JPH03225993A - 配線板の製造法 - Google Patents
配線板の製造法Info
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- JPH03225993A JPH03225993A JP2143490A JP2143490A JPH03225993A JP H03225993 A JPH03225993 A JP H03225993A JP 2143490 A JP2143490 A JP 2143490A JP 2143490 A JP2143490 A JP 2143490A JP H03225993 A JPH03225993 A JP H03225993A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、配線板の製造法に関するものでありる。
（従来の技術）
従来、配線板の製造法として、銅張り積層板をエツチン
グして配線パターンを形成する方法があった。
グして配線パターンを形成する方法があった。
しかし、この方法では、通常銅箔が１８〜３５μｍと厚
いため、サイドエツチングの影響で線幅１００μｍ以下
の配線形成が非常に困難になり、これ以下の線幅では断
線やショートが発生し易くなる。
いため、サイドエツチングの影響で線幅１００μｍ以下
の配線形成が非常に困難になり、これ以下の線幅では断
線やショートが発生し易くなる。
また５〜９μｍの銅箔を用いれば内層回路用のエツチン
グは容易になるが、表層部はスルーホール内のめっきが
付加されるので、全体の銅の厚さは３０〜５０μｍとな
り、やはり線幅１００μｍ以下の配線加工は困難になる
。
グは容易になるが、表層部はスルーホール内のめっきが
付加されるので、全体の銅の厚さは３０〜５０μｍとな
り、やはり線幅１００μｍ以下の配線加工は困難になる
。
このようなことから、エツチング法でなく、必要な部分
に無電解めっきにより配線パターンを形成するアディテ
ィブ法が提案されている。
に無電解めっきにより配線パターンを形成するアディテ
ィブ法が提案されている。
（発明が解決しようとする課題）
アディティブ法では、パラジウム、白金、金、銅などの
無電解めっき反応触媒（以下触媒という）を含む接着剤
層（あるいは触媒を含んだ基板を用いる場合もある。）
が配線下部に存在するため、配線間の絶縁特性が悪く、
特に高湿下に於けるエレクトロマイグレーションの問題
があった。
無電解めっき反応触媒（以下触媒という）を含む接着剤
層（あるいは触媒を含んだ基板を用いる場合もある。）
が配線下部に存在するため、配線間の絶縁特性が悪く、
特に高湿下に於けるエレクトロマイグレーションの問題
があった。
また、無電解めっき液の自己分解による、いわゆる銅ふ
り（銅の析出があってはならない箇所に銅の析出が発生
する）の問題もあった。
り（銅の析出があってはならない箇所に銅の析出が発生
する）の問題もあった。
第２図は従来の配線板の断面図を示すもので、１は絶縁
基板、２は触媒、３はレジストパターン、４は配線パタ
ーン、５は銅ふり、６はマイグレーションの状態を示す
。
基板、２は触媒、３はレジストパターン、４は配線パタ
ーン、５は銅ふり、６はマイグレーションの状態を示す
。
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたもので、
配線間の絶縁特性に優れた配線板の製造法を提供するも
のである。
配線間の絶縁特性に優れた配線板の製造法を提供するも
のである。
（課題を解決するための手段）
エレクトロマイグレーションを防止するためには、無電
解めっきが析出する部分（配線部分）以外には触媒が存
在しないことが効果的である。
解めっきが析出する部分（配線部分）以外には触媒が存
在しないことが効果的である。
また、銅ぶりを防止するにはレジストパターン表面のぬ
れ性が低いこと（撥水性が高いこと）が効果的である。
れ性が低いこと（撥水性が高いこと）が効果的である。
本発明は、このような配線構造を達成する方法を種々検
討した結果なされたものである。
討した結果なされたものである。
本発明で使用する絶縁基板としては、ガラス布に絶縁樹
脂を含浸、乾燥させたプリプレグ（例えば、日立化成（
株）裂開品名ＧＥＩ−６７−Ｎ）を数枚積層したものや
、銅張り積層板の銅箔をエツチングしたものなどがある
。これらの絶縁基板には触媒は混入されていない。
脂を含浸、乾燥させたプリプレグ（例えば、日立化成（
株）裂開品名ＧＥＩ−６７−Ｎ）を数枚積層したものや
、銅張り積層板の銅箔をエツチングしたものなどがある
。これらの絶縁基板には触媒は混入されていない。
基板表面を窒素プラズマ処理して基板表面にアミノ型窒
素および／またはイミノ型窒素を導入し、ぬれ性を向上
させ（撥水性が低下する）、後工程での触媒の吸着性や
無電解めっきで形成した配線パターンと基板間の接着性
を向上させる。
素および／またはイミノ型窒素を導入し、ぬれ性を向上
させ（撥水性が低下する）、後工程での触媒の吸着性や
無電解めっきで形成した配線パターンと基板間の接着性
を向上させる。
アミノ型および／またはイミノ型窒素の導入方法として
は、■高純度窒素ガス、■アンモニア、■アミノ型また
は／およびイミノ型窒素を分子内に含むカップリング剤
を有機溶剤で希釈したものあるいはそれらをガス化させ
たものから選ばれる少なくとも１種をプラズマ処理装置
に導入し、公知のプラズマ処理を行なう。
は、■高純度窒素ガス、■アンモニア、■アミノ型また
は／およびイミノ型窒素を分子内に含むカップリング剤
を有機溶剤で希釈したものあるいはそれらをガス化させ
たものから選ばれる少なくとも１種をプラズマ処理装置
に導入し、公知のプラズマ処理を行なう。
また上記の導入方法の他に、前もって浸漬法によりカッ
プリング剤層を基板表面に形成したものを更にアルゴン
や酸素ガスおよび上記窒素系ガスを用いてプラズマ処理
してもよい。
プリング剤層を基板表面に形成したものを更にアルゴン
や酸素ガスおよび上記窒素系ガスを用いてプラズマ処理
してもよい。
レジストパターン表面にフッソ含有低温プラズマ処理を
施すのは、レジストパターン形成後またはレジストを基
板上にラミネートした後である。
施すのは、レジストパターン形成後またはレジストを基
板上にラミネートした後である。
レジストをラミネートした後にプラズマ処理を施す場合
は、レジストがプラズマから発生する紫外線の影響を受
けるため長時間プラズマにさらすのは好ましくない。
は、レジストがプラズマから発生する紫外線の影響を受
けるため長時間プラズマにさらすのは好ましくない。
プラズマ処理で使用するガスはレジスト表面のぬれ性を
低下させるもの（撥水性を向上させるもの）はど良い。
低下させるもの（撥水性を向上させるもの）はど良い。
−殻内には、Ｃｐ、、ＣＬＨ＆、ＣＢ ｒ Ｆ３等が適
当である。
当である。
レジストパターン表面にフッソ含有低温プラズマ処理を
施し、レジストパターン表面のぬれ性を低下させること
により、無電解めっき用活性化処理工程に於ける触媒や
めっき工程に於ける自己分解種等がレジストパターン表
面に吸着するのを防止する。
施し、レジストパターン表面のぬれ性を低下させること
により、無電解めっき用活性化処理工程に於ける触媒や
めっき工程に於ける自己分解種等がレジストパターン表
面に吸着するのを防止する。
この後、無電解めっきに先立つ触媒処理（基板を触媒溶
液に浸漬るす等）をして、無電解めっき液と接触させて
所望の配線パターンを得るが、これらは公知の一般の方
法が使用される。
液に浸漬るす等）をして、無電解めっき液と接触させて
所望の配線パターンを得るが、これらは公知の一般の方
法が使用される。
実施例１
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の方法の一実施例を示す
ものである。
ものである。
両面銅箔付銅張り積層板の銅箔をエツチングした基板１
表面に、ヤマト科学（株）製ＰＲ−５０１Ａ型プラズマ
リアクターを用いて以下に示した条件でプラズマ処理７
を施し、基板表面にアミノ型または／およびイミノ型窒
素を導入した（ａ）。
表面に、ヤマト科学（株）製ＰＲ−５０１Ａ型プラズマ
リアクターを用いて以下に示した条件でプラズマ処理７
を施し、基板表面にアミノ型または／およびイミノ型窒
素を導入した（ａ）。
出 力 １５０Ｗ
ガ ス 高純度窒素
圧 力 ０ 、 ６ Ｔｏｒｒ処理時間
１５分 この場合、適用可能なプラズマ処理としては上記の他に
リアクティブイオンエツチングやプラズマ重合処理が挙
げられる。
１５分 この場合、適用可能なプラズマ処理としては上記の他に
リアクティブイオンエツチングやプラズマ重合処理が挙
げられる。
次にホットロールラミネータ（Ｄｕｐｏｎｔ社製ＨＲＬ
２４型）を用いて永久レジスト（日立化成工業■）裂開
品名、Ｐｈｔｅｃ ５Ｒ−３００ＯＲ） ８を基板上に
ラミネ−） （１０５℃、２ 、６ｋｇｆ／ｃｍ２ ）
後、ドライフィルムレジストを覆っているカバーフィル
ムを剥離し、以下に示す条件でプラズマ処理９を施した
（ｂ）。
２４型）を用いて永久レジスト（日立化成工業■）裂開
品名、Ｐｈｔｅｃ ５Ｒ−３００ＯＲ） ８を基板上に
ラミネ−） （１０５℃、２ 、６ｋｇｆ／ｃｍ２ ）
後、ドライフィルムレジストを覆っているカバーフィル
ムを剥離し、以下に示す条件でプラズマ処理９を施した
（ｂ）。
出 力 １００Ｗ
ガ ス 高純度ＣＦ。
圧 力 ０． ３Ｔｏｒｒ
処理時間 ２分
次にポジマスクを当て紫外線を照射した後、現像液をス
プレーし所望のレジストパターン１０を得た。その後公
知の触媒処理を行い、無電解銅めっき液と接触させるこ
とにより所定の配線パターン１（１（最小ライン幅、ス
ペース二８０μｍ１配線厚さ＝３０μｍ）を得た。なお
、通常触媒の基板に対する吸着性を向上する目的で基板
表面を塩酸系溶液でエツチングする工程が必要であるが
、本発明の場合は、基板表面に電解銅箔の粗化面に対応
した凹凸形状が既に存在することと、プラズマ処理によ
ってぬれ性が改善されているためそのようなエツチング
工程は不用である。
プレーし所望のレジストパターン１０を得た。その後公
知の触媒処理を行い、無電解銅めっき液と接触させるこ
とにより所定の配線パターン１（１（最小ライン幅、ス
ペース二８０μｍ１配線厚さ＝３０μｍ）を得た。なお
、通常触媒の基板に対する吸着性を向上する目的で基板
表面を塩酸系溶液でエツチングする工程が必要であるが
、本発明の場合は、基板表面に電解銅箔の粗化面に対応
した凹凸形状が既に存在することと、プラズマ処理によ
ってぬれ性が改善されているためそのようなエツチング
工程は不用である。
基板として必要な枚数の内層基板とプリプレグを用いて
多層化したものやスルーホール用にドリル穴あけを施す
ようにしても良い。また無電解めっきで生成させる金属
は銅に限るものでない。
多層化したものやスルーホール用にドリル穴あけを施す
ようにしても良い。また無電解めっきで生成させる金属
は銅に限るものでない。
実施例２
第３図（ａ）〜（ｄ）は本発明の方法の他の一実施例を
示すものである。
示すものである。
厚さ１．８ｍｍのガラスエポキシ基板１の両面にサンド
ブラスト処理を施した後、エポキシ基板を十分に水洗、
乾燥させた。次に日型アネルバ（株）社製ＤＥＭ、４５
１型リアクティブリアクティブイオンエツチング装置下
に示した条件でエポキシ基板にプラズマ処理７を施した
。
ブラスト処理を施した後、エポキシ基板を十分に水洗、
乾燥させた。次に日型アネルバ（株）社製ＤＥＭ、４５
１型リアクティブリアクティブイオンエツチング装置下
に示した条件でエポキシ基板にプラズマ処理７を施した
。
出 力 １００Ｗ
ガ ス アンモニア
圧 力 ０．１ Ｔｏｒｒ
処理時間 ５分
実施例１のプラズマ処理に比べて、リアクティブエツチ
ング法は基板表面に対するエツチング効果が大きく無電
解めっきに対するアンカー効果が期待できるが、処理が
強すぎる（出力が高すぎる、あるいは処理時間が長すぎ
る）と炭化層や脆弱層が生成する場合があるので注意を
要する。次に永久レジスト（日立化成工業■裂開品名、
Ｐｈｔｅｃ ５Ｒ３０００Ｒ） ８をラミネートし、露
光、現像により所望するレジストパターン１０を得たの
ち、レジストパターンを有した基板表面に実施例１と同
様のＣＦ、プラズマ処理９を施し、以後実施例１と同様
に触媒処理、無電解銅めっき工程を経て所望する配線パ
ターン１１を有する配線板を得た。
ング法は基板表面に対するエツチング効果が大きく無電
解めっきに対するアンカー効果が期待できるが、処理が
強すぎる（出力が高すぎる、あるいは処理時間が長すぎ
る）と炭化層や脆弱層が生成する場合があるので注意を
要する。次に永久レジスト（日立化成工業■裂開品名、
Ｐｈｔｅｃ ５Ｒ３０００Ｒ） ８をラミネートし、露
光、現像により所望するレジストパターン１０を得たの
ち、レジストパターンを有した基板表面に実施例１と同
様のＣＦ、プラズマ処理９を施し、以後実施例１と同様
に触媒処理、無電解銅めっき工程を経て所望する配線パ
ターン１１を有する配線板を得た。
実施例３
実施例１に於て、基板表面にアミノ型および／またはイ
ミノ型窒素を導入するためのプラズマ処理７に代えて次
の方法により基板を処理した。
ミノ型窒素を導入するためのプラズマ処理７に代えて次
の方法により基板を処理した。
信越化学（株）製シランカップリング剤ＫＢＥ９０３の
０ 、５ｗｔ％メタノール溶液を調整し、これを温水槽
に設定した丸底フラスコ内に１５０ｍ１とった。次にＳ
ａｍｃｏ （株）社製ＭＯＤＥＬ ＢＰ−１型プラズマ
重合装置を用いて以下に示した条件でプラズマ処理を施
した。メタノール溶液に対してアルゴンガスによるバブ
リングを行った。この場合、カップリング剤としては上
記のフェニルシラン系の他にアミノシラン系やトリアジ
ンチオール系等のカップリング剤が適用可能である。
０ 、５ｗｔ％メタノール溶液を調整し、これを温水槽
に設定した丸底フラスコ内に１５０ｍ１とった。次にＳ
ａｍｃｏ （株）社製ＭＯＤＥＬ ＢＰ−１型プラズマ
重合装置を用いて以下に示した条件でプラズマ処理を施
した。メタノール溶液に対してアルゴンガスによるバブ
リングを行った。この場合、カップリング剤としては上
記のフェニルシラン系の他にアミノシラン系やトリアジ
ンチオール系等のカップリング剤が適用可能である。
出 力 ６０Ｗ
ガ ス 導入ガス／アルゴン
圧 力 ０． ４Ｔｏｒｒ
処理時間 １０分
その他の工程は、実施例１と同様にして配線板を得た。
（発明の効果）
本発明は、配線間絶縁特性および基板〜配線間の接着性
等に優れた配線板を安定して製造することができる。
等に優れた配線板を安定して製造することができる。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明するた
めの断面図、第２図は従来の配線板の断面図、第３図（
ａ）〜（ｄ）は本発明の他の一実施例を説明するための
断面図である。 符号の説明 １、基板 ２、無電解めっき用触媒 ３、レジストパターン ４、配線パターン ５、銅ふり ６、マイグレーション ７、プラズマ処理面 ８、レジスト層 ９、プラズマ処理面 １０、レジストパターン １１、配線パターン ゛代理人 弁理士 １
めの断面図、第２図は従来の配線板の断面図、第３図（
ａ）〜（ｄ）は本発明の他の一実施例を説明するための
断面図である。 符号の説明 １、基板 ２、無電解めっき用触媒 ３、レジストパターン ４、配線パターン ５、銅ふり ６、マイグレーション ７、プラズマ処理面 ８、レジスト層 ９、プラズマ処理面 １０、レジストパターン １１、配線パターン ゛代理人 弁理士 １
Claims (2)
- １．ａ）絶縁基板表面にアミノ型窒素および／またはイ
ミノ型窒素を導入する工程、 ｂ）絶縁基板上に無電解めっき用レジストパターンを形
成する工程、 ｃ）レジストパターンの表面にフッソ含有低温プラズマ
処理を施す工程、 Ｄ）無電解めっき反応触媒、無電解めっき液と接触させ
て所望の配線パターンを得る工程、 とを含むことを特徴とする配線板の製造法。 - ２．絶縁基板表面にアミノ型窒素および／またはイミノ
型窒素を導入する方法が低温プラズマ処理である請求項
１記載の配線板の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2143490A JPH03225993A (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 配線板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2143490A JPH03225993A (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 配線板の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03225993A true JPH03225993A (ja) | 1991-10-04 |
Family
ID=12054873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2143490A Pending JPH03225993A (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 配線板の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03225993A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6560863B2 (en) * | 2000-08-11 | 2003-05-13 | Shinko Electric Industries, Co., Ltd. | Method of producing wiring board |
| WO2007023781A1 (ja) * | 2005-08-22 | 2007-03-01 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems, Ltd. | 回路接続構造体及びその製造方法及び回路接続構造体用の半導体基板 |
| KR100890306B1 (ko) * | 2007-01-31 | 2009-03-26 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판의 제조방법 |
| US8975192B2 (en) | 2005-08-22 | 2015-03-10 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
-
1990
- 1990-01-31 JP JP2143490A patent/JPH03225993A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6560863B2 (en) * | 2000-08-11 | 2003-05-13 | Shinko Electric Industries, Co., Ltd. | Method of producing wiring board |
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| JP2007059480A (ja) * | 2005-08-22 | 2007-03-08 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd | 回路接続構造体及びその製造方法及び回路接続構造体用の半導体基板 |
| JP4691417B2 (ja) * | 2005-08-22 | 2011-06-01 | 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 | 回路接続構造体及びその製造方法及び回路接続構造体用の半導体基板 |
| US8148204B2 (en) | 2005-08-22 | 2012-04-03 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems, Ltd. | Circuit connection structure, method for producing the same and semiconductor substrate for circuit connection structure |
| CN103258753A (zh) * | 2005-08-22 | 2013-08-21 | 日立化成杜邦微系统股份有限公司 | 电路连接结构体及其制造方法以及电路连接结构体用的半导体基板 |
| US8975192B2 (en) | 2005-08-22 | 2015-03-10 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| KR100890306B1 (ko) * | 2007-01-31 | 2009-03-26 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판의 제조방법 |
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