JPH08162886A - 位相補償付き高周波用可変電子減衰器 - Google Patents

位相補償付き高周波用可変電子減衰器

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JPH08162886A
JPH08162886A JP30340694A JP30340694A JPH08162886A JP H08162886 A JPH08162886 A JP H08162886A JP 30340694 A JP30340694 A JP 30340694A JP 30340694 A JP30340694 A JP 30340694A JP H08162886 A JPH08162886 A JP H08162886A
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JP
Japan
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high frequency
phase
electronic attenuator
attenuation
voltage
Prior art date
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Pending
Application number
JP30340694A
Other languages
English (en)
Inventor
Kotaro Takenaga
浩太郎 竹永
Yasuo Sera
泰雄 世良
Takayoshi Funada
貴吉 舟田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kokusai Electric Corp
Original Assignee
Kokusai Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】位相特性の乱れの無い高周波用可変電子減衰器
を提供する。 【構成】可変減衰素子2に直列に位相調整器3を接続
し、一方これ等素子を制御するために、制御電圧をA/
D変換器6によりディジタル化しROM8に予め記録さ
れた減衰量−位相関係補正用の変換テーブル及びマイク
ロプロセッサユニット7を用いて減衰量制御データを
得、さらにD/A変換器9により制御電圧に再び変換し
て上記2素子に供給する。 【効果】本発明により位相変化を伴わない高周波用可変
電子減衰器を実現し得る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、高周波回路における
可変電子減衰器において生ずる位相変化を自動的に補償
する機能を有する高周波用可変電子減衰器に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】高周波(交流)信号の振幅を電子的に制
御する可変減衰器は、従来半導体ダイオードの順方向抵
抗の電圧依存性を利用する方式が一般的に用いられて来
た。これは直流電圧が印加された状態の半導体ダイオー
ドでは、その電圧に応じて順方向インピーダンス特性が
変化することを利用するものである。この変化の状況の
一例を図2に示す。図2において曲線Aは印加直流電圧
に対する減衰量の変化を示すものである。また、曲線P
は同じく直流印加電圧に対する位相変化分を示す。即
ち、信号レベルの減衰量制御を行なうと位相特性も同時
に変化してしまうことになる。このため信号の振幅のみ
ならず位相も問題とする信号処理システムにおいてはこ
の種の減衰器を利用するには限界があった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記の如く、半導体を
用いた可変減衰器において、減衰量変化と共に変動する
位相特性の補償が本方式実用上の課題となっていた。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明においては位相特性を印加電圧により制御
し得る素子、例えばp−n接合を有する可変容量ダイオ
ード或いは圧電特性を示す強誘電体材料等を用いた位相
調整器を接続することにより可変減衰器において変化し
た位相特性の変化を補償することが出来る。
【0005】
【作用】以上説明したように、本発明においては印加電
圧により減衰量を変化せしめる素子と、同じく印加電圧
により位相特性を変化せしめる素子とを組み合わせるこ
とにより位相変化が補償された可変電子減衰器を実現し
ている。
【0006】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。
【0007】図1は本発明の構成を示すもので、入力端
子1に入力された信号は高周波用可変減衰素子2を経て
位相調整器3に入力され位相補償を与えられた後出力端
子4を経て出力される。ここで減衰量調整用の直流電圧
は以下のようにして発生される。即ち、減衰量を制御す
るため外部から入力される制御信号が制御信号入力端子
5を経てA−D変換器6に入力され減衰量制御電圧発生
用の処理を行なうためのディジタルデータに変換され
る。次いで、この変換されたディジタルデータはさらに
マイクロプロセッサユニット7により上記高周波用可変
減衰素子2および位相調整器3を制御するための2種の
ディジタル信号にさらに変換される。この変換は、図2
に示す制御電圧と減衰量及び位相変化の関係によりRO
M8に記録された電圧−減衰特性及び電圧−位相特性の
変換テーブルを用いて行なわれる。このようにして変換
された制御用のディジタル信号は上記素子2、3の制御
用電圧として2基のD−A変換器9によりアナログ信号
としての直流電圧に再変換されそれぞれ可変減衰素子2
及び可変位相調整器3に加えられる。これにより、図2
の曲線Aに対応した減衰特性を有し、かつ直線Cに示す
ように位相変化が補償された高周波用可変電子減衰器を
実現し得る。
【0008】
【発明の効果】本発明によれば位相特性の乱れを生ずる
こと無く、しかも機構部分を含むことが無いため、信頼
性の高い高周波用の電子的可変減衰器を実現し得る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による実施例
【図2】高周波用可変電子減衰器の特性の例
【符号の説明】
1 信号入力端子 2 可変減衰素子 3 位相調整器 4 信号出力端子 5 制御信号入力端子 6 A/D変換器 7 マイクロプロセッサユニット 8 ROM 9 D/A変換器

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体ダイオードの順方向抵抗の電圧依存
    性を利用した高周波用可変電子減衰器において、該高周
    波用電子減衰器に直列に接続され電圧により静電容量が
    制御される可変容量素子を用いた位相調整器と、減衰量
    と位相変化の関係が変換テーブルとして記録されたRO
    Mと、該ROMの変換テーブルにより該電子減衰器と位
    相調整器を制御する制御信号発生用マイクロプロセッサ
    とからなり、かつ該マイクロプロセッサ入出力部にそれ
    ぞれA/D、D/A変換器が接続されていることを特徴
    とする位相補償付き高周波用可変電子減衰器。
JP30340694A 1994-12-07 1994-12-07 位相補償付き高周波用可変電子減衰器 Pending JPH08162886A (ja)

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