JPH0554334A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents

薄膜磁気ヘツドの製造方法

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JPH0554334A
JPH0554334A JP21698191A JP21698191A JPH0554334A JP H0554334 A JPH0554334 A JP H0554334A JP 21698191 A JP21698191 A JP 21698191A JP 21698191 A JP21698191 A JP 21698191A JP H0554334 A JPH0554334 A JP H0554334A
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JP
Japan
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magnetic
layer
gap
lift
magnetic gap
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Application number
JP21698191A
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English (en)
Inventor
Satoshi Kodama
諭 児玉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPH0554334A publication Critical patent/JPH0554334A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 磁気コアをスパッタリング法等の乾式成膜法
で形成することにより、特性の良い磁気コア薄膜を使用
することができ、ヘッドの電磁変換特性を向上させる。 【構成】 磁気ギャップを導電性のある材料で形成し、
その磁気ギャップの上に金属のリフトオフ層をメッキ法
または化学蒸着法により形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は平面型薄膜磁気ヘッドの
製造方法に関し、特に磁気ギャップの形成方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドは半導体集積回路と同様
な、蒸着法、スパッタリング法等の成膜技術、写真製版
技術及びエッチング技術等のリソグラフィ技術を用いて
製造されるので、高精度なヘッドが一括大量に生産でき
る点に特徴がある。
【0003】図3a〜cはIEEE INTERMA
G’89におけるIBM社の文献「ANEW APPR
OCH TO MAKING THIN FILMHE
AD−SLIDER DEVICES(IEEE TR
ANSACTIONS ON MAGNETICS,V
ol.25,No.5,SEP.,P3686〜368
8,1989」に示された平面型薄膜磁気ヘッドの製造
方法を示す断面図である。図において1は基板、2は磁
気ギャップ、3は下部磁気コア、4は絶縁層、5はコイ
ル、6は上部磁気コア、7はコイル引出し線、8は絶縁
保護膜である。
【0004】次に製造方法と動作について説明する。基
板1上に磁気ギャップ2、下部磁気コア3が形成されて
いる(図3.a)。磁気ギャップ2は電子ビーム露光に
よってサブミクロン幅に形成されている。磁気ギャップ
はここで形成したレジストをそのまま用いるか、あるい
は予め基板上にギャップ膜(通常無機絶縁膜)を成膜し
ておき、このレジストをマスクにしてエッチング形成す
る。この磁気ギャップ幅を小さくすることは、磁気記録
の線密度を高くするするために重要であり、サブミクロ
ンのパターン幅が要求される。この上に順次、絶縁層
4、コイル5、上部磁気コア6、コイル引出し導体7が
成膜技術、リソグラフィ技術を用いて形成される(図
3.b)。上記下部磁気コア3と上部磁気コア6はパタ
ーンメッキ法により形成される。次いで絶縁保護層8が
積層され、コイル引出し導体が露出するまで研磨されて
いる(図3.c)。
【0005】この方法によれば、サブミクロンギャップ
の形成が容易に行え、ヘッド面加工も基板毎に一括して
(数百個のヘッドを分離することなく一度に)行える利
点がある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記のような薄膜磁気
ヘッドの製造方法では、磁気コアの形成をメッキ法によ
り行うため磁気コアの材料が限定され、磁気特性のより
優れた材料を使うことができない。しかしメッキ法に比
べて材料選定の範囲が広いスパッタリング法等の乾式成
膜法による成膜が有効である。
【0007】図2a〜cは乾式成膜法を用いて磁気コア
を形成した場合の一例図であり、図において1〜3は上
記従来製造法と全く同一のものである。
【0008】次に製造方法と動作について説明する。基
板1上に磁気ギャップ2が上記従来製法と同様の方法で
形成されている(図2.a)。次に下部磁気コア3が乾
式成膜法により形成されている(図2.b)。次いで磁
気ギャップが露出するまで研磨されている(図2.
c)。しかしこの方法では、下部磁気コアの形成により
盛り上がりが生じ研磨により平坦化することが必要であ
り手間がかかる、研磨により磁気ギャップ深さを制御し
なければならない、また研磨剤が残る等の問題がある。
【0009】本発明はかかる問題を解決するためになさ
れたものであり、乾式成膜法を用い、研磨を行わずにギ
ャップを形成する方法を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法は、基板上にフォトレジストのパターン
を形成した後磁気ギャップを導電性のある材料で形成
し、上記フォトレジストパターンの除去の前に磁気ギャ
ップ材とは異なるエッチング特性をもつ金属からなる磁
気ギャップ長より大きい幅を有するリフトオフ層をのせ
る工程を含むものである。また、ギャップ材としてメッ
キ法により形成されるタンタル、タングステンを用い、
さらにリフトオフ層として銅を用い、このリフトオフ層
のエッチングを湿式により行うようにしたものである。
【0011】
【作用】本発明における薄膜磁気ヘッドの製造方法は、
上記のように構成されているので、金属のリフトオフ層
により磁性膜成膜後のギャップ付近での盛り上がりがな
く、研磨の必要なしにギャップが形成される。こうする
ことにより磁気コアの形成をスパッタリング法等の乾式
成膜法により行える。
【0012】
【実施例】図1は本発明の一実施例を示す断面図であ
り、1〜3は上記従来製造法と同一で、9はマスク用フ
ォトレジスト、10は磁気ギャップ上にメッキ法または
化学蒸着法により取り付けられた金属のリフトオフ層で
ある。
【0013】次に製造方法について説明する。基板1上
にマスク用フォトレジスト9が磁気ギャップの逆形状に
形成される(図1.a)。磁気ギャップ2をタンタル、
タングステン等の導電性を有する材料を用いてメッキ法
により形成する(図1.b)。レジストが形成されてい
る部分はメッキされないため、磁気ギャップの形にメッ
キされる。次いで金属のリフトオフ層10を銅等の導電
性を有する材料を用いてメッキ法または化学蒸着法等に
より磁気ギャップ長より大きい幅に形成する(図1.
c)。この場合磁気ギャップ上に選択的にリフトオフ層
が形成される。
【0014】次いでマスク用フォトレジストを有機溶剤
により除去する(図1.d)。次に下部磁気コア3をス
パッタリング法等の乾式成膜法により形成する(図1.
e)。この時磁気ギャップ上のリフトオフ層の上に磁性
膜が形成され、上記従来例第2図bのように磁気ギャッ
プの上には磁性膜は形成されない。最後に磁気ギャップ
上の金属のリフトオフ層と、その上の磁気コア材とをエ
ッチングにより取り去る(図1.f)。メッキ法または
化学蒸着法により形成したリフトオフ層は磁気ギャップ
長より大きい幅に形成されているので、リフトオフ層を
エッチング除去することによりリフトオフ層上の磁気コ
ア材をを除去できる。この時湿式エッチングを行うとリ
フトオフ層の取り去りが容易になる。磁性体の成膜後に
エッチングにより上記リフトオフ層を取り去ることか
ら、磁気ギャップ材と金属のリフトオフ層とのエッチン
グ特性は異なる。
【0015】上記実施例では、磁気ギャップをメッキ法
により形成したが、化学蒸着法で磁気ギャップ部分に選
択的に形成しても良い。
【0016】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば磁気コア
をスパッタリング法等の乾式成膜法で形成することによ
り、特性の良い磁気コア薄膜を使用することができ、ヘ
ッドの磁気特性が向上する。ギャップ形成の際研磨の必
要がなく製造が安価にでき、また精度の高いものが得ら
れる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例を示す断面図である。
【図2】従来の磁気ヘッドの製造方法を示す断面図であ
る。
【図3】従来の他の磁気ヘッドの製造方法を示す断面図
である。
【符号の説明】
1 基板 2 磁気ギャップ 3 下部磁気コア 4 絶縁層 5 コイル 6 上部磁気コア 7 引出し導体 8 絶縁保護層 9 マスク用フォトレジスト 10 金属のリフトオフ層

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板上にフォトレジストのパターンを形
    成した後磁気ギャップを導電性のある材料で形成し、上
    記フォトレジストパターンの除去の前に磁気ギャップ材
    とは異なるエッチング特性をもつ金属からなる磁気ギャ
    ップ長より大きい幅を有するリフトオフ層をのせる工程
    を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  2. 【請求項2】 上記ギャップ材としてメッキ法により形
    成されるタンタル、タングステンを用いることを特徴と
    する請求項1記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  3. 【請求項3】 上記リフトオフ層として銅を用い、この
    リフトオフ層のエッチングを湿式により行うことを特徴
    とする請求項1記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
JP21698191A 1991-08-28 1991-08-28 薄膜磁気ヘツドの製造方法 Pending JPH0554334A (ja)

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