JPH0823011A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPH0823011A JPH0823011A JP15502994A JP15502994A JPH0823011A JP H0823011 A JPH0823011 A JP H0823011A JP 15502994 A JP15502994 A JP 15502994A JP 15502994 A JP15502994 A JP 15502994A JP H0823011 A JPH0823011 A JP H0823011A
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体集積回路装置の金属バンプの接続異常
を容易に検出し、高信頼度のフリップチップボンディン
グを実現する。 【構成】 実装配線基板２上に電極接続用金バンプ４が
形成され、電極接続用金バンプ４を用いたフリップチッ
プボンディングにより実装配線基板２上に半導体チップ
６が実装され、半導体チップ６の近傍の実装配線基板２
上に電極接続用金バンプ４と同一高さのダミー金バンプ
７を形成した。
を容易に検出し、高信頼度のフリップチップボンディン
グを実現する。 【構成】 実装配線基板２上に電極接続用金バンプ４が
形成され、電極接続用金バンプ４を用いたフリップチッ
プボンディングにより実装配線基板２上に半導体チップ
６が実装され、半導体チップ６の近傍の実装配線基板２
上に電極接続用金バンプ４と同一高さのダミー金バンプ
７を形成した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置に
関し、特に、集積回路を有する半導体チップの電極と、
実装配線基板上の電極とがフリップチップボンディング
により一括接続された半導体集積回路装置に適用して有
効な技術に関する。
関し、特に、集積回路を有する半導体チップの電極と、
実装配線基板上の電極とがフリップチップボンディング
により一括接続された半導体集積回路装置に適用して有
効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、多くの入出力端子を備えたゲー
トアレイやマイクロコンピュータに用いられる半導体チ
ップの電極接続技術として、Ａｕボールを用いたフリッ
プチップボンディングが知られており、例えば特開平５
−２７５４９１号公報に開示されるものがある。
トアレイやマイクロコンピュータに用いられる半導体チ
ップの電極接続技術として、Ａｕボールを用いたフリッ
プチップボンディングが知られており、例えば特開平５
−２７５４９１号公報に開示されるものがある。
【０００３】前記フリップチップボンディングは、実装
配線基板の配線上および集積回路を有する半導体チップ
の電極上に、超音波ネイルヘッドボンディングにより金
バンプを形成し、実装配線基板の金バンプを平坦化した
後、実装配線基板および半導体チップの金バンプを熱圧
着して電極接続を行うものである。
配線基板の配線上および集積回路を有する半導体チップ
の電極上に、超音波ネイルヘッドボンディングにより金
バンプを形成し、実装配線基板の金バンプを平坦化した
後、実装配線基板および半導体チップの金バンプを熱圧
着して電極接続を行うものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前述したフ
リップチップボンディングにおいては、実装配線基板の
そり、うねりおよび配線メタライズの厚さばらつき等に
より、実装配線基板の金バンプと半導体チップの金バン
プとの接続不良を生じることがある。
リップチップボンディングにおいては、実装配線基板の
そり、うねりおよび配線メタライズの厚さばらつき等に
より、実装配線基板の金バンプと半導体チップの金バン
プとの接続不良を生じることがある。
【０００５】しかしながら、従来のフリップチップボン
ディングでは、実装配線基板および半導体チップの金バ
ンプ間での接続不良が充分に確認できないため、信頼性
の高いフリップチップボンディングが実現できないとい
う問題点があることを本発明者は見出した。
ディングでは、実装配線基板および半導体チップの金バ
ンプ間での接続不良が充分に確認できないため、信頼性
の高いフリップチップボンディングが実現できないとい
う問題点があることを本発明者は見出した。
【０００６】本発明の目的は、金属バンプの接続異常が
容易に検出でき、高信頼性のフリップチップボンディン
グが実現できる半導体集積回路装置を提供することにあ
る。
容易に検出でき、高信頼性のフリップチップボンディン
グが実現できる半導体集積回路装置を提供することにあ
る。
【０００７】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
【０００９】（１）本発明の半導体集積回路装置は、実
装配線基板上に電極接続用の金属バンプが形成され、前
記金属バンプを用いたフリップチップボンディングによ
り前記実装配線基板上に半導体チップが実装され、前記
半導体チップの近傍の前記実装配線基板上に前記金属バ
ンプと同一高さのダミーバンプを形成したものである。
装配線基板上に電極接続用の金属バンプが形成され、前
記金属バンプを用いたフリップチップボンディングによ
り前記実装配線基板上に半導体チップが実装され、前記
半導体チップの近傍の前記実装配線基板上に前記金属バ
ンプと同一高さのダミーバンプを形成したものである。
【００１０】（２）本発明の半導体集積回路装置は、ダ
ミーバンプおよび電極接続用の金属バンプを室温あるい
は加熱状態にし、表面が平滑な治具を用いて一括加重し
て平坦化したものである。
ミーバンプおよび電極接続用の金属バンプを室温あるい
は加熱状態にし、表面が平滑な治具を用いて一括加重し
て平坦化したものである。
【００１１】（３）本発明の半導体集積回路装置は、ダ
ミーバンプを半導体チップの各辺の近傍に形成したもの
である。
ミーバンプを半導体チップの各辺の近傍に形成したもの
である。
【００１２】（４）本発明の半導体集積回路装置は、ダ
ミーバンプを半導体チップの各コーナーの近傍に形成し
たものである。
ミーバンプを半導体チップの各コーナーの近傍に形成し
たものである。
【００１３】（５）本発明の半導体集積回路装置は、ダ
ミーバンプと電極接続用の金属バンプとを同種の金属に
より形成したものである。
ミーバンプと電極接続用の金属バンプとを同種の金属に
より形成したものである。
【００１４】
【作用】前述した手段によれば、ダミーバンプを、半導
体チップの各辺または各コーナーの近傍の実装配線基板
上に、電極接続用の金属バンプと同一高さに平坦化して
形成したので、フリップチップボンディング実装後に、
ダミーバンプの上面を基準面として、半導体チップ裏面
までの高さが測定され、フリップチップボンディング実
装時の半導体チップの傾き異常が容易に検出される。
体チップの各辺または各コーナーの近傍の実装配線基板
上に、電極接続用の金属バンプと同一高さに平坦化して
形成したので、フリップチップボンディング実装後に、
ダミーバンプの上面を基準面として、半導体チップ裏面
までの高さが測定され、フリップチップボンディング実
装時の半導体チップの傾き異常が容易に検出される。
【００１５】また、ダミーバンプと電極接続用の金属バ
ンプとを同種の金属により形成することにより、ダミー
バンプおよび電極接続用の金属バンプの同一工程内での
形成が可能となる。
ンプとを同種の金属により形成することにより、ダミー
バンプおよび電極接続用の金属バンプの同一工程内での
形成が可能となる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１〜図７に基づ
いて詳細に説明する。ここで、図１はダミーバンプを有
する半導体集積回路装置の要部斜視図、図２〜図７は半
導体集積回路装置の製造工程断面図である。なお、実施
例を説明するための全図において同一の機能を有するも
のは同一の符号を付け、その繰り返しの説明は省略す
る。
いて詳細に説明する。ここで、図１はダミーバンプを有
する半導体集積回路装置の要部斜視図、図２〜図７は半
導体集積回路装置の製造工程断面図である。なお、実施
例を説明するための全図において同一の機能を有するも
のは同一の符号を付け、その繰り返しの説明は省略す
る。
【００１７】図１において、アルミナセラミック等から
成る実装配線基板２の下面には、金属ベース１が接合さ
れている。実装配線基板２上の所定領域には、表面配線
３が形成され、表面配線３上には、多数の電極接続用金
バンプ４が形成されている。
成る実装配線基板２の下面には、金属ベース１が接合さ
れている。実装配線基板２上の所定領域には、表面配線
３が形成され、表面配線３上には、多数の電極接続用金
バンプ４が形成されている。
【００１８】また、多数の電極接続用金バンプ４上に
は、電極接続用金バンプ４と同数の金バンプ５が個別に
接着されている。金バンプ５は、矩形状の半導体チップ
６の集積回路形成面にある電極パッド８上に形成され、
半導体チップ６が電極接続用金バンプ４および金バンプ
５を介して実装配線基板２の表面配線３上に実装されて
いる。
は、電極接続用金バンプ４と同数の金バンプ５が個別に
接着されている。金バンプ５は、矩形状の半導体チップ
６の集積回路形成面にある電極パッド８上に形成され、
半導体チップ６が電極接続用金バンプ４および金バンプ
５を介して実装配線基板２の表面配線３上に実装されて
いる。
【００１９】さらに、実装配線基板２上には、半導体チ
ップ６の各辺に隣接し電極接続に寄与しないダミー金バ
ンプ７が複数配設されている。
ップ６の各辺に隣接し電極接続に寄与しないダミー金バ
ンプ７が複数配設されている。
【００２０】次に、かかる構成を有する半導体集積回路
装置の製造方法を述べる。
装置の製造方法を述べる。
【００２１】まず、半導体チップ６の電極パッド８上に
金線ワイヤボンディング、すなわち、加熱、超音波また
は両者のエネルギーを用いたネイルヘッドボンディング
により、例えばバンプ径１２０μｍ，バンプ高さ８０μ
ｍ×２段の金バンプ５を多数圧着形成する（図２参
照）。
金線ワイヤボンディング、すなわち、加熱、超音波また
は両者のエネルギーを用いたネイルヘッドボンディング
により、例えばバンプ径１２０μｍ，バンプ高さ８０μ
ｍ×２段の金バンプ５を多数圧着形成する（図２参
照）。
【００２２】また、アルミナセラミック等から成る実装
配線基板２には、同じくアルミナセラミック等から成る
リング状の封止用ダム枠９を積層焼結して一体化してい
る。
配線基板２には、同じくアルミナセラミック等から成る
リング状の封止用ダム枠９を積層焼結して一体化してい
る。
【００２３】さらに、実装配線基板２上および封止用ダ
ム枠９上には、前記積層焼結前に、例えばタングステン
（Ｗ）インクを印刷して、各々表面配線３と封止用メタ
ライズ１０を形成している。
ム枠９上には、前記積層焼結前に、例えばタングステン
（Ｗ）インクを印刷して、各々表面配線３と封止用メタ
ライズ１０を形成している。
【００２４】表面配線３および封止用メタライズ１０
は、表面にニッケル（Ｎｉ）メッキを施し、この段階に
て封止用ダム枠９の下面にはアウターリード１１を、ま
た実装配線基板２の下面には金属ベース１を、共に例え
ば銀ろう（Ａｇ−Ｃｕ合金）を各部材間に載置し、これ
を加熱溶融させて接合する。
は、表面にニッケル（Ｎｉ）メッキを施し、この段階に
て封止用ダム枠９の下面にはアウターリード１１を、ま
た実装配線基板２の下面には金属ベース１を、共に例え
ば銀ろう（Ａｇ−Ｃｕ合金）を各部材間に載置し、これ
を加熱溶融させて接合する。
【００２５】そして、表面配線３および封止用メタライ
ズ１０は、表面に金（Ａｕ）メッキを施す。
ズ１０は、表面に金（Ａｕ）メッキを施す。
【００２６】その後、表面配線３上に、金線ワイヤボン
ディングにより、例えばバンプ径１２０μｍ，バンプ高
さ８０μｍ×２段の電極接続用金バンプ４を形成すると
共に、実装配線基板２上の電極接続用金バンプ４の周囲
にダミー金バンプ７を複数圧着形成する（図３参照）。
ディングにより、例えばバンプ径１２０μｍ，バンプ高
さ８０μｍ×２段の電極接続用金バンプ４を形成すると
共に、実装配線基板２上の電極接続用金バンプ４の周囲
にダミー金バンプ７を複数圧着形成する（図３参照）。
【００２７】次に、電極接続用金バンプ４およびダミー
金バンプ７を平坦化治具、例えば先端に研磨したセラミ
ックチップ１２ａを有する治具１２を用いて、室温また
は加熱状態で、一括加重（例えば、４００ｇｆ／個）す
ることにより、電極接続用金バンプ４およびダミー金バ
ンプ７を圧縮平坦化して高さの揃った、例えばバンプ径
１８０μｍでバンプ高さ８０μｍの電極接続用金バンプ
４およびダミー金バンプ７を形成する。
金バンプ７を平坦化治具、例えば先端に研磨したセラミ
ックチップ１２ａを有する治具１２を用いて、室温また
は加熱状態で、一括加重（例えば、４００ｇｆ／個）す
ることにより、電極接続用金バンプ４およびダミー金バ
ンプ７を圧縮平坦化して高さの揃った、例えばバンプ径
１８０μｍでバンプ高さ８０μｍの電極接続用金バンプ
４およびダミー金バンプ７を形成する。
【００２８】このように、電極接続用金バンプ４および
ダミー金バンプ７を圧縮平坦化することで、実装配線基
板２のそりやうねりおよび傾きを吸収した電極接続用金
バンプ４とダミー金バンプ７とが形成される（図４参
照）。
ダミー金バンプ７を圧縮平坦化することで、実装配線基
板２のそりやうねりおよび傾きを吸収した電極接続用金
バンプ４とダミー金バンプ７とが形成される（図４参
照）。
【００２９】その後、表面配線３上に形成した電極接続
用金バンプ４と半導体チップ６の電極パッド８上に形成
した金バンプ５とを位置合わせする（図５参照）。
用金バンプ４と半導体チップ６の電極パッド８上に形成
した金バンプ５とを位置合わせする（図５参照）。
【００３０】続いて、電極接続用金バンプ４と金バンプ
５とを、互いに加熱および半導体チップ６上より加重す
ることにより熱圧着接合する（図６参照）。
５とを、互いに加熱および半導体チップ６上より加重す
ることにより熱圧着接合する（図６参照）。
【００３１】しかる後、封止用ダム枠９上の封止用メタ
ライズ１０上に、例えばＡｕ−２０Ｓｎ合金から成るリ
ング状の封止用ろう材１３を載置した後、これを加熱溶
融させることにより封止用メタライズ１０と、例えば金
メッキされた４２アロイのキャップ１４とを接合し、半
導体チップ６を封止する。かくして、工程を終了する
（図７参照）。
ライズ１０上に、例えばＡｕ−２０Ｓｎ合金から成るリ
ング状の封止用ろう材１３を載置した後、これを加熱溶
融させることにより封止用メタライズ１０と、例えば金
メッキされた４２アロイのキャップ１４とを接合し、半
導体チップ６を封止する。かくして、工程を終了する
（図７参照）。
【００３２】従って、かかる半導体集積回路装置によれ
ば、フリップチップボンディング実装後に、実装配線基
板２のそり、うねりおよび傾きを吸収して電極接続用金
バンプ４と同一高さに平坦化されたダミー金バンプ７の
上面から半導体チップ６の裏面までの高さを測定するこ
とにより、半導体チップ６の金バンプ５の高さが容易に
確認される。
ば、フリップチップボンディング実装後に、実装配線基
板２のそり、うねりおよび傾きを吸収して電極接続用金
バンプ４と同一高さに平坦化されたダミー金バンプ７の
上面から半導体チップ６の裏面までの高さを測定するこ
とにより、半導体チップ６の金バンプ５の高さが容易に
確認される。
【００３３】よって、フリップチップボンディング実装
時の半導体チップ６の傾き異常が検出され、半導体チッ
プ６の金バンプ５と実装配線基板２の電極接続用金バン
プ４との未接続が検出される。
時の半導体チップ６の傾き異常が検出され、半導体チッ
プ６の金バンプ５と実装配線基板２の電極接続用金バン
プ４との未接続が検出される。
【００３４】さらに、半導体チップ６の金バンプ５と実
装配線基板２の電極接続用金バンプ４とのアライメント
異常が検出されると共に、荷重異常による半導体チップ
６のダメージが検出される。
装配線基板２の電極接続用金バンプ４とのアライメント
異常が検出されると共に、荷重異常による半導体チップ
６のダメージが検出される。
【００３５】従って、これらの異常検出によりバンプの
接続不良が防止でき、高信頼度のフリップチップボンデ
ィングが実現できる。
接続不良が防止でき、高信頼度のフリップチップボンデ
ィングが実現できる。
【００３６】また、電極接続用金バンプ４およびダミー
金バンプ７は同一プロセスで形成されるので、高信頼度
のフリップチップボンディングが簡便かつ安価に実現で
きる。
金バンプ７は同一プロセスで形成されるので、高信頼度
のフリップチップボンディングが簡便かつ安価に実現で
きる。
【００３７】なお、本実施例は、ダミー金バンプ７を半
導体チップ６の各辺の近傍に形成したが、半導体チップ
６の各コーナーの近傍に形成することにより、半導体チ
ップ６の傾き異常がより確実に検出されるようになる。
導体チップ６の各辺の近傍に形成したが、半導体チップ
６の各コーナーの近傍に形成することにより、半導体チ
ップ６の傾き異常がより確実に検出されるようになる。
【００３８】以上、本発明者によってなされた発明を、
実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実
施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない
範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実
施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない
範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００３９】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００４０】本発明によれば、電極接続用の金属バンプ
と同一高さに平坦化したダミーバンプを、半導体チップ
の各辺または各コーナーの近傍に設けたので、金属バン
プの接続不良が容易に検出でき、高信頼性のフリップチ
ップボンディングが実現できる。
と同一高さに平坦化したダミーバンプを、半導体チップ
の各辺または各コーナーの近傍に設けたので、金属バン
プの接続不良が容易に検出でき、高信頼性のフリップチ
ップボンディングが実現できる。
【００４１】また、ダミーバンプおよび電極接続用の金
属バンプを同一の金属で形成することにより、ダミーバ
ンプと電極接続用の金属バンプとが同一のプロセスで形
成可能となり、高信頼性のフリップチップボンディング
が簡便かつ安価に実現できる。
属バンプを同一の金属で形成することにより、ダミーバ
ンプと電極接続用の金属バンプとが同一のプロセスで形
成可能となり、高信頼性のフリップチップボンディング
が簡便かつ安価に実現できる。
【図１】本発明の一実施例であるダミーバンプを備えた
半導体集積回路装置の要部斜視図である。
半導体集積回路装置の要部斜視図である。
【図２】本発明の一実施例であるダミーバンプを備えた
半導体集積回路装置の製造方法を説明する第１工程断面
図である。
半導体集積回路装置の製造方法を説明する第１工程断面
図である。
【図３】本発明の一実施例であるダミーバンプを備えた
半導体集積回路装置の製造方法を説明する第２工程断面
図である。
半導体集積回路装置の製造方法を説明する第２工程断面
図である。
【図４】本発明の一実施例であるダミーバンプを備えた
半導体集積回路装置の製造方法を説明する第３工程断面
図である。
半導体集積回路装置の製造方法を説明する第３工程断面
図である。
【図５】本発明の一実施例であるダミーバンプを備えた
半導体集積回路装置の製造方法を説明する第４工程断面
図である。
半導体集積回路装置の製造方法を説明する第４工程断面
図である。
【図６】本発明の一実施例であるダミーバンプを備えた
半導体集積回路装置の製造方法を説明する第５工程断面
図である。
半導体集積回路装置の製造方法を説明する第５工程断面
図である。
【図７】本発明の一実施例であるダミーバンプを備えた
半導体集積回路装置の製造方法を説明する第６工程断面
図である。
半導体集積回路装置の製造方法を説明する第６工程断面
図である。
１ 金属ベース ２ 実装配線基板 ３ 表面配線 ４ 電極接続用金バンプ ５ 金バンプ ６ 半導体チップ ７ ダミー金バンプ ８ 電極パッド ９ 封止用ダム枠 １０ 封止用メタライズ １１ アウターリード １２ 治具 １２ａ セラミックチップ １３ 封止用ろう材 １４ キャップ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 諏訪 元大 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 高橋 裕之 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 鎌田 千代士 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内
Claims (5)
- 【請求項１】 実装配線基板上に電極接続用の金属バン
プが形成され、前記金属バンプを用いたフリップチップ
ボンディングにより前記実装配線基板上に半導体チップ
が実装され、前記半導体チップの近傍の前記実装配線基
板上に前記金属バンプと同一高さのダミーバンプを形成
したことを特徴とする半導体集積回路装置。 - 【請求項２】 前記ダミーバンプおよび電極接続用の金
属バンプを室温あるいは加熱状態にし、表面が平滑な治
具を用いて一括加重して平坦化したことを特徴とする請
求項１記載の半導体集積回路装置。 - 【請求項３】 前記ダミーバンプを半導体チップの各辺
の近傍に形成したことを特徴とする請求項１記載の半導
体集積回路装置。 - 【請求項４】 前記ダミーバンプを半導体チップの各コ
ーナーの近傍に形成したことを特徴とする請求項１記載
の半導体集積回路装置。 - 【請求項５】 前記ダミーバンプと電極接続用の金属バ
ンプとを同種の金属により形成したことを特徴とする請
求項１記載の半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15502994A JPH0823011A (ja) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15502994A JPH0823011A (ja) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0823011A true JPH0823011A (ja) | 1996-01-23 |
Family
ID=15597120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15502994A Withdrawn JPH0823011A (ja) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0823011A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002270630A (ja) * | 2001-03-13 | 2002-09-20 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 平坦化装置及びヘッド |
-
1994
- 1994-07-06 JP JP15502994A patent/JPH0823011A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002270630A (ja) * | 2001-03-13 | 2002-09-20 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 平坦化装置及びヘッド |
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