で見
たとき、第１の薄膜部材と同一の平面にあるフォトレジ
スト・フィールドを含んでいる。凹凸は、フォトレジス
ト・フィールドを残したまま、マスキング、露光及び現
像を含む光イメージ形成によって除去される。次いで、
凹凸が除去された後、第２のフォトレジスト層が得られ
た構造体に塗布される。フォトレジスト・フィールド上
の第２のフォトレジスト層の部分及びフォトレジスト・
フィールド自身が、光イメージ形成によって除去され
る。こうして、実質的に平面状の第２の薄膜部材が形成
される。
的に平面な層状体として形成すること。 【解決手段】 基板及び第１薄膜部材は、第１のフォト
レジスト層で覆われている。第１の薄膜部材上の第１の
フォトレジスト層中には、凹凸が形成される。凹凸の外
側の第１のフォトレジスト層の残りの部分は、断面で見
たとき、第１の薄膜部材と同一の平面にあるフォトレジ
スト・フィールドを含んでいる。凹凸は、フォトレジス
ト・フィールドを残したまま、マスキング、露光及び現
像を含む光イメージ形成によって除去される。次いで、
凹凸が除去された後、第２のフォトレジスト層が得られ
た構造体に塗布される。フォトレジスト・フィールド上
の第２のフォトレジスト層の部分及びフォトレジスト・
フィールド自身が、光イメージ形成によって除去され
る。こうして、実質的に平面状の第２の薄膜部材が形成
される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、薄膜装置に関
し、特に薄膜装置の各上部層の平坦性を維持するように
した薄膜装置の製造方法に関する。
し、特に薄膜装置の各上部層の平坦性を維持するように
した薄膜装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、薄膜磁気記録ヘッド等の薄膜装
置の製造において、特定の薄膜装置の下部層の上に、例
えばフォトレジスト等の絶縁性光イメージ形成可能材料
から成る平坦な層状体を形成することがしばしば望まれ
る。図１Ａは，薄膜部材１５が位置している基板１０を
示している。この薄膜部材１５は、１つ以上の層状体を
含んでいる。フォトレジスト層２０は、図１Ａに示すよ
うに、基板１０及び薄膜部材１５の上にスピンコートさ
れている。薄膜部材１５は、この例では、略１０μｍの
比較的低い垂直プロファイルを示すため、薄膜部材１５
の上には、一般に、平面状のフォトレジスト層２０が塗
布される。
置の製造において、特定の薄膜装置の下部層の上に、例
えばフォトレジスト等の絶縁性光イメージ形成可能材料
から成る平坦な層状体を形成することがしばしば望まれ
る。図１Ａは，薄膜部材１５が位置している基板１０を
示している。この薄膜部材１５は、１つ以上の層状体を
含んでいる。フォトレジスト層２０は、図１Ａに示すよ
うに、基板１０及び薄膜部材１５の上にスピンコートさ
れている。薄膜部材１５は、この例では、略１０μｍの
比較的低い垂直プロファイルを示すため、薄膜部材１５
の上には、一般に、平面状のフォトレジスト層２０が塗
布される。
【０００３】しかしながら、比較的高い垂直プロファイ
ルの薄膜部材が、フォトレジストで覆われるとき、非平
面状のフォトレジスト層が、しばしばこの薄膜部材の上
に塗布されることになる。例えば、図１Ｂは、薄いフォ
トレジスト層２０が、高いプロファイルの薄膜部材１５
に塗布されるときに生じる状況を図示している。この例
において、薄いフォトレジスト層２０は、略５μｍの厚
さを示すと共に、薄膜部材１５は、３０μｍの高さを示
す。図１Ｂにおいて分るように、薄膜部材１５上のフォ
トレジスト層２０の一部分は、丸まった非平面状の望ま
しくない幾何学形状を示している。薄膜部材１５上の被
覆は、でこぼこしており、薄膜部材１５の側部１５Ａ及
び１５Ｂ上の被覆は、薄膜部材１５の頂部に向かって存
在しない。
ルの薄膜部材が、フォトレジストで覆われるとき、非平
面状のフォトレジスト層が、しばしばこの薄膜部材の上
に塗布されることになる。例えば、図１Ｂは、薄いフォ
トレジスト層２０が、高いプロファイルの薄膜部材１５
に塗布されるときに生じる状況を図示している。この例
において、薄いフォトレジスト層２０は、略５μｍの厚
さを示すと共に、薄膜部材１５は、３０μｍの高さを示
す。図１Ｂにおいて分るように、薄膜部材１５上のフォ
トレジスト層２０の一部分は、丸まった非平面状の望ま
しくない幾何学形状を示している。薄膜部材１５上の被
覆は、でこぼこしており、薄膜部材１５の側部１５Ａ及
び１５Ｂ上の被覆は、薄膜部材１５の頂部に向かって存
在しない。
【０００４】凹凸表面のカバレッジの問題は、図１Ｃに
示すように、高い垂直プロファイルの薄膜部材１５が厚
いフォトレジスト層２０で覆われたときにも生じる。図
１Ｃの例において、厚いフォトレジスト層２０は、略３
０μｍの厚さを示す。厚いフォトレジスト層２０の上面
は、かなりの突起２０Ａが薄膜部材１５の上方に存在し
た状態ででこぼこしている。また、好ましくない非平面
状の構造となってしまう。
示すように、高い垂直プロファイルの薄膜部材１５が厚
いフォトレジスト層２０で覆われたときにも生じる。図
１Ｃの例において、厚いフォトレジスト層２０は、略３
０μｍの厚さを示す。厚いフォトレジスト層２０の上面
は、かなりの突起２０Ａが薄膜部材１５の上方に存在し
た状態ででこぼこしている。また、好ましくない非平面
状の構造となってしまう。
【０００５】一般に、得られる構造体の非平坦性の度合
いは、薄膜部材１５の高さ、アスペクト比（薄膜部材１
５の高さ対フォトレジスト層２０の相対厚さ）及び被覆
すべき表面の幾何学形状に依存している。一般に、薄膜
部材の高さ及びアスペクト比が増大するにつれて、フォ
トレジスト・コーティング層の非平坦性はそれに対応し
て増大することが見い出だされてきた。
いは、薄膜部材１５の高さ、アスペクト比（薄膜部材１
５の高さ対フォトレジスト層２０の相対厚さ）及び被覆
すべき表面の幾何学形状に依存している。一般に、薄膜
部材の高さ及びアスペクト比が増大するにつれて、フォ
トレジスト・コーティング層の非平坦性はそれに対応し
て増大することが見い出だされてきた。
【０００６】この種の凹凸のある非平坦性表面における
問題は、非平坦性表面の上に製造される続く層状体もま
た、その結果として、非平坦性となることである。図２
Ａないし図２Ｆは、この問題を図示している。
問題は、非平坦性表面の上に製造される続く層状体もま
た、その結果として、非平坦性となることである。図２
Ａないし図２Ｆは、この問題を図示している。
【０００７】図２Ａは、比較的高い段部、即ち薄膜部材
１５が位置している基板１０の断面図である。金属材料
から成るシード層２５は、部材１５の上面に被着してい
る。次いで、フォトレジストから成る層３０が、図２Ｂ
に示すように、図２Ａの構造体上にスピンコートされ
る。部材１５は、比較的高い構造体であるので、フォト
レジスト層３０は、部材１５の上に、高く盛り上った部
分を含み、こうして、非平坦性被覆となる。次いで、フ
ォトレジスト層３０は、マスキングされ、露光され、か
つ現像されて、図２Ｃに示すようにシード層２５の上に
開口領域３５を形成するようになっている。次いで、得
られた構造体は、電気メッキされ、この結果、開口領域
３５が、金属メッキ材料で充填されて、図２Ｄに図示す
るように、コイル要素４０を形成するようになってい
る。次いで、フォトレジスト３０を溶材で除去して、図
２Ｅの構造体を形成するようになっている。図２Ｅの構
造体を、次いで、エッチングして、シード層２５の露出
部分を除去し、図２Ｆの構造体を形成するようになって
いる。図２Ｆの構造体のコイル要素４０は、望ましくな
いことに非平坦性である。この非平坦性効果は、部材１
５のエッジ近くで悪化している。この望ましくない非平
坦性効果を緩和するため、部材１５のエッジ近くのコイ
ル要素を省く方法もあるが、そのため、貴重な表面領域
に無駄が生じてしまう。コイル要素４０のメッキの際
に、構造体のエッジ近くのコイル要素のメッキ材料は、
開口領域３５からあふれてしまって、コイル要素の短絡
を引き起こしてしまう。こうして、この非平坦性効果に
よって、薄膜構造体の歩留り及び機能性がひどく影響を
受けてしまう。
１５が位置している基板１０の断面図である。金属材料
から成るシード層２５は、部材１５の上面に被着してい
る。次いで、フォトレジストから成る層３０が、図２Ｂ
に示すように、図２Ａの構造体上にスピンコートされ
る。部材１５は、比較的高い構造体であるので、フォト
レジスト層３０は、部材１５の上に、高く盛り上った部
分を含み、こうして、非平坦性被覆となる。次いで、フ
ォトレジスト層３０は、マスキングされ、露光され、か
つ現像されて、図２Ｃに示すようにシード層２５の上に
開口領域３５を形成するようになっている。次いで、得
られた構造体は、電気メッキされ、この結果、開口領域
３５が、金属メッキ材料で充填されて、図２Ｄに図示す
るように、コイル要素４０を形成するようになってい
る。次いで、フォトレジスト３０を溶材で除去して、図
２Ｅの構造体を形成するようになっている。図２Ｅの構
造体を、次いで、エッチングして、シード層２５の露出
部分を除去し、図２Ｆの構造体を形成するようになって
いる。図２Ｆの構造体のコイル要素４０は、望ましくな
いことに非平坦性である。この非平坦性効果は、部材１
５のエッジ近くで悪化している。この望ましくない非平
坦性効果を緩和するため、部材１５のエッジ近くのコイ
ル要素を省く方法もあるが、そのため、貴重な表面領域
に無駄が生じてしまう。コイル要素４０のメッキの際
に、構造体のエッジ近くのコイル要素のメッキ材料は、
開口領域３５からあふれてしまって、コイル要素の短絡
を引き起こしてしまう。こうして、この非平坦性効果に
よって、薄膜構造体の歩留り及び機能性がひどく影響を
受けてしまう。
【０００８】図２Ｄから図２Ｆまでは、前述したコイル
要素の短絡状態を示さない簡略化した断面図であるが、
図２Ｇから図２Ｉは、コイル要素が共に短絡した状態を
詳しく示す。図２Ｄないし図２Ｆのそれぞれよりもより
詳細な図である。より詳細には、開口領域３５が、コイ
ル要素４０を形成すべく、金属メッキ材料が完全に充填
されたとき、メッキ材料は、図２Ｇに示すように、最も
外側の開口領域３５の頂部から「きのこ形」に広がると
共に、きのこ形メッキ材料が共に結合しようとする。こ
のようにして、短絡したコイル要素４０が形成される。
次いで、図２Ｇの構造体は、フォトレジスト層を除去す
べく、溶材に浸されるが、短絡したコイル要素の下方の
フォトレジスト被覆領域にはあいにく溶材が到達し得な
い。このために、望ましくないフォトレジスト被覆領域
には、４２で示すように図２Ｈの構造体中に残る。図２
Ｈの構造体中は、次いで、露出したシード層２５を除去
すべく、エッチング液に浸される。あいにく、この段階
の後、「きのこ形（ｍｕｓｈｒｏｏｍｉｎｇ）」に広が
る問題を生じたより外側のコイル要素４０は、短絡した
ままである。
要素の短絡状態を示さない簡略化した断面図であるが、
図２Ｇから図２Ｉは、コイル要素が共に短絡した状態を
詳しく示す。図２Ｄないし図２Ｆのそれぞれよりもより
詳細な図である。より詳細には、開口領域３５が、コイ
ル要素４０を形成すべく、金属メッキ材料が完全に充填
されたとき、メッキ材料は、図２Ｇに示すように、最も
外側の開口領域３５の頂部から「きのこ形」に広がると
共に、きのこ形メッキ材料が共に結合しようとする。こ
のようにして、短絡したコイル要素４０が形成される。
次いで、図２Ｇの構造体は、フォトレジスト層を除去す
べく、溶材に浸されるが、短絡したコイル要素の下方の
フォトレジスト被覆領域にはあいにく溶材が到達し得な
い。このために、望ましくないフォトレジスト被覆領域
には、４２で示すように図２Ｈの構造体中に残る。図２
Ｈの構造体中は、次いで、露出したシード層２５を除去
すべく、エッチング液に浸される。あいにく、この段階
の後、「きのこ形（ｍｕｓｈｒｏｏｍｉｎｇ）」に広が
る問題を生じたより外側のコイル要素４０は、短絡した
ままである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の製造方法が解
決しようとする課題は、薄膜部材上に光イメージ形成可
能材料を実質的に平面な層状体として形成することであ
る。
決しようとする課題は、薄膜部材上に光イメージ形成可
能材料を実質的に平面な層状体として形成することであ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の一実施例によれ
ば、実質的に平面の薄膜構造体の製造方法が提供され
る。該方法は、基板上に第１の薄膜部材を形成する段階
であって、前記第１の薄膜部材は、実質的に平面の上面
を含むと共に高さを有している。前記方法はまた、前記
基板及び前記第１の薄膜部材を第１の光イメージ形成可
能（ｐｈｏｔｏｉｍａｇｅａｂｌｅ）層で被覆すること
によって、前記第１の薄膜部材上の前記第１の光イメー
ジ形成可能層に凹凸を形成する段階であって、光イメー
ジ形成可能フィールド部分が、前記第１の光イメージ形
成可能層の残りの部分によって形成され、前記光イメー
ジ形成可能フィールド部分が、前記薄膜部材の前記高さ
に略等しい高さを示してなる前記段階を備えている。前
記方法は更に、前記第１の薄膜部材が、前記光イメージ
形成可能フィールド部分に関して実質的に平面となるよ
うに、光イメージ形成によって、前記凹凸を除去する段
階を備えている。前記方法はまた更に、前記実質的に平
面の第１の薄膜部材及び光イメージ形成可能フィールド
部分に、第２の光イメージ形成可能層を塗布して、実質
的に平面の第２の光イメージ形成可能層を形成する段階
を備えている。前記方法はまた、光イメージ形成によっ
て、前記光イメージ形成可能フィールド部分の上部の前
記第２の光イメージ形成可能層の一部分を除去して、前
記第１の薄膜部材の上部に、実質的に平面の残存する上
部光イメージ形成可能部分を形成する段階を備えてい
る。
ば、実質的に平面の薄膜構造体の製造方法が提供され
る。該方法は、基板上に第１の薄膜部材を形成する段階
であって、前記第１の薄膜部材は、実質的に平面の上面
を含むと共に高さを有している。前記方法はまた、前記
基板及び前記第１の薄膜部材を第１の光イメージ形成可
能（ｐｈｏｔｏｉｍａｇｅａｂｌｅ）層で被覆すること
によって、前記第１の薄膜部材上の前記第１の光イメー
ジ形成可能層に凹凸を形成する段階であって、光イメー
ジ形成可能フィールド部分が、前記第１の光イメージ形
成可能層の残りの部分によって形成され、前記光イメー
ジ形成可能フィールド部分が、前記薄膜部材の前記高さ
に略等しい高さを示してなる前記段階を備えている。前
記方法は更に、前記第１の薄膜部材が、前記光イメージ
形成可能フィールド部分に関して実質的に平面となるよ
うに、光イメージ形成によって、前記凹凸を除去する段
階を備えている。前記方法はまた更に、前記実質的に平
面の第１の薄膜部材及び光イメージ形成可能フィールド
部分に、第２の光イメージ形成可能層を塗布して、実質
的に平面の第２の光イメージ形成可能層を形成する段階
を備えている。前記方法はまた、光イメージ形成によっ
て、前記光イメージ形成可能フィールド部分の上部の前
記第２の光イメージ形成可能層の一部分を除去して、前
記第１の薄膜部材の上部に、実質的に平面の残存する上
部光イメージ形成可能部分を形成する段階を備えてい
る。
【００１１】
【発明の実施の形態】図３Ａは、薄膜部材１１５が位置
している基板１１０を示している。基板１１０として使
用できる材料は、アルミナ、シリコンまたは構造的保全
性を示す他の硬質で、実質的に平坦な材料から成る。薄
膜部材１１５は、この明細書では、代替的に段部と称す
る。薄膜部材１１５は、単一または多層の構造体である
ことができる。更に詳述すると、薄膜部材１１５は、単
数または複数の実質的に平面状の層状体を製造すること
が望ましい任意の薄膜構造体を表している。例えば、薄
膜部材１１５は、単一の層として簡易なものであって
も、または薄膜記録ヘッドまたは他の多層構造体のよう
に複雑であってもよい。
している基板１１０を示している。基板１１０として使
用できる材料は、アルミナ、シリコンまたは構造的保全
性を示す他の硬質で、実質的に平坦な材料から成る。薄
膜部材１１５は、この明細書では、代替的に段部と称す
る。薄膜部材１１５は、単一または多層の構造体である
ことができる。更に詳述すると、薄膜部材１１５は、単
数または複数の実質的に平面状の層状体を製造すること
が望ましい任意の薄膜構造体を表している。例えば、薄
膜部材１１５は、単一の層として簡易なものであって
も、または薄膜記録ヘッドまたは他の多層構造体のよう
に複雑であってもよい。
【００１２】薄膜部材１１５の高さＴｓは，表面プロフ
ァイロメータ（ｓｕｒｆａｃｅ ｐｒｏｆｉｌｏｍｅｔ
ｅｒ）を使用して測定される。ここでは、代表的測定値
Ｔｓは、比較的高い垂直プロファイルの薄膜部材１１５
に対応する略３０μｍであると仮定する。この特定の例
では、薄膜部材１１５の幅Ｗｓは、略１００μｍであ
る。Ｔｓ及びＷｓのこれらの値は、単に例示的なもので
あって、これらに限定されるものととらえるべきではな
い。Ｔｓが決定された後、図示のように、光イメージ形
成可能（ｐｈｏｔｏｉｍａｇｅａｂｌｅ）材料から成る
電気的絶縁層１２０が、基板１１０及び薄膜部材１１５
上に被着される。層状体１２０に対する光イメージ形成
可能材料として使用できる種々の光イメージ形成可能材
料は、フォトレジスト及びポリイミドを含んでいる。こ
の方法の好ましい実施例において、ポジ型フォトレジス
トが、層状体１２０として使用される。簡略化のため
に、層状体１２０を以下において、フォトレジスト層１
２０と称する。例えば、層状体１２０を形成するのに使
用できる１つのフォトレジストは、ホエシスト・セラニ
ーズ社（Ｈｏｅｃｈｓｔ Ｃｅｌａｎｅｓｅ）から入手
できるＡＺ４６２０フォトレジストである。用いられる
このフォトレジストは、必要ならば特定の応用に対し
て、電気的絶縁特性を示す。
ァイロメータ（ｓｕｒｆａｃｅ ｐｒｏｆｉｌｏｍｅｔ
ｅｒ）を使用して測定される。ここでは、代表的測定値
Ｔｓは、比較的高い垂直プロファイルの薄膜部材１１５
に対応する略３０μｍであると仮定する。この特定の例
では、薄膜部材１１５の幅Ｗｓは、略１００μｍであ
る。Ｔｓ及びＷｓのこれらの値は、単に例示的なもので
あって、これらに限定されるものととらえるべきではな
い。Ｔｓが決定された後、図示のように、光イメージ形
成可能（ｐｈｏｔｏｉｍａｇｅａｂｌｅ）材料から成る
電気的絶縁層１２０が、基板１１０及び薄膜部材１１５
上に被着される。層状体１２０に対する光イメージ形成
可能材料として使用できる種々の光イメージ形成可能材
料は、フォトレジスト及びポリイミドを含んでいる。こ
の方法の好ましい実施例において、ポジ型フォトレジス
トが、層状体１２０として使用される。簡略化のため
に、層状体１２０を以下において、フォトレジスト層１
２０と称する。例えば、層状体１２０を形成するのに使
用できる１つのフォトレジストは、ホエシスト・セラニ
ーズ社（Ｈｏｅｃｈｓｔ Ｃｅｌａｎｅｓｅ）から入手
できるＡＺ４６２０フォトレジストである。用いられる
このフォトレジストは、必要ならば特定の応用に対し
て、電気的絶縁特性を示す。
【００１３】フォトレジスト層１２０は、従来型のスピ
ン装置を使用して、基板１１０及び薄膜部材１１５上に
スピンコートされる。代替的に、フォトレジスト層１２
０は基板１１０及び薄膜部材１１５上にスプレーされ
る。フォトレジスト層１２０は、その厚さＴF が薄膜部
材（即ち段部）１１５の厚さ、即ちＴｓと実質的に整合
するように、十分な厚さに塗布される。フォトレジスト
層１２０が、この様にして塗布されたとき、図３Ｂに示
すように、薄膜部材１１５上のフォトレジスト材料に凸
部１２０Ａが生じることとなる。凸部１２０Ａの幅はＷ
A として規定され、かつ凸部１２０Ａの高さはＴA とし
て規定される。議論のために、ＷA 及びＴ A はそれぞれ
１１０μｍ及び８μｍのサンプル値を有すると仮定す
る。再度、これらの値は、単に例示的なものであって、
限定的なものではない。凸部１２０Ａを除外したフォト
レジスト層１２０の残りの部分は、厚さＴF を示すフォ
トレジスト・フィールド部分を指している。図３Ｂの断
面図を見たときに、フォトレジスト層１２０は、凸部１
２０Ａによって分割された２つのフィールド部分を含ん
でいる。実用上、上方から見たとき、凸部１２０Ａを除
外したフォトレジスト層１２０の残りの部分は、単一の
フィールド部分を形成し得る。
ン装置を使用して、基板１１０及び薄膜部材１１５上に
スピンコートされる。代替的に、フォトレジスト層１２
０は基板１１０及び薄膜部材１１５上にスプレーされ
る。フォトレジスト層１２０は、その厚さＴF が薄膜部
材（即ち段部）１１５の厚さ、即ちＴｓと実質的に整合
するように、十分な厚さに塗布される。フォトレジスト
層１２０が、この様にして塗布されたとき、図３Ｂに示
すように、薄膜部材１１５上のフォトレジスト材料に凸
部１２０Ａが生じることとなる。凸部１２０Ａの幅はＷ
A として規定され、かつ凸部１２０Ａの高さはＴA とし
て規定される。議論のために、ＷA 及びＴ A はそれぞれ
１１０μｍ及び８μｍのサンプル値を有すると仮定す
る。再度、これらの値は、単に例示的なものであって、
限定的なものではない。凸部１２０Ａを除外したフォト
レジスト層１２０の残りの部分は、厚さＴF を示すフォ
トレジスト・フィールド部分を指している。図３Ｂの断
面図を見たときに、フォトレジスト層１２０は、凸部１
２０Ａによって分割された２つのフィールド部分を含ん
でいる。実用上、上方から見たとき、凸部１２０Ａを除
外したフォトレジスト層１２０の残りの部分は、単一の
フィールド部分を形成し得る。
【００１４】フォトレジスト層１２０は、フォトレジス
ト・フィールド部分１２０Ｂの厚さＴF が略±１０％以
内に薄膜部材１１５の厚さＴｓと等しくなるように、十
分な厚さに塗布される。例えば、３０μｍの厚さＴｓを
示す薄膜部材即ち段差部に対して、フォトレジスト層１
２０はフォトレジスト・フィールド部分１２０Ｂの厚さ
Ｔｓが、薄膜部材１１５の厚さの±２〜３μｍ以内にな
るように、塗布される。理想的な場合、薄膜部材１１５
の厚さＴｓは、フォトレジスト・フィールド部分１２０
Ｂの厚さＴF に等しい。
ト・フィールド部分１２０Ｂの厚さＴF が略±１０％以
内に薄膜部材１１５の厚さＴｓと等しくなるように、十
分な厚さに塗布される。例えば、３０μｍの厚さＴｓを
示す薄膜部材即ち段差部に対して、フォトレジスト層１
２０はフォトレジスト・フィールド部分１２０Ｂの厚さ
Ｔｓが、薄膜部材１１５の厚さの±２〜３μｍ以内にな
るように、塗布される。理想的な場合、薄膜部材１１５
の厚さＴｓは、フォトレジスト・フィールド部分１２０
Ｂの厚さＴF に等しい。
【００１５】場合によっては、フォトレジストの単一の
コーティングは、十分な厚さまでフォトレジスト層１２
０を形成するのに使用することができるが、薄膜部材１
１５が、特に厚く即ち高い場合、フォトレジスト層１２
０のフォトレジスト・フィールド部分１２０Ｂが、薄膜
部材１１５の高さと整合するような高さにまで、フォト
レジスト層１２０を形成するのに、多層フォトレジスト
・コーティングが必要である。一般に、フォトレジスト
の凸部１２０Ａの厚さＴA は、フォトレジスト・フィー
ルド部分１２０Ｂの厚さＴF を下回ることに留意された
い。
コーティングは、十分な厚さまでフォトレジスト層１２
０を形成するのに使用することができるが、薄膜部材１
１５が、特に厚く即ち高い場合、フォトレジスト層１２
０のフォトレジスト・フィールド部分１２０Ｂが、薄膜
部材１１５の高さと整合するような高さにまで、フォト
レジスト層１２０を形成するのに、多層フォトレジスト
・コーティングが必要である。一般に、フォトレジスト
の凸部１２０Ａの厚さＴA は、フォトレジスト・フィー
ルド部分１２０Ｂの厚さＴF を下回ることに留意された
い。
【００１６】薄膜部材１１５上のフォトレジスト層１２
０の一部分、即ち凸部１２０Ａは、ここで、マスクを使
用して紫外線に晒される。図３Ｂの構造体は、次いで現
像され、凸部１２０Ａが除去されて、図３Ｃの実質的に
平面状の構造体が残される。より詳細には、図３Ｃの構
造体は、薄膜部材１１５及びフォトレジスト・フィール
ド部分１２０Ｂによって形成される実質的に平面状の上
面１２５を含んでいる。これらのマスキング、露光及び
現像段階は、総称的に光イメージ形成と称する。
０の一部分、即ち凸部１２０Ａは、ここで、マスクを使
用して紫外線に晒される。図３Ｂの構造体は、次いで現
像され、凸部１２０Ａが除去されて、図３Ｃの実質的に
平面状の構造体が残される。より詳細には、図３Ｃの構
造体は、薄膜部材１１５及びフォトレジスト・フィール
ド部分１２０Ｂによって形成される実質的に平面状の上
面１２５を含んでいる。これらのマスキング、露光及び
現像段階は、総称的に光イメージ形成と称する。
【００１７】前述したマスキング、露光及び現像段階に
おいて、できるだけ多くの凸部１２０Ａを除去すること
が重要である。こうして、フォトレジスト層１２０が、
ポジ型フォトレジスから成る場合、全ての凸部１２０Ａ
を現像剤で除去できるようにすべく、できるだけ多くの
凸部１２０Ａを露光する。露光の際に紫外線が通るマス
ク開口部が、薄膜部材１１５の幅Ｗｓと同一の幅であれ
ば、薄膜部材１１５の真上のフォトレジスト層１２０の
部分のみが、除去されることとなる。このことは、望ま
しくない凹凸の残りの側部の痕跡１２０Ｃ及び１２０Ｄ
を含む、図３Ｄの非平面構造に帰着する。この望ましく
ない結果を回避するため、マスク開口部は、薄膜部材１
１５の幅Ｗｓより幾分大きい。より詳細には、マスク開
口部は、凸部１２０Ａの幅ＷA と実質的に等しく、かつ
垂直方向に整合している。一般に、マスク開口部の幅
は、Ｗｓ＋Δに等しい。ここで、ΔはＷｓの略１０から
１５％までに等しい。
おいて、できるだけ多くの凸部１２０Ａを除去すること
が重要である。こうして、フォトレジスト層１２０が、
ポジ型フォトレジスから成る場合、全ての凸部１２０Ａ
を現像剤で除去できるようにすべく、できるだけ多くの
凸部１２０Ａを露光する。露光の際に紫外線が通るマス
ク開口部が、薄膜部材１１５の幅Ｗｓと同一の幅であれ
ば、薄膜部材１１５の真上のフォトレジスト層１２０の
部分のみが、除去されることとなる。このことは、望ま
しくない凹凸の残りの側部の痕跡１２０Ｃ及び１２０Ｄ
を含む、図３Ｄの非平面構造に帰着する。この望ましく
ない結果を回避するため、マスク開口部は、薄膜部材１
１５の幅Ｗｓより幾分大きい。より詳細には、マスク開
口部は、凸部１２０Ａの幅ＷA と実質的に等しく、かつ
垂直方向に整合している。一般に、マスク開口部の幅
は、Ｗｓ＋Δに等しい。ここで、ΔはＷｓの略１０から
１５％までに等しい。
【００１８】プロセスのこの時点において、現像装置を
用いて一層除去するために、フォトレジスト・フィール
ド部分１２０Ｂにおけるフォトレジストの状態を助ける
べく、上面１２５は、紫外線の全面露光（ｆｌｏｏｄ
ｅｘｐｏｓｕｒｅ）に、附随的に晒される。全面露光に
おいては、マスクは使用されない。この附随的な「予備
露光」段階は、必要とされるものではないが、フォトレ
ジスト・フィールド部分１２０Ｂの続いて行われる除去
作用を簡単にする。
用いて一層除去するために、フォトレジスト・フィール
ド部分１２０Ｂにおけるフォトレジストの状態を助ける
べく、上面１２５は、紫外線の全面露光（ｆｌｏｏｄ
ｅｘｐｏｓｕｒｅ）に、附随的に晒される。全面露光に
おいては、マスクは使用されない。この附随的な「予備
露光」段階は、必要とされるものではないが、フォトレ
ジスト・フィールド部分１２０Ｂの続いて行われる除去
作用を簡単にする。
【００１９】次いで、上部フォトレジスト層１３０が、
図３Ｅに示すように、スピンコート、スプレイまたは他
の方法で、図３Ｃの構造体に塗布される。このフォトレ
ジスト層１２０は、実質的に平面状であることに留意さ
れたい。次いで、フォトレジスト層１３０の上面がマス
クされて、フォトレジスト・フィールド部分１２０Ｂの
真上のフォトレジスト層１３０の部分を、紫外線に晒す
ようになっている。このマスキング段階において、薄膜
部材１１５の真上の上部フォトレジスト層１３０の部分
が、マスク・オフされてこの領域の露光を防止するよう
になっている。次いで、図３Ｅの構造体を露光して現像
する。フォトレジスト・フィールド部分１２０Ｂが、既
に前述した附随的な予備露光段階で露光されていれば、
上部フォトレジスト層１３０の露光部分は、フォトレジ
スト・フィールド部分１２０Ｂと共に、全て現像剤によ
って同時に除去される。しかしながら、附随的な露光段
階が省略されて、構造体が特に厚ければ、上部フォトレ
ジスト層１３０の露光部分が除去された後、フォトレジ
スト・フィールド部分１２０Ｂを露光するのに別の露光
段階が必要とされ得る。次いで、露光したフォトレジス
ト・フィールド部分１２０Ｂを現像して除去する。これ
らのマスキング、露光及び現像段階によって、図３Ｆに
示すように、フォトレジスト・フィールド部分１２０Ｂ
及び該フォトレジスト・フィールド部分１２０Ｂの上部
の上部フォトレジスト層１３０の部分が除去される。薄
膜部材１１５の上方に残っている上部フォトレジスト層
１３０の部分は、残りの上部フォトレジスト部分１３０
Ａとして示されている。
図３Ｅに示すように、スピンコート、スプレイまたは他
の方法で、図３Ｃの構造体に塗布される。このフォトレ
ジスト層１２０は、実質的に平面状であることに留意さ
れたい。次いで、フォトレジスト層１３０の上面がマス
クされて、フォトレジスト・フィールド部分１２０Ｂの
真上のフォトレジスト層１３０の部分を、紫外線に晒す
ようになっている。このマスキング段階において、薄膜
部材１１５の真上の上部フォトレジスト層１３０の部分
が、マスク・オフされてこの領域の露光を防止するよう
になっている。次いで、図３Ｅの構造体を露光して現像
する。フォトレジスト・フィールド部分１２０Ｂが、既
に前述した附随的な予備露光段階で露光されていれば、
上部フォトレジスト層１３０の露光部分は、フォトレジ
スト・フィールド部分１２０Ｂと共に、全て現像剤によ
って同時に除去される。しかしながら、附随的な露光段
階が省略されて、構造体が特に厚ければ、上部フォトレ
ジスト層１３０の露光部分が除去された後、フォトレジ
スト・フィールド部分１２０Ｂを露光するのに別の露光
段階が必要とされ得る。次いで、露光したフォトレジス
ト・フィールド部分１２０Ｂを現像して除去する。これ
らのマスキング、露光及び現像段階によって、図３Ｆに
示すように、フォトレジスト・フィールド部分１２０Ｂ
及び該フォトレジスト・フィールド部分１２０Ｂの上部
の上部フォトレジスト層１３０の部分が除去される。薄
膜部材１１５の上方に残っている上部フォトレジスト層
１３０の部分は、残りの上部フォトレジスト部分１３０
Ａとして示されている。
【００２０】図３Ｆに示されるように、上部フォトレジ
スト部分１３０Ａは実質的に平面状である。このこと
は、図３Ｇに図示した従来のプロセスの結果とは対称的
である。図３Ｇは、薄膜部材１５の上部の部分２０Ａを
除いてフォトレジスト層２０を露光すべく、図１Ｃの構
造体がマスクされるときに達成された結果である。次い
で、部分２０Ａを除いてフォトレジスト層２０を除去す
べく、図１Ｃの構造体が現像される。薄膜部材１５の上
部の得られたフォトレジスト部分２０Ａは、丸みがあっ
て非平面状である。この望ましくない状態は、非平面状
部分２０Ａの上に続く上部の層状体を製造するとき、及
び非平面状部分２０Ａ内に平面状の層状体を製造すると
きに問題となる。
スト部分１３０Ａは実質的に平面状である。このこと
は、図３Ｇに図示した従来のプロセスの結果とは対称的
である。図３Ｇは、薄膜部材１５の上部の部分２０Ａを
除いてフォトレジスト層２０を露光すべく、図１Ｃの構
造体がマスクされるときに達成された結果である。次い
で、部分２０Ａを除いてフォトレジスト層２０を除去す
べく、図１Ｃの構造体が現像される。薄膜部材１５の上
部の得られたフォトレジスト部分２０Ａは、丸みがあっ
て非平面状である。この望ましくない状態は、非平面状
部分２０Ａの上に続く上部の層状体を製造するとき、及
び非平面状部分２０Ａ内に平面状の層状体を製造すると
きに問題となる。
【００２１】図３Ｆの上部フォトレジスト部分１３０Ａ
に対して達成された実質的に平面の結果は、２つの異な
る応用に対して使用することができる。一実施例におい
て、フォトレジスト部分１３０Ａは、高温ベーキングま
たは高エネルギー電子ビームに晒すことによって、架橋
されて固化される。このようにして、上部フォトレジス
ト部分１３０Ａは、該上部フォトレジスト部分１３０Ａ
の上部の続く上部薄膜または他の構造体の形成に対し
て、平面状の安定したベースとして役立つ。図４におい
て分るように、この種の続く上部薄膜構造体を構造体１
３５として示している。実用上、構造体１３５は、単一
の層状体または多層のパターニングしたまたはパターニ
ングされていない構造体であってもよい。
に対して達成された実質的に平面の結果は、２つの異な
る応用に対して使用することができる。一実施例におい
て、フォトレジスト部分１３０Ａは、高温ベーキングま
たは高エネルギー電子ビームに晒すことによって、架橋
されて固化される。このようにして、上部フォトレジス
ト部分１３０Ａは、該上部フォトレジスト部分１３０Ａ
の上部の続く上部薄膜または他の構造体の形成に対し
て、平面状の安定したベースとして役立つ。図４におい
て分るように、この種の続く上部薄膜構造体を構造体１
３５として示している。実用上、構造体１３５は、単一
の層状体または多層のパターニングしたまたはパターニ
ングされていない構造体であってもよい。
【００２２】図５に図示した代替実施例において、フォ
トレジスト部分１３０Ａは、該フォトレジスト部分１３
０Ａ内に他の構造体を形成するプロセスの一部として、
光イメージ形成される。例えば、フォトレジスト部分１
３０Ａは、開口領域１４０及び１４５を形成すべく、光
イメージ形成される。開口領域１４０及び１４５は、薄
膜部材１１５中の構造体（図示せず）を接続すべく、例
えば、ＮｉＦｅまたはＣｕ等の電気的導電性金属でメッ
キされる。こうして、金属部材１４７及び１４９が、開
口領域１４０及び１４５にそれぞれ形成される。得られ
た構造体の上面１５０は、開示したプロセスを使用し
て、望ましい平面状となっている。薄膜アッセンブリ１
５５は、こうしてフォトレジスト部分１３０Ａ中に形成
される。フォトレジスト部分１３０Ａに関するこの説明
は、光イメージ形成、メッキ、エッチング及び他のプロ
セスによって、フォトレジスト部分１３０Ａ内に形成す
ることができる多くの異なる型式の薄膜アッセンブリま
たは構造体の例示的なものに過ぎない。図５の得られた
薄膜アッセンブリは、望ましいことに金属部材１４７及
び１４９それにフォトレジスト部分１３０Ａの上面によ
って形成される平面状の上面を達成している。実用上、
薄膜アッセンブリを形成すべくフォトレジスト部分１３
０Ａを光イメージ形成、メッキまたはエッチングすると
き、この種のメッキまたはエッチングが終了するまで、
フォトレジスト・フィールド部分１２０Ｂの除去が遅延
されることに留意されたい。
トレジスト部分１３０Ａは、該フォトレジスト部分１３
０Ａ内に他の構造体を形成するプロセスの一部として、
光イメージ形成される。例えば、フォトレジスト部分１
３０Ａは、開口領域１４０及び１４５を形成すべく、光
イメージ形成される。開口領域１４０及び１４５は、薄
膜部材１１５中の構造体（図示せず）を接続すべく、例
えば、ＮｉＦｅまたはＣｕ等の電気的導電性金属でメッ
キされる。こうして、金属部材１４７及び１４９が、開
口領域１４０及び１４５にそれぞれ形成される。得られ
た構造体の上面１５０は、開示したプロセスを使用し
て、望ましい平面状となっている。薄膜アッセンブリ１
５５は、こうしてフォトレジスト部分１３０Ａ中に形成
される。フォトレジスト部分１３０Ａに関するこの説明
は、光イメージ形成、メッキ、エッチング及び他のプロ
セスによって、フォトレジスト部分１３０Ａ内に形成す
ることができる多くの異なる型式の薄膜アッセンブリま
たは構造体の例示的なものに過ぎない。図５の得られた
薄膜アッセンブリは、望ましいことに金属部材１４７及
び１４９それにフォトレジスト部分１３０Ａの上面によ
って形成される平面状の上面を達成している。実用上、
薄膜アッセンブリを形成すべくフォトレジスト部分１３
０Ａを光イメージ形成、メッキまたはエッチングすると
き、この種のメッキまたはエッチングが終了するまで、
フォトレジスト・フィールド部分１２０Ｂの除去が遅延
されることに留意されたい。
【００２３】図６Ａないし図６Ｈは、薄膜構造体を含ん
だ平面状の薄膜部材が、段差部、即ち薄膜部材の上に形
成されるこの代替実施例をより詳細に示している。図６
Ａないし図６Ｈで述べるプロセスは、ここで述べる変更
を除いて、図３Ａないし図３Ｆで先に説明したプロセス
と同様である。図６Ａは、薄膜部材２１５が位置してい
る基板２１０を示している。基板２１０及び薄膜部材２
１５は、図２Ａの基板１１０及び薄膜部材１１５と、構
造的に同様である。電気的導電性材料から成るシード層
２１７が基板表面２１０にスパッタされる。シード層２
１７は続く各層状体のメッキに適した材料から形成され
る。例えば、シード層２１７は、Ｃｒ−ＮｉＶ、即ち非
磁性ニッケル−バナジウム７％層がこれに続いて形成さ
れるクロムまたは他の接着促進層から形成し得る。シー
ド層２１７は、続くメッキに対するシードとして機能す
るのに十分な比較的薄い層状体でありさえすれば良い。
例えば、０．１μｍの厚さのシード層で十分である。
だ平面状の薄膜部材が、段差部、即ち薄膜部材の上に形
成されるこの代替実施例をより詳細に示している。図６
Ａないし図６Ｈで述べるプロセスは、ここで述べる変更
を除いて、図３Ａないし図３Ｆで先に説明したプロセス
と同様である。図６Ａは、薄膜部材２１５が位置してい
る基板２１０を示している。基板２１０及び薄膜部材２
１５は、図２Ａの基板１１０及び薄膜部材１１５と、構
造的に同様である。電気的導電性材料から成るシード層
２１７が基板表面２１０にスパッタされる。シード層２
１７は続く各層状体のメッキに適した材料から形成され
る。例えば、シード層２１７は、Ｃｒ−ＮｉＶ、即ち非
磁性ニッケル−バナジウム７％層がこれに続いて形成さ
れるクロムまたは他の接着促進層から形成し得る。シー
ド層２１７は、続くメッキに対するシードとして機能す
るのに十分な比較的薄い層状体でありさえすれば良い。
例えば、０．１μｍの厚さのシード層で十分である。
【００２４】図６Ｂに示すように、フォトレジスト層２
２０が図６Ａの構造体の上にスピンコートされる。フォ
トレジスト層２２０中の凸部（凹凸）２２０Ａは、薄膜
部材２１５の上方に形成される。図３Ｂ参照して説明し
たと同様の方法で、フォトレジスト層２２０をマスクし
て、露光されないフォトレジスト層の残りの部分を残し
ながら、凹凸２２０Ａを紫外線に晒す。次いで、構造体
を現像して、凹凸２２０Ａを除去し、これによって図６
Ｃに図示した構造体が得られる。図６Ｃの構造体の上面
２２５は実質的に平面状である。フォトレジスト層２２
０の各フィールド部分２２０Ｂが、薄膜部材２１５の周
りに残っていることに留意されたい。
２０が図６Ａの構造体の上にスピンコートされる。フォ
トレジスト層２２０中の凸部（凹凸）２２０Ａは、薄膜
部材２１５の上方に形成される。図３Ｂ参照して説明し
たと同様の方法で、フォトレジスト層２２０をマスクし
て、露光されないフォトレジスト層の残りの部分を残し
ながら、凹凸２２０Ａを紫外線に晒す。次いで、構造体
を現像して、凹凸２２０Ａを除去し、これによって図６
Ｃに図示した構造体が得られる。図６Ｃの構造体の上面
２２５は実質的に平面状である。フォトレジスト層２２
０の各フィールド部分２２０Ｂが、薄膜部材２１５の周
りに残っていることに留意されたい。
【００２５】プロセスの流れのこの時点において、上面
２２５は、現像剤を用いた除去に対して、フォトレジス
ト・フィールド部分２２０Ｂ中のフォトレジストの状態
を助けるべく、紫外線の全面露光に光学的に晒される。
この全面露光の段階においてマスクは使用されない。こ
の段階は必要とされるものではないが、しかしフォトレ
ジスト・フィールド部分２２０Ｂの続く除去を簡単にす
ることができる。
２２５は、現像剤を用いた除去に対して、フォトレジス
ト・フィールド部分２２０Ｂ中のフォトレジストの状態
を助けるべく、紫外線の全面露光に光学的に晒される。
この全面露光の段階においてマスクは使用されない。こ
の段階は必要とされるものではないが、しかしフォトレ
ジスト・フィールド部分２２０Ｂの続く除去を簡単にす
ることができる。
【００２６】次いで、上部フォトレジスト層２３０が、
スピンコート、スプレイまたは他の方法で図６Ｃの構造
体の上に塗布されて、図６Ｄに示す構造体を形成するよ
うになっている。このフォトレジスト層２３０は、実質
的に平面状であることに留意されたい。続くプロセス段
階で、薄膜部材２１５の上方のフォトレジスト層２３０
の部分内に薄膜構造体が形成されることとなる。このこ
とを完遂するため、フォトレジスト層２３０の上面がマ
スクされて、薄膜部材２１５の真上のフォトレジスト層
２３０の部分が露光されると共に、フォトレジスト層２
３０の残りの部分をシールドするようになっている。こ
の特定の例において、コイル構造体２４０は、薄膜部材
２１５の上方のフォトレジスト層２３０内に形成され
る。このコイル構造体のコイル要素２４０は、後に図６
Ｆにおいて図示する。図６Ｄと関連したマスキング段階
において、薄膜部材２１５の上方のフォトレジスト層２
３０の部分がマスクされて、開口部を含んで続く現像段
階で各開口領域２４５が形成されることとなる場所のフ
ォトレジスト層の部分を露光するようになっている。次
いで、マスクされた構造体が、露光され現像されて各開
口領域２４５を含む図６Ｅの構造体を形成する。
スピンコート、スプレイまたは他の方法で図６Ｃの構造
体の上に塗布されて、図６Ｄに示す構造体を形成するよ
うになっている。このフォトレジスト層２３０は、実質
的に平面状であることに留意されたい。続くプロセス段
階で、薄膜部材２１５の上方のフォトレジスト層２３０
の部分内に薄膜構造体が形成されることとなる。このこ
とを完遂するため、フォトレジスト層２３０の上面がマ
スクされて、薄膜部材２１５の真上のフォトレジスト層
２３０の部分が露光されると共に、フォトレジスト層２
３０の残りの部分をシールドするようになっている。こ
の特定の例において、コイル構造体２４０は、薄膜部材
２１５の上方のフォトレジスト層２３０内に形成され
る。このコイル構造体のコイル要素２４０は、後に図６
Ｆにおいて図示する。図６Ｄと関連したマスキング段階
において、薄膜部材２１５の上方のフォトレジスト層２
３０の部分がマスクされて、開口部を含んで続く現像段
階で各開口領域２４５が形成されることとなる場所のフ
ォトレジスト層の部分を露光するようになっている。次
いで、マスクされた構造体が、露光され現像されて各開
口領域２４５を含む図６Ｅの構造体を形成する。
【００２７】次いで、図６Ｅの構造体において、開口領
域２４５を充填すべく、例えば銅（Ｃｕ）等の金属材料
によるメッキが行われて、図６Ｆに示すコイル構造体２
４０を形成する。次いで、図６Ｆの構造体は、紫外線に
対して全面露光される。次いで、露光されたフォトレジ
スト層２３０は、現像剤によって除去される。フォトレ
ジスト・フィールド部分２２０Ｂが、予め説明した光学
的露光段階で既に露光されていれば、この「予備露光」
作用は、上部フォトレジスト層２３０の露光された部分
が、現像剤によって除去されるのと同時に、フォトレジ
スト・フィールド部分２２０Ｂが除去されるのを助長す
る。しかしながら、「予備露光」段階が実行されなく
て、構造体が特に厚ければ、前述した現像の後に、フォ
トレジスト・フィールド部分２２０Ｂを完全に除去する
ために、再露光及び再現像することが必要となり得る。
（図６Ｇ）
域２４５を充填すべく、例えば銅（Ｃｕ）等の金属材料
によるメッキが行われて、図６Ｆに示すコイル構造体２
４０を形成する。次いで、図６Ｆの構造体は、紫外線に
対して全面露光される。次いで、露光されたフォトレジ
スト層２３０は、現像剤によって除去される。フォトレ
ジスト・フィールド部分２２０Ｂが、予め説明した光学
的露光段階で既に露光されていれば、この「予備露光」
作用は、上部フォトレジスト層２３０の露光された部分
が、現像剤によって除去されるのと同時に、フォトレジ
スト・フィールド部分２２０Ｂが除去されるのを助長す
る。しかしながら、「予備露光」段階が実行されなく
て、構造体が特に厚ければ、前述した現像の後に、フォ
トレジスト・フィールド部分２２０Ｂを完全に除去する
ために、再露光及び再現像することが必要となり得る。
（図６Ｇ）
【００２８】次いで、図６Ｇの構造体を、例えば過硫酸
アンモニウム等の選択性エッチング液に浸して、シード
層２１７の露光した部分を除去することによって、図６
Ｈの構造体を形成する。こうして、コイル要素２４０を
含む実質的に平面状の薄膜構造体２５０が、薄膜部材２
１５上に形成される。薄膜構造体２５０が、コイル要素
２４０の他に、他の薄膜要素も含み得ることは言うまで
もない。例えば、薄膜構造体２５０は、フォトレジス
ト、絶縁体、接続金属ランナ、及び磁極を含むことがで
きる。
アンモニウム等の選択性エッチング液に浸して、シード
層２１７の露光した部分を除去することによって、図６
Ｈの構造体を形成する。こうして、コイル要素２４０を
含む実質的に平面状の薄膜構造体２５０が、薄膜部材２
１５上に形成される。薄膜構造体２５０が、コイル要素
２４０の他に、他の薄膜要素も含み得ることは言うまで
もない。例えば、薄膜構造体２５０は、フォトレジス
ト、絶縁体、接続金属ランナ、及び磁極を含むことがで
きる。
【００２９】構成要素２４０を、コイル要素２４０とし
て称してきたが、実用上コイル要素２４０は、より大き
なコイル構造体の一部分を形成し得ることは言うまでも
ない。薄膜構造体２５０上の付加的層状体は、この種の
コイル構造体の任意の残りの部分を形成するのに使用す
ることができる。図６Ａから図６Ｈまでに示す構造体の
目的は、どのようにして、例えば薄膜構造体２５０等の
サンプルの平面状薄膜構造体を薄膜部材２１５上に形成
することができるかを図示することである。特定の薄膜
構造体２５０以外の多くの他の型式の薄膜構造体を、こ
こで説明した技術を使用してプレーナ式に薄膜部材２１
５上に形成することが可能である。
て称してきたが、実用上コイル要素２４０は、より大き
なコイル構造体の一部分を形成し得ることは言うまでも
ない。薄膜構造体２５０上の付加的層状体は、この種の
コイル構造体の任意の残りの部分を形成するのに使用す
ることができる。図６Ａから図６Ｈまでに示す構造体の
目的は、どのようにして、例えば薄膜構造体２５０等の
サンプルの平面状薄膜構造体を薄膜部材２１５上に形成
することができるかを図示することである。特定の薄膜
構造体２５０以外の多くの他の型式の薄膜構造体を、こ
こで説明した技術を使用してプレーナ式に薄膜部材２１
５上に形成することが可能である。
【００３０】図７は、開示した方法の一実施例の段階の
フローチャートである。この特定の実施例において、プ
ロセスの流れは薄膜部材１１５を基板１１０上に形成す
るブロック３００から開始する。次いで、薄膜部材１１
５の高さが、ブロック３０２にて決定される。次いで、
ブロック３０５により、フォトレジスト層１２０を基板
１１０及び薄膜部材１１５上に形成する。次いで、ブロ
ック３１０により、得られた構造体をマスクし、紫外線
で露光し、現像して、薄膜部材１１５から凹凸を除去す
る。ブロック３１０は、光イメージ形成段階である。附
随的段階は、後の、上部フォトレジスト層１３０の部分
を除去した後に対立するものとして、プロセスの流れの
この時点において、フォトレジスト・フィールド１２０
Ｂを露光するために準備されたブロック３１５にて指定
される。次いで、プロセスの流れは、上部フォトレジス
ト層１３０が形成されるブロック３２０に続く。次い
で、ブロック３２５により、上部フォトレジスト層１３
０は、薄膜部材１１５の上方でマスクされ紫外線で露光
される。このようにして、薄膜部材１１５上の上部フォ
トレジスト層１３０の部分を露光しないまま、フォトレ
ジスト・フィールド１２０Ｂ上の上部フォトレジスト層
１３０の部分を露光する。次いで、ブロック３３０によ
り、得られた構造体を現像してフォトレジスト・フィー
ルド１２０Ｂ上の上部フォトレジスト層１３０の部分を
除去するようになっている。附随的段階が実行されなか
ったら、ブロック３３０の後で、薄膜部材上の上部フォ
トレジスト層１３０の部分上のマスクを維持しながら、
フォトレジスト・フィールド１２０Ｂを露光することが
必要である。次いで、ブロック３４０において、フォト
レジスト・フィールド１２０Ｂを現像装置によって除去
する。この時点で、すくなくとも２つのオプションが可
能である。ブロック３４５により、薄膜部材１１５上の
残りの上部フォトレジスト部分１３０Ａを架橋し、固化
して続く薄膜構造体１３５が形成される実質的に平面の
ベースを生成するようになっている。代替的に、ブロッ
ク３５０において、光イメージ形成、エッチング、メッ
キまたはこれらまたは他の薄膜技術の組合わせによっ
て、残りの上部フォトレジスト部分１３０Ａ内に、薄膜
構造体を形成する。この種の薄膜構造体は、残りの上部
フォトレジスト層の代わりに薄膜部材３１５上に形成す
ることもできる。
フローチャートである。この特定の実施例において、プ
ロセスの流れは薄膜部材１１５を基板１１０上に形成す
るブロック３００から開始する。次いで、薄膜部材１１
５の高さが、ブロック３０２にて決定される。次いで、
ブロック３０５により、フォトレジスト層１２０を基板
１１０及び薄膜部材１１５上に形成する。次いで、ブロ
ック３１０により、得られた構造体をマスクし、紫外線
で露光し、現像して、薄膜部材１１５から凹凸を除去す
る。ブロック３１０は、光イメージ形成段階である。附
随的段階は、後の、上部フォトレジスト層１３０の部分
を除去した後に対立するものとして、プロセスの流れの
この時点において、フォトレジスト・フィールド１２０
Ｂを露光するために準備されたブロック３１５にて指定
される。次いで、プロセスの流れは、上部フォトレジス
ト層１３０が形成されるブロック３２０に続く。次い
で、ブロック３２５により、上部フォトレジスト層１３
０は、薄膜部材１１５の上方でマスクされ紫外線で露光
される。このようにして、薄膜部材１１５上の上部フォ
トレジスト層１３０の部分を露光しないまま、フォトレ
ジスト・フィールド１２０Ｂ上の上部フォトレジスト層
１３０の部分を露光する。次いで、ブロック３３０によ
り、得られた構造体を現像してフォトレジスト・フィー
ルド１２０Ｂ上の上部フォトレジスト層１３０の部分を
除去するようになっている。附随的段階が実行されなか
ったら、ブロック３３０の後で、薄膜部材上の上部フォ
トレジスト層１３０の部分上のマスクを維持しながら、
フォトレジスト・フィールド１２０Ｂを露光することが
必要である。次いで、ブロック３４０において、フォト
レジスト・フィールド１２０Ｂを現像装置によって除去
する。この時点で、すくなくとも２つのオプションが可
能である。ブロック３４５により、薄膜部材１１５上の
残りの上部フォトレジスト部分１３０Ａを架橋し、固化
して続く薄膜構造体１３５が形成される実質的に平面の
ベースを生成するようになっている。代替的に、ブロッ
ク３５０において、光イメージ形成、エッチング、メッ
キまたはこれらまたは他の薄膜技術の組合わせによっ
て、残りの上部フォトレジスト部分１３０Ａ内に、薄膜
構造体を形成する。この種の薄膜構造体は、残りの上部
フォトレジスト層の代わりに薄膜部材３１５上に形成す
ることもできる。
【００３１】このようにして、開示した方法によって基
板上に位置している薄膜部材上への、光イメージ形成可
能な材料から成る実質的に平面状の層状体の形成がもた
らされる。薄膜構造体の均一性、品質及び信頼性は、こ
の方法の応用によって、相当高められる。
板上に位置している薄膜部材上への、光イメージ形成可
能な材料から成る実質的に平面状の層状体の形成がもた
らされる。薄膜構造体の均一性、品質及び信頼性は、こ
の方法の応用によって、相当高められる。
【００３２】本発明の或る好ましい実施例のみを、例示
してきたが、多くの修正及び変更が生じ得るであろう。
したがって、特許請求の範囲は、この発明の真の精神に
もとることのないこの種の修正及び変更を全て包含しよ
うとするものであることは言うまでもない。
してきたが、多くの修正及び変更が生じ得るであろう。
したがって、特許請求の範囲は、この発明の真の精神に
もとることのないこの種の修正及び変更を全て包含しよ
うとするものであることは言うまでもない。
【図１】図１Ａはフォトレジストの比較的薄い層でコー
トされた低いプロファイルの薄膜部材の断面図、図１Ｂ
は比較的薄いフォトレジスト層でコートされた高いプロ
ファイルの薄膜部材の断面図、図１Ｃは比較的厚いフォ
トレジスト層でコートされた高いプロファイルの薄膜部
材の断面図である。
トされた低いプロファイルの薄膜部材の断面図、図１Ｂ
は比較的薄いフォトレジスト層でコートされた高いプロ
ファイルの薄膜部材の断面図、図１Ｃは比較的厚いフォ
トレジスト層でコートされた高いプロファイルの薄膜部
材の断面図である。
【図２】図２Ａは高いプロファイルの段差部即ち部材を
含む基板の断面図、図２Ｂはフォトレジスト層の塗布後
の図２Ａの構造体の断面図、図２Ｃはフォトレジスト中
に開口領域を生成すべく、構造体を光イメージ形成した
後の図２Ｄの構造体の断面図、図２Ｄは開口領域を金属
メッキ材料で完全にメッキした後の図２Ｃの構造体の断
面図、図２Ｅはフォトレジスト層を除去した後の図２Ｄ
の構造体の断面図、図２Ｆは非平坦性のコイル要素を示
す断面図、図２Ｇから図２Ｉまでは、メッキ材料の開口
領域における”あふれ”を示し、かつコイル要素の短絡
状態を示す断面である。
含む基板の断面図、図２Ｂはフォトレジスト層の塗布後
の図２Ａの構造体の断面図、図２Ｃはフォトレジスト中
に開口領域を生成すべく、構造体を光イメージ形成した
後の図２Ｄの構造体の断面図、図２Ｄは開口領域を金属
メッキ材料で完全にメッキした後の図２Ｃの構造体の断
面図、図２Ｅはフォトレジスト層を除去した後の図２Ｄ
の構造体の断面図、図２Ｆは非平坦性のコイル要素を示
す断面図、図２Ｇから図２Ｉまでは、メッキ材料の開口
領域における”あふれ”を示し、かつコイル要素の短絡
状態を示す断面である。
【図３】図３Ａは高いプロファイルの薄膜部材を有する
基板の断面図、図３Ｂはフォトレジスト層の塗布後の図
３Ａの構造体の断面図、図３Ｃはフォトレジスト中の凹
凸を除去した後の図３Ｂの構造体の断面図、図３Ｄはフ
ォトレジスト中の凹凸の一部分を除去した後の図３Ｂの
構造体の断面図、図３Ｅは上部フォトレジスト層の塗布
後の図３Ｃの構造体の断面図、図３Ｆは薄膜部材上方の
フォトレジスト材料の部分を除いてフォトレジスト材料
を除去して、実質的に平面の構造体を得た後の図３Ｅの
構造体の断面図、図３Ｇは薄膜部材上方のフォトレジス
ト材料の部分を除いてフォトレジスト材料を除去して、
非平面状の構造体を得た後の図１Ｃの従来の構造体の断
面図である。
基板の断面図、図３Ｂはフォトレジスト層の塗布後の図
３Ａの構造体の断面図、図３Ｃはフォトレジスト中の凹
凸を除去した後の図３Ｂの構造体の断面図、図３Ｄはフ
ォトレジスト中の凹凸の一部分を除去した後の図３Ｂの
構造体の断面図、図３Ｅは上部フォトレジスト層の塗布
後の図３Ｃの構造体の断面図、図３Ｆは薄膜部材上方の
フォトレジスト材料の部分を除いてフォトレジスト材料
を除去して、実質的に平面の構造体を得た後の図３Ｅの
構造体の断面図、図３Ｇは薄膜部材上方のフォトレジス
ト材料の部分を除いてフォトレジスト材料を除去して、
非平面状の構造体を得た後の図１Ｃの従来の構造体の断
面図である。
【図４】上部フォトレジスト層の残りの部分の上に付加
的な層状体または構造体を形成した後の図３Ｆの構造体
の断面図である。
的な層状体または構造体を形成した後の図３Ｆの構造体
の断面図である。
【図５】上部フォトレジスト層内に付加的な薄膜アッセ
ンブリまたは構造体を形成した後の図３Ｆの構造体の断
面図である。
ンブリまたは構造体を形成した後の図３Ｆの構造体の断
面図である。
【図６】図６Ａは高いプロファイルの薄膜部材を有する
基板の断面図、図６Ｂはフォトレジスト層の塗布後の図
６Ａの構造体の断面図、図６Ｃはフォトレジスト中の凹
凸を除去した後の図６Ｂの構造体の断面図、図６Ｄは上
部フォトレジスト層を構造体上に塗布した後の図６Ｃの
構造体の断面図、図６Ｅは光イメージ形成によって、上
部フォトレジスト層中に開口領域を形成した後の図６Ｄ
の構造体の断面図、図６Ｆは開口領域を電気的導電性材
料で完全にメッキした後の図６Ｅの構造体の断面図、図
６Ｇはフォトレジスト層及びフォトレジストフィールド
部分の除去された図６Ｆの構造体の断面図、及び６Ｈは
シード層の露光部分を除去した後の図６Ｆの構造体の断
面図である。
基板の断面図、図６Ｂはフォトレジスト層の塗布後の図
６Ａの構造体の断面図、図６Ｃはフォトレジスト中の凹
凸を除去した後の図６Ｂの構造体の断面図、図６Ｄは上
部フォトレジスト層を構造体上に塗布した後の図６Ｃの
構造体の断面図、図６Ｅは光イメージ形成によって、上
部フォトレジスト層中に開口領域を形成した後の図６Ｄ
の構造体の断面図、図６Ｆは開口領域を電気的導電性材
料で完全にメッキした後の図６Ｅの構造体の断面図、図
６Ｇはフォトレジスト層及びフォトレジストフィールド
部分の除去された図６Ｆの構造体の断面図、及び６Ｈは
シード層の露光部分を除去した後の図６Ｆの構造体の断
面図である。
【図７】本発明製造方法の一実施例におけるプロセス段
階を図示するフローチャートである。
階を図示するフローチャートである。
１１０ 基板 １１５ 薄膜部材 １２０ フォトレジスト層 １２０Ａ 凹凸 １２０Ｂ フォトレジスト・フィールド部分 １２５ 上面 １３０ 上部フォトレジスト層 １３０Ａ 上部フォトレジスト層の一部分
Claims (44)
- 【請求項１】 実質的に平面の薄膜構造体を製造する方
法において、 基板上に、実質的に平面の上面を含むと共にある高さを
有するような薄膜部材を形成するための第１薄膜部材形
成段階と、 前記基板及び前記第１薄膜部材を第１の光イメージ形成
可能層で被覆して、前記第１薄膜部材上の前記第１の光
イメージ形成可能層に凹凸を形成する段階であって、光
イメージ形成可能フィールド部分が、前記第１の光イメ
ージ形成可能層の残りの部分によって形成され、前記光
イメージ形成可能フィールド部分が、前記第１薄膜部材
の前記高さに略等しい高さを示してなる前記凹凸形成段
階と、 前記第１薄膜部材が、前記光イメージ形成可能フィール
ド部分に関して実質的に平面となるように、光イメージ
形成によって前記凹凸を除去する段階と、 前記実質的に平面の第１薄膜部材及び光イメージ形成可
能フィールド部分に、第２の光イメージ形成可能層を塗
布して、実質的に平面の第２の光イメージ形成可能層を
形成する段階とを具備したことを特徴とする薄膜構造体
の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の方法において、光イメー
ジ形成によって、前記光イメージ形成可能フィールド部
分の上部の前記第２の光イメージ形成可能層の部分を除
去して、前記第１薄膜部材の上部に、実質的に平面の残
存する上部光イメージ形成可能部分を形成する段階を更
に具備したことを特徴とする薄膜構造体の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の方法において、光イメー
ジ形成によって、前記光イメージ形成可能フィールド部
分を除去する段階を更に具備したことを特徴とする薄膜
構造体の製造方法。 - 【請求項４】 請求項２記載の方法において、 前記残存する上部光イメージ形成可能部分を露光する段
階と、 前記残存する上部フォトレジシト部分を現像する段階
と、 前記残存する上部光イメージ形成可能部分の上部に第２
薄膜部材を形成する段階とを更に具備したことを特徴と
する薄膜構造体の製造方法。 - 【請求項５】 請求項２記載の方法において、前記残存
する上部光イメージ形成可能部分内に、薄膜アッセンブ
リを形成する段階を更に具備したことを特徴とする薄膜
構造体の製造方法。 - 【請求項６】 請求項１記載の方法において、前記基板
を覆う段階に先立って、前記第１薄膜部材の前記高さを
決定する段階を更に具備したことを特徴とする薄膜構造
体の製造方法。 - 【請求項７】 請求項１記載の方法において、前記基板
を覆う段階は、前記光イメージ形成可能フィールド部分
の高さが、前記第１薄膜部材の高さの略１０％内になる
までに、前記基板及び第１薄膜部材に光イメージ形成可
能材料を塗布する段階を含むことを特徴とする薄膜構造
体の製造方法。 - 【請求項８】 請求項１記載の方法において、前記基板
を被覆する段階は、ポジ型光イメージ形成可能材料を用
いて、前記基板及び第１薄膜部材を覆う段階を含むこと
を特徴とする薄膜構造体の製造方法。 - 【請求項９】 請求項８記載の方法において、前記第１
薄膜部材の幅に比して、略１５％だけ幅が広い開口部を
有するマスクを用いて、前記第１の光イメージ形成可能
層をマスキングする段階を更に具備したことを特徴とす
る薄膜構造体の製造方法。 - 【請求項１０】 請求項９記載の方法において、前記マ
スクを通して、前記第１の光イメージ形成可能層を露光
する段階を更に具備したことを特徴とする薄膜構造体の
製造方法。 - 【請求項１１】 請求項１０記載の方法において、前記
凹凸を除去すべく、前記第１の光イメージ形成可能層を
現像する段階を更に具備したことを特徴とする薄膜構造
体の製造方法。 - 【請求項１２】 請求項２記載の方法において、前記光
イメージ形成によって、前記光イメージ形成可能フィー
ルド部分の上部の前記第２の光イメージ形成可能層の部
分を除去する段階は、前記第１薄膜部材の上方の前記第
２の光イメージ形成可能層の部分をマスキングして、そ
の除去を防止するようにした段階を具備したことを特徴
とする薄膜構造体の製造方法。 - 【請求項１３】 請求項２記載の方法において、前記第
１薄膜部材の上方の前記第２の光イメージ形成可能層の
一部分を除いて、前記第２の光イメージ形成可能層を露
光する段階を更に具備したことを特徴とする薄膜構造体
の製造方法。 - 【請求項１４】 請求項１３記載の方法において、前記
フィールド部分の上部の前記第２の光イメージ形成可能
層の一部分を除去すべく、前記第２の光イメージ形成可
能層を現像する段階を更に具備したことを特徴とする薄
膜構造体の製造方法。 - 【請求項１５】 請求項１記載の方法において、前記凹
凸を除去する段階の後であって、前記第２の光イメージ
形成可能層を塗布する段階の前に、前記光イメージ形成
可能フィールド部分を露光する段階を更に具備したこと
を特徴とする薄膜構造体の製造方法。 - 【請求項１６】 実質的に平面の薄膜構造体を製造する
方法において、 基板上に第１薄膜部材を形成する段階であって、前記薄
膜部材が、実質的に平面の上面を含むと共に、ある高さ
を有する第１薄膜部材形成段階と、 第１のフォトレジスト層を用いて、前記基板及び前記第
１薄膜部材を被覆することによって、前記第１薄膜部材
上の前記第１のフォトレジスト層中に凹凸を形成する段
階であって、フォトレジスト・フィールド部分が、前記
第１のフォトレジスト層の残りの部分によって形成さ
れ、前記フォトレジスト・フィールド部分が、前記第１
薄膜部材の前記高さと略等しい高さを示してなる前記凹
凸形成段階と、 前記第１薄膜部材が、前記フォトレジスト・フィールド
部分に関して実質的に平面となるように、光イメージ形
成によって、前記凹凸を除去する段階と、 前記実質的に平面の第１薄膜部材及びフォトレジスト・
フィールド部分に、第２のフォトレジスト層を塗布する
段階と、 光イメージ形成によって、前記フォトレジスト・フィー
ルド部分の上部の前記第２のフォトレジスト層の一部分
を除去して、前記薄膜部材の上部に実質的に平面の残存
する上部フォトレジスト部分を形成する段階と、 光イメージ形成によって、前記フォトレジスト・フィー
ルド部分を除去する段階とを具備したことを特徴とする
薄膜構造体の製造方法。 - 【請求項１７】 請求項１６記載の方法において、 前記残存する上部フォトレジスト部分を露光する段階
と、 前記残存する上部フォトレジスト部分を現像する段階
と、 前記残存する上部フォトレジスト部分の上部に第２の薄
膜部材を形成する段階とを更に具備したことを特徴とす
る薄膜構造体の製造方法。 - 【請求項１８】 請求項１６記載の方法において、前記
残存する上部フォトレジスト部分内に、薄膜アッセンブ
リを形成する段階を更に具備したことを特徴とする薄膜
構造体の製造方法。 - 【請求項１９】 請求項１６記載の方法において、前記
基板を被覆する段階に先立って、前記第１薄膜部材の前
記高さを決定する段階を更に具備したことを特徴とする
薄膜構造体の製造方法。 - 【請求項２０】 請求項１６記載の方法において、前記
基板を被覆する段階は、前記フォトレジスト・フィール
ド部分の高さが、前記第１薄膜部材の高さの略１０％内
になるまでに、前記基板及び第１薄膜部材にフォトレジ
ストを塗布する段階を含むことを特徴とする薄膜構造体
の製造方法。 - 【請求項２１】 請求項１６記載の方法において、前記
基板を被覆する段階は、ポジ型フォトレジストを用い
て、前記基板及び第１薄膜部材を被覆する段階を含むこ
とを特徴とする薄膜構造体の製造方法。 - 【請求項２２】 請求項２１記載の方法において、前記
第１薄膜部材の幅に比して、略１５％だけ幅が広い開口
部を有するマスクを用いて、前記第１のフォトレジスト
層をマスキングする段階を更に具備したことを特徴とす
る薄膜構造体の製造方法。 - 【請求項２３】 請求項２２記載の方法において、前記
マスクを通して、前記第１のフォトレジスト層を露光す
る段階を更に具備したことを特徴とする薄膜構造体の製
造方法。 - 【請求項２４】 請求項２３記載の方法において、前記
凹凸を除去すべく、前記第１のフォトレジスト層を現像
する段階を更に具備したことを特徴とする薄膜構造体の
製造方法。 - 【請求項２５】 請求項１６記載の方法において、前記
光イメージ形成によって、前記フォトレジスト・フィー
ルド部分の上部の前記第２のフォトレジスト層の一部分
を除去する段階は、前記第１薄膜部材の上方の前記第２
のフォトレジスト層の一部分をマスキングして、その除
去を防止するようにした段階を具備したことを特徴とす
る薄膜構造体の製造方法。 - 【請求項２６】 請求項２５記載の方法において、前記
第１薄膜部材の上方の前記第２のフォトレジスト層の一
部分を除いて、前記第２のフォトレジスト層を露光する
段階を更に具備したことを特徴とする薄膜構造体の製造
方法。 - 【請求項２７】 請求項２６記載の方法において、前記
フィールド部分の上部の前記第２のフォトレジスト層の
一部分を除去すべく、前記第２のフォトレジスト層を現
像する段階を更に具備したことを特徴とする薄膜構造体
の製造方法。 - 【請求項２８】 請求項１６記載の方法において、前記
凹凸を除去する段階の後であって、前記第２のフォトレ
ジスト層を塗布する段階の前に、前記フォトレジスト・
フィールド部分を露光する段階を更に具備したことを特
徴とする薄膜構造体の製造方法。 - 【請求項２９】 プレーナ薄膜構造体を製造する方法に
おいて、 基板上に、実質的に平面の上面を含むと共にある高さを
有するような薄膜部材を形成するための第１薄膜部材形
成段階と、 前記基板及び前記第１薄膜部材を第１の光イメージ形成
可能層で被覆して、前記第１薄膜部材上の前記第１の光
イメージ形成可能層に凹凸を形成する段階であって、光
イメージ形成可能フィールド部分が、前記第１の光イメ
ージ形成可能層の残りの部分によって形成され、前記光
イメージ形成可能フィールド部分が、前記第１の薄膜部
材の前記高さに略等しい高さを示してなる前記凹凸形成
段階と、 前記第１薄膜部材が、前記光イメージ形成可能フィール
ド部分に関して実質的に平面となるように光イメージ形
成によって前記凹凸を除去する段階と、 前記凹凸が除去された前記第１薄膜部材の上部に第２の
薄膜部材を形成する段階とを具備したことを特徴とする
薄膜構造体の製造方法。 - 【請求項３０】 請求項２９記載の方法において、前記
第２の薄膜部材を形成する段階は、前記実質的に平面の
第１薄膜部材及び光イメージ形成可能フィールド部分の
上に第２の光イメージ形成可能層を形成して、実質的に
平面の第２の光イメージ形成可能層を形成する段階を備
えたことを特徴とする薄膜構造体の製造方法。 - 【請求項３１】 請求項３０記載の方法において、前記
第２の光イメージ形成可能層を光イメージ形成して、そ
の中に開口領域を形成するようにした段階を更に具備し
たことを特徴とする薄膜構造体の製造方法。 - 【請求項３２】 請求項３１記載の方法において、前記
開口領域に薄膜構造体を形成する段階を更に具備したこ
とを特徴とする薄膜構造体の製造方法。 - 【請求項３３】 請求項３０記載の方法において、前記
基板を被覆する段階に先立って、前記第１薄膜部材上に
シード層を形成する段階を更に具備したことを特徴とす
る薄膜構造体の製造方法。 - 【請求項３４】 請求項３３記載の方法において、前記
第２の薄膜部材を形成する段階は、前記シード層及び光
イメージ形成可能フィールド部分の上に、第２の光イメ
ージ形成可能層を塗布して、実質的に平面の第２の光イ
メージ形成可能層を形成するようにした段階を備えたこ
とを特徴とする薄膜構造体の製造方法。 - 【請求項３５】 請求項３４記載の方法において、前記
第２の光イメージ形成可能層を光イメージ形成して、そ
の中に開口領域を形成するようにした段階を更に具備し
たことを特徴とする薄膜構造体の製造方法。 - 【請求項３６】 請求項３５記載の方法において、前記
シード層をシードとして使用して前記開口領域を電気メ
ッキして、前記開口領域にメッキした構成要素を形成す
るようにした段階を更に具備したことを特徴とする薄膜
構造体の製造方法。 - 【請求項３７】 請求項３５記載の方法において、前記
第２の光イメージ形成可能層を除去する段階を更に具備
したことを特徴とする薄膜構造体の製造方法。 - 【請求項３８】 請求項３７記載の方法において、前記
シード層が、前記メッキした構成要素の間に露出した部
分を含むことと、前記方法が、前記シード層をエッチン
グして、前記シード層の前記露出した部分を除去するよ
うにした段階を更に具備したこと、とを特徴とする薄膜
構造体の製造方法。 - 【請求項３９】 請求項２９記載の方法において、前記
基板を被覆する段階に先立って、前記第１薄膜部材の前
記高さを決定する段階を更に具備したことを特徴とする
薄膜構造体の製造方法。 - 【請求項４０】 請求項３９記載の方法において、前記
基板を被覆する段階は、前記光イメージ形成可能フィー
ルド部分の前記高さが、前記第１薄膜部材の前記高さの
略１０％内になるまでに、前記基板及び第１薄膜部材に
光イメージ形成可能材料を塗布する段階を含むことを特
徴とする薄膜構造体の製造方法。 - 【請求項４１】 請求項２９記載の方法において、前記
基板を被覆する段階は、ポジ型光イメージ形成可能材料
を用いて、前記基板及び第１薄膜部材を被覆する段階を
含むことを特徴とする薄膜構造体の製造方法。 - 【請求項４２】 請求項４１記載の方法において、前記
薄膜部材の幅に比して、略１５％だけ幅が広い開口部を
有するマスクを用いて、前記第１の光イメージ形成可能
層をマスキングする段階を更に具備したことを特徴とす
る薄膜構造体の製造方法。 - 【請求項４３】 請求項４２記載の方法において、前記
マスクを通して、前記第１の光イメージ形成可能層を露
光する段階を更に具備したことを特徴とする薄膜構造体
の製造方法。 - 【請求項４４】 請求項４３記載の方法において、前記
凹凸を除去すべく、前記第１の光イメージ形成可能層を
現像する段階を更に具備したことを特徴とする薄膜構造
体の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US34971294A | 1994-12-05 | 1994-12-05 | |
| US349712 | 1994-12-05 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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