JPH08186087A - ダイシング方法 - Google Patents
ダイシング方法Info
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- JPH08186087A JPH08186087A JP32797294A JP32797294A JPH08186087A JP H08186087 A JPH08186087 A JP H08186087A JP 32797294 A JP32797294 A JP 32797294A JP 32797294 A JP32797294 A JP 32797294A JP H08186087 A JPH08186087 A JP H08186087A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ライン型イメージセンサチップのような小幅
長尺チップのダイシングでの、ウェハー周辺部シリコン
片の飛散を防止して、疵発生の低減を図る方法を提供す
ることを目的とする。 【構成】 ダイシングの前工程としての、シリコンウェ
ハー６が金属製リング７内にダイシングテープ２を用い
て保持される状態で、飛散を生じるウェハー周辺部に切
削水の侵入を防止する保護テープ４を貼り付け、ダイシ
ングテープ２との間にウェハー周辺部を包み込むように
し成る。
長尺チップのダイシングでの、ウェハー周辺部シリコン
片の飛散を防止して、疵発生の低減を図る方法を提供す
ることを目的とする。 【構成】 ダイシングの前工程としての、シリコンウェ
ハー６が金属製リング７内にダイシングテープ２を用い
て保持される状態で、飛散を生じるウェハー周辺部に切
削水の侵入を防止する保護テープ４を貼り付け、ダイシ
ングテープ２との間にウェハー周辺部を包み込むように
し成る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコンウェハーに形
成されたＩＣチップのダイシング（ｄｉｃｉｎｇ）方法
に係り、中でもライン型イメージセンサーチップのよう
な小幅長尺チップのダイシング方法に関するものであ
る。
成されたＩＣチップのダイシング（ｄｉｃｉｎｇ）方法
に係り、中でもライン型イメージセンサーチップのよう
な小幅長尺チップのダイシング方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】通常、シリコンウェハー６周辺部断面
は、周辺部から発生するシリコン屑の付着によるＩＣパ
ターンニング歩留り低下を防止するために、図３に示す
ようになっている。
は、周辺部から発生するシリコン屑の付着によるＩＣパ
ターンニング歩留り低下を防止するために、図３に示す
ようになっている。
【０００３】このため、ダイシング中にシリコンウェハ
ー６周辺部とダイシングテープの間に切削水等が侵入
し、その水圧によって周辺部シリコン片がダイシングテ
ープから剥がれ、飛散する。
ー６周辺部とダイシングテープの間に切削水等が侵入
し、その水圧によって周辺部シリコン片がダイシングテ
ープから剥がれ、飛散する。
【０００４】特に、ライン型イメージセンサーチップの
ような小幅長尺チップの場合、シリコンウェハー６の周
辺部シリコン片５はコンマ数ミリ角となるため飛散数が
多くなる。飛散した周辺部シリコン片５は、シリコンウ
ェハー６上のいたる所に傷を付け、不良チップを多数発
生させる。
ような小幅長尺チップの場合、シリコンウェハー６の周
辺部シリコン片５はコンマ数ミリ角となるため飛散数が
多くなる。飛散した周辺部シリコン片５は、シリコンウ
ェハー６上のいたる所に傷を付け、不良チップを多数発
生させる。
【０００５】図４にこの様子を簡単に示す。図４におい
て、１はダイシングのカットライン、２はダイシングテ
ープである。ダイシングブレード３は図中矢印の向きに
２０，０００〜５０，０００rpm で回転しながら、左か
ら右に進行している。
て、１はダイシングのカットライン、２はダイシングテ
ープである。ダイシングブレード３は図中矢印の向きに
２０，０００〜５０，０００rpm で回転しながら、左か
ら右に進行している。
【０００６】切削水等はダイシングブレード３の遠心力
を受け、強力な勢いで周辺部シリコン片５とダイシング
テープ２の隙間に侵入する。この際、周辺部シリコン片
５に剥離方向への力が加わり、ダイシングテープ２との
接触面積が小さいものは飛散する。飛散した周辺部シリ
コン片５は、シリコンウェハー６上に傷をつける。
を受け、強力な勢いで周辺部シリコン片５とダイシング
テープ２の隙間に侵入する。この際、周辺部シリコン片
５に剥離方向への力が加わり、ダイシングテープ２との
接触面積が小さいものは飛散する。飛散した周辺部シリ
コン片５は、シリコンウェハー６上に傷をつける。
【０００７】従来、この解決策として実施されているダ
イシング方法の概略を図５に示すが、この方法は図３の
厚みと対比すれば分かるように、ダイシング前にシリコ
ンウェハー６裏面を厚みが約半分になるまでラッピング
し、ダイシング中の切削水侵入を防止するものである。
イシング方法の概略を図５に示すが、この方法は図３の
厚みと対比すれば分かるように、ダイシング前にシリコ
ンウェハー６裏面を厚みが約半分になるまでラッピング
し、ダイシング中の切削水侵入を防止するものである。
【０００８】しかしこの従来例では、この場合、ウェハ
ーラッピング（ｗａｆｅｒ ｌａｐｐｉｎｇ）にコスト
が掛かる。しかも、チップ厚が薄くなるため、後工程の
ダイマウントで、チップクラックが発生し易く、ダイ接
着剤がチップ表面まで這い上がる等の課題がある（以
下、これらを総称して『従来例』という）。
ーラッピング（ｗａｆｅｒ ｌａｐｐｉｎｇ）にコスト
が掛かる。しかも、チップ厚が薄くなるため、後工程の
ダイマウントで、チップクラックが発生し易く、ダイ接
着剤がチップ表面まで這い上がる等の課題がある（以
下、これらを総称して『従来例』という）。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ここにおいて本発明
は、これらの課題を解決しようとするもので、低コスト
で、後工程に何ら支障を来さず、確実に周辺部飛散によ
るチップ傷不良を防止するダイシング方法を提供するこ
とを目的とする。
は、これらの課題を解決しようとするもので、低コスト
で、後工程に何ら支障を来さず、確実に周辺部飛散によ
るチップ傷不良を防止するダイシング方法を提供するこ
とを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明は、切削水等の侵入を防止する保護テープを
用い、飛散発生部をダイシングテープとの間で挟み込む
ように配したダイシング方法である。すなわち、ウェハ
ー周辺部に保護テープを貼るダイシング方法である。ま
た好ましくはウェハーへダイシングブレードが侵入する
方向に対し、ウェハーの先端周辺部の上面とウェハーを
載置するダイシングテープ上面の間を、切削水の侵入を
防止する保護テープを貼付し、ウェハーのダイシングを
行うダイシング方法である。さらに望ましくは保護テー
プ材質がポリオレフィンであるダイシング方法である。
さらにまた好ましくは保護テープの表面に弾性体を介し
てローラーで押圧しながらそのローラーを回転させ、ウ
ェハーの上面に保護テープを貼付させるダイシング方法
である。
に、本発明は、切削水等の侵入を防止する保護テープを
用い、飛散発生部をダイシングテープとの間で挟み込む
ように配したダイシング方法である。すなわち、ウェハ
ー周辺部に保護テープを貼るダイシング方法である。ま
た好ましくはウェハーへダイシングブレードが侵入する
方向に対し、ウェハーの先端周辺部の上面とウェハーを
載置するダイシングテープ上面の間を、切削水の侵入を
防止する保護テープを貼付し、ウェハーのダイシングを
行うダイシング方法である。さらに望ましくは保護テー
プ材質がポリオレフィンであるダイシング方法である。
さらにまた好ましくは保護テープの表面に弾性体を介し
てローラーで押圧しながらそのローラーを回転させ、ウ
ェハーの上面に保護テープを貼付させるダイシング方法
である。
【００１１】
【作用】本発明は、上記のように構成したことにより、
低コストで確実にシリコン片飛散を防止できると共に、
ウェハーラッピングの必要がないので、ダイマウント時
に全く支障が生じず、製品の歩留りが飛躍的に向上す
る。
低コストで確実にシリコン片飛散を防止できると共に、
ウェハーラッピングの必要がないので、ダイマウント時
に全く支障が生じず、製品の歩留りが飛躍的に向上す
る。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【００１３】図１は、本発明の一実施例におけるダイシ
ング方法の概略を示す側断面図である。
ング方法の概略を示す側断面図である。
【００１４】図１おいて、１はダイシングのカットライ
ン、２はダイシングテープである。ダイシングブレード
３は、図中矢印の向きに２０，０００〜５０，０００rp
m で回転しながら、左から右に進行している。
ン、２はダイシングテープである。ダイシングブレード
３は、図中矢印の向きに２０，０００〜５０，０００rp
m で回転しながら、左から右に進行している。
【００１５】４はポリオレフィン系材料を基材とした保
護テープで、周辺部シリコン片５をダイシングテープ２
との間でサンドウイッチするように配されている。
護テープで、周辺部シリコン片５をダイシングテープ２
との間でサンドウイッチするように配されている。
【００１６】切削水等はダイシングブレード３の遠心力
を受け、強力な勢いで周辺部シリコン片５とダイシング
テープ２の隙間に侵入しようとするが、保護テープ４に
よって完全にシャットアウトされる。
を受け、強力な勢いで周辺部シリコン片５とダイシング
テープ２の隙間に侵入しようとするが、保護テープ４に
よって完全にシャットアウトされる。
【００１７】これにより、周辺部シリコン片５の飛散は
全く生じなくなる。尚、保護テープ４の基材はポリオレ
フィン系に限るものではなく、また、粘着層の有無は問
わない。
全く生じなくなる。尚、保護テープ４の基材はポリオレ
フィン系に限るものではなく、また、粘着層の有無は問
わない。
【００１８】図２に、本発明の一実施例で使用する保護
テープのマウント装置の側面図を示す。
テープのマウント装置の側面図を示す。
【００１９】図２において、６はシリコンウェハーであ
る。シリコンウェハー６は、市販のテープマウンター
（図示せず）により金属製のリング７中にダイシングテ
ープ２（図示せず）を用いて保持されている。
る。シリコンウェハー６は、市販のテープマウンター
（図示せず）により金属製のリング７中にダイシングテ
ープ２（図示せず）を用いて保持されている。
【００２０】シリコンウェハー６は、この状態でステー
ジ８上に設置される。この際、シリコンウェハー６の位
置決めはリング７に設けられた位置決め穴９ａ，９ｂと
ステージ８に設けられた位置決めピン１０ａ，１０ｂに
よってなされる。
ジ８上に設置される。この際、シリコンウェハー６の位
置決めはリング７に設けられた位置決め穴９ａ，９ｂと
ステージ８に設けられた位置決めピン１０ａ，１０ｂに
よってなされる。
【００２１】ここで、特に位置精度が要求される場合
は、パターン認識ユニットを使い（図示せず）、ステー
ジ８にＸＹ軸および回転方向の駆動系を取り付けること
も可能である。
は、パターン認識ユニットを使い（図示せず）、ステー
ジ８にＸＹ軸および回転方向の駆動系を取り付けること
も可能である。
【００２２】位置決めがなされたシリコンウェハー６
は、ステージ８に多数設けられた吸着孔１１を介して、
真空吸着され固定される。保護テープ４はリール状で装
置内に供給されており、チャック１２ａ，１２ｂにより
保持されている。１３は保護テープ４を貼り付けるため
の樹脂製のローラーであり、対象ワークに合わせたサイ
ズに加工されている。
は、ステージ８に多数設けられた吸着孔１１を介して、
真空吸着され固定される。保護テープ４はリール状で装
置内に供給されており、チャック１２ａ，１２ｂにより
保持されている。１３は保護テープ４を貼り付けるため
の樹脂製のローラーであり、対象ワークに合わせたサイ
ズに加工されている。
【００２３】また、ローラー１３はチャック１２ａと１
２ｂの間で必要ストローク分駆動する。ローラー１３が
駆動する際、保護テープ４を介してダイシングテープ２
を押す方向に一定荷重が加わるよう、スプリング１４等
が取り付けられており、保護テープ４はダイシングテー
プ２の粘着力により、所定位置に貼り付けられる。１５
はカッターであり、ローラー１３とチャック１２ａ間で
保護テープ４をカットする。
２ｂの間で必要ストローク分駆動する。ローラー１３が
駆動する際、保護テープ４を介してダイシングテープ２
を押す方向に一定荷重が加わるよう、スプリング１４等
が取り付けられており、保護テープ４はダイシングテー
プ２の粘着力により、所定位置に貼り付けられる。１５
はカッターであり、ローラー１３とチャック１２ａ間で
保護テープ４をカットする。
【００２４】保護テープ４の供給およびローラー１３に
よる貼り付け動作について、概略を説明する。ローラー
１３は始め原点位置Ａにある。この状態でチャック１２
ｂがチャック１２ａの位置まで駆動して、保護テープ４
の端部を保持する。次にチャック１２ａが開放状態とな
り、チャック１２ｂは保護テープ４を引き出しながら、
図２に示す位置まで移動する。
よる貼り付け動作について、概略を説明する。ローラー
１３は始め原点位置Ａにある。この状態でチャック１２
ｂがチャック１２ａの位置まで駆動して、保護テープ４
の端部を保持する。次にチャック１２ａが開放状態とな
り、チャック１２ｂは保護テープ４を引き出しながら、
図２に示す位置まで移動する。
【００２５】移動完了後、ローラー１３が貼付開始位置
Ｂまで降下し、チャック１２ａが閉じる。この状態でカ
ッター１５がスライドして保護テープ４を切断する。切
断後ローラー１３は保護テープ４を貼り付けながら、図
中右から左へ移動する。ローラー１３が所定ストローク
長の約８０％に達した時点でチャック１２ｂは開放され
る。ローラー１３は更に所定ストロークになるまで移動
した後、同じ道程を戻って原点位置Ａに帰る。その後ス
テージ８が下降しワークが排出される。
Ｂまで降下し、チャック１２ａが閉じる。この状態でカ
ッター１５がスライドして保護テープ４を切断する。切
断後ローラー１３は保護テープ４を貼り付けながら、図
中右から左へ移動する。ローラー１３が所定ストローク
長の約８０％に達した時点でチャック１２ｂは開放され
る。ローラー１３は更に所定ストロークになるまで移動
した後、同じ道程を戻って原点位置Ａに帰る。その後ス
テージ８が下降しワークが排出される。
【００２６】次に、本発明の第１の実験例について説明
する。上記の本発明の先の一実施例の方法でダイシング
を行い、ウェハー周辺部の飛散シリコン片およびウェハ
ー上に発生した傷の数をカウントした。試験には６イン
チシリコンウェハー（厚み６８０μｍ）を用い、縦８ｍ
ｍ／横０．４ｍｍピッチでダイシングを行った。また、
保護テープ４として、粘着層を有しないポリオレフィン
系のテープを使用した。比較例１ａとして保護テープ４
を使用しない以外は全て一実施例と同様の試験を行っ
た。比較例１ｂとして厚みを半分（３５０μｍ）にラッ
ピングしたシリコンウェハー６を用い、保護テープ４を
使用せずに一実施例と同様の試験を行った。これら一実
施例および比較例１ａ，１ｂの結果を（表１）に示す。
する。上記の本発明の先の一実施例の方法でダイシング
を行い、ウェハー周辺部の飛散シリコン片およびウェハ
ー上に発生した傷の数をカウントした。試験には６イン
チシリコンウェハー（厚み６８０μｍ）を用い、縦８ｍ
ｍ／横０．４ｍｍピッチでダイシングを行った。また、
保護テープ４として、粘着層を有しないポリオレフィン
系のテープを使用した。比較例１ａとして保護テープ４
を使用しない以外は全て一実施例と同様の試験を行っ
た。比較例１ｂとして厚みを半分（３５０μｍ）にラッ
ピングしたシリコンウェハー６を用い、保護テープ４を
使用せずに一実施例と同様の試験を行った。これら一実
施例および比較例１ａ，１ｂの結果を（表１）に示す。
【００２７】
【表１】
【００２８】（表１）から分かるように、本発明の保護
テープ４を使用したダイシング方法は、従来例に比べ大
幅に飛散シリコン片数が減少し、その結果シリコンウェ
ハー６の傷発生率が激減される。その降下は、ラッピン
グ処理品と同レベルである。
テープ４を使用したダイシング方法は、従来例に比べ大
幅に飛散シリコン片数が減少し、その結果シリコンウェ
ハー６の傷発生率が激減される。その降下は、ラッピン
グ処理品と同レベルである。
【００２９】さらに、本発明の第２の実験例について言
及する。先の第１の実験例でダイシングしたシリコンウ
ェハー６を使用し、ダイマウント後の電気的不良率を測
定した。比較例２ａ，２ｂとして比較例１ａ，１ｂでの
ダイシングしたシリコンウェハー６を使用し、第１の実
験例と同様の試験を行った。その結果を（表２）に示
す。
及する。先の第１の実験例でダイシングしたシリコンウ
ェハー６を使用し、ダイマウント後の電気的不良率を測
定した。比較例２ａ，２ｂとして比較例１ａ，１ｂでの
ダイシングしたシリコンウェハー６を使用し、第１の実
験例と同様の試験を行った。その結果を（表２）に示
す。
【００３０】
【表２】
【００３１】（表２）にから分かるように、本発明のダ
イシング方法は、従来例（比較例２ａ）に比べ、シリコ
ンウェハー６傷による電気的不良が大幅に減少してい
る。また、従来例のラッピングしたシリコンウェハー６
（比較例２ｂ）に比べ、チップクラック，ダイ接着剤這
い上がりによる不良も大幅に低下している。
イシング方法は、従来例（比較例２ａ）に比べ、シリコ
ンウェハー６傷による電気的不良が大幅に減少してい
る。また、従来例のラッピングしたシリコンウェハー６
（比較例２ｂ）に比べ、チップクラック，ダイ接着剤這
い上がりによる不良も大幅に低下している。
【００３２】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
のダイシング方法は、ダイシング工程中に飛散し易いウ
ェハー周辺部に、予め保護テープを貼り付けると言う簡
単な処理を行うことにより、周辺部シリコン片飛散を確
実に防止でき、ウェハー不良を大幅に低減可能という特
段の効果を奏することができる。
のダイシング方法は、ダイシング工程中に飛散し易いウ
ェハー周辺部に、予め保護テープを貼り付けると言う簡
単な処理を行うことにより、周辺部シリコン片飛散を確
実に防止でき、ウェハー不良を大幅に低減可能という特
段の効果を奏することができる。
【図１】本発明の一実施例におけるダイシング方法の概
略を示す側断面図
略を示す側断面図
【図２】本発明の一実施例で使用する保護テープのマウ
ント装置の側面図
ント装置の側面図
【図３】シリコンウェハーの周辺部の概略的側断面図
【図４】シリコンウェハーの周辺部のシリコン片飛散の
原理を簡単に説明した模式図
原理を簡単に説明した模式図
【図５】従来例（ラッピング済）のシリコンウェハーの
概略を表す側断面図
概略を表す側断面図
１ ダイシングのカットライン ２ ダイシングテープ ３ ダイシングブレード ４ 保護テープ ５ 周辺部シリコン ６ シリコンウェハー ７ リング ８ ステージ ９ａ，９ｂ 位置決め穴 １０ａ，１０ｂ 位置決めピン １１ 吸着孔 １２ａ，１２ｂ チャック １３ ローラー １４ スプリング １５ カッター
Claims (4)
- 【請求項１】ウェハー周辺部に保護テープを貼ることを
特徴とするダイシング方法。 - 【請求項２】前記ウェハーへダイシングブレードが侵入
する方向に対し、前記ウェハーの先端周辺部の上面と前
記ウェハーを載置するダイシングテープ上面の間を、切
削水の侵入を防止する前記保護テープを貼付し、前記ウ
ェハーのダイシングを行うことを特徴とする請求項１記
載のダイシング方法。 - 【請求項３】前記保護テープ材質がポリオレフィンであ
ることを特徴とする請求項１または請求項２記載のダイ
シング方法。 - 【請求項４】前記保護テープの表面に弾性体を介してロ
ーラーで押圧しながらそのローラーを回転させ、前記ウ
ェハーの上面に前記保護テープを貼付させることを特徴
とする請求項１ないし請求項３のいずれかの項に記載の
ダイシング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32797294A JP3505827B2 (ja) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | ダイシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32797294A JP3505827B2 (ja) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | ダイシング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08186087A true JPH08186087A (ja) | 1996-07-16 |
| JP3505827B2 JP3505827B2 (ja) | 2004-03-15 |
Family
ID=18205075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32797294A Expired - Fee Related JP3505827B2 (ja) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | ダイシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3505827B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009010150A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Disco Abrasive Syst Ltd | 板状物の切削方法 |
| JP2012038933A (ja) * | 2010-08-06 | 2012-02-23 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 洗浄装置、洗浄方法及び組成物 |
| JP2013033925A (ja) * | 2011-07-01 | 2013-02-14 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、洗浄装置及び剥離システム |
-
1994
- 1994-12-28 JP JP32797294A patent/JP3505827B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009010150A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Disco Abrasive Syst Ltd | 板状物の切削方法 |
| JP2012038933A (ja) * | 2010-08-06 | 2012-02-23 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 洗浄装置、洗浄方法及び組成物 |
| US9010343B2 (en) | 2010-08-06 | 2015-04-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Cleaning device, cleaning method, and composition |
| TWI498957B (zh) * | 2010-08-06 | 2015-09-01 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 洗淨裝置、洗淨方法及組成物 |
| JP2013033925A (ja) * | 2011-07-01 | 2013-02-14 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、洗浄装置及び剥離システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3505827B2 (ja) | 2004-03-15 |
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