JPH08181003A - 限流素子およびその製造方法 - Google Patents
限流素子およびその製造方法Info
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- JPH08181003A JPH08181003A JP31785294A JP31785294A JPH08181003A JP H08181003 A JPH08181003 A JP H08181003A JP 31785294 A JP31785294 A JP 31785294A JP 31785294 A JP31785294 A JP 31785294A JP H08181003 A JPH08181003 A JP H08181003A
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- Japan
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- ceramic
- limiting element
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Abstract
(57)【要約】
【目的】再使用可能な限流素子を得る。
【構成】温度係数が正のセラミックス抵抗体３の複数を
蜂の巣状のプラスチック壁２によって隔てる。
蜂の巣状のプラスチック壁２によって隔てる。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は正の抵抗温度係数を持
つ抵抗体を用いる限流素子に係わり、特に過電流が流れ
たときの熱衝撃によるクラック発生を抑止する限流素子
の構造およびその製造方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】近年、低圧配電系統においても大容量化
が進展し、それに伴い負荷が短絡した際に流れる過電流
も大電流化しており、ブレーカーについても高遮断容量
化が望まれている。このような技術動向に対応して、大
電流，大電力用の過電流保護素子として酸化バナジウム
Ｖ2 Ｏ3 系セラミックスを主成分とするＰＴＣ限流素子
の利用が期待されている。酸化バナジウムＶ2 Ｏ3 系セ
ラミックスは１００℃〜２００℃の間で金属から絶縁物
に移転する性質を有しており、室温付近では比抵抗が１
０-3Ω・ｃｍと小さいため大電流、大電力用に期待され
ている。酸化バナジウムＶ2Ｏ3 系セラミックスを主成
分とする限流素子は過電流が流れると、ジュール発熱に
より高抵抗化し、ブレーカを動作させて電流の遮断を行
うことができる。 【０００３】図６は酸化バナジウムＶ2 Ｏ3 系セラミッ
クスの抵抗温度特性を示す線図である。酸化バナジウム
Ｖ2 Ｏ3 系セラミックスを主成分とする限流素子におい
ては過電流が流れたときのジュール発熱による温度上昇
はブレーカの要求仕様により数ｍｓ以内に２００〜３０
０℃に達することが要求される。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ようなブレーカの要求仕様を満足させるときには酸化バ
ナジウムＶ2 Ｏ3 系セラミックスに熱衝撃が加わること
となり、酸化バナジウムＶ2 Ｏ3 系セラミックスを破損
させ、再使用に供することができなくなるという問題が
あった。このために特開平４−１４２０２号公報にはセ
ラミックに樹脂を混合して金属−絶縁体移転時の熱応力
の緩和を図る方法が開示され、また特開平４−３５００
１号公報ではセラミックスにウイスカーを混合し強度の
向上を図ったり、さらにはセラミックスの結晶粒径の粗
大化を抑制して高強度化し熱衝撃によるクラック発生を
抑制する方法等が開示されており改善が進んではいるが
上記の方法では熱破損を完全に防止することができな
い。このようなことから、上記従来の酸化バナジウムＶ
2 Ｏ3 系セラミックスを主成分とする限流素子を大電
流、大電力用の過電流保護素子として採用するには実用
上の制約が大きく、上記問題点の改善が要請されてい
た。 【０００５】この発明は上述の点に鑑みてなされその目
的は、上記熱衝撃による破損の発生を実用上無視し得る
程度に抑制し、再使用が可能な限流素子を提供すること
にある。他の目的はこの限流素子を大電流，大電力用に
応用できる限流素子を提供することである。さらに他の
目的は上述の限流素子の製造方法を提供することにあ
る。 【０００６】 【課題を解決するための手段】本件特許発明者は、上記
熱衝撃によるクラック発生のメカニズムにつき詳細に調
べ、酸化バナジウムＶ2 Ｏ3 系セラミックスのクラック
発生の抑制について検討を重ねたところ、クラック発生
による破損は過電流の素子内部への流通が不均一なため
素子が局部的に加熱され、周囲とのあいだに大きな温度
勾配が生じ熱膨張差ができるためであることをつきつめ
た。クラック発生のない素子は過電流の分布に不均一は
生じるが比較的小さい。限流素子によりそのような差異
を生ずる理由は判然とはしないが、セラミックス特有の
組成的あるいは微細構造的不均一性と関連しているよう
に考えられる。セラミックスである限りこのような不均
一性から逃れることは困難であり、少数であってもクラ
ックを生ずる不良素子を完全に除去することは困難であ
る。クラックは大きな温度勾配を生じる個所の一つから
発生し一瞬のうちに周囲に伝播し素子を再使用不可能な
までに破壊する。 【０００７】本発明は上述の知見に基いてなされたもの
であり、その目的は第１の発明によれば抵抗の温度係数
が正のセラミックス抵抗体の複数と、前記セラミックス
抵抗体を相互に隔てる蜂の巣状のプラスチックス壁を備
えるとすることにより達成される。上述の発明におい
て、セラミックス抵抗体は（Ｖ1-x Ｙx ）2 Ｏ3 （Ｏ≦
Ｘ≦０．０２，ＹはCr,Al から選ばれた少なくとも一
種) であるとすること、またはプラスチックスがポリイ
ミドであるとすることが有効である。 【０００８】第２の発明によればセラミックス抵抗体の
板状体を調製し得られた板状体を高分子接着剤を介して
板状体の主面において重合して積層体を形成する工程
と、積層体を前記工程の重合の方向と非垂直の方向に薄
く切断して重合板を調製し得られた重合板を切断した面
で前記高分子接着剤を介して重合する工程を備えるとす
ることにより達成される。 【０００９】 【作用】セラミックス抵抗体は蜂の巣状のプラスチック
ス壁により相互に電気的，機械的に分離されて多重化し
ており一個のセラミックス抵抗体にクラックが発生して
もその破損はプラスチックス壁によりさえぎられ隣接す
る抵抗体にはクラックが伝ぱんしない。 【００１０】セラミックス抵抗体に酸化バナジウム系セ
ラミックスを用いるときは比抵抗が比較的小さいため大
電流，大電力下で温度の上昇を小さくして好適に使用で
きる。プラスチックスにポリイミドを用いると、ポリイ
ミドの耐熱性により大電流，大電力の使用に耐えること
ができる。 【００１１】 【実施例】次にこの発明の実施例を図面に基いて説明す
る。ＰＴＣセラミックス抵抗体としては酸化バナジウム
Ｖ2 Ｏ3 系セラミックスを用いる。図１，図２，図３，
図４はこの発明の実施例に係る限流素子の製造工程を示
す斜視図、図５はこの発明の実施例に係る限流素子を示
す断面図である。 【００１２】イ）Ｖ2 Ｏ5 ９９．６５mo１％、Ｃｒ2 Ｏ
3 ０．３５mo１％を配合し、純水を溶媒として添加し、
ボールミルで約４８ｈ間粉砕・混合してセラミックス原
料を得る。 ロ）上記セラミックス原料を乾燥後、水素気流中で６０
０℃×４ｈ続けて１０００℃×４ｈ燒成しＶ2 Ｏ5 をＶ
2 Ｏ3 に還元する。 【００１３】ハ）上記燒成後、Ｆｅ2 Ｏ3 を５％、バイ
ンダーを３％添加し、再び純水を溶媒としてボールミル
で約２４ｈ間粉砕・混合しその後乾燥して成形用のセラ
ミックス原料を得る。 ニ）上記セラミックス原料を２ｔ／ｃｍ2 の圧力でプレ
ス成形し、厚み３ｍｍ×３０ｍｍ□の成形体を得る。成
型体はドクタブレード法，カレンダロール法，押出し法
等で成型することもできる。 【００１４】ホ）上記成形体を水素気流中で１５００℃
×４ｈ燒成し厚み２ｍｍ×２５ｍｍ□のＶ2 Ｏ3 系セラ
ミックスの焼結した板状体１を得る。 へ）ポリイミド接着剤２を板状体の両面に均一にコーテ
ィングし、板状体を１０層重ね２００〜３００℃で約１
ｈ加熱・硬化し板状体同志を接着して積層体を得る（図
１）。 【００１５】ト）上記積層体をダイヤモンドカッター
で、接着面に垂直且つ端面に平行に２ｍｍ間隔に切断し
て重合板を得る（図２）。 チ）切断面に再びポリイミド接着剤を両面に均一にコー
ティングし、重合板の長手方向が一致するように１０層
重ね２００〜３００℃で約１ｈ加熱・硬化し接着する
（図３）。 【００１６】リ）上記成形体をダイヤモンドカッター
で、成型体の長手方向に垂直、接着面に垂直に２ｍｍ間
隔で切断し、２５ｍｍ□×２ｍｍ厚の集合体４を得る。
本集合体は１００個のセラミックス抵抗体で構成されて
いることになる（図４）。 ヌ）さらに、上記成形体の切断面の両側にＡｇまたはＡ
ｇ−Ｐｄからなる導電ペーストを印刷したのち、３００
℃で焼付けて電極とした。これにＭｏからなる電極６を
圧着して評価試料とした（図５）。 【００１７】本発明の素子と比較のため、本発明の素子
と同等な電気特性を持つ２０ｍｍ□×２ｍｍ厚のＶ2 Ｏ
3 系セラミックスの焼結体をそれぞれ１００個用意し
た。本発明の素子をＡ，比較用素子をＢとした。この両
方の素子に５０Hz、１００００Ａの電流を全波通電し、
急激な通電加熱による熱衝撃に対するクラック発生の有
無の試験を行い、３回繰り返して耐熱衝撃性を評価し
た。 【００１８】結果を表１に示す。表１は、試験前後にお
ける常温の素子抵抗変化率で５％以上の素子をクラック
発生の不良素子としたものであり、その後の観察で不良
素子の全てにクラックが発生していることが確認されて
いる。また不良素子については素子Ｂでは全てクラック
の発生が無いことも確認した。素子Ａでは、良品素子で
も素子を構成する１００個の抵抗体の一部にクラックの
発生が認められた。表２は素子Ａにおけるクラックの発
生割合を示している。 【００１９】 【表１】 【００２０】 【表２】素子Ａの場合、素子Ｂと同じような割合でクラックの発
生が認められる。しかしながら、素子Ａの場合は１００
個の独立した抵抗体からなっておりクラックが発生して
も周囲に伝播して致命的なダメージを素子に与えること
がないため、素子の機能を（電気特性）にほとんど影響
がなく繰り返しの使用が可能である。表におけるワース
トケースでも常温における電気抵抗の上昇は２％程度で
ありＰＴＣ特性にもなんら影響もなく、過電流保護の限
流素子として問題がない。 【００２１】なお本実施例では蜂の巣形状は四角である
がこれに限定されるものではない。 【００２２】 【発明の効果】この発明によれば、複数のセラミックス
抵抗体が蜂の巣状のプラスチックス壁により相互に電気
的，機械的に分離され相互に独立した抵抗体となってい
るために電流のジュール熱により熱衝撃が加わって特定
のセラミックス抵抗体が破損してもその破損の進行はプ
ラスチックス壁により遮断され隣接する抵抗体には破損
が伝播せず、再使用に耐える安定した限流素子が得られ
る。 【００２３】複数のセラミックス抵抗体に酸化バナジウ
ムＶ2 Ｏ3 系セラミックスをまたプラスチックス壁にポ
リイミドを使用すると大電流，大電力用の限流素子が得
られる。セラミックス抵抗体の板状体を高分子接着剤を
介して重合して積層体を得たのち、積層体をスライスし
て重合板とし、次いでスライスした面で高分子接着剤を
介して重合板を重ねるので蜂の巣状のプラスチックス壁
で隔離された複数のセラミックス抵抗体からなる限流素
子が容易に得られる。
つ抵抗体を用いる限流素子に係わり、特に過電流が流れ
たときの熱衝撃によるクラック発生を抑止する限流素子
の構造およびその製造方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】近年、低圧配電系統においても大容量化
が進展し、それに伴い負荷が短絡した際に流れる過電流
も大電流化しており、ブレーカーについても高遮断容量
化が望まれている。このような技術動向に対応して、大
電流，大電力用の過電流保護素子として酸化バナジウム
Ｖ2 Ｏ3 系セラミックスを主成分とするＰＴＣ限流素子
の利用が期待されている。酸化バナジウムＶ2 Ｏ3 系セ
ラミックスは１００℃〜２００℃の間で金属から絶縁物
に移転する性質を有しており、室温付近では比抵抗が１
０-3Ω・ｃｍと小さいため大電流、大電力用に期待され
ている。酸化バナジウムＶ2Ｏ3 系セラミックスを主成
分とする限流素子は過電流が流れると、ジュール発熱に
より高抵抗化し、ブレーカを動作させて電流の遮断を行
うことができる。 【０００３】図６は酸化バナジウムＶ2 Ｏ3 系セラミッ
クスの抵抗温度特性を示す線図である。酸化バナジウム
Ｖ2 Ｏ3 系セラミックスを主成分とする限流素子におい
ては過電流が流れたときのジュール発熱による温度上昇
はブレーカの要求仕様により数ｍｓ以内に２００〜３０
０℃に達することが要求される。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ようなブレーカの要求仕様を満足させるときには酸化バ
ナジウムＶ2 Ｏ3 系セラミックスに熱衝撃が加わること
となり、酸化バナジウムＶ2 Ｏ3 系セラミックスを破損
させ、再使用に供することができなくなるという問題が
あった。このために特開平４−１４２０２号公報にはセ
ラミックに樹脂を混合して金属−絶縁体移転時の熱応力
の緩和を図る方法が開示され、また特開平４−３５００
１号公報ではセラミックスにウイスカーを混合し強度の
向上を図ったり、さらにはセラミックスの結晶粒径の粗
大化を抑制して高強度化し熱衝撃によるクラック発生を
抑制する方法等が開示されており改善が進んではいるが
上記の方法では熱破損を完全に防止することができな
い。このようなことから、上記従来の酸化バナジウムＶ
2 Ｏ3 系セラミックスを主成分とする限流素子を大電
流、大電力用の過電流保護素子として採用するには実用
上の制約が大きく、上記問題点の改善が要請されてい
た。 【０００５】この発明は上述の点に鑑みてなされその目
的は、上記熱衝撃による破損の発生を実用上無視し得る
程度に抑制し、再使用が可能な限流素子を提供すること
にある。他の目的はこの限流素子を大電流，大電力用に
応用できる限流素子を提供することである。さらに他の
目的は上述の限流素子の製造方法を提供することにあ
る。 【０００６】 【課題を解決するための手段】本件特許発明者は、上記
熱衝撃によるクラック発生のメカニズムにつき詳細に調
べ、酸化バナジウムＶ2 Ｏ3 系セラミックスのクラック
発生の抑制について検討を重ねたところ、クラック発生
による破損は過電流の素子内部への流通が不均一なため
素子が局部的に加熱され、周囲とのあいだに大きな温度
勾配が生じ熱膨張差ができるためであることをつきつめ
た。クラック発生のない素子は過電流の分布に不均一は
生じるが比較的小さい。限流素子によりそのような差異
を生ずる理由は判然とはしないが、セラミックス特有の
組成的あるいは微細構造的不均一性と関連しているよう
に考えられる。セラミックスである限りこのような不均
一性から逃れることは困難であり、少数であってもクラ
ックを生ずる不良素子を完全に除去することは困難であ
る。クラックは大きな温度勾配を生じる個所の一つから
発生し一瞬のうちに周囲に伝播し素子を再使用不可能な
までに破壊する。 【０００７】本発明は上述の知見に基いてなされたもの
であり、その目的は第１の発明によれば抵抗の温度係数
が正のセラミックス抵抗体の複数と、前記セラミックス
抵抗体を相互に隔てる蜂の巣状のプラスチックス壁を備
えるとすることにより達成される。上述の発明におい
て、セラミックス抵抗体は（Ｖ1-x Ｙx ）2 Ｏ3 （Ｏ≦
Ｘ≦０．０２，ＹはCr,Al から選ばれた少なくとも一
種) であるとすること、またはプラスチックスがポリイ
ミドであるとすることが有効である。 【０００８】第２の発明によればセラミックス抵抗体の
板状体を調製し得られた板状体を高分子接着剤を介して
板状体の主面において重合して積層体を形成する工程
と、積層体を前記工程の重合の方向と非垂直の方向に薄
く切断して重合板を調製し得られた重合板を切断した面
で前記高分子接着剤を介して重合する工程を備えるとす
ることにより達成される。 【０００９】 【作用】セラミックス抵抗体は蜂の巣状のプラスチック
ス壁により相互に電気的，機械的に分離されて多重化し
ており一個のセラミックス抵抗体にクラックが発生して
もその破損はプラスチックス壁によりさえぎられ隣接す
る抵抗体にはクラックが伝ぱんしない。 【００１０】セラミックス抵抗体に酸化バナジウム系セ
ラミックスを用いるときは比抵抗が比較的小さいため大
電流，大電力下で温度の上昇を小さくして好適に使用で
きる。プラスチックスにポリイミドを用いると、ポリイ
ミドの耐熱性により大電流，大電力の使用に耐えること
ができる。 【００１１】 【実施例】次にこの発明の実施例を図面に基いて説明す
る。ＰＴＣセラミックス抵抗体としては酸化バナジウム
Ｖ2 Ｏ3 系セラミックスを用いる。図１，図２，図３，
図４はこの発明の実施例に係る限流素子の製造工程を示
す斜視図、図５はこの発明の実施例に係る限流素子を示
す断面図である。 【００１２】イ）Ｖ2 Ｏ5 ９９．６５mo１％、Ｃｒ2 Ｏ
3 ０．３５mo１％を配合し、純水を溶媒として添加し、
ボールミルで約４８ｈ間粉砕・混合してセラミックス原
料を得る。 ロ）上記セラミックス原料を乾燥後、水素気流中で６０
０℃×４ｈ続けて１０００℃×４ｈ燒成しＶ2 Ｏ5 をＶ
2 Ｏ3 に還元する。 【００１３】ハ）上記燒成後、Ｆｅ2 Ｏ3 を５％、バイ
ンダーを３％添加し、再び純水を溶媒としてボールミル
で約２４ｈ間粉砕・混合しその後乾燥して成形用のセラ
ミックス原料を得る。 ニ）上記セラミックス原料を２ｔ／ｃｍ2 の圧力でプレ
ス成形し、厚み３ｍｍ×３０ｍｍ□の成形体を得る。成
型体はドクタブレード法，カレンダロール法，押出し法
等で成型することもできる。 【００１４】ホ）上記成形体を水素気流中で１５００℃
×４ｈ燒成し厚み２ｍｍ×２５ｍｍ□のＶ2 Ｏ3 系セラ
ミックスの焼結した板状体１を得る。 へ）ポリイミド接着剤２を板状体の両面に均一にコーテ
ィングし、板状体を１０層重ね２００〜３００℃で約１
ｈ加熱・硬化し板状体同志を接着して積層体を得る（図
１）。 【００１５】ト）上記積層体をダイヤモンドカッター
で、接着面に垂直且つ端面に平行に２ｍｍ間隔に切断し
て重合板を得る（図２）。 チ）切断面に再びポリイミド接着剤を両面に均一にコー
ティングし、重合板の長手方向が一致するように１０層
重ね２００〜３００℃で約１ｈ加熱・硬化し接着する
（図３）。 【００１６】リ）上記成形体をダイヤモンドカッター
で、成型体の長手方向に垂直、接着面に垂直に２ｍｍ間
隔で切断し、２５ｍｍ□×２ｍｍ厚の集合体４を得る。
本集合体は１００個のセラミックス抵抗体で構成されて
いることになる（図４）。 ヌ）さらに、上記成形体の切断面の両側にＡｇまたはＡ
ｇ−Ｐｄからなる導電ペーストを印刷したのち、３００
℃で焼付けて電極とした。これにＭｏからなる電極６を
圧着して評価試料とした（図５）。 【００１７】本発明の素子と比較のため、本発明の素子
と同等な電気特性を持つ２０ｍｍ□×２ｍｍ厚のＶ2 Ｏ
3 系セラミックスの焼結体をそれぞれ１００個用意し
た。本発明の素子をＡ，比較用素子をＢとした。この両
方の素子に５０Hz、１００００Ａの電流を全波通電し、
急激な通電加熱による熱衝撃に対するクラック発生の有
無の試験を行い、３回繰り返して耐熱衝撃性を評価し
た。 【００１８】結果を表１に示す。表１は、試験前後にお
ける常温の素子抵抗変化率で５％以上の素子をクラック
発生の不良素子としたものであり、その後の観察で不良
素子の全てにクラックが発生していることが確認されて
いる。また不良素子については素子Ｂでは全てクラック
の発生が無いことも確認した。素子Ａでは、良品素子で
も素子を構成する１００個の抵抗体の一部にクラックの
発生が認められた。表２は素子Ａにおけるクラックの発
生割合を示している。 【００１９】 【表１】 【００２０】 【表２】素子Ａの場合、素子Ｂと同じような割合でクラックの発
生が認められる。しかしながら、素子Ａの場合は１００
個の独立した抵抗体からなっておりクラックが発生して
も周囲に伝播して致命的なダメージを素子に与えること
がないため、素子の機能を（電気特性）にほとんど影響
がなく繰り返しの使用が可能である。表におけるワース
トケースでも常温における電気抵抗の上昇は２％程度で
ありＰＴＣ特性にもなんら影響もなく、過電流保護の限
流素子として問題がない。 【００２１】なお本実施例では蜂の巣形状は四角である
がこれに限定されるものではない。 【００２２】 【発明の効果】この発明によれば、複数のセラミックス
抵抗体が蜂の巣状のプラスチックス壁により相互に電気
的，機械的に分離され相互に独立した抵抗体となってい
るために電流のジュール熱により熱衝撃が加わって特定
のセラミックス抵抗体が破損してもその破損の進行はプ
ラスチックス壁により遮断され隣接する抵抗体には破損
が伝播せず、再使用に耐える安定した限流素子が得られ
る。 【００２３】複数のセラミックス抵抗体に酸化バナジウ
ムＶ2 Ｏ3 系セラミックスをまたプラスチックス壁にポ
リイミドを使用すると大電流，大電力用の限流素子が得
られる。セラミックス抵抗体の板状体を高分子接着剤を
介して重合して積層体を得たのち、積層体をスライスし
て重合板とし、次いでスライスした面で高分子接着剤を
介して重合板を重ねるので蜂の巣状のプラスチックス壁
で隔離された複数のセラミックス抵抗体からなる限流素
子が容易に得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施例に係る限流素子の製造工程を
示す斜視図 【図２】この発明の実施例に係る限流素子の製造工程を
示す斜視図 【図３】この発明の実施例に係る限流素子の製造工程を
示す斜視図 【図４】この発明の実施例に係る限流素子の製造工程を
示す斜視図 【図５】この発明の実施例に係る限流素子を示す断面図 【図６】酸化バナジウムＶ2 Ｏ3 系セラミックスの抵抗
温度特性を示す線図 【符号の説明】 １ 酸化バナジウムＶ2 Ｏ3 系セラミックスの板状体 ２ ポリイミド接着剤 ３ 酸化バナジウムＶ2 Ｏ3 系セラミックスの抵抗体 ４ 集合体 ５ 電極 ６ 電極
示す斜視図 【図２】この発明の実施例に係る限流素子の製造工程を
示す斜視図 【図３】この発明の実施例に係る限流素子の製造工程を
示す斜視図 【図４】この発明の実施例に係る限流素子の製造工程を
示す斜視図 【図５】この発明の実施例に係る限流素子を示す断面図 【図６】酸化バナジウムＶ2 Ｏ3 系セラミックスの抵抗
温度特性を示す線図 【符号の説明】 １ 酸化バナジウムＶ2 Ｏ3 系セラミックスの板状体 ２ ポリイミド接着剤 ３ 酸化バナジウムＶ2 Ｏ3 系セラミックスの抵抗体 ４ 集合体 ５ 電極 ６ 電極
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】抵抗の温度係数が正のセラミックス抵抗体
の複数と、前記セラミックス抵抗体を相互に隔てる蜂の
巣状のプラスチックス壁を備えることを特徴とする限流
素子。 【請求項２】請求項１記載の限流素子において、セラミ
ックス抵抗体が（Ｖ 1-x Ｙx ）2 Ｏ3 （Ｏ≦Ｘ≦０．０
２，ＹはCr,Al から選ばれた少なくとも一種) であるこ
とを特徴とする限流素子。 【請求項3 】請求項１記載の限流素子において、プラス
チックス壁がポリイミドであることを特徴とする限流素
子。 【請求項４】セラミックス抵抗体の板状体を調製し得ら
れた板状体を高分子接着剤を介して板状体の主面におい
て重合して積層体を形成する工程と、積層体を前記工程
の重合の方向と非垂直の方向に薄く切断して重合板を調
製し得られた重合板を切断した面で前記高分子接着剤を
介して重合する工程を備えることを特徴とする限流素子
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31785294A JPH08181003A (ja) | 1994-12-21 | 1994-12-21 | 限流素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31785294A JPH08181003A (ja) | 1994-12-21 | 1994-12-21 | 限流素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08181003A true JPH08181003A (ja) | 1996-07-12 |
Family
ID=18092781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31785294A Pending JPH08181003A (ja) | 1994-12-21 | 1994-12-21 | 限流素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08181003A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014123764A (ja) * | 2010-10-05 | 2014-07-03 | Otowa Denki Kogyo Kk | 非線形抵抗素子及びその製造方法 |
-
1994
- 1994-12-21 JP JP31785294A patent/JPH08181003A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014123764A (ja) * | 2010-10-05 | 2014-07-03 | Otowa Denki Kogyo Kk | 非線形抵抗素子及びその製造方法 |
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