JPH08186351A - 回路板及びその製造方法 - Google Patents
回路板及びその製造方法Info
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- JPH08186351A JPH08186351A JP6325145A JP32514594A JPH08186351A JP H08186351 A JPH08186351 A JP H08186351A JP 6325145 A JP6325145 A JP 6325145A JP 32514594 A JP32514594 A JP 32514594A JP H08186351 A JPH08186351 A JP H08186351A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 回路板製造工程時におけるエッチング時に残
存する触媒作用を有するパラジウム等の金属をほぼ完全
に除去することによってこれらの金属に起因するショー
トの発生を未然に防止できる回路板とその製造方法を提
供すること。 【構成】 絶縁材から基板１０の表面に少なくともパラ
ジウム吸着層１を設ける。このパラジウム吸着層１の表
面に銅めっき層２を形成する。導体回路を形成するため
のフォトレジスト層３を設け、エッチングした後、回路
基板の表面を酸化処理する。酸化処理には、過マンガン
酸処理、プラズマ処理、オゾン処理等がある。酸化処理
によって、フォトレジスト層３以外の基板１０の表面が
除去され、同時に基板１０の表面に残存するパラジウム
１ａが除去される。この製造方法は、例えば、多層配線
プリント基板（ＳＬＣ）の基板に対する処理に有効であ
る。
存する触媒作用を有するパラジウム等の金属をほぼ完全
に除去することによってこれらの金属に起因するショー
トの発生を未然に防止できる回路板とその製造方法を提
供すること。 【構成】 絶縁材から基板１０の表面に少なくともパラ
ジウム吸着層１を設ける。このパラジウム吸着層１の表
面に銅めっき層２を形成する。導体回路を形成するため
のフォトレジスト層３を設け、エッチングした後、回路
基板の表面を酸化処理する。酸化処理には、過マンガン
酸処理、プラズマ処理、オゾン処理等がある。酸化処理
によって、フォトレジスト層３以外の基板１０の表面が
除去され、同時に基板１０の表面に残存するパラジウム
１ａが除去される。この製造方法は、例えば、多層配線
プリント基板（ＳＬＣ）の基板に対する処理に有効であ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は回路板及びその製造方法
に係り、特に多層プリント配線板等の回路板の製造時に
おけるパラジウム等の触媒作用を有する金属の残存によ
る弊害を防止するのに好適な回路板及びその製造方法に
関する。
に係り、特に多層プリント配線板等の回路板の製造時に
おけるパラジウム等の触媒作用を有する金属の残存によ
る弊害を防止するのに好適な回路板及びその製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】回路板を作成する場合、回路板の表面の
導体を形成する手段は、大きく分類すると３種類ある。
すなわち、第１は、サブトラクティブ法と呼ばれる方法
であって、絶縁材の表面に金属箔を接着した後、その金
属箔上に回路となるべき部分にエッチングレジストを形
成し、不要部分の金属箔をウエットエッチングにより除
去して回路を形成する方法、第２は絶縁材の表面にスパ
ッタリングにより導体層を形成した後、エッチングして
回路を形成する方法、第３は、アディテブ法と呼ばれる
方法であって、絶縁材の表面をＰｄ（パラジウム）処理
した後、耐めっきレジストで回路以外の部分を覆い、耐
めっきレジストが覆われなかった部分に無電解法で導体
を析出させる方法である。
導体を形成する手段は、大きく分類すると３種類ある。
すなわち、第１は、サブトラクティブ法と呼ばれる方法
であって、絶縁材の表面に金属箔を接着した後、その金
属箔上に回路となるべき部分にエッチングレジストを形
成し、不要部分の金属箔をウエットエッチングにより除
去して回路を形成する方法、第２は絶縁材の表面にスパ
ッタリングにより導体層を形成した後、エッチングして
回路を形成する方法、第３は、アディテブ法と呼ばれる
方法であって、絶縁材の表面をＰｄ（パラジウム）処理
した後、耐めっきレジストで回路以外の部分を覆い、耐
めっきレジストが覆われなかった部分に無電解法で導体
を析出させる方法である。
【０００３】一方、多層プリント配線板（ＳＬＣ）にお
いては、絶縁材の表面をＰｄ（パラジウム）で処理した
後、その全面に薄く無電解めっきを析出させ、エッチン
グにより導体回路を形成している。実際には、上記の無
電解めっきの析出後、導体層の厚みを増すために電気め
っきを行っている。
いては、絶縁材の表面をＰｄ（パラジウム）で処理した
後、その全面に薄く無電解めっきを析出させ、エッチン
グにより導体回路を形成している。実際には、上記の無
電解めっきの析出後、導体層の厚みを増すために電気め
っきを行っている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】パラジウムは無電解め
っきの際の触媒として働き、導体層を容易に形成させる
のに有効であるが、通常のエッチング液に極めて溶解し
にくいので、回路形成のため無電解めっき、電気めっき
を形成した導体をエッチングする際にも残存する。
っきの際の触媒として働き、導体層を容易に形成させる
のに有効であるが、通常のエッチング液に極めて溶解し
にくいので、回路形成のため無電解めっき、電気めっき
を形成した導体をエッチングする際にも残存する。
【０００５】また、近年、部品接合用のパッドの表面処
理として無電金解めっき、無電解パラジウムめっき等が
多く使用されるようになっており、絶縁材表面にパラジ
ウムが残存すると、このパラジウムが触媒となって不要
な部分にも金やパラジウムが析出して回路のショートが
発生する。
理として無電金解めっき、無電解パラジウムめっき等が
多く使用されるようになっており、絶縁材表面にパラジ
ウムが残存すると、このパラジウムが触媒となって不要
な部分にも金やパラジウムが析出して回路のショートが
発生する。
【０００６】本発明の目的は、回路板の製造工程におい
て残存するパラジウム等の触媒作用を有する金属を除去
することによってこれらの金属に起因する回路のショー
トを未然に防止することができる回路板及びその回路板
を製造するための方法を提供することにある。
て残存するパラジウム等の触媒作用を有する金属を除去
することによってこれらの金属に起因する回路のショー
トを未然に防止することができる回路板及びその回路板
を製造するための方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明の回路板は、絶縁材の基板上に該基板の
表面に対して凸状の断面を有し前記基板の表面に水平に
延びる導体回路が形成されている基板であって、前記導
体回路は第一の金属元素からなる導体層と、第二の金属
元素が吸着した前記絶縁材の層と、前記第二の金属元素
が吸着していない前記絶縁材の層とからなり、前記第二
の金属元素は前記導体層よりも貴であることを特徴とす
る。更に、本発明の回路板は、絶縁材の基板上に、該基
板の表面に対して凸状の断面を有し前記基板の表面と水
平に延びる導体回路が形成されている回路板であって、
前記導体回路は導体層と、パラジウムが吸着した前記導
体層と、パラジウムが吸着していない前記絶縁材の層
と、からなることを特徴とする。
ために、本発明の回路板は、絶縁材の基板上に該基板の
表面に対して凸状の断面を有し前記基板の表面に水平に
延びる導体回路が形成されている基板であって、前記導
体回路は第一の金属元素からなる導体層と、第二の金属
元素が吸着した前記絶縁材の層と、前記第二の金属元素
が吸着していない前記絶縁材の層とからなり、前記第二
の金属元素は前記導体層よりも貴であることを特徴とす
る。更に、本発明の回路板は、絶縁材の基板上に、該基
板の表面に対して凸状の断面を有し前記基板の表面と水
平に延びる導体回路が形成されている回路板であって、
前記導体回路は導体層と、パラジウムが吸着した前記導
体層と、パラジウムが吸着していない前記絶縁材の層
と、からなることを特徴とする。
【０００８】また、本発明の回路板の製造方法は、絶縁
基板上に第一の金属元素の吸着層を設けるステップと、
前記吸着層上に第二の金属元素の導体層を設け、エッチ
ングにより導体回路を形成するステップと、前記導体回
路を形成した前記絶縁基板の表面を酸化処理することに
より前記絶縁基板の一部とともに前記吸着層に含まれた
前記第一の金属元素を除去するステップと、を含むこと
を特徴とし、さらに本発明の回路板の製造方法は、絶縁
基板上にパラジウム吸着層を設けるステップと、前記パ
ラジウム吸着層に導体層を設け、エッチングにより導体
回路を形成するステップと、前記導体回路を形成した前
記絶縁基板の表面を酸化処理して、前記パラジウム吸着
層を含む前記絶縁基板の一部を除去するステップと、を
含むことを特徴とする。
基板上に第一の金属元素の吸着層を設けるステップと、
前記吸着層上に第二の金属元素の導体層を設け、エッチ
ングにより導体回路を形成するステップと、前記導体回
路を形成した前記絶縁基板の表面を酸化処理することに
より前記絶縁基板の一部とともに前記吸着層に含まれた
前記第一の金属元素を除去するステップと、を含むこと
を特徴とし、さらに本発明の回路板の製造方法は、絶縁
基板上にパラジウム吸着層を設けるステップと、前記パ
ラジウム吸着層に導体層を設け、エッチングにより導体
回路を形成するステップと、前記導体回路を形成した前
記絶縁基板の表面を酸化処理して、前記パラジウム吸着
層を含む前記絶縁基板の一部を除去するステップと、を
含むことを特徴とする。
【０００９】
【作用】パラジウム等の触媒作用を有する金属が吸着し
た吸着層が残留していると、その部分が触媒となって、
予期しない場所に金属等が形成される。基板表面を酸化
処理すると、吸着層中の樹脂が酸化され、樹脂中のＣ成
分が酸化されてＣＯ2 となるので、吸着層と共にその中
に含まれているパラジウム等の触媒作用を有する金属が
除去されるため、予期しない場所に金属等が形成される
ことによって生じるショートの発生を未然に防止でき
る。
た吸着層が残留していると、その部分が触媒となって、
予期しない場所に金属等が形成される。基板表面を酸化
処理すると、吸着層中の樹脂が酸化され、樹脂中のＣ成
分が酸化されてＣＯ2 となるので、吸着層と共にその中
に含まれているパラジウム等の触媒作用を有する金属が
除去されるため、予期しない場所に金属等が形成される
ことによって生じるショートの発生を未然に防止でき
る。
【００１０】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて更に詳細に説
明する。図１は、本発明の回路板の製造方法の一実施例
を示す工程である。図１（ａ）は基板１０上にパラジウ
ム吸着層１を形成した状態を示している。基板１０を構
成する絶縁材としては、例えば、エポキシ樹脂、フエノ
ール樹脂、ポリイミド、ポリエステル等の熱硬化性樹
脂、フッ素樹脂、ポリエチレン、ポリエーテルサルフォ
ン、ポリエーテルイミド等の熱可塑性樹脂、の他に熱硬
化性樹脂、熱可塑性性樹脂等の樹脂と紙、ガラス不織布
等との複合材等が挙げられる。
明する。図１は、本発明の回路板の製造方法の一実施例
を示す工程である。図１（ａ）は基板１０上にパラジウ
ム吸着層１を形成した状態を示している。基板１０を構
成する絶縁材としては、例えば、エポキシ樹脂、フエノ
ール樹脂、ポリイミド、ポリエステル等の熱硬化性樹
脂、フッ素樹脂、ポリエチレン、ポリエーテルサルフォ
ン、ポリエーテルイミド等の熱可塑性樹脂、の他に熱硬
化性樹脂、熱可塑性性樹脂等の樹脂と紙、ガラス不織布
等との複合材等が挙げられる。
【００１１】これらの絶縁材からなる基板１０を塩化パ
ラジウム溶液中に浸漬し絶縁材表面にパラジウムを吸着
させることによってパラジウム吸着層１が形成される。
パラジウム吸着層１の代わりに予め絶縁材材料中にパラ
ジウムを分散させて絶縁材の表面にパラジウムを介在さ
せた状態で吸着させることもできる。このパラジウム
は、通常は、樹脂に吸着された状態で樹脂表面に極めて
薄い層をなして存在し、無電解めっきの場合における触
媒として機能する。
ラジウム溶液中に浸漬し絶縁材表面にパラジウムを吸着
させることによってパラジウム吸着層１が形成される。
パラジウム吸着層１の代わりに予め絶縁材材料中にパラ
ジウムを分散させて絶縁材の表面にパラジウムを介在さ
せた状態で吸着させることもできる。このパラジウム
は、通常は、樹脂に吸着された状態で樹脂表面に極めて
薄い層をなして存在し、無電解めっきの場合における触
媒として機能する。
【００１２】このように表面にパラジウムが付着された
絶縁材に対して、図１（ｂ）に示すように無電解めっき
による銅めっき層２からなる導体層が形成される。この
導体層としては、ＳＬＣの場合のように、無電解めっき
面に必要に応じて電気めっきを施して導体層を形成した
ものであってもよい。
絶縁材に対して、図１（ｂ）に示すように無電解めっき
による銅めっき層２からなる導体層が形成される。この
導体層としては、ＳＬＣの場合のように、無電解めっき
面に必要に応じて電気めっきを施して導体層を形成した
ものであってもよい。
【００１３】次に図１（ｃ）示すように導体層に対して
回路となるべき部分にフォトレジスト層３が形成され、
その後銅めっき層２の不要部分をエッチング液で溶解除
去する。この場合、レジストとしては、例えば、感光性
ドライフィルム、感光性液状レジスト、感光性電着レジ
スト、非感光性スクリーン印刷レジスト等が使用でき、
また、エッチング液としては、塩化第二銅、塩化第二
鉄、硫酸と過酸化水素混合液等が使用できる。
回路となるべき部分にフォトレジスト層３が形成され、
その後銅めっき層２の不要部分をエッチング液で溶解除
去する。この場合、レジストとしては、例えば、感光性
ドライフィルム、感光性液状レジスト、感光性電着レジ
スト、非感光性スクリーン印刷レジスト等が使用でき、
また、エッチング液としては、塩化第二銅、塩化第二
鉄、硫酸と過酸化水素混合液等が使用できる。
【００１４】上記のようなエッチングにより図１（ｄ）
に示すように絶縁材からなる基板１０の表面に導体回路
が形成される。回路間の銅等からなる導体層をエッチン
グする際、絶縁材の表面に付着したパラジウムもエッチ
ング時に除去される導体層と共にある程度除去される。
しかし、エッチングの際に一部のパラジウム１ａは除去
しきれずに絶縁材としての基板１０の樹脂に吸着された
状態でそのまま残存する。
に示すように絶縁材からなる基板１０の表面に導体回路
が形成される。回路間の銅等からなる導体層をエッチン
グする際、絶縁材の表面に付着したパラジウムもエッチ
ング時に除去される導体層と共にある程度除去される。
しかし、エッチングの際に一部のパラジウム１ａは除去
しきれずに絶縁材としての基板１０の樹脂に吸着された
状態でそのまま残存する。
【００１５】そこで、図１（ｅ）に示すように回路が形
成された状態の基板（回路板）に残存するパラジウムが
吸着された樹脂の表面を酸化処理する。酸化処理の手段
は、過マンガン酸処理、プラズマ処理、オゾン処理等が
使用される。特にパラジウムの除去効率の点からは過マ
ンガン酸処理、プラズマ処理が好適である。
成された状態の基板（回路板）に残存するパラジウムが
吸着された樹脂の表面を酸化処理する。酸化処理の手段
は、過マンガン酸処理、プラズマ処理、オゾン処理等が
使用される。特にパラジウムの除去効率の点からは過マ
ンガン酸処理、プラズマ処理が好適である。
【００１６】この過マンガン酸処理においては、回路板
を過マンガン酸による処理の前に回路板を膨潤剤に浸漬
することが望ましい。膨潤剤は、絶縁材の表面を膨潤さ
せ、以後の工程における酸化処理において、樹脂表層部
の除去の有効となる。
を過マンガン酸による処理の前に回路板を膨潤剤に浸漬
することが望ましい。膨潤剤は、絶縁材の表面を膨潤さ
せ、以後の工程における酸化処理において、樹脂表層部
の除去の有効となる。
【００１７】膨潤剤としては、例えば、ジエチレングリ
コール−ｎ−ブチルエーテル、アニオン系界面活性剤及
び水酸化ナトリウムからなるものが好適に使用される。
回路板を膨潤剤に浸漬する際、膨潤剤を６０〜８０℃程
度に加温し、浸漬時間は３〜１０分が好ましく、更に７
５〜８０℃で７分程度浸漬することが好ましい。
コール−ｎ−ブチルエーテル、アニオン系界面活性剤及
び水酸化ナトリウムからなるものが好適に使用される。
回路板を膨潤剤に浸漬する際、膨潤剤を６０〜８０℃程
度に加温し、浸漬時間は３〜１０分が好ましく、更に７
５〜８０℃で７分程度浸漬することが好ましい。
【００１８】膨潤剤に対する浸漬処理後、回路板を水洗
し、その後、過マンガン酸処理を行う。過マンガン酸処
理に際しては、例えば、過マンガン酸ナトリウム、水酸
化ナトリウム及び過硫酸ナトリウムからなる樹脂エッチ
ング液が使用される。回路板は６５〜８５℃、好ましく
は、７０〜８５℃に加温された樹脂エッチング液に３〜
１５分、好ましくは１０分程度浸漬処理する。その後、
回路板を水洗し、次いで４３〜５１℃に加温した中和剤
に５〜７分浸漬して中和し、その後さらに水洗する。
し、その後、過マンガン酸処理を行う。過マンガン酸処
理に際しては、例えば、過マンガン酸ナトリウム、水酸
化ナトリウム及び過硫酸ナトリウムからなる樹脂エッチ
ング液が使用される。回路板は６５〜８５℃、好ましく
は、７０〜８５℃に加温された樹脂エッチング液に３〜
１５分、好ましくは１０分程度浸漬処理する。その後、
回路板を水洗し、次いで４３〜５１℃に加温した中和剤
に５〜７分浸漬して中和し、その後さらに水洗する。
【００１９】また、回路板の酸化処理としてプラズマ処
理も有効である。プラズマ処理の場合、回路板が設置さ
れた容器内を０．１〜１０Ｔｏｒｒ、好ましくは、０．
１〜０．５Ｔｏｒｒの真空下に保持し、この容器内に酸
素ガスとフレオンガスとの混合ガスを流して回路板表面
を酸化処理する。混合ガス中のフレオンガスの混合量
は、０〜５０％、好ましくは、３〜２０％であり、容器
内への混合ガスの流量は、０．３〜２ｌ／分、処理時間
は１〜１５分、望ましくは３〜７分が好ましい。さらに
酸化処理としてオゾンによる処理を行うこともできる。
理も有効である。プラズマ処理の場合、回路板が設置さ
れた容器内を０．１〜１０Ｔｏｒｒ、好ましくは、０．
１〜０．５Ｔｏｒｒの真空下に保持し、この容器内に酸
素ガスとフレオンガスとの混合ガスを流して回路板表面
を酸化処理する。混合ガス中のフレオンガスの混合量
は、０〜５０％、好ましくは、３〜２０％であり、容器
内への混合ガスの流量は、０．３〜２ｌ／分、処理時間
は１〜１５分、望ましくは３〜７分が好ましい。さらに
酸化処理としてオゾンによる処理を行うこともできる。
【００２０】このような酸化処理によって、パラジウム
が吸着している樹脂の表面において樹脂が酸化され、樹
脂中のＣ成分が酸化されてＣＯ2 となる。このＣＯ2 が
発生する際、この樹脂表面が膨潤しているため、パラジ
ウムが吸着している樹脂表面が除去されやすくなる。従
って、樹脂表面の除去処理により樹脂の表面に吸着して
いるパラジウムも同時に除去される。図１（ｅ）は酸化
処理後の回路板の断面を示しており、基板１０を構成す
る樹脂の表面は、導体回路以外の部分が酸化処理により
除去され、図中、５で示す段差分の樹脂層が除去された
ことになる。
が吸着している樹脂の表面において樹脂が酸化され、樹
脂中のＣ成分が酸化されてＣＯ2 となる。このＣＯ2 が
発生する際、この樹脂表面が膨潤しているため、パラジ
ウムが吸着している樹脂表面が除去されやすくなる。従
って、樹脂表面の除去処理により樹脂の表面に吸着して
いるパラジウムも同時に除去される。図１（ｅ）は酸化
処理後の回路板の断面を示しており、基板１０を構成す
る樹脂の表面は、導体回路以外の部分が酸化処理により
除去され、図中、５で示す段差分の樹脂層が除去された
ことになる。
【００２１】上記した実施例においては、特に導体層を
形成する金属元素として銅を用い、かつ、この銅によっ
て導体層を形成する金属元素に対して触媒作用を有する
金属元素としてパラジウムの例を示したが、本発明は、
導体層を形成する金属元素としては、銅以外の導電性の
金属元素でもよく、また、導体層を形成する金属元素に
対してパラジウム以外の触媒作用を有する金属元素を任
意に選定することができる。ただし、導体層を形成する
際の触媒作用を有するパラジウム等の金属元素は、導体
層をエッチングする際のエッチング液中において、導体
層を構成する金属元素よりも貴であることが必要であ
る。
形成する金属元素として銅を用い、かつ、この銅によっ
て導体層を形成する金属元素に対して触媒作用を有する
金属元素としてパラジウムの例を示したが、本発明は、
導体層を形成する金属元素としては、銅以外の導電性の
金属元素でもよく、また、導体層を形成する金属元素に
対してパラジウム以外の触媒作用を有する金属元素を任
意に選定することができる。ただし、導体層を形成する
際の触媒作用を有するパラジウム等の金属元素は、導体
層をエッチングする際のエッチング液中において、導体
層を構成する金属元素よりも貴であることが必要であ
る。
【００２２】従って、上記のような製造方法によって得
られる回路板は、図１（ｅ）から明らかなように、絶縁
材の基板１０の表面と水平に延びる導体回路が形成され
ており、この導体回路は、導体層２と、パラジウム１等
の触媒作用を有する金属元素が吸着した絶縁材の層（こ
の絶縁材の層は、絶縁材からなる基板１０と一体をなし
ている。）と、パラジウム１等の触媒作用を有する金属
元素が吸着していない絶縁材の層（酸化処理によって表
面が除去された絶縁材の層）とからなっている。
られる回路板は、図１（ｅ）から明らかなように、絶縁
材の基板１０の表面と水平に延びる導体回路が形成され
ており、この導体回路は、導体層２と、パラジウム１等
の触媒作用を有する金属元素が吸着した絶縁材の層（こ
の絶縁材の層は、絶縁材からなる基板１０と一体をなし
ている。）と、パラジウム１等の触媒作用を有する金属
元素が吸着していない絶縁材の層（酸化処理によって表
面が除去された絶縁材の層）とからなっている。
【００２３】
比較例 最外層の全面にめっきされた銅を塩化第二銅でエッチン
グすることにより回路を形成した状態のＳＬＣ基板を無
電解銅めっき液（キューポジット２５２：シプレイ・フ
ァーイースト社製）に２４時間浸漬した。
グすることにより回路を形成した状態のＳＬＣ基板を無
電解銅めっき液（キューポジット２５２：シプレイ・フ
ァーイースト社製）に２４時間浸漬した。
【００２４】実施例１ 最外層の全面にめっきされた銅を塩化第二銅でエッチン
グすることにより回路を形成した状態のＳＬＣ基板を７
０℃に加温した膨潤剤（サーキュポジットＭＬＢコンジ
ショナー２１１：シプレイ・ファーイースト社製）で５
分間処理し充分水洗した後、７５℃に加温した樹脂エッ
チング液（過マンガン酸ナトリウム液：サーキュポジッ
トＭＬＢプロモータ２１３：シプレイ・ファーイースト
社製）に８分間浸漬処理を行った。充分水洗した後、Ｓ
ＬＣ基板を４５℃に加温した中和剤（硫酸：（サーキュ
ポジットＭＬＢニュートラライザー２１６：シプレイ・
ファーイースト社製）に６分間浸漬して中和処理を行っ
た後、充分水洗した。この処理を終えたＳＬＣ基板を無
電解銅めっき液（キューポジット２５２：シプレイ・フ
ァーイースト社製）に２４時間浸漬した。
グすることにより回路を形成した状態のＳＬＣ基板を７
０℃に加温した膨潤剤（サーキュポジットＭＬＢコンジ
ショナー２１１：シプレイ・ファーイースト社製）で５
分間処理し充分水洗した後、７５℃に加温した樹脂エッ
チング液（過マンガン酸ナトリウム液：サーキュポジッ
トＭＬＢプロモータ２１３：シプレイ・ファーイースト
社製）に８分間浸漬処理を行った。充分水洗した後、Ｓ
ＬＣ基板を４５℃に加温した中和剤（硫酸：（サーキュ
ポジットＭＬＢニュートラライザー２１６：シプレイ・
ファーイースト社製）に６分間浸漬して中和処理を行っ
た後、充分水洗した。この処理を終えたＳＬＣ基板を無
電解銅めっき液（キューポジット２５２：シプレイ・フ
ァーイースト社製）に２４時間浸漬した。
【００２５】実施例２ 最外層の全面にめっきされた銅を塩化第二銅でエッチン
グすることにより回路を形成した状態のＳＬＣ基板を
０．２ｔｏｒｒの減圧下で酸素とフレオンの比９：１の
混合ガスを１．５ｌ／分の割合で流しながら５分間処理
した。この処理を終えたＳＬＣ基板を無電解めっき液
（キューポジット２５２：シプレイ・ファーイースト社
製）に２４時間浸漬した。
グすることにより回路を形成した状態のＳＬＣ基板を
０．２ｔｏｒｒの減圧下で酸素とフレオンの比９：１の
混合ガスを１．５ｌ／分の割合で流しながら５分間処理
した。この処理を終えたＳＬＣ基板を無電解めっき液
（キューポジット２５２：シプレイ・ファーイースト社
製）に２４時間浸漬した。
【００２６】上記の比較例と実施例１及び実施例２にお
ける無電解銅めっき処理後の基板表面の状態を観察し
た。
ける無電解銅めっき処理後の基板表面の状態を観察し
た。
【００２７】無電解銅めっき処理後の表面観察 比較例 ： 銅がエッチングされ、露出していた銅回
路のエポキシ樹脂表面に銅が析出されているのが観察さ
れた。
路のエポキシ樹脂表面に銅が析出されているのが観察さ
れた。
【００２８】実施例１ ： 銅回路間のエポキシ樹脂表
面は、無電解銅めっき処理前と同じ状態で銅の析出は観
察されなかった。
面は、無電解銅めっき処理前と同じ状態で銅の析出は観
察されなかった。
【００２９】実施例２ ： 銅回路間のエポキシ樹脂表
面は、無電解銅めっき処理前と同じ状態で銅の析出は観
察されなかった。
面は、無電解銅めっき処理前と同じ状態で銅の析出は観
察されなかった。
【００３０】上記の表面観察結果から明らかなように、
エッチングにより導体回路が形成された基板に対して過
マンガン酸処理（実施例１）及びプラズマ処理（実施例
２）を行った場合、再度の無電解銅めっきを行っても銅
が析出していない。このことは、再度の無電解銅めっき
の際に、絶縁層としてのエポキシ樹脂の表面にパラジウ
ムが残存していないためにパラジウムを触媒として銅が
析出されないことを示している。また、比較例の場合、
絶縁層としてのエポキシ樹脂の表面にパラジウムが残存
しているため、このパラジウムを触媒として銅が析出さ
れたことを示している。
エッチングにより導体回路が形成された基板に対して過
マンガン酸処理（実施例１）及びプラズマ処理（実施例
２）を行った場合、再度の無電解銅めっきを行っても銅
が析出していない。このことは、再度の無電解銅めっき
の際に、絶縁層としてのエポキシ樹脂の表面にパラジウ
ムが残存していないためにパラジウムを触媒として銅が
析出されないことを示している。また、比較例の場合、
絶縁層としてのエポキシ樹脂の表面にパラジウムが残存
しているため、このパラジウムを触媒として銅が析出さ
れたことを示している。
【００３１】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、多層プリ
ント配線板等の回路基板の製造時のエッチングにおいて
残存する，導体層を形成する際の触媒として作用するパ
ラジウム等の金属を除去し、このパラジウム等の金属に
よる金属析出に起因するショートの発生を未然に防止す
ることができる。
ント配線板等の回路基板の製造時のエッチングにおいて
残存する，導体層を形成する際の触媒として作用するパ
ラジウム等の金属を除去し、このパラジウム等の金属に
よる金属析出に起因するショートの発生を未然に防止す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の回路板の製造方法の一実施例を示す工
程図である。
程図である。
１ パラジウム吸着層 １ａ 残存パラジウム吸着層 ２ 銅めっき層 ３ フォトレジスト層 ５ 段差分樹脂層 １０ 基板
Claims (12)
- 【請求項１】絶縁材の基板上に該基板の表面に対して凸
状の断面を有し前記基板の表面と水平に延びる導体回路
が形成されている回路板であって、前記導体回路は第一
の金属元素からなる導体層と、第二の金属元素が吸着し
た前記絶縁材の層と、前記第二の金属元素が吸着してい
ない前記絶縁材の層とからなり、前記第二の金属元素は
前記導体層を形成するときに使用するエッチング液中に
おいて前記第一の金属元素よりも貴であることを特徴と
する回路板。 - 【請求項２】前記第二の金属元素は前記第一の金属元素
の導体層を形成するときに、触媒として作用することを
特徴とする請求項１の回路板。 - 【請求項３】絶縁材の基板上に、該基板の表面に対して
凸状の断面を有し前記基板の表面と水平に延びる導体回
路が形成されている回路板であって、前記導体回路は導
体層と、パラジウムが吸着した前記絶縁材層と、パラジ
ウムが吸着していない前記絶縁材の層と、からなること
を特徴とする回路板。 - 【請求項４】前記パラジウムが吸着していない前記絶縁
材の層は、前記基板と一体をなすことを特徴とする請求
項３の回路板。 - 【請求項５】絶縁基板上に第一の金属元素の吸着層を設
けるステップと、 前記吸着層上に第二の金属元素の導体層を設け、エッチ
ングにより導体回路を形成するステップと、 前記導体回路を形成した前記絶縁基板の表面を酸化処理
することにより前記絶縁基板の一部とともに前記吸着層
に含まれた前記第一の金属元素を除去するステップと、 を含むことを特徴とする回路板の製造方法。 - 【請求項６】前記第二の金属元素の導体層は前記第一の
金属元素の触媒作用によって形成されることを特徴とす
る請求項５の回路板の製造方法。 - 【請求項７】前記第一の金属元素は前記エッチングで使
用するエッチング液中において前記第二の金属元素より
も貴であることを特徴とする請求項５の回路板の製造方
法。 - 【請求項８】絶縁基板上にパラジウム吸着層を設けるス
テップと、 前記パラジウム吸着層に導体層を設け、エッチングによ
り導体回路を形成するステップと、 前記導体回路を形成した前記絶縁基板の表面を酸化処理
して、前記パラジウム吸着層を含む前記絶縁基板の一部
を除去するステップと、を含むことを特徴とする回路板
の製造方法。 - 【請求項９】前記導体層が、無電解めっき処理と該無電
解めっき処理面に対する電気めっき処理で形成されるこ
とを特徴とする請求項８の回路板の製造方法。 - 【請求項１０】前記回路板が、多層配線プリント板であ
ることを特徴とする請求項８の回路板の製造方法。 - 【請求項１１】前記酸化処理が、過マンガン酸処理であ
ることを特徴とする請求項８の回路板の製造方法。 - 【請求項１２】前記酸化処理が、プラズマ処理であるこ
とを特徴とする請求項８の回路板の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6325145A JP2760952B2 (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 回路板の製造方法 |
| US08/554,427 US5998739A (en) | 1994-12-27 | 1995-11-06 | Stepped configured circuit board |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6325145A JP2760952B2 (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 回路板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08186351A true JPH08186351A (ja) | 1996-07-16 |
| JP2760952B2 JP2760952B2 (ja) | 1998-06-04 |
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ID=18173553
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6325145A Expired - Fee Related JP2760952B2 (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 回路板の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
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| WO2005055681A1 (ja) * | 2003-12-05 | 2005-06-16 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | プリント配線基板、その製造方法および回路装置 |
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| US7056448B2 (en) | 2002-05-20 | 2006-06-06 | Daiwa Fine Chemicals Co., Ltd. | Method for forming circuit pattern |
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| JP2009010336A (ja) * | 2007-05-25 | 2009-01-15 | Fujifilm Corp | 配線パターン形成方法、配線パターン、及び配線基板 |
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| US7749684B2 (en) | 2002-08-28 | 2010-07-06 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Method for manufacturing conductive pattern forming body |
| JP2011159966A (ja) * | 2010-01-07 | 2011-08-18 | Hitachi Chem Co Ltd | 配線基板の表面処理方法及びこの表面処理方法により処理された配線基板 |
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| US7069645B2 (en) * | 2001-03-29 | 2006-07-04 | Ngk Insulators, Ltd. | Method for producing a circuit board |
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- 1994-12-27 JP JP6325145A patent/JP2760952B2/ja not_active Expired - Fee Related
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1995
- 1995-11-06 US US08/554,427 patent/US5998739A/en not_active Expired - Lifetime
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