JPH08181245A - コンデンサ内蔵抜熱素子 - Google Patents
コンデンサ内蔵抜熱素子Info
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- JPH08181245A JPH08181245A JP6321829A JP32182994A JPH08181245A JP H08181245 A JPH08181245 A JP H08181245A JP 6321829 A JP6321829 A JP 6321829A JP 32182994 A JP32182994 A JP 32182994A JP H08181245 A JPH08181245 A JP H08181245A
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- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 ＡｌＮ誘電体１２及び内部電極５ａ、５ｂか
らなる積層体１１の片側主面にコンデンサ用の外部電極
１、２が形成され、同極性となる内部電極５ａ又は５ｂ
と外部電極１又は２とが複数個の柱状接続部材６ａ又は
６ｂで互いに接続されているコンデンサ内蔵抜熱素子１
０。 【効果】 ＩＣパッケージ２０又は３０内に配設される
ことにより、良好な抜熱機能を発揮すると共に、電圧変
動抑制機能をも発揮し得る。このため、ＩＣパッケージ
２０又は３０の構造を単純化し、製造工程の簡略化を図
ることができると共に、ＩＣパッケージ２０又は３０全
体を高価なＡｌＮで形成する必要もなく、材料コストを
削減し得ることからＩＣパッケージ２０又は３０のコス
ト削減に寄与することができる。
らなる積層体１１の片側主面にコンデンサ用の外部電極
１、２が形成され、同極性となる内部電極５ａ又は５ｂ
と外部電極１又は２とが複数個の柱状接続部材６ａ又は
６ｂで互いに接続されているコンデンサ内蔵抜熱素子１
０。 【効果】 ＩＣパッケージ２０又は３０内に配設される
ことにより、良好な抜熱機能を発揮すると共に、電圧変
動抑制機能をも発揮し得る。このため、ＩＣパッケージ
２０又は３０の構造を単純化し、製造工程の簡略化を図
ることができると共に、ＩＣパッケージ２０又は３０全
体を高価なＡｌＮで形成する必要もなく、材料コストを
削減し得ることからＩＣパッケージ２０又は３０のコス
ト削減に寄与することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はコンデンサ内蔵抜熱素子
に関し、より詳細には高速、高発熱の論理素子搭載用の
ＩＣパッケージに配設されるコンデンサ内蔵抜熱素子に
関する。
に関し、より詳細には高速、高発熱の論理素子搭載用の
ＩＣパッケージに配設されるコンデンサ内蔵抜熱素子に
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、コンピュータの大容量化、高速化
に伴い、論理ＬＳＩや画像処理ＬＳＩ用パッケージにお
いては、論理素子の発熱量増大に対処するため、十分な
抜熱機能を有することが求められている。また、論理素
子の高速スイッチング動作によって生じる電源電圧の変
動（スイッチングノイズ）を低減するため、大容量のバ
イパスコンデンサの設置が求められている。
に伴い、論理ＬＳＩや画像処理ＬＳＩ用パッケージにお
いては、論理素子の発熱量増大に対処するため、十分な
抜熱機能を有することが求められている。また、論理素
子の高速スイッチング動作によって生じる電源電圧の変
動（スイッチングノイズ）を低減するため、大容量のバ
イパスコンデンサの設置が求められている。
【０００３】図４は、上記した高速、高発熱の論理素子
に対応し得るＩＣパッケージとしてのＰｉｎ Ｇｒｉｄ
Ａｒｒａｙタイプのパッケージを示した模式的断面図
である。図中２１はＩＣパッケージ本体を示しており、
ＩＣパッケージ本体２１は例えばアルミナ製である。Ｉ
Ｃパッケージのキャビティ部分４８には論理素子２２が
搭載されており、ボンディングワイヤ２５によりＩＣパ
ッケージ本体２１側に形成されたパッド（図示せず）に
接続されている。ＩＣパッケージ本体２１の上部にはリ
ッド２３が載置され、リッド２３周囲のＩＣパッケージ
本体２１上面には多数のピン２４が形成されている。Ｉ
Ｃパッケージ本体２１の底面と論理素子２２の底面とは
同一平面状となっており、ＩＣパッケージ本体２１の底
面及び論理素子２２の底面には、例えばＣｕあるいはＷ
等の高熱伝導材料からなるヒートスラグ４６がロウ付け
されている。ＩＣパッケージ本体２１の底面におけるヒ
ートスラグ４６周囲の所定箇所にはコンデンサ４５が搭
載されており、ヒートスラグ４６の底面には例えばアル
ミニウム等の高熱伝導材料からなるフィン２６が接合さ
れている。
に対応し得るＩＣパッケージとしてのＰｉｎ Ｇｒｉｄ
Ａｒｒａｙタイプのパッケージを示した模式的断面図
である。図中２１はＩＣパッケージ本体を示しており、
ＩＣパッケージ本体２１は例えばアルミナ製である。Ｉ
Ｃパッケージのキャビティ部分４８には論理素子２２が
搭載されており、ボンディングワイヤ２５によりＩＣパ
ッケージ本体２１側に形成されたパッド（図示せず）に
接続されている。ＩＣパッケージ本体２１の上部にはリ
ッド２３が載置され、リッド２３周囲のＩＣパッケージ
本体２１上面には多数のピン２４が形成されている。Ｉ
Ｃパッケージ本体２１の底面と論理素子２２の底面とは
同一平面状となっており、ＩＣパッケージ本体２１の底
面及び論理素子２２の底面には、例えばＣｕあるいはＷ
等の高熱伝導材料からなるヒートスラグ４６がロウ付け
されている。ＩＣパッケージ本体２１の底面におけるヒ
ートスラグ４６周囲の所定箇所にはコンデンサ４５が搭
載されており、ヒートスラグ４６の底面には例えばアル
ミニウム等の高熱伝導材料からなるフィン２６が接合さ
れている。
【０００４】このように、ＩＣパッケージ４０において
は、論理素子２２はボンディングワイヤ２５によりＩＣ
パッケージ本体２１側と導通が図られ、ピン２４により
外部配線との接続がなされる。論理素子２２はリッド２
３とヒートスラグ４６とによりＩＣパッケージ本体２１
内に密閉され、論理素子２２から発生した熱はヒートス
ラグ４６を介してフィン２６にすみやかに伝達され、フ
ィン２６から外部に拡散、放熱される。また、高速スイ
ッチング動作によって生じる電源電圧の変動等はコンデ
ンサ４５により吸収され、低減される。すなわち、ＩＣ
パッケージ４０はヒートスラグ４６とフィン２６との配
設により抜熱機能を有し、コンデンサ４５の配設により
電源電圧の変動を低減する働きを有している。
は、論理素子２２はボンディングワイヤ２５によりＩＣ
パッケージ本体２１側と導通が図られ、ピン２４により
外部配線との接続がなされる。論理素子２２はリッド２
３とヒートスラグ４６とによりＩＣパッケージ本体２１
内に密閉され、論理素子２２から発生した熱はヒートス
ラグ４６を介してフィン２６にすみやかに伝達され、フ
ィン２６から外部に拡散、放熱される。また、高速スイ
ッチング動作によって生じる電源電圧の変動等はコンデ
ンサ４５により吸収され、低減される。すなわち、ＩＣ
パッケージ４０はヒートスラグ４６とフィン２６との配
設により抜熱機能を有し、コンデンサ４５の配設により
電源電圧の変動を低減する働きを有している。
【０００５】図５は別の従来例に係るＩＣパッケージ５
０を示した模式的断面図であり、図中３１はＩＣパッケ
ージ本体を示している。ＩＣパッケージ本体３１底面に
はヒートスプレッダ５６がロウ付けされており、ヒート
スプレッダ５６底面にはフィン２６が接合されている。
論理素子２２はリッド２３とＩＣパッケージ本体３１と
によりＩＣパッケージ本体３１内に密閉されており、そ
の他の構成及び作用は図４に示したＩＣパッケージ４０
と同様である。
０を示した模式的断面図であり、図中３１はＩＣパッケ
ージ本体を示している。ＩＣパッケージ本体３１底面に
はヒートスプレッダ５６がロウ付けされており、ヒート
スプレッダ５６底面にはフィン２６が接合されている。
論理素子２２はリッド２３とＩＣパッケージ本体３１と
によりＩＣパッケージ本体３１内に密閉されており、そ
の他の構成及び作用は図４に示したＩＣパッケージ４０
と同様である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
のＩＣパッケージ４０、５０においては、抜熱機能部分
とコンデンサ機能部分とがそれぞれ独立して形成されて
おり、構造が複雑であった。このため、製造工程が煩雑
になるとともに歩留り低下の原因ともなり、コスト高に
なるという課題があった。
のＩＣパッケージ４０、５０においては、抜熱機能部分
とコンデンサ機能部分とがそれぞれ独立して形成されて
おり、構造が複雑であった。このため、製造工程が煩雑
になるとともに歩留り低下の原因ともなり、コスト高に
なるという課題があった。
【０００７】一方、特開平６−１３４９１号公報におい
ては、図６に示したようにＩＣパッケージ材料として熱
伝導率の高いＡｌＮを使用するとともにＡｌＮの平板コ
ンデンサ６１を内蔵することにより、抜熱機能部分とコ
ンデンサ機能部分とを別個に形成する必要のないＩＣパ
ッケージ６０が提案されている。しかし、このような構
造のＩＣパッケージ６０はパッケージ基板部分６２全体
に高価なＡｌＮ粉末を多量に使用しなければならず、材
料コストが高くなるという課題があった。
ては、図６に示したようにＩＣパッケージ材料として熱
伝導率の高いＡｌＮを使用するとともにＡｌＮの平板コ
ンデンサ６１を内蔵することにより、抜熱機能部分とコ
ンデンサ機能部分とを別個に形成する必要のないＩＣパ
ッケージ６０が提案されている。しかし、このような構
造のＩＣパッケージ６０はパッケージ基板部分６２全体
に高価なＡｌＮ粉末を多量に使用しなければならず、材
料コストが高くなるという課題があった。
【０００８】本発明はこのような課題に鑑み発明された
ものであって、放熱特性、ノイズ吸収特性に優れ、高
速、高発熱の論理素子を搭載するためのＩＣパッケージ
のコスト削減に寄与し得る抜熱素子を提供することを目
的としている。
ものであって、放熱特性、ノイズ吸収特性に優れ、高
速、高発熱の論理素子を搭載するためのＩＣパッケージ
のコスト削減に寄与し得る抜熱素子を提供することを目
的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係るコンデンサ内蔵抜熱素子は、ＡｌＮ誘電
体及び内部電極からなる積層体の片側主面にコンデンサ
用の外部電極が形成され、同極性となる前記内部電極と
前記外部電極とが複数個の柱状接続部材で互いに接続さ
れていることを特徴としている。
に本発明に係るコンデンサ内蔵抜熱素子は、ＡｌＮ誘電
体及び内部電極からなる積層体の片側主面にコンデンサ
用の外部電極が形成され、同極性となる前記内部電極と
前記外部電極とが複数個の柱状接続部材で互いに接続さ
れていることを特徴としている。
【００１０】
【作用】本発明に係る前記コンデンサ内蔵抜熱素子によ
れば、前記ＡｌＮ誘電体及び前記内部電極からなる前記
積層体の前記片側主面に前記コンデンサ用の前記外部電
極が形成され、同極性となる前記内部電極と前記外部電
極とが複数個の前記柱状接続部材で互いに接続されてい
るので、ＩＣパッケージ内に配設されることにより、良
好な抜熱機能を発揮すると共に、電圧変動抑制機能をも
発揮し得る。このため、ＩＣパッケージ構造を単純化
し、製造工程の簡略化を図り得ると共に、ＩＣパッケー
ジ全体を高価なＡｌＮで形成する必要もなく、材料コス
トを削減し得ることからＩＣパッケージのコスト削減に
寄与し得ることとなる。
れば、前記ＡｌＮ誘電体及び前記内部電極からなる前記
積層体の前記片側主面に前記コンデンサ用の前記外部電
極が形成され、同極性となる前記内部電極と前記外部電
極とが複数個の前記柱状接続部材で互いに接続されてい
るので、ＩＣパッケージ内に配設されることにより、良
好な抜熱機能を発揮すると共に、電圧変動抑制機能をも
発揮し得る。このため、ＩＣパッケージ構造を単純化
し、製造工程の簡略化を図り得ると共に、ＩＣパッケー
ジ全体を高価なＡｌＮで形成する必要もなく、材料コス
トを削減し得ることからＩＣパッケージのコスト削減に
寄与し得ることとなる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明に係るコンデンサ内蔵抜熱素子
を図面に基づいて説明する。図１（ａ）は本発明の実施
例に係るコンデンサ内蔵抜熱素子を示した模式的平面図
であり、（ｂ）はその模式的断面図である。図中１及び
２はコンデンサとしての外部電極を示しており、外部電
極１は論理素子（図示せず）の搭載面であると共にその
外周面はＩＣパッケージ本体２１（図２）との接合面を
兼ねている。外部電極２は外部電極１の周りに所定間隔
を隔てて形成されており、これら外部電極１及び２は積
層体１１上面に、積層体１１を構成するＡｌＮ誘電体１
２との同時焼成が可能な高融点金属であるＷ、Ｍｏ等を
含んだ金属ペーストが印刷・焼成されて形成されてい
る。積層体１１は複数枚のＡｌＮ誘電体１２形成用のグ
リーンシート上にＡｌＮ誘電体１２との同時焼成が可能
な前記金属ペーストを用いて内部電極５ａ、５ｂ形成用
の印刷がなされ、それぞれが積層、熱圧着された後焼成
されることにより形成されている。外部電極１の外周部
の所定箇所には積層体１１の高さ方向に長さを有する複
数個のスルーホール３ａが形成され、外部電極２の帯中
心の所定箇所には同じく積層体１１の高さ方向に長さを
有する複数個のスルーホール３ｂが形成されており、こ
れらスルーホール３ａ、３ｂ内にはそれぞれＡｌＮ誘電
体１２と同時焼成可能なＷ、Ｍｏ等の高融点金属からな
る柱状接続部材４ａ、４ｂが充填されている。柱状接続
部材４ａと導通が図られる内部電極５ａと、柱状接続部
材４ｂと導通が図られる内部電極５ｂとは交互に積層さ
れており、内部電極５ａの所定箇所には柱状接続部材４
ｂとの接触を避けるべく円形の非印刷部６ａが形成さ
れ、同じく内部電極５ｂの所定箇所には柱状接続部材４
ａとの接触を避けるべく円形の非印刷部６ｂが形成され
ている。
を図面に基づいて説明する。図１（ａ）は本発明の実施
例に係るコンデンサ内蔵抜熱素子を示した模式的平面図
であり、（ｂ）はその模式的断面図である。図中１及び
２はコンデンサとしての外部電極を示しており、外部電
極１は論理素子（図示せず）の搭載面であると共にその
外周面はＩＣパッケージ本体２１（図２）との接合面を
兼ねている。外部電極２は外部電極１の周りに所定間隔
を隔てて形成されており、これら外部電極１及び２は積
層体１１上面に、積層体１１を構成するＡｌＮ誘電体１
２との同時焼成が可能な高融点金属であるＷ、Ｍｏ等を
含んだ金属ペーストが印刷・焼成されて形成されてい
る。積層体１１は複数枚のＡｌＮ誘電体１２形成用のグ
リーンシート上にＡｌＮ誘電体１２との同時焼成が可能
な前記金属ペーストを用いて内部電極５ａ、５ｂ形成用
の印刷がなされ、それぞれが積層、熱圧着された後焼成
されることにより形成されている。外部電極１の外周部
の所定箇所には積層体１１の高さ方向に長さを有する複
数個のスルーホール３ａが形成され、外部電極２の帯中
心の所定箇所には同じく積層体１１の高さ方向に長さを
有する複数個のスルーホール３ｂが形成されており、こ
れらスルーホール３ａ、３ｂ内にはそれぞれＡｌＮ誘電
体１２と同時焼成可能なＷ、Ｍｏ等の高融点金属からな
る柱状接続部材４ａ、４ｂが充填されている。柱状接続
部材４ａと導通が図られる内部電極５ａと、柱状接続部
材４ｂと導通が図られる内部電極５ｂとは交互に積層さ
れており、内部電極５ａの所定箇所には柱状接続部材４
ｂとの接触を避けるべく円形の非印刷部６ａが形成さ
れ、同じく内部電極５ｂの所定箇所には柱状接続部材４
ａとの接触を避けるべく円形の非印刷部６ｂが形成され
ている。
【００１２】このように形成されたコンデンサ内蔵抜熱
素子１０においては、同極性を有する一層おきの内部電
極５ａは柱状接続部材４ａを介して外部電極１と接続さ
れ、他の同極性を有する一層おきの内部電極５ｂは柱状
接続部材４ｂを介して外部電極２と接続され、導通が図
られており、ＡｌＮ誘電体１２が積層され、積層体１１
が形成されることによりコンデンサとしての機能が発揮
されるようになっている。また、ＡｌＮ誘電体１２の積
層枚数を増大させると共に、ＡｌＮ誘電体１２をできる
だけ薄く形成することによりコンデンサとしての容量の
拡大を図ることができる。なお、ＩＣパッケージ本体２
１（図２）に接合した後の応力を緩和するためには抜熱
素子１０の四隅に丸みをつけることが望ましく、インダ
クタンスを低減するためにはスルーホール３ａ、３ｂが
コンデンサ内蔵抜熱素子１０の四辺に多数形成されてい
ることが望ましい。
素子１０においては、同極性を有する一層おきの内部電
極５ａは柱状接続部材４ａを介して外部電極１と接続さ
れ、他の同極性を有する一層おきの内部電極５ｂは柱状
接続部材４ｂを介して外部電極２と接続され、導通が図
られており、ＡｌＮ誘電体１２が積層され、積層体１１
が形成されることによりコンデンサとしての機能が発揮
されるようになっている。また、ＡｌＮ誘電体１２の積
層枚数を増大させると共に、ＡｌＮ誘電体１２をできる
だけ薄く形成することによりコンデンサとしての容量の
拡大を図ることができる。なお、ＩＣパッケージ本体２
１（図２）に接合した後の応力を緩和するためには抜熱
素子１０の四隅に丸みをつけることが望ましく、インダ
クタンスを低減するためにはスルーホール３ａ、３ｂが
コンデンサ内蔵抜熱素子１０の四辺に多数形成されてい
ることが望ましい。
【００１３】図２は上記のように構成されたコンデンサ
内蔵抜熱素子１０が組み込まれたヒートスラグタイプの
ＩＣパッケージ２０を示した模式的断面図である。
内蔵抜熱素子１０が組み込まれたヒートスラグタイプの
ＩＣパッケージ２０を示した模式的断面図である。
【００１４】コンデンサ内蔵抜熱素子１０はＩＣパッケ
ージ本体２１の底面に接合材料（図示せず）を介して気
密に接合されており、論理素子２２はコンデンサ内蔵抜
熱素子１０の外部電極１上に同じく接合材料を介して載
置されている。外部電極１の外周面は前述したようにＩ
Ｃパッケージ本体２１との接合面も兼ねており、これら
コンデンサ内蔵抜熱素子１０、ＩＣパッケージ本体２１
及びリッド２３により論理素子２２はＩＣパッケージ２
０内に気密に封止されている。接合材料としては銀ろ
う、はんだ等の金属材料が望ましく、コンデンサ内蔵抜
熱素子１０の外部電極１、２及びＩＣパッケージ本体２
１側の、外部電極１、２との接触部には、前記接合材料
とぬれ性の良いＮｉ等の金属膜（図示せず）を形成して
おくのが望ましい。
ージ本体２１の底面に接合材料（図示せず）を介して気
密に接合されており、論理素子２２はコンデンサ内蔵抜
熱素子１０の外部電極１上に同じく接合材料を介して載
置されている。外部電極１の外周面は前述したようにＩ
Ｃパッケージ本体２１との接合面も兼ねており、これら
コンデンサ内蔵抜熱素子１０、ＩＣパッケージ本体２１
及びリッド２３により論理素子２２はＩＣパッケージ２
０内に気密に封止されている。接合材料としては銀ろ
う、はんだ等の金属材料が望ましく、コンデンサ内蔵抜
熱素子１０の外部電極１、２及びＩＣパッケージ本体２
１側の、外部電極１、２との接触部には、前記接合材料
とぬれ性の良いＮｉ等の金属膜（図示せず）を形成して
おくのが望ましい。
【００１５】このように、実施例に係るコンデンサ内蔵
抜熱素子１０においては、構成物質として、高誘電体で
かつ熱伝導率の高いＡｌＮが用いられており、ＡｌＮは
Ｗ等の高融点金属と同時焼成が可能であるため、容易に
コンデンサ機能と抜熱機能とを付与することができる。
また、金属（例えばＣｕーＷの場合２００Ｗ／ｍ・ｋ）
と比べても熱伝導率（１２０Ｗ／ｍ・ｋ）の低下もほと
んどない。また、コンデンサ内蔵抜熱素子１０に形成さ
れた外部電極１は論理素子２２の搭載面であると共に外
部電極１の外周囲はＩＣパッケージ本体２１との接合面
も兼ねているので、論理素子２２をＩＣパッケージ本体
２１内に気密封止することができる。
抜熱素子１０においては、構成物質として、高誘電体で
かつ熱伝導率の高いＡｌＮが用いられており、ＡｌＮは
Ｗ等の高融点金属と同時焼成が可能であるため、容易に
コンデンサ機能と抜熱機能とを付与することができる。
また、金属（例えばＣｕーＷの場合２００Ｗ／ｍ・ｋ）
と比べても熱伝導率（１２０Ｗ／ｍ・ｋ）の低下もほと
んどない。また、コンデンサ内蔵抜熱素子１０に形成さ
れた外部電極１は論理素子２２の搭載面であると共に外
部電極１の外周囲はＩＣパッケージ本体２１との接合面
も兼ねているので、論理素子２２をＩＣパッケージ本体
２１内に気密封止することができる。
【００１６】また、ＡｌＮは論理素子２２を形成するシ
リコン及びＩＣパッケージ本体２１の材料として信頼性
が高く、よく用いられるアルミナと熱膨張係数が近いた
め、応力による不具合の発生を防ぐことができる。
リコン及びＩＣパッケージ本体２１の材料として信頼性
が高く、よく用いられるアルミナと熱膨張係数が近いた
め、応力による不具合の発生を防ぐことができる。
【００１７】さらに、外部電極１、２と、内部電極５
ａ、５ｂとの接続のために用いる柱状接続部材６ａ、６
ｂとしてＷ等の金属を用いることにより内部電極５ａ、
５ｂと同様に、同時焼成による一体形成ができる。
ａ、５ｂとの接続のために用いる柱状接続部材６ａ、６
ｂとしてＷ等の金属を用いることにより内部電極５ａ、
５ｂと同様に、同時焼成による一体形成ができる。
【００１８】以上説明したように実施例に係るコンデン
サ内蔵抜熱素子１０によれば、コンデンサ内蔵抜熱素子
１０をＩＣパッケージ２０に配設することにより、良好
な抜熱機能を発揮させることができると共に、電圧変動
抑制機能をも発揮させることができる。このため、ＩＣ
パッケージ２０構造を単純化し、製造工程の簡略化を図
ることができる。また、ＩＣパッケージ本体２１の材質
はそのままで、コンデンサ内蔵抜熱素子１０のみにＡｌ
Ｎを用いればよく、ＩＣパッケージ２０の部品コスト削
減に寄与することができる。
サ内蔵抜熱素子１０によれば、コンデンサ内蔵抜熱素子
１０をＩＣパッケージ２０に配設することにより、良好
な抜熱機能を発揮させることができると共に、電圧変動
抑制機能をも発揮させることができる。このため、ＩＣ
パッケージ２０構造を単純化し、製造工程の簡略化を図
ることができる。また、ＩＣパッケージ本体２１の材質
はそのままで、コンデンサ内蔵抜熱素子１０のみにＡｌ
Ｎを用いればよく、ＩＣパッケージ２０の部品コスト削
減に寄与することができる。
【００１９】上記実施例においてはコンデンサ内蔵抜熱
素子１０が組み込まれたヒートスラグタイプのＩＣパッ
ケージ２０について説明したが、何らこれに限定される
ものではなく、別の実施例においては図３に示すように
コンデンサ内蔵抜熱素子１０が組み込まれたヒートスプ
レッダタイプのＩＣパッケージ３０であってもよく、Ｉ
Ｃパッケージ３０においてもコンデンサ内蔵抜熱素子１
０は上記した効果と同様の効果を得ることができる。
素子１０が組み込まれたヒートスラグタイプのＩＣパッ
ケージ２０について説明したが、何らこれに限定される
ものではなく、別の実施例においては図３に示すように
コンデンサ内蔵抜熱素子１０が組み込まれたヒートスプ
レッダタイプのＩＣパッケージ３０であってもよく、Ｉ
Ｃパッケージ３０においてもコンデンサ内蔵抜熱素子１
０は上記した効果と同様の効果を得ることができる。
【００２０】
【発明の効果】以上詳述したように本発明に係るコンデ
ンサ内蔵抜熱素子によれば、ＡｌＮ誘電体及び内部電極
からなる積層体の片側主面にコンデンサ用の外部電極が
形成され、同極性となる前記内部電極と前記外部電極と
が複数個の柱状接続部材で互いに接続されているので、
ＩＣパッケージ内に配設されることにより、良好な抜熱
機能を発揮すると共に、電圧変動抑制機能をも発揮し得
る。このため、ＩＣパッケージ構造を単純化し、製造工
程の簡略化を図ることができると共に、ＩＣパッケージ
全体を高価なＡｌＮで形成する必要もなく、材料コスト
を削減し得ることからＩＣパッケージのコスト削減に寄
与することができる。
ンサ内蔵抜熱素子によれば、ＡｌＮ誘電体及び内部電極
からなる積層体の片側主面にコンデンサ用の外部電極が
形成され、同極性となる前記内部電極と前記外部電極と
が複数個の柱状接続部材で互いに接続されているので、
ＩＣパッケージ内に配設されることにより、良好な抜熱
機能を発揮すると共に、電圧変動抑制機能をも発揮し得
る。このため、ＩＣパッケージ構造を単純化し、製造工
程の簡略化を図ることができると共に、ＩＣパッケージ
全体を高価なＡｌＮで形成する必要もなく、材料コスト
を削減し得ることからＩＣパッケージのコスト削減に寄
与することができる。
【図１】（ａ）は本発明の実施例に係るコンデンサ内蔵
抜熱素子の模式的平面図であり、（ｂ）はその模式的断
面図である。
抜熱素子の模式的平面図であり、（ｂ）はその模式的断
面図である。
【図２】実施例に係るコンデンサ内蔵抜熱素子が組み込
まれたヒートスラグタイプのＩＣパッケージを示した模
式的断面図である。
まれたヒートスラグタイプのＩＣパッケージを示した模
式的断面図である。
【図３】実施例に係るコンデンサ内蔵抜熱素子が組み込
まれたヒートスプレッダタイプのＩＣパッケージを示し
た模式的断面図である。
まれたヒートスプレッダタイプのＩＣパッケージを示し
た模式的断面図である。
【図４】従来のヒートスラグタイプのＩＣパッケージを
示した模式的断面図である。
示した模式的断面図である。
【図５】従来のヒートスプレッダタイプのＩＣパッケー
ジを示した模式的断面図である。
ジを示した模式的断面図である。
【図６】従来のＩＣパッケージを示した模式的断面図で
ある。
ある。
１、２ 外部電極 ４ａ、４ｂ 柱状接続部材 ５ａ、５ｂ 内部電極 １０ コンデンサ内蔵抜熱素子 １１ 積層体 １２ ＡｌＮ誘電体
Claims (1)
- 【請求項１】 ＡｌＮ誘電体及び内部電極からなる積層
体の片側主面にコンデンサ用の外部電極が形成され、同
極性となる前記内部電極と前記外部電極とが複数個の柱
状接続部材で互いに接続されていることを特徴とするコ
ンデンサ内蔵抜熱素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6321829A JPH08181245A (ja) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | コンデンサ内蔵抜熱素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6321829A JPH08181245A (ja) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | コンデンサ内蔵抜熱素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08181245A true JPH08181245A (ja) | 1996-07-12 |
Family
ID=18136891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6321829A Pending JPH08181245A (ja) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | コンデンサ内蔵抜熱素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08181245A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0917165A2 (en) * | 1997-11-14 | 1999-05-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer capacitor |
| WO2001048820A1 (fr) * | 1999-12-24 | 2001-07-05 | Fujitsu Limited | Dispositif en semi-conducteur comportant une puce nue de semi-conducteur montee par soudage par billes, et element de carte a condensateur en couche mince pour puce nue de semi-conducteur montee par soudage par billes |
| JP2014049729A (ja) * | 2012-09-04 | 2014-03-17 | Denso Corp | 電子装置 |
-
1994
- 1994-12-26 JP JP6321829A patent/JPH08181245A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0917165A2 (en) * | 1997-11-14 | 1999-05-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer capacitor |
| EP0917165A3 (en) * | 1997-11-14 | 2005-03-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer capacitor |
| WO2001048820A1 (fr) * | 1999-12-24 | 2001-07-05 | Fujitsu Limited | Dispositif en semi-conducteur comportant une puce nue de semi-conducteur montee par soudage par billes, et element de carte a condensateur en couche mince pour puce nue de semi-conducteur montee par soudage par billes |
| US6891247B2 (en) | 1999-12-24 | 2005-05-10 | Fujitsu Limited | Semiconductor device including semiconductor bare chip mounted by flip-chip bonding, and board member with thin-film structure capacitor for semiconductor bare chip mounted by flip-chip bonding |
| JP4502564B2 (ja) * | 1999-12-24 | 2010-07-14 | 富士通株式会社 | フリップチップ実装された半導体ベアチップを有する半導体装置、及びフリップチップ実装された半導体ベアチップ用の薄膜構造コンデンサ付き基板部材 |
| JP2014049729A (ja) * | 2012-09-04 | 2014-03-17 | Denso Corp | 電子装置 |
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