JPH0818154A - ２波長半導体レーザ - Google Patents
２波長半導体レーザInfo
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- JPH0818154A JPH0818154A JP15193894A JP15193894A JPH0818154A JP H0818154 A JPH0818154 A JP H0818154A JP 15193894 A JP15193894 A JP 15193894A JP 15193894 A JP15193894 A JP 15193894A JP H0818154 A JPH0818154 A JP H0818154A
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- light
- light emitting
- emitting layer
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- layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 波長が異なる２つのレーザ光を同一位置から
出射することができる２波長半導体レーザを提供する。 【構成】 共通の光導波路３の上面に組成が異なる２つ
の発光層４と７を形成し、これら２つの発光層を各別に
発光させることにより、それぞれの光を共通の光導波路
３でレーザ共振させ、共通の光導波路３の端面（同一位
置）からレーザ光Ｐ1 またはＰ2 を出射させる。
出射することができる２波長半導体レーザを提供する。 【構成】 共通の光導波路３の上面に組成が異なる２つ
の発光層４と７を形成し、これら２つの発光層を各別に
発光させることにより、それぞれの光を共通の光導波路
３でレーザ共振させ、共通の光導波路３の端面（同一位
置）からレーザ光Ｐ1 またはＰ2 を出射させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は例えば光ディスクへの
書き込み用光源及び読み取り用光源に利用することがで
きる２波長半導体レーザに関する。
書き込み用光源及び読み取り用光源に利用することがで
きる２波長半導体レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】図３に従来の２波長半導体レーザの構造
を示す。図中１４は例えばＧａＡｓから成る半導体基板
を示す。半導体基板１４の上面に例えばＧａＡL Ａｓか
ら成る第１クラッド層１５が形成され、第１クラッド層
１５の上面に第１発光層１６が形成される。第１発光層
１６の上面に第２クラッド層１７が形成され、第１発光
層１６で発光した光を第１クラッド層１５と第２クラッ
ド層１７で挟み付けて外部に漏れない構造とし、更に第
２クラッド層１７の上面に第２発光層１９を形成し、第
２発光層１９の上面に第３クラッド層２３が形成され
る。従って、第２発光層１９で発光した光も第２クラッ
ド層１７と第３クラッド層２３で挟まれて外部に漏れな
い構造としている。
を示す。図中１４は例えばＧａＡｓから成る半導体基板
を示す。半導体基板１４の上面に例えばＧａＡL Ａｓか
ら成る第１クラッド層１５が形成され、第１クラッド層
１５の上面に第１発光層１６が形成される。第１発光層
１６の上面に第２クラッド層１７が形成され、第１発光
層１６で発光した光を第１クラッド層１５と第２クラッ
ド層１７で挟み付けて外部に漏れない構造とし、更に第
２クラッド層１７の上面に第２発光層１９を形成し、第
２発光層１９の上面に第３クラッド層２３が形成され
る。従って、第２発光層１９で発光した光も第２クラッ
ド層１７と第３クラッド層２３で挟まれて外部に漏れな
い構造としている。
【０００３】第３クラッド層２３にはその半分の領域に
Ｚｎ拡散領域２０を形成し、電流通路を確保すると共
に、この拡散領域２０の上面にコンタクト層２１と電極
２２を形成する。更に拡散領域２０が形成されない側の
第３クラッド層２３の上面にコンタクト層２４と電極２
５を形成する。更に第２クラッド層１７の中に電流阻止
層１８を形成する。この電流阻止層１８はＺｎ拡散領域
２０と横に隣接する第２クラッド層１７の境界直下にス
リット部分を有し、このスリット部分に電極２２から電
極２６に向かう電流Ｉ1 を流すことにより、第１発光層
１６をスリットと対向する部分で発光させることができ
る。
Ｚｎ拡散領域２０を形成し、電流通路を確保すると共
に、この拡散領域２０の上面にコンタクト層２１と電極
２２を形成する。更に拡散領域２０が形成されない側の
第３クラッド層２３の上面にコンタクト層２４と電極２
５を形成する。更に第２クラッド層１７の中に電流阻止
層１８を形成する。この電流阻止層１８はＺｎ拡散領域
２０と横に隣接する第２クラッド層１７の境界直下にス
リット部分を有し、このスリット部分に電極２２から電
極２６に向かう電流Ｉ1 を流すことにより、第１発光層
１６をスリットと対向する部分で発光させることができ
る。
【０００４】電極２２と２５の間に電流Ｉ2 を流すこと
により、第２発光層１９をＺｎ拡散領域２０と隣接する
部分で発光させることができる。第１発光層１６と第２
発光層１９の組成を例えばＧａとＡL の混晶比を異なら
せることにより、発光する光Ｐ1 とＰ2 の波長をλ1 と
λ2 に異ならせることができる。
により、第２発光層１９をＺｎ拡散領域２０と隣接する
部分で発光させることができる。第１発光層１６と第２
発光層１９の組成を例えばＧａとＡL の混晶比を異なら
せることにより、発光する光Ｐ1 とＰ2 の波長をλ1 と
λ2 に異ならせることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】２波長半導体レーザは
主に光ディスク装置の書き込み用光源と、読み取り用光
源として利用される。光ディスク装置の書き込み用光源
と、読み取り用光源には書込み位置と読み取り位置を同
一点にするために光ディスクの同一点上に２つの光を照
射することが要求される。
主に光ディスク装置の書き込み用光源と、読み取り用光
源として利用される。光ディスク装置の書き込み用光源
と、読み取り用光源には書込み位置と読み取り位置を同
一点にするために光ディスクの同一点上に２つの光を照
射することが要求される。
【０００６】しかるに、従来の２波長半導体レーザは図
３に示したように第１発光層１６と第２発光層１９は、
第２クラッド層１７を挟んで異なる位置に配置されるた
め、第１発光層１６または第２発光層１９から出射する
２つの光Ｐ1 またはＰ2 を光ディスク上の同一点に照射
することは困難であった。この発明の目的は、互いに波
長の異なる２つのレーザ光を完全に一致した発光部から
出射させ、光ディスク装置に応用した場合、光ディスク
の同一点に書き込みと読み取り用のレーザ光を照射させ
ることができる２波長半導体レーザを提供しようとする
ものである。
３に示したように第１発光層１６と第２発光層１９は、
第２クラッド層１７を挟んで異なる位置に配置されるた
め、第１発光層１６または第２発光層１９から出射する
２つの光Ｐ1 またはＰ2 を光ディスク上の同一点に照射
することは困難であった。この発明の目的は、互いに波
長の異なる２つのレーザ光を完全に一致した発光部から
出射させ、光ディスク装置に応用した場合、光ディスク
の同一点に書き込みと読み取り用のレーザ光を照射させ
ることができる２波長半導体レーザを提供しようとする
ものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明では共通の光導
波路上に組成が異なる発光層を２層形成し、これら発光
層を各別に発光させることにより、その発光を共通の光
導波路でレーザ共振させ、この共通の光導波路の同一端
面位置から波長が異なるレーザ光を出射させる構成とし
たものである。
波路上に組成が異なる発光層を２層形成し、これら発光
層を各別に発光させることにより、その発光を共通の光
導波路でレーザ共振させ、この共通の光導波路の同一端
面位置から波長が異なるレーザ光を出射させる構成とし
たものである。
【０００８】更に詳しくは、２つの発光層は共通の光導
波路上において同一直線上に配置され、光導波路を同一
直線上でレーザ共振させる構成にすると共に、各発光層
は電流阻止埋込層によって独立に埋め込まれ、それぞれ
の上部に独立した電極を具備し、それぞれの発光層を選
択的に発光させることができる構造とした点を特徴とす
るものである。
波路上において同一直線上に配置され、光導波路を同一
直線上でレーザ共振させる構成にすると共に、各発光層
は電流阻止埋込層によって独立に埋め込まれ、それぞれ
の上部に独立した電極を具備し、それぞれの発光層を選
択的に発光させることができる構造とした点を特徴とす
るものである。
【０００９】この発明による２波長半導体レーザによれ
ば、共通の光導波路から互いに波長が異なる２つのレー
ザ光を取り出すことができるから、２つのレーザ光の出
射位置は完全に一致する。従って光ディスク装置に応用
した場合、書き込み用のレーザ光及び読み取り用のレー
ザ光のいずれも光ディスクの同一点上に照射することが
できる。よって、書き込み位置と読み取り位置を合致さ
せることができ、誤り発生率の少ない光ディスク装置を
構成することができる。
ば、共通の光導波路から互いに波長が異なる２つのレー
ザ光を取り出すことができるから、２つのレーザ光の出
射位置は完全に一致する。従って光ディスク装置に応用
した場合、書き込み用のレーザ光及び読み取り用のレー
ザ光のいずれも光ディスクの同一点上に照射することが
できる。よって、書き込み位置と読み取り位置を合致さ
せることができ、誤り発生率の少ない光ディスク装置を
構成することができる。
【００１０】
【実施例】図１及び図２にこの発明の一実施例を示す。
図２は図１に示したＸ−Ｘ線上の断面を示す。図中１は
例えばＧａＡｓ等から成る半導体基板、２はこの半導体
基板１の上面に形成した下部クラッド層を示す。この下
部クラッド層は例えばＧａＡL Ａｓによって形成され
る。下部クラッド層２の上面に共通の光導波路３を形成
する。この光導波路３もＧａＡL Ａｓによって形成する
ことができる。
図２は図１に示したＸ−Ｘ線上の断面を示す。図中１は
例えばＧａＡｓ等から成る半導体基板、２はこの半導体
基板１の上面に形成した下部クラッド層を示す。この下
部クラッド層は例えばＧａＡL Ａｓによって形成され
る。下部クラッド層２の上面に共通の光導波路３を形成
する。この光導波路３もＧａＡL Ａｓによって形成する
ことができる。
【００１１】光導波路３の上面に第１発光層４と第２発
光層７を形成する。これら第１発光層４及び第２発光層
７を含む発光、導波領域はそれぞれ組成の異なる量子井
戸構造で形成され、組成の違いに応じて波長λ1 とλ2
の光を発光する。第１発光層４及び第２発光層７で発光
した光は共通の光導波路３でレーザ発振する。第１発光
層４及び第２発光層７は同一直線Ｘ−Ｘに沿って細条に
形成され共通の光導波路３の全長Ｌに対して約１／２の
長さに分割されて形成される。
光層７を形成する。これら第１発光層４及び第２発光層
７を含む発光、導波領域はそれぞれ組成の異なる量子井
戸構造で形成され、組成の違いに応じて波長λ1 とλ2
の光を発光する。第１発光層４及び第２発光層７で発光
した光は共通の光導波路３でレーザ発振する。第１発光
層４及び第２発光層７は同一直線Ｘ−Ｘに沿って細条に
形成され共通の光導波路３の全長Ｌに対して約１／２の
長さに分割されて形成される。
【００１２】第１発光層４及び第２発光層７の上面には
上部クラッド層５及び８を形成し、発光した光が外部に
洩れない構造にすると共に、上部クラッド層５及び８の
上面にコンタクト層６及び９を形成し、これらコンタク
ト層６及び９の上に電極１１及び１２を形成する。第１
発光層４と第２発光層７の周囲及び上部クラッド層５及
び８のコンタクト層６及び９を取り囲んで高抵抗ＧａＡ
ｓから成る電流阻止埋込層１０を形成する。この電流阻
止埋込層１０によって第１発光層４と第２発光層７の電
流通路が互いに絶縁されて確保される。なお、第１発光
層４及び第２発光層７を挟んで下側に配置される光導波
路３，下部クラッド層２，半導体基板１及び電極１３は
導電形式がＮ型とされ、上側に配置される上部クラッド
層５及び８と、コンタクト層６及び９と、電極１１及び
１２は導電形式をＰ型とされる。
上部クラッド層５及び８を形成し、発光した光が外部に
洩れない構造にすると共に、上部クラッド層５及び８の
上面にコンタクト層６及び９を形成し、これらコンタク
ト層６及び９の上に電極１１及び１２を形成する。第１
発光層４と第２発光層７の周囲及び上部クラッド層５及
び８のコンタクト層６及び９を取り囲んで高抵抗ＧａＡ
ｓから成る電流阻止埋込層１０を形成する。この電流阻
止埋込層１０によって第１発光層４と第２発光層７の電
流通路が互いに絶縁されて確保される。なお、第１発光
層４及び第２発光層７を挟んで下側に配置される光導波
路３，下部クラッド層２，半導体基板１及び電極１３は
導電形式がＮ型とされ、上側に配置される上部クラッド
層５及び８と、コンタクト層６及び９と、電極１１及び
１２は導電形式をＰ型とされる。
【００１３】上述した構成において、電極１１と１３と
の間に電流Ｉ1 を流すことにより第１発光層４が例えば
波長λ1 の光を発光する。この光は光導波路３でレーザ
共振し、光導波路３の端面３Ａからレーザ光Ｐ1 として
出射される。一方、電極１２と１３の間に電流Ｉ2 を流
すことにより第２発光層７が波長λ2 の光を発光する。
この光は光導波路３でレーザ共振し、光導波路３の端面
３Ａからレーザ光Ｐ2として出射される。
の間に電流Ｉ1 を流すことにより第１発光層４が例えば
波長λ1 の光を発光する。この光は光導波路３でレーザ
共振し、光導波路３の端面３Ａからレーザ光Ｐ1 として
出射される。一方、電極１２と１３の間に電流Ｉ2 を流
すことにより第２発光層７が波長λ2 の光を発光する。
この光は光導波路３でレーザ共振し、光導波路３の端面
３Ａからレーザ光Ｐ2として出射される。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、波長が異なる２つのレーザ光Ｐ1 とＰ2 を同一の位
置から出射させることができる。この結果、光ディスク
装置に応用した場合に、書き込み用のレーザ光と読み取
り用のレーザ光を光ディスクの同一点に照射することが
できる。よって書き込み位置と読み取り位置を合致させ
ることができるから、誤り発生率の少ない光ディスク装
置を構成することができる利点が得られる。
ば、波長が異なる２つのレーザ光Ｐ1 とＰ2 を同一の位
置から出射させることができる。この結果、光ディスク
装置に応用した場合に、書き込み用のレーザ光と読み取
り用のレーザ光を光ディスクの同一点に照射することが
できる。よって書き込み位置と読み取り位置を合致させ
ることができるから、誤り発生率の少ない光ディスク装
置を構成することができる利点が得られる。
【図１】この発明の一実施例を示す斜視図。
【図２】図１に示したＸ−Ｘ線上の断面図。
【図３】従来の技術を説明するための斜視図。
１ 半導体基板 ２ 下部クラッド層 ３ 光導波路 ４ 第１発光層 ７ 第２発光層 ５，８ 上部クラッド層 ６，９ コンタクト層 １０ 電流阻止埋込層 １１，１２，１３ 電極
Claims (3)
- 【請求項１】 共通の光導波路上に組成の異なる発光層
を２層並置し、これら組成が異なる発光層で波長の異な
る光を発光させ、この光を上記共通の光導波路でレーザ
共振させ、上記光導波路の端面から異なる波長のレーザ
光を取り出すことができる構造としたことを特徴とする
２波長半導体レーザ。 - 【請求項２】 請求項１記載の発光層は共通の光導波路
上において同一直線上に形成され、上記光導波路の同一
端面位置から異なる波長の２種類のレーザ光を出射させ
ることができる構造としたことを特徴とする２波長半導
体レーザ。 - 【請求項３】 請求項１記載の発光層は電流阻止埋込層
によって独立に埋め込まれ、それぞれの上部に独立した
電極を具備し、それぞれの発光層を選択的に発光させる
ことができる構造としたことを特徴とする２波長半導体
レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15193894A JPH0818154A (ja) | 1994-07-04 | 1994-07-04 | ２波長半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15193894A JPH0818154A (ja) | 1994-07-04 | 1994-07-04 | ２波長半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0818154A true JPH0818154A (ja) | 1996-01-19 |
Family
ID=15529493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15193894A Pending JPH0818154A (ja) | 1994-07-04 | 1994-07-04 | ２波長半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0818154A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002329934A (ja) * | 2001-05-02 | 2002-11-15 | Sony Corp | ２波長半導体レーザ装置 |
| US6661824B2 (en) * | 2000-02-18 | 2003-12-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device and method for fabricating the same |
| CN1318019C (zh) * | 2002-07-04 | 2007-05-30 | 詹森药业有限公司 | 包含两种不同聚合物骨架的固体分散体 |
| DE102015118715A1 (de) * | 2015-11-02 | 2017-05-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterlaseranordnung und Projektor |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51103783A (ja) * | 1975-03-08 | 1976-09-13 | Fujitsu Ltd | |
| JPS61276390A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-06 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体発光装置の製造方法 |
| JPS63276289A (ja) * | 1987-05-08 | 1988-11-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザおよびその使用方法 |
-
1994
- 1994-07-04 JP JP15193894A patent/JPH0818154A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6930024B2 (en) | 2000-02-18 | 2005-08-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device and method for fabricating the same |
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| US10270225B2 (en) | 2015-11-02 | 2019-04-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Semiconductor laser arrangement and projector |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980721 |