JPH0817088A - 光磁気ディスク用ｌｄドライバ - Google Patents
光磁気ディスク用ｌｄドライバInfo
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- JPH0817088A JPH0817088A JP6169049A JP16904994A JPH0817088A JP H0817088 A JPH0817088 A JP H0817088A JP 6169049 A JP6169049 A JP 6169049A JP 16904994 A JP16904994 A JP 16904994A JP H0817088 A JPH0817088 A JP H0817088A
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- G11B19/02—Control of operating function, e.g. switching from recording to reproducing
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
- G11B7/126—Circuits, methods or arrangements for laser control or stabilisation
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
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- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
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- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
- G11B11/10517—Overwriting or erasing
- G11B11/10519—Direct overwriting, i.e. performing erasing and recording using the same transducing means
- G11B11/10521—Direct overwriting, i.e. performing erasing and recording using the same transducing means using a single light spot
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 記録の高密度化と高信頼性を実現した光磁気
ディスク用ＬＤドライバを提供する。 【構成】 レーザー光と光磁気ディスクとの相対的な移
動速度に基づて書き込み又は消去に必要なレーザパワー
対応した第１のディジタル信号と、書き込み又は消去に
必要なレーザパワー直前に対応した第２のディジタル信
号とを形成し、これらを第１と第２のディジタル／アナ
ログ変換回路ＤＡＣ１より第１と第２のアナログ電圧に
変換し、第１と第２のレベルシフト回路ＬＳ１，ＬＳ２
によりトランジスタのベース，エミッタ間電圧−コレク
タ電流特性における直線性の良い領域にレベルシフトさ
せ、第１と第２の出力トランジスタに供給し、コレクタ
からレーザーダイオードに供給する駆動電流を出力する
とともに、第１と第２の出力トランジスタのコレクタに
レベルシフト電圧に相当するコレクタ電流を供給する第
１と第２の調整電流源を設ける。
ディスク用ＬＤドライバを提供する。 【構成】 レーザー光と光磁気ディスクとの相対的な移
動速度に基づて書き込み又は消去に必要なレーザパワー
対応した第１のディジタル信号と、書き込み又は消去に
必要なレーザパワー直前に対応した第２のディジタル信
号とを形成し、これらを第１と第２のディジタル／アナ
ログ変換回路ＤＡＣ１より第１と第２のアナログ電圧に
変換し、第１と第２のレベルシフト回路ＬＳ１，ＬＳ２
によりトランジスタのベース，エミッタ間電圧−コレク
タ電流特性における直線性の良い領域にレベルシフトさ
せ、第１と第２の出力トランジスタに供給し、コレクタ
からレーザーダイオードに供給する駆動電流を出力する
とともに、第１と第２の出力トランジスタのコレクタに
レベルシフト電圧に相当するコレクタ電流を供給する第
１と第２の調整電流源を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、光磁気ディスク用レ
ーザーダイオード（以下、単にＬＤと略する。）ドライ
バに関し、特に光変調型の光磁気ディスク用ＬＤドライ
バに利用して有効な技術に関するものである。
ーザーダイオード（以下、単にＬＤと略する。）ドライ
バに関し、特に光変調型の光磁気ディスク用ＬＤドライ
バに利用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】書き換え可能型光ディスクに関しては、
日経マグロウヒル社１９８８年２月８日（ｎｏ．４４
０）『日経エレクトロニクス』頁１１５〜頁１４２があ
る。このような書き換え可能型光ディスクのうち、光変
調型においては、レーザー光の熱により記録層の温度を
キュリー温度付近に上げ、補助磁界の向きで記録磁気媒
体に“１”と“０”を設定する。データの読み出しに
は、レーザー光が反射するとき、磁化の向きによって偏
光面が回転するカー（Ｋerr)効果を利用するものであ
る。
日経マグロウヒル社１９８８年２月８日（ｎｏ．４４
０）『日経エレクトロニクス』頁１１５〜頁１４２があ
る。このような書き換え可能型光ディスクのうち、光変
調型においては、レーザー光の熱により記録層の温度を
キュリー温度付近に上げ、補助磁界の向きで記録磁気媒
体に“１”と“０”を設定する。データの読み出しに
は、レーザー光が反射するとき、磁化の向きによって偏
光面が回転するカー（Ｋerr)効果を利用するものであ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】光変調型においては、
上記のように記録層の温度をキュリー温度付近に上げる
必要がある。光磁気ディスクは、等速度回転しているの
でその内径側と外径側とではレーザー光との相対的な移
動速度が異なる。つまり、ディスクの外径側では相対的
な移動速度が速くなるので上記キュリー温度に上げるた
めにはレーザー光を強くする必要がある。これに対して
内径側では相対的な移動速度が遅くなるので上記キュリ
ー温度に上げるためのレーザー光は弱くてよい。このた
め、ディスクのトラックアドレス情報に応じて、ＬＤの
駆動電流を精度よく制御する必要がある。
上記のように記録層の温度をキュリー温度付近に上げる
必要がある。光磁気ディスクは、等速度回転しているの
でその内径側と外径側とではレーザー光との相対的な移
動速度が異なる。つまり、ディスクの外径側では相対的
な移動速度が速くなるので上記キュリー温度に上げるた
めにはレーザー光を強くする必要がある。これに対して
内径側では相対的な移動速度が遅くなるので上記キュリ
ー温度に上げるためのレーザー光は弱くてよい。このた
め、ディスクのトラックアドレス情報に応じて、ＬＤの
駆動電流を精度よく制御する必要がある。
【０００４】本願発明者において、上記トラックアドレ
ス情報から駆動電流に対応したディジタル駆動信号を形
成して、それをアナログ電圧に変換してトランジスタの
ベースに供給して、ＬＤの駆動電流を形成しようとする
と、トランジスタの持つ非直線性によってレーザー光量
に非直線歪みが生じてしまい、トランジスタの入力電圧
が低い領域ではコレクタ電流の変化量が少ないので、単
位ステップ当たりの電流変化量が小さくなり、入力電圧
が小さな内径側は入力電圧が大きくなる外径側に対し
て、同じレーザー光に対し上記キュリー温度に達する温
度領域が小さくなることに気が付いた。
ス情報から駆動電流に対応したディジタル駆動信号を形
成して、それをアナログ電圧に変換してトランジスタの
ベースに供給して、ＬＤの駆動電流を形成しようとする
と、トランジスタの持つ非直線性によってレーザー光量
に非直線歪みが生じてしまい、トランジスタの入力電圧
が低い領域ではコレクタ電流の変化量が少ないので、単
位ステップ当たりの電流変化量が小さくなり、入力電圧
が小さな内径側は入力電圧が大きくなる外径側に対し
て、同じレーザー光に対し上記キュリー温度に達する温
度領域が小さくなることに気が付いた。
【０００５】記録磁気媒体において、読み出し動作に必
要な偏光面を得るためには、結局のところ内径側におい
て必要な大きさの温度スポットが得れるような駆動電流
の設定することになる。このため、外径側では必要以上
に大きな温度スポットが形成されて磁化の向きが変化さ
れる領域が大きくなってしまう。このような大きな書き
込み又は消去領域によりトラック間の相互干渉が生じな
いようにするためにトラック間隔を大きく設定すること
が必要になり、結果として記録容量の増大を妨げるもの
となる。逆に、大記憶容量化のために、外径側において
必要な大きさの温度スポットが得れるような駆動電流の
設定すると、内径側において読み出し不能になってしま
う。
要な偏光面を得るためには、結局のところ内径側におい
て必要な大きさの温度スポットが得れるような駆動電流
の設定することになる。このため、外径側では必要以上
に大きな温度スポットが形成されて磁化の向きが変化さ
れる領域が大きくなってしまう。このような大きな書き
込み又は消去領域によりトラック間の相互干渉が生じな
いようにするためにトラック間隔を大きく設定すること
が必要になり、結果として記録容量の増大を妨げるもの
となる。逆に、大記憶容量化のために、外径側において
必要な大きさの温度スポットが得れるような駆動電流の
設定すると、内径側において読み出し不能になってしま
う。
【０００６】この発明の目的は、簡単な構成により、記
録の高密度化と高信頼性を実現した光磁気ディスク用Ｌ
Ｄドライバを提供することにある。この発明の前記なら
びにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述お
よび添付図面から明らかになるであろう。
録の高密度化と高信頼性を実現した光磁気ディスク用Ｌ
Ｄドライバを提供することにある。この発明の前記なら
びにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述お
よび添付図面から明らかになるであろう。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記の通りである。すなわち、レーザー光と光磁気ディス
クとの相対的な移動速度に基づて書き込み又は消去に必
要なレーザパワー対応した第１のディジタル信号と、書
き込み又は消去に必要なレーザパワー直前に対応した第
２のディジタル信号とを形成し、これらを第１と第２の
ディジタル／アナログ変換回路より第１と第２のアナロ
グ電圧に変換し、第１と第２のレベルシフト回路により
トランジスタのベース，エミッタ間電圧−コレクタ電流
特性における直線性の良い領域にレベルシフトさせ、か
かるレベルシフトされた第１と第２のアナログ電圧を第
１と第２の出力トランジスタに供給し、それぞれのコレ
クタからレーザーダイオードに供給する駆動電流を出力
するとともに、第１と第２の出力トランジスタのコレク
タに上記レベルシフト電圧に相当するコレクタ電流を供
給する第１と第２の調整電流源を設ける。
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記の通りである。すなわち、レーザー光と光磁気ディス
クとの相対的な移動速度に基づて書き込み又は消去に必
要なレーザパワー対応した第１のディジタル信号と、書
き込み又は消去に必要なレーザパワー直前に対応した第
２のディジタル信号とを形成し、これらを第１と第２の
ディジタル／アナログ変換回路より第１と第２のアナロ
グ電圧に変換し、第１と第２のレベルシフト回路により
トランジスタのベース，エミッタ間電圧−コレクタ電流
特性における直線性の良い領域にレベルシフトさせ、か
かるレベルシフトされた第１と第２のアナログ電圧を第
１と第２の出力トランジスタに供給し、それぞれのコレ
クタからレーザーダイオードに供給する駆動電流を出力
するとともに、第１と第２の出力トランジスタのコレク
タに上記レベルシフト電圧に相当するコレクタ電流を供
給する第１と第２の調整電流源を設ける。
【０００８】
【作用】上記した手段によれば、トラック情報に対応し
て形成されたディジタル信号に対応して直線性のよい駆
動電流を形成することができるから、光磁気ディクス装
置の書き込み消去動作の信頼性と記憶密度の向上を図る
ことができる。
て形成されたディジタル信号に対応して直線性のよい駆
動電流を形成することができるから、光磁気ディクス装
置の書き込み消去動作の信頼性と記憶密度の向上を図る
ことができる。
【０００９】
【実施例】図１には、この発明に係る光磁気ディスク用
ＬＤドライバの一実施例のブロック図が示されている。
同図において、二点鎖線で囲まれた各回路ブロックは、
公知の半導体集積回路の製造技術によって、単結晶シリ
コンのような１個の半導体基板上において形成される。
ＬＤドライバの一実施例のブロック図が示されている。
同図において、二点鎖線で囲まれた各回路ブロックは、
公知の半導体集積回路の製造技術によって、単結晶シリ
コンのような１個の半導体基板上において形成される。
【００１０】この実施例では、レーザー光と光磁気ディ
スクとの相対的な移動速度に基づて書き込み又は消去に
必要なレーザパワー対応した第１のディジタル信号Ｄ１
と、書き込み又は消去に必要なレーザパワー直前に対応
した第２のディジタル信号Ｄ２とを形成し、これらを共
通の入力端子を介して第１と第２のディジタル／アナロ
グ変換回路の入力部に設けられたラッチ回路に時分割に
より供給する。これにより、半導体集積回路装置の外部
端子数を削減するものである。
スクとの相対的な移動速度に基づて書き込み又は消去に
必要なレーザパワー対応した第１のディジタル信号Ｄ１
と、書き込み又は消去に必要なレーザパワー直前に対応
した第２のディジタル信号Ｄ２とを形成し、これらを共
通の入力端子を介して第１と第２のディジタル／アナロ
グ変換回路の入力部に設けられたラッチ回路に時分割に
より供給する。これにより、半導体集積回路装置の外部
端子数を削減するものである。
【００１１】上記ラッチ回路に取り込まれた第１と第２
のディジタル信号Ｄ１／Ｄ２は、それぞれが第１と第２
のディジタル／アナログ変換回路ＤＡＣ１，ＤＡＣ２に
より第１と第２のアナログ電圧ＶＡ１，ＶＡ２に変換さ
れる。このアナログ電圧ＶＡ１とＶＡ２を、前記のよう
に駆動電流を形成する出力トランジスタのベースに供給
すると、出力トランジスタの持つ電圧−電流特性の非直
線性によりディスクの内径側と外径側との書き込みや消
去により向きが反転させられる領域が異なってしまい、
内径側に合わ込むと外径側での磁化反転領域が増大して
記録密度が低下してしまうし、外径側に合わ込むと内径
側での磁化反転領域が読み出しに不足してしまう。
のディジタル信号Ｄ１／Ｄ２は、それぞれが第１と第２
のディジタル／アナログ変換回路ＤＡＣ１，ＤＡＣ２に
より第１と第２のアナログ電圧ＶＡ１，ＶＡ２に変換さ
れる。このアナログ電圧ＶＡ１とＶＡ２を、前記のよう
に駆動電流を形成する出力トランジスタのベースに供給
すると、出力トランジスタの持つ電圧−電流特性の非直
線性によりディスクの内径側と外径側との書き込みや消
去により向きが反転させられる領域が異なってしまい、
内径側に合わ込むと外径側での磁化反転領域が増大して
記録密度が低下してしまうし、外径側に合わ込むと内径
側での磁化反転領域が読み出しに不足してしまう。
【００１２】この実施例では、上記アナログ電圧ＡＶ１
とＡＶ２は、レベルシフト回路ＬＳ１とＬＳ２によりレ
ベルシフトさせられる。つまり、上記アナログ電圧ＡＶ
１とＡＶ２は、アナログ電圧ＡＶ１’とＡＶ２’のよう
にΔＶだけ電圧がレベルシフトされ、ドライバＤＲＶ１
とＤＲＶ２を構成する出力トランジスタの電圧−電流特
性の直線性の良い領域に動作点が移動させられる。
とＡＶ２は、レベルシフト回路ＬＳ１とＬＳ２によりレ
ベルシフトさせられる。つまり、上記アナログ電圧ＡＶ
１とＡＶ２は、アナログ電圧ＡＶ１’とＡＶ２’のよう
にΔＶだけ電圧がレベルシフトされ、ドライバＤＲＶ１
とＤＲＶ２を構成する出力トランジスタの電圧−電流特
性の直線性の良い領域に動作点が移動させられる。
【００１３】上記のようにΔＶだけレベルシフトさせる
と、このΔＶに対応した電流が出力電流ＩＷとＩＰに重
畳させられ、上記第１と第２の入力ディジタル信号に対
応したものにならなくなってしまう。そこで、ドライバ
ＤＲＶ１とＤＲＶ２の出力トランジスタのコレクタに
は、上記ΔＶに対応したコレクタ電流と同じ電流値にさ
れた調整用電流源を設けるようにする。これより、出力
トランジスタは、第１と第２の入力ディジタルが零のと
きでも、レベルシフトであるΔＶに対応した電流を流す
ものとなるが、それぞれのコレクタに上記ΔＶに対応し
た定電流が供給されているから、レーザーダイオードＬ
Ｄに出力される出力電流ＩＷとＩＰには上記レベル電圧
ΔＶに対応した電流は流れず、出力電流ＩＷとＩＰを零
にすることができる。
と、このΔＶに対応した電流が出力電流ＩＷとＩＰに重
畳させられ、上記第１と第２の入力ディジタル信号に対
応したものにならなくなってしまう。そこで、ドライバ
ＤＲＶ１とＤＲＶ２の出力トランジスタのコレクタに
は、上記ΔＶに対応したコレクタ電流と同じ電流値にさ
れた調整用電流源を設けるようにする。これより、出力
トランジスタは、第１と第２の入力ディジタルが零のと
きでも、レベルシフトであるΔＶに対応した電流を流す
ものとなるが、それぞれのコレクタに上記ΔＶに対応し
た定電流が供給されているから、レーザーダイオードＬ
Ｄに出力される出力電流ＩＷとＩＰには上記レベル電圧
ΔＶに対応した電流は流れず、出力電流ＩＷとＩＰを零
にすることができる。
【００１４】このように入力ディジタル信号Ｄ１，Ｄ２
と、レーザーダイオードＬＤに供給される出力電流ＩＷ
とＩＰとが出力トランジスタの電圧−電流特性における
直線性のよい領域を利用して変換されるものであるた
め、ディスクの回転数と選択されたトラックの位置（半
径）により正確に割り出された相対的な移動速度に適合
したＬＤ駆動電流を形成することができる。
と、レーザーダイオードＬＤに供給される出力電流ＩＷ
とＩＰとが出力トランジスタの電圧−電流特性における
直線性のよい領域を利用して変換されるものであるた
め、ディスクの回転数と選択されたトラックの位置（半
径）により正確に割り出された相対的な移動速度に適合
したＬＤ駆動電流を形成することができる。
【００１５】上記２つの出力電流ＩＷとＩＰは、共通の
出力端子から出力されてレーザーダイオードＬＤに供給
される。このレーザーダイオードＬＤには、バイアス電
流ＩＢが供給されており、上記ドライバ側からの出力電
流とバイアス電流ＩＢが駆動電流ＩＬとしてレーザーダ
イオードＬＤに流れるようにされる。
出力端子から出力されてレーザーダイオードＬＤに供給
される。このレーザーダイオードＬＤには、バイアス電
流ＩＢが供給されており、上記ドライバ側からの出力電
流とバイアス電流ＩＢが駆動電流ＩＬとしてレーザーダ
イオードＬＤに流れるようにされる。
【００１６】高周波発生回路ＨＦＲＥＱは、書き込み
（消去）特性を向上を図るものであり、約２５０ＭＨｚ
以上の低振幅の高周波数電圧が結合容量Ｃを介して供給
される。特に制限されないが、レーザーダイオードＬＤ
は、高周波数発生回路ＨＦＲＥＱと一体となったモジュ
ールとし実装されており、レーザーダイオードＬＤの発
熱による温度上昇を抑えるために、レーザーダイオード
ＬＤの一端であるカソード側をケースに接続し、かかる
ケースを接地して放熱板としても利用するものである。
（消去）特性を向上を図るものであり、約２５０ＭＨｚ
以上の低振幅の高周波数電圧が結合容量Ｃを介して供給
される。特に制限されないが、レーザーダイオードＬＤ
は、高周波数発生回路ＨＦＲＥＱと一体となったモジュ
ールとし実装されており、レーザーダイオードＬＤの発
熱による温度上昇を抑えるために、レーザーダイオード
ＬＤの一端であるカソード側をケースに接続し、かかる
ケースを接地して放熱板としても利用するものである。
【００１７】図２には、この発明に係る光磁気ディスク
用ＬＤドライバの書き込み（消去）動作を説明するため
の波形図が示されている。縦軸には駆動電流ＩＬが示さ
れ、横軸には時間が示されている。相対的な移動速度が
遅く内径のトラックにおいては、上記バイアス電流ＩＢ
と、書き込み動作に必要なレーザーパワー直前の電流Ｉ
Ｐ１を供給しておく。つまり、レーザー光はディスクの
記録層に照射されているが、前記磁化の向きを反転させ
るに必要なキュリー温度には達しないレーザーパワーを
準備として出力させる。そして、上記電流ＩＢ＋ＩＰ１
に書き込み電流ＩＷ１を加えてレーザーパワーを上げて
記録層の温度をキュリー温度付近に上げて図示しない補
助磁界の向きで記録磁気媒体の磁化の向きを例えば
“０”から“１”に反転させる。消去のときには、上記
とは磁化の向きを逆にするだけで動作そのものは同じで
ある。このとき、上記のような高周波信号に対応してレ
ーザーパワーが変化し、効率よく記録層の温度を高くす
ることができるものである。
用ＬＤドライバの書き込み（消去）動作を説明するため
の波形図が示されている。縦軸には駆動電流ＩＬが示さ
れ、横軸には時間が示されている。相対的な移動速度が
遅く内径のトラックにおいては、上記バイアス電流ＩＢ
と、書き込み動作に必要なレーザーパワー直前の電流Ｉ
Ｐ１を供給しておく。つまり、レーザー光はディスクの
記録層に照射されているが、前記磁化の向きを反転させ
るに必要なキュリー温度には達しないレーザーパワーを
準備として出力させる。そして、上記電流ＩＢ＋ＩＰ１
に書き込み電流ＩＷ１を加えてレーザーパワーを上げて
記録層の温度をキュリー温度付近に上げて図示しない補
助磁界の向きで記録磁気媒体の磁化の向きを例えば
“０”から“１”に反転させる。消去のときには、上記
とは磁化の向きを逆にするだけで動作そのものは同じで
ある。このとき、上記のような高周波信号に対応してレ
ーザーパワーが変化し、効率よく記録層の温度を高くす
ることができるものである。
【００１８】相対的な移動速度が速くなる外径側のトラ
ックにおいては、上記のようなバイアス電流ＩＢと上記
移動速度に対応して大きくされた書き込み動作に必要な
レーザーパワー直前の電流ＩＰ２を供給しておく。そし
て、上記電流ＩＢ＋ＩＰ２に書き込み電流ＩＷ２を加え
てレーザーパワーを上げて記録層の温度をキュリー温度
付近に上げて図示しない補助磁界の向きに対応させて記
録磁気媒体の磁化の向きを例えば“０”から“１”に反
転させるものである。
ックにおいては、上記のようなバイアス電流ＩＢと上記
移動速度に対応して大きくされた書き込み動作に必要な
レーザーパワー直前の電流ＩＰ２を供給しておく。そし
て、上記電流ＩＢ＋ＩＰ２に書き込み電流ＩＷ２を加え
てレーザーパワーを上げて記録層の温度をキュリー温度
付近に上げて図示しない補助磁界の向きに対応させて記
録磁気媒体の磁化の向きを例えば“０”から“１”に反
転させるものである。
【００１９】ディスク書き込みパターンに示すように、
トラック上にほぼ同じ幅Ｗを持つ反転磁化パターンが発
生するようにするため、上記書き込み電流ＩＷ１、ＩＷ
２はパルス信号とされる。つまり、書き込みパターンに
対応させて書き込み電流ＩＷ１やＩＷ２を流し続ける
と、回転方向とは逆方向に書き込みパターンの幅Ｗが広
がってしまう。このような書き込みパターン幅Ｗの広が
りがあると、トラック間の干渉を避けるためにはトラッ
ク間隔を広げることが必要となって記録密度を低下させ
てしまう。上記のようにパルス電流を流すようにする
と、回転方向とは逆方向に向かって書き込みパターンの
幅Ｗの広がりが抑制されて、ほぼ一定な幅にすることが
できる。
トラック上にほぼ同じ幅Ｗを持つ反転磁化パターンが発
生するようにするため、上記書き込み電流ＩＷ１、ＩＷ
２はパルス信号とされる。つまり、書き込みパターンに
対応させて書き込み電流ＩＷ１やＩＷ２を流し続ける
と、回転方向とは逆方向に書き込みパターンの幅Ｗが広
がってしまう。このような書き込みパターン幅Ｗの広が
りがあると、トラック間の干渉を避けるためにはトラッ
ク間隔を広げることが必要となって記録密度を低下させ
てしまう。上記のようにパルス電流を流すようにする
と、回転方向とは逆方向に向かって書き込みパターンの
幅Ｗの広がりが抑制されて、ほぼ一定な幅にすることが
できる。
【００２０】図３には、この発明に係る光磁気ディスク
用ＬＤドライバの一実施例の回路図が示されている。こ
の実施例では、上記のような電流ＩＷとＩＰに対応した
２組の回路のうち、電流ＩＷに対応したディジタル／ア
ナログ変換回路ＤＡＣ１、レベルシフト回路ＬＳ１、ド
ライバＤＲＶ１が代表として例示的に示されている。電
流ＩＰを形成する他方の回路も、図示の回路と同一とさ
れる。
用ＬＤドライバの一実施例の回路図が示されている。こ
の実施例では、上記のような電流ＩＷとＩＰに対応した
２組の回路のうち、電流ＩＷに対応したディジタル／ア
ナログ変換回路ＤＡＣ１、レベルシフト回路ＬＳ１、ド
ライバＤＲＶ１が代表として例示的に示されている。電
流ＩＰを形成する他方の回路も、図示の回路と同一とさ
れる。
【００２１】図示しないラッチ回路に取り込まれたディ
ジタル信号Ｂ０〜Ｂ７は、８組からなる差動トランジス
タの一方の差動トランジスタのベースに供給される。他
方の差動トランジスタのベースには、ディジタル信号Ｂ
０〜Ｂ７のハイレベル／ロウレベルの判定するための基
準電圧ＶＲ１が共通に供給される。
ジタル信号Ｂ０〜Ｂ７は、８組からなる差動トランジス
タの一方の差動トランジスタのベースに供給される。他
方の差動トランジスタのベースには、ディジタル信号Ｂ
０〜Ｂ７のハイレベル／ロウレベルの判定するための基
準電圧ＶＲ１が共通に供給される。
【００２２】上記８ビットのディジタル信号のうち、下
位５ビットのディジタル信号Ｂ０〜Ｂ４に対応した差動
トランジスタの共通エミッタには、定電圧ＶＲ２を受け
る定電流トランジスタにより同じ定電流が流れるように
される。これらの差動トランジスタのコレクタには、Ｒ
−２Ｒの抵抗ラダー回路が設けられて、５ビット分のデ
ィジタル信号をアナログ電圧に変換させる。
位５ビットのディジタル信号Ｂ０〜Ｂ４に対応した差動
トランジスタの共通エミッタには、定電圧ＶＲ２を受け
る定電流トランジスタにより同じ定電流が流れるように
される。これらの差動トランジスタのコレクタには、Ｒ
−２Ｒの抵抗ラダー回路が設けられて、５ビット分のデ
ィジタル信号をアナログ電圧に変換させる。
【００２３】上位３ビットのディジタル信号Ｂ５〜Ｂ７
は、上記同様な差動トランジスタに供給される。ただ
し、ディジタル信号Ｂ５に対応した差動トランジスタの
共通エミッタには、Ｒ／２の抵抗が設けられることによ
り、２倍の定電流が流れるようにされる。同図では省略
されているディジタルＢ６に対応した差動トランジスタ
の共通エミッタには、Ｒ／４の抵抗が設けられて４倍の
定電流が流れるようにされ、ディジタル信号Ｂ７に対応
した差動トランジスタの共通エミッタには、Ｒ／８の抵
抗が設けられて８倍の定電流が流れるようにされる。こ
のように定電流にディジタル信号Ｂ５〜Ｂ７に対応した
電流の重みを付けることにより、簡単な構成により８ビ
ットのディジタル／アナログ変換動作を行うようにする
ことができる。
は、上記同様な差動トランジスタに供給される。ただ
し、ディジタル信号Ｂ５に対応した差動トランジスタの
共通エミッタには、Ｒ／２の抵抗が設けられることによ
り、２倍の定電流が流れるようにされる。同図では省略
されているディジタルＢ６に対応した差動トランジスタ
の共通エミッタには、Ｒ／４の抵抗が設けられて４倍の
定電流が流れるようにされ、ディジタル信号Ｂ７に対応
した差動トランジスタの共通エミッタには、Ｒ／８の抵
抗が設けられて８倍の定電流が流れるようにされる。こ
のように定電流にディジタル信号Ｂ５〜Ｂ７に対応した
電流の重みを付けることにより、簡単な構成により８ビ
ットのディジタル／アナログ変換動作を行うようにする
ことができる。
【００２４】ディジタル／アナログ変換回路ＤＡＣ１に
より形成されたアナログ電圧ＶＡ１は、トランジスタＱ
１〜Ｑ３と、抵抗及びダイオード等からなるレベルシフ
ト回路によりレベルシフトされる。上記アナログ電圧Ｖ
Ａ１は、エミッタフォロワトランジスタＱ１と、そのエ
ミッタに設けられたダイオードと抵抗により分圧されて
トランジスタＱ２のベースに供給され、そのコレクタ出
力がエミッタフォロワトランジスタＱ４を通して出力さ
れる。上記分圧比とトランジスタＱ２により増幅動作と
エミッタフォロワトランジスタによるレベルシフトとに
より、電圧−電流変換動作を行う出力トランジスタＱ
６，Ｑ７が直線性の良い領域で動作するようにレベルシ
フトされる。
より形成されたアナログ電圧ＶＡ１は、トランジスタＱ
１〜Ｑ３と、抵抗及びダイオード等からなるレベルシフ
ト回路によりレベルシフトされる。上記アナログ電圧Ｖ
Ａ１は、エミッタフォロワトランジスタＱ１と、そのエ
ミッタに設けられたダイオードと抵抗により分圧されて
トランジスタＱ２のベースに供給され、そのコレクタ出
力がエミッタフォロワトランジスタＱ４を通して出力さ
れる。上記分圧比とトランジスタＱ２により増幅動作と
エミッタフォロワトランジスタによるレベルシフトとに
より、電圧−電流変換動作を行う出力トランジスタＱ
６，Ｑ７が直線性の良い領域で動作するようにレベルシ
フトされる。
【００２５】特に制限されないが、ディジタル信号Ｂ０
〜Ｂ７が全てロウレベルのときのレベルシフト電圧ＶＡ
１’が約０．９Ｖになるようにされる。すなわち、図６
に示したようなベース，エミッタ間電圧ＶＢＥに対する
コレクタ電流ＩＣの電圧−電流特性のうち、直線性のよ
い領域Ａ−Ｂの部分でトランジスタが動作するようにす
る。このような領域を用いることより、電流ＩＷ１と電
流ＩＷ２とは、ディジタル信号に対応した直線性のよい
電流に設定できる。特に制限されないが、上記動作点Ａ
に対応した電圧ＶＳＡは、上記のような約０．９Ｖ程度
にされる。このような電圧ＶＳＡをトランジスタＱ６，
Ｑ７のベースに供給したのでは、ディジタル信号Ｂ０〜
Ｂ７が全てロウレベルときでも、それに対応した電流Ｉ
ｐが流れてしまう。
〜Ｂ７が全てロウレベルのときのレベルシフト電圧ＶＡ
１’が約０．９Ｖになるようにされる。すなわち、図６
に示したようなベース，エミッタ間電圧ＶＢＥに対する
コレクタ電流ＩＣの電圧−電流特性のうち、直線性のよ
い領域Ａ−Ｂの部分でトランジスタが動作するようにす
る。このような領域を用いることより、電流ＩＷ１と電
流ＩＷ２とは、ディジタル信号に対応した直線性のよい
電流に設定できる。特に制限されないが、上記動作点Ａ
に対応した電圧ＶＳＡは、上記のような約０．９Ｖ程度
にされる。このような電圧ＶＳＡをトランジスタＱ６，
Ｑ７のベースに供給したのでは、ディジタル信号Ｂ０〜
Ｂ７が全てロウレベルときでも、それに対応した電流Ｉ
ｐが流れてしまう。
【００２６】そこで、電流調整回路Ｃ１が設けられる。
この電流調整回路Ｃ１は、上記電圧ＶＳＡに対応した電
流Ｉｐと等しい定電流を形成して、トランジスタＱ６の
コレクタに供給するものである。出力トランジスタＱ７
にも上記同様な電流調整回路が設けられて同様な電流Ｉ
ｐがコレクタから供給される。電流調整回路Ｃ１は、ダ
イオードＤ３，Ｄ４と抵抗Ｒ２とＲ３により電源電圧Ｖ
ＣＣを分圧し、ＰＮＰトランジスタＱ４のベースに供給
する。このトランジスタＱ４のエミッタを外部端子Ｐ１
に接続し、外部に電流調整用の抵抗Ｒ４を設ける。上記
トランジスタＱ４で形成された調整電流は、ＮＰＮトラ
ンジスタＱ５を通して出力される。
この電流調整回路Ｃ１は、上記電圧ＶＳＡに対応した電
流Ｉｐと等しい定電流を形成して、トランジスタＱ６の
コレクタに供給するものである。出力トランジスタＱ７
にも上記同様な電流調整回路が設けられて同様な電流Ｉ
ｐがコレクタから供給される。電流調整回路Ｃ１は、ダ
イオードＤ３，Ｄ４と抵抗Ｒ２とＲ３により電源電圧Ｖ
ＣＣを分圧し、ＰＮＰトランジスタＱ４のベースに供給
する。このトランジスタＱ４のエミッタを外部端子Ｐ１
に接続し、外部に電流調整用の抵抗Ｒ４を設ける。上記
トランジスタＱ４で形成された調整電流は、ＮＰＮトラ
ンジスタＱ５を通して出力される。
【００２７】上記レベルシフト回路ＬＳ１によりレベル
シフトされた電圧は、素子のプロセスバラツキにより区
々となる。同様に、出力トランジスタＱ６，Ｑ７もプロ
セスバラツキを受けるものとなる。それ故、これらのプ
ロセスバラツキを全て吸収するように、外部端子を介し
て調整用の抵抗を接続するものである。つまり、入力デ
ィジタル信号Ｂ０〜Ｂ７を全てロウレベルにした状態
で、出力端子Ｐ２の電流が零になるように抵抗Ｒ４の抵
抗値を選ぶようにする。このような外部抵抗Ｒ４によ
り、上記のようなレベルシフト回路や出力トランジスタ
のプロセスバラツキを補償させることができる。
シフトされた電圧は、素子のプロセスバラツキにより区
々となる。同様に、出力トランジスタＱ６，Ｑ７もプロ
セスバラツキを受けるものとなる。それ故、これらのプ
ロセスバラツキを全て吸収するように、外部端子を介し
て調整用の抵抗を接続するものである。つまり、入力デ
ィジタル信号Ｂ０〜Ｂ７を全てロウレベルにした状態
で、出力端子Ｐ２の電流が零になるように抵抗Ｒ４の抵
抗値を選ぶようにする。このような外部抵抗Ｒ４によ
り、上記のようなレベルシフト回路や出力トランジスタ
のプロセスバラツキを補償させることができる。
【００２８】この実施例では、前記のように書き込み電
流ＩＷをパルス電流にするために、トランジスタＱ６に
より形成された出力電流は、ＰＮＰトランジスタＱ８と
Ｑ９からなる電流ミラー回路を通して出力させる。上記
出力側のトランジスタＱ９にのコレクタには、ＮＰＮ型
の一方の差動トランジスタのコレクタが接続される。こ
の他方の差動トランジスタのコレクタは、電源電圧ＶＣ
Ｃに接続される。そして、上記差動トランジスタの共通
化されたエミッタには、出力トランジスタＱ７のコレク
タが接続される。
流ＩＷをパルス電流にするために、トランジスタＱ６に
より形成された出力電流は、ＰＮＰトランジスタＱ８と
Ｑ９からなる電流ミラー回路を通して出力させる。上記
出力側のトランジスタＱ９にのコレクタには、ＮＰＮ型
の一方の差動トランジスタのコレクタが接続される。こ
の他方の差動トランジスタのコレクタは、電源電圧ＶＣ
Ｃに接続される。そして、上記差動トランジスタの共通
化されたエミッタには、出力トランジスタＱ７のコレク
タが接続される。
【００２９】上記差動トランジスタのベースには、パル
ス信号ＳＰと／ＳＰが供給される。パルス信号ＳＰがハ
イレベルで／ＳＰがロウレベルときには、出力トランジ
スタＱ７で形成された出力電流は、電源電圧ＶＣＣに流
れるようにされる。それ故、出力トランジスタＱ６のコ
レクタ電流が、上記電流ミラー回路を介して書き込み電
流ＩＷとして出力される。パルス信号ＳＰがロウレベル
で／ＳＰがハイレベルときには、出力トランジスタＱ７
で形成された出力電流が電流ミラー回路の出力トランジ
スタＱ９から出力される電流を吸収するように流れる。
それ故、書き込み電流ＩＷは出力されなくなる。
ス信号ＳＰと／ＳＰが供給される。パルス信号ＳＰがハ
イレベルで／ＳＰがロウレベルときには、出力トランジ
スタＱ７で形成された出力電流は、電源電圧ＶＣＣに流
れるようにされる。それ故、出力トランジスタＱ６のコ
レクタ電流が、上記電流ミラー回路を介して書き込み電
流ＩＷとして出力される。パルス信号ＳＰがロウレベル
で／ＳＰがハイレベルときには、出力トランジスタＱ７
で形成された出力電流が電流ミラー回路の出力トランジ
スタＱ９から出力される電流を吸収するように流れる。
それ故、書き込み電流ＩＷは出力されなくなる。
【００３０】電流ＩＰを形成するためのディジタル／ア
ナログ変換回路ＤＡＣ２やレベルシフト回路ＬＳ２及び
電流調整回路Ｃ２は、同図の回路ＤＡＣ１，ＬＳ１及び
Ｃ１と同じ回路にされる。ただし、電流ＩＰを形成する
ドライバＤＲＶ２は、書き込み電流ＩＷのようにスイッ
チング電流にする必要がないから、同図のトランジスタ
Ｑ７やそのコレクタに設けられた差動トランジスタが省
略され、出力トランジスタＱ６と、そのコレクタに設け
られた電流ミラー回路から構成される。
ナログ変換回路ＤＡＣ２やレベルシフト回路ＬＳ２及び
電流調整回路Ｃ２は、同図の回路ＤＡＣ１，ＬＳ１及び
Ｃ１と同じ回路にされる。ただし、電流ＩＰを形成する
ドライバＤＲＶ２は、書き込み電流ＩＷのようにスイッ
チング電流にする必要がないから、同図のトランジスタ
Ｑ７やそのコレクタに設けられた差動トランジスタが省
略され、出力トランジスタＱ６と、そのコレクタに設け
られた電流ミラー回路から構成される。
【００３１】出力端子Ｐ２には、上記電流ＩＷとＩＰと
が合成されて逆流防止のためのダイオードＤ５を通して
外部端子Ｐ２から出力される。この出力端子Ｐ２には、
前記のようにバイアス電流源によりバイアス電流ＩＢが
流れるようにされたレーザーダイオードＬＤが設けられ
ている。なお、同図においては、前記高周波発生回路は
省略されている。
が合成されて逆流防止のためのダイオードＤ５を通して
外部端子Ｐ２から出力される。この出力端子Ｐ２には、
前記のようにバイアス電流源によりバイアス電流ＩＢが
流れるようにされたレーザーダイオードＬＤが設けられ
ている。なお、同図においては、前記高周波発生回路は
省略されている。
【００３２】電流調整回路Ｃ１において、調整電流Ｉｐ
を形成する抵抗Ｒ４は、半導体集積回路装置ＬＳＩの内
部に形成してもよい。ただし、前記のような素子のプロ
セスバラツキを補償するために、トリミング抵抗素子が
利用される。例えば、複数通りの抵抗値が設定可能に形
成しておいて、レーザートリミングにより抵抗を調整す
るもの、あるいはヒューズの選択的な切断により抵抗値
を調整するものであってもよい。この場合に用いられる
ヒューズとしては、電流により切断するものあるいはレ
ーザー照射により切断するようにするものであってもよ
い。
を形成する抵抗Ｒ４は、半導体集積回路装置ＬＳＩの内
部に形成してもよい。ただし、前記のような素子のプロ
セスバラツキを補償するために、トリミング抵抗素子が
利用される。例えば、複数通りの抵抗値が設定可能に形
成しておいて、レーザートリミングにより抵抗を調整す
るもの、あるいはヒューズの選択的な切断により抵抗値
を調整するものであってもよい。この場合に用いられる
ヒューズとしては、電流により切断するものあるいはレ
ーザー照射により切断するようにするものであってもよ
い。
【００３３】図４には、この発明が適用される光磁気デ
ィスク装置の一実施例の概略模式図が示されている。
（Ｂ）に示すように、光学ヘッドはリニヤ・アクチュエ
ータで駆動し、目標とする情報トラックにランダ・アク
セスする。ディスクは、特に制限されないが、直径３０
Ｃｍとされる。このように、ディスクの直径が比較的大
きいために、内径側と外径側との相対的な移動速度が大
きく異なり、それに対応して前記電流ＩＰとＩＷの設定
幅を広範囲にわたって設定される必要がある。
ィスク装置の一実施例の概略模式図が示されている。
（Ｂ）に示すように、光学ヘッドはリニヤ・アクチュエ
ータで駆動し、目標とする情報トラックにランダ・アク
セスする。ディスクは、特に制限されないが、直径３０
Ｃｍとされる。このように、ディスクの直径が比較的大
きいために、内径側と外径側との相対的な移動速度が大
きく異なり、それに対応して前記電流ＩＰとＩＷの設定
幅を広範囲にわたって設定される必要がある。
【００３４】ディスクは、ガラス基板上に形成された記
録面を内側に封じ込める形に２枚の基板を張り合わせ
た、いわゆるエア・サンドイッチ構造とされる。ディス
クの記録面上には、（Ｂ）に示すようにトラック案内溝
があらかじめ形成されている。記録膜は、Ｐｂ−Ｔｅ−
Ｓｅ系材料からなり、厚さは約３０ｎｍとされる。案内
溝はスパイラル状態で、トラックの一周は６４セクタに
分割される。各セクタの先頭にはアドレス信号が予め凸
凹のピットの形で形成されせており、セクタ単位の検索
を可能としている。
録面を内側に封じ込める形に２枚の基板を張り合わせ
た、いわゆるエア・サンドイッチ構造とされる。ディス
クの記録面上には、（Ｂ）に示すようにトラック案内溝
があらかじめ形成されている。記録膜は、Ｐｂ−Ｔｅ−
Ｓｅ系材料からなり、厚さは約３０ｎｍとされる。案内
溝はスパイラル状態で、トラックの一周は６４セクタに
分割される。各セクタの先頭にはアドレス信号が予め凸
凹のピットの形で形成されせており、セクタ単位の検索
を可能としている。
【００３５】光学ヘッドは記録再生系、焦点信号検出
系、トラッキング信号検出系からなる。記録再生は１個
の半導体レーザー（レーザーダイオード）で行われる。
同図では、省略されているが、光学ヘッドの反対側に
は、補助磁界用コイルが設けられる。つまり、上記半導
体レーザーにより、記録膜の温度をキュリー温度付近に
上げて、上記補助磁界のにより磁界の向きを設定して書
き込み又は消去を行うようにするものである。上記半導
体レーザーを駆動するドライバは、上記のようなアドレ
ス信号を解読して形成されたディジタル信号により、最
適な電流ＩＰとＩＷを形成して、書き込み（消去動作）
を行う。また、読み出し動作のとには、電流ＩＰ又はそ
れより小さな磁化の向きの検出に必要な電流を流すよう
にするものである。
系、トラッキング信号検出系からなる。記録再生は１個
の半導体レーザー（レーザーダイオード）で行われる。
同図では、省略されているが、光学ヘッドの反対側に
は、補助磁界用コイルが設けられる。つまり、上記半導
体レーザーにより、記録膜の温度をキュリー温度付近に
上げて、上記補助磁界のにより磁界の向きを設定して書
き込み又は消去を行うようにするものである。上記半導
体レーザーを駆動するドライバは、上記のようなアドレ
ス信号を解読して形成されたディジタル信号により、最
適な電流ＩＰとＩＷを形成して、書き込み（消去動作）
を行う。また、読み出し動作のとには、電流ＩＰ又はそ
れより小さな磁化の向きの検出に必要な電流を流すよう
にするものである。
【００３６】図５には、この発明が適用される光磁気デ
ィスクの書き換え動作を説明するための動作原理図が示
されている。レーザー光の照射により記録面の温度をキ
ュリー温度付近に高くしておいて、補助磁界用コイルに
より上向に磁界を供給すると、磁化の向きがその部分だ
け反転して、記録後のようにされる。消去動作は、上記
同様にレーザー光の照射により記録面の温度をキュリー
温度付近に高くしておいて、補助磁界用コイルにより元
の下向に磁界を供給することにより、その部分をもとの
状態に反転させることにより消去後のように全てが同じ
向きにされる。
ィスクの書き換え動作を説明するための動作原理図が示
されている。レーザー光の照射により記録面の温度をキ
ュリー温度付近に高くしておいて、補助磁界用コイルに
より上向に磁界を供給すると、磁化の向きがその部分だ
け反転して、記録後のようにされる。消去動作は、上記
同様にレーザー光の照射により記録面の温度をキュリー
温度付近に高くしておいて、補助磁界用コイルにより元
の下向に磁界を供給することにより、その部分をもとの
状態に反転させることにより消去後のように全てが同じ
向きにされる。
【００３７】上記の実施例から得られる作用効果は、下
記の通りである。すなわち、 （１） レーザー光と光磁気ディスクとの相対的な移動
速度に基づて書き込み又は消去に必要なレーザパワー対
応した第１のディジタル信号と書き込み又は消去に必要
なレーザパワー直前に対応した第２のディジタル信号と
を形成し、これらを第１と第２のディジタル／アナログ
変換回路より第１と第２のアナログ電圧に変換し、第１
と第２のレベルシフト回路によりトランジスタのベー
ス，エミッタ間電圧−コレクタ電流特性における直線性
の良い領域にレベルシフトさせ、かかるレベルシフトさ
れた第１と第２のアナログ電圧を第１と第２の出力トラ
ンジスタに供給し、それぞれのコレクタからレーザーダ
イオードに供給する駆動電流を出力するとともに、第１
と第２の出力トランジスタのコレクタに上記レベルシフ
ト電圧に相当するコレクタ電流を供給する第１と第２の
調整電流源を設ける。この構成により、トラック情報に
基づいて形成されたディジタル信号に対応して直線性の
よい駆動電流を形成することができるから、光磁気ディ
スク装置の信頼性と記憶密度の向上を図ることができる
という効果が得られる。
記の通りである。すなわち、 （１） レーザー光と光磁気ディスクとの相対的な移動
速度に基づて書き込み又は消去に必要なレーザパワー対
応した第１のディジタル信号と書き込み又は消去に必要
なレーザパワー直前に対応した第２のディジタル信号と
を形成し、これらを第１と第２のディジタル／アナログ
変換回路より第１と第２のアナログ電圧に変換し、第１
と第２のレベルシフト回路によりトランジスタのベー
ス，エミッタ間電圧−コレクタ電流特性における直線性
の良い領域にレベルシフトさせ、かかるレベルシフトさ
れた第１と第２のアナログ電圧を第１と第２の出力トラ
ンジスタに供給し、それぞれのコレクタからレーザーダ
イオードに供給する駆動電流を出力するとともに、第１
と第２の出力トランジスタのコレクタに上記レベルシフ
ト電圧に相当するコレクタ電流を供給する第１と第２の
調整電流源を設ける。この構成により、トラック情報に
基づいて形成されたディジタル信号に対応して直線性の
よい駆動電流を形成することができるから、光磁気ディ
スク装置の信頼性と記憶密度の向上を図ることができる
という効果が得られる。
【００３８】（２） 上記第１の出力トランジスタのコ
レクタ電流を差動トランジスタによる電流切り替えスイ
ッチにより切り替えられて形成されたパルス電流とする
ことにより、ディスクの記録面の変化させられる磁化パ
ターンの幅を均一にすることができるという効果が得ら
れる。
レクタ電流を差動トランジスタによる電流切り替えスイ
ッチにより切り替えられて形成されたパルス電流とする
ことにより、ディスクの記録面の変化させられる磁化パ
ターンの幅を均一にすることができるという効果が得ら
れる。
【００３９】（３） 上記各回路は半導体集積回路装置
に形成され、第１と第２のディジタル／アナログ変換回
路の入力部にラッチ回路が設けられ、かかるラッチ回路
に対して共通化された入力端子から入力ディジタル信号
が時分割方式により供給することにより、回路の簡素化
を図ることができるという効果が得られる。
に形成され、第１と第２のディジタル／アナログ変換回
路の入力部にラッチ回路が設けられ、かかるラッチ回路
に対して共通化された入力端子から入力ディジタル信号
が時分割方式により供給することにより、回路の簡素化
を図ることができるという効果が得られる。
【００４０】（４） 上記第１と第２の調整電流源を外
部端子を介して接続される抵抗素子により電流設定可能
にすることにより、レベルシフト回路と出力トランジス
タのプロセスバラツキを簡単に補償することができると
いう効果が得られる。
部端子を介して接続される抵抗素子により電流設定可能
にすることにより、レベルシフト回路と出力トランジス
タのプロセスバラツキを簡単に補償することができると
いう効果が得られる。
【００４１】以上本発明者よりなされた発明を実施例に
基づき具体的に説明したが、本願発明は前記実施例に限
定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種
々変更可能であることはいうまでもない。例えば、出力
トランジスタのコレクタ電流をそのままレーザーダイオ
ードＬＤに流すようにしてもよい。すなわち、レーザー
ダイオードＬＤのアノード側を電源電圧ＶＣＣに接続
し、カソード側にバイアス電流源や上記ドライバにより
駆動される電流を流すようにすればよい。
基づき具体的に説明したが、本願発明は前記実施例に限
定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種
々変更可能であることはいうまでもない。例えば、出力
トランジスタのコレクタ電流をそのままレーザーダイオ
ードＬＤに流すようにしてもよい。すなわち、レーザー
ダイオードＬＤのアノード側を電源電圧ＶＣＣに接続
し、カソード側にバイアス電流源や上記ドライバにより
駆動される電流を流すようにすればよい。
【００４２】ディジタル／アナログ変換回路は、ディジ
タル信号をアナログ電圧に変換できるものであれば何で
あってもよい。同様にレベルシフト回路においても、デ
ィジタル信号が全て“０”のときのアナログ電圧が、電
圧−電流変換動作を行う出力トランジスタの直線性の良
好な部分にシフトされていればよい。そして、このとき
のアナログ電圧により出力トランジスタに流れるコレク
タ電流と同じ電流を形成して、出力トランジスタのコレ
クタから流し込む調整電流回路の構成も種々の実施形態
を採ることかできるものである。この発明は、光変調型
の光磁気ディスク用ＬＤドライバとして広く利用できる
ものである。
タル信号をアナログ電圧に変換できるものであれば何で
あってもよい。同様にレベルシフト回路においても、デ
ィジタル信号が全て“０”のときのアナログ電圧が、電
圧−電流変換動作を行う出力トランジスタの直線性の良
好な部分にシフトされていればよい。そして、このとき
のアナログ電圧により出力トランジスタに流れるコレク
タ電流と同じ電流を形成して、出力トランジスタのコレ
クタから流し込む調整電流回路の構成も種々の実施形態
を採ることかできるものである。この発明は、光変調型
の光磁気ディスク用ＬＤドライバとして広く利用できる
ものである。
【００４３】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。すなわち、レーザー光と光磁気ディス
クとの相対的な移動速度に基づて書き込み又は消去に必
要なレーザパワー対応した第１のディジタル信号と書き
込み又は消去に必要なレーザパワー直前に対応した第２
のディジタル信号とを形成し、これらを第１と第２のデ
ィジタル／アナログ変換回路より第１と第２のアナログ
電圧に変換し、第１と第２のレベルシフト回路によりト
ランジスタのベース，エミッタ間電圧−コレクタ電流特
性における直線性の良い領域にレベルシフトさせ、かか
るレベルシフトされた第１と第２のアナログ電圧を第１
と第２の出力トランジスタに供給し、それぞれのコレク
タからレーザーダイオードに供給する駆動電流を出力す
るとともに、第１と第２の出力トランジスタのコレクタ
に上記レベルシフト電圧に相当するコレクタ電流を供給
する第１と第２の調整電流源を設ける。この構成によ
り、トラック情報に基づいて形成されたディジタル信号
に対応して直線性のよい駆動電流を形成することができ
るから、光磁気ディスク装置の信頼性と記憶密度の向上
を図ることができる。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。すなわち、レーザー光と光磁気ディス
クとの相対的な移動速度に基づて書き込み又は消去に必
要なレーザパワー対応した第１のディジタル信号と書き
込み又は消去に必要なレーザパワー直前に対応した第２
のディジタル信号とを形成し、これらを第１と第２のデ
ィジタル／アナログ変換回路より第１と第２のアナログ
電圧に変換し、第１と第２のレベルシフト回路によりト
ランジスタのベース，エミッタ間電圧−コレクタ電流特
性における直線性の良い領域にレベルシフトさせ、かか
るレベルシフトされた第１と第２のアナログ電圧を第１
と第２の出力トランジスタに供給し、それぞれのコレク
タからレーザーダイオードに供給する駆動電流を出力す
るとともに、第１と第２の出力トランジスタのコレクタ
に上記レベルシフト電圧に相当するコレクタ電流を供給
する第１と第２の調整電流源を設ける。この構成によ
り、トラック情報に基づいて形成されたディジタル信号
に対応して直線性のよい駆動電流を形成することができ
るから、光磁気ディスク装置の信頼性と記憶密度の向上
を図ることができる。
【００４４】上記第１の出力トランジスタのコレクタ電
流を差動トランジスタによる電流切り替えスイッチによ
り切り替えられて形成されたパルス電流とすることによ
り、ディスクの記録面の変化させられる磁化パターンの
幅を均一にすることができる。
流を差動トランジスタによる電流切り替えスイッチによ
り切り替えられて形成されたパルス電流とすることによ
り、ディスクの記録面の変化させられる磁化パターンの
幅を均一にすることができる。
【００４５】上記各回路は半導体集積回路装置に形成さ
れ、第１と第２のディジタル／アナログ変換回路の入力
部にラッチ回路が設けられ、かかるラッチ回路に対して
共通化された入力端子から入力ディジタル信号が時分割
方式により供給することにより、回路の簡素化を図るこ
とができる。
れ、第１と第２のディジタル／アナログ変換回路の入力
部にラッチ回路が設けられ、かかるラッチ回路に対して
共通化された入力端子から入力ディジタル信号が時分割
方式により供給することにより、回路の簡素化を図るこ
とができる。
【００４６】上記第１と第２の調整電流源を外部端子を
介して接続される抵抗素子により電流設定可能にするこ
とにより、レベルシフト回路と出力トランジスタのプロ
セスバラツキを簡単に補償することができる。
介して接続される抵抗素子により電流設定可能にするこ
とにより、レベルシフト回路と出力トランジスタのプロ
セスバラツキを簡単に補償することができる。
【図１】この発明に係る光磁気ディスク用ＬＤドライバ
の一実施例を示すブロック図である。
の一実施例を示すブロック図である。
【図２】この発明に係る光磁気ディスク用ＬＤドライバ
の書き込み（消去）動作を説明するための波形図であ
る。
の書き込み（消去）動作を説明するための波形図であ
る。
【図３】この発明に係る光磁気ディスク用ＬＤドライバ
の一実施例を示す回路図である。
の一実施例を示す回路図である。
【図４】この発明が適用される光磁気ディスク装置の一
実施例を示す概略模式図である。
実施例を示す概略模式図である。
【図５】この発明が適用される光磁気ディスクの書き換
え動作を説明するための動作原理図である。
え動作を説明するための動作原理図である。
【図６】この発明を説明するための電圧−電流変換動作
を行う出力トランジスタの特性図である。
を行う出力トランジスタの特性図である。
ＤＡＣ１，ＤＡＣ２…ディジタル／アナログ変換回路、
ＬＳ１，ＬＳ２…レベルシフト回路、ＤＲＶ１，ＤＲＶ
２…ドライバ、ＬＤ…レーザーダイオード、Ｃ…キャパ
シタ、ＨＦＲＥＱ…高周波発生回路、Ｑ１〜Ｑ９…トラ
ンジスタ、Ｒ１〜Ｒ５…抵抗、Ｄ１〜Ｄ５…ダイオー
ド、ＬＳＩ…半導体集積回路。
ＬＳ１，ＬＳ２…レベルシフト回路、ＤＲＶ１，ＤＲＶ
２…ドライバ、ＬＤ…レーザーダイオード、Ｃ…キャパ
シタ、ＨＦＲＥＱ…高周波発生回路、Ｑ１〜Ｑ９…トラ
ンジスタ、Ｒ１〜Ｒ５…抵抗、Ｄ１〜Ｄ５…ダイオー
ド、ＬＳＩ…半導体集積回路。
Claims (4)
- 【請求項１】 レーザー光と光磁気ディスクとの相対的
な移動速度に基づて形成され、書き込み又は消去に必要
なレーザパワー対応した第１のディジタル信号を第１の
アナログ電圧に変換する第１のディジタル／アナログ変
換回路と、上記第１のアナログ電圧をトランジスタのベ
ース，エミッタ間電圧−コレクタ電流特性における直線
性の良い領域にレベルシフトする第１のレベルシフト回
路と、かかるレベルシフトされた第１のアナログ電圧を
受けて、そのコレクタからレーザーダイオードに供給す
る駆動電流を出力する第１の出力トランジスタと、かか
る第１の出力トランジスタのコレクタに設けられ、上記
レベルシフト電圧に相当するコレクタ電流を供給する第
１調整電流源と、上記相対的な移動速度に基づて形成さ
れ、書き込み又は消去に必要なレーザパワー直前に対応
した第２のディジタル信号を第２のアナログ電圧に変換
する第２のディジタル／アナログ変換回路と、上記第２
のアナログ電圧をトランジスタのベース，エミッタ間電
圧−コレクタ電流特性における直線性の良い領域にレベ
ルシフトする第２のレベルシフト回路と、かかるレベル
シフトされた第２のアナログ電圧を受けて、そのコレク
タからレーザーダイオードに供給する駆動電流を出力す
る第２の出力トランジスタと、かかる第２の出力トラン
ジスタのコレクタに設けられ、上記レベルシフト電圧に
相当するコレクタ電流を供給する第２調整電流源と備え
てなることを特徴とする光磁気ディスク用ＬＤドライ
バ。 - 【請求項２】 上記第１の出力トランジスタのコレクタ
電流は、差動トランジスタによる電流切り替えスイッチ
が設けられ、かかる差動トランジスタのベースに供給さ
れたパルス信号に対応して形成されたパルス電流がレー
ザーダイオードに供給されるものであることを特徴とす
る請求項１の光磁気ディスク用ＬＤドライバ。 - 【請求項３】 上記各回路は半導体集積回路装置に形成
され、第１と第２のディジタル／アナログ変換回路の入
力部にラッチ回路が設けられ、かかるラッチ回路に対し
て共通化された入力端子から入力ディジタル信号が時分
割方式により供給されるものであることを特徴とする請
求項１又は請求項２の光磁気ディスク用ＬＤドライバ。 - 【請求項４】 上記第１と第２の調整電流源は、外部端
子を介して接続される抵抗素子によりレベルシフト回路
と出力トランジスタのプロセスバラツキを補償するよう
な電流調整が行われるものであることを特徴とする請求
項３の光磁気ディスク用ＬＤドライバ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6169049A JPH0817088A (ja) | 1994-06-28 | 1994-06-28 | 光磁気ディスク用ｌｄドライバ |
| US08/492,617 US5859862A (en) | 1994-06-28 | 1995-06-20 | Optical recording/reproducing apparatus having laser diode driver capable of a linear operation responsive to an input signal representative of a laser beam power varying depending on a magneto-optical disk-laser beam spot relative speed |
| KR1019950017067A KR960002265A (ko) | 1994-06-28 | 1995-06-23 | 광자기디스크용 ld드라이버 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6169049A JPH0817088A (ja) | 1994-06-28 | 1994-06-28 | 光磁気ディスク用ｌｄドライバ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0817088A true JPH0817088A (ja) | 1996-01-19 |
Family
ID=15879385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6169049A Pending JPH0817088A (ja) | 1994-06-28 | 1994-06-28 | 光磁気ディスク用ｌｄドライバ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5859862A (ja) |
| JP (1) | JPH0817088A (ja) |
| KR (1) | KR960002265A (ja) |
Families Citing this family (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5946334A (en) * | 1996-03-27 | 1999-08-31 | Ricoh Company, Inc. | Semiconductor laser control system |
| US6061372A (en) * | 1997-06-30 | 2000-05-09 | Polaroid Corporation | Two-level semiconductor laser driver |
| TW473984B (en) | 1999-08-19 | 2002-01-21 | Toshiba Corp | Laser driving circuit and reproducing device using the same |
| KR20010025179A (ko) * | 2000-09-04 | 2001-04-06 | 김영우 | 유기성 폐기물을 먹이로 양식한 지렁이와 배설물인분변토에 함유되어있는 중금속의 제거방법 |
| US7173551B2 (en) * | 2000-12-21 | 2007-02-06 | Quellan, Inc. | Increasing data throughput in optical fiber transmission systems |
| JP3724377B2 (ja) * | 2001-03-01 | 2005-12-07 | ソニー株式会社 | レーザ駆動方法及び装置、並びに記録再生装置及び方法 |
| US7307569B2 (en) * | 2001-03-29 | 2007-12-11 | Quellan, Inc. | Increasing data throughput in optical fiber transmission systems |
| US7149256B2 (en) * | 2001-03-29 | 2006-12-12 | Quellan, Inc. | Multilevel pulse position modulation for efficient fiber optic communication |
| EP1384338B1 (en) * | 2001-04-04 | 2010-12-15 | Quellan, Inc. | Method and system for decoding multilevel signals |
| US6560258B1 (en) | 2001-04-17 | 2003-05-06 | Analog Devices, Inc. | Direct-coupled laser diode driver structures and methods |
| AU2003211094A1 (en) * | 2002-02-15 | 2003-09-09 | Quellan, Inc. | Multi-level signal clock recovery technique |
| WO2003077423A2 (en) * | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Quellan, Inc. | High speed analog-to-digital converter using a unique gray code having minimal bit transitions |
| AU2003223687A1 (en) * | 2002-04-23 | 2003-11-10 | Quellan, Inc. | Combined ask/dpsk modulation system |
| JP2004013681A (ja) * | 2002-06-10 | 2004-01-15 | Bosu & K Consulting Kk | 名刺情報管理システム |
| AU2003256569A1 (en) * | 2002-07-15 | 2004-02-02 | Quellan, Inc. | Adaptive noise filtering and equalization |
| AU2003287628A1 (en) | 2002-11-12 | 2004-06-03 | Quellan, Inc. | High-speed analog-to-digital conversion with improved robustness to timing uncertainty |
| GB2421674B (en) * | 2003-08-07 | 2006-11-15 | Quellan Inc | Method and system for crosstalk cancellation |
| US7804760B2 (en) * | 2003-08-07 | 2010-09-28 | Quellan, Inc. | Method and system for signal emulation |
| EP1687929B1 (en) * | 2003-11-17 | 2010-11-10 | Quellan, Inc. | Method and system for antenna interference cancellation |
| US7616700B2 (en) * | 2003-12-22 | 2009-11-10 | Quellan, Inc. | Method and system for slicing a communication signal |
| DE102004017583A1 (de) * | 2004-04-07 | 2005-10-27 | Deutsche Thomson-Brandt Gmbh | Verfahren und Schaltung zur Steuerung eines elektronischen Bauelements |
| US7394747B2 (en) * | 2004-11-02 | 2008-07-01 | Mediatek Incorporation | Optical storage system having integrated laser driver signal processor |
| US7725079B2 (en) * | 2004-12-14 | 2010-05-25 | Quellan, Inc. | Method and system for automatic control in an interference cancellation device |
| US7522883B2 (en) * | 2004-12-14 | 2009-04-21 | Quellan, Inc. | Method and system for reducing signal interference |
| TWM274702U (en) * | 2005-03-04 | 2005-09-01 | Sheng-He Chen | Voltage-dividing apparatus for prevention of power surge from laser diode |
| US9252983B2 (en) * | 2006-04-26 | 2016-02-02 | Intersil Americas LLC | Method and system for reducing radiated emissions from a communications channel |
| US10484089B1 (en) | 2018-04-27 | 2019-11-19 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Driver assisted by charge sharing |
| US10491428B2 (en) * | 2018-04-27 | 2019-11-26 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Current supply for an opto-electronic device |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3504302A (en) * | 1964-09-24 | 1970-03-31 | Gen Electric | Frequency controlled semiconductor junction laser |
| JPS5361984A (en) * | 1976-11-16 | 1978-06-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Light emitting element driving circuit |
| KR940011268B1 (ko) * | 1989-12-21 | 1994-12-03 | 가부시키가이샤 도시바 | 반도체레이저를 위한 안정된 궤환제어장치 |
| JPH06267101A (ja) * | 1993-03-15 | 1994-09-22 | Toshiba Corp | 半導体レーザ装置および情報記録再生装置 |
| US5579329A (en) * | 1994-07-15 | 1996-11-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser apparatus, information recording/reproducing apparatus and image recording apparatus |
-
1994
- 1994-06-28 JP JP6169049A patent/JPH0817088A/ja active Pending
-
1995
- 1995-06-20 US US08/492,617 patent/US5859862A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-06-23 KR KR1019950017067A patent/KR960002265A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5859862A (en) | 1999-01-12 |
| KR960002265A (ko) | 1996-01-26 |
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