JPH08185610A - 薄膜磁気ヘッドにおけるメッキ層形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 絶縁層，ギャップ層の変化を防ぎ、特性を所
望のものとすることができる薄膜磁気ヘッドにおけるメ
ッキ層形成方法を提供すること 【構成】 基板１０の上部に所定形状の下部磁極層１
１，非磁性膜１２，絶縁層１３を順次積層形成し、さら
にそれらの上部に第１レジスト１４を形成し、所定パタ
ーンの第１孔部１５を形成し（図（Ａ））、上面にメッ
キベース１６を蒸着し（図（Ｂ））、その上面に第２レ
ジスト１７を形成し、所定パターンの第２孔部１８を形
成し（図（Ｃ））、第１孔部１５，第２孔部１８から露
出するメッキベース上にメッキ膜を成長させてコイル層
１９を形成する（同図（Ｄ））。この後、第２レジス
ト，露出するメッキベース，第１レジストの順で除去す
るが、メッキベース除去時にオーバーエッチングしたと
してもその下側には第１レジストが存在するため、絶縁
層などが削られることがない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドにおけ
るメッキ層形成方法に関するもので、より具体的にはメ
ッキの下地となるメッキベースの形成工程の改良に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の薄膜磁気ヘッドにおけるメッキ層
の１つであるコイル層の形成方法としては、図３に示す
ように、基板１の上部にヨークを形成するための下部電
極層２，ギャップ層となる非磁性膜３，絶縁層４を順次
積層形成する。ただし、絶縁層４は非磁性膜３の表面所
定位置に形成されているので、非磁性膜３は一部露出し
ている。そして、各層を形成した基板１の上面全体にメ
ッキベース５を蒸着する（同図（Ａ））。

【０００３】ついで、メッキベース５の上面に所定厚さ
のフォトレジスト６を塗布し、露光現像処理をおこな
い、フォトレジスト６に形成するコイル層と同一平面形
状のパターンからなる孔部７が形成され、孔部７を介し
てメッキベース５が露出する（同図（Ｂ））。

【０００４】孔部７から露出するメッキベース５上にメ
ッキ膜を成膜させてコイル層８を形成し（同図
（Ｃ））、上記露光現像処理時に残ったフォトレジスト
６をリムーバによって除去する（同図（Ｄ））。

【０００５】ここで、コイル層８は、上面からみて渦巻
状であり（図示省略する）、同図（Ｄ）に示される隣り
合ったコイル層８同士はメッキベース５を介して導通し
ているため、上方よりイオンミルをかけて、露出したメ
ッキベース５を除去する。この時、メッキベース５が残
存していると、コイル層８同士は電気的につながったま
まのおそれがあるので、メッキベースを完全に除去する
ために、メッキベースの下地にまでエッチングをおこな
う（オーバエッチング）。そのため、非絶縁層３，絶縁
層４，コイル層８は本来２点鎖線で示す位置まで厚さが
あるが、実線で示す位置まで削られる。そして、コイル
層８の下部にはメッキベース５が残存するので、コイル
層８を絶縁層４上に強固に密着させることができる（同
図（Ｅ））。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の薄膜磁気ヘッドにおけるメッキ層形成方法で
は、オーバーエッチングによって、ギャップ層である非
磁性膜３や絶縁層４の露出部分（コイル層の形成されて
いない部分）までエッチングされるので、非磁性層３，
絶縁層４の厚さは変化が生じてしまう。そのため、薄膜
磁気ヘッドの製造時にはそのギャップの変化を考慮に入
れる必要があるので、その工程が煩雑となる。

【０００７】一方、薄膜磁気ヘッドの特性、特に電磁変
換特性は、磁気記録媒体の接触面から、ＡＰＥＸ（ギャ
ップ層のすぐ上に形成された絶縁層の立上がりポイン
ト）までの距離であるギャップデプスの長さ及びギャッ
プ層の厚さであるギャップレングスに影響を受けるの
で、このギャップデプス及びギャップレングスは所定寸
法となるように形成される必要がある。また、ギャップ
層，絶縁層の上側にはヨークの一部分となる上部磁極層
（図示省略）が形成されるが、この上部磁極層はＡＰＥ
Ｘの位置で折れまがって形成されており、係る位置や角
度によって、薄膜磁気ヘッドの特性に影響を与える。

【０００８】そして、上記の従来方法により製造された
薄膜磁気ヘッドの場合、イオンミルによるＡＰＥＸ付近
の変化は図４に示すように、イオンミル前の形状は２点
鎖線で表し、イオンミル後の形状は実線で表すような形
状となる。イオンミル前の非磁性膜３の厚さ（ギャップ
レングス）ＧＬはイオンミル後にＧＬ’にまで減少し、
また、イオンミル後の非磁性膜３と絶縁層４との境目の
位置も距離ｅだけ後退している。

【０００９】また、非磁性膜３と絶縁層４との強度は異
なるので、角度θである絶縁層４の斜面部分がエッチン
グされると、絶縁層４の厚みは斜面に従って増していく
ので、非磁性膜３がエッチングされる度合いも上部に形
成された絶縁層４の斜面部分の斜面に従って深くなって
いく。よって、非磁性膜３の斜面部分の下側部分では角
度θ’の斜面を形成している。そして、この非磁性膜３
の斜面角度θ’は絶縁層４の斜面部分の角度θよりも浅
い角度となる。このため、薄膜磁気ヘッドの特性に必要
なＡＰＥＸは、ギャップ層の上部に絶縁層が形成される
起点である点ａと、ギャップ層に形成された斜面部分の
起点であり、磁極層が立ち上がる位置である点ｂのどち
らで考えるかによって薄膜磁気ヘッドの特性が変わって
しまう。

【００１０】まず、ＡＰＥＸを点ａとみた場合、ギャッ
プ層である非磁性膜３に斜面部分が生じているために、
磁気記録媒体摺動面形成のための切断位置をどこにする
かによって、ギャップレングスの長さは異なってしま
う。例えば、磁気記録媒体摺動面を点ｂの位置にとった
場合、ギャップレングスはＧＬ’となるが、磁気記録媒
体摺動面を非磁性膜３の斜面部分の一点である点ｃの位
置にとった場合、ギャップレングスはＧＬ”となってし
まう。

【００１１】また、ＡＰＥＸを点ｂとみた場合、ギャッ
プレングスはＧＬ’と一定であるが、ＡＰＥＸの斜面角
度がθにするべきところを斜面角度θ’と浅い角度にな
ってしまうので、やはり薄膜磁気ヘッドの特性は劣化し
てしまう。

【００１２】本発明は、上記した背景に鑑みてなされた
もので、その目的とするところは、上記した問題点を解
決し、不要なメッキベースを完全に除去するためのオー
バーエッチングによる絶縁層及び、ギャップ層となる非
磁性層の厚みや形状（ＡＰＥＸの角度）の変化を防ぎ、
薄膜磁気ヘッドの特性に劣化が生じることのない薄膜磁
気ヘッドにおけるメッキ層形成方法を提供することにあ
る。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ため、本発明に係る薄膜磁気ヘッドにおけるメッキ層形
成方法では、薄膜磁気ヘッドを構成する各層のうち、メ
ッキを施して形成するメッキ層を形成する方法におい
て、まず、基板上にすでに形成された所定層の表面を覆
うように第１レジストを塗布するとともに、露光現像し
て所定パターンの第１孔部を形成し、前記第１レジスト
の上面及び前記第１孔部の底面にメッキベースを形成
し、前記メッキベースの上面を覆うように第２レジスト
を塗布するとともに、露光現像して前記第１孔部の上方
に、第２レジストに所定パターンの第２孔部を形成し、
第２孔部を介して露出する前記メッキベース上にメッキ
膜を成長させ、その後、第２レジストを除去し、次いで
その第２レジストの除去により露出したメッキベースを
除去し、さらに第１レジストを除去するようにした。そ
して、前記メッキ層としては例えばコイル層である。

【００１４】

【作用】基板上にすでに成形された所定層（ギャップ
層，絶縁層など）の上に、第１レジストを塗布し、露光
現像処理（パターンニング）を行うことで、所定パター
ンのメッキ層（例えばコイル層）形成部位に第１孔部を
形成して、第１レジストの上面及び第１孔部の底面にメ
ッキベースを形成しているので、不要なメッキベース部
分は下部に第１レジストが形成されているため、オーバ
ーエッチングをしても、第１レジストが吸収してくれる
ので、すでに形成された所定層が削られることなく、コ
イル層の下部のみにメッキベースが残存し、コイル層と
絶縁層を強固に密着させる。

【００１５】

【実施例】以下、本発明に係る薄膜磁気ヘッドにおける
メッキ層形成方法の好適な実施例を添付図面を参照にし
て詳述する。図１，図２は、本発明により形成するメッ
キ層としてコイル層に適用した場合の一実施例の工程図
を示している。図１に示すように、基板１０の上面に、
ヨークの一部を構成する下部磁極層１１を形成してい
る。さらに基板１０と下部磁極層１１の上面にギャップ
層となる非磁性膜１２を形成し、その上面所定位置には
絶縁層１３を形成している。そして、非磁性層１２，絶
縁層１３の上面全体に第１レジスト１４を塗布し、露光
現像処理をおこなうことで、所定形状にパターンニング
された第１孔部１５を形成し、第１孔部１５の底面に絶
縁層１３を露出させる（同図（Ａ））。

【００１６】次いで、第１レジスト１４の上面及び第１
孔部１５の底面（露出された絶縁層１３の上面）に銅等
の導体を蒸着させることによりメッキベース１６を形成
する（同図（Ｂ））。

【００１７】そして、メッキベース１６の上面に第２レ
ジスト１７を塗布し、露光現像処理により所定形状にパ
ターンニングされた第２孔部１８を形成する。この第２
孔部１８は第１孔部１５の位置と一致しており、その平
面形状も同一としている（同図（Ｃ））。

【００１８】この状態で、例えばこの基板１０ごとメッ
キ浴内に浸漬することにより、第１孔部１５から露出す
るメッキベース１６の表面にメッキ膜を成長・成膜させ
てメッキ層たるコイル層１９を形成する（同図
（Ｄ））。

【００１９】次に、上記コイル層１９を形成するまでに
設けた両レジスト１４，１７および不要なメッキベース
１６の除去工程に移る。すなわち、まず酸素プラズマに
て第２レジストのみを除去する。これにより、コイル層
１９間を電気的に接続する不要なメッキベース１６が露
出する（図２（Ａ））。

【００２０】次に、上方よりイオンミルをかけて、露出
されたメッキベースを除去する。このとき、残存したメ
ッキベースがコイル層１９同士を電気的に接続しないよ
うにオーバーエッチングをする（同図（Ｂ））。なお同
図（Ｂ）では、２点鎖線で表す厚みが本来の形状であ
り、実線で表す位置がオーバーエッチングによって削ら
れた形状を示している。この時、第１レジスト１４がイ
オンミルを吸収するので、従来の課題であったギャップ
層である非磁性膜１２及び絶縁層１３は削れることがな
くなる。そして、レジストリムーバによって、第１レジ
スト１４を除去して、絶縁層の上部にコイル層１９を形
成する（同図（Ｃ））。尚、各層の具体的な除去を行な
うための手法は、上記実施例に限られないのはもちろん
である。

【００２１】なお、本実施例では、コイル層の形成にお
いて、第１孔部，第２孔部の形成のための露光現像処理
に同じフォトマスクを使用して作業を簡略化するため、
第１孔部と第２孔部の位置，大きさを一致させたが、本
発明においては、必要なコイル層等がメッキベースの上
部に形成されるなら、第１孔部と第２孔部の位置，大き
さを必ずしも一致させる必要はない。

【００２２】

【発明の効果】以上のように、本発明に係る薄膜磁気ヘ
ッドにおけるメッキ層形成方法では、最終的に除去する
不要なメッキベースの下には第１レジストが存在するた
め、メッキベースを除去する際にオーバーエッチングを
行っても、上記第１レジストが削られるだけであるの
で、すでに形成した薄膜磁気ヘッドを構成するギャップ
層，絶縁層等の所定層が削れることがなくなる。

【００２３】従って、上記所定層は、形成当時のパター
ン形状を保持するため、上記削れによる収縮を考慮する
必要がないので各パターン形状の設計および製造が容易
となる。しかも、ギャップ層と絶縁層の変わり目となる
ＡＰＥＸの位置が変化せず、また、ＡＰＥＸからの絶縁
層の斜面角度にも変化がないので、ギャップデプス，ギ
ャップレングス，ＡＰＥＸからの絶縁層の斜面角度に変
化分の考慮をいれずに所定の形状のままとすることがで
きるので、所望の薄膜磁気ヘッドの特性を得ることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドにおけるメッキ層
形成方法の実施例を示す工程図である。

【図２】本発明に係る薄膜磁気ヘッドにおけるメッキ層
形成方法の実施例を示す工程図である。

【図３】従来の薄膜磁気ヘッドにおけるメッキ層形成方
法を示す工程図である。

【図４】図３（Ｅ）中の破線で囲んだ部分の拡大図であ
る。

【符号の説明】

１０ 基板 １１ 下部磁極層 １２ ギャップ層 １３ 絶縁層 １４ 第１レジスト １５ 第１孔部 １６ メッキベース １７ 第２レジスト １８ 第２孔部 １９ コイル層（メッキ層）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 江尻 雅彦 東京都港区新橋５丁目36番11号 富士電気 化学株式会社内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 薄膜磁気ヘッドを構成する各層のうち、
   メッキを施して形成するメッキ層を形成する方法におい
   て、 まず、基板上にすでに形成された所定層の表面を覆うよ
   うに第１レジストを塗布するとともに、露光現像して所
   定パターンの第１孔部を形成し、 前記第１レジストの上面及び前記第１孔部の底面にメッ
   キベースを形成し、 前記メッキベースの上面を覆うように第２レジストを塗
   布するとともに、露光現像して前記第１孔部の上方に、
   第２レジストに所定パターンの第２孔部を形成し、 第２孔部を介して露出する前記メッキベース上にメッキ
   膜を成長させ、 その後、第２レジストを除去し、次いでその第２レジス
   トの除去により露出したメッキベースを除去し、さらに
   第１レジストを除去することを特徴とする薄膜磁気ヘッ
   ドにおけるメッキ層形成方法。
2. 【請求項２】 前記メッキ層が、コイル層であることを
   特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気ヘッドにおけるメ
   ッキ層形成方法。