JPH08202649A - ダイレクトフラッシュメモリアクセス方式 - Google Patents

ダイレクトフラッシュメモリアクセス方式

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JPH08202649A
JPH08202649A JP864895A JP864895A JPH08202649A JP H08202649 A JPH08202649 A JP H08202649A JP 864895 A JP864895 A JP 864895A JP 864895 A JP864895 A JP 864895A JP H08202649 A JPH08202649 A JP H08202649A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 特定のアルゴリズムに従ってCPUが制御し
ていたフラッシュメモリへの書き込みを、CPUの介在
なしに行うことができるダイレクトフラッシュメモリア
クセス方式の提供。 【構成】 DMARQ(ダイレクトメモリアクセス要
求)信号11により起動されると、CPU1に無関係に
直接フラッシュメモリ6の書き込みアドレスをフラッシ
ュメモリ6に送出するダイレクトメモリアクセスコント
ローラ2と、DMARQ信号11に応答してフラッシュ
メモリ6のアルゴリズムに従ったデータを生成し、フラ
ッシュメモリ6に送出するフラッシュメモリデータジェ
ネレータ5とを、備え、フラッシュメモリ6は、ダイレ
クトメモリアクセスコントローラ2から受信した書き込
みアドレスに、フラッシュメモリデータジェネレータ5
から受信したフラッシュメモリ6のアルゴリズムに従っ
たデータを格納する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ダイレクトメモリアク
セス方式に関し、特に、フラッシュメモリに対するダイ
レクトメモリアクセスによる書き込み方式に関する。
【0002】
【従来の技術】フラッシュメモリは電気的に消去可能な
プログラマブル・リード・オンリ・メモリ(EEPRO
M)である。フラッシュメモリへの書き込みは、後に図
示して説明する特定のアルゴリズムに従って制御され
る。
【0003】従来のフラッシュメモリに対する書き込み
方式は、前記特定のアルゴリズムに従ったフラッシュメ
モリの制御をCPU(中央処理ユニット)を用いること
で実現している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】この従来のフラッシュ
メモリへの書き込み方式では、CPUが前記特定のアル
ゴリズムに従いフラッシュメモリの制御を行っているた
め、CPUの拘束時間が大きく、システムの性能を下げ
ているという問題点があった。
【0005】また、前記特定のアルゴリズムを意識した
制御用プログラムがCPUにとって必要となり、CPU
のプログラム容量も大きくなってしまうという問題点が
あった。
【0006】それ故、本発明の課題は、CPUに無関係
にフラッシュメモリへの書き込みが行えるダイレクトフ
ラッシュメモリアクセス方式を提供し、CPUの拘束時
間を短縮し、システムの性能を向上させると共に、CP
Uのプログラム容量の短縮化を計ることにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、CPU
と、フラッシュメモリと、ダイレクトメモリアクセス要
求信号により起動されると、前記CPUに無関係に直接
前記フラッシュメモリの書き込みアドレスを前記フラッ
シュメモリに送出するダイレクトメモリアクセスコント
ローラと、前記ダイレクトメモリアクセス要求信号に応
答して前記フラッシュメモリのアルゴリズムに従ったデ
ータを生成し、前記フラッシュメモリに送出するフラッ
シュメモリデータジェネレータとを、備え、前記フラッ
シュメモリは、前記ダイレクトメモリアクセスコントロ
ーラから受信した前記書き込みアドレスに、前記フラッ
シュメモリデータジェネレータから受信した前記フラッ
シュメモリのアルゴリズムに従ったデータを格納するこ
とを特徴とするダイレクトフラッシュメモリアクセス方
式が得られる。
【0008】更に本発明によれば、前記フラッシュメモ
リに書き込まれるべき書き込みデータを格納しているデ
ータメモリと、このデータメモリを制御するメモリコン
トローラとを、更に、有し、前記CPUは、前記メモリ
コントローラに、前記データメモリから前記フラッシュ
メモリへの前記書き込みデータの書き込みを指示する制
御信号を送出し、前記メモリコントローラは、前記制御
信号を受けると、前記ダイレクトメモリアクセス要求信
号を前記ダイレクトメモリアクセスコントローラと前記
フラッシュメモリデータジェネレータとに送出すること
を特徴とするダイレクトフラッシュメモリアクセス方式
が得られる。
【0009】また本発明によれば、前記メモリコントロ
ーラは、前記制御信号を受けると、前記ダイレクトメモ
リアクセス要求信号を前記ダイレクトメモリアクセスコ
ントローラと前記フラッシュメモリデータジェネレータ
とに送出すると共に、前記データメモリからの前記書き
込みデータを前記フラッシュメモリデータジェネレータ
に送出することを特徴とするダイレクトフラッシュメモ
リアクセス方式が得られる。
【0010】更に本発明によれば、前記フラッシュメモ
リデータジェネレータは、前記フラッシュメモリが前記
フラッシュメモリのアルゴリズムに従ったデータを格納
した後に、前記データメモリからの前記書き込みデータ
を前記フラッシュメモリに送出し、前記フラッシュメモ
リは、前記ダイレクトメモリアクセスコントローラから
受信した前記書き込みアドレスに、前記フラッシュメモ
リデータジェネレータから受信した前記データメモリか
らの前記書き込みデータを格納することを特徴とするダ
イレクトフラッシュメモリアクセス方式が得られる。
【0011】また本発明によれば、前記データメモリ
は、前記フラッシュメモリに書き込まれるべき前記書き
込みデータを格納しているフロッピィディスクであり、
前記メモリコントローラは、このフロッピィディスクを
制御するフロッピィディスクコントローラであることを
特徴とするダイレクトフラッシュメモリアクセス方式が
得られる。
【0012】このように本発明の一態様によるダイレク
トフラッシュメモリアクセス方式は、フラッシュメモリ
と、CPUの介在なしに直接フラッシュメモリの読み書
き制御を行うダイレクトメモリアクセスコントローラ
と、データメモリ(フロッピィディスク)からの書き込
みデータの読み書き制御を行うデータメモリ(フロッピ
ィディスク)コントローラと、フラッシュメモリのアル
ゴリズムに従ったデータを生成するフラッシュメモリデ
ータジェネレータとを備えている。
【0013】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
【0014】図1は、本発明の一実施例によるダイレク
トフラッシュメモリアクセス方式を示している。このダ
イレクトフラッシュメモリアクセス方式においては、ま
ず、CPU1は、FD(フロッピィディスク)3からフ
ラッシュメモリ6への書き込みデータの書き込みを指示
するFD制御信号14を、FDコントローラ4に対し送
出する。FDコントローラ4は、書き込みを指示するF
D制御信号14に応答して、ダイレクトメモリアクセス
コントローラ2に対し、DMARQ(ダイレクトメモリ
アクセス要求)信号11をアクティブにし、ダイレクト
メモリアクセス要求を行うと共に、フラッシュメモリデ
ータジェネレータ5に対してもアクティブなDMARQ
信号11によりダイレクトメモリアクセス要求が出され
たことを知らせる。ダイレクトメモリアクセスコントロ
ーラ2は、アクティブなDMARQ信号11を受ける
と、CPU1に対しCPUホールド信号10によりCP
U1をホールドすると共に、フラッシュメモリ6に対
し、アドレスバス8でアドレスを指定する。FDコント
ローラ4は、書き込みを指示するFD制御信号14を受
けると、更に、FD3からFDデータ9を読み込み、読
み込んだFDデータをデータバス7に送出する。
【0015】フラッシュメモリデータジェネレータ5
は、前記アクティブなDMARQ信号11に応答して、
フラッシュメモリ6のアルゴリズムに従ったデータを生
成し、図2で示すフラッシュメモリ6の制御アルゴリズ
ムのフローに従い、メモリ制御信号13を書き込み状態
とする等して、フラッシュメモリ6に対して生成したデ
ータを、アドレスバス8で指定されたフラッシュメモリ
6のアドレスに、データバス7´を介して書き込む。こ
の後、フラッシュメモリデータジェネレータ5は、メモ
リ制御信号13を書き込み状態とする等して、データバ
ス7からFDデータをアドレスバス8で指定されたフラ
ッシュメモリ6のアドレスに、データバス7´を介して
書き込む。データの書き込みが終了すると、フラッシュ
メモリデータジェネレータ5は、DMAACK(ダイレ
クトメモリアクセス応答)信号12をアクティブにし、
FDコントローラ4にDMAサイクルの終了を知らせ
る。なお、図1において、データバス7”はCPU1と
ダイレクトメモリアクセスコントローラ2とフラッシュ
メモリデータジェネレータ5とを接続している。
【0016】次に図2で示すフラッシュメモリの制御ア
ルゴリズムのフローについて図1をも参照して説明す
る。
【0017】DMARQ信号11がアクティブになる
と、ダイレクトメモリアクセスコントローラ2は指定さ
れたアドレスをアドレスバス8へ出力する。DMARQ
信号11がアクティブになると、フラッシュメモリデー
タジェネレータ5は、メモリ制御信号13を書き込み状
態とし、書き込みデータ「20H」、「D0H」、及び
「70H」を生成し、生成した書き込みデータ「20
H」、「D0H」、及び「70H」をフラッシュメモリ
6へ書き込む(ステップa、b、及びc)。続いて、フ
ラッシュメモリデータジェネレータ5は、メモリ制御信
号13を読み込み状態とし、データ(ステータス・レジ
スタSRのデータ)を読み込み(ステップd)、この読
み込みを、データ(ステータス・レジスタSRのデー
タ)の最上位ビット(SR.7)が「1」となる(ステ
ップe)まで、繰り返し、ステップeにおいて、最上位
ビット(SR.7)が「1」となった所で消去のフェイ
ズが終了する。
【0018】この後、更に、フラッシュメモリデータジ
ェネレータ5は、メモリ制御信号13を書き込み状態と
し、書き込みデータ「40H」をフラッシュメモリ6へ
書き込み(ステップf)、次に、FDコントローラ4か
ら出力バス7へ出力されたデータを書き込む(ステップ
g)。この後、フラッシュメモリデータジェネレータ5
は、前述の消去のフェイズ(ステップc、d、及びe)
と同様に、データの書き込み読み出しを行う(ステップ
h、i、及びj)。フラッシュメモリデータジェネレー
タ5は、最後に読み込んだデータのステータスをチェッ
クし(ステップk)、OKであれば、DMAACK信号
12をアクティブにし、DMAサイクルが終了する。
【0019】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、CPUの
介在なしにフラッシュメモリへの書き込みを実現してお
り、書き込みサイクルは、従来の1/9となり書き込み
時間の短縮が計れるという効果がある。
【0020】またCPUにフラッシュメモリの書き込み
アルゴリズムを意識した制御用プログラムも必要としな
いので、CPUのプログラム容量も小さくなるという効
果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例によるダイレクトフラッシュ
メモリアクセス方式のブロック図である。
【図2】図1のダイレクトフラッシュメモリアクセス方
式のフラッシュメモリデータジェネレータ5によるフラ
ッシュメモリ制御アルゴリズムのフローチャートであ
る。
【符号の説明】
1 CPU 2 ダイレクトメモリアクセスコントローラ 3 FD 4 FDコントローラ 5 フラッシュメモリデータジェネレータ 6 フラッシュメモリ 7 データバス 7´ データバス 7” データバス 8 アドレスバス 9 FDデータ 10 CPUホールド信号 11 DMARQ信号 12 DMAACK信号 13 メモリ制御信号 14 FD制御信号

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 CPUと、フラッシュメモリと、ダイレ
    クトメモリアクセス要求信号により起動されると、前記
    CPUに無関係に直接前記フラッシュメモリの書き込み
    アドレスを前記フラッシュメモリに送出するダイレクト
    メモリアクセスコントローラと、前記ダイレクトメモリ
    アクセス要求信号に応答して前記フラッシュメモリのア
    ルゴリズムに従ったデータを生成し、前記フラッシュメ
    モリに送出するフラッシュメモリデータジェネレータと
    を、備え、前記フラッシュメモリは、前記ダイレクトメ
    モリアクセスコントローラから受信した前記書き込みア
    ドレスに、前記フラッシュメモリデータジェネレータか
    ら受信した前記フラッシュメモリのアルゴリズムに従っ
    たデータを格納することを特徴とするダイレクトフラッ
    シュメモリアクセス方式。
  2. 【請求項2】 前記フラッシュメモリに書き込まれるべ
    き書き込みデータを格納しているデータメモリと、この
    データメモリを制御するメモリコントローラとを、更
    に、有し、 前記CPUは、前記メモリコントローラに、前記データ
    メモリから前記フラッシュメモリへの前記書き込みデー
    タの書き込みを指示する制御信号を送出し、 前記メモリコントローラは、前記制御信号を受けると、
    前記ダイレクトメモリアクセス要求信号を前記ダイレク
    トメモリアクセスコントローラと前記フラッシュメモリ
    データジェネレータとに送出することを特徴とする請求
    項1に記載のダイレクトフラッシュメモリアクセス方
    式。
  3. 【請求項3】 前記メモリコントローラは、前記制御信
    号を受けると、前記ダイレクトメモリアクセス要求信号
    を前記ダイレクトメモリアクセスコントローラと前記フ
    ラッシュメモリデータジェネレータとに送出すると共
    に、前記データメモリからの前記書き込みデータを前記
    フラッシュメモリデータジェネレータに送出することを
    特徴とする請求項2に記載のダイレクトフラッシュメモ
    リアクセス方式。
  4. 【請求項4】 前記フラッシュメモリデータジェネレー
    タは、前記フラッシュメモリが前記フラッシュメモリの
    アルゴリズムに従ったデータを格納した後に、前記デー
    タメモリからの前記書き込みデータを前記フラッシュメ
    モリに送出し、前記フラッシュメモリは、前記ダイレク
    トメモリアクセスコントローラから受信した前記書き込
    みアドレスに、前記フラッシュメモリデータジェネレー
    タから受信した前記データメモリからの前記書き込みデ
    ータを格納することを特徴とする請求項3に記載のダイ
    レクトフラッシュメモリアクセス方式。
  5. 【請求項5】 前記データメモリは、前記フラッシュメ
    モリに書き込まれるべき前記書き込みデータを格納して
    いるフロッピィディスクであり、前記メモリコントロー
    ラは、このフロッピィディスクを制御するフロッピィデ
    ィスクコントローラであることを特徴とする請求項2〜
    4のいずれかに記載のダイレクトフラッシュメモリアク
    セス方式。
JP7008648A 1995-01-24 1995-01-24 ダイレクトフラッシュメモリアクセス装置及びダイレクトフラッシュメモリアクセス方法 Expired - Fee Related JP2988512B2 (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030062070A (ko) * 2002-01-16 2003-07-23 한국전자통신연구원 플래시 메모리 액세스 제어 장치 및 방법

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KR20030062070A (ko) * 2002-01-16 2003-07-23 한국전자통신연구원 플래시 메모리 액세스 제어 장치 및 방법

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