JP4901285B2 - 読み出し性能を向上させることができるメモリカード - Google Patents
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Description
200 ホスト
310 ホストインターフェースコントローラ
320 MCU
330 内部メモリ
340 レジスタ
350 スイッチ
360 メモリインターフェースコントローラ
370 加速器
380 バッファメモリ
390 インタラプトコントローラ
Claims (24)
- メモリカードにおいて、
ホストシステムから第1命令及び第1外部アドレスを伝達されるメモリコントローラと、
第1及び第2内部アドレスに従ってデータのページにアクセスするフラッシュメモリモジュールとを含み、
前記メモリコントローラは、
貯蔵されたプログラムによって前記第1外部アドレスを前記第1内部アドレスに変換させる第1回路と、
読み出し信号と加速イネーブル信号に応答して前記第1内部アドレス及び前記第1外部アドレスを利用して前記第2内部アドレスを発生させる第2回路とを含み、
ここで、前記フラッシュメモリモジュールが前記第1内部アドレスを利用して読み出し動作のためのデータのページにアクセスした後、前記第1回路は前記第2回路でハードウエアアクセレレーションフラッグを設置し、
前記メモリコントローラが前記ホストシステムから読み出し命令を伝達されるたびに、前記第2回路は前記読み出し信号により活性化されることを特徴とするメモリカード。 - 前記メモリコントローラは、前記第1命令を伝達された後、第2命令と第2外部アドレスを伝達され、
ここで、前記第1及び第2命令は、任意の読み出し命令であることを特徴とする請求項1に記載のメモリカード。 - 前記第1回路は、前記第1外部アドレスを前記第1命令を伝達される前記第2回路に伝送し、
前記第2回路は、前記第1外部アドレスを貯蔵することを特徴とする請求項2に記載のメモリカード。 - 各々の前記第1及び第2外部アドレスは、
メモリブロックアドレス及び、
開始及び終了ページアドレスを含むことを特徴とする請求項3に記載のメモリカード。 - 前記ハードウエアアクセレレーションフラッグが設置される時、前記第2回路は前記第1及び前記第2外部アドレスが同一なメモリブロックアドレスを有するか、それとも、前記第2外部アドレスが前記第1外部アドレスの開始及び終了ページアドレスの間でページアドレスを有するかを決定することを特徴とする請求項4に記載のメモリカード。
- 前記第1及び第2外部アドレスが前記同一なメモリブロックアドレスを有し、前記第2外部アドレスが前記第1外部アドレスの前記開始及び終了アドレスとの間で、ページアドレスを有すれば、前記第2回路は前記第2内部アドレスを発生することを特徴とする請求項5に記載のメモリカード。
- 前記第1及び第2外部アドレスが前記同一なメモリブロックアドレスを有していなければ、または、前記第2外部アドレスが前記第1アドレスの前記開始及び終了ページアドレスとの間でページアドレスを有していなければ、前記第2回路は前記メモリコントローラ内にインタラプトフラッグを設置するためのインタラプト信号を活性化させ、その結果、前記第1回路は第1内部アドレスを発生させることを特徴とする請求項5に記載のメモリカード。
- 前記第1命令は、順次的読み出し命令であることを特徴とする請求項1に記載のメモリカード。
- 前記第1回路は前記第1外部及び内部アドレスを前記第2回路に伝達して、前記第2回路は基準アドレスとして前記第1外部アドレスを貯蔵し、
前記第2回路は、前記第1外部アドレスを利用して、次のアドレスを発生することを特徴とする請求項8に記載のメモリカード。 - 前記第1外部アドレスは、
メモリブロックアドレスと、
開始及び終了ページアドレスを含むことを特徴とする請求項9に記載のメモリカード。 - 前記ハードウエアアクセレレーションフラッグか設置される時、前記第2回路は新しいアドレス及び前記基準アドレスが前記同一なメモリブロックアドレスを有しているか、それとも、前記新しいアドレスが前記基準アドレスの前記開始及び終了ページアドレスとの間にページアドレスを有しているかを決定することを特徴とする請求項10に記載のメモリカード。
- 前記新しいアドレスと前記基準アドレスは前記同一なメモリブロックアドレスを有しているか、そして前記新しいアドレスが前記基準アドレスの前記開始及び終了ページアドレスとの間でページアドレスを有しているかを決定する時、前記第2回路は前記第1外部及び内部アドレスを利用して前記第2内部アドレスを発生させることを特徴とする請求項11に記載のメモリカード。
- 前記新しいアドレス及び前記基準アドレスが前記同一なメモリブロックアドレスを有せず、或いは、前記新しいアドレスが前記基準アドレスの前記開始及び終了ページアドレスとの間でページアドレスを有しないかを決定する時、前記第2回路は前記メモリコントローラ内にインタラプトフラッグを設置するためのインタラプト信号を活性化させる。その結果、前記第1回路は第1内部アドレスを発生することを特徴とする請求項11に記載のメモリカード。
- 前記第1回路は読み出し動作で前記フラッシュメモリモジュールにアクセスした後、前記第1外部アドレスを前記第2回路に伝達し、
ここで、前記第1外部アドレスはメモリブロックアドレスと開始及び終了ページアドレスを含むことを特徴とする請求項1に記載のメモリカード。 - 前記第2回路は、
前記ハードウエアアクセレレーションフラッグと前記外部アドレスから抽出した基準アドレスを貯蔵するレジスタと、
モード信号に応答して現在の外部のアドレスと次のアドレスとの間で選択し、新しいアドレスに前記選択されたアドレスを出力する選択回路と、
前記基準アドレスと前記新しいアドレスが前記同一なメモリブロックアドレスを有しているか、そして前記新しいアドレスが前記基準アドレスの前記開始及び終了ページアドレスとの間でページアドレスを有しているかを感知するヒット信号を発生する判断回路と、
前記選択回路から前記新しいアドレスを伝達され、前記新しいアドレスを利用して前記の次のアドレスを出力するアドレス発生器と、
前記ヒット信号に応答して前記の次のアドレスを利用して前記内部アドレスを発生する状態マシンを含むことを特徴とする請求項14に記載のメモリカード。 - 前記第2内部アドレスを発生させる時、前記状態マシンはあらかじめ決定された値に従って増加する前記の次のアドレスのため、前記アドレス発生器に制御信号を送ることを特徴とする請求項15に記載のメモリカード。
- 前記の次のアドレスは前記基準アドレスとして前記レジスタに貯蔵されることを特徴とする請求項16に記載のメモリカード。
- 前記選択回路は前記モード信号が任意の読み動作するモードを指示する時、前記現在のアドレスを選択し、前記モード信号が順次的読み出し動作するモードを指示する時、前記の次のアドレスを選択されることを特徴とする請求項15に記載のメモリカード。
- 前記新しいアドレスが前記基準アドレスから互いに異なるメモリブロックアドレスを有しており、或いは、前記新しいアドレスが前記基準アドレスの前記開始及び終了ページアドレスとの間にない時、前記判断回路は前記メモリコントローラで設置されるインタラプトフラッグにより、インタラプト信号を発生させることを特徴とする請求項15に記載のメモリカード。
- 前記メモリカードは、
前記第1回路による選択信号出力に応答して前記フラッシュメモリモジュールに前記第1及び第2内部アドレスを伝達するスイッチをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のメモリカード。 - 不揮発性メモリ装置のためのメモリコントローラにおいて、
プログラムを貯蔵する内部メモリと、
第1内部アドレスを生産するために、前記プログラムを使って第1外部アドレスを処理するマイクロコントローラユニットと、
第2内部アドレスを発生させるために、前記第1外部アドレスと前記第1内部アドレスを利用して第2外部アドレスを処理する加速器と、
前記マイクロコントローラ、前記加速器及びホストシステムの間をインターフェースするホストインターフェースと、
前記マイクロコントローラ、前記加速器及び前記不揮発性メモリの間でインターフェースするメモリインターフェースとを含むことを特徴とするメモリコントローラ。 - 前記加速器は前記マイクロコントローラユニットから伝達されたハードウエアアクセレレーションフラッグに応答して動作することを特徴とする請求項21に記載のメモリコントローラ。
- メモリコントローラと、
不揮発性メモリ装置と前記メモリコントローラとの間にインターフェースするメモリインターフェースとを含み、
前記メモリコントローラは、
第1内部アドレスを生成するために貯蔵されたプログラムを使って第1外部アドレスを処理するマイクロコントローラと、
前記第1内部及び外部アドレスを利用して第2外部アドレスを処理する加速器とを含むことを特徴とする不揮発性メモリカード。 - 前記加速器は前記マイクロコントローラユニットから伝達されたハードウエアアクセレレーションフラッグに応答して動作することを特徴とする請求項23に記載の不揮発性メモリカード。
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