JPH07150356A - 光学薄膜の製造方法 - Google Patents
光学薄膜の製造方法Info
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- JPH07150356A JPH07150356A JP5318943A JP31894393A JPH07150356A JP H07150356 A JPH07150356 A JP H07150356A JP 5318943 A JP5318943 A JP 5318943A JP 31894393 A JP31894393 A JP 31894393A JP H07150356 A JPH07150356 A JP H07150356A
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- thin film
- optical thin
- porous
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 液体を使わずに多孔質の光学薄膜を製造す
る。 【構成】 合成石英基板の表面にＳｉＯ2 とＭｇＦ2 の
混合膜を真空蒸着によって成膜したうえで、ＣＦ4 のガ
スプラズマを用いたガスプラズマエッチングによってＳ
ｉＯ2 を除去し、ＭｇＦ2 の多孔質膜を製造した。製造
された多孔質膜の屈折率は１．２８であり、多孔質でな
いＭｇＦ2 膜に比べて大きく低下しており、またレーザ
耐力も大幅に向上した。
る。 【構成】 合成石英基板の表面にＳｉＯ2 とＭｇＦ2 の
混合膜を真空蒸着によって成膜したうえで、ＣＦ4 のガ
スプラズマを用いたガスプラズマエッチングによってＳ
ｉＯ2 を除去し、ＭｇＦ2 の多孔質膜を製造した。製造
された多孔質膜の屈折率は１．２８であり、多孔質でな
いＭｇＦ2 膜に比べて大きく低下しており、またレーザ
耐力も大幅に向上した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、各種基板や各種光学素
子に反射防止膜、反射増加膜あるいは偏光膜等の光学薄
膜を成膜するための光学薄膜の製造方法に関するもので
ある。
子に反射防止膜、反射増加膜あるいは偏光膜等の光学薄
膜を成膜するための光学薄膜の製造方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】各種基板や各種光学素子に設けられる反
射防止膜、反射増加膜、偏光膜等の光学薄膜は、その膜
質を多孔質にすることによってレーザ耐力が増しかつ屈
折率が低くなり単層膜でも充分な反射防止特性を得るこ
とができることが知られている。さらに、膜厚の方向に
多孔質度を変化させることによって屈折率に勾配を設け
れば、赤外域から紫外域にわたる広範囲の波長領域で反
射率を下げることが可能であり、レーザ光用以外の光学
薄膜としても広く用いることができる。
射防止膜、反射増加膜、偏光膜等の光学薄膜は、その膜
質を多孔質にすることによってレーザ耐力が増しかつ屈
折率が低くなり単層膜でも充分な反射防止特性を得るこ
とができることが知られている。さらに、膜厚の方向に
多孔質度を変化させることによって屈折率に勾配を設け
れば、赤外域から紫外域にわたる広範囲の波長領域で反
射率を下げることが可能であり、レーザ光用以外の光学
薄膜としても広く用いることができる。
【０００３】このような多孔質膜の製造方法としては、
二源蒸着法によるもの（特開昭６１−１７０７２号公報
参照）や、弗酸溶液やひ素酸溶液等を用いた化学的方法
（特開昭６３−１０７８４２号公報参照）が開発されて
おり、また、ゾルーゲル法、リーチング法、相分離法等
も公知である。特に二源蒸着法は、２種類以上の物質を
同時に基板に蒸着して混合膜を成膜し、水溶液によって
一方の物質を除去することによって残りの物質からなる
多孔質膜を得るものであり、使用する水溶液に対して一
方の物質の溶解性が高く他方の物質の溶解性が低くなけ
ればならないという制約がある反面、混合膜内の２つの
物質の体積比によって多孔質膜の多孔質度を定めること
ができるため、所望の屈折率や反射率を得やすいという
利点があり、最も多用されている方法である。
二源蒸着法によるもの（特開昭６１−１７０７２号公報
参照）や、弗酸溶液やひ素酸溶液等を用いた化学的方法
（特開昭６３−１０７８４２号公報参照）が開発されて
おり、また、ゾルーゲル法、リーチング法、相分離法等
も公知である。特に二源蒸着法は、２種類以上の物質を
同時に基板に蒸着して混合膜を成膜し、水溶液によって
一方の物質を除去することによって残りの物質からなる
多孔質膜を得るものであり、使用する水溶液に対して一
方の物質の溶解性が高く他方の物質の溶解性が低くなけ
ればならないという制約がある反面、混合膜内の２つの
物質の体積比によって多孔質膜の多孔質度を定めること
ができるため、所望の屈折率や反射率を得やすいという
利点があり、最も多用されている方法である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の技術によれば、いずれの成膜方法も光学薄膜の材料に
大きな制約があり、また、水溶液やエッチング溶液を用
いるために製造工程や製造装置が複雑であったり、ある
いは屈折率や反射率を充分に低下させることができない
などの問題があった。
の技術によれば、いずれの成膜方法も光学薄膜の材料に
大きな制約があり、また、水溶液やエッチング溶液を用
いるために製造工程や製造装置が複雑であったり、ある
いは屈折率や反射率を充分に低下させることができない
などの問題があった。
【０００５】加えて、二源蒸着法は、以下のような未解
決の課題がある。
決の課題がある。
【０００６】（１）屈折率を高精度で制御することが困
難であり、特に膜厚方向に屈折率が変化する光学薄膜を
得るのが難しい。例えば、ＳｉＯ2 とＮａＦからなる混
合膜を成膜したうえでＮａＦを水溶液によって除去して
ＳｉＯ2 の多孔質膜を製造する場合に、まず、ＳｉＯ2
とＮａＦの混合比を膜厚方向に高精度で制御するのが難
しいうえにＮａＦの比率が大きいと水溶液で処理すると
きにＳｉＯ2 まで一緒に剥れてしまう傾向があり、逆
に、ＮａＦの比率が小さいとＳｉＯ2 に取込まれて水溶
液に溶解し難い。
難であり、特に膜厚方向に屈折率が変化する光学薄膜を
得るのが難しい。例えば、ＳｉＯ2 とＮａＦからなる混
合膜を成膜したうえでＮａＦを水溶液によって除去して
ＳｉＯ2 の多孔質膜を製造する場合に、まず、ＳｉＯ2
とＮａＦの混合比を膜厚方向に高精度で制御するのが難
しいうえにＮａＦの比率が大きいと水溶液で処理すると
きにＳｉＯ2 まで一緒に剥れてしまう傾向があり、逆
に、ＮａＦの比率が小さいとＳｉＯ2 に取込まれて水溶
液に溶解し難い。
【０００７】（２）一方の物質（不要物質）を水溶液に
溶解させるときの水溶液の条件や処理方法によって多孔
質膜の光学特性が変化するおそれがあり、また、不要物
質を水溶液によって除去した後の乾燥工程において多孔
質膜内の空隙に水溶液が残ったままであると残った水溶
液中の不要物質によって多孔質膜の吸収が大きくなるお
それがあるため、乾燥工程にも細心の注意を必要とす
る。
溶解させるときの水溶液の条件や処理方法によって多孔
質膜の光学特性が変化するおそれがあり、また、不要物
質を水溶液によって除去した後の乾燥工程において多孔
質膜内の空隙に水溶液が残ったままであると残った水溶
液中の不要物質によって多孔質膜の吸収が大きくなるお
それがあるため、乾燥工程にも細心の注意を必要とす
る。
【０００８】また、化学的方法も以下のような問題があ
る。
る。
【０００９】（１）限られた種類の基板しか使えない。
【００１０】（２）エッチング溶液がひ素酸、硫酸、弗
酸等であり、これらは人体に対する危険性が高い。
酸等であり、これらは人体に対する危険性が高い。
【００１１】（３）エッチング溶液の濃度、温度、撹は
ん方法等によって多孔質膜の多孔質度が変化するためエ
ッチング溶液の管理が難しい。
ん方法等によって多孔質膜の多孔質度が変化するためエ
ッチング溶液の管理が難しい。
【００１２】本発明は上記従来の技術の有する未解決の
課題に鑑みてなされたものであり、膜質を多孔質にする
ための工程や装置が簡単であり、所望の低い屈折率を高
精度で実現できるとともにレーザ耐力にもすぐれた光学
薄膜を製造できる光学薄膜の製造方法を提供することを
目的とするものである。
課題に鑑みてなされたものであり、膜質を多孔質にする
ための工程や装置が簡単であり、所望の低い屈折率を高
精度で実現できるとともにレーザ耐力にもすぐれた光学
薄膜を製造できる光学薄膜の製造方法を提供することを
目的とするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の光学薄膜の製造方法は、基板の表面に複数
の物質からなる混合膜を成膜する工程と、成膜された混
合膜にガスを接触させ、その化学反応によって前記複数
の物質のうちの少くとも１つを除去する工程を有するこ
とを特徴とする。
に、本発明の光学薄膜の製造方法は、基板の表面に複数
の物質からなる混合膜を成膜する工程と、成膜された混
合膜にガスを接触させ、その化学反応によって前記複数
の物質のうちの少くとも１つを除去する工程を有するこ
とを特徴とする。
【００１４】ガスの少くとも一部分がガスプラズマであ
るとよい。
るとよい。
【００１５】
【作用】上記方法によれば、成膜された混合膜にガスを
接触させてその化学反応によって混合膜の不要物質を除
去することで多孔質の光学薄膜を製造するものであるた
め、水溶液やエッチング液等の液体によって不要物質を
除去する場合に比べて光学薄膜の材料やこれと不要物質
の組合わせ等に対する制約が少いうえに液体処理や乾燥
等のために光学薄膜の製造工程やその装置が複雑化する
ことなく、また、混合膜を成膜する成膜室内で引き続き
不要物質の除去を行うことができるため、製造時間を大
幅に短縮できる。さらに、液体を用いる場合に比べて多
孔質の光学薄膜内に残留する不要物質の量が少く、これ
による吸収が小さいためレーザ耐力も向上し、また、前
述のように、液体を用いる場合に比べて光学薄膜の材料
と不要物質の組合わせに対する制約が少いために多孔質
度の制御も容易であり、従って、所望の屈折率を得るこ
とや膜厚方向に屈折率の変化する光学薄膜を製造するこ
とが極めて容易である。
接触させてその化学反応によって混合膜の不要物質を除
去することで多孔質の光学薄膜を製造するものであるた
め、水溶液やエッチング液等の液体によって不要物質を
除去する場合に比べて光学薄膜の材料やこれと不要物質
の組合わせ等に対する制約が少いうえに液体処理や乾燥
等のために光学薄膜の製造工程やその装置が複雑化する
ことなく、また、混合膜を成膜する成膜室内で引き続き
不要物質の除去を行うことができるため、製造時間を大
幅に短縮できる。さらに、液体を用いる場合に比べて多
孔質の光学薄膜内に残留する不要物質の量が少く、これ
による吸収が小さいためレーザ耐力も向上し、また、前
述のように、液体を用いる場合に比べて光学薄膜の材料
と不要物質の組合わせに対する制約が少いために多孔質
度の制御も容易であり、従って、所望の屈折率を得るこ
とや膜厚方向に屈折率の変化する光学薄膜を製造するこ
とが極めて容易である。
【００１６】ガスの少くとも一部分がガスプラズマであ
れば、より速やかに不要物質を除去できるため、より一
層大幅に製造時間を短縮できる。
れば、より速やかに不要物質を除去できるため、より一
層大幅に製造時間を短縮できる。
【００１７】
【実施例】本発明の実施例を説明する。
【００１８】（第１実施例）合成石英製の基板の表面に
複数の物質からなる混合膜であるＳｉＯ2 とＭｇＦ2 の
混合膜を成膜したうえで、ガスであるＣＦ4 のガスプラ
ズマを用いたガスプラズマエッチングを行ってＳｉＯ2
を除去し、光学薄膜であるＭｇＦ2 の多孔質膜を製造し
た。混合膜の成膜においては、それぞれＳｉＯ2 の蒸発
源とＭｇＦ2の蒸発源を電子銃加熱と抵抗加熱によって
蒸発させ、各蒸発源ごとに設けられた光学モニタと水晶
モニタを用いて膜厚と成膜速度を制御した。成膜条件
は、ＳｉＯ2 の成膜速度が３Å／ｓ、ＭｇＦ2 の成膜速
度が７Å／ｓ、ＳｉＯ2 の膜厚とＭｇＦ2 の膜厚はとも
に５００ｎｍ（λ／４）、基板温度は３００℃であり、
ガスプラズマエッチングにおけるＣＦ4 のガス圧は１０
Ｐａ、ＲＦ電源パワーは５００Ｗであった。
複数の物質からなる混合膜であるＳｉＯ2 とＭｇＦ2 の
混合膜を成膜したうえで、ガスであるＣＦ4 のガスプラ
ズマを用いたガスプラズマエッチングを行ってＳｉＯ2
を除去し、光学薄膜であるＭｇＦ2 の多孔質膜を製造し
た。混合膜の成膜においては、それぞれＳｉＯ2 の蒸発
源とＭｇＦ2の蒸発源を電子銃加熱と抵抗加熱によって
蒸発させ、各蒸発源ごとに設けられた光学モニタと水晶
モニタを用いて膜厚と成膜速度を制御した。成膜条件
は、ＳｉＯ2 の成膜速度が３Å／ｓ、ＭｇＦ2 の成膜速
度が７Å／ｓ、ＳｉＯ2 の膜厚とＭｇＦ2 の膜厚はとも
に５００ｎｍ（λ／４）、基板温度は３００℃であり、
ガスプラズマエッチングにおけるＣＦ4 のガス圧は１０
Ｐａ、ＲＦ電源パワーは５００Ｗであった。
【００１９】製造されたＭｇＦ2 の多孔質膜の反射率の
分光特性は図１に示すとおりであり、これから求めた屈
折率は１．２８であった。また、Ｎｄ−ＹＡＧレーザの
３倍高調波（３５５ｎｍ）でビーム径約１６０μｍ、パ
ルス幅３００ｐｓｅｃのものを用いてレーザ耐力を調べ
たところ、１７±１．２Ｊ／ｃｍ2 であった。従来のＭ
ｇＦ2 の単層膜のレーザ耐力はほぼ８〜１１Ｊ／ｃｍ
2 、屈折率は１．３８であるから、これらに比べてレー
ザ耐力が大幅に向上しており、また、屈折率も大きく低
下していることが解る。
分光特性は図１に示すとおりであり、これから求めた屈
折率は１．２８であった。また、Ｎｄ−ＹＡＧレーザの
３倍高調波（３５５ｎｍ）でビーム径約１６０μｍ、パ
ルス幅３００ｐｓｅｃのものを用いてレーザ耐力を調べ
たところ、１７±１．２Ｊ／ｃｍ2 であった。従来のＭ
ｇＦ2 の単層膜のレーザ耐力はほぼ８〜１１Ｊ／ｃｍ
2 、屈折率は１．３８であるから、これらに比べてレー
ザ耐力が大幅に向上しており、また、屈折率も大きく低
下していることが解る。
【００２０】（一部変更例）第１実施例と同様の方法で
屈折率の異なるＭｇＦ2 の多孔質膜を成膜した。ＳｉＯ
2 とＭｇＦ2 の混合膜を成膜する工程は、ＳｉＯ2 の成
膜速度を４Å／ｓ、ＭｇＦ2 の成膜速度を６Å／ｓとし
た以外はすべて第１実施例と同様であり、また、ＳｉＯ
2 を除去するガスプラズマエッチング工程も同様の条件
で行った。
屈折率の異なるＭｇＦ2 の多孔質膜を成膜した。ＳｉＯ
2 とＭｇＦ2 の混合膜を成膜する工程は、ＳｉＯ2 の成
膜速度を４Å／ｓ、ＭｇＦ2 の成膜速度を６Å／ｓとし
た以外はすべて第１実施例と同様であり、また、ＳｉＯ
2 を除去するガスプラズマエッチング工程も同様の条件
で行った。
【００２１】得られたＭｇＦ2 の多孔質膜の反射率の分
光特性は図２に示すとおりであり、これから算出された
屈折率は１．２２であった。このように屈折率が第１実
施例の多孔質膜より低いのは、ガスプラズマエッチング
前の混合膜のＳｉＯ2 の比率が低く、従って、多孔質膜
の多孔質度が高いためと推定される。
光特性は図２に示すとおりであり、これから算出された
屈折率は１．２２であった。このように屈折率が第１実
施例の多孔質膜より低いのは、ガスプラズマエッチング
前の混合膜のＳｉＯ2 の比率が低く、従って、多孔質膜
の多孔質度が高いためと推定される。
【００２２】本実施例によれば、混合膜を構成する物質
のうちの１つ（不要物質）をガスプラズマエッチングに
よって除去するものであるため、水溶液やエッチング液
等の液体によって不要物質を除去する方法に比べて、薄
膜材料やこれと不要物質の組合わせ等に対する制約が少
ないうえに、液体処理や乾燥等のために光学薄膜の製造
工程やその装置が複雑化するおそれがない。また混合膜
を成膜後にそのまま成膜室内で不要物質の除去を行うこ
ともできるために光学薄膜の製造装置の簡略化と製造時
間の大幅な短縮を実現できる。さらに、液体によって不
要物質を処理した場合にくらべて光学薄膜のレーザ耐力
を大幅に向上させることができる。これは、多孔質膜に
残留する不要物質が少いためと推察される。
のうちの１つ（不要物質）をガスプラズマエッチングに
よって除去するものであるため、水溶液やエッチング液
等の液体によって不要物質を除去する方法に比べて、薄
膜材料やこれと不要物質の組合わせ等に対する制約が少
ないうえに、液体処理や乾燥等のために光学薄膜の製造
工程やその装置が複雑化するおそれがない。また混合膜
を成膜後にそのまま成膜室内で不要物質の除去を行うこ
ともできるために光学薄膜の製造装置の簡略化と製造時
間の大幅な短縮を実現できる。さらに、液体によって不
要物質を処理した場合にくらべて光学薄膜のレーザ耐力
を大幅に向上させることができる。これは、多孔質膜に
残留する不要物質が少いためと推察される。
【００２３】また、実験によれば、ＭｇＦ2 、ＬｉＦ、
Ｎａ3 ＡｌＦ6 等の弗化物やＡｌ2Ｏ3 等の酸化物の薄
膜材料をＳｉＯ2 と組合わせた混合膜を成膜し、ＣＦ
4 、Ｃ2 Ｆ6 、Ｃ3 Ｆ3 、Ｃ5 Ｆ12 等のエッチングガ
スとするガスプラズマエッチングでＳｉＯ2 を除去する
ことによって多孔質膜を製造すれば、前記薄膜材料で無
孔質の一般的な光学薄膜を成膜した場合に比べてはるか
に低くかつ正確な値の屈折率を有する光学薄膜が得られ
ることが判明した。
Ｎａ3 ＡｌＦ6 等の弗化物やＡｌ2Ｏ3 等の酸化物の薄
膜材料をＳｉＯ2 と組合わせた混合膜を成膜し、ＣＦ
4 、Ｃ2 Ｆ6 、Ｃ3 Ｆ3 、Ｃ5 Ｆ12 等のエッチングガ
スとするガスプラズマエッチングでＳｉＯ2 を除去する
ことによって多孔質膜を製造すれば、前記薄膜材料で無
孔質の一般的な光学薄膜を成膜した場合に比べてはるか
に低くかつ正確な値の屈折率を有する光学薄膜が得られ
ることが判明した。
【００２４】（第２実施例）Ａｌ2 Ｏ3 を多孔質膜にす
ることで、従来の使用頻度の高い各種薄膜材料では得ら
れない値の屈折率を実現した。まず、ＬａＳＦ製の基板
の表面に物質であるＳｉＯ2 とＡｌ2 Ｏ3 の混合膜を成
膜し、ＣＦ4 のガスプラズマを用いたガスプラズマエッ
チングを行ってＳｉＯ2 を除去した。混合膜の成膜にお
いては、ＳｉＯ2 とＡｌ2 Ｏ3 の蒸発源をともに電子銃
加熱によって蒸発させ、各蒸発源ごとに設けられた光学
モニタと水晶モニタを用いて膜厚と成膜速度を制御し
た。成膜条件は、ＳｉＯ2 の成膜速度が約２Å／ｓ、Ａ
ｌ2 Ｏ3 の成膜速度が約８Å／ｓ、膜厚は５００ｎｍ
（λ／４）、基板温度は３００℃であり、ガスプラズマ
エッチングにおけるＣＦ4 のガス圧は１０Ｐａ、ＲＦ電
源パワーは５００Ｗであった。
ることで、従来の使用頻度の高い各種薄膜材料では得ら
れない値の屈折率を実現した。まず、ＬａＳＦ製の基板
の表面に物質であるＳｉＯ2 とＡｌ2 Ｏ3 の混合膜を成
膜し、ＣＦ4 のガスプラズマを用いたガスプラズマエッ
チングを行ってＳｉＯ2 を除去した。混合膜の成膜にお
いては、ＳｉＯ2 とＡｌ2 Ｏ3 の蒸発源をともに電子銃
加熱によって蒸発させ、各蒸発源ごとに設けられた光学
モニタと水晶モニタを用いて膜厚と成膜速度を制御し
た。成膜条件は、ＳｉＯ2 の成膜速度が約２Å／ｓ、Ａ
ｌ2 Ｏ3 の成膜速度が約８Å／ｓ、膜厚は５００ｎｍ
（λ／４）、基板温度は３００℃であり、ガスプラズマ
エッチングにおけるＣＦ4 のガス圧は１０Ｐａ、ＲＦ電
源パワーは５００Ｗであった。
【００２５】得られたＡｌ2 Ｏ3 の光学薄膜である多孔
質膜の反射率の分光特性は図３に示すとおりであり、こ
れから算出した屈折率は１．５２５であった。これは、
Ａｌ2 Ｏ3 の屈折率とＳｉＯ2 の屈折率の中間であり、
従来の使用頻度の高い各種薄膜材料では得られない値で
ある。また、多孔質膜の屈折率は混合膜の混合比を制御
することで所望の値に正確に制御できることが判明し
た。従って、膜厚方向に屈折率の変化する光学薄膜を成
膜するのも極めて容易である。
質膜の反射率の分光特性は図３に示すとおりであり、こ
れから算出した屈折率は１．５２５であった。これは、
Ａｌ2 Ｏ3 の屈折率とＳｉＯ2 の屈折率の中間であり、
従来の使用頻度の高い各種薄膜材料では得られない値で
ある。また、多孔質膜の屈折率は混合膜の混合比を制御
することで所望の値に正確に制御できることが判明し
た。従って、膜厚方向に屈折率の変化する光学薄膜を成
膜するのも極めて容易である。
【００２６】その他の点は第１実施例と同様であるので
説明は省略する。
説明は省略する。
【００２７】
【発明の効果】本発明は上述のとおり構成されているの
で、以下に記載するような効果を奏する。
で、以下に記載するような効果を奏する。
【００２８】膜質を多孔質にすることが容易であり、所
望の低い屈折率を高精度で実現できるとともにレーザ耐
力にもすぐれた光学薄膜を製造できる。
望の低い屈折率を高精度で実現できるとともにレーザ耐
力にもすぐれた光学薄膜を製造できる。
【図１】第１実施例による光学薄膜の反射率の分光特性
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図２】第１実施例の一部変更例による光学薄膜の反射
率の分光特性を示すグラフである。
率の分光特性を示すグラフである。
【図３】第２実施例による光学薄膜の反射率の分光特性
を示すグラフである。
を示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 沢村 光治 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 基板の表面に複数の物質からなる混合膜
を成膜する工程と、成膜された混合膜にガスを接触さ
せ、その化学反応によって前記複数の物質のうちの少く
とも１つを除去する工程を有することを特徴とする光学
薄膜の製造方法。 - 【請求項２】 ガスの少くとも一部分がガスプラズマで
あることを特徴とする請求項１記載の光学薄膜の製造方
法。 - 【請求項３】 複数の物質のうち１つがＳｉＯ2 であ
り、残りの物質のうちの少くとも１つがＳｉＯ2 を除い
た酸化物または弗化物であり、ガスがＣＦ4 、Ｃ2 Ｆ
6 、Ｃ3 Ｆ3 およびＣ5 Ｆ12のうちの１つまたはこれら
のうちの複数を組合わせたものであることを特徴とする
請求項１または２記載の光学薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5318943A JPH07150356A (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | 光学薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5318943A JPH07150356A (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | 光学薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07150356A true JPH07150356A (ja) | 1995-06-13 |
Family
ID=18104728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5318943A Pending JPH07150356A (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | 光学薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07150356A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004092440A1 (ja) * | 2003-04-16 | 2004-10-28 | Bridgestone Corporation | 多孔質薄膜の形成方法 |
| WO2006132351A1 (ja) | 2005-06-09 | 2006-12-14 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | 反射防止膜の形成方法 |
| JP2013047780A (ja) * | 2011-07-26 | 2013-03-07 | Canon Inc | 光学素子、それを用いた光学系および光学機器 |
-
1993
- 1993-11-25 JP JP5318943A patent/JPH07150356A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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