JPH08201601A - 反射防止膜の製造方法 - Google Patents
反射防止膜の製造方法Info
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- JPH08201601A JPH08201601A JP7008720A JP872095A JPH08201601A JP H08201601 A JPH08201601 A JP H08201601A JP 7008720 A JP7008720 A JP 7008720A JP 872095 A JP872095 A JP 872095A JP H08201601 A JPH08201601 A JP H08201601A
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- antireflection film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 広い波長領域で反射防止効果を有する反射防
止膜を簡単な工程で形成する。 【構成】 無機弗化物をターゲット材料とし、成膜開始
時に少なくとも酸素を含むガスを導入しながらスパッタ
リングを行うと共に、成膜開始時に対して成膜終了時に
おけるターゲットへの投入電力が大きくなるように制御
する。投入電力を変化させることで屈折率の異なる薄膜
を形成できるため、広い波長領域で反射防止効果を有す
る。投入電力の制御だけのため、工程が簡単となる。
止膜を簡単な工程で形成する。 【構成】 無機弗化物をターゲット材料とし、成膜開始
時に少なくとも酸素を含むガスを導入しながらスパッタ
リングを行うと共に、成膜開始時に対して成膜終了時に
おけるターゲットへの投入電力が大きくなるように制御
する。投入電力を変化させることで屈折率の異なる薄膜
を形成できるため、広い波長領域で反射防止効果を有す
る。投入電力の制御だけのため、工程が簡単となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は反射防止膜の製造方法に
関する。
関する。
【０００２】
【従来の技術】広い波長域で反射防止効果を有した反射
防止膜を製造する場合、真空蒸着法により多層膜を形成
することにより行っている。一方、適当な屈折率勾配を
有する薄膜を形成することにより、より広い波長域で容
易に反射防止効果が得られることが理論的に証明されて
いるが、実用となる物質の屈折率は限られており、その
実現は困難であった。
防止膜を製造する場合、真空蒸着法により多層膜を形成
することにより行っている。一方、適当な屈折率勾配を
有する薄膜を形成することにより、より広い波長域で容
易に反射防止効果が得られることが理論的に証明されて
いるが、実用となる物質の屈折率は限られており、その
実現は困難であった。
【０００３】そこで、特公平５−５２９２３号公報に
は、非水溶性物質と水溶性物質とを混合したものを蒸着
した後、水溶性物質を溶解させて多孔性薄膜を製造する
ことが記載されている。これにより屈折率勾配を有した
薄膜とすることができる。
は、非水溶性物質と水溶性物質とを混合したものを蒸着
した後、水溶性物質を溶解させて多孔性薄膜を製造する
ことが記載されている。これにより屈折率勾配を有した
薄膜とすることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが上述した方法
は薄膜を形成した後に水溶性物質を溶解する工程が必要
になり、工程数が増え、簡単に製造することができな
い。またこの方法で形成された薄膜は多孔性であるた
め、大気中に放置した場合、その空孔に水分が吸着し易
い。空孔に何も存在しない場合、その屈折率は空気と同
一の１であるが、水分が侵入すると、その屈折率は水と
同一の１．３３になる。このため多孔性薄膜全体として
の屈折率が環境により変化し、これにより光学特性も変
化するという光学薄膜としては致命的な欠点があった。
は薄膜を形成した後に水溶性物質を溶解する工程が必要
になり、工程数が増え、簡単に製造することができな
い。またこの方法で形成された薄膜は多孔性であるた
め、大気中に放置した場合、その空孔に水分が吸着し易
い。空孔に何も存在しない場合、その屈折率は空気と同
一の１であるが、水分が侵入すると、その屈折率は水と
同一の１．３３になる。このため多孔性薄膜全体として
の屈折率が環境により変化し、これにより光学特性も変
化するという光学薄膜としては致命的な欠点があった。
【０００５】本発明は上記事情を考慮してなされたもの
であり、適当な屈折率勾配を有する薄膜を形成すること
で広い波長域で反射防止効果を有する反射防止膜を成膜
するのに際して、過酷な環境試験でも光学特性の変化の
ない反射防止膜とすることができると共に、簡単な工程
で形成することができる方法を提供することを目的とす
る。
であり、適当な屈折率勾配を有する薄膜を形成すること
で広い波長域で反射防止効果を有する反射防止膜を成膜
するのに際して、過酷な環境試験でも光学特性の変化の
ない反射防止膜とすることができると共に、簡単な工程
で形成することができる方法を提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明は無機弗
化物をターゲット材料とし、成膜開始時に少なくとも酸
素を含むガスを導入しながらスパッタリングを行うと共
に、成膜開始時に対して成膜終了時におけるターゲット
への投入電力が大きくなるように制御するものである。
化物をターゲット材料とし、成膜開始時に少なくとも酸
素を含むガスを導入しながらスパッタリングを行うと共
に、成膜開始時に対して成膜終了時におけるターゲット
への投入電力が大きくなるように制御するものである。
【０００７】無機弗化物をターゲットとし、酸素を含む
ガスを導入しながらスパッタリングを行うと、その投入
電力に応じて、屈折率も変化する。投入電力が小さい場
合、膜形成速度が遅くなるため、膜中に十分な酸素が含
まれることになり、しかもフッ素よりも酸素のほうが結
合し易いことから、屈折率の高い無機酸化物膜が形成さ
れる。一方、投入電力が大きい場合、膜形成速度が速く
なるため、膜中に酸素がほとんど含まれず、ターゲット
材料とほぼ同一組成の屈折率の低い無機弗化物膜が形成
される。投入電力がこれらの中間の場合、酸化物と弗化
物の中間の屈折率を有する薄膜を形成することができ
る。したがって、成膜初期には酸素を含むガスを投入し
ながら投入電力を比較的小さくしてスパッタリングする
ことで高屈折率層を形成し、その後、同じターゲット材
料を使用して投入電力を大きくすることで低屈折率層を
形成することができる。このことを利用して、投入電力
を徐々に大きくしていくことで屈折率勾配のある層を容
易に形成できる。このようにして形成した膜は多孔性薄
膜ではないため、従来方法のように環境により光学特性
が変化することはない。なお、低屈折率の薄膜を形成す
る場合には前述したように導入ガスとして酸素を含む必
要はなく、また成膜プロセスの途中でガスの種類や分圧
を変えても構わない。
ガスを導入しながらスパッタリングを行うと、その投入
電力に応じて、屈折率も変化する。投入電力が小さい場
合、膜形成速度が遅くなるため、膜中に十分な酸素が含
まれることになり、しかもフッ素よりも酸素のほうが結
合し易いことから、屈折率の高い無機酸化物膜が形成さ
れる。一方、投入電力が大きい場合、膜形成速度が速く
なるため、膜中に酸素がほとんど含まれず、ターゲット
材料とほぼ同一組成の屈折率の低い無機弗化物膜が形成
される。投入電力がこれらの中間の場合、酸化物と弗化
物の中間の屈折率を有する薄膜を形成することができ
る。したがって、成膜初期には酸素を含むガスを投入し
ながら投入電力を比較的小さくしてスパッタリングする
ことで高屈折率層を形成し、その後、同じターゲット材
料を使用して投入電力を大きくすることで低屈折率層を
形成することができる。このことを利用して、投入電力
を徐々に大きくしていくことで屈折率勾配のある層を容
易に形成できる。このようにして形成した膜は多孔性薄
膜ではないため、従来方法のように環境により光学特性
が変化することはない。なお、低屈折率の薄膜を形成す
る場合には前述したように導入ガスとして酸素を含む必
要はなく、また成膜プロセスの途中でガスの種類や分圧
を変えても構わない。
【０００８】無機弗化物は一般的に屈折率が低いが、そ
の中でも屈折率が低く耐久性の優れたＭｇＦ2 、ＣａＦ
2 、ＳｒＦ2 、ＡｌＦ3 、ＧａＦ3 、ＩｎＦ3 あるいは
これらを含む混合物を用いることにより、反射防止特性
に優れた薄膜とすることができる。混合物を用いる場合
は、その混合比により任意の屈折率を有した薄膜を形成
できる。
の中でも屈折率が低く耐久性の優れたＭｇＦ2 、ＣａＦ
2 、ＳｒＦ2 、ＡｌＦ3 、ＧａＦ3 、ＩｎＦ3 あるいは
これらを含む混合物を用いることにより、反射防止特性
に優れた薄膜とすることができる。混合物を用いる場合
は、その混合比により任意の屈折率を有した薄膜を形成
できる。
【０００９】ターゲットとしては顆粒状原料を用いるこ
とが良好である。成膜速度が速い場合に光吸収の少ない
膜を容易に得ることができるからである。この顆粒の大
きさとしては、あまり小さすぎるとチャンバー内で舞い
上がりパーティクルとなるため、０．１ｍｍ以上の粒径
が好ましく、また、大きすぎると光吸収が発生し易くな
るため、１０ｍｍ以下の粒径が好ましい。
とが良好である。成膜速度が速い場合に光吸収の少ない
膜を容易に得ることができるからである。この顆粒の大
きさとしては、あまり小さすぎるとチャンバー内で舞い
上がりパーティクルとなるため、０．１ｍｍ以上の粒径
が好ましく、また、大きすぎると光吸収が発生し易くな
るため、１０ｍｍ以下の粒径が好ましい。
【００１０】
【実施例１】図１は本実施例で用いる成膜装置を示す。
１は真空槽であり、この真空槽１の上方には基板２が回
転自在に配置されている。３は膜原料となるターゲット
であり、粒径が３〜５ｍｍのＭｇＦ2 顆粒３が使用され
ている。このターゲット３は、石英製の皿４に入れられ
て直径４インチ（約１００ｍｍ）のマグネトロンカソー
ド５上に載置されている。カソード５はスパッタリング
用高周波（ＲＦ）電源６と接続されている。また、皿４
の上方には開閉自在のシャッター８が配置されている。
真空槽１の側面にはガス導入口７及び９が設けられてい
る。
１は真空槽であり、この真空槽１の上方には基板２が回
転自在に配置されている。３は膜原料となるターゲット
であり、粒径が３〜５ｍｍのＭｇＦ2 顆粒３が使用され
ている。このターゲット３は、石英製の皿４に入れられ
て直径４インチ（約１００ｍｍ）のマグネトロンカソー
ド５上に載置されている。カソード５はスパッタリング
用高周波（ＲＦ）電源６と接続されている。また、皿４
の上方には開閉自在のシャッター８が配置されている。
真空槽１の側面にはガス導入口７及び９が設けられてい
る。
【００１１】この成膜装置において、基板２として屈折
率１．６２のＦ系の光学ガラスを用い、この基板２を２
００℃に加熱しながら、１×１０-4Ｐａの真空度まで真
空槽１内を排気する。その後、Ｏ2 ガスをガス導入口９
から５×１０-1Ｐａの真空度まで導入する。そしてＲＦ
電源６から２５０Ｗの電力をマグネトロンカソード５に
供給して、ＭｇＦ2 顆粒３をスパッタリングする。この
段階で、基板２を自転させ、シャッター８を開放して、
基板２上に薄膜を形成する。この成膜条件で形成される
薄膜の屈折率は１．５５であった。その後、時間ととも
に投入電力を変化させ、最終的に６５０Ｗまで上昇させ
た。この成膜条件で形成される薄膜の屈折率は１．３８
であった。
率１．６２のＦ系の光学ガラスを用い、この基板２を２
００℃に加熱しながら、１×１０-4Ｐａの真空度まで真
空槽１内を排気する。その後、Ｏ2 ガスをガス導入口９
から５×１０-1Ｐａの真空度まで導入する。そしてＲＦ
電源６から２５０Ｗの電力をマグネトロンカソード５に
供給して、ＭｇＦ2 顆粒３をスパッタリングする。この
段階で、基板２を自転させ、シャッター８を開放して、
基板２上に薄膜を形成する。この成膜条件で形成される
薄膜の屈折率は１．５５であった。その後、時間ととも
に投入電力を変化させ、最終的に６５０Ｗまで上昇させ
た。この成膜条件で形成される薄膜の屈折率は１．３８
であった。
【００１２】図２は以上のようにして形成された反射防
止膜の分光反射率を示す。波長３００〜１０００ｎｍの
広い波長領域の全てで反射率が３％以下であり、波長依
存性の少ない極めて良好な特性となっている。本実施例
の反射防止膜を湿度９０％、温度４０°Ｃの高湿下に１
００時間放置したが、分光反射率の変化はほとんどなく
問題ないレベルであった。
止膜の分光反射率を示す。波長３００〜１０００ｎｍの
広い波長領域の全てで反射率が３％以下であり、波長依
存性の少ない極めて良好な特性となっている。本実施例
の反射防止膜を湿度９０％、温度４０°Ｃの高湿下に１
００時間放置したが、分光反射率の変化はほとんどなく
問題ないレベルであった。
【００１３】この本実施例によれば、広い波長域で使用
できる反射防止膜をただ１つのターゲットを用いて容易
に形成することができる。なお、本実施例のＭｇＦ2 に
代えて、ＣａＦ2 及びＳｒＦ2 をターゲットとして反射
防止膜を形成したところ、同様の結果を得ることができ
た。
できる反射防止膜をただ１つのターゲットを用いて容易
に形成することができる。なお、本実施例のＭｇＦ2 に
代えて、ＣａＦ2 及びＳｒＦ2 をターゲットとして反射
防止膜を形成したところ、同様の結果を得ることができ
た。
【００１４】
【実施例２】この実施例では実施例１と同じ装置を用い
て成膜した。ターゲット３としては粒径５〜１０ｍｍの
ＧａＦ3 顆粒を用いた。まず屈折率１．５のＦＫ系の光
学ガラスからなる基板２をセットし、基板２を加熱せ
ず、５×１０-4Ｐａの真空度まで真空槽１内を排気す
る。その後、Ａｒガスをガス導入口７から２Ｐａまで、
ＣＯ2 ガスをガス導入口９から２×１０-1Ｐａまで導入
する。ＲＦ電源６から３００Ｗの電力をマグネトロンカ
ソード５に供給するとき、基板２上に形成される薄膜の
屈折率は１．５５であった。その後、時間とともに投入
電力を変化させ、最終的に５００Ｗまで上昇させた。こ
の成膜条件で形成される薄膜の屈折率は１．４１であっ
た。
て成膜した。ターゲット３としては粒径５〜１０ｍｍの
ＧａＦ3 顆粒を用いた。まず屈折率１．５のＦＫ系の光
学ガラスからなる基板２をセットし、基板２を加熱せ
ず、５×１０-4Ｐａの真空度まで真空槽１内を排気す
る。その後、Ａｒガスをガス導入口７から２Ｐａまで、
ＣＯ2 ガスをガス導入口９から２×１０-1Ｐａまで導入
する。ＲＦ電源６から３００Ｗの電力をマグネトロンカ
ソード５に供給するとき、基板２上に形成される薄膜の
屈折率は１．５５であった。その後、時間とともに投入
電力を変化させ、最終的に５００Ｗまで上昇させた。こ
の成膜条件で形成される薄膜の屈折率は１．４１であっ
た。
【００１５】図３は以上のようにして形成した反射防止
膜の分光反射率を示す。波長３００〜５００ｎｍの紫外
領域から可視領域にかけて反射率が２．５％以下であ
り、波長依存の少ない極めて良好な特性の反射防止膜が
得られた。本実施例の反射防止膜を湿度８０％、温度７
０°Ｃの高温高湿下に５０時間放置したが、分光反射率
の変化はほとんどなく問題ないレベルであった。
膜の分光反射率を示す。波長３００〜５００ｎｍの紫外
領域から可視領域にかけて反射率が２．５％以下であ
り、波長依存の少ない極めて良好な特性の反射防止膜が
得られた。本実施例の反射防止膜を湿度８０％、温度７
０°Ｃの高温高湿下に５０時間放置したが、分光反射率
の変化はほとんどなく問題ないレベルであった。
【００１６】次にＧａＦ3 に代えて、ＡｌＦ3 、ＩｎＦ
3 との混合物をターゲットとして反射防止膜を形成した
ところ同様の効果が得られた。
3 との混合物をターゲットとして反射防止膜を形成した
ところ同様の効果が得られた。
【００１７】
【実施例３】本発明では狭帯域の反射防止膜を作製する
こともできる。本実施例ではレーザー用（波長６３３ｎ
ｍ）の反射防止膜の作成を示す。実施例１と同一の装置
を用い、いずれも粒径０．１〜３ｍｍのＡｌＦ3 とＳｉ
Ｏ2 を４：１に混合したものをターゲット３として用い
た。まず屈折率１．５８のポリカーボネート系のプラス
チックからなる基板２をセットし、１×１０-4Ｐａの真
空度まで真空槽１内を排気する。その後、Ａｒガスをガ
ス導入口７から５×１０-1Ｐａ、Ｏ2 ガスをガス導入口
９から５×１０-1Ｐａまで導入する。ＲＦ電源６から２
００Ｗの電力をマグネトロンカソード５に供給してター
ゲット３をスパッタリングする。ここで、基板２を自転
させると共に、シャッター８を開放して、基板２上に膜
を形成する。この成膜条件で形成される薄膜の屈折率は
１．６１であった。次に基板２上に光学的膜厚１５８ｎ
ｍの薄膜が形成されるように、１．６分の後シャッター
８を閉じた。続いて、Ａｒガスをガス導入口７から３Ｐ
ａまで導入する。ＲＦ電源６から６００Ｗの電力をマグ
ネトロンカソード５に供給し、スパッタリングを行う。
この成膜条件で形成される薄膜の屈折率は１．３７であ
った。そして基板上に光学的膜厚１５８ｎｍの薄膜が形
成されるように、２６秒の後シャッター８を閉じた。
こともできる。本実施例ではレーザー用（波長６３３ｎ
ｍ）の反射防止膜の作成を示す。実施例１と同一の装置
を用い、いずれも粒径０．１〜３ｍｍのＡｌＦ3 とＳｉ
Ｏ2 を４：１に混合したものをターゲット３として用い
た。まず屈折率１．５８のポリカーボネート系のプラス
チックからなる基板２をセットし、１×１０-4Ｐａの真
空度まで真空槽１内を排気する。その後、Ａｒガスをガ
ス導入口７から５×１０-1Ｐａ、Ｏ2 ガスをガス導入口
９から５×１０-1Ｐａまで導入する。ＲＦ電源６から２
００Ｗの電力をマグネトロンカソード５に供給してター
ゲット３をスパッタリングする。ここで、基板２を自転
させると共に、シャッター８を開放して、基板２上に膜
を形成する。この成膜条件で形成される薄膜の屈折率は
１．６１であった。次に基板２上に光学的膜厚１５８ｎ
ｍの薄膜が形成されるように、１．６分の後シャッター
８を閉じた。続いて、Ａｒガスをガス導入口７から３Ｐ
ａまで導入する。ＲＦ電源６から６００Ｗの電力をマグ
ネトロンカソード５に供給し、スパッタリングを行う。
この成膜条件で形成される薄膜の屈折率は１．３７であ
った。そして基板上に光学的膜厚１５８ｎｍの薄膜が形
成されるように、２６秒の後シャッター８を閉じた。
【００１８】図４は以上のようにして形成した反射防止
膜の分光反射率を示す。波長６３３ｎｍで反射率が０．
２％以下と良好な特性が得られた。本実施例の反射防止
膜を温度４０℃、湿度６０％の環境下に４８時間放置し
たが、分光反射率の変化はほとんどなく問題ないレベル
であった。
膜の分光反射率を示す。波長６３３ｎｍで反射率が０．
２％以下と良好な特性が得られた。本実施例の反射防止
膜を温度４０℃、湿度６０％の環境下に４８時間放置し
たが、分光反射率の変化はほとんどなく問題ないレベル
であった。
【００１９】このような本実施例では、ＡｌＦ3 に対し
て、耐擦傷性や耐湿性等に優れたＳｉＯ2 を混合したた
め、ＡｌＦ3 単体よりも耐久性が向上するという効果が
得られた。
て、耐擦傷性や耐湿性等に優れたＳｉＯ2 を混合したた
め、ＡｌＦ3 単体よりも耐久性が向上するという効果が
得られた。
【００２０】
【実施例４】実施例１と同じ装置を用いて成膜した。タ
ーゲット３としてＭｇＦ2 とＡｌＦ 3 顆粒を重量比で
３：１で粉砕混合し、焼結したものを用いた。まず屈折
率１．６５のＬａＫ系の光学ガラスからなる基板２をセ
ットし、基板２を加熱することなく、５×１０-4Ｐａの
真空度まで真空槽１内を排気する。その後、Ｎ2 ガスを
ガス導入口７から２×１０-2Ｐａ、Ｏ2 ガスをガス導入
口９から５×１０-1Ｐａまで導入する。ＲＦ電源６から
３５０Ｗの電力をマグネトロンカソード５に供給すると
き、基板２上に形成される薄膜の屈折率は１．６２であ
った。その後、時間とともに投入電力を変化させ、最終
的に９００Ｗまで上昇させた。この成膜条件で形成され
る薄膜の屈折率は１．３７であった。
ーゲット３としてＭｇＦ2 とＡｌＦ 3 顆粒を重量比で
３：１で粉砕混合し、焼結したものを用いた。まず屈折
率１．６５のＬａＫ系の光学ガラスからなる基板２をセ
ットし、基板２を加熱することなく、５×１０-4Ｐａの
真空度まで真空槽１内を排気する。その後、Ｎ2 ガスを
ガス導入口７から２×１０-2Ｐａ、Ｏ2 ガスをガス導入
口９から５×１０-1Ｐａまで導入する。ＲＦ電源６から
３５０Ｗの電力をマグネトロンカソード５に供給すると
き、基板２上に形成される薄膜の屈折率は１．６２であ
った。その後、時間とともに投入電力を変化させ、最終
的に９００Ｗまで上昇させた。この成膜条件で形成され
る薄膜の屈折率は１．３７であった。
【００２１】以上のようにして形成した反射防止膜の分
光反射率は波長４００〜７００ｎｍという可視域全域で
反射率が１．８％以下であり、波長依存性の少ない極め
て良好な特性が得られた。また、本実施例の反射防止膜
を温度６０°Ｃ、湿度８０％の高温高湿下に２４時間放
置したが、分光反射率の変化はほとんどなく問題ないレ
ベルであった。
光反射率は波長４００〜７００ｎｍという可視域全域で
反射率が１．８％以下であり、波長依存性の少ない極め
て良好な特性が得られた。また、本実施例の反射防止膜
を温度６０°Ｃ、湿度８０％の高温高湿下に２４時間放
置したが、分光反射率の変化はほとんどなく問題ないレ
ベルであった。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば同一のターゲット材料を
使用して、投入電力を変えるだけで、屈折率の異なる層
を形成することができる。また、屈折率勾配のある層を
形成することも容易である。そして、このようにして形
成した反射防止膜は広い波長領域で反射防止効果を有す
る。さらに、形成される薄膜は多孔質ではないため、従
来方法のように光学特性が環境によって変化するがな
い。
使用して、投入電力を変えるだけで、屈折率の異なる層
を形成することができる。また、屈折率勾配のある層を
形成することも容易である。そして、このようにして形
成した反射防止膜は広い波長領域で反射防止効果を有す
る。さらに、形成される薄膜は多孔質ではないため、従
来方法のように光学特性が環境によって変化するがな
い。
【図１】本発明に用いる成膜装置の断面図である。
【図２】実施例１の分光反射率の特性図である。
【図３】実施例２の分光反射率の特性図である。
【図４】実施例３の分光反射率の特性図である。
１ 真空槽 ２ 基板 ３ ターゲット ４ 皿 ５ マグネトロンカソード ６ ＲＦ電源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 豊原 延好 東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目43番２号 オリ ンパス光学工業株式会社内 (72)発明者 生水 利明 東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目43番２号 オリ ンパス光学工業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 無機弗化物をターゲット材料とし、成膜
開始時に少なくとも酸素を含むガスを導入しながらスパ
ッタリングを行うと共に、成膜開始時に対して成膜終了
時におけるターゲットへの投入電力が大きいように制御
することを特徴とする反射防止膜の製造方法。 - 【請求項２】 前記ターゲット材料がＭｇＦ2 、ＣａＦ
2 、ＳｒＦ2 、ＡｌＦ3 、ＧａＦ3 、ＩｎＦ3 のうちの
少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１記載の
反射防止膜の製造方法。 - 【請求項３】 前記ターゲット材料は粒径が０．１ｍｍ
以上１０ｍｍ以下の顆粒状であることを特徴とする請求
項１記載の反射防止膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7008720A JPH08201601A (ja) | 1995-01-24 | 1995-01-24 | 反射防止膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7008720A JPH08201601A (ja) | 1995-01-24 | 1995-01-24 | 反射防止膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08201601A true JPH08201601A (ja) | 1996-08-09 |
Family
ID=11700793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7008720A Withdrawn JPH08201601A (ja) | 1995-01-24 | 1995-01-24 | 反射防止膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08201601A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6217719B1 (en) * | 1998-05-22 | 2001-04-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for thin film formation by sputtering |
| US11553120B2 (en) | 2017-10-12 | 2023-01-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical element, optical system, and image pickup apparatus |
-
1995
- 1995-01-24 JP JP7008720A patent/JPH08201601A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6217719B1 (en) * | 1998-05-22 | 2001-04-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for thin film formation by sputtering |
| US11553120B2 (en) | 2017-10-12 | 2023-01-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical element, optical system, and image pickup apparatus |
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