JPH08181109A - アッシング装置及びレジストのアッシング除去方法 - Google Patents
アッシング装置及びレジストのアッシング除去方法Info
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- JPH08181109A JPH08181109A JP31963894A JP31963894A JPH08181109A JP H08181109 A JPH08181109 A JP H08181109A JP 31963894 A JP31963894 A JP 31963894A JP 31963894 A JP31963894 A JP 31963894A JP H08181109 A JPH08181109 A JP H08181109A
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- gas
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 プロセスステップ数を増やすことなく、レジ
ストや、更にクラウンと称される側壁膜等の不要物をき
れいに除去でき、これをコストが安く、歩留りの高いプ
ロセスで達成できるアッシング装置及びレジストのアッ
シング除去方法を提供する。 【構成】 アッシングチャンバー１１内に配置された被
アッシング材の被アッシング部を、アッシングガスを用
いて灰化除去するアッシング装置において、アッシング
ガスをアッシングチャンバーに導入する導入系（酸化性
ガス導入系１２であるＯ2 導入系等と、パージガス導入
系１３であるＮ2 導入系等）と、少なくともフッ素系ガ
スをアッシングチャンバーに導入する導入系（１４で示
すＨＦ導入系１４、水蒸気導入系１４等）とを設けてア
ッシングする。
ストや、更にクラウンと称される側壁膜等の不要物をき
れいに除去でき、これをコストが安く、歩留りの高いプ
ロセスで達成できるアッシング装置及びレジストのアッ
シング除去方法を提供する。 【構成】 アッシングチャンバー１１内に配置された被
アッシング材の被アッシング部を、アッシングガスを用
いて灰化除去するアッシング装置において、アッシング
ガスをアッシングチャンバーに導入する導入系（酸化性
ガス導入系１２であるＯ2 導入系等と、パージガス導入
系１３であるＮ2 導入系等）と、少なくともフッ素系ガ
スをアッシングチャンバーに導入する導入系（１４で示
すＨＦ導入系１４、水蒸気導入系１４等）とを設けてア
ッシングする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、アッシング装置及びレ
ジストのアッシング除去方法に関する。本発明は、例え
ば電子材料（半導体装置等）の製造プロセスにおいて、
アッシングを用いる場合に利用することができる。
ジストのアッシング除去方法に関する。本発明は、例え
ば電子材料（半導体装置等）の製造プロセスにおいて、
アッシングを用いる場合に利用することができる。
【０００２】
【従来技術及びその問題点】従来より、アッシング技術
は、例えば半導体装置の製造プロセスにおいて、フォト
リソグラフィー工程に用いたフォトレジストを灰化除去
する場合や、その他不都合な残存物質を除去するために
用いられている。
は、例えば半導体装置の製造プロセスにおいて、フォト
リソグラフィー工程に用いたフォトレジストを灰化除去
する場合や、その他不都合な残存物質を除去するために
用いられている。
【０００３】従来のこの種の技術、及びその問題点につ
いて、半導体装置の製造プロセスにおいてフォトリソグ
ラフィー工程により開孔を形成する場合を例にとって説
明すると、次のとおりである。
いて、半導体装置の製造プロセスにおいてフォトリソグ
ラフィー工程により開孔を形成する場合を例にとって説
明すると、次のとおりである。
【０００４】フォトレジストをフォトリソグラフィー技
術によりパターニングして、これをマスクとしてエッチ
ングを行って開孔例えば微細コンタクトホールを形成す
ると、下地例えばエッチングストッパ層として用いた層
（例えばＴｉＮ）のスパッタ物や、レジストに由来する
堆積物、エッチングガスに由来する堆積物などが複雑に
反応し、これが形成されたコンタクトホールの側壁にほ
とんど不可避的に付着して成膜する。
術によりパターニングして、これをマスクとしてエッチ
ングを行って開孔例えば微細コンタクトホールを形成す
ると、下地例えばエッチングストッパ層として用いた層
（例えばＴｉＮ）のスパッタ物や、レジストに由来する
堆積物、エッチングガスに由来する堆積物などが複雑に
反応し、これが形成されたコンタクトホールの側壁にほ
とんど不可避的に付着して成膜する。
【０００５】これについて図３ないし図５を用いて説明
すると次のとおりである。例えば図３に示すように、下
地基板１上の配線２上に絶縁膜３（例えばＳｉＯ2 等の
酸化膜）をレジスト４をマスクとしてエッチングにより
開孔してコンタクトホール（ないしヴィアホール）を形
成する場合、一般に絶縁膜３とエッチング比のとれるＴ
ｉＮなどの材料によりエッチングストッパ層５を形成す
る。これを図４のようにエッチングすると、絶縁膜３に
コンタクトホール６が形成されるが、このとき、エッチ
ングストッパ層５がスパッタされ、またレジストやエッ
チングガスからはデポ物（堆積物）が生じて、図６のよ
うにクラウンと称される環状の側壁膜７が形成される。
この側壁膜７は、エッチングの保護膜として機能する場
合もあるが、いずれにしても最終的には除去するもので
ある。
すると次のとおりである。例えば図３に示すように、下
地基板１上の配線２上に絶縁膜３（例えばＳｉＯ2 等の
酸化膜）をレジスト４をマスクとしてエッチングにより
開孔してコンタクトホール（ないしヴィアホール）を形
成する場合、一般に絶縁膜３とエッチング比のとれるＴ
ｉＮなどの材料によりエッチングストッパ層５を形成す
る。これを図４のようにエッチングすると、絶縁膜３に
コンタクトホール６が形成されるが、このとき、エッチ
ングストッパ層５がスパッタされ、またレジストやエッ
チングガスからはデポ物（堆積物）が生じて、図６のよ
うにクラウンと称される環状の側壁膜７が形成される。
この側壁膜７は、エッチングの保護膜として機能する場
合もあるが、いずれにしても最終的には除去するもので
ある。
【０００６】即ち、かかる側壁膜７（クラウン）は、デ
バイス作製工問題であるため、除去する必要があるが、
通常のアッシングではきれいに除去できない。このた
め、通常は、薬液処理や後工程でフッ酸及び水蒸気によ
るフッ酸気相処理（例えばエクスカリバー（装置名）を
使用）を用いる手段などをとる）などによって除去して
いるのが現状である。
バイス作製工問題であるため、除去する必要があるが、
通常のアッシングではきれいに除去できない。このた
め、通常は、薬液処理や後工程でフッ酸及び水蒸気によ
るフッ酸気相処理（例えばエクスカリバー（装置名）を
使用）を用いる手段などをとる）などによって除去して
いるのが現状である。
【０００７】しかしこのような手法は、アッシング後に
さらに何ステップかの処理が必要となるわけで、そのプ
ロセス増によるコスト増、歩留り低下などが問題とな
る。
さらに何ステップかの処理が必要となるわけで、そのプ
ロセス増によるコスト増、歩留り低下などが問題とな
る。
【０００８】
【発明の目的】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、プロセスステップ数を増やすことなく、レジスト
や、更に側壁膜等の不要物をきれいに除去でき、これを
コストが安く、歩留りの高いプロセスで達成できるアッ
シング装置及びレジストのアッシング除去方法を提供す
ることを目的としている。
で、プロセスステップ数を増やすことなく、レジスト
や、更に側壁膜等の不要物をきれいに除去でき、これを
コストが安く、歩留りの高いプロセスで達成できるアッ
シング装置及びレジストのアッシング除去方法を提供す
ることを目的としている。
【０００９】
【目的を達成するための手段及びその作用】本出願の請
求項１の発明は、アッシングチャンバー内に配置された
被アッシング材の被アッシング部を、アッシングガスを
用いて灰化除去するアッシング装置において、アッシン
グガスをアッシングチャンバーに導入する導入系と、少
なくともフッ素系ガスをアッシングチャンバーに導入す
る導入系とを設けたことを特徴とするアッシング装置で
あって、これにより上記目的を達成するものである。
求項１の発明は、アッシングチャンバー内に配置された
被アッシング材の被アッシング部を、アッシングガスを
用いて灰化除去するアッシング装置において、アッシン
グガスをアッシングチャンバーに導入する導入系と、少
なくともフッ素系ガスをアッシングチャンバーに導入す
る導入系とを設けたことを特徴とするアッシング装置で
あって、これにより上記目的を達成するものである。
【００１０】本出願の請求項２の発明は、アッシングガ
スをアッシングチャンバーに導入する導入系と、フッ素
系ガス及び水蒸気をアッシングチャンバーに導入する導
入系とを設けたことを特徴とする請求項１に記載のアッ
シング装置であって、これにより上記目的を達成するも
のである。
スをアッシングチャンバーに導入する導入系と、フッ素
系ガス及び水蒸気をアッシングチャンバーに導入する導
入系とを設けたことを特徴とする請求項１に記載のアッ
シング装置であって、これにより上記目的を達成するも
のである。
【００１１】本出願の請求項３の発明は、フッ素系ガス
が、少なくともフッ化水素ガスを含有するガス系である
ことを特徴とする請求項１または２に記載のアッシング
装置であって、これにより上記目的を達成するものであ
る。
が、少なくともフッ化水素ガスを含有するガス系である
ことを特徴とする請求項１または２に記載のアッシング
装置であって、これにより上記目的を達成するものであ
る。
【００１２】本出願の請求項４の発明は、被アッシング
部として少なくともフォトレジストを有する被アッシン
グ材をアッシングするレジストのアッシング除去方法で
あって、アッシングガスをアッシングチャンバーに導入
する導入系と、少なくともフッ素系ガスをアッシングチ
ャンバーに導入する導入系とを設けたアッシング装置を
用いて、フォトレジストを上記アッシングガスによりア
ッシングし、その後、上記フッ素系ガス導入系から少な
くともフッ素系ガスを導入して、アッシングを行うこと
特徴とするレジストのアッシング除去方法であって、こ
れにより上記目的を達成するものである。
部として少なくともフォトレジストを有する被アッシン
グ材をアッシングするレジストのアッシング除去方法で
あって、アッシングガスをアッシングチャンバーに導入
する導入系と、少なくともフッ素系ガスをアッシングチ
ャンバーに導入する導入系とを設けたアッシング装置を
用いて、フォトレジストを上記アッシングガスによりア
ッシングし、その後、上記フッ素系ガス導入系から少な
くともフッ素系ガスを導入して、アッシングを行うこと
特徴とするレジストのアッシング除去方法であって、こ
れにより上記目的を達成するものである。
【００１３】本出願の請求項５の発明は、被アッシング
部がフォトレジスト及び該フォトレジストを用いて加工
される被加工材の側壁に生成した側壁膜であって、フォ
トレジストを上記アッシングガスによりアッシング後、
上記フッ素系ガス導入系から少なくともフッ素系ガスを
導入して、上記側壁膜のアッシングを行うこと特徴とす
る請求項４に記載のレジストのアッシング除去方法であ
って、これにより上記目的を達成するものである。
部がフォトレジスト及び該フォトレジストを用いて加工
される被加工材の側壁に生成した側壁膜であって、フォ
トレジストを上記アッシングガスによりアッシング後、
上記フッ素系ガス導入系から少なくともフッ素系ガスを
導入して、上記側壁膜のアッシングを行うこと特徴とす
る請求項４に記載のレジストのアッシング除去方法であ
って、これにより上記目的を達成するものである。
【００１４】本出願の請求項６の発明は、上記フッ素系
ガス導入系からは、フッ素系ガス及び水蒸気を導入する
ことを特徴とする請求項４または５に記載のレジストの
アッシング除去方法であって、これにより上記目的を達
成するものである。
ガス導入系からは、フッ素系ガス及び水蒸気を導入する
ことを特徴とする請求項４または５に記載のレジストの
アッシング除去方法であって、これにより上記目的を達
成するものである。
【００１５】本出願の請求項７の発明は、フッ素系ガス
が、少なくともフッ化水素ガスを含有するガス系である
ことを特徴とする請求項４ないし６のいずれかに記載の
レジストのアッシング除去方法であって、これにより上
記目的を達成するものであるであって、これにより上記
目的を達成するものである。
が、少なくともフッ化水素ガスを含有するガス系である
ことを特徴とする請求項４ないし６のいずれかに記載の
レジストのアッシング除去方法であって、これにより上
記目的を達成するものであるであって、これにより上記
目的を達成するものである。
【００１６】本発明において、フッ素系ガスは代表的に
はＨＦであるが、これは除去すべき側壁膜等の材質に応
じて適宜選定すべきものである。本発明のアッシング装
置の好ましい態様は、通常のアッシングやパージ操作に
必要なガス系のほかに、ＨＦとＨ2 Ｏ蒸気導入用の配管
及びこれらを注入する機構を有する構成としたものであ
る。
はＨＦであるが、これは除去すべき側壁膜等の材質に応
じて適宜選定すべきものである。本発明のアッシング装
置の好ましい態様は、通常のアッシングやパージ操作に
必要なガス系のほかに、ＨＦとＨ2 Ｏ蒸気導入用の配管
及びこれらを注入する機構を有する構成としたものであ
る。
【００１７】本発明のアッシング除去方法の好ましい態
様においては、上記アッシング装置を用いて、最初にレ
ジストをアッシング後、ＨＦとＨ2 Ｏ蒸気を導入して、
側壁保護膜を除去する。
様においては、上記アッシング装置を用いて、最初にレ
ジストをアッシング後、ＨＦとＨ2 Ｏ蒸気を導入して、
側壁保護膜を除去する。
【００１８】本発明は、アッシングチャンバー内で、ア
ッシング後連続的にクラウン等の不要物を除去する機構
をアッシング装置に具備させる態様で実施することがで
きる。一般に、従来の通常のアッシング装置は、ガス系
としては、酸化性ガスである代表的にはＯ2 （場合によ
ってはＯ2 をオゾンに変えて利用しているものもあ
る。）とパージガス（Ｎ2 等、またオゾンを使うもの
は、Ｎ2 Ｏガスであることもある）程度のガス系しか導
入できない構成になっているが、本発明ではこれに更
に、例えばＨＦとＨ2 Ｏガス（水蒸気）も導入できるよ
うに構成する。
ッシング後連続的にクラウン等の不要物を除去する機構
をアッシング装置に具備させる態様で実施することがで
きる。一般に、従来の通常のアッシング装置は、ガス系
としては、酸化性ガスである代表的にはＯ2 （場合によ
ってはＯ2 をオゾンに変えて利用しているものもあ
る。）とパージガス（Ｎ2 等、またオゾンを使うもの
は、Ｎ2 Ｏガスであることもある）程度のガス系しか導
入できない構成になっているが、本発明ではこれに更
に、例えばＨＦとＨ2 Ｏガス（水蒸気）も導入できるよ
うに構成する。
【００１９】例えば、図１に模式的に示すように、アッ
シングチャンバー１１内に配置された被アッシング材の
被アッシング部を、アッシングガスを用いて灰化除去す
るアッシング装置において、アッシングガスをアッシン
グチャンバーに導入する導入系（図示では酸化性ガス導
入系１２であるＯ2 導入系と、パージガス導入系１３で
あるＮ2 導入系）と、少なくともフッ素系ガスをアッシ
ングチャンバーに導入する導入系（図１の構成例におい
ては、符号１４で示すＨＦ導入系、１５で示す水蒸気導
入系）とを設けたアッシング装置とする。
シングチャンバー１１内に配置された被アッシング材の
被アッシング部を、アッシングガスを用いて灰化除去す
るアッシング装置において、アッシングガスをアッシン
グチャンバーに導入する導入系（図示では酸化性ガス導
入系１２であるＯ2 導入系と、パージガス導入系１３で
あるＮ2 導入系）と、少なくともフッ素系ガスをアッシ
ングチャンバーに導入する導入系（図１の構成例におい
ては、符号１４で示すＨＦ導入系、１５で示す水蒸気導
入系）とを設けたアッシング装置とする。
【００２０】このような装置を用いて処理する場合に
は、次に例示する工程を用いることができる。まず図２
に示すように、被アッシング材であるウェハ（基板）の
チャンバー内への導入Ｉを行い、エッチング後のレジス
トをアッシングによって除去する工程ＩＩを行う。この
段階で、側壁保護膜は完全に除去されていない。次に必
要に応じパージＩＩＩを行い、次いでガス系を切り換え
て、少なくともフッ素系ガス、例えばＨＦとＨ2 Ｏ蒸気
を導入する。これによって少なくともフッ素系ガスによ
る処理ＩＶを行い、不要物例えばクラウンを除去する。
は、次に例示する工程を用いることができる。まず図２
に示すように、被アッシング材であるウェハ（基板）の
チャンバー内への導入Ｉを行い、エッチング後のレジス
トをアッシングによって除去する工程ＩＩを行う。この
段階で、側壁保護膜は完全に除去されていない。次に必
要に応じパージＩＩＩを行い、次いでガス系を切り換え
て、少なくともフッ素系ガス、例えばＨＦとＨ2 Ｏ蒸気
を導入する。これによって少なくともフッ素系ガスによ
る処理ＩＶを行い、不要物例えばクラウンを除去する。
【００２１】最終的にはＨＦなどの酸は、チャンバーを
痛めるので、不活性ガスでパージする工程Ｖを行う。そ
の後ウェハ取り出しＶＩを行う。
痛めるので、不活性ガスでパージする工程Ｖを行う。そ
の後ウェハ取り出しＶＩを行う。
【００２２】処理後のウェハは、このままでは残留吸着
物があるので、水洗いなどの操作をすることが望まし
い。
物があるので、水洗いなどの操作をすることが望まし
い。
【００２３】
【実施例】以下に本発明の一実施例について、図面を参
照して説明する。但し、当然のことではあるが、本発明
は以下の実施例により限定されるものではない。
照して説明する。但し、当然のことではあるが、本発明
は以下の実施例により限定されるものではない。
【００２４】実施例１ この実施例は、半導体デバイス製造プロセスにおいて、
シリコン基板に微細なコンタクトホールをフォトレジス
ト工程により形成する場合に本発明を適用したものであ
る。
シリコン基板に微細なコンタクトホールをフォトレジス
ト工程により形成する場合に本発明を適用したものであ
る。
【００２５】５インチシリコンウェハの上に、下地配線
としてＡｌを４００ｎｍ、及びエッチングストッパ層と
してＴｉＮを５０ｎｍ、スパッタリングによって蒸着し
て形成した。その後、Ｏ3 −ＴＥＯＳを４００ｎｍ膜厚
でＣＶＤ法により堆積して成膜した。
としてＡｌを４００ｎｍ、及びエッチングストッパ層と
してＴｉＮを５０ｎｍ、スパッタリングによって蒸着し
て形成した。その後、Ｏ3 −ＴＥＯＳを４００ｎｍ膜厚
でＣＶＤ法により堆積して成膜した。
【００２６】このウェハを、１００℃で６０秒デハイド
レーションベーク後、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザ
ン）により表面疎水化処理を行った。
レーションベーク後、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザ
ン）により表面疎水化処理を行った。
【００２７】この上に、ｉ線用ポジ型レジストであるＴ
ＨＭＲ．ｉＰ−３０００（東京応化製）を１μｍの膜厚
になるように回転塗布し、１００℃で９０秒間ベークし
た。
ＨＭＲ．ｉＰ−３０００（東京応化製）を１μｍの膜厚
になるように回転塗布し、１００℃で９０秒間ベークし
た。
【００２８】これを、ホールパターンを有するマスクを
用いて、ｉ線ステッパであるＮＳＲ−２００５−ｉ９ｃ
（ニコン（株）製）を用いて、６５０ｍＪ／ｃｍ2 で露
光し、１１０℃で６０秒間ＰＥＢ（露光後ベーク）し
た。
用いて、ｉ線ステッパであるＮＳＲ−２００５−ｉ９ｃ
（ニコン（株）製）を用いて、６５０ｍＪ／ｃｍ2 で露
光し、１１０℃で６０秒間ＰＥＢ（露光後ベーク）し
た。
【００２９】その後、ＮＭＤ−３Ｃ（東京応化製、水酸
化テトラメチルアンモニウム水溶液２．３８％）で室温
（２４℃）で現像を行った（パドル現像、６０秒）。
化テトラメチルアンモニウム水溶液２．３８％）で室温
（２４℃）で現像を行った（パドル現像、６０秒）。
【００３０】これを１００℃で９０秒間ベークして、被
エッチング基板とした。なおかかる基板は、２枚用意し
た。
エッチング基板とした。なおかかる基板は、２枚用意し
た。
【００３１】この被エッチング基板を、ＣＦ4 ／Ｏ2 混
合ガスを用い、エッチング装置であるＭ３０８（（株）
日立製作所製）でエッチングを行った。エッチング後、
１枚の被エッチング基板は、本発明を適用して、図１の
装置を用い、ガス導入系１２からＯ2 を導入して、通常
のＯ2 アッシングの後、ガス系をガス導入系１４，１５
を用いて切り換えて、ＨＦ５０ｓｃｃｍ／Ｈ2 Ｏベーパ
１００ｓｃｃｍの混合ガスとして、１０秒間処理した。
他の１枚の被エッチング基板は、通常のアッシングのみ
にとどめた。
合ガスを用い、エッチング装置であるＭ３０８（（株）
日立製作所製）でエッチングを行った。エッチング後、
１枚の被エッチング基板は、本発明を適用して、図１の
装置を用い、ガス導入系１２からＯ2 を導入して、通常
のＯ2 アッシングの後、ガス系をガス導入系１４，１５
を用いて切り換えて、ＨＦ５０ｓｃｃｍ／Ｈ2 Ｏベーパ
１００ｓｃｃｍの混合ガスとして、１０秒間処理した。
他の１枚の被エッチング基板は、通常のアッシングのみ
にとどめた。
【００３２】その後両方のアッシング後のウェハ基板を
水洗いし、１００℃で６０秒間乾燥した。
水洗いし、１００℃で６０秒間乾燥した。
【００３３】これら２枚の処理後のウェハをへき開し、
コンタクトホール部（０．６μｍ径）の断面をＳ９００
ＳＥＭ（（株）日立製作所製）で５万倍に拡大し観察し
た。その結果、Ｏ2 アッシングの後にＨＦ処理工程を行
った本発明の適用のウェハについては、クラウンがみら
れなかった。Ｏ2 アッシングのみのものは、クラウンが
観察された。
コンタクトホール部（０．６μｍ径）の断面をＳ９００
ＳＥＭ（（株）日立製作所製）で５万倍に拡大し観察し
た。その結果、Ｏ2 アッシングの後にＨＦ処理工程を行
った本発明の適用のウェハについては、クラウンがみら
れなかった。Ｏ2 アッシングのみのものは、クラウンが
観察された。
【００３４】上述の如く、本発明を適用することによ
り、同一チャンバーでプロセスステップ数を増やすこと
なく、レジスト以外の不要物であるクラウンもきれいに
除去でき、コストが安く、歩留りの高いプロセスが提供
できるようになった。
り、同一チャンバーでプロセスステップ数を増やすこと
なく、レジスト以外の不要物であるクラウンもきれいに
除去でき、コストが安く、歩留りの高いプロセスが提供
できるようになった。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
プロセスステップ数を増やすことなくレジストや、更に
側壁膜等の不要物をきれいに除去でき、これをコストが
安く、歩留りの高いプロセスで達成できるアッシング装
置及びレジストのアッシング除去方法を提供することが
できた。
プロセスステップ数を増やすことなくレジストや、更に
側壁膜等の不要物をきれいに除去でき、これをコストが
安く、歩留りの高いプロセスで達成できるアッシング装
置及びレジストのアッシング除去方法を提供することが
できた。
【図１】本発明のアッシング装置の構成の一例を示す概
念図である。
念図である。
【図２】本発明のアッシング方法の工程の一例を示すフ
ロー図である。
ロー図である。
【図３】背景技術を示す図である（１）。
【図４】背景技術を示す図である（２）。
【図５】背景技術を示す図である（３）。
Ｉ ウェハ導入 ＩＩ アッシング ＩＩＩ パージ ＩＶ ＨＦ，Ｈ2 Ｏ処理 Ｖ パージ ＩＶ ウェハ取り出し １１ アッシングチャンバー １２ アッシングガス導入系（酸化性ガスであるＯ
2 導入系） １３ アッシングガス導入系（パージガスであるＮ
2 導入系） １４ 少なくともフッ素系ガスを導入する導入系
（ＨＦ導入系） １５ 少なくともフッ素系ガスを導入する導入系
（水蒸気導入系）
2 導入系） １３ アッシングガス導入系（パージガスであるＮ
2 導入系） １４ 少なくともフッ素系ガスを導入する導入系
（ＨＦ導入系） １５ 少なくともフッ素系ガスを導入する導入系
（水蒸気導入系）
Claims (7)
- 【請求項１】アッシングチャンバー内に配置された被ア
ッシング材の被アッシング部を、アッシングガスを用い
て灰化除去するアッシング装置において、 アッシングガスをアッシングチャンバーに導入する導入
系と、 少なくともフッ素系ガスをアッシングチャンバーに導入
する導入系とを設けたことを特徴とするアッシング装
置。 - 【請求項２】アッシングガスをアッシングチャンバーに
導入する導入系と、 フッ素系ガス及び水蒸気をアッシングチャンバーに導入
する導入系とを設けたことを特徴とする請求項１に記載
のアッシング装置。 - 【請求項３】フッ素系ガスが、少なくともフッ化水素ガ
スを含有するガス系であることを特徴とする請求項１ま
たは２に記載のアッシング装置。 - 【請求項４】被アッシング部として少なくともフォトレ
ジストを有する被アッシング材をアッシングするレジス
トのアッシング除去方法であって、 アッシングガスをアッシングチャンバーに導入する導入
系と、少なくともフッ素系ガスをアッシングチャンバー
に導入する導入系とを設けたアッシング装置を用いて、 フォトレジストを上記アッシングガスによりアッシング
し、その後、 上記フッ素系ガス導入系から少なくともフッ素系ガスを
導入して、アッシングを行うこと特徴とするレジストの
アッシング除去方法。 - 【請求項５】被アッシング部がフォトレジスト及び該フ
ォトレジストを用いて加工される被加工材の側壁に生成
し側壁膜であって、 フォトレジストを上記アッシングガスによりアッシング
後、 上記フッ素系ガス導入系から少なくともフッ素系ガスを
導入して、上記側壁膜のアッシングを行うこと特徴とす
る請求項４に記載のレジストのアッシング除去方法。 - 【請求項６】上記フッ素系ガス導入系からは、 フッ素系ガス及び水蒸気を導入することを特徴とする請
求項４または５に記載のレジストのアッシング除去方
法。 - 【請求項７】フッ素系ガスが、少なくともフッ化水素ガ
スを含有するガス系であることを特徴とする請求項４な
いし６のいずれかに記載のレジストのアッシング除去方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31963894A JPH08181109A (ja) | 1994-12-22 | 1994-12-22 | アッシング装置及びレジストのアッシング除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31963894A JPH08181109A (ja) | 1994-12-22 | 1994-12-22 | アッシング装置及びレジストのアッシング除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08181109A true JPH08181109A (ja) | 1996-07-12 |
Family
ID=18112535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31963894A Pending JPH08181109A (ja) | 1994-12-22 | 1994-12-22 | アッシング装置及びレジストのアッシング除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08181109A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002539641A (ja) * | 1999-03-15 | 2002-11-19 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 半導体の接触抵抗を減少させるための方法 |
-
1994
- 1994-12-22 JP JP31963894A patent/JPH08181109A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002539641A (ja) * | 1999-03-15 | 2002-11-19 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 半導体の接触抵抗を減少させるための方法 |
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