JPH08231267A - 高熱膨張Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系焼結体およびその製造方法 - Google Patents
高熱膨張Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系焼結体およびその製造方法Info
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- JPH08231267A JPH08231267A JP7076218A JP7621895A JPH08231267A JP H08231267 A JPH08231267 A JP H08231267A JP 7076218 A JP7076218 A JP 7076218A JP 7621895 A JP7621895 A JP 7621895A JP H08231267 A JPH08231267 A JP H08231267A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】Ａｌ2 Ｏ3 粉末と、ＳｉＯ2 粉末と、周期律表
第２ａ族元素化合物や周期律表第３ａ族元素化合物の粉
末と、ムライト粉末との混合粉末であって、周期律表第
２ａ、３ａ族元素化合物のうち少なくとも一種の粉末を
酸化物換算で０．５重量％以上、ムライト粉末を０．５
重量％以上の割合でそれぞれ含有するとともに、全組成
中におけるＡｌのＡｌ2 Ｏ3 換算量／ＳｉのＳｉＯ2 換
算量の重量比率が０．６以上１未満の範囲となるように
調合した混合粉末を所定形状に成形した後、１７００℃
以下で焼成して、ムライトを主結晶相とし、さらに３０
重量％以上のクリストバライトおよび／またはＳｉＯ2
を主成分とするガラスを含み、常温から２００℃の熱膨
張係数が１２ｐｐｍ／℃以上の焼結体を得る。 【効果】焼結性を高め、所望の高熱膨張率を有し、かつ
低誘電率のＡｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系焼結体を安価にかつ
容易に得ることができる。
第２ａ族元素化合物や周期律表第３ａ族元素化合物の粉
末と、ムライト粉末との混合粉末であって、周期律表第
２ａ、３ａ族元素化合物のうち少なくとも一種の粉末を
酸化物換算で０．５重量％以上、ムライト粉末を０．５
重量％以上の割合でそれぞれ含有するとともに、全組成
中におけるＡｌのＡｌ2 Ｏ3 換算量／ＳｉのＳｉＯ2 換
算量の重量比率が０．６以上１未満の範囲となるように
調合した混合粉末を所定形状に成形した後、１７００℃
以下で焼成して、ムライトを主結晶相とし、さらに３０
重量％以上のクリストバライトおよび／またはＳｉＯ2
を主成分とするガラスを含み、常温から２００℃の熱膨
張係数が１２ｐｐｍ／℃以上の焼結体を得る。 【効果】焼結性を高め、所望の高熱膨張率を有し、かつ
低誘電率のＡｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系焼結体を安価にかつ
容易に得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、半導体装置等
のパッケ−ジ材料や多層配線基板の絶縁材料として使用
されたり、室温〜２００℃の低温においてＡｌ2 Ｏ3 質
焼結体よりも高熱膨張で、かつ低誘電率のＡｌ2 Ｏ3 −
ＳｉＯ2 系焼結体およびその製造方法に関するものであ
る。
のパッケ−ジ材料や多層配線基板の絶縁材料として使用
されたり、室温〜２００℃の低温においてＡｌ2 Ｏ3 質
焼結体よりも高熱膨張で、かつ低誘電率のＡｌ2 Ｏ3 −
ＳｉＯ2 系焼結体およびその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＬＳＩ等の集積回路は、一般に高
熱伝導性を有するとともに強度的に優れたアルミナを絶
縁基板とするセラミック製のパッケージ（例えば、ピン
グリッドアレイパッケージ）に収納され、ガラスエポキ
シなどのプリント基板に実装されて使用されている。
熱伝導性を有するとともに強度的に優れたアルミナを絶
縁基板とするセラミック製のパッケージ（例えば、ピン
グリッドアレイパッケージ）に収納され、ガラスエポキ
シなどのプリント基板に実装されて使用されている。
【０００３】また、近年においては、ますますＬＳＩの
信号伝播速度の高速化が要求され、配線パターンが高密
度化しているため、ＬＳＩの熱放散性や信号伝播速度の
高速化を図る必要がある。熱放散性を改善するには、集
積回路素子から発生する熱を効率的に除去するためにＣ
ｕ製のヒートシンクをアルミナ基板に取り付けることも
行われている。
信号伝播速度の高速化が要求され、配線パターンが高密
度化しているため、ＬＳＩの熱放散性や信号伝播速度の
高速化を図る必要がある。熱放散性を改善するには、集
積回路素子から発生する熱を効率的に除去するためにＣ
ｕ製のヒートシンクをアルミナ基板に取り付けることも
行われている。
【０００４】
【発明が解決しようとする問題点】ところが、室温〜２
００℃において、プリント基板の熱膨張係数は１４〜１
６×１０-6／℃であるのに対し、アルミナの熱膨張係数
は約７×１０-6／℃であるため、プリント基板とパッケ
ージとの熱膨張率差により熱応力が発生して、パッケー
ジが破損したり、プリント基板とパッケージとの接合不
良が発生する等の不具合があった。
００℃において、プリント基板の熱膨張係数は１４〜１
６×１０-6／℃であるのに対し、アルミナの熱膨張係数
は約７×１０-6／℃であるため、プリント基板とパッケ
ージとの熱膨張率差により熱応力が発生して、パッケー
ジが破損したり、プリント基板とパッケージとの接合不
良が発生する等の不具合があった。
【０００５】また、ヒートシンクのＣｕの熱膨張係数も
約１８×１０-6／℃とアルミナの熱膨張係数と大きな差
があるため、基板やパッケージに引っ張り応力が発生
し、クラック等の不具合が発生する。
約１８×１０-6／℃とアルミナの熱膨張係数と大きな差
があるため、基板やパッケージに引っ張り応力が発生
し、クラック等の不具合が発生する。
【０００６】また、信号伝播速度の高速化を図るために
は、比誘電率が小さいものを用いる必要があるが、アル
ミナは比誘電率が１０程度と高いため、信号伝播速度が
遅くなるという問題があった。
は、比誘電率が小さいものを用いる必要があるが、アル
ミナは比誘電率が１０程度と高いため、信号伝播速度が
遅くなるという問題があった。
【０００７】そこで、従来のアルミナからなるパッケー
ジや基板等の欠点を解消するために、プリント基板やＣ
ｕとほぼ同様の熱膨張率（室温〜２００℃において、１
２×１０-6／℃以上）を有し、比誘電率が小さいパッケ
ージや基板用のセラミックスが必要である。このような
セラミックスはこれまで報告されていなかった。
ジや基板等の欠点を解消するために、プリント基板やＣ
ｕとほぼ同様の熱膨張率（室温〜２００℃において、１
２×１０-6／℃以上）を有し、比誘電率が小さいパッケ
ージや基板用のセラミックスが必要である。このような
セラミックスはこれまで報告されていなかった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記の問
題点に対して検討を重ねた結果、結晶相としてクリスト
バライトが１８０〜２７０℃においてβ−クリストバラ
イトからα−クリストバライトへの変態が生じることか
ら、室温〜２００℃における平均熱膨張係数が３０〜５
０×１０-6／℃と大きな熱膨張係数を有していることに
着目し、このようなクリストバライトを含有する緻密質
な焼結体を得る方法を検討した。
題点に対して検討を重ねた結果、結晶相としてクリスト
バライトが１８０〜２７０℃においてβ−クリストバラ
イトからα−クリストバライトへの変態が生じることか
ら、室温〜２００℃における平均熱膨張係数が３０〜５
０×１０-6／℃と大きな熱膨張係数を有していることに
着目し、このようなクリストバライトを含有する緻密質
な焼結体を得る方法を検討した。
【０００９】その結果、所定の割合で混合されたＡｌ2
Ｏ3 とＳｉＯ2 とムライトの混合粉末、あるいはＳｉＯ
2 とムライト粉末に、周期律表第２ａ族元素化合物や周
期律表第３ａ族元素化合物を添加し、全組成中のＡｌの
酸化物換算量／Ｓｉの酸化物換算量の重量比を一定とし
た混合粉末を焼成することにより、ムライト主結晶以外
にクリストバライトおよび／またはＳｉＯ2 を主成分と
するガラスを含有する高熱膨張Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系
焼結体を得ることができることを知見し、本発明に至っ
た。
Ｏ3 とＳｉＯ2 とムライトの混合粉末、あるいはＳｉＯ
2 とムライト粉末に、周期律表第２ａ族元素化合物や周
期律表第３ａ族元素化合物を添加し、全組成中のＡｌの
酸化物換算量／Ｓｉの酸化物換算量の重量比を一定とし
た混合粉末を焼成することにより、ムライト主結晶以外
にクリストバライトおよび／またはＳｉＯ2 を主成分と
するガラスを含有する高熱膨張Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系
焼結体を得ることができることを知見し、本発明に至っ
た。
【００１０】即ち、本発明の高熱膨張Ａｌ2 Ｏ3 −Ｓｉ
Ｏ2 系焼結体は、少なくともＡｌと、Ｓｉとを酸化物換
算量で合計９２〜９９．５重量％、周期律表第２ａ，３
ａ族元素のうち少なくとも１種を酸化物換算で０．５〜
８重量％の割合で含有し，且つ前記ＡｌのＡｌ2 Ｏ3 換
算量の前記ＳｉのＳｉＯ2 換算量に対する重量比率が
０．６以上、１未満のＡｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系焼結体で
あって、該焼結体は、ムライトを主結晶相とし、さらに
３０重量％以上のクリストバライトおよび／またはＳｉ
Ｏ2 を主成分とするガラスを含み、常温から２００℃の
熱膨張係数が１２ｐｐｍ／℃以上であることを特徴とす
る高熱膨張Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系焼結体を特徴とする
ものである。
Ｏ2 系焼結体は、少なくともＡｌと、Ｓｉとを酸化物換
算量で合計９２〜９９．５重量％、周期律表第２ａ，３
ａ族元素のうち少なくとも１種を酸化物換算で０．５〜
８重量％の割合で含有し，且つ前記ＡｌのＡｌ2 Ｏ3 換
算量の前記ＳｉのＳｉＯ2 換算量に対する重量比率が
０．６以上、１未満のＡｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系焼結体で
あって、該焼結体は、ムライトを主結晶相とし、さらに
３０重量％以上のクリストバライトおよび／またはＳｉ
Ｏ2 を主成分とするガラスを含み、常温から２００℃の
熱膨張係数が１２ｐｐｍ／℃以上であることを特徴とす
る高熱膨張Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系焼結体を特徴とする
ものである。
【００１１】また、かかる焼結体を製造する方法とし
て、Ａｌ2 Ｏ3 粉末と、ＳｉＯ2 粉末と、周期律表第２
ａ族元素化合物および周期律表第３ａ族元素化合物のう
ち少なくとも一種の粉末と、ムライト粉末との混合粉末
であって、前記Ａｌ2 Ｏ3 粉末と前記ＳｉＯ2 粉末と前
記ムライト粉末を合計で９２〜９９．５重量％、前記周
期律表第２ａ族元素化合物および周期律表第３ａ族元素
化合物のうち少なくとも一種の粉末を酸化物換算で０．
５〜８重量％の割合で含み、且つ、前記ムライト粉末を
０．５重量％以上含む場合、全量中におけるＡｌのＡｌ
2Ｏ3 換算量／ＳｉのＳｉＯ2 換算量の重量比率が０．
７２以上、１未満、前記ムライト粉末を１０重量％以上
含む場合、全量中におけるＡｌのＡｌ2 Ｏ3 換算量／Ｓ
ｉのＳｉＯ2 換算量の重量比率が０．６以上、１未満、
の条件を満足するように調合した混合粉末を所定形状に
成形した後、１７００℃以下で焼成して、ムライトを主
結晶相とし、さらに３０重量％以上のクリストバライト
および／またはＳｉＯ2 を主成分とするガラスを含む焼
結体を得ることを特徴とするものである。
て、Ａｌ2 Ｏ3 粉末と、ＳｉＯ2 粉末と、周期律表第２
ａ族元素化合物および周期律表第３ａ族元素化合物のう
ち少なくとも一種の粉末と、ムライト粉末との混合粉末
であって、前記Ａｌ2 Ｏ3 粉末と前記ＳｉＯ2 粉末と前
記ムライト粉末を合計で９２〜９９．５重量％、前記周
期律表第２ａ族元素化合物および周期律表第３ａ族元素
化合物のうち少なくとも一種の粉末を酸化物換算で０．
５〜８重量％の割合で含み、且つ、前記ムライト粉末を
０．５重量％以上含む場合、全量中におけるＡｌのＡｌ
2Ｏ3 換算量／ＳｉのＳｉＯ2 換算量の重量比率が０．
７２以上、１未満、前記ムライト粉末を１０重量％以上
含む場合、全量中におけるＡｌのＡｌ2 Ｏ3 換算量／Ｓ
ｉのＳｉＯ2 換算量の重量比率が０．６以上、１未満、
の条件を満足するように調合した混合粉末を所定形状に
成形した後、１７００℃以下で焼成して、ムライトを主
結晶相とし、さらに３０重量％以上のクリストバライト
および／またはＳｉＯ2 を主成分とするガラスを含む焼
結体を得ることを特徴とするものである。
【００１２】さらに他の方法としては、ＳｉＯ2 粉末
と、周期律表第２ａ族元素化合物および周期律表第３ａ
族元素化合物のうち少なくとも一種の粉末と、ムライト
粉末との混合粉末であって、前記ＳｉＯ2 粉末と前記ム
ライト粉末とを合計で９２〜９９．５重量％、前記周期
律表第２ａ族元素化合物および周期律表第３ａ族元素化
合物のうち少なくとも一種の粉末を酸化物換算で０．５
〜８重量％、前記ムライト粉末を１０重量％以上の割合
でそれぞれ含有するとともに、全組成中におけるＡｌの
酸化物換算量／Ｓｉの酸化物換算量の重量比率が０．６
以上、１未満の範囲となるように調合した混合粉末を所
定形状に成形した後、１７００℃以下で焼成して、ムラ
イトを主結晶相とし、さらに３０重量％以上のクリスト
バライトおよび／またはＳｉＯ2 を主成分とするガラス
を含む焼結体を得ることを特徴とする。
と、周期律表第２ａ族元素化合物および周期律表第３ａ
族元素化合物のうち少なくとも一種の粉末と、ムライト
粉末との混合粉末であって、前記ＳｉＯ2 粉末と前記ム
ライト粉末とを合計で９２〜９９．５重量％、前記周期
律表第２ａ族元素化合物および周期律表第３ａ族元素化
合物のうち少なくとも一種の粉末を酸化物換算で０．５
〜８重量％、前記ムライト粉末を１０重量％以上の割合
でそれぞれ含有するとともに、全組成中におけるＡｌの
酸化物換算量／Ｓｉの酸化物換算量の重量比率が０．６
以上、１未満の範囲となるように調合した混合粉末を所
定形状に成形した後、１７００℃以下で焼成して、ムラ
イトを主結晶相とし、さらに３０重量％以上のクリスト
バライトおよび／またはＳｉＯ2 を主成分とするガラス
を含む焼結体を得ることを特徴とする。
【００１３】以下、本発明を詳述する。本発明のＡｌ2
Ｏ3 −ＳｉＯ2 系焼結体の１つの製造方法によれば、出
発原料として、Ａｌ2 Ｏ3 粉末、ＳｉＯ2 粉末、周期律
表第２ａ族元素化合物および周期律表第３ａ族元素化合
物のうち少なくとも一種の粉末と、ムライト粉末を用い
る。これらの出発原料粉末のうち、ムライト粉末は、Ｓ
ｉＯ2 成分とＡｌ2 Ｏ3成分に一部分離することから、
ムライト粉末の添加量に応じて上記粉末の混合組成を制
御する。
Ｏ3 −ＳｉＯ2 系焼結体の１つの製造方法によれば、出
発原料として、Ａｌ2 Ｏ3 粉末、ＳｉＯ2 粉末、周期律
表第２ａ族元素化合物および周期律表第３ａ族元素化合
物のうち少なくとも一種の粉末と、ムライト粉末を用い
る。これらの出発原料粉末のうち、ムライト粉末は、Ｓ
ｉＯ2 成分とＡｌ2 Ｏ3成分に一部分離することから、
ムライト粉末の添加量に応じて上記粉末の混合組成を制
御する。
【００１４】具体的には、Ａｌ2 Ｏ3 粉末とＳｉＯ2 粉
末とムライト粉末とを合計で９２〜９９．５重量％の割
合で含有するが、ムライト粉末量が０．５重量％以上の
場合、全量中におけるＡｌのＡｌ2 Ｏ3 換算量／Ｓｉの
ＳｉＯ2 換算量の重量比率が０．７２以上、１未満とな
るようにＡｌ2 Ｏ3 粉末およびＳｉＯ2 粉末を添加す
る。Ａｌ2 Ｏ3 ／ＳｉＯ2 の重量比率を上記の範囲に限
定したのは、Ａｌ2 Ｏ3／ＳｉＯ2 の重量比率が０．７
２より小さいと焼結性が低下し、その熱膨張異常のため
破壊し、また、１以上となると（アルミナ過剰）クリス
トバライトやＳｉＯ2 主体のガラスの生成が少なく、室
温から２００℃において１２×１０-6／℃以上の熱膨張
係数が得られないからである。なお、ムライト粉末が
０．５重量％よりも少ないと焼結体にそりが発生した
り、また、液相生成の促進という効果が殆どなく、緻密
な焼結体を得ることができない。ムライト粉末は０．５
重量％以上添加すれば良いが、多量に添加すると高コス
トになるので、０．５〜３０重量％添加することが望ま
しい。
末とムライト粉末とを合計で９２〜９９．５重量％の割
合で含有するが、ムライト粉末量が０．５重量％以上の
場合、全量中におけるＡｌのＡｌ2 Ｏ3 換算量／Ｓｉの
ＳｉＯ2 換算量の重量比率が０．７２以上、１未満とな
るようにＡｌ2 Ｏ3 粉末およびＳｉＯ2 粉末を添加す
る。Ａｌ2 Ｏ3 ／ＳｉＯ2 の重量比率を上記の範囲に限
定したのは、Ａｌ2 Ｏ3／ＳｉＯ2 の重量比率が０．７
２より小さいと焼結性が低下し、その熱膨張異常のため
破壊し、また、１以上となると（アルミナ過剰）クリス
トバライトやＳｉＯ2 主体のガラスの生成が少なく、室
温から２００℃において１２×１０-6／℃以上の熱膨張
係数が得られないからである。なお、ムライト粉末が
０．５重量％よりも少ないと焼結体にそりが発生した
り、また、液相生成の促進という効果が殆どなく、緻密
な焼結体を得ることができない。ムライト粉末は０．５
重量％以上添加すれば良いが、多量に添加すると高コス
トになるので、０．５〜３０重量％添加することが望ま
しい。
【００１５】また、前記ムライト粉末が１０重量％以上
である場合には、全量中におけるＡｌのＡｌ2 Ｏ3 換算
量／ＳｉのＳｉＯ2 換算量の重量比率が０．６以上、１
未満となるように、Ａｌ2 Ｏ3 粉末とＳｉＯ2 粉末の量
を制御する。この場合には、ムライトの割合が増加する
ことにより組織がより均一になり、高強度化するため、
発生する熱応力に耐えることができるからである。
である場合には、全量中におけるＡｌのＡｌ2 Ｏ3 換算
量／ＳｉのＳｉＯ2 換算量の重量比率が０．６以上、１
未満となるように、Ａｌ2 Ｏ3 粉末とＳｉＯ2 粉末の量
を制御する。この場合には、ムライトの割合が増加する
ことにより組織がより均一になり、高強度化するため、
発生する熱応力に耐えることができるからである。
【００１６】本発明におけるさらに他の製造方法では、
出発原料としてＳｉＯ2 粉末と、周期律表第２ａ族元素
化合物および周期律表第３ａ族元素化合物のうち少なく
とも一種の粉末と、ムライト粉末との混合粉末を用い
る。この場合には、ＳｉＯ2 粉末と前記ムライト粉末と
を合計で９２〜９９．５重量％であり、特にムライト粉
末を１０重量％以上の割合でそれぞれ含有するととも
に、全組成中におけるＡｌの酸化物換算量／Ｓｉの酸化
物換算量の重量比率が０．６以上、１未満の範囲となる
ように調合する。
出発原料としてＳｉＯ2 粉末と、周期律表第２ａ族元素
化合物および周期律表第３ａ族元素化合物のうち少なく
とも一種の粉末と、ムライト粉末との混合粉末を用い
る。この場合には、ＳｉＯ2 粉末と前記ムライト粉末と
を合計で９２〜９９．５重量％であり、特にムライト粉
末を１０重量％以上の割合でそれぞれ含有するととも
に、全組成中におけるＡｌの酸化物換算量／Ｓｉの酸化
物換算量の重量比率が０．６以上、１未満の範囲となる
ように調合する。
【００１７】上記の各場合におけるムライト量、Ａｌ2
Ｏ3 ／ＳｉＯ2 重量比の各条件を満足しないといずれも
焼結不足となり、所望の高密度、高熱膨張の焼結体を得
ることができない。
Ｏ3 ／ＳｉＯ2 重量比の各条件を満足しないといずれも
焼結不足となり、所望の高密度、高熱膨張の焼結体を得
ることができない。
【００１８】なお、出発原料の場合において、周期律表
第２ａ族元素化合物および周期律表第３ａ族元素化合物
のうち少なくとも一種の粉末は、上記のいずれの場合に
おいても、酸化物換算で０．５〜８重量％の割合で添加
する。この量を上記の範囲に限定したのは、第２ａ，３
ａ族化合物が０．５重量％より少ないと、１７００℃以
下での焼成が困難となるからである。また、８重量％を
越えると低融点の液相が多量に生成し、ボイドが増加し
やすく、また焼成温度が１４５０℃以下となり、基板と
ＷやＭｏ等の高融点金属のメタライズを同時に焼成する
ことが難しくなる。好適には１〜６重量％がよい。
第２ａ族元素化合物および周期律表第３ａ族元素化合物
のうち少なくとも一種の粉末は、上記のいずれの場合に
おいても、酸化物換算で０．５〜８重量％の割合で添加
する。この量を上記の範囲に限定したのは、第２ａ，３
ａ族化合物が０．５重量％より少ないと、１７００℃以
下での焼成が困難となるからである。また、８重量％を
越えると低融点の液相が多量に生成し、ボイドが増加し
やすく、また焼成温度が１４５０℃以下となり、基板と
ＷやＭｏ等の高融点金属のメタライズを同時に焼成する
ことが難しくなる。好適には１〜６重量％がよい。
【００１９】尚、周期律表第２ａ族元素としては、Ｃ
ａ，Ｍｇ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｒａがあり、それらの化合物と
しては、その酸化物，水酸化物およびこれらを実質的に
含む炭酸塩，硝酸塩等の塩やハロゲン化物、ホウ化物等
がある。また、周期律表第３ａ族元素としては、Ｓｃ，
Ｙ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｙｂ等があり、そ
れらの化合物としては、その酸化物およびこれらを実質
的に含む水酸化物，炭酸塩，硝酸塩等の塩やハロゲン化
物，ホウ化物が挙げられる。
ａ，Ｍｇ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｒａがあり、それらの化合物と
しては、その酸化物，水酸化物およびこれらを実質的に
含む炭酸塩，硝酸塩等の塩やハロゲン化物、ホウ化物等
がある。また、周期律表第３ａ族元素としては、Ｓｃ，
Ｙ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｙｂ等があり、そ
れらの化合物としては、その酸化物およびこれらを実質
的に含む水酸化物，炭酸塩，硝酸塩等の塩やハロゲン化
物，ホウ化物が挙げられる。
【００２０】次に、上記の組成で混合した混合物にさら
にブチラール等のバインダーを添加したものを所望の成
形手段、例えば、金型プレス，冷間静水圧プレス，押出
し成形、ドクターブレード法等により任意の形状に成形
後、焼成する。焼成は１７００℃以下の還元性雰囲気や
酸化性雰囲気中で１０分〜３時間程度焼成することによ
り緻密化することができる。焼成温度は望ましくは、１
４５０〜１６５０℃がよい。これは、１４５０℃よりも
低い温度で焼成すると、基板とＷやＭｏのメタライズペ
ーストとの同時焼成ができないからである。なお、焼成
温度が１７００℃よりも高いと、焼成設備が高コストと
なるからである。
にブチラール等のバインダーを添加したものを所望の成
形手段、例えば、金型プレス，冷間静水圧プレス，押出
し成形、ドクターブレード法等により任意の形状に成形
後、焼成する。焼成は１７００℃以下の還元性雰囲気や
酸化性雰囲気中で１０分〜３時間程度焼成することによ
り緻密化することができる。焼成温度は望ましくは、１
４５０〜１６５０℃がよい。これは、１４５０℃よりも
低い温度で焼成すると、基板とＷやＭｏのメタライズペ
ーストとの同時焼成ができないからである。なお、焼成
温度が１７００℃よりも高いと、焼成設備が高コストと
なるからである。
【００２１】また、上記製造方法によれば、配線層を有
する基板を製造する場合には、ドクターブレード法など
により形成されたグリーンシートの表面にＷ、Ｍｏ、Ｒ
ｅなどの高融点金属を含有するペーストをスクリーン印
刷法等により印刷し、場合によってはグリーンシートに
スルーホールに上記ペーストを充填し、これらのシート
を積層圧着した後、この積層体を上記の条件で同時に焼
成することにより作製できる。
する基板を製造する場合には、ドクターブレード法など
により形成されたグリーンシートの表面にＷ、Ｍｏ、Ｒ
ｅなどの高融点金属を含有するペーストをスクリーン印
刷法等により印刷し、場合によってはグリーンシートに
スルーホールに上記ペーストを充填し、これらのシート
を積層圧着した後、この積層体を上記の条件で同時に焼
成することにより作製できる。
【００２２】上記製造方法により得られる焼結体は、ム
ライト（一般式３Ａｌ2 Ｏ3 ・２ＳｉＯ2 ）を主結晶相
とし、さらに３０重量％以上のクリストバライトおよび
／またはＳｉＯ2 を主成分とするガラスを含むものであ
る。ムライト以外の成分は、焼成温度により左右され、
焼成温度が１６００℃以下の場合にはクリストバライト
が析出するが、焼成温度が１６００℃を超える温度では
クリストバライトがガラス化し、ＳｉＯ2 主成分のいわ
ゆるＳｉＯ2 ガラスが生成されることになる。このＳｉ
Ｏ2 ガラスもクリストバライトと同様に高熱膨張を有す
るため、焼結体全体としての熱膨張を高めることができ
る。
ライト（一般式３Ａｌ2 Ｏ3 ・２ＳｉＯ2 ）を主結晶相
とし、さらに３０重量％以上のクリストバライトおよび
／またはＳｉＯ2 を主成分とするガラスを含むものであ
る。ムライト以外の成分は、焼成温度により左右され、
焼成温度が１６００℃以下の場合にはクリストバライト
が析出するが、焼成温度が１６００℃を超える温度では
クリストバライトがガラス化し、ＳｉＯ2 主成分のいわ
ゆるＳｉＯ2 ガラスが生成されることになる。このＳｉ
Ｏ2 ガラスもクリストバライトと同様に高熱膨張を有す
るため、焼結体全体としての熱膨張を高めることができ
る。
【００２３】なお、これらクリストバライトおよび／ま
たはＳｉＯ2 を主成分とするガラスの量は、出発原料お
よび組成に依存し、前述の範囲に制御することにより、
後述する実施例に記載されるように３０重量％以上で任
意の量を析出させることができる。
たはＳｉＯ2 を主成分とするガラスの量は、出発原料お
よび組成に依存し、前述の範囲に制御することにより、
後述する実施例に記載されるように３０重量％以上で任
意の量を析出させることができる。
【００２４】これにより、本発明の高熱膨張Ａｌ2 Ｏ3
−ＳｉＯ2 質焼結体は、常温から２００℃の熱膨張係数
が１２ｐｐｍ／℃以上であることが重要であり、前述の
クリストバライトおよび／またはＳｉＯ2 を主成分とす
るガラスの量を３０重量％以上に制御することにより達
成される。この熱膨張係数が１２ｐｐｍ／℃以下ではプ
リント基板への実装ができず、またＣｕヒートシンクを
取り付けることができない。
−ＳｉＯ2 質焼結体は、常温から２００℃の熱膨張係数
が１２ｐｐｍ／℃以上であることが重要であり、前述の
クリストバライトおよび／またはＳｉＯ2 を主成分とす
るガラスの量を３０重量％以上に制御することにより達
成される。この熱膨張係数が１２ｐｐｍ／℃以下ではプ
リント基板への実装ができず、またＣｕヒートシンクを
取り付けることができない。
【００２５】また、本発明の焼結体は、熱膨張曲線にお
いて２００℃から３００℃の間に伸びの屈曲点を持つこ
とも大きな特徴である。これは、βクリストバライトか
らαクリストバライトへの変態によるものである。この
ような屈曲点を有することにより、実装時に発生する熱
応力を小さくすることができるとともに、低熱膨張のＷ
やＭｏの高融点金属との同時焼成により発生する熱応力
も小さくすることができる効果を奏する。
いて２００℃から３００℃の間に伸びの屈曲点を持つこ
とも大きな特徴である。これは、βクリストバライトか
らαクリストバライトへの変態によるものである。この
ような屈曲点を有することにより、実装時に発生する熱
応力を小さくすることができるとともに、低熱膨張のＷ
やＭｏの高融点金属との同時焼成により発生する熱応力
も小さくすることができる効果を奏する。
【００２６】尚、本発明のＡｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 質焼結
体によれば、前述の組成系に対して、公知の顔料成分、
例えば、Ｍｏ，Ｗ，Ｒｅ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃ
ｕ，Ｍｎを金属，酸化物，水酸化物，塩，ハロゲン化
物，ホウ化物等の形で添加しても良く、この場合には所
望の色に着色した焼結体が得られる。また、Ｙ2 Ｏ3 な
どの安定化材を含むＺｒＯ2 を３〜２０重量％添加し
て、正方晶あるいは単斜晶のＺｒＯ2 を分散させること
により焼結体の高強度化を図ることができる。さらに、
ＺｎＯ，Ｂ2 Ｏ3 などを添加すると焼成温度をさらに低
下させることができ、この場合には配線基板における導
体金属をＮｉ，Ｃｏ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ等にする必要が
ある。
体によれば、前述の組成系に対して、公知の顔料成分、
例えば、Ｍｏ，Ｗ，Ｒｅ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃ
ｕ，Ｍｎを金属，酸化物，水酸化物，塩，ハロゲン化
物，ホウ化物等の形で添加しても良く、この場合には所
望の色に着色した焼結体が得られる。また、Ｙ2 Ｏ3 な
どの安定化材を含むＺｒＯ2 を３〜２０重量％添加し
て、正方晶あるいは単斜晶のＺｒＯ2 を分散させること
により焼結体の高強度化を図ることができる。さらに、
ＺｎＯ，Ｂ2 Ｏ3 などを添加すると焼成温度をさらに低
下させることができ、この場合には配線基板における導
体金属をＮｉ，Ｃｏ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ等にする必要が
ある。
【００２７】
【作用】本発明によれば、Ａｌ2 Ｏ3 粉末、ＳｉＯ2 粉
末および周期律表第２ａ、３ａ族化合物との混合粉末、
あるいはＳｉＯ2 粉末および周期律表第２ａ、３ａ族化
合物との混合粉末に、ムライト粉末を所定の割合で添加
することにより、ムライトがＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、周
期律表第２ａ，３ａ族元素からなる液相に溶解し、Ｓｉ
Ｏ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 との濡れ性のよい液相を増加させるこ
とにより生じる反応性液相による焼結が生じる。このよ
うに、液相の生成反応が促進されるとともに反応性液相
による焼結がスムーズに生じる結果、ムライト相以外に
クリストバライトおよび／またはＳｉＯ2 を主成分とす
るガラスが析出し、室温から２００℃における熱膨張率
が１２×１０-6／℃以上のプリント基板やＣｕとほぼ同
等の熱膨張率を有する緻密な焼結体を得ることができ
る。
末および周期律表第２ａ、３ａ族化合物との混合粉末、
あるいはＳｉＯ2 粉末および周期律表第２ａ、３ａ族化
合物との混合粉末に、ムライト粉末を所定の割合で添加
することにより、ムライトがＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、周
期律表第２ａ，３ａ族元素からなる液相に溶解し、Ｓｉ
Ｏ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 との濡れ性のよい液相を増加させるこ
とにより生じる反応性液相による焼結が生じる。このよ
うに、液相の生成反応が促進されるとともに反応性液相
による焼結がスムーズに生じる結果、ムライト相以外に
クリストバライトおよび／またはＳｉＯ2 を主成分とす
るガラスが析出し、室温から２００℃における熱膨張率
が１２×１０-6／℃以上のプリント基板やＣｕとほぼ同
等の熱膨張率を有する緻密な焼結体を得ることができ
る。
【００２８】その結果、このＡｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 質焼
結体を絶縁基板として配線層を具備する多層配線基板や
半導体素子を収納するパッケージをプリント基板に実装
した場合に熱膨張差に起因するプリント基板との電気的
接続不良などの発生を抑制し長期に安定した実装構造を
提供することができる。
結体を絶縁基板として配線層を具備する多層配線基板や
半導体素子を収納するパッケージをプリント基板に実装
した場合に熱膨張差に起因するプリント基板との電気的
接続不良などの発生を抑制し長期に安定した実装構造を
提供することができる。
【００２９】
実施例１ 平均粒径が０．６μｍのＡｌ2 Ｏ3 粉末と、平均粒径
０．８μｍのＳｉＯ2 粉末、平均粒径が１．０μｍのム
ライト粉末（Al2O3/SiO2＝72/28,重量比）、および平均
粒径１．５μｍの周期律表第３ａ、２ａ族元素の炭酸塩
を用いて、表１の組成となるように秤量混合し、公知の
溶剤とバインダー及び可塑剤等を混合しこれをドクター
ブレード法により０．５ｍｍ厚に成形した後、シートを
加熱・加圧積層した積層体を作製した。そして，この積
層体を表１の焼成温度条件で焼成した。尚、表中のＭｇ
Ｏ、ＣａＯ量はいずれもＭｇＣＯ3 、ＣａＣＯ3 から換
算したものである。また、得られた焼結体に対して、結
晶相をＸ線回折測定により同定した。さらに室温〜２０
０℃の熱膨張率を測定した。
０．８μｍのＳｉＯ2 粉末、平均粒径が１．０μｍのム
ライト粉末（Al2O3/SiO2＝72/28,重量比）、および平均
粒径１．５μｍの周期律表第３ａ、２ａ族元素の炭酸塩
を用いて、表１の組成となるように秤量混合し、公知の
溶剤とバインダー及び可塑剤等を混合しこれをドクター
ブレード法により０．５ｍｍ厚に成形した後、シートを
加熱・加圧積層した積層体を作製した。そして，この積
層体を表１の焼成温度条件で焼成した。尚、表中のＭｇ
Ｏ、ＣａＯ量はいずれもＭｇＣＯ3 、ＣａＣＯ3 から換
算したものである。また、得られた焼結体に対して、結
晶相をＸ線回折測定により同定した。さらに室温〜２０
０℃の熱膨張率を測定した。
【００３０】また、焼結体を直径６０ｍｍ、厚さ２ｍｍ
に加工し、ＪＩＳＣ２１４１の手法で比誘電率を求め
た。測定はＬＣＲメータ（Ｙ．Ｈ．Ｐ４２８４Ａ）を用
いて行い、１ＭＨｚ，１．０Ｖｒｓｍの条件で２５℃に
おける静電容量を測定し、この静電容量から２５℃にお
ける比誘電率を測定した。
に加工し、ＪＩＳＣ２１４１の手法で比誘電率を求め
た。測定はＬＣＲメータ（Ｙ．Ｈ．Ｐ４２８４Ａ）を用
いて行い、１ＭＨｚ，１．０Ｖｒｓｍの条件で２５℃に
おける静電容量を測定し、この静電容量から２５℃にお
ける比誘電率を測定した。
【００３１】さらに、Ｘ線マイクロアナライザーを用い
た検量線法により焼結体の組成を分析し、Ｘ線回折の内
部標準法を用いてムライトおよびクリストバライトの析
出量を測定し、クリストバライトと残部のガラスの合量
を表２に示した。
た検量線法により焼結体の組成を分析し、Ｘ線回折の内
部標準法を用いてムライトおよびクリストバライトの析
出量を測定し、クリストバライトと残部のガラスの合量
を表２に示した。
【００３２】
【表１】
【００３３】
【表２】
【００３４】上記表１、２より、ムライト粉末を全く添
加しない試料Ｎo.４、２２ではいずれも焼結できず、そ
れ以外のムライト粉末を添加して焼成した焼結体は、緻
密なものであった。しかし、ムライトの添加量が０．５
重量％より少ない試料Ｎo.６では焼結不足でそりが発生
した。ムライトを０．５重量％以上添加した場合でも、
Ａｌ2 Ｏ3 ／ＳｉＯ2 比が０．７２未満の試料Ｎo.１、
２では緻密化できず、試料Ｎo.１ではクラックが発生し
た。よって、ムライトを０．５重量％添加すればＡｌ2
Ｏ3 ／ＳｉＯ2 重量比が０．７２以上の範囲で良好な焼
結体となることがわかる。ただし、ムライト量が１０重
量％以上ではＡｌ2 Ｏ3 ／ＳｉＯ2 重量比が０．６以上
で緻密化できることがわかる。
加しない試料Ｎo.４、２２ではいずれも焼結できず、そ
れ以外のムライト粉末を添加して焼成した焼結体は、緻
密なものであった。しかし、ムライトの添加量が０．５
重量％より少ない試料Ｎo.６では焼結不足でそりが発生
した。ムライトを０．５重量％以上添加した場合でも、
Ａｌ2 Ｏ3 ／ＳｉＯ2 比が０．７２未満の試料Ｎo.１、
２では緻密化できず、試料Ｎo.１ではクラックが発生し
た。よって、ムライトを０．５重量％添加すればＡｌ2
Ｏ3 ／ＳｉＯ2 重量比が０．７２以上の範囲で良好な焼
結体となることがわかる。ただし、ムライト量が１０重
量％以上ではＡｌ2 Ｏ3 ／ＳｉＯ2 重量比が０．６以上
で緻密化できることがわかる。
【００３５】さらに、Ａｌ2 Ｏ3 ／ＳｉＯ2 重量比が１
以上の試料Ｎo.２３では熱膨張係数が小さくなり、１未
満で室温〜２００℃における熱膨張率が１２×１０-6／
℃以上となり、プリント基板やＣｕの熱膨張率（１２〜
１８×１０-6／℃）と近く、プリント基板への表面実装
やＣｕのヒートシンクの使用が可能となることが判る。
以上の試料Ｎo.２３では熱膨張係数が小さくなり、１未
満で室温〜２００℃における熱膨張率が１２×１０-6／
℃以上となり、プリント基板やＣｕの熱膨張率（１２〜
１８×１０-6／℃）と近く、プリント基板への表面実装
やＣｕのヒートシンクの使用が可能となることが判る。
【００３６】また、本発明の焼結体では、いずれも比誘
電率が５．８以下とアルミナの１０よりも低く、信号伝
播速度を向上することができるものである。
電率が５．８以下とアルミナの１０よりも低く、信号伝
播速度を向上することができるものである。
【００３７】なお、図１に、表１における試料Ｎo.８の
温度に対する伸びの熱膨張曲線を示す図である。この図
１より、クリストバライトを含有することにより、室温
〜２００℃の範囲のみ熱膨張率が大きく、高温側では熱
膨張率が小さく、通常のＷやＭｏのメタライズが可能で
あることが判る。また熱膨張の屈曲点が２００〜３００
℃の間にあり、室温〜２００℃の平均熱膨張率が１２×
１０-6／℃以上であることが判る。
温度に対する伸びの熱膨張曲線を示す図である。この図
１より、クリストバライトを含有することにより、室温
〜２００℃の範囲のみ熱膨張率が大きく、高温側では熱
膨張率が小さく、通常のＷやＭｏのメタライズが可能で
あることが判る。また熱膨張の屈曲点が２００〜３００
℃の間にあり、室温〜２００℃の平均熱膨張率が１２×
１０-6／℃以上であることが判る。
【００３８】上記試料Ｎo.８と同様にクリストバライト
を含有する試料は、いずれも図１に示すように、１５０
〜３００℃付近に伸びの熱膨張曲線において屈曲点を有
するものであった。
を含有する試料は、いずれも図１に示すように、１５０
〜３００℃付近に伸びの熱膨張曲線において屈曲点を有
するものであった。
【００３９】実施例２ 原料として平均粒径０．８μｍのＳｉＯ2 粉末、平均粒
径が１．０μｍのムライト粉末（Al2O3/SiO2＝72/28,重
量比）、および平均粒径１．５μｍの周期律表第３ａ、
２ａ族元素の炭酸塩を用いて、表３の組成に秤量混合
し、これをドクターブレード法により成形してグリーン
シートを作製し、このグリーンシートを複数枚積層して
表３に示すような焼成温度条件で焼成した。また、得ら
れた焼結体に対して、上記実施例１と同様にして結晶相
を同定し、室温〜２００℃の熱膨張率および比誘電率、
焼結体の組成、クリストバライト＋ＳｉＯ2 ガラスの相
析出量を測定し、この結果を表４に示した。
径が１．０μｍのムライト粉末（Al2O3/SiO2＝72/28,重
量比）、および平均粒径１．５μｍの周期律表第３ａ、
２ａ族元素の炭酸塩を用いて、表３の組成に秤量混合
し、これをドクターブレード法により成形してグリーン
シートを作製し、このグリーンシートを複数枚積層して
表３に示すような焼成温度条件で焼成した。また、得ら
れた焼結体に対して、上記実施例１と同様にして結晶相
を同定し、室温〜２００℃の熱膨張率および比誘電率、
焼結体の組成、クリストバライト＋ＳｉＯ2 ガラスの相
析出量を測定し、この結果を表４に示した。
【００４０】
【表３】
【００４１】
【表４】
【００４２】上記表３、４より、ムライトを１０重量％
以上添加してもＡｌ2 Ｏ3 ／ＳｉＯ2 比が０．６未満の
試料Ｎo.２４では焼結体にクラックが発生した。
以上添加してもＡｌ2 Ｏ3 ／ＳｉＯ2 比が０．６未満の
試料Ｎo.２４では焼結体にクラックが発生した。
【００４３】これに対して、Ａｌ2 Ｏ3 ／ＳｉＯ2 の重
量比が０．６以上、ムライト粉末を１０重量％以上添加
して焼成した本発明の範囲内の焼結体はいずれも緻密質
で、室温〜２００℃における熱膨張係数が１２×１０-6
／℃以上であり、プリント基板やＣｕの熱膨張率（１２
〜１８×１０-6／℃）と近く、プリント基板への表面実
装やＣｕのヒートシンクの使用が可能となることが判
る。さらに、本発明の焼結体では、比誘電率が５．８以
下とアルミナの１０よりも低く、信号伝播速度を向上す
ることができる。
量比が０．６以上、ムライト粉末を１０重量％以上添加
して焼成した本発明の範囲内の焼結体はいずれも緻密質
で、室温〜２００℃における熱膨張係数が１２×１０-6
／℃以上であり、プリント基板やＣｕの熱膨張率（１２
〜１８×１０-6／℃）と近く、プリント基板への表面実
装やＣｕのヒートシンクの使用が可能となることが判
る。さらに、本発明の焼結体では、比誘電率が５．８以
下とアルミナの１０よりも低く、信号伝播速度を向上す
ることができる。
【００４４】なお、図１に、表３における試料Ｎo.２６
の温度に対する伸びの熱膨張曲線を示した。この図１よ
り、クリストバライトを含有することにより、室温〜２
００℃の範囲のみ熱膨張率が大きく、高温側では熱膨張
率が小さく、通常のＷやＭｏのメタライズが可能である
ことが判る。また熱膨張の屈曲点が２００〜３００℃の
間にあり、室温〜２００℃の平均熱膨張率が１２×１０
-6／℃以上であることが判る。
の温度に対する伸びの熱膨張曲線を示した。この図１よ
り、クリストバライトを含有することにより、室温〜２
００℃の範囲のみ熱膨張率が大きく、高温側では熱膨張
率が小さく、通常のＷやＭｏのメタライズが可能である
ことが判る。また熱膨張の屈曲点が２００〜３００℃の
間にあり、室温〜２００℃の平均熱膨張率が１２×１０
-6／℃以上であることが判る。
【００４５】上記試料Ｎo.２６と同様にクリストバライ
トを含有する試料は、いずれも図１に示すように、１５
０〜３００℃付近に伸びの熱膨張曲線において屈曲点を
有するものであった。
トを含有する試料は、いずれも図１に示すように、１５
０〜３００℃付近に伸びの熱膨張曲線において屈曲点を
有するものであった。
【００４６】
【発明の効果】本発明のＡｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系焼結体
の製造方法では、Ａｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 の混合粉末にム
ライト粉末を添加したので、液相の生成反応が促進され
るとともに反応性液相による焼結がスムーズに生じ、ボ
イドの発生を抑制して、クリストバライトを含有する緻
密なＡｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系焼結体を得ることができ
る。従って、本発明のＡｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系焼結体の
製造方法では、安価にかつ容易に焼結体を得ることがで
きる。
の製造方法では、Ａｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 の混合粉末にム
ライト粉末を添加したので、液相の生成反応が促進され
るとともに反応性液相による焼結がスムーズに生じ、ボ
イドの発生を抑制して、クリストバライトを含有する緻
密なＡｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系焼結体を得ることができ
る。従って、本発明のＡｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系焼結体の
製造方法では、安価にかつ容易に焼結体を得ることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の試料Ｎo.８，２６の温度に対する伸び
を示すグラフである。
を示すグラフである。
Claims (3)
- 【請求項１】少なくともＡｌと、Ｓｉとを酸化物換算量
で合計９２〜９９．５重量％、周期律表第２ａ，３ａ族
元素のうち少なくとも１種を酸化物換算で０．５〜８重
量％の割合で含有し，且つ前記ＡｌのＡｌ2 Ｏ3 換算量
の前記ＳｉのＳｉＯ2 換算量に対する重量比率が０．６
以上，１未満のＡｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系焼結体であっ
て、該焼結体は、ムライトを主結晶相とし、さらに３０
重量％以上のクリストバライトおよび／またはＳｉＯ2
を主成分とするガラスを含み、常温から２００℃の熱膨
張係数が１２ｐｐｍ／℃以上であることを特徴とする高
熱膨張Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系焼結体。 - 【請求項２】Ａｌ2 Ｏ3 粉末と、ＳｉＯ2 粉末と、周期
律表第２ａ族元素化合物および周期律表第３ａ族元素化
合物のうち少なくとも一種の粉末と、ムライト粉末との
混合粉末であって、前記Ａｌ2 Ｏ3 粉末と前記ＳｉＯ2
粉末と前記ムライト粉末を合計で９２〜９９．５重量
％、前記周期律表第２ａ族元素化合物および周期律表第
３ａ族元素化合物のうち少なくとも一種の粉末を酸化物
換算で０．５〜８重量％の割合で含み、且つ、 前記ムライト粉末を０．５重量％以上含む場合、全量中
におけるＡｌのＡｌ2Ｏ3 換算量／ＳｉのＳｉＯ2 換算
量の重量比率が０．７２以上、１未満、 前記ムライト粉末を１０重量％以上含む場合、全量中に
おけるＡｌのＡｌ2 Ｏ3 換算量／ＳｉのＳｉＯ2 換算量
の重量比率が０．６以上、１未満、の条件を満足するよ
うに調合した混合粉末を所定形状に成形した後、１７０
０℃以下で焼成して、ムライトを主結晶相とし、さらに
３０重量％以上のクリストバライトおよび／またはＳｉ
Ｏ2 を主成分とするガラスを含む焼結体を得ることを特
徴とする高熱膨張Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系焼結体の製造
方法。 - 【請求項３】ＳｉＯ2 粉末と、周期律表第２ａ族元素化
合物および周期律表第３ａ族元素化合物のうち少なくと
も一種の粉末と、ムライト粉末との混合粉末であって、
前記ＳｉＯ2 粉末と前記ムライト粉末とを合計で９２〜
９９．５重量％、前記周期律表第２ａ族元素化合物およ
び周期律表第３ａ族元素化合物のうち少なくとも一種の
粉末を酸化物換算で０．５〜８重量％、前記ムライト粉
末を１０重量％以上の割合でそれぞれ含有するととも
に、全組成中におけるＡｌの酸化物換算量／Ｓｉの酸化
物換算量の重量比率が０．６以上、１未満の範囲となる
ように調合した混合粉末を所定形状に成形した後、１７
００℃以下で焼成して、ムライトを主結晶相とし、さら
に３０重量％以上のクリストバライトおよび／またはＳ
ｉＯ2 を主成分とするガラスを含む焼結体を得ることを
特徴とする高熱膨張Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系焼結体の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07076218A JP3101966B2 (ja) | 1994-12-28 | 1995-03-31 | 高熱膨張Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系焼結体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-327301 | 1994-12-28 | ||
| JP32730194 | 1994-12-28 | ||
| JP07076218A JP3101966B2 (ja) | 1994-12-28 | 1995-03-31 | 高熱膨張Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系焼結体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08231267A true JPH08231267A (ja) | 1996-09-10 |
| JP3101966B2 JP3101966B2 (ja) | 2000-10-23 |
Family
ID=26417376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07076218A Expired - Fee Related JP3101966B2 (ja) | 1994-12-28 | 1995-03-31 | 高熱膨張Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系焼結体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3101966B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015504835A (ja) * | 2011-12-09 | 2015-02-16 | ニューサウス イノベイションズ ピーティーワイ リミテッド | パーコレーションムライトおよびその形成方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0626900U (ja) * | 1992-09-04 | 1994-04-12 | 有限会社きのした | 遠赤外線放射健康衣料 |
-
1995
- 1995-03-31 JP JP07076218A patent/JP3101966B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015504835A (ja) * | 2011-12-09 | 2015-02-16 | ニューサウス イノベイションズ ピーティーワイ リミテッド | パーコレーションムライトおよびその形成方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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