JPH08222668A - Ｉｃパッケージ - Google Patents
ＩｃパッケージInfo
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- JPH08222668A JPH08222668A JP7317691A JP31769195A JPH08222668A JP H08222668 A JPH08222668 A JP H08222668A JP 7317691 A JP7317691 A JP 7317691A JP 31769195 A JP31769195 A JP 31769195A JP H08222668 A JPH08222668 A JP H08222668A
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- package
- chip
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- spreader
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/49105—Connecting at different heights
- H01L2224/49109—Connecting at different heights outside the semiconductor or solid-state body
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 外気への放熱が非効率的であるため放熱性が
十分でなく、放熱効率を向上させるにあたって、材料コ
スト及び加工コストが上昇する。また、ＩＣパッケージ
への熱応力が疲労破壊の原因となる。さらにキャビティ
部分下方における電気配線等の形成が困難となる。 【解決手段】 内層に電気配線を有する絶縁性基板によ
り形成されたＩＣパッケージにおいて、ＩＣチップ１１
が搭載されるキャビティ部分１４に、絶縁性基板よりも
熱伝導率の高い材料から成るヒートスプレッダー１２が
接合され、ヒートスプレッダー１２上にＩＣチップ１１
が搭載されるように形成されているＩＣパッケージ。
十分でなく、放熱効率を向上させるにあたって、材料コ
スト及び加工コストが上昇する。また、ＩＣパッケージ
への熱応力が疲労破壊の原因となる。さらにキャビティ
部分下方における電気配線等の形成が困難となる。 【解決手段】 内層に電気配線を有する絶縁性基板によ
り形成されたＩＣパッケージにおいて、ＩＣチップ１１
が搭載されるキャビティ部分１４に、絶縁性基板よりも
熱伝導率の高い材料から成るヒートスプレッダー１２が
接合され、ヒートスプレッダー１２上にＩＣチップ１１
が搭載されるように形成されているＩＣパッケージ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＩＣパッケージに関
し、より詳細には集積回路等の半導体装置のパッケージ
として使用されるＩＣパッケージに関する。
し、より詳細には集積回路等の半導体装置のパッケージ
として使用されるＩＣパッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、コンピュータの大容量化、高速化
に伴い、論理ＬＳＩや画像処理ＬＳＩ用パッケージの小
型化及び多ピン化が要求されている。このような要求に
対応できるパッケージが種々提案されており、ＩＣチッ
プの保護、電気的接続および放熱を目的とし、熱伝導率
の高い絶縁性セラミックスを積層して形成されたセラミ
ックスパッケージがＩＣパッケージとして多く用いられ
ている。このようなＩＣパッケージにおいては、放熱性
を向上させるため、ＩＣパッケージ本体に例えばアルミ
ニウム等の高熱伝導率材料から成るヒートシンクを接合
させる場合がある（特開昭５６−１０８２９３号公
報）。
に伴い、論理ＬＳＩや画像処理ＬＳＩ用パッケージの小
型化及び多ピン化が要求されている。このような要求に
対応できるパッケージが種々提案されており、ＩＣチッ
プの保護、電気的接続および放熱を目的とし、熱伝導率
の高い絶縁性セラミックスを積層して形成されたセラミ
ックスパッケージがＩＣパッケージとして多く用いられ
ている。このようなＩＣパッケージにおいては、放熱性
を向上させるため、ＩＣパッケージ本体に例えばアルミ
ニウム等の高熱伝導率材料から成るヒートシンクを接合
させる場合がある（特開昭５６−１０８２９３号公
報）。
【０００３】特開昭５６−１０８２９３号公報において
は、ＩＣチップを搭載したＩＣパッケージ本体を回路基
板に接続する際に回路基板の一部分をくり抜き、ＩＣパ
ッケージ本体を強制空冷する、あるいはＩＣパッケージ
本体にヒートシンクを直接接触させる構造のＩＣパッケ
ージが提案されている。
は、ＩＣチップを搭載したＩＣパッケージ本体を回路基
板に接続する際に回路基板の一部分をくり抜き、ＩＣパ
ッケージ本体を強制空冷する、あるいはＩＣパッケージ
本体にヒートシンクを直接接触させる構造のＩＣパッケ
ージが提案されている。
【０００４】図６は、上記したＩＣパッケージを示す模
式的断面図であり、図中３０はＩＣパッケージ本体を示
しており、キャビティ２４内にはＩＣチップ１１が搭載
されている。ＩＣパッケージ本体３０の底面には、接合
面積が例えば５０×５０ｍｍ2 程度のヒートシンク１３
がＩＣチップ１１と所定距離Ａ1 を有して接合されてい
る。
式的断面図であり、図中３０はＩＣパッケージ本体を示
しており、キャビティ２４内にはＩＣチップ１１が搭載
されている。ＩＣパッケージ本体３０の底面には、接合
面積が例えば５０×５０ｍｍ2 程度のヒートシンク１３
がＩＣチップ１１と所定距離Ａ1 を有して接合されてい
る。
【０００５】しかしながら、通常、ＩＣパッケージ本体
３０材料（例えばアルミナ）の熱伝導率はヒートシンク
１３材料（例えばアルミニウム）よりもかなり低いた
め、ＩＣパッケージ本体３０内に流れる熱流束は、主
に、熱抵抗の小さいヒートシンク１３方向へ直線的に流
れることとなる。これにより熱流束は二次元的広がりを
持たなくなり、ヒートシンク１３の限られた部分のみか
ら放熱され、その結果ＩＣチップ１１から外気への放熱
が非効率的となる。
３０材料（例えばアルミナ）の熱伝導率はヒートシンク
１３材料（例えばアルミニウム）よりもかなり低いた
め、ＩＣパッケージ本体３０内に流れる熱流束は、主
に、熱抵抗の小さいヒートシンク１３方向へ直線的に流
れることとなる。これにより熱流束は二次元的広がりを
持たなくなり、ヒートシンク１３の限られた部分のみか
ら放熱され、その結果ＩＣチップ１１から外気への放熱
が非効率的となる。
【０００６】そこで、上記問題に対処するため、ＩＣパ
ッケージ本体とヒートシンクとの間に高熱伝導率材料か
らなるヒートスプレッダーを介装し、ＩＣパッケージ本
体内の一次元的熱流束をヒートスプレッダーにて一旦水
平方向に拡げ、その後ヒートシンク全体へ効率よく熱を
伝達する方法がとられている。
ッケージ本体とヒートシンクとの間に高熱伝導率材料か
らなるヒートスプレッダーを介装し、ＩＣパッケージ本
体内の一次元的熱流束をヒートスプレッダーにて一旦水
平方向に拡げ、その後ヒートシンク全体へ効率よく熱を
伝達する方法がとられている。
【０００７】図７（ａ）は上記したＩＣパッケージを示
す模式的断面図であり、（ｂ）は（ａ）に示したＩＣパ
ッケージにおいて、ＩＣチップ１１で発生した熱が放熱
される様子を説明するために示したＩＣパッケージの模
式的部分拡大断面図である。図７（ｂ）中の矢印は熱流
束を示している。
す模式的断面図であり、（ｂ）は（ａ）に示したＩＣパ
ッケージにおいて、ＩＣチップ１１で発生した熱が放熱
される様子を説明するために示したＩＣパッケージの模
式的部分拡大断面図である。図７（ｂ）中の矢印は熱流
束を示している。
【０００８】ＩＣパッケージ本体３０のキャビティ２４
内にはＩＣチップ１１が搭載されている。ＩＣパッケー
ジ本体３０の底面には、面積が例えば３０×３０ｍｍ2
程度のヒートスプレッダー３２がＩＣチップ１１との距
離Ａ2 を有して接合されており、ヒートスプレッダー３
２下面にはヒートシンク１３が接合されている。
内にはＩＣチップ１１が搭載されている。ＩＣパッケー
ジ本体３０の底面には、面積が例えば３０×３０ｍｍ2
程度のヒートスプレッダー３２がＩＣチップ１１との距
離Ａ2 を有して接合されており、ヒートスプレッダー３
２下面にはヒートシンク１３が接合されている。
【０００９】図７に示したように、ＩＣパッケージ本体
３０の底面にヒートスプレッダー３２を介してヒートシ
ンク１３を接合することにより、ＩＣパッケージ本体３
０内における一次元的熱流束はヒートスプレッダー３２
にて水平方向に拡げられた後、ヒートシンク１３へ伝達
される。
３０の底面にヒートスプレッダー３２を介してヒートシ
ンク１３を接合することにより、ＩＣパッケージ本体３
０内における一次元的熱流束はヒートスプレッダー３２
にて水平方向に拡げられた後、ヒートシンク１３へ伝達
される。
【００１０】また、図７に示した方法とは別の方法、す
なわち、ＩＣパッケージの底部を繰り抜き、高熱伝導率
の金属材料として例えば銅製のヒートスラグをＩＣパッ
ケージにロウ付けし、ＩＣチップを前記ヒートスラグに
直接接着することにより放熱性を向上させる方法もとら
れている。
なわち、ＩＣパッケージの底部を繰り抜き、高熱伝導率
の金属材料として例えば銅製のヒートスラグをＩＣパッ
ケージにロウ付けし、ＩＣチップを前記ヒートスラグに
直接接着することにより放熱性を向上させる方法もとら
れている。
【００１１】図８は上記したＩＣパッケージを示す模式
的断面図であり、図中５０はＩＣパッケージ本体を示し
ている。ＩＣパッケージ本体５０の底部は繰り抜かれて
孔５０ａを有しており、孔５０ａには断面凸形状の例え
ば銅製のヒートスラグ４２が嵌込まれている。ヒートス
ラグ４２は孔５０ａと嵌合する上部４２ａと孔５０ａよ
りも大きい体積を有する下部４２ｂとで構成されてお
り、ヒートスラグ４２の下部４２ｂの下面にはヒートシ
ンク１３が接合されている。また、キャビティ２４内で
あってヒートスラグ４２の上部４２ａの上面所定箇所に
はＩＣチップ１１が搭載されている。
的断面図であり、図中５０はＩＣパッケージ本体を示し
ている。ＩＣパッケージ本体５０の底部は繰り抜かれて
孔５０ａを有しており、孔５０ａには断面凸形状の例え
ば銅製のヒートスラグ４２が嵌込まれている。ヒートス
ラグ４２は孔５０ａと嵌合する上部４２ａと孔５０ａよ
りも大きい体積を有する下部４２ｂとで構成されてお
り、ヒートスラグ４２の下部４２ｂの下面にはヒートシ
ンク１３が接合されている。また、キャビティ２４内で
あってヒートスラグ４２の上部４２ａの上面所定箇所に
はＩＣチップ１１が搭載されている。
【００１２】図８に示したように、ＩＣパッケージ本体
５０の底部を繰り抜き、ヒートスラグ４２を介してヒー
トシンク１３を接合することにより、ＩＣパッケージ本
体５０内における一次元的熱流束はヒートスラグ４２の
底部にて水平方向に広げられると共に、直接ヒートシン
ク１３へ伝達される。
５０の底部を繰り抜き、ヒートスラグ４２を介してヒー
トシンク１３を接合することにより、ＩＣパッケージ本
体５０内における一次元的熱流束はヒートスラグ４２の
底部にて水平方向に広げられると共に、直接ヒートシン
ク１３へ伝達される。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図７に
示した従来例に係るＩＣパッケージにおいては、ＩＣチ
ップ１１から発生した熱の熱流束は、熱伝導率の低いＩ
Ｃパッケージ本体３０の底部を伝ってヒートスプレッダ
ー３２に伝達されるため、前記熱流束のヒートスプレッ
ダー３２への熱伝導がスムーズに行われない。また、前
記熱流束に十分な二次元的広がりを持たせるためには、
ヒートスプレッダー３２の面積を、ＩＣチップ１１の面
積よりもかなり広くする必要があり、材料コストが上昇
する。また、ＩＣパッケージへの熱応力は、ヒートスプ
レッダー３２の面積に比例して大きくなるため、ヒート
スプレッダー３２の面積を大きくするとＩＣパッケージ
の疲労破壊の原因となるといった課題があった。さら
に、ヒートスプレッダー３２のロウ付け部分に発生する
気泡は熱抵抗増加の一因となり、ヒートスプレッダー３
２の面積が大きくなるほど前記気泡の残留確率は高くな
るため、これを抑えるためにヒートスプレッダー３２の
平坦性を向上させる必要が生じ、加工コストが上昇する
といった課題があった。
示した従来例に係るＩＣパッケージにおいては、ＩＣチ
ップ１１から発生した熱の熱流束は、熱伝導率の低いＩ
Ｃパッケージ本体３０の底部を伝ってヒートスプレッダ
ー３２に伝達されるため、前記熱流束のヒートスプレッ
ダー３２への熱伝導がスムーズに行われない。また、前
記熱流束に十分な二次元的広がりを持たせるためには、
ヒートスプレッダー３２の面積を、ＩＣチップ１１の面
積よりもかなり広くする必要があり、材料コストが上昇
する。また、ＩＣパッケージへの熱応力は、ヒートスプ
レッダー３２の面積に比例して大きくなるため、ヒート
スプレッダー３２の面積を大きくするとＩＣパッケージ
の疲労破壊の原因となるといった課題があった。さら
に、ヒートスプレッダー３２のロウ付け部分に発生する
気泡は熱抵抗増加の一因となり、ヒートスプレッダー３
２の面積が大きくなるほど前記気泡の残留確率は高くな
るため、これを抑えるためにヒートスプレッダー３２の
平坦性を向上させる必要が生じ、加工コストが上昇する
といった課題があった。
【００１４】また、図８に示した従来例に係るＩＣパッ
ケージにおいては、ＩＣチップ１１から発生した熱の熱
流束がヒートスラグ４２に直接伝達されるものの、ＩＣ
パッケージ本体５０の底部が繰り抜かれているため、Ｉ
Ｃパッケージ本体５０におけるキャビティ部分２４下方
に電気配線及び又は内蔵コンデンサ等を形成することが
困難となる。したがって、本来キャビティ部分２４下方
に存在し得る電気配線及び／又は内蔵コンデンサ等の働
きを補うためには他の部分における電気配線幅及び電気
配線間隔を狭くして電気配線密度を増大させるか、ある
いは前記電気配線密度は変えずに電気配線の層数を増や
すか、あるいは他の部分にコンデンサを形成する等の措
置をとらなければならず、製造コストが増大するといっ
た課題があった。
ケージにおいては、ＩＣチップ１１から発生した熱の熱
流束がヒートスラグ４２に直接伝達されるものの、ＩＣ
パッケージ本体５０の底部が繰り抜かれているため、Ｉ
Ｃパッケージ本体５０におけるキャビティ部分２４下方
に電気配線及び又は内蔵コンデンサ等を形成することが
困難となる。したがって、本来キャビティ部分２４下方
に存在し得る電気配線及び／又は内蔵コンデンサ等の働
きを補うためには他の部分における電気配線幅及び電気
配線間隔を狭くして電気配線密度を増大させるか、ある
いは前記電気配線密度は変えずに電気配線の層数を増や
すか、あるいは他の部分にコンデンサを形成する等の措
置をとらなければならず、製造コストが増大するといっ
た課題があった。
【００１５】本発明は上記した課題に鑑みなされたもの
であり、材料コスト及び加工コストを削減することがで
き、疲労破壊の原因となることなく放熱効率を向上させ
ることができ、しかもキャビティ部分下方に電気配線等
の形成が可能であって製造コストの上昇を抑制すること
ができるＩＣパッケージを提供することを目的としてい
る。
であり、材料コスト及び加工コストを削減することがで
き、疲労破壊の原因となることなく放熱効率を向上させ
ることができ、しかもキャビティ部分下方に電気配線等
の形成が可能であって製造コストの上昇を抑制すること
ができるＩＣパッケージを提供することを目的としてい
る。
【００１６】
【課題を解決するための手段及びその効果】上記目的を
達成するために本発明に係るＩＣパッケージは、内層に
電気配線を有する絶縁性基板により形成されたＩＣパッ
ケージにおいて、ＩＣチップが搭載されるキャビティ部
分に、前記絶縁性基板よりも熱伝導率の高い材料から成
る部材が接合され、該部材上にＩＣチップが搭載される
ように形成されていることを特徴としている（１）。
達成するために本発明に係るＩＣパッケージは、内層に
電気配線を有する絶縁性基板により形成されたＩＣパッ
ケージにおいて、ＩＣチップが搭載されるキャビティ部
分に、前記絶縁性基板よりも熱伝導率の高い材料から成
る部材が接合され、該部材上にＩＣチップが搭載される
ように形成されていることを特徴としている（１）。
【００１７】上記ＩＣパッケージ（１）によれば、ＩＣ
チップから発生した熱の熱流束は、前記絶縁性基板より
も熱伝導率の高い材料から成る部材により二次元方向に
スムーズに拡げられる。さらに、一旦拡げられた熱流束
は、ＩＣパッケージ本体の底面に接合されたヒートシン
クへと大きな面積で流れ、該ヒートシンクより外気へス
ムーズに放熱されることとなる。また、キャビティ部分
下方においても電気配線及び／又は内蔵コンデンサ等を
形成することができる。よって材料コスト及び加工コス
トを削減することができ、疲労破壊の原因となることな
く放熱効率を向上させることができる。
チップから発生した熱の熱流束は、前記絶縁性基板より
も熱伝導率の高い材料から成る部材により二次元方向に
スムーズに拡げられる。さらに、一旦拡げられた熱流束
は、ＩＣパッケージ本体の底面に接合されたヒートシン
クへと大きな面積で流れ、該ヒートシンクより外気へス
ムーズに放熱されることとなる。また、キャビティ部分
下方においても電気配線及び／又は内蔵コンデンサ等を
形成することができる。よって材料コスト及び加工コス
トを削減することができ、疲労破壊の原因となることな
く放熱効率を向上させることができる。
【００１８】また、本発明に係るＩＣパッケージは、上
記のＩＣパッケージ（１）において、絶縁性基板よりも
熱伝導率の高い材料から成る前記部材が、板状の本体と
熱伝導手段とで構成されていることを特徴としている
（２）。
記のＩＣパッケージ（１）において、絶縁性基板よりも
熱伝導率の高い材料から成る前記部材が、板状の本体と
熱伝導手段とで構成されていることを特徴としている
（２）。
【００１９】上記ＩＣパッケージ（２）によれば、ＩＣ
チップから発生した熱の熱流束は、前記板状の本体によ
り二次元方向にスムーズに拡げられ、前記部材の熱伝導
手段を介してＩＣパッケージ本体の底面に接合されたヒ
ートシンクへと直接流れる。これにより、熱流束はより
スムーズに外気へと導かれることとなり、放熱効率をよ
り向上させることができる。また、キャビティ部分下方
においても前記熱伝導手段間に電気配線及び／又は内蔵
コンデンサ等を配置することが可能であり、電気配線の
高密度化に起因した製造コストの上昇を抑制することが
できる。
チップから発生した熱の熱流束は、前記板状の本体によ
り二次元方向にスムーズに拡げられ、前記部材の熱伝導
手段を介してＩＣパッケージ本体の底面に接合されたヒ
ートシンクへと直接流れる。これにより、熱流束はより
スムーズに外気へと導かれることとなり、放熱効率をよ
り向上させることができる。また、キャビティ部分下方
においても前記熱伝導手段間に電気配線及び／又は内蔵
コンデンサ等を配置することが可能であり、電気配線の
高密度化に起因した製造コストの上昇を抑制することが
できる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るＩＣパッケー
ジの実施の形態を図面に基づいて説明する。
ジの実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００２１】＜実施の形態１＞図１（ａ）は、実施の形
態１に係るＩＣパッケージを示した模式的断面図であ
り、（ｂ）は（ａ）に示したＩＣパッケージにおいて、
ＩＣチップ１１で発生した熱が放熱される様子を説明す
るために示したＩＣパッケージの模式的部分拡大断面図
である。図１（ｂ）中の矢印は熱流束を示している。
態１に係るＩＣパッケージを示した模式的断面図であ
り、（ｂ）は（ａ）に示したＩＣパッケージにおいて、
ＩＣチップ１１で発生した熱が放熱される様子を説明す
るために示したＩＣパッケージの模式的部分拡大断面図
である。図１（ｂ）中の矢印は熱流束を示している。
【００２２】図中１０はＩＣパッケージ本体を示してお
り、ＩＣパッケージ本体１０のキャビティ部分１４下部
には高熱伝導率材料からなり、所定の面積を有する部材
（以下、ヒートスプレッダーと記す）１２がロウ付けさ
れ、嵌め込まれており、ヒートスプレッダー１２上面に
は所定の大きさのＩＣチップ１１が搭載されている。こ
のように構成されたＩＣパッケージ本体１０の底面に
は、ヒートスプレッダー１２と所定間隔Ａ3 を隔てて、
高熱伝導率材料からなり、所定の接合面積を有するヒー
トシンク１３が接合されている。ここで、前記所定間隔
Ａ3 はＩＣパッケージ本体１０底部の厚さを表わしてい
る。
り、ＩＣパッケージ本体１０のキャビティ部分１４下部
には高熱伝導率材料からなり、所定の面積を有する部材
（以下、ヒートスプレッダーと記す）１２がロウ付けさ
れ、嵌め込まれており、ヒートスプレッダー１２上面に
は所定の大きさのＩＣチップ１１が搭載されている。こ
のように構成されたＩＣパッケージ本体１０の底面に
は、ヒートスプレッダー１２と所定間隔Ａ3 を隔てて、
高熱伝導率材料からなり、所定の接合面積を有するヒー
トシンク１３が接合されている。ここで、前記所定間隔
Ａ3 はＩＣパッケージ本体１０底部の厚さを表わしてい
る。
【００２３】このように構成されたＩＣパッケージによ
れば、ＩＣチップ１１から発生した熱の熱流束は、ヒー
トスプレッダー１２により二次元方向にスムーズに拡げ
られる。さらに、一旦拡げられた熱流束は、ＩＣパッケ
ージ本体１０の底面に接合されたヒートシンク１３へと
大きな面積で流れ、ヒートシンク１３より外気へスムー
ズに放熱されることとなる。また、キャビティ部分１４
下方においても電気配線及び／又は内蔵コンデンサ等を
形成することができる。よって材料コスト及び加工コス
トを削減することができ、疲労破壊の原因となることな
く放熱効率を向上させることができる。
れば、ＩＣチップ１１から発生した熱の熱流束は、ヒー
トスプレッダー１２により二次元方向にスムーズに拡げ
られる。さらに、一旦拡げられた熱流束は、ＩＣパッケ
ージ本体１０の底面に接合されたヒートシンク１３へと
大きな面積で流れ、ヒートシンク１３より外気へスムー
ズに放熱されることとなる。また、キャビティ部分１４
下方においても電気配線及び／又は内蔵コンデンサ等を
形成することができる。よって材料コスト及び加工コス
トを削減することができ、疲労破壊の原因となることな
く放熱効率を向上させることができる。
【００２４】ヒートスプレッダー１２の形成材料として
は熱伝導率の高い材料であればよく、例えば、銅、銅−
タングステン合金（銅比率５〜２０ｗｔ％が望ましい）
等が挙げられる。また、ヒートスプレッダー１２の厚さ
はＩＣパッケージ本体１０に与える熱応力の関係から、
面積が小さいものほどその厚さを厚くすることができ、
厚さの最適値はヒートスプレッダー１２の形成材料、面
積及びパッケージサイズ等によって決定される。
は熱伝導率の高い材料であればよく、例えば、銅、銅−
タングステン合金（銅比率５〜２０ｗｔ％が望ましい）
等が挙げられる。また、ヒートスプレッダー１２の厚さ
はＩＣパッケージ本体１０に与える熱応力の関係から、
面積が小さいものほどその厚さを厚くすることができ、
厚さの最適値はヒートスプレッダー１２の形成材料、面
積及びパッケージサイズ等によって決定される。
【００２５】ヒートシンク１３の形成材料も熱伝導率の
高い材料であればよく、例えば、アルミニウム、銅、窒
化アルミニウム等が挙げられる。
高い材料であればよく、例えば、アルミニウム、銅、窒
化アルミニウム等が挙げられる。
【００２６】＜実施の形態２＞図２（ａ）は実施の形態
２に係るＩＣパッケージを示した模式的断面図であり、
（ｂ）は該ＩＣパッケージに用いられるヒートスプレッ
ダーを拡大して示した側面図及び底面図である。
２に係るＩＣパッケージを示した模式的断面図であり、
（ｂ）は該ＩＣパッケージに用いられるヒートスプレッ
ダーを拡大して示した側面図及び底面図である。
【００２７】図中２０はＩＣパッケージ本体を示してお
り、ＩＣパッケージ本体２０の底部であるキャビティ部
分１４下方にはキャビティ部分１４からＩＣパッケージ
本体２０底面に向かって複数個の孔２０ａが形成されて
いる。またキャビティ部分１４には、高熱伝導率材料か
らなり、板状の本体２２ａと多数の例えば円柱形状部分
からなる熱伝導手段２２ｂとで構成されたヒートスプレ
ッダー２２が、ＩＣパッケージ本体２０の孔２０ａに熱
伝導手段２２ｂが嵌合された状態でロウ付けされてい
る。ヒートスプレッダー２２の本体２２ａ上面には所定
の大きさのＩＣチップ１１が搭載されている。このよう
に構成されたＩＣパッケージ本体２０の底面には、ヒー
トスプレッダー２２の本体２２ａと所定間隔Ａ3 を隔て
て、高熱伝導率材料からなり、所定の接合面積を有する
ヒートシンク１３が接合されており、ヒートスプレッダ
ー２２の熱伝導手段２２ｂの先端部はこのヒートシンク
１３と接合した状態となっている。ここで、前記所定間
隔Ａ3 はＩＣパッケージ本体２０底部の厚さ及び熱伝導
手段２２ｂの縦方向長さを表わしている。
り、ＩＣパッケージ本体２０の底部であるキャビティ部
分１４下方にはキャビティ部分１４からＩＣパッケージ
本体２０底面に向かって複数個の孔２０ａが形成されて
いる。またキャビティ部分１４には、高熱伝導率材料か
らなり、板状の本体２２ａと多数の例えば円柱形状部分
からなる熱伝導手段２２ｂとで構成されたヒートスプレ
ッダー２２が、ＩＣパッケージ本体２０の孔２０ａに熱
伝導手段２２ｂが嵌合された状態でロウ付けされてい
る。ヒートスプレッダー２２の本体２２ａ上面には所定
の大きさのＩＣチップ１１が搭載されている。このよう
に構成されたＩＣパッケージ本体２０の底面には、ヒー
トスプレッダー２２の本体２２ａと所定間隔Ａ3 を隔て
て、高熱伝導率材料からなり、所定の接合面積を有する
ヒートシンク１３が接合されており、ヒートスプレッダ
ー２２の熱伝導手段２２ｂの先端部はこのヒートシンク
１３と接合した状態となっている。ここで、前記所定間
隔Ａ3 はＩＣパッケージ本体２０底部の厚さ及び熱伝導
手段２２ｂの縦方向長さを表わしている。
【００２８】このように構成されたＩＣパッケージによ
れば、ＩＣチップ１１から発生した熱の熱流束は、ヒー
トスプレッダー２２の本体２２ａにより二次元方向にス
ムーズに拡げられ、ヒートスプレッダー２２の熱伝導手
段２２ｂを介してＩＣパッケージ本体２０の底面に接合
されたヒートシンク１３へと直接流れる。これにより、
熱流束はよりスムーズに外気へと導かれることとなり、
放熱効率をより向上させることができる。また、キャビ
ティ部分１４下方においても熱伝導手段２２ｂ間に電気
配線及び／又は内蔵コンデンサ等を形成することが可能
であり、電気配線の高密度化に起因した製造コストの上
昇を抑制することができる。
れば、ＩＣチップ１１から発生した熱の熱流束は、ヒー
トスプレッダー２２の本体２２ａにより二次元方向にス
ムーズに拡げられ、ヒートスプレッダー２２の熱伝導手
段２２ｂを介してＩＣパッケージ本体２０の底面に接合
されたヒートシンク１３へと直接流れる。これにより、
熱流束はよりスムーズに外気へと導かれることとなり、
放熱効率をより向上させることができる。また、キャビ
ティ部分１４下方においても熱伝導手段２２ｂ間に電気
配線及び／又は内蔵コンデンサ等を形成することが可能
であり、電気配線の高密度化に起因した製造コストの上
昇を抑制することができる。
【００２９】ヒートスプレッダー２２、ヒートシンク１
３の形成材料に関しては実施の形態１の場合と同様で良
い。また、ヒートスプレッダー２２の熱伝導手段２２ｂ
が例えば円柱形状である場合、その直径は１〜３ｍｍの
範囲であるのが望ましい。前記直径が１ｍｍ未満である
場合は加工コストが増大し、３ｍｍを超えると熱伝導手
段２２ｂ間すなわちキャビティ部分１４下方の電気配線
形成可能領域が狭くなる。また熱伝導手段２２ｂを構成
する柱状部分の数はキャビティ部分１４下方の電気配線
密度を考慮して決定する。
３の形成材料に関しては実施の形態１の場合と同様で良
い。また、ヒートスプレッダー２２の熱伝導手段２２ｂ
が例えば円柱形状である場合、その直径は１〜３ｍｍの
範囲であるのが望ましい。前記直径が１ｍｍ未満である
場合は加工コストが増大し、３ｍｍを超えると熱伝導手
段２２ｂ間すなわちキャビティ部分１４下方の電気配線
形成可能領域が狭くなる。また熱伝導手段２２ｂを構成
する柱状部分の数はキャビティ部分１４下方の電気配線
密度を考慮して決定する。
【００３０】また柱状部分の形状は円柱形状に限定され
るものではなく、四角柱や八角柱等の多角柱形状であっ
てもよく、また楕円柱形状であってもよい。
るものではなく、四角柱や八角柱等の多角柱形状であっ
てもよく、また楕円柱形状であってもよい。
【００３１】
＜実施例１＞実施例１では、図１に示したＩＣパッケー
ジを以下に示す条件により製造した。 ＩＣパッケージ本体１０の形成材料：アルミナ ＩＣパッケージ本体１０の平面視サイズ：５０ｍｍ×５
０ｍｍ ＩＣパッケージ蓋部の厚さＢ：０．６ｍｍ キャビティ部分１４内面の配線パッド１６の高さ間隔
Ｃ、Ｄ、Ｅ：それぞれ略０．６ｍｍ、略０．４ｍｍ、略
０．６ｍｍ キャビティ部分１４底部のサイズ：１８ｍｍ×１８ｍｍ
×１．６ｍｍ ＩＣチップ１１のサイズ：１６ｍｍ×１６ｍｍ×０．４
ｍｍ ヒートスプレッダー１２の形成材料：銅−タングステン
合金（銅比率１０ｗｔ％） ヒートスプレッダー１２のサイズ：１８ｍｍ×１８ｍｍ
×１．０ｍｍ ヒートシンク１３の形成材料：アルミニウム ヒートシンク１３の接合面積：（５０×５０）ｍｍ2 ヒートスプレッダー１２とヒートシンク１３との間隔Ａ
3 ：略１．０ｍｍ パッケージ本体１０とヒートスプレッダー１２との接合
方法：銀−銅合金によるロウ付け ＜実施例２＞実施例２では、図２に示したＩＣパッケー
ジを、以下に示す条件により製造した。 ＩＣパッケージ本体２０の孔２０ａのサイズ：直径２．
０ｍｍ、高さ１．０ｍｍの円柱形状 ヒートスプレッダー２２の本体２２ａのサイズ：１８ｍ
ｍ×１８ｍｍ×（厚さ）１．０ｍｍ ヒートスプレッダー２２の熱伝導手段２２ｂを構成する
部分の形状とサイズ：直径２ｍｍ、高さ１ｍｍの円柱形
状 その他の条件に関しては実施例１の場合と同様である。
ジを以下に示す条件により製造した。 ＩＣパッケージ本体１０の形成材料：アルミナ ＩＣパッケージ本体１０の平面視サイズ：５０ｍｍ×５
０ｍｍ ＩＣパッケージ蓋部の厚さＢ：０．６ｍｍ キャビティ部分１４内面の配線パッド１６の高さ間隔
Ｃ、Ｄ、Ｅ：それぞれ略０．６ｍｍ、略０．４ｍｍ、略
０．６ｍｍ キャビティ部分１４底部のサイズ：１８ｍｍ×１８ｍｍ
×１．６ｍｍ ＩＣチップ１１のサイズ：１６ｍｍ×１６ｍｍ×０．４
ｍｍ ヒートスプレッダー１２の形成材料：銅−タングステン
合金（銅比率１０ｗｔ％） ヒートスプレッダー１２のサイズ：１８ｍｍ×１８ｍｍ
×１．０ｍｍ ヒートシンク１３の形成材料：アルミニウム ヒートシンク１３の接合面積：（５０×５０）ｍｍ2 ヒートスプレッダー１２とヒートシンク１３との間隔Ａ
3 ：略１．０ｍｍ パッケージ本体１０とヒートスプレッダー１２との接合
方法：銀−銅合金によるロウ付け ＜実施例２＞実施例２では、図２に示したＩＣパッケー
ジを、以下に示す条件により製造した。 ＩＣパッケージ本体２０の孔２０ａのサイズ：直径２．
０ｍｍ、高さ１．０ｍｍの円柱形状 ヒートスプレッダー２２の本体２２ａのサイズ：１８ｍ
ｍ×１８ｍｍ×（厚さ）１．０ｍｍ ヒートスプレッダー２２の熱伝導手段２２ｂを構成する
部分の形状とサイズ：直径２ｍｍ、高さ１ｍｍの円柱形
状 その他の条件に関しては実施例１の場合と同様である。
【００３２】＜比較例１＞比較例１では、図６に示した
ＩＣパッケージを、ヒートスプレッダー１２（図１）を
除いて実施例１の場合と同様の条件により製造した。す
なわち、ヒートスプレッダー１２を省略し、ＩＣチップ
１１とヒートシンク１３との間隔Ａ1 を略１．０ｍｍに
設定した。
ＩＣパッケージを、ヒートスプレッダー１２（図１）を
除いて実施例１の場合と同様の条件により製造した。す
なわち、ヒートスプレッダー１２を省略し、ＩＣチップ
１１とヒートシンク１３との間隔Ａ1 を略１．０ｍｍに
設定した。
【００３３】＜比較例２＞比較例２では、以下に説明す
る図３に示すＩＣパッケージを製造した。図３において
４０はＩＣパッケージ本体を示しており、ＩＣパッケー
ジのキャビティ部分２４にはＩＣチップ１１が搭載され
ている。また、ＩＣパッケージ本体４０の底部には、所
定の体積を有する凹部２５が形成されており、凹部２５
には、凹部２５と同じ面積を有するヒートスプレッダー
１２（１８ｍｍ×１８ｍｍ×１．０ｍｍ）がロウ付けさ
れ、嵌め込まれている。ヒートスプレッダー１２の底面
とＩＣパッケージ本体４０の底面とは同一平面状となっ
ており、ヒートスプレッダー１２の底面（ＩＣパッケー
ジ本体４０の底面）には例えばアルミニウム等の高熱伝
導率材料からなる、５０×５０ｍｍ2 の接合面積を有す
るヒートシンク１３が接合されている。
る図３に示すＩＣパッケージを製造した。図３において
４０はＩＣパッケージ本体を示しており、ＩＣパッケー
ジのキャビティ部分２４にはＩＣチップ１１が搭載され
ている。また、ＩＣパッケージ本体４０の底部には、所
定の体積を有する凹部２５が形成されており、凹部２５
には、凹部２５と同じ面積を有するヒートスプレッダー
１２（１８ｍｍ×１８ｍｍ×１．０ｍｍ）がロウ付けさ
れ、嵌め込まれている。ヒートスプレッダー１２の底面
とＩＣパッケージ本体４０の底面とは同一平面状となっ
ており、ヒートスプレッダー１２の底面（ＩＣパッケー
ジ本体４０の底面）には例えばアルミニウム等の高熱伝
導率材料からなる、５０×５０ｍｍ2 の接合面積を有す
るヒートシンク１３が接合されている。
【００３４】各種条件に関しては実施例１の場合と同様
であり、ＩＣチップ１１とヒートスプレッダー１２との
間隔Ａ2 は略１．０ｍｍに設定した。
であり、ＩＣチップ１１とヒートスプレッダー１２との
間隔Ａ2 は略１．０ｍｍに設定した。
【００３５】＜比較例３＞比較例３では、図７に示した
ＩＣパッケージを、下記の条件により製造した。 ヒートスプレッダー３２のサイズ：３０ｍｍ×３０ｍｍ
×１．０ｍｍ ＩＣチップ１１とヒートスプレッダー１２との間隔Ａ
2 ：略１．０ｍｍ その他の条件に関しては実施例１の場合と同様である。
ＩＣパッケージを、下記の条件により製造した。 ヒートスプレッダー３２のサイズ：３０ｍｍ×３０ｍｍ
×１．０ｍｍ ＩＣチップ１１とヒートスプレッダー１２との間隔Ａ
2 ：略１．０ｍｍ その他の条件に関しては実施例１の場合と同様である。
【００３６】上記各実施例及び比較例においてＩＣチッ
プ１１表面のジャンクション温度と外気温との許容温度
差は５０℃一定とした。
プ１１表面のジャンクション温度と外気温との許容温度
差は５０℃一定とした。
【００３７】また、キャビティ部分１４に接合するヒー
トスプレッダー１２（図１）は、ヒートスプレッダー３
２（図７）と略同等の放熱性を持つよう、ヒートスプレ
ッダー１２の厚みを０．３〜２．０ｍｍの範囲で決定
し、キャビティ１４の深さは、ＩＣチップ１１上面がパ
ッケージ内の配線パッド１６よりも低い位置となるよう
に、ヒートスプレッダー１２の厚さに応じて１．２〜
２．２ｍｍの範囲で決定した。
トスプレッダー１２（図１）は、ヒートスプレッダー３
２（図７）と略同等の放熱性を持つよう、ヒートスプレ
ッダー１２の厚みを０．３〜２．０ｍｍの範囲で決定
し、キャビティ１４の深さは、ＩＣチップ１１上面がパ
ッケージ内の配線パッド１６よりも低い位置となるよう
に、ヒートスプレッダー１２の厚さに応じて１．２〜
２．２ｍｍの範囲で決定した。
【００３８】その他、使用したそれぞれの部材の物性値
を表１に示す。
を表１に示す。
【００３９】
【表１】
【００４０】以下、これら実施例１、２及び比較例１〜
３に係るＩＣパッケージの放熱性を調査した結果につい
て説明する。
３に係るＩＣパッケージの放熱性を調査した結果につい
て説明する。
【００４１】図４は、実施例１及び比較例２、３に係る
ＩＣパッケージにおいて、ヒートスプレッダーの厚さと
許容発熱量との関係を示したグラフである。
ＩＣパッケージにおいて、ヒートスプレッダーの厚さと
許容発熱量との関係を示したグラフである。
【００４２】許容発熱量の評価は有限要素法による熱解
析シミュレーションにて行った。
析シミュレーションにて行った。
【００４３】図４から明らかなように、実施例１に係る
ＩＣパッケージ（図１）においては、ヒートスプレッダ
ー１２の面積が比較例２に係るＩＣパッケージ（図３）
のヒートスプレッダー１２の面積と同じ大きさであるに
もかかわらず、比較例２に係るＩＣパッケージよりも高
い許容発熱量を有している。また、実施例１に係るＩＣ
パッケージにおいては、ヒートスプレッダー１２の面積
が比較例３に係るＩＣパッケージ（図７）のヒートスプ
レッダー３２の面積よりもかなり小さいにもかかわら
ず、比較例３に係るＩＣパッケージと同等の許容発熱量
を有している。
ＩＣパッケージ（図１）においては、ヒートスプレッダ
ー１２の面積が比較例２に係るＩＣパッケージ（図３）
のヒートスプレッダー１２の面積と同じ大きさであるに
もかかわらず、比較例２に係るＩＣパッケージよりも高
い許容発熱量を有している。また、実施例１に係るＩＣ
パッケージにおいては、ヒートスプレッダー１２の面積
が比較例３に係るＩＣパッケージ（図７）のヒートスプ
レッダー３２の面積よりもかなり小さいにもかかわら
ず、比較例３に係るＩＣパッケージと同等の許容発熱量
を有している。
【００４４】以上説明したように、実施例１に係るＩＣ
パッケージにおいては、ヒートスプレッダー１２の大き
さが小さくても、よりスムーズにＩＣチップ１１からの
熱を放熱することができる。
パッケージにおいては、ヒートスプレッダー１２の大き
さが小さくても、よりスムーズにＩＣチップ１１からの
熱を放熱することができる。
【００４５】また、一般に許容発熱量はヒートスプレッ
ダーの厚さに依存し、該厚さが厚くなるほど熱の放出が
スムーズになる。
ダーの厚さに依存し、該厚さが厚くなるほど熱の放出が
スムーズになる。
【００４６】図５は実施例１、２及び比較例１〜３に係
るＩＣパッケージにおけるそれぞれの許容発熱量を示し
たグラフである。ただし、実施例１及び比較例２、３に
係るＩＣパッケージのヒートスプレッダー１２、３２の
厚さ、及び実施例２に係るＩＣパッケージのヒートスプ
レッダー２２の本体２２ａの厚さをそれぞれ１ｍｍに設
定した。
るＩＣパッケージにおけるそれぞれの許容発熱量を示し
たグラフである。ただし、実施例１及び比較例２、３に
係るＩＣパッケージのヒートスプレッダー１２、３２の
厚さ、及び実施例２に係るＩＣパッケージのヒートスプ
レッダー２２の本体２２ａの厚さをそれぞれ１ｍｍに設
定した。
【００４７】図５から明らかなように、実施例２に係る
ＩＣパッケージにおいては、比較例１〜３に係るＩＣパ
ッケージを上回る許容発熱量を有することができた。ま
た、実施例１に係るＩＣパッケージにおいては、比較例
１、２に係るＩＣパッケージを上回る許容発熱量を有す
ることができ、比較例３に係るＩＣパッケージに較べヒ
ートスプレッダーの面積が６０％程度とかなり小さいに
もかかわらず略同等の許容発熱量を有することができ
た。しかも実施例１、２に係るＩＣパッケージは、その
構造から、キャビティ部分１４下方においても電気配線
及び／又は内蔵コンデンサ等を形成することができる。
ＩＣパッケージにおいては、比較例１〜３に係るＩＣパ
ッケージを上回る許容発熱量を有することができた。ま
た、実施例１に係るＩＣパッケージにおいては、比較例
１、２に係るＩＣパッケージを上回る許容発熱量を有す
ることができ、比較例３に係るＩＣパッケージに較べヒ
ートスプレッダーの面積が６０％程度とかなり小さいに
もかかわらず略同等の許容発熱量を有することができ
た。しかも実施例１、２に係るＩＣパッケージは、その
構造から、キャビティ部分１４下方においても電気配線
及び／又は内蔵コンデンサ等を形成することができる。
【図１】（ａ）は本発明の実施の形態に係るＩＣパッケ
ージを示した模式的断面図であり、（ｂ）はＩＣチップ
からの熱の流れを示すための模式的部分拡大断面図であ
る。
ージを示した模式的断面図であり、（ｂ）はＩＣチップ
からの熱の流れを示すための模式的部分拡大断面図であ
る。
【図２】（ａ）は別の実施の形態に係るＩＣパッケージ
を示した模式的断面図であり、（ｂ）は（ａ）の模式的
部分拡大側面図及び平面図である。
を示した模式的断面図であり、（ｂ）は（ａ）の模式的
部分拡大側面図及び平面図である。
【図３】比較例２に係るＩＣパッケージを示した模式的
断面図である。
断面図である。
【図４】実施例１及び比較例２、３に係るＩＣパッケー
ジにおいて、ヒートスプレッダーの厚さと許容発熱量と
の関係を示したグラフである。
ジにおいて、ヒートスプレッダーの厚さと許容発熱量と
の関係を示したグラフである。
【図５】実施例１、２及び比較例１〜３に係るＩＣパッ
ケージにおいて、それぞれの許容発熱量を示したグラフ
である。
ケージにおいて、それぞれの許容発熱量を示したグラフ
である。
【図６】従来例に係るＩＣパッケージを示した模式的断
面図である。
面図である。
【図７】（ａ）は別の従来例に係るＩＣパッケージを示
した模式的断面図であり、（ｂ）はＩＣチップからの熱
の流れを示すための模式的部分拡大断面図である。
した模式的断面図であり、（ｂ）はＩＣチップからの熱
の流れを示すための模式的部分拡大断面図である。
【図８】さらに別の従来例に係るＩＣパッケージを示し
た模式的断面図である。
た模式的断面図である。
１１ ＩＣチップ １４、２４ キャビティ部分 １２、２２、３２ ヒートスプレッダー（部材）
Claims (2)
- 【請求項１】 内層に電気配線を有する絶縁性基板によ
り形成されたＩＣパッケージにおいて、ＩＣチップが搭
載されるキャビティ部分に、前記絶縁性基板よりも熱伝
導率の高い材料から成る部材が接合され、該部材上にＩ
Ｃチップが搭載されるように形成されていることを特徴
とするＩＣパッケージ。 - 【請求項２】 絶縁性基板よりも熱伝導率の高い材料か
ら成る前記部材が、板状の本体と熱伝導手段とで構成さ
れていることを特徴とする請求項１記載のＩＣパッケー
ジ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7317691A JPH08222668A (ja) | 1994-12-13 | 1995-12-06 | Ｉｃパッケージ |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-308575 | 1994-12-13 | ||
| JP30857594 | 1994-12-13 | ||
| JP7317691A JPH08222668A (ja) | 1994-12-13 | 1995-12-06 | Ｉｃパッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08222668A true JPH08222668A (ja) | 1996-08-30 |
Family
ID=26565593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7317691A Pending JPH08222668A (ja) | 1994-12-13 | 1995-12-06 | Ｉｃパッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08222668A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005109526A (ja) * | 2001-07-26 | 2005-04-21 | Denso Corp | 半導体装置 |
| KR100481926B1 (ko) * | 1997-10-31 | 2005-08-29 | 삼성전자주식회사 | 일반칩형반도체패키지및플립칩형반도체패키지와그제조방법 |
| WO2005109981A1 (en) * | 2004-04-30 | 2005-11-17 | Hewlett-Packard Development Company L.P. | Heat spreader with controlled z-axis conductivity |
| US7723842B2 (en) | 2005-09-02 | 2010-05-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Integrated circuit device |
| JP2011220577A (ja) * | 2010-04-07 | 2011-11-04 | Daikin Industries Ltd | 冷凍装置 |
-
1995
- 1995-12-06 JP JP7317691A patent/JPH08222668A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100481926B1 (ko) * | 1997-10-31 | 2005-08-29 | 삼성전자주식회사 | 일반칩형반도체패키지및플립칩형반도체패키지와그제조방법 |
| JP2005109526A (ja) * | 2001-07-26 | 2005-04-21 | Denso Corp | 半導体装置 |
| WO2005109981A1 (en) * | 2004-04-30 | 2005-11-17 | Hewlett-Packard Development Company L.P. | Heat spreader with controlled z-axis conductivity |
| US7228894B2 (en) | 2004-04-30 | 2007-06-12 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Heat spreader with controlled Z-axis conductivity |
| US7723842B2 (en) | 2005-09-02 | 2010-05-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Integrated circuit device |
| JP2011220577A (ja) * | 2010-04-07 | 2011-11-04 | Daikin Industries Ltd | 冷凍装置 |
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