JPH08184489A - レーザ光線分析装置 - Google Patents

レーザ光線分析装置

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JPH08184489A
JPH08184489A JP7262988A JP26298895A JPH08184489A JP H08184489 A JPH08184489 A JP H08184489A JP 7262988 A JP7262988 A JP 7262988A JP 26298895 A JP26298895 A JP 26298895A JP H08184489 A JPH08184489 A JP H08184489A
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JP
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laser beam
sampling
sampling device
analyzer
sampling member
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Withdrawn
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JP7262988A
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English (en)
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Jean Pascal Alfille
ジャン−パスカル・アルフィーユ
Jean Raoux
ジャン・ラウー
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Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Original Assignee
Commissariat a lEnergie Atomique CEA
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/4257Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors applied to monitoring the characteristics of a beam, e.g. laser beam, headlamp beam

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Spectrometry And Color Measurement (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高出力のレーザ光線の分析を可能とするレー
ザ光線の分析装置を提供すること。 【解決手段】 主方向に延びる細長いサンプリング部材
56により、レーザ光線の断面60の走査が実施され、
サンプリング部材56の移動が、主方向に垂直な第1の
方向の速度成分と、主方向の速度成分とを有するよう
に、サンプリング部材56を駆動させるための手段が設
けられている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光線に係
り、特に高出力レーザ光線の分析に関する。
【0002】
【従来の技術】最近の数年間において、産業用レーザの
照射出力性能は、飛躍的に向上している。CO2 レーザ
の出力はこの10年間で約2倍となり(現在、約10k
Wの出力を有している)、同時期に、YAGレーザの出
力は0.3kWから3kWに増加している。また、エキ
シマレーザの出力は、0.1kWから1kWに増加して
いる。
【0003】上記のようなレーザ光線は、主に材料処理
および材料切断の分野に適用されている。このような異
なる分野への適用に関しては、工程の再現性を保証する
のが重要な問題となり、このためには、レーザ光線によ
る処理が、レーザ光線の集束エリア内で実施されるか否
かにかかわらず、照射されるレーザ光線の特性を知るこ
とが重要となる。
【0004】レーザ光線分析装置で分析されるレーザ光
線は、以下の条件を満足する必要がある。 − 分析される光線の出力分布が、光線が集束されるか
否かにかかわらず、分析装置により測定可能である必要
がある。 − レーザ光線の高い出力密度に対して、分析装置が良
好な耐久性を有する必要がある(集束されたレーザ光線
の出力密度は、約106W/cm2に達する)。 − 光線の伝幡を乱さないようにして、分析装置が、高
出力のレーザ光線の光学的伝達ライン内に容易に設置可
能である必要がある。すなわち、出力損失を1%以内に
抑える必要があるとともに、分析装置を通過した後のレ
ーザ光線がほとんどゆがみを有しない必要がある。 − レーザ光線の1つの断面が、1秒以内に分析される
必要がある。
【0005】上記の条項を満足させるためには、伝達パ
ワーが大きなことで、レーザ光線全体を完全に受容して
分析することは不可能である。したがって、現在使用さ
れているほとんどの分析装置においては、レーザ光線の
一部分のみが、分析のためにサンプリング(採取)され
る。
【0006】高出力のレーザ光線の分析装置に関して
は、以下の2つの原理のいずれかに基づいて設計された
分析装置が知られている。図1に示されるような第1の
設計原理に基づく分析装置では、レーザ光線4に対して
45度傾けて設置されたプレート2を用いて、光線全体
の一部分(約1%)が分析される。そして、一部の光線
6が、レーザ光線分析装置8に導入される。この設計原
理は、以下の2つの欠点を有している。 − 高出力のレーザ光線内にサンプルプレートを導入す
る必要があり、これにより、サンプルプレートが、高い
出力強度および経年変化に対して耐久性を有する必要が
ある。 − 集束ヘッド(focussing head)から離れた位置におけ
る集束光線の分析が困難である。
【0007】図2(a)、(b)に示されるような第2
の設計原理に基づく分析装置では、高出力のレーザ光線
10,12の一部分に対してサンプル化が行われ、この
部分が分析される。分析装置の可動部材14,16が、
(図2(b)に示されるような)集束レーザ光線および
(図2(a)に示されるような)非集束レーザ光線内に
挿入され、サンプリングされたレーザ光線の一部が1つ
あるいは複数の検知器へ送られる。
【0008】このサンプリング手法の利点は、レーザ光
線の光源から、光線が集束される光学経路の端部までの
間において、分析装置を容易に設置できることである
(サンプルプレートを設置する必要がなくなる)。しか
し、可動部材は、 106から107W/cm2の最高出力
に対する耐久性を有する必要がある。
【0009】高出力のレーザ光線分析装置の例が、非集
束光線および集束光線のそれぞれに対して、図3および
図4に示されている。図3において、符号18は、高出
力の非集束レーザ光線を示し、符号20は、非集束光線
を測定するニードルを備えた回転支持体を示している。
回転支持体20は、前方に移動可能であるキャリッジ2
2上に取付けられ、キャリッジ22は、電子制御装置2
6で制御される駆動装置24により移動される。図4に
おいて、符号28は、光線集束用の光学部材を示し、符
号30は、集束光線を測定するためのニードルを備えた
回転支持体を示している。そして、符号22,24,2
6は、図3と同じ構成要素を示している。両方の場合に
おいて、ニードルには、その軸線方向に延びる空洞部が
形成されているとともに、ニードルのレーザ光線に向く
面部には、レーザ光線と同軸になるように孔部が形成さ
れ、この孔部が前記空洞部に連通されている。照射され
たレーザ光線は、孔部内に侵入するとともに、ニードル
内を案内されて、回転支持体の軸部に設置された検知器
へ送られる。ニードルの動作は、キャリッジ22の前方
向への移動により制御される。そして、検知器からの信
号はデジタル化されるとともに、一時的にプロセッサ内
に記憶され、その後マイクロコンピュータへ送られて、
さらなるデータ処理が実行される。また、ニードル内の
前記孔部の直径が、入射されるレーザ光線の出力に応じ
て修正可能となっている。しかし、このような装置は、
適切な強度を有する集束光線に対しては適用可能である
が、高出力の集束光線に対しては適用困難である。
【0010】図5には、他の周知のレーザ光線分析装置
が示されている。支持体34に取付けられた回転可能な
ニードル32により、例えば2つの垂直な方向、方向3
6,38へレーザ光線が反射される。符号40は、レー
ザ光線の断面を示している。しかし、この種の装置は、
(焦点の直径が1mm以上である)適度に集束されたレ
ーザ光線および(焦点の直径が1mm以下である)高出
力に及ばない範囲で集束されたレーザ光線を分析するこ
とができない。同様の装置が、特許DD-A-301-560号に開
示されている。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】結果的に、上記の装置
に関する主要な問題は、サンプル部材上での出力密度が
非常に高い(106W/cm2以上の)高出力のレーザ光
線の分析が困難なことである。高出力(5kW以上)に
集束されたレーザ光線の分析においては、サンプリング
部材の劣化や破壊が生じることがある。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の問題を
解決することを目的とする。より詳細に言えば、本発明
は、レーザ光線の断面を走査するのに用いられるレーザ
光線のサンプリング装置に関する。このサンプリング装
置は、主方向に延びる細長いサンプリング部材と、この
サンプリング部材の移動手段とを有して構成されてい
る。そして、この移動手段により、主方向に対して垂直
である第1の方向における速度成分と主方向の速度成分
とを有するようにして、サンプリング部材を移動させる
ことが可能となる。
【0013】それゆえ、分析される光線が集束、特に強
く集束される際には、サンプリング部材においてレーザ
光線が照射される面を増大させることが可能である。従
来の分析装置においては、サンプリング部材は、集束光
線内を通過する間に、エネルギ密度De による照射を受
ける。このエネルギ密度は、式: De=P/S*τから
得られ、この式において、Pは集束光線内のパワーを示
し、Sは集束光線が照射されるサンプリング部材の領域
面積を示し(Sの大きさは、(サンプリング部材の直
径)×(レーザ光線の直径)で近似される)、τは光線
内でのニードルの通過時間を示す。細長いサンプリング
部材の主方向への移動を、サンプリング部材の標準的な
走査のための移動と組み合わせることで、レーザ光線が
照射される面積Sを増加させることが可能である。
【0014】本発明の1つの実施態様によれば、サンプ
リング部材は、2つの方向に並進可能に設置されてい
る。このように2つの並進運動を用いることで、信号の
入力およびその処理が容易となる。
【0015】さらに、高出力のレーザ光線の伝達ライン
に変化を与えることなく、かつサンプリング部材が通過
した後の光線に乱れを生じさせないで、光学的伝達ライ
ン内にサンプリング部材を設置することが可能である。
また、本発明による分析装置を用いれば、非集束光線、
集束光線、および高出力の集束光線を容易に分析するこ
とが可能となる。
【0016】本発明の他の実施態様によれば、サンプリ
ング部材としてワイヤ(線材)が用いられる。このワイ
ヤは、2つの平行なスピンドルまわりに偏心して回転運
動を行なう2つのプーリの溝部に取付けることが可能で
ある。また、スピンドルまわりにプーリを回転運動させ
るための手段が設けられている。
【0017】また、本発明は、上記のサンプリング部材
を有するレーザ光線分析装置および上記のサンプリング
部材により反射された光線の分析システムにも関する。
【0018】本発明の実施態様によれば、反射光線の分
析システムは、スリットを有するダイアフラム(隔板)
と、ダイアフラムを移動させる手段とを有して構成され
ている。このダイアフラム移動手段は、並進運動に応じ
て、サンプリング部材がレーザ光線を反射する方向に対
して垂直な方向に、ダイアフラムを移動させる。このダ
イアフラム移動手段としては、ステッピングモータを用
いることが可能である。さらに、スリットにより絞られ
たレーザ光線を集束させるためのレンズを組込むことが
可能であり、このレンズをダイアフラムと一体に並進移
動することもできる。
【0019】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
限定する意図ではない実施の形態が詳細に説明される。
図1は、従来のレーザ光線分析装置の動作原理を示す図
である。図2は、従来のレーザ光線分析装置の別の動作
原理を示す図であり、(a)は非集束光線に対する動作
原理を示し、(b)は集束光線に対する動作原理を示し
ている。図3は、従来技術によるレーザ光線分析装置を
示す図である。図4は、従来技術によるレーザ光線分析
装置を示す図である。図5は、従来技術による他のレー
ザ光線分析装置を示す図である。図6は、本発明による
レーザ光線分析装置を示す図であり、(a)はサンプリ
ング部材がレーザ光線の断面を通過する前の状態を示
し、(b)は通過した後の状態を示す。図7は、レーザ
光線の分析を行なう本発明の装置であり、(a)は装置
のボトム状態を示し、(b)はボトム状態から4分の1
回転した状態を示し、(c)はボトム状態から2分の1
回転した状態を示す。図8は、レーザ光線のサンプリン
グ装置と分析システムとを有するレーザ光線分析装置を
示す図である。図9は、反射光線の狭い領域のサンプリ
ングを行なうためのダイアフラムを示す平面図である。
図10は、本発明による装置の動作工程を示すフローチ
ャートである。
【0020】本発明による装置を機能させるための基本
原理が、図6(a)および図6(b)に示されている。
サンプリング部材42は、主方向AA’に向けて延びる
細長い形状を有している。また、図6(a)および図6
(b)に図示されない手段により、サンプリング部材4
2が、主方向AA’に対して垂直な方向に速度成分Vb
を有し、主方向AA’に速度成分Vl を有するように、
サンプリング部材42を移動させることが可能となる。
図6(a),(b)において、符号44は、集束された
レーザ光線の断面を示している。図6(a)は、サンプ
リング部材がレーザ光線の焦点内への移動経路に入る前
のレーザ光線とサンプリング部材との相対位置を示す図
である。また、図6(b)は、サンプリング部材が焦点
内の移動経路を通過した後の相対位置を示す図である。
斜線で示された面46は、レーザ光線が焦点を通過する
際に、サンプリング部材42のレーザ光線により照射さ
れた面を示している。
【0021】再び、前述の表記法を用いて、本発明の実
施の形態に関して、以下のような式が得られる。 De=P/{S*(1+k)}*τ ここで、kは速度比(Vl/Vb)を示している。また、
kは1と比較すると、かなり大きな値となるので(すな
わち、Vl≒5Vb)、上記の式は以下のように近似する
ことができる。 De≒P/(S*k)*τ
【0022】レーザ光線により走査されるサンプリング
部材の照射面積が増加することで、サンプリング部材に
加えられる単位面積あたりのエネルギが減少する。サン
プリング部材は、ワイヤ(金属線)から形成することが
可能である。
【0023】ワイヤを駆動するための装置が、図7
(a)ないし図7(c)に例示されている。より詳細に
言えば、この装置は、2つのスピンドル52,54まわ
りに偏心的に回転する2つのプーリ48,50を有して
構成されている。ワイヤは、例えばそれぞれのプーリ4
8,50の外周面に形成された溝部に取付けられてい
る。これにより、2つのストランドあるいは側部、すな
わち下部ストランド56および上部ストランド58が形
成される。また、符号60は、集束されたレーザ光線の
断面を示している。図7(a)に示される本装置のボト
ム位置においては、下部ストランド56がレーザ光線の
下部を通過し、一方、上部ストランド58がレーザ光線
の上部を通過している。この際、中心からはずれたスピ
ンドル52,54まわりに2つのプーリ48,50を回
転させる手段が設けられている。この回転の結果とし
て、2つのワイヤストランドが、ワイヤに平行な方向の
並進運動とワイヤに垂直な方向の並進運動とを組合わせ
た運動を行なうように駆動される。図7(b)は、2つ
のプーリ48,50が4分の1回転した際の2つのワイ
ヤストランドと集束されたレーザ光線の断面60との相
対位置が示されている。ワイヤの下部ストランド56が
レーザ光線60を横切る際に、レーザ光線の一部が、図
7(b)に示される方向Aに反射される。そして、図示
されない分析装置により、反射光線が収集され分析され
る。プーリが駆動される間に、ワイヤが軸線方向に移動
されるから、ワイヤがボトムからトップへの並進運動を
行わない場合と比較すると、より長い距離にわたって、
レーザ光線のエネルギが分配される。プーリが半回転さ
れた後には、ストランドとレーザ光線との相対位置は、
図7(c)に示されるようになる。この場合、下部のワ
イヤストランドが、レーザ光線60を通過するととも
に、並進運動の上端点に到達し、一方、並進運動は、右
方から左方へ継続される。
【0024】図7(a)ないし図7(c)において、プ
ーリ48,50を回転させる手段が、破線で示されてい
る。この回転手段は、2つのスピンドル52,54まわ
りに回転する2つの駆動プーリ62,64と、駆動プー
リ62,64まわりを回転する駆動ベルト66とを有し
て構成されている。それぞれの駆動プーリ62,64
は、偏心的なプーリと一体に形成されている。これによ
り、図示されない、例えば電気的モータであるモータに
より、一方の駆動プーリが回転されると、他方の駆動プ
ーリが同時に同じ速度で回転され、この回転により、2
つのプーリ48,50がスピンドルまわりに偏心的に回
転するように駆動され、ワイヤの上述のような運動が導
かれる。
【0025】本発明の1つの実施の形態によれば、偏心
的なプーリの直径は300mmであり、偏心長さが50
mmであり、プーリの回転速度が3000回転/分
(r.p.m.)(50r.p.s.)である。また、
サンプリングを行なうワイヤの垂直方向の平均速度とし
て Vb=10m/sが得られ、軸線方向のワイヤの速度
は、30m/s(Vlmin)から60m/s(Vlmax)ま
で変化する。
【0026】図8には、上記のようなサンプリング装置
が組込まれた分析装置およびサンプリング装置により反
射された光線の分析システムが示されている。図8の斜
視図には、偏心的に取付けられたプーリ48,50と、
駆動プーリ62,64と、これらの駆動プーリの駆動ベ
ルト66と、サンプリングワイヤ56,58と、駆動プ
ーリを回転させるためのモータ68とを有して構成され
ているサンプリング装置が示されている。また、レーザ
光線は符号70で示され、ワイヤにより走査されるレー
ザ光線の断面は、符号60で示されている。この分析装
置は、枠部72内に取付けられ、枠部72の底部には、
孔部74が穿設されている。そして、この孔部74か
ら、レーザ光線70が外部へ放出される。
【0027】光線の集束エリア内をワイヤ56が通過す
る間において、レーザ光線の一部が反射されて、分析方
向Aへ送られる。
【0028】方向Aへ反射された光線を分析するための
分析装置は、スリット78が形成されたダイアフラム7
6と、レーザ光線の反射される部分に応じて、ダイアフ
ラム76を方向Aと実質的に垂直方向へ並進移動させる
ための手段(例えば、電気モータにより駆動される無端
ネジ82)とを有して構成されている。この方向は、図
8において、軸OO’として示されている。図8と同じ
部材には、同じ符号が付される図9には、ダイアフラム
76とスリット78とが平面図で示され、この図に詳細
に示されるように、スリットを用いることで、与えられ
た位置に対して、狭いビームバンド84内の出力分布が
得られる。ワイヤによりダイアフラムの方向へ反射され
た光線の一部は、ダイアフラムにより遮蔽される。ステ
ッピングモータ80により、ダイアフラムを軸OO’に
沿って移動させると、連続的にレーザ光線の断面におけ
る異なるバンドを選択することが可能となる。レーザ光
線の断面におけるワイヤの1回の通過により、バンド内
全体を完全に分析するように、レーザ光線を適切に反射
させることが可能である。また、分析装置は、絞られた
光線を集束させるためのレンズ88と、レーザ光線の波
長に適した検知器90とを有して構成されている。図8
に示される実施の形態においては、レンズおよび検知器
は固定されている。本発明の他の実施の形態によれば、
レンズおよび検知器をダイアフラム76に一体に形成し
て、軸OO’に沿って並進移動させることが可能であ
る。
【0029】また、図8に示されるように、駆動プーリ
の2つの回転スピンドルのうちの一方のスピンドルの近
傍には、2つの検知器92,94が設けられている。一
方の検知器94は、例えば図7(a)に示されるプーリ
48,50の所定の角度位置に応じて、分析開始信号を
与える。そして、もう一方の検知器92は、図7(c)
に示されるプーリ48,50の第2の角度位置に応じ
て、分析終了信号を与える。さらに、もう一方の検知器
92からの信号により、レーザ光線の新しいバンド84
の分析に対するダイアフラム76の移動が起動される。
これらの検知器としては、例えば光学的反射検知器を用
いることが可能である。これらの検知器から送られた信
号に関しては、モータ80を解放および駆動する手段
と、検知器90から得られた信号に対する受容、記憶、
および処理を行なう手段とを制御するマイクロプロセッ
サへ送ることが可能である。
【0030】図10には、レーザ光線の出力分布を得る
ためのレーザ光線の受容工程を表すフローチャートが示
されている。このフローチャートには、レーザ光線の受
容工程の進展、および装置の異なる構成要素のマイクロ
プロセッサによる制御が示されている。
【0031】第1工程1においては、モータ68が所定
の速度で駆動され、スリットを有するダイアフラム76
の望ましい移動数Nが設定される。
【0032】第2工程2においては、検知器94によ
り、分析開始信号がマイクロプロセッサへ送られ、この
信号に対応して、検知器90が解放され、スリット76
の最初の位置に応じて、データが収集される(工程
3)。
【0033】偏心的に設置されたプーリが、半回転され
ると、検知器92から、軸OO’に沿ってダイアフラム
76を移動させるための信号が送られる(工程4)。こ
のダイアフラムの移動(工程5)は、偏心的なプーリが
残りの補足的な半回転を行なう際に実施される。この補
足的な半回転の終了時には、検知器94により、新しい
測定のための信号が与えられる(工程6)。
【0034】プーリ48,50のn回の回転に応じて、
n回の移動が実行される。それぞれの回転に対して、カ
ウンタが増分され、回数nが工程1で選択された回数N
と比較される(工程7)。
【0035】そして、回数nが最初に設定された移動回
数Nに到達すると、レーザ光線の断面の分析が完全に実
施されたことになり、これにより分析工程の終了が示さ
れる(工程8)。しかし、回数nが設定された移動回数
に到達していない場合には、分析工程が継続される(工
程3)。
【0036】分析工程が終了すると、検知器90に収集
され記憶されていたデータが、処理可能となる。そし
て、この処理されたデータから、周知の方法を用いて、
レーザ光線の断面60におけるエネルギ密度が、演繹推
論される。
【0037】この装置においては、分析される光線の大
きさに応じて、操作者により分析窓が選択される。これ
により、スリットを有するダイアフラムの移動ステップ
を小さくプログラムして、(例えば、直径約0.5mm
の)高出力の集束光線を分析することが可能となる。ま
た、スリットを有するダイアフラムの移動ステップを増
加させることで、(例えば、直径数10mmの)広いレ
ーザ光線を分析することが可能となる。最後に、サンプ
リング装置と分析装置とを機械的に分離することで、分
析時間を最適化して減少させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来のレーザ光線分析装置の動作原理を示す図
である。
【図2】従来のレーザ光線分析装置の別の動作原理を示
す図であり、(a)は非集束光線に対する動作原理を示
し、(b)は集束光線に対する動作原理を示している。
【図3】従来技術によるレーザ光線分析装置を示す図で
ある。
【図4】従来技術によるレーザ光線分析装置を示す図で
ある。
【図5】従来技術による他のレーザ光線分析装置を示す
図である。
【図6】本発明によるレーザ光線分析装置を示す図であ
り、(a)はサンプリング部材がレーザ光線の焦点を通
過する前の状態を示し、(b)は通過した後の状態を示
す。
【図7】レーザ光線の分析を行なう本発明の装置であ
り、(a)は装置のボトム状態を示し、(b)はボトム
状態から4分の1回転した状態を示し、(c)はボトム
状態から2分の1回転した状態を示す。
【図8】レーザ光線のサンプリング装置と分析システム
とを有するレーザ光線分析装置を示す図である。
【図9】反射光線の狭い領域のサンプリングを行なうた
めのダイアフラムを示す平面図である。
【図10】本発明による装置の動作工程を示すフローチ
ャートである。
【符号の説明】
48,50 プーリ 52,54 スピンドル 56,58 ワイヤ(サンプリング部材) 60 レーザ光線断面 62,64 駆動プーリ 66 駆動ベルト 68 モータ 76 ダイアフラム 78 スリット 80 ステッピングモータ 88 レンズ 90 検知器

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 主方向(AA’)に延びる細長いサンプ
    リング部材により、レーザ光線の断面の走査が実施さ
    れ、 前記サンプリング部材の移動が、前記主方向(AA’)
    に垂直な第1の方向の速度成分と、前記主方向(A
    A’)の速度成分とを有するように、前記サンプリング
    部材を駆動させるための手段が設けられているレーザ光
    線のサンプリング装置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載のサンプリング装置におい
    て、 前記サンプリング部材が、2方向へ並進移動されること
    を特徴とするサンプリング装置。
  3. 【請求項3】 請求項1または請求項2記載のサンプリ
    ング装置において、 前記サンプリング部材が、ワイヤであることを特徴とす
    るサンプリング装置。
  4. 【請求項4】 請求項3記載のサンプリング装置におい
    て、 2つのスピンドルまわりを偏心的に回転するとともに、
    前記ワイヤが保持される溝部が形成されている2つのプ
    ーリと、 前記プーリを偏心的に回転する手段とが、さらに設けら
    れていることを特徴とするサンプリング装置。
  5. 【請求項5】 請求項4記載のサンプリング装置におい
    て、 前記プーリを偏心的に回転させる前記手段が、前記スピ
    ンドルまわりを回転する2つの駆動プーリと、該2つの
    駆動プーリを連結する駆動ベルトと、前記2つの駆動プ
    ーリを駆動する手段とを有して構成されていることを特
    徴とするサンプリング装置。
  6. 【請求項6】 請求項1ないし請求項5のいずれかに記
    載のサンプリング装置と、該サンプリング装置により反
    射されたレーザ光線を分析するためのシステムとを有し
    て構成されているレーザ光線分析装置。
  7. 【請求項7】 請求項6記載のレーザ光線分析装置にお
    いて、 反射されたレーザ光線の前記分析システムが、スリット
    を有するダイアフラムと、 前記サンプリング部材が光線を反射する方向(A)に実
    質的に垂直な方向(OO’)に、前記ダイアフラムを並
    進的に移動させる移動手段とを有して構成されているこ
    とを特徴とするレーザ光線分析装置。
  8. 【請求項8】 請求項7記載のレーザ光線分析装置にお
    いて、 前記ダイアフラムの移動手段が、ステッピングモータを
    有して構成されていることを特徴とするレーザ光線分析
    装置。
  9. 【請求項9】 請求項7記載のレーザ光線分析装置にお
    いて、 前記レーザ光線の分析システムには、さらに絞られた光
    線を集束させるレンズが設けられていることを特徴とす
    るレーザ光線分析装置。
  10. 【請求項10】 請求項7ないし請求項9のいずれかに
    記載のレーザ光線分析装置において、 レーザ光線の波長に応じて、反射光線を検知する検知シ
    ステムが、さらに設けられていることを特徴とするレー
    ザ光線分析装置。
  11. 【請求項11】 請求項9または請求項10記載のレー
    ザ光線分析装置において、 前記レンズと前記検知システムとが、前記ダイアフラム
    と一体に並進移動されることを特徴とするレーザ光線分
    析装置。
JP7262988A 1994-10-12 1995-10-11 レーザ光線分析装置 Withdrawn JPH08184489A (ja)

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