JPH08213912A - 等しいレジスタンスの抵抗を備えた抵抗ストリング - Google Patents
等しいレジスタンスの抵抗を備えた抵抗ストリングInfo
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- JPH08213912A JPH08213912A JP7272422A JP27242295A JPH08213912A JP H08213912 A JPH08213912 A JP H08213912A JP 7272422 A JP7272422 A JP 7272422A JP 27242295 A JP27242295 A JP 27242295A JP H08213912 A JPH08213912 A JP H08213912A
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- H01C—RESISTORS
- H01C3/00—Non-adjustable metal resistors made of wire or ribbon, e.g. coiled, woven or formed as grids
- H01C3/10—Non-adjustable metal resistors made of wire or ribbon, e.g. coiled, woven or formed as grids the resistive element having zig-zag or sinusoidal configuration
- H01C3/12—Non-adjustable metal resistors made of wire or ribbon, e.g. coiled, woven or formed as grids the resistive element having zig-zag or sinusoidal configuration lying in one plane
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 方向反転を含む抵抗ストリングにおける抵抗
精度を向上する。 【解決手段】 一連の抵抗から構成される金属ランナの
抵抗ストリングを含み、各抵抗が少なくとも１つのラン
ナ方向変更特徴を含む集積回路が開示されている。第１
および第２のエレメントの接続点は、抵抗ストリングの
ランナ内のコーナーのような方向変更特徴を形成する。
抵抗ストリングに沿ってタップが実質的に等しいレジス
タンス間隔で位置されている。第１および第２のエレメ
ントは異なる端寸法のスクエアである。抵抗ストリング
は、デジタル・アナログ変換器のような用途に有用であ
る。
精度を向上する。 【解決手段】 一連の抵抗から構成される金属ランナの
抵抗ストリングを含み、各抵抗が少なくとも１つのラン
ナ方向変更特徴を含む集積回路が開示されている。第１
および第２のエレメントの接続点は、抵抗ストリングの
ランナ内のコーナーのような方向変更特徴を形成する。
抵抗ストリングに沿ってタップが実質的に等しいレジス
タンス間隔で位置されている。第１および第２のエレメ
ントは異なる端寸法のスクエアである。抵抗ストリング
は、デジタル・アナログ変換器のような用途に有用であ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般的には、等し
いレジスタンスの抵抗を備えた抵抗ストリングを有する
集積回路に関し、特に、このような抵抗ストリングを有
するデジタル・アナログ変換器（ＤＡＣｓ）に関するも
のである。
いレジスタンスの抵抗を備えた抵抗ストリングを有する
集積回路に関し、特に、このような抵抗ストリングを有
するデジタル・アナログ変換器（ＤＡＣｓ）に関するも
のである。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】ＤＡＣｓはデジタル的
に符号化された信号をアナログ信号に変換するために、
あるいはアナログ・デジタル変換器の一部としての逐次
近似回路（ｓｕｃｃｅｓｓｉｖｅ ａｐｐｒｏｘｉｍａ
ｔｉｏｎ ｃｉｒｃｕｉｔｒｙ）とともに使用される。
ＤＡＣｓはデジタル的に符号化された信号を、デジタル
的に符号化された信号に対応するアナログ信号、典型的
には電圧、に変換する。アナログ信号は、デジタル的に
符号化された信号の範囲に対応する予め定められた範囲
に亘る多くの異なる値をとることができる。
に符号化された信号をアナログ信号に変換するために、
あるいはアナログ・デジタル変換器の一部としての逐次
近似回路（ｓｕｃｃｅｓｓｉｖｅ ａｐｐｒｏｘｉｍａ
ｔｉｏｎ ｃｉｒｃｕｉｔｒｙ）とともに使用される。
ＤＡＣｓはデジタル的に符号化された信号を、デジタル
的に符号化された信号に対応するアナログ信号、典型的
には電圧、に変換する。アナログ信号は、デジタル的に
符号化された信号の範囲に対応する予め定められた範囲
に亘る多くの異なる値をとることができる。
【０００３】ＤＡＣｓは、等しいレジスタンスの抵抗を
直列接続して構成される抵抗ストリングを採用してい
る。抵抗ストリング内の隣接した抵抗の間、並びに抵抗
ストリングと抵抗ストリングを励起（ｅｎｅｒｇｉｚ
ｅ）するエネルギー源との間には、中間タップがある。
出力ノードと中間タップとの間に接続されたスイッチ
は、オンされたときにはそれぞれの中間タップを出力ノ
ードに電気的に接続し、またオンされたときには中間タ
ップを出力ノードから絶縁する。
直列接続して構成される抵抗ストリングを採用してい
る。抵抗ストリング内の隣接した抵抗の間、並びに抵抗
ストリングと抵抗ストリングを励起（ｅｎｅｒｇｉｚ
ｅ）するエネルギー源との間には、中間タップがある。
出力ノードと中間タップとの間に接続されたスイッチ
は、オンされたときにはそれぞれの中間タップを出力ノ
ードに電気的に接続し、またオンされたときには中間タ
ップを出力ノードから絶縁する。
【０００４】抵抗が形成された精度は得られたアナログ
信号の精度に影響を及ぼす。従来のＤＡＣｓの欠点は、
各抵抗が同じレジスタンスを有するように抵抗ストリン
グを製造することの困難さにあり、これは抵抗ストリン
グのレイアウトが１つまたはそれより多い方向反転（ｄ
ｉｒｅｃｔｉｏｎ ｒｅｖｅｒｓａｌ）を含む場合には
特に困難であった。方向反転は、抵抗ストリングを、受
容可能なアスペクト比でチップ内に得られる集積回路上
の領域に制限するために導入される。抵抗が不正確に製
造された場合にはＤＡＣの出力で生成されたアナログ信
号が不正確なものとなってしまう。
信号の精度に影響を及ぼす。従来のＤＡＣｓの欠点は、
各抵抗が同じレジスタンスを有するように抵抗ストリン
グを製造することの困難さにあり、これは抵抗ストリン
グのレイアウトが１つまたはそれより多い方向反転（ｄ
ｉｒｅｃｔｉｏｎ ｒｅｖｅｒｓａｌ）を含む場合には
特に困難であった。方向反転は、抵抗ストリングを、受
容可能なアスペクト比でチップ内に得られる集積回路上
の領域に制限するために導入される。抵抗が不正確に製
造された場合にはＤＡＣの出力で生成されたアナログ信
号が不正確なものとなってしまう。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の例示的な実施の
形態によれば、集積回路は、電流経路を提供するために
直列接続された複数の抵抗からなる抵抗ストリングを含
んでいる。第１および第２のエレメント（要素）の接続
点は、抵抗ストリングのレイアウト内のレイアウト方向
変化特性を形成する。タップは抵抗ストリングに沿っ
て、実質的に等しい抵抗間隔で位置されている。本発明
の１つの実施の形態において、第１および第２のエレメ
ントは、異なる端寸法のスクエア（ｓｑｕａｒｅ）であ
る。抵抗ストリングは、デジタル・アナログ変換器のよ
うな用途に有用である。
形態によれば、集積回路は、電流経路を提供するために
直列接続された複数の抵抗からなる抵抗ストリングを含
んでいる。第１および第２のエレメント（要素）の接続
点は、抵抗ストリングのレイアウト内のレイアウト方向
変化特性を形成する。タップは抵抗ストリングに沿っ
て、実質的に等しい抵抗間隔で位置されている。本発明
の１つの実施の形態において、第１および第２のエレメ
ントは、異なる端寸法のスクエア（ｓｑｕａｒｅ）であ
る。抵抗ストリングは、デジタル・アナログ変換器のよ
うな用途に有用である。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の例示的な実施の形態を組
み込んだＤＡＣ１０の図式的な概要の説明図を図１に示
した。ＤＡＣ１０は、エネルギー源に接続された抵抗ス
トリングを含んでいる。スイッチが、中間タップを共通
の出力ノードに接続している。出力ノードに現れるアナ
ログ電圧の大きさは、どのスイッチがオンされたかに依
存している。出力は出力増幅器により増幅され、これは
出力を他の形式に変換する。本発明の抵抗ストリングは
モノシリック集積回路の形式で製造するために適してい
る。
み込んだＤＡＣ１０の図式的な概要の説明図を図１に示
した。ＤＡＣ１０は、エネルギー源に接続された抵抗ス
トリングを含んでいる。スイッチが、中間タップを共通
の出力ノードに接続している。出力ノードに現れるアナ
ログ電圧の大きさは、どのスイッチがオンされたかに依
存している。出力は出力増幅器により増幅され、これは
出力を他の形式に変換する。本発明の抵抗ストリングは
モノシリック集積回路の形式で製造するために適してい
る。
【０００７】抵抗ストリング１２は、一連の抵抗から構
成される。抵抗の数は、ユーザが決定した数、ｎとして
指定される。抵抗はＲ1 からＲn と称される。抵抗スト
リングを構成する抵抗のレジスタンスは、用途に依存す
るものである。各抵抗Ｒ1 からＲn のレジスタンスは、
当業者であれば、消費電力、抵抗ストリングの電位、並
びに抵抗ストリング内の抵抗の数などの種々のパラメー
タに基づいて容易に選択することができる。
成される。抵抗の数は、ユーザが決定した数、ｎとして
指定される。抵抗はＲ1 からＲn と称される。抵抗スト
リングを構成する抵抗のレジスタンスは、用途に依存す
るものである。各抵抗Ｒ1 からＲn のレジスタンスは、
当業者であれば、消費電力、抵抗ストリングの電位、並
びに抵抗ストリング内の抵抗の数などの種々のパラメー
タに基づいて容易に選択することができる。
【０００８】例示的な実施の形態では、抵抗ストリング
は、金属のスクエア毎にシート抵抗を有する、連続した
薄膜金属ランナ（ｒｕｎｎｅｒ）８である。典型的なシ
ート抵抗の値は、スクエア毎に０．０４Ωのオーダーで
ある。抵抗ストリングは典型的には、シリコン集積回路
上のアルミニウムの薄膜金属抵抗ネットワークである。
タップが、金属ランナから実質的に等しい抵抗間隔で延
在している。例示的な実施の形態の図１において、抵抗
ストリング１２は、２つの基準電位Ｖ1 とＶ2の間に接
続して示されている。抵抗ストリング１２は、電圧源ま
たは電流源のいずれかである、エネルギー源４により励
起される。単一終端モード（ｓｉｎｇｌｅ−ｅｎｄｅｄ
ｍｏｄｅ）に対しては、Ｖ1 は実質的に電力供給電圧
であり、またＶ2 はグランド電位である。
は、金属のスクエア毎にシート抵抗を有する、連続した
薄膜金属ランナ（ｒｕｎｎｅｒ）８である。典型的なシ
ート抵抗の値は、スクエア毎に０．０４Ωのオーダーで
ある。抵抗ストリングは典型的には、シリコン集積回路
上のアルミニウムの薄膜金属抵抗ネットワークである。
タップが、金属ランナから実質的に等しい抵抗間隔で延
在している。例示的な実施の形態の図１において、抵抗
ストリング１２は、２つの基準電位Ｖ1 とＶ2の間に接
続して示されている。抵抗ストリング１２は、電圧源ま
たは電流源のいずれかである、エネルギー源４により励
起される。単一終端モード（ｓｉｎｇｌｅ−ｅｎｄｅｄ
ｍｏｄｅ）に対しては、Ｖ1 は実質的に電力供給電圧
であり、またＶ2 はグランド電位である。
【０００９】スイッチＭ1 からＭn+1 が対応する中間タ
ップＴ1 からＴn+1 と出力ノード１４との間に接続され
ている。例示した実施の形態において、スイッチはＭＯ
Ｓトランジスタである。スイッチングトランジスタＭ1
からＭn+1 は、当業分野において公知のように、スイッ
チングトランジスタ選択および駆動回路２により制御さ
れる。トランジスタＭ1 からＭn+1 が切り換えられるこ
とによる過渡キャパシタ充電電流は零になることが許容
され、あるいは回路が安定することが許容される。
ップＴ1 からＴn+1 と出力ノード１４との間に接続され
ている。例示した実施の形態において、スイッチはＭＯ
Ｓトランジスタである。スイッチングトランジスタＭ1
からＭn+1 は、当業分野において公知のように、スイッ
チングトランジスタ選択および駆動回路２により制御さ
れる。トランジスタＭ1 からＭn+1 が切り換えられるこ
とによる過渡キャパシタ充電電流は零になることが許容
され、あるいは回路が安定することが許容される。
【００１０】ＤＡＣ１０は抵抗ストリング１２内に非常
に多数の抵抗を含んでいる。抵抗ストリングのレイアウ
トは１つの方向反転を、あるいは場合によっては多くの
方向反転を含んでおり、これによりストリング内部の全
ての抵抗のレジスタンスを同じに維持することがより困
難となるる。理想的には、電圧傾斜は、抵抗ストリング
内の各抵抗の差分電圧が実質的に同一であるような抵抗
ストリングに生成される。抵抗ストリングを通る電流は
抵抗ストリング内の全ての抵抗に共通であるので、各抵
抗の差分電圧を実質的に同じとするためには、各抵抗の
レジスタンスが他の抵抗のレジスタンスに実質的に同一
でなければならない。中間タップＴ1 からＴn+1 は、抵
抗ストリング１２に沿って実質的に等しいレジスタンス
で、好ましくは電流経路でない場所に、設けられてい
る。この場合、中間タップの存在は抵抗ストリングを流
れる電流に影響することはない。
に多数の抵抗を含んでいる。抵抗ストリングのレイアウ
トは１つの方向反転を、あるいは場合によっては多くの
方向反転を含んでおり、これによりストリング内部の全
ての抵抗のレジスタンスを同じに維持することがより困
難となるる。理想的には、電圧傾斜は、抵抗ストリング
内の各抵抗の差分電圧が実質的に同一であるような抵抗
ストリングに生成される。抵抗ストリングを通る電流は
抵抗ストリング内の全ての抵抗に共通であるので、各抵
抗の差分電圧を実質的に同じとするためには、各抵抗の
レジスタンスが他の抵抗のレジスタンスに実質的に同一
でなければならない。中間タップＴ1 からＴn+1 は、抵
抗ストリング１２に沿って実質的に等しいレジスタンス
で、好ましくは電流経路でない場所に、設けられてい
る。この場合、中間タップの存在は抵抗ストリングを流
れる電流に影響することはない。
【００１１】図２は、ランナ８における方向反転を含む
抵抗ストリング１２の部分を表した例示的な実施の形態
である。各抵抗Ｒ1 からＲn+1 は、他の抵抗と同じ幾何
学的な特徴を有するように構成される。各抵抗の幾何学
的な形状は、少なくとも、１つの導電材料のより短いエ
レメントとより導電材料のより長いエレメントを含む。
各抵抗は、少なくとも１つの、ランナを方向変更させる
幾何学的な特徴を含んでいる。
抵抗ストリング１２の部分を表した例示的な実施の形態
である。各抵抗Ｒ1 からＲn+1 は、他の抵抗と同じ幾何
学的な特徴を有するように構成される。各抵抗の幾何学
的な形状は、少なくとも、１つの導電材料のより短いエ
レメントとより導電材料のより長いエレメントを含む。
各抵抗は、少なくとも１つの、ランナを方向変更させる
幾何学的な特徴を含んでいる。
【００１２】抵抗Ｒ3 は、図３に拡大した示した通り、
ランナ８内で方向反転のない抵抗の典型である。このよ
うな抵抗のそれぞれは同じ領域、ランナを方向変更させ
る少なくとも１つの特徴、並びに同じレジスタンスを有
している。例示的な実施の形態では、ランナを方向変更
させる特徴は、ランナを実質的に９０°で方向変更させ
るコーナーである。方向反転のない抵抗はそれぞれ、導
電材料のより長いエレメント３４により相互接続され
た、導電材料の２つのより短いエレメント３０と３２を
含んでいる。各抵抗は少なくとも１つのコーナー３６な
いし３８を含んでいる。ランナ８内における方向反転す
る抵抗ではない抵抗は、２つのコーナー３６と３８を含
み、これはより短いエレメント３０と３２の交差におい
てより長いエレメント３４をそれぞれ備えているもので
ある。ランナ８内で方向反転する抵抗ではない抵抗は、
より短い第２および第２のエレメント３０と３２がより
長いエレメント３４から反対方向に延在するコーナーを
有している。この場合、抵抗ストリング１２を流れる電
流にとってこのような抵抗においてはそれぞれ同じレジ
スタンスおよび電流流れ特性となる。
ランナ８内で方向反転のない抵抗の典型である。このよ
うな抵抗のそれぞれは同じ領域、ランナを方向変更させ
る少なくとも１つの特徴、並びに同じレジスタンスを有
している。例示的な実施の形態では、ランナを方向変更
させる特徴は、ランナを実質的に９０°で方向変更させ
るコーナーである。方向反転のない抵抗はそれぞれ、導
電材料のより長いエレメント３４により相互接続され
た、導電材料の２つのより短いエレメント３０と３２を
含んでいる。各抵抗は少なくとも１つのコーナー３６な
いし３８を含んでいる。ランナ８内における方向反転す
る抵抗ではない抵抗は、２つのコーナー３６と３８を含
み、これはより短いエレメント３０と３２の交差におい
てより長いエレメント３４をそれぞれ備えているもので
ある。ランナ８内で方向反転する抵抗ではない抵抗は、
より短い第２および第２のエレメント３０と３２がより
長いエレメント３４から反対方向に延在するコーナーを
有している。この場合、抵抗ストリング１２を流れる電
流にとってこのような抵抗においてはそれぞれ同じレジ
スタンスおよび電流流れ特性となる。
【００１３】中間タップでは、導電ライン（図示せず）
が抵抗ストリングを接続またはバイア（ｖｉａ、ｖｉａ
ｓ）４２により相互接続する。導電ラインは、抵抗スト
リングの上または下に位置する層上にあり、また中間タ
ップをバイア４２により接続する。バイア４２および導
電ラインは中間タップのそれぞれにおける電圧を感知す
るために使用される。バイア４２は、抵抗ストリング１
２内の１つの抵抗のより短いエレメント３０と隣接する
抵抗のより短い第２のエレメント３２の接続点に位置す
る。ばいす４２は、１つの抵抗のより短いエレメント３
０と隣接する抵抗のより短いエレメント３２を組合わせ
た構造内の、電流流れ経路の外側に位置し、よってコー
ナー３６と３８から離れている。この場合、抵抗ストリ
ング１２内の１つの抵抗のより長いエレメント３４を通
り、コーナー３８の回りからより短いエレメント３２内
に、また隣接する抵抗のより短い低１のエレメント３０
内に、並びにコーナー３６の回りから隣接する抵抗のよ
り長いエレメント３４を通って流れる電流は、バイア４
２の存在により変更されることはない。
が抵抗ストリングを接続またはバイア（ｖｉａ、ｖｉａ
ｓ）４２により相互接続する。導電ラインは、抵抗スト
リングの上または下に位置する層上にあり、また中間タ
ップをバイア４２により接続する。バイア４２および導
電ラインは中間タップのそれぞれにおける電圧を感知す
るために使用される。バイア４２は、抵抗ストリング１
２内の１つの抵抗のより短いエレメント３０と隣接する
抵抗のより短い第２のエレメント３２の接続点に位置す
る。ばいす４２は、１つの抵抗のより短いエレメント３
０と隣接する抵抗のより短いエレメント３２を組合わせ
た構造内の、電流流れ経路の外側に位置し、よってコー
ナー３６と３８から離れている。この場合、抵抗ストリ
ング１２内の１つの抵抗のより長いエレメント３４を通
り、コーナー３８の回りからより短いエレメント３２内
に、また隣接する抵抗のより短い低１のエレメント３０
内に、並びにコーナー３６の回りから隣接する抵抗のよ
り長いエレメント３４を通って流れる電流は、バイア４
２の存在により変更されることはない。
【００１４】図４は、図２の状態から拡大して示したラ
ンナ８内の方向反転抵抗を示したものである。ランナ８
内の方向反転抵抗ＤＲ１とＤＲ２は、ランナ８内で方向
反転していない抵抗と実質的に同じレジスタンス維持す
るために比例して大きくなっている。より長いエレメン
ト１３４の幅１５０は、より長いエレメント３４の幅５
０（図３）より大きい。コーナー１３６からラインセグ
メント１４８までのより長いエレメント１３４の長さ
は、コーナー３６の近くの端４６からコーナー３８の近
くの端４６までのより長いエレメント３４（図３）の対
応する長さよりも大きい。より長いエレメント１３４の
長さと幅は、より長いエレメント３４の対応する長さと
幅よりも比例して大きく、これによりより長いエレメン
ト１３４のレジスタンスはより長いエレメント３４のレ
ジスタンスと実質的に同じである。各ランナ８の方向反
転抵抗はコーナー１３６を有している。例示的な実施の
形態におけるコーナー１３６ランナ８の方向を反転する
ことに貢献している。より長いエレメント１３４の幅１
５０を収容するため、より短いエレメント１３０はより
短いエレメント３０よりも広い。バイア１４２はランナ
８の金属延長部１４１上においてランナ８の方向反転抵
抗ＤＲ１とＤＲ２の間に、電流流れ経路の外側に位置し
ている。
ンナ８内の方向反転抵抗を示したものである。ランナ８
内の方向反転抵抗ＤＲ１とＤＲ２は、ランナ８内で方向
反転していない抵抗と実質的に同じレジスタンス維持す
るために比例して大きくなっている。より長いエレメン
ト１３４の幅１５０は、より長いエレメント３４の幅５
０（図３）より大きい。コーナー１３６からラインセグ
メント１４８までのより長いエレメント１３４の長さ
は、コーナー３６の近くの端４６からコーナー３８の近
くの端４６までのより長いエレメント３４（図３）の対
応する長さよりも大きい。より長いエレメント１３４の
長さと幅は、より長いエレメント３４の対応する長さと
幅よりも比例して大きく、これによりより長いエレメン
ト１３４のレジスタンスはより長いエレメント３４のレ
ジスタンスと実質的に同じである。各ランナ８の方向反
転抵抗はコーナー１３６を有している。例示的な実施の
形態におけるコーナー１３６ランナ８の方向を反転する
ことに貢献している。より長いエレメント１３４の幅１
５０を収容するため、より短いエレメント１３０はより
短いエレメント３０よりも広い。バイア１４２はランナ
８の金属延長部１４１上においてランナ８の方向反転抵
抗ＤＲ１とＤＲ２の間に、電流流れ経路の外側に位置し
ている。
【００１５】他の例示的な実施の形態の薄膜フィルム抵
抗ストリング１１２のレイアウトの概要の説明図を図５
に示した。抵抗ストリングは、幾つかの方向反転をもっ
て、レイアウトを横切って犂耕体状に（ｂｏｕｓｔｒｏ
ｐｈｅｄｏｎｉｃａｌｌｙ）前後に曲がりくねってい
る。抵抗のそれぞれは、同じ幾何学的な特徴から構成さ
れる。抵抗のそれぞれは、長いエレメントにより相互接
続された２つの短いエレメントを含んでいる。抵抗のそ
れぞれは、長いエレメントにより相互接続された２つの
短いエレメントを含んでいる。抵抗のそれぞれはまた、
ランナ８が第１の方向から、例えばエレメント２３０に
沿って、第１の方向と実質的に垂直である第２の方向
に、例えばエレメント２３４に沿って、方向を変えるよ
うになる特徴を含んでいる。ランナ８は次いで、実質的
に第１の方向と平行である、第３の方向で、例えばエレ
メント２３２に沿って、通過するために再度方向を変え
ている。例示的な実施の形態では、これは２つのコーナ
ーにより達成される。この場合、各抵抗内のランナ８の
同じ形状のために、抵抗ストリング１１２を通って流れ
る電流は各抵抗内で同じ抵抗にぶつかる。
抗ストリング１１２のレイアウトの概要の説明図を図５
に示した。抵抗ストリングは、幾つかの方向反転をもっ
て、レイアウトを横切って犂耕体状に（ｂｏｕｓｔｒｏ
ｐｈｅｄｏｎｉｃａｌｌｙ）前後に曲がりくねってい
る。抵抗のそれぞれは、同じ幾何学的な特徴から構成さ
れる。抵抗のそれぞれは、長いエレメントにより相互接
続された２つの短いエレメントを含んでいる。抵抗のそ
れぞれは、長いエレメントにより相互接続された２つの
短いエレメントを含んでいる。抵抗のそれぞれはまた、
ランナ８が第１の方向から、例えばエレメント２３０に
沿って、第１の方向と実質的に垂直である第２の方向
に、例えばエレメント２３４に沿って、方向を変えるよ
うになる特徴を含んでいる。ランナ８は次いで、実質的
に第１の方向と平行である、第３の方向で、例えばエレ
メント２３２に沿って、通過するために再度方向を変え
ている。例示的な実施の形態では、これは２つのコーナ
ーにより達成される。この場合、各抵抗内のランナ８の
同じ形状のために、抵抗ストリング１１２を通って流れ
る電流は各抵抗内で同じ抵抗にぶつかる。
【００１６】抵抗ストリング１１２内の各抵抗は、導電
材料のより長いエレメント２３４により相互接続された
導電性の材料の２つのより短いエレメント２３０と２３
２から構成される。各抵抗は２つのコーナー２３６と２
３８を含み、１つはそれぞれより短いエレメント２３０
と２３２の交差点により長いエレメント２３４とともに
ある。抵抗のほどんどが、より短いエレメント２３０と
２３２がより長いエレメント２３４から反対方向に延在
するコーナーを有しているが、方向反転の位置にある抵
抗ＤＲは、より短いエレメント２３０と２３２がより長
いエレメント２３４から同じ方向に延在するコーナーを
有している。ランナ８内の延在部２４０は各中間タップ
Ｔ1 からＴn+1 から、トランジスタのようなスイッチン
グデバイスの端子の回りに延在する。延在部２４内のバ
イア２４２は各金属延在部を、抵抗ストリング１１２の
上ないし下の層内に形成される、金属延在部を接続して
いる。
材料のより長いエレメント２３４により相互接続された
導電性の材料の２つのより短いエレメント２３０と２３
２から構成される。各抵抗は２つのコーナー２３６と２
３８を含み、１つはそれぞれより短いエレメント２３０
と２３２の交差点により長いエレメント２３４とともに
ある。抵抗のほどんどが、より短いエレメント２３０と
２３２がより長いエレメント２３４から反対方向に延在
するコーナーを有しているが、方向反転の位置にある抵
抗ＤＲは、より短いエレメント２３０と２３２がより長
いエレメント２３４から同じ方向に延在するコーナーを
有している。ランナ８内の延在部２４０は各中間タップ
Ｔ1 からＴn+1 から、トランジスタのようなスイッチン
グデバイスの端子の回りに延在する。延在部２４内のバ
イア２４２は各金属延在部を、抵抗ストリング１１２の
上ないし下の層内に形成される、金属延在部を接続して
いる。
【００１７】図６に、他の例示的な実施の形態のレイア
ウトの概要の説明図を示した。この実施の形態では、抵
抗ストリング２１２はレイアウトを横に前後に曲がりく
ねっており、またいくつかの方向反転を含んでいる。各
抵抗は同じ幾何学的な特徴を有し、またコーナーのよう
な、ランナを方向変更させる少なくとも１つの特徴を含
んでいる。各抵抗は、一例の隣接するスクエアをトポロ
ジー的に減少させることができる形状を有している。
ウトの概要の説明図を示した。この実施の形態では、抵
抗ストリング２１２はレイアウトを横に前後に曲がりく
ねっており、またいくつかの方向反転を含んでいる。各
抵抗は同じ幾何学的な特徴を有し、またコーナーのよう
な、ランナを方向変更させる少なくとも１つの特徴を含
んでいる。各抵抗は、一例の隣接するスクエアをトポロ
ジー的に減少させることができる形状を有している。
【００１８】均一な厚さの金属のスクエアのシート抵抗
は、スクエアの端の長さに係わらず一定である。このよ
うな金属の複数のスクエアの外側に抵抗を形成すること
で、各抵抗の幾何学的な形状が同一でなく、また金属の
スクエアが寸法が異なる場合であっても、同じレジスタ
ンスの抵抗を得ることができる。
は、スクエアの端の長さに係わらず一定である。このよ
うな金属の複数のスクエアの外側に抵抗を形成すること
で、各抵抗の幾何学的な形状が同一でなく、また金属の
スクエアが寸法が異なる場合であっても、同じレジスタ
ンスの抵抗を得ることができる。
【００１９】図６において各抵抗Ｒ1 からＲn+1 は、種
々の配列の、同じエレメント４０６、４０１、４０６お
よび４０８から構成される。例示した実施の形態では、
エレメントはそれぞれ抵抗を形成する４つのスクエアを
備えたスクエアである。同様に提示した実施の形態で
は、エレメント４０４、４０６および４０８は端の寸法
が同じである。この発明はこれに限定されない。抵抗ス
トリング２１２内の各抵抗は同じエレメントから構成さ
れるものとして説明したが、抵抗を連続したランナで形
成しても良い。
々の配列の、同じエレメント４０６、４０１、４０６お
よび４０８から構成される。例示した実施の形態では、
エレメントはそれぞれ抵抗を形成する４つのスクエアを
備えたスクエアである。同様に提示した実施の形態で
は、エレメント４０４、４０６および４０８は端の寸法
が同じである。この発明はこれに限定されない。抵抗ス
トリング２１２内の各抵抗は同じエレメントから構成さ
れるものとして説明したが、抵抗を連続したランナで形
成しても良い。
【００２０】大きな端寸法のスクエアが小さい端寸法の
スクエアに隣接して位置したときには、ランナの方向変
更ないしコーナーが形成される。各抵抗Ｒ1 からＲn+1
は少なくとも１つのこのようなランナの方向変更ないし
コーナーを含んでいる。
スクエアに隣接して位置したときには、ランナの方向変
更ないしコーナーが形成される。各抵抗Ｒ1 からＲn+1
は少なくとも１つのこのようなランナの方向変更ないし
コーナーを含んでいる。
【００２１】トランジスタのようなスイッチングデバイ
スの端子にタップを設けるために、中間の位置には抵抗
ストリング２１２からの延在部３４０が延在している。
バイア３４２は各延在部を、集積回路内で抵抗ストリン
グ２１２の上ないし下の層内部に形成されたトランジス
タに接続する。
スの端子にタップを設けるために、中間の位置には抵抗
ストリング２１２からの延在部３４０が延在している。
バイア３４２は各延在部を、集積回路内で抵抗ストリン
グ２１２の上ないし下の層内部に形成されたトランジス
タに接続する。
【００２２】本発明は、通信システムおよびデジタル・
アナログおよびアナログ・デジタル変換器用途における
集積回路を採用した装置に特に有用である。そして、こ
のような通信システムや装置に、デジタル的に符号化さ
れた信号を対応するアナログ信号に正確に変換し、また
アナログ信号を対応するデジタル的に符号化された信号
に正確に変換するという特徴を持たせることができる。
アナログおよびアナログ・デジタル変換器用途における
集積回路を採用した装置に特に有用である。そして、こ
のような通信システムや装置に、デジタル的に符号化さ
れた信号を対応するアナログ信号に正確に変換し、また
アナログ信号を対応するデジタル的に符号化された信号
に正確に変換するという特徴を持たせることができる。
【００２３】本発明の例示的な実施の形態をコーナーの
ような、ランナの方向変更を含むものとして説明した
が、ランナの方向変更は９０°でなくても良い。同じラ
ンナの方向変更を達成するため、２つないしそれより多
くのこのような特徴が各愛知港に必要となる。さらに、
例示した実施の形態はまっすぐなエレメントからなる抵
抗を開示したものであるが、エレメントは曲線のような
他の形状とすることもできる。例示した実施の形態の抵
抗はアルミニウムのような金属から作られたものとして
説明したが、本発明はこれに限定されない。抵抗は集積
回路の予め定められたレベルにおいて作ることもでき
る。抵抗ストリングは、ドープされまたはドープされな
いポリシリコン、アルミニウムやタングステンのような
金属、あるいはアルミニウムないしタングステンのよう
な金属により被覆されたポリシリコン、あるいは窒素に
より被覆されたポリシリコンのような材料の層状の組み
合わせのような、抵抗性の材料で作ることもできる。ブ
ランケット層が堆積され次いでその後に所望の形状にパ
ターン処理される。
ような、ランナの方向変更を含むものとして説明した
が、ランナの方向変更は９０°でなくても良い。同じラ
ンナの方向変更を達成するため、２つないしそれより多
くのこのような特徴が各愛知港に必要となる。さらに、
例示した実施の形態はまっすぐなエレメントからなる抵
抗を開示したものであるが、エレメントは曲線のような
他の形状とすることもできる。例示した実施の形態の抵
抗はアルミニウムのような金属から作られたものとして
説明したが、本発明はこれに限定されない。抵抗は集積
回路の予め定められたレベルにおいて作ることもでき
る。抵抗ストリングは、ドープされまたはドープされな
いポリシリコン、アルミニウムやタングステンのような
金属、あるいはアルミニウムないしタングステンのよう
な金属により被覆されたポリシリコン、あるいは窒素に
より被覆されたポリシリコンのような材料の層状の組み
合わせのような、抵抗性の材料で作ることもできる。ブ
ランケット層が堆積され次いでその後に所望の形状にパ
ターン処理される。
【図１】本発明の例示的な実施の形態によるデジタル・
アナログ変換器の図式的な概要の説明図である。
アナログ変換器の図式的な概要の説明図である。
【図２】本発明の例示的な実施の形態による抵抗ストリ
ングのレイアウトの概要の説明図である。
ングのレイアウトの概要の説明図である。
【図３】図２におけるストリング抵抗および２つの隣接
した中間タップの拡大図である。
した中間タップの拡大図である。
【図４】図２に示された方向反転抵抗の、隣接する中間
タップに沿った拡大図である。
タップに沿った拡大図である。
【図５】薄膜抵抗ストリングの他の例示的な実施の形態
のレイアウトの概要の説明図である。
のレイアウトの概要の説明図である。
【図６】薄膜抵抗ストリングの他の例示的な実施の形態
のレイアウトの概要の説明図である。
のレイアウトの概要の説明図である。
８ ランナ １０ ＤＡＣ １２ 抵抗ストリング ３０、３２ エレメント ３６、３８ コーナー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ザヤムクランガラ ラマスワミー ヴィス ワナザン アメリカ合衆国 19529 ペンシルヴァニ ア，ケンプトン，ボックス 149イー，ア ールデーナンバー１
Claims (21)
- 【請求項１】 少なくとも１つのランナの方向反転を有
する抵抗性の材料のランナの抵抗ストリングを含む集積
回路において、 電流経路を提供する複数の直列に接続された抵抗（Ｒ1
からＲn+1 ）であり、前記抵抗（Ｒ1 からＲn+1 ）はそ
れぞれ第１のエレメント（例えば、３０または３２；２
３０または２３２；４０２）と第２のエレメント（例え
ば、３４；１３４；２３４；４０４）を有し、第１およ
び第２のエレメントは隣接しておりまたその接続点にラ
ンナの方向変更特徴が形成されており、抵抗ストリング
（例えば、１２；１１２；２１２）は実質的に等しいレ
ジスタンス間隔でタップ（Ｔ1 からＴn+1 ）を有し、抵
抗ストリング（例えば、１２；１１２；２１２）内の各
抵抗（Ｒ1 からＲn+1 ）はランナの方向変更特徴を含
み、少なくとも１つの抵抗におけるランナの方向変更特
徴が方向反転を容易にする、集積回路。 - 【請求項２】 第１のエレメントがより短いエレメント
（例えば、３０または３２；１３０；２３０または２３
２）からなり、第２のエレメント（例えば、３４；１３
４；２３４）がより長いエレメントからなり、より短い
エレメント（例えば、３０または３２）はより長いエレ
メント（例えば、３４）の第１の端に隣接している、請
求項１記載の集積回路。 - 【請求項３】 抵抗ストリング（例えば、１２）内の少
なくとも１つの抵抗（Ｒ1 からＲn+1 ）が第２のより短
いエレメント（例えば、３２または３０）を有し、前記
少なくとも１つの抵抗の第２のより短いエレメント（例
えば、３２または３０）はより長いエレメント（例え
ば、３４）の第２の端に接続されており、またこれとと
もに第２のランナの方向変更特徴を形成し、これによ
り、抵抗ストリング内の抵抗の少なくとも１つが電流経
路内に第２のランナの方向変更特徴を含んでいる、こと
をさらに含む請求項２記載の集積回路。 - 【請求項４】 少なくとも１つの抵抗が、より長いエレ
メント（例えば、３４）から反対方向に延在する第１
（例えば、３０または３２）および第２（例えば、３２
または３０）のより短いエレメントとともに方向変更特
徴を有している、請求項３記載の集積回路。 - 【請求項５】 少なくとも１つの抵抗（ＤＲ）が、より
長いエレメント（例えば、３４）から同じ方向に延在す
る第１（例えば、２３０または２３２）および第２（例
えば、２３２または２３０）のより短いエレメントとと
もに方向変更特徴を有している、請求項３記載の集積回
路。 - 【請求項６】 第１のエレメント（例えば、４０２）
が、第１の端寸法の端を有するスクエアからなり、第２
のエレメント（例えば、４０４）が、第２の端寸法の端
を有するスクエアからなり、第１および第２の端寸法は
異なり、第１および第２のエレメント（例えば、４０
２、４０４）は隣接しており、またそれらの接続点にお
いてランナの方向変更特徴が形成されており、これによ
り、抵抗ストリング内の各抵抗は電流経路内にランナの
方向変更特徴を含み、少なくとも１つの抵抗におけるラ
ンナの方向変更特徴が方向反転を容易にする、請求項１
記載の集積回路。 - 【請求項７】 第３のエレメント（例えば、４０６）を
さらに有し、前記第３のエレメント（例えば、４０６）
は第３の端寸法の端を有するスクエアからなり、前記第
３のエレメント（例えば、４０６）は前記第１（例え
ば、４０２）または第２（例えば、４０４）のエレメン
トの１つの端に隣接している、請求項６記載の集積回
路。 - 【請求項８】 第４のエレメント（例えば、４０８）を
さらに有し、前記第４のエレメント（例えば、４０８）
は端寸法を有するスクエアからなり、前記第４のエレメ
ント（例えば、４０８）の端は前記第１（例えば、４０
２）、第２（例えば、４０４）、または第３（例えば、
４０６）のエレメントの１つの端に隣接しており、前記
第４のエレメント（例えば、４０８）の端寸法は前記第
２（例えば、４０４）および第３（例えば、４０６）の
エレメントの端寸法と同じである、請求項６記載の集積
回路。 - 【請求項９】 デジタル・アナログ変換器（例えば、１
０）を含む集積回路において、 電流経路を提供し少なくとも１つのランナの方向反転を
有する抵抗ストリング（例えば、１２、１１２、２１
２）であり、抵抗ストリングは中間タップ（Ｔ１からＴ
ｎ＋１ ）を有しまた複数の抵抗（Ｒ1 からＲn+1 ）か
らなり、抵抗のそれぞれは第１のエレメント（例えば、
３０または３２；２３０または２３２；４０２）と第２
のエレメント（例えば、３４；１３４；２３４；４０
４）を有し、第１および第２のエレメントは隣接してお
りまた電流経路内にそれとともにランナの方向変更特徴
が形成されており、抵抗ストリング内の各抵抗はランナ
の方向変更特徴を含み、少なくとも１つの抵抗における
ランナの方向変更特徴が方向反転を容易にし、 スイッチングトランジスタ（Ｍ1 からＭn+1 ）であり、
スイッチングトランジスタ（Ｍ1 からＭn+1 ）はそれぞ
れの中間タップ（Ｔ1 からＴn+1 ）と出力ノード（例え
ば、１４）との間に接続されており、並びにトランジス
タを予め定められた状態に選択的に切り換えるために各
トランジスタ（Ｍ1 からＭn+1 ）の端子に接続された選
択回路（例えば、２）であり、出力ノード（例えば、１
４）にアナログ出力を生成するために選択回路（例え
ば、２）は少なくとも１つのスイッチングトランジスタ
を予め定められた状態に切り換えることができる、こと
からなる集積回路。 - 【請求項１０】 スイッチングトランジスタ（Ｍ1 から
Ｍn+1 ）の数が中間タップ（Ｔ1 からＴn+1 ）の数に対
応する、請求項９記載の集積回路。 - 【請求項１１】 第１のエレメント（例えば、３０また
は３２；２３０または２３２）がより短いエレメントか
らなり、第２のエレメント（例えば、３４；１３４；２
３４）がより長いエレメントからなり、より短いエレメ
ントはより長いエレメントの第１の端に隣接している、
請求項９記載の集積回路。 - 【請求項１２】 抵抗ストリング内の少なくとも１つの
抵抗が第２のより短いエレメント（例えば、３２または
３０；２３２または２３０）を有し、前記少なくとも１
つの抵抗の第２のより短いエレメントはより長いエレメ
ント（例えば、３４；２３４）の第２の端に接続されて
おり、またこれとともに第２のランナの方向変更特徴を
形成し、これにより、抵抗ストリング内の抵抗の少なく
とも１つが電流経路内に第２のランナの方向変更特徴を
含んでいる、ことをさらに含む請求項１１記載の集積回
路。 - 【請求項１３】 少なくとも１つの抵抗が、より長いエ
レメント（例えば、３４；２３４）から反対方向に延在
する第１（例えば、３０または３２；２３０または２３
２）および第２（例えば、３２または３０；２３２また
は２３０）のより短いエレメントとともに方向変更特徴
を有している、請求項１２記載の集積回路。 - 【請求項１４】 少なくとも１つの抵抗（ＤＲ）が、よ
り長いエレメント（例えば、２３４）から同じ方向に延
在する第１（例えば、２３０または２３２）および第２
（例えば、２３２または２３０）のより短いエレメント
とともに方向変更特徴を有している、請求項１２記載の
集積回路 - 【請求項１５】 第１のエレメント（例えば、４０２）
が、第１の端寸法の端を有するスクエアからなり、第２
のエレメント（例えば、４０４）が、第２の端寸法の端
を有するスクエアからなり、第１および第２の端寸法は
異なり、第１および第２のエレメント（例えば、４０
２、４０４）は隣接しており、またそれらの接続点にお
いてランナの方向変更特徴が形成されており、これによ
り、抵抗ストリング内の各抵抗はランナの方向変更特徴
を含み、少なくとも１つの抵抗におけるランナの方向変
更特徴が方向反転を容易にする、請求項９記載の集積回
路。 - 【請求項１６】 第３のエレメント（例えば、４０６）
をさらに有し、前記第３のエレメント（例えば、４０
６）は第３の端寸法の端を有するスクエアからなり、前
記第３のエレメント（例えば、４０６）の端は前記第１
（例えば、４０２）または第２（例えば、４０４）のエ
レメントの１つの端に隣接している、請求項１５記載の
集積回路。 - 【請求項１７】 第４のエレメント（例えば、４０８）
をさらに有し、前記第４のエレメント（例えば、４０
８）は端寸法を有するスクエアからなり、前記第４のエ
レメント（例えば、４０８）の端は前記第１（例えば、
４０２）、第２（例えば、４０４）、または第３（例え
ば、４０６）のエレメントの１つの端に隣接しており、
前記第４のエレメント（例えば、４０８）の端寸法は前
記第２（例えば、４０４）および第３（例えば、４０
６）のエレメントの端寸法と同じである、請求項１５記
載の集積回路。 - 【請求項１８】 抵抗性の材料が金属からなる、請求項
１記載の集積回路。 - 【請求項１９】 抵抗性の材料がドープされたポリシリ
コンからなる、請求項１記載の集積回路。 - 【請求項２０】 抵抗性の材料がドープされていないポ
リシリコンからなる、請求項１記載の集積回路。 - 【請求項２１】 抵抗性の材料が材料の層状の組み合わ
せからなる、請求項１記載の集積回路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US32717394A | 1994-10-21 | 1994-10-21 | |
| US08/327173 | 1994-10-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08213912A true JPH08213912A (ja) | 1996-08-20 |
Family
ID=23275465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7272422A Withdrawn JPH08213912A (ja) | 1994-10-21 | 1995-10-20 | 等しいレジスタンスの抵抗を備えた抵抗ストリング |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5534862A (ja) |
| EP (1) | EP0708532A1 (ja) |
| JP (1) | JPH08213912A (ja) |
| KR (1) | KR960016156A (ja) |
| CN (1) | CN1131820A (ja) |
| TW (1) | TW332356B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8094109B2 (en) | 2006-11-02 | 2012-01-10 | Renesas Electronics Corporation | Data driver with multilevel voltage generating circuit, and liquid crystal display apparatus including layout pattern of resistor string of the multilevel generating circuit |
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|---|---|---|---|---|
| KR0172818B1 (ko) * | 1994-09-30 | 1999-03-30 | 문정환 | 디지탈/아나로그 변환장치 |
| US5654712A (en) * | 1995-08-02 | 1997-08-05 | Holtek Microelectronics Inc. | Encoding control device |
| US5977897A (en) * | 1996-12-31 | 1999-11-02 | Lucent Technologies Inc. | Resistor string with equal resistance resistors and converter incorporating the same |
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| US6222474B1 (en) | 1999-08-31 | 2001-04-24 | Texas Instruments Incorporated | Resistor string digital-to-analog converter with boosted control based on differential input between successively received input words |
| KR100355064B1 (ko) * | 2000-01-14 | 2002-10-05 | 주식회사 다담하이테크 | 레이저 가공장치 |
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| JP5072068B2 (ja) * | 2006-12-25 | 2012-11-14 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 抵抗分割回路 |
| US8031100B2 (en) * | 2009-04-24 | 2011-10-04 | Intersil Americas Inc. | Fine resistance adjustment for polysilicon |
| US8514120B2 (en) * | 2011-11-08 | 2013-08-20 | Texas Instruments Incorporated | Digital-to-analog converter with a shared resistor string |
| US10425098B2 (en) * | 2017-05-04 | 2019-09-24 | Analog Devices Global | Digital-to-analog converter (DAC) termination |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58219877A (ja) * | 1982-06-14 | 1983-12-21 | Fujitsu Ltd | 撮像装置 |
| JPS60112327A (ja) * | 1983-11-22 | 1985-06-18 | Sharp Corp | Ｍｏｓ集積回路のｄａコンバ−タ |
| KR930001724B1 (ko) * | 1985-03-25 | 1993-03-12 | 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 | 저항체 및 이것을 사용한 전자장치 |
| US4928102A (en) * | 1988-08-11 | 1990-05-22 | Brooktree Corporation | Flash analog-to-digital converter with logarithmic/linear threshold voltages |
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| US5059978A (en) * | 1990-12-20 | 1991-10-22 | Vlsi Technology, Inc. | Resistor-string digital to analog converters with auxiliary coarse ladders |
| JPH05268090A (ja) * | 1992-03-17 | 1993-10-15 | Mitsubishi Electric Corp | 抵抗ラダー及びデコード方式 |
-
1994
- 1994-11-23 TW TW083110917A patent/TW332356B/zh active
-
1995
- 1995-04-28 US US08/431,694 patent/US5534862A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-10-18 EP EP95307416A patent/EP0708532A1/en not_active Withdrawn
- 1995-10-20 JP JP7272422A patent/JPH08213912A/ja not_active Withdrawn
- 1995-10-20 KR KR1019950036421A patent/KR960016156A/ko not_active Application Discontinuation
- 1995-10-20 CN CN95120284A patent/CN1131820A/zh active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8094109B2 (en) | 2006-11-02 | 2012-01-10 | Renesas Electronics Corporation | Data driver with multilevel voltage generating circuit, and liquid crystal display apparatus including layout pattern of resistor string of the multilevel generating circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0708532A1 (en) | 1996-04-24 |
| US5534862A (en) | 1996-07-09 |
| KR960016156A (ko) | 1996-05-22 |
| CN1131820A (zh) | 1996-09-25 |
| TW332356B (en) | 1998-05-21 |
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| JPH0438602Y2 (ja) |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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