JPH08233709A

JPH08233709A - 不純物の測定方法

Info

Publication number: JPH08233709A
Application number: JP8021005A
Authority: JP
Inventors: Ayako Maeda; 綾子前田; Mokuji Kageyama; もくじ影山; Masanobu Ogino; 正信荻野; Shintaro Yoshii; 新太郎吉井
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1988-04-25
Filing date: 1996-02-07
Publication date: 1996-09-13

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、被測定物の表面に付着している不純
物を、高感度及び高精度に測定することができる方法を
提供することを目的とする。【解決手段】本発明に係る不純物の測定方法は、不純物
測定用の溶解液の液滴１７に対し親水性の関係にある被
測定物１４の表面を溶解し、疎水性にする不純物測定用
の溶解液の液滴１７を前記被測定物１４の表面に滴下す
る工程と、不純物測定用の溶解液の液滴１７を回収する
工程と、回収した液滴１７を分析して、被測定物の表面
に付着していた不純物の種類及び量を測定する工程とを
具備したことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

［発明の目的］

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は被測定物の表面、特
に半導体ウエハの表面に付着している不純物の種類、又
は、種類及び量を測定する不純物の測定方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体ウエハ上に形成された酸化膜や窒
化膜等の薄膜中に、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム
（Ｋ）、鉄（Ｆｅ）等の不純物が含まれていると、その
量が微量であっても、半導体素子の電気的特性に大きな
影響を与えることは良く知られている。

【０００３】従って、半導体素子の電気的特性を向上さ
せるためには、ウエハ表面から不純物の混入をでき得る
限り抑制することが必要である。そのためには、ウエハ
表面上の汚染度を正確に分析し、測定する必要がある。

【０００４】従来、ウエハ表面上の汚染度の測定には、
二次イオン質量分析法、オージェ分光分析法や中性子放
射化分析法などによる方法が用いられている。しかし、
このような方法は、大がかりで、かつ高価な測定機器が
必要であるために分析コストがかかる。また分析操作に
熟練を必要とする欠点がある。その上、電子ビームや光
ビームを使用した分析法であるため、局所分析は可能で
あるが、全面の汚染量評価が不可能であるという欠点が
ある。

【０００５】そのため上記のような機器分析方法に代わ
り、基板ウエハ全面の汚染度を簡便に測定する方法とし
て、ウエハの表面上に予め所定膜厚の酸化膜を形成し、
ウエハ表面の不純物を酸化膜中にとりこんでおき、この
酸化膜を沸酸蒸気を用いて溶解し、その溶解液を回収し
て分光分析装置を用いて不純物を測定する方法がある。
この方法は気相分解法と呼ばれている。

【０００６】しかし、この方法では酸化膜形成工程が必
要になる。そして、この酸化膜形成工程の際には酸化雰
囲気から酸化膜に対して不純物が混入したり、これとは
反対にウエハ表面から酸化雰囲気中に不純物が蒸発した
り、ウエハ表面からウエハ内部に拡散したり、さらには
ウエハ内部に含まれている不純物が酸化膜中に拡散した
りする。そのためこの方法は分析値の信頼性という観点
からは望ましくない。

【０００７】さらに従来方法として、ウエハ表面上に酸
化工程による酸化膜を形成することなく、ウエハ全体を
沸酸溶液中に浸すことにより、表面に自然に形成されて
いる自然酸化膜を溶解し、この溶解液を回収して分光分
析装置を用いて不純物を測定する方法がある。

【０００８】ところが、この方法では、不純物の回収に
必要な沸酸溶液の量が極めて多くなるため、溶液中に含
まれる不純物の濃度が著しく低下し、分析の感度及び精
度が落ちるいう欠点がある。しかもこの方法では、容器
に付着している不純物により沸酸溶液が汚染される可能
性が極めて高い。また、ウエハ裏面の汚染も含まれる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】前述のように従来法に
は、測定コストが高価であるにもかかわらず、信頼性が
低い、感度及び精度が低い、等の欠点がある。本発明は
これらの問題を解決するためになされたものであり、そ
の目的は、測定物の表面に付着している不純物を高感度
及び高精度に測定することができ、かつ分析コストが安
く、信頼性も高い、不純物の測定方法を提供することに
ある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明に係る不純物の測
定方法は、不純物測定用の溶解液の液滴に対し親水性の
関係にある被測定物の表面を溶解し、疎水性にする不純
物測定用の溶解液の液滴を前記被測定物の表面に接触さ
せる工程と、この不純物測定用の溶解液の液滴を回収す
る工程と、前記回収した液滴を分析して前記被測定物の
表面に付着していた不純物の種類及び量を測定する工程
とを具備したことを特徴とする。

【００１１】したがって、次のように作用する。接触さ
せる不純物測定用の溶解液の液滴に対し親水性の関係に
ある被測定物表面に、被測定物の表面を溶解するととも
に、溶解後の表面を疎水性にする不純物測定用の溶解液
の液滴を被測定物表面に接触させる。

【００１２】この液滴を被測定物の表面と接触させなが
ら移動させることにより、被測定物表面に存在する不純
物がこの液滴に回収される。上記液滴は被測定物表面以
外の物には一切接触せず、かつ適当な量となり、十分な
不純物濃度となるため、高信頼性の測定が高感度及び高
精度で行うことができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図１〜図１
０に示す。（第１の実施の形態）以下図面を参照して本発明の第１
の実施の形態を説明する。

【００１４】まず、図１の正面図に示すような構造の密
閉容器１０を用意する。この密閉容器１０の内部には上
下方向に一定の間隔で複数の被測定物（例えばシリコン
半導体ウエハ等）保持台１１がセットできるようになっ
ており、各被測定物（例えばシリコン半導体ウエハ等）
保持台１１には被測定物（例えばシリコン半導体ウエハ
等）を収納するために被測定物（例えばシリコン半導体
ウエハ等）と同じ形状の溝部１２が設けられている。そ
して、上記密閉容器１０の底部には処理液を満たすため
の溝部１３が設けられている。

【００１５】（Ａ）そこで、上記被測定物（例えばシリ
コン半導体ウエハ等）保持台１１の各溝部１２内に被測
定物（例えばシリコン半導体ウエハ等）１４を挿入した
後、被測定物（例えばシリコン半導体ウエハ等）保持台
１１を密閉容器１０の所定位置にセットし、かつ底部に
設けられた溝部１３に溶解液１５として例えば沸化水素
酸（ＨＦ）溶液）を満たす。

【００１６】なお、このとき、各被測定物（例えばシリ
コン半導体ウエハ等）１４の表面には自然酸化膜１６が
形成されている。この後、密閉容器１０を図示しない蓋
で密閉し、常温で約３０分間放置する。これにより、溶
解液（例えば沸化水素酸溶液）１５が蒸発し、密閉容器
内が溶解液（例えば沸化水素酸溶液）による蒸気で満た
される。

【００１７】各被測定物（例えばシリコン半導体ウエハ
等）表面に形成されていた自然酸化膜１６はこの溶解液
（例えば沸化水素酸溶液）の蒸気に触れることによって
溶解され、微量の溶解液が被測定物（例えばシリコン半
導体ウエハ等）表面に付着する。

【００１８】（Ｂ）次に上記処理が行われた被測定物
（例えばシリコン半導体ウエハ等）１４を被測定物（例
えばシリコン半導体ウエハ等）保持台１１と共に密閉容
器１０から取出す。そして、図２の断面図に示すよう
に、被測定物（例えばシリコン半導体ウエハ等）１４の
表面上に０．５％〜２％の濃度の不純物測定用の液滴
（例えば沸化水素酸溶液の液滴）１７をマイクロピペッ
ト１８により、例えば５０μｌ〜２００μｌの量だけ滴
下する。

【００１９】この液滴１７は不純物濃度が１００ｐｐｔ
以下の高純度の溶液（例えば沸化水素酸溶液）を用い
る。このとき、被測定物（例えばシリコン半導体ウエハ
等）は前述の溶液（例えば沸化水素酸溶液）の蒸気によ
る処理により疎水性となっているため、液滴１７は被測
定物（例えばシリコン半導体ウエハ等）表面にはなじま
ず、図示するように球状になる。

【００２０】（Ｃ）この後、図３（ａ），（ｂ），
（ｃ）の断面図に示すように、被測定物（例えばシリコ
ン半導体ウエハ等）１４を被測定物保持台１１と共に種
々の方向に、回転運動させる等の方法により、図４に示
すように軌跡が螺旋状になるように液滴を被測定物上の
全面に走査、移動させる。

【００２１】あるいは図５に示すように軌跡が旋回を連
続的に繰返すような形状となるように液滴を被測定物上
の全面に走査、移動させる。これにより、被測定物表面
に滴下された溶液（例えば沸化水素酸溶液）の液滴によ
り、予め被測定物表面上に付着していた自然酸化膜を溶
解した溶解液が回収される。

【００２２】（Ｄ）その溶解液を回収した液滴は、その
後、スポイト等により採取し、それを分光分析装置を使
用した化学的分析法等により分析して、不純物の種類、
または、種類及び量、の測定を行い、元の被測定物の汚
染度を判断する。

【００２３】なお、被測定物表面の自然酸化膜の溶解及
び溶液（例えば沸化水素酸溶液）の滴下並びに移動の各
作業は、全て０．３μｍのＵＬＰＡフィルタを用いたク
ラス１０以下の清浄度を持つグローブボックスを使用し
て行った。

【００２４】前記実施の形態の方法によれば、高価な測
定機器を必要としないために測定コストが安くなる。ま
た、被測定物表面に形成されている自然酸化膜を含む溶
液（例えば沸化水素酸溶液）の量が、被測定物（例えば
シリコン半導体ウエハ等）を溶液（例えば沸化水素酸溶
液）中に浸す場合と比較して格段に少なくすることがで
きる。

【００２５】例えば、被測定物（例えばシリコン半導体
ウエハ等）を溶液（例えば沸化水素酸溶液）中に浸して
自然酸化膜を溶解する場合には、溶液（例えば沸化水素
酸溶液）が５ｍｌ程度必要になるが、上記実施の形態の
方法では、液滴にするための１００μｌ程度で済む。

【００２６】そのため、溶解液中の不純物濃度は従来方
法の場合の約５０倍となる。しかも回収された液滴は被
測定物（例えばシリコン半導体ウエハ等）表面以外の物
には一切接触せず、被測定物（例えばシリコン半導体ウ
エハ等）表面上の不純物を含む自然酸化膜のみが溶解さ
れれている。このため、液滴は適度な量となりかつ十分
な不純物濃度となり、また外部からの不純物汚染が含ま
れないため、高信頼性の測定が高感度及び高精度で行う
ことができる。

【００２７】これにより、被測定物（例えばシリコン半
導体ウエハ等）表面の１０⁹ 〜１０¹⁰（原子／ｃｍ² ）
程度の不純物が、酸化工程を含まずに迅速にかつ簡便に
測定できるようになった。

【００２８】（第２の実施の形態）次に本発明の第２の
実施の形態による方法を説明する。（Ａ）本発明の第２の実施の形態の方法では、例えば第
１の実施の形態の方法の場合と同様に、溶液（例えば沸
化水素酸溶液）の蒸気で処理することにより、被測定物
（例えばシリコン半導体ウエハ等）表面に形成されてい
た自然酸化膜を溶解する。

【００２９】（Ｂ）その後、図６の断面図に示すよう
に、凹状のくぼみを有する治具２０上に被測定物（例え
ばシリコン半導体ウエハ等）１４を密着させる。治具２
０上に被測定物（例えばシリコン半導体ウエハ等）１４
を密着させるためには、治具２０の内部に設けられた管
２１から排気を行い、被測定物（例えばシリコン半導体
ウエハ等）１４を裏面から吸引することにより行われ
る。

【００３０】なお、図６中、被測定物（例えばシリコン
半導体ウエハ等）１４の表面には自然酸化膜が溶解され
た溶解液２２が付着している。次に治具２０に密着して
いる被測定物（例えばシリコン半導体ウエハ等）表面の
端部に０．５％〜２％の濃度の溶解液の液滴（例えば沸
化水素酸溶液の液滴）２３をマイクロピペット等により
５０μｌ〜２００μｌの量だけ滴下する。

【００３１】この液滴２３は、不純物濃度１００ｐｐｔ
以下の高純度の溶解液（例えば沸化水素酸溶液）を用い
た。このとき、被測定物（例えばシリコン半導体ウエハ
等）１４は前述の溶解液（例えば沸化水素酸溶液）１５
の蒸気による処理により疎水性となっているため、液滴
２３はウエハ表面にはなじまず、図示のように球状にな
る。

【００３２】（Ｃ）その後、図６に示すように治具２０
の中心を回転軸として水平面内で治具２０を回転運動さ
せる。回転数は５〜４０ｒｐｍ程度とする。これによ
り、被測定物（例えばシリコン半導体ウエハ等）表面の
端部に滴下された溶解液の液滴（例えば沸化水素酸溶液
の液滴）２３は、遠心力と重力により、回転している被
測定物（例えばシリコン半導体ウエハ等）１４上に付着
している溶解液２２を回収しつつ順次移動する。

【００３３】これにより、予め被測定物（例えばシリコ
ン半導体ウエハ等）表面上に付着していた溶解液２２の
回収が行われる。（Ｄ）溶解液を回収した液滴２３は、その後、前記実施
の形態の場合と同様にスポイト等により採取し、それを
分光分析装置等を使用した化学的分析法により分析し
て、不純物の種類及び量の測定を行い、元の被測定物
（例えばシリコン半導体ウエハ等）の汚染度を判断す
る。

【００３４】この第２の実施の形態の方法も、高価な測
定機器を必要としないために測定コストが安くなる。ま
た、液滴は適度な量となり、かつ十分な不純物濃度とな
る。その上、外部からの不純物汚染がないため、高信頼
性の高い測定を高感度及び高精度で行うことができる。（第３の実施の形態）前記図６による実施の形態の方法
の応用として、凹状のくぼみを有する治具を用いず、図
７に示すように、回転軸を傾けて被測定物（例えばシリ
コン半導体ウエハ等）１４を回転運動させることによ
り、液滴２３を被測定物（例えばシリコン半導体ウエハ
等）表面上で走査、移動させることができる。

【００３５】図６及び図７の方法は、スポイト上治具等
を用いないため、それらの治具から不純物が混入するこ
とを防止できる。（第４の実施の形態）さらに上記図６による第２の実施
の形態の方法の他の応用として、図８の断面図に示すよ
うに、予め液滴２３をスポイト状治具２４で支持し、被
測定物（例えばシリコン半導体ウエハ等）表面に接触さ
せ、その後、被測定物（例えばシリコン半導体ウエハ
等）１４を図示のように回転運動させると共にスポイト
状治具２４で支持された液滴２３を水平方向に移動させ
ることにより被測定物（例えばシリコン半導体ウエハ
等）表面上に付着していた溶解液２２を回収することが
できる。（第５の実施の形態）また上記図６による第２
の実施の形態の方法の他の応用として、図９の断面図に
示すように、被測定物（例えばシリコン半導体ウエハ
等）を表面が下側となるように支持し、液滴２３を皿状
治具２５上に保持しつつ被測定物（例えばシリコン半導
体ウエハ等）表面に接触させ、その後、被測定物（例え
ばシリコン半導体ウエハ等）１４を図示のように回転運
動させると共に皿状治具２５で保持された液滴２３を水
平方向に移動させることにより、予め被測定物（例えば
シリコン半導体ウエハ等）表面上に付着していた溶解液
２２を回収することができる。

【００３６】なお、上記図３もしくは図７に示すよう
に、被測定物（例えばシリコン半導体ウエハ等）上に液
滴を滴下させた後、被測定物（例えばシリコン半導体ウ
エハ等）に運動を与えて被測定物（例えばシリコン半導
体ウエハ等）表面の溶解液を回収する際には、図１０の
断面図に示すように、複数枚の被測定物（例えばシリコ
ン半導体ウエハ等）１４を収納できる分析容器３０を用
意し、この容器３０に対して上記のような運動を与える
駆動機構４０を設けるようにすれば、回収の効率を向上
させることができる。

【００３７】なお、このような装置は、上記のような分
析容器３０を設けず、１枚の被測定物（例えばシリコン
半導体ウエハ等）を収納した被測定物保持台を上記駆動
機構４０により運動させて前記のような軌跡により溶解
液を回収するようにしてもよい。（溶解液）溶解液の例としては以下に揚げるものがあ
る。

【００３８】（１）ＨＦ（２）ＨＦ＋ＨＮＯ₃ （３）ＨＦ＋Ｈ₂ Ｏ₂ （４）ＨＣｌ＋Ｈ₂ Ｏ₂ （５）被測定物表面に存在する不純物が、ナトリウム
（Ｎａ）やカリウム（Ｋ）のようなイオン化傾向の大き
いものであるときは、不純物測定用の溶解液の液滴とし
て水（Ｈ₂ Ｏ）を使用することができる。

【００３９】なお、本発明は上記の実施の形態に限定さ
れるものではなく、種々の変形が可能であることはいう
までもない。例えば上記実施の形態ではこの発明を半導
体ウエハ等の表面の不純物測定に実施した場合に着いて
説明したが、これは他に例えばシリコン酸化膜やシリコ
ン窒化膜中等の不純物測定や、一般の金属表面の汚染度
の測定にも実施でき、被測定物表面の堆積物層を溶解す
る溶解液の種類もその材料に応じて適宜選択することが
できる。

【００４０】また、被測定物表面が、次に滴下される液
滴と疎水性の関係にある場合には、溶解液の蒸気によっ
て予め表面を疎水性にする工程は不要である。従って、
その場合には、第１の実施の形態における（Ａ）プロセ
スも、第２の実施の形態における（Ａ）プロセスも不要
である。

【００４１】

【発明の効果】本発明は前述のように構成されているの
で、以下に揚げる効果を奏する。（１）本発明方法によれば、被測定物の表面に付着して
いる不純物を、高感度及び高精度に測定することができ
る。（２）本発明装置によれば、測定コストが安く、しかも
精度も、信頼性も高い不純物の測定が可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態の方法を実施するた
めに使用される容器の構成を示す図、

【図２】第１の実施の形態の方法を説明するための断面
図（その１）、

【図３】第１の実施の形態の方法を説明するための断面
図（その２）、

【図４】第１の実施の形態の方法による液滴の軌跡を示
す図（その１）、

【図５】第１の実施の形態の方法による液滴の軌跡を示
す図（その２）、

【図６】本発明の第２の実施の形態による方法を説明す
るための断面図（その１）、

【図７】本発明の第３の実施の形態の応用の方法を説明
するための断面図（その２）、

【図８】本発明の第４の実施の形態の応用の方法を説明
するための断面図（その３）、

【図９】本発明の第５の実施の形態の応用の方法を説明
するための断面図（その４）、

【図１０】本発明で使用される装置の構成を示す図。

【符号の説明】

１０…密閉容器、１１…被測定物（例えばシリコン半導体ウエハ等）保持
台、１２…溝部、１３…溝部、１４…被測定物（例えばシリコン半導体ウエハ等）、１５…溶解液（例えば沸化水素酸溶液）、１６…自然酸化膜、１７…不純物測定用の液滴（例えば沸化水素酸の液
滴）、１８…マイクロピペット、２０…治具、２１…管、２２…溶解液、２３…不純物測定用の液滴（例えば沸化水素酸の液
滴）、２４…スポイト状治具、２５…皿状治具、３０…分析容器、４０…駆動機構。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者吉井新太郎神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地株式会社東芝総合研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】不純物測定用の溶解液の液滴に対し親水
性の関係にある被測定物の表面を溶解し、疎水性にする
不純物測定用の溶解液の液滴を前記被測定物の表面に接
触させる工程と、不純物測定用の溶解液の液滴を回収する工程と、回収した液滴を分析して前記被測定物の表面に付着して
いた不純物の種類を測定する工程と、を具備したことを
特徴とする不純物の測定方法。
【請求項２】不純物測定用の溶解液の液滴と、被測定
物の表面との接触は、前記液滴を滴下させることにより
行われることを特徴とする請求項１記載の不純物の測定
方法。
【請求項３】不純物の種類を測定する工程において、不純物の量も測定することを特徴とする請求項１または
請求項２記載の不純物の測定方法。
【請求項４】不純物測定用の溶解液の液滴に対し親水
性の関係にある被測定物の表面は、酸化膜または窒化膜
が形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求
項３の内いずれかに記載の不純物の測定方法。
【請求項５】被測定物の表面に形成された酸化膜が、
シリコン酸化膜であることを特徴とする請求項４記載の
不純物の測定方法。
【請求項６】被測定物の表面に形成されたシリコン酸
化膜が、自然酸化膜であることを特徴とする請求項５記
載の不純物の測定方法。
【請求項７】被測定物の表面に形成された窒化膜が、
シリコン窒化膜であることを特徴とする請求項４記載の
不純物の測定方法。
【請求項８】接触させる不純物測定用の溶解液の液滴
に酸が含まれていることを特徴とする請求項１ないし７
の内いずれかに記載の不純物の測定方法。
【請求項９】接触させる不純物測定用の溶解液の液滴
に含まれる酸は、沸化水素酸（ＨＦ）であることを特徴
とする請求項８記載の不純物の測定方法。
【請求項１０】接触させる不純物測定用の溶解液の液
滴に、酸と酸化剤が含まれていることを特徴とする請求
項１ないし７のいずれかに記載の不純物の測定方法。
【請求項１１】接触させる不純物測定用の溶解液の液
滴には、ＨＦ＋ＨＮＯ₃ ，ＨＦ＋Ｈ₂ Ｏ₂ ，又はＨＣｌ＋Ｈ₂ Ｏ₂ 、のいずれかを含むことを特徴とする請求項１０記載の不
純物の測定方法。
【請求項１２】不純物測定用の溶解液の液滴の不純物
濃度は、１００ｐｐｔ以下であることを特徴とする請求
項１ないし１１のいずれかに記載の不純物の測定方法。
【請求項１３】接触させる不純物測定用の溶解液の液
滴の量は、５０〜２００μｌであることを特徴とする請
求項１ないし１２のいずれかに記載の不純物の測定方
法。
【請求項１４】被測定物が半導体であることを特徴と
する請求項１ないし１３のいずれかに記載の不純物の測
定方法。
【請求項１５】被測定物である半導体が、シリコンで
あることを特徴とする請求項１４記載の不純物の測定方
法。
【請求項１６】被測定物である半導体が、ウエハであ
ることを特徴とする請求項１４記載の不純物の測定方
法。
【請求項１７】被測定物の表面に不純物測定用溶解液
の液滴を接触させる工程において、被測定物を水平又は水平に近い状態に保持することを特
徴とする請求項１ないし請求項１６のいずれかに記載の
不純物の測定方法。
【請求項１８】被測定物の表面に不純物測定用の溶解
液の液滴を接触させる工程と、不純物測定用の溶解液の
液滴を回収する工程との間に、被測定物の表面に接触させた不純物測定用の溶解液の液
滴を、被測定物の表面と接触させながら移動させる工程
を有することを特徴とする請求項１ないし１７のいずれ
かに記載の不純物の測定方法。
【請求項１９】不純物測定用の溶解液の液滴を移動さ
せる工程において、不純物測定用の溶解液の液滴の軌跡が、直線状、螺旋状
及び旋回を連続的に繰り返したような形状のいずれかと
なるように移動させることを特徴とする請求項１８記載
の不純物の測定方法。
【請求項２０】不純物測定用の溶解液の液滴を移動さ
せる工程において、被測定物を、回転運動，直線運動およびこれらを組み合
わせた運動のいずれかを行わせることにより、液滴を移
動させることを特徴とする請求項１８記載の不純物の測
定方法。
【請求項２１】不純物測定用の溶解液の液滴を移動さ
せる工程において、被測定物を凹状のくぼみを有する治具上に密着させ、前
記治具の中心を回転軸とし、水平面内で前記治具を回転
運動させ、遠心力と重力により液滴を移動させることを
特徴とする請求項１８記載の不純物の測定方法。
【請求項２２】不純物測定用の溶解液の液滴を移動さ
せる工程において、水平面に対して傾きを持つ回転軸のまわりに被測定物を
回転させ、、液滴を移動させることを特徴とする請求項
１８記載の不純物の測定方法。
【請求項２３】不純物測定用の溶解液の液滴を移動さ
せる工程において、不純物測定用の溶解液の液滴をスポイト状治具で支持
し、かつ被測定物の表面に接触させ、被測定物を回転運
動させるとともに、スポイト状治具により支持された不
純物測定用の溶解液の液滴を水平方向に移動させること
により、不純物測定用の溶解液の液滴を移動させること
を特徴とする請求項１８記載の不純物の測定方法。
【請求項２４】不純物測定用の溶解液の液滴を移動さ
せる工程において、被測定物の表面が下側となるように支持し、前記液滴を
前記被測定物の表面に接触させて皿状治具（２５）で保
持した後、前記被測定物を回転運動させると共に、前記
皿状治具（２５）で保持された前記液滴を水平方向に移
動させることを特徴とする請求項（１８）記載の不純物
の測定方法。
【請求項２５】不純物測定用の溶解液の液滴を移動さ
せる工程において、被測定物の表面に接触している前記液滴の形状が、球状
であることを特徴とする請求項１８ないし２３の内いず
れかに記載の不純物の測定方法。