JPH08162650A - 受光装置 - Google Patents
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- JPH08162650A JPH08162650A JP6321713A JP32171394A JPH08162650A JP H08162650 A JPH08162650 A JP H08162650A JP 6321713 A JP6321713 A JP 6321713A JP 32171394 A JP32171394 A JP 32171394A JP H08162650 A JPH08162650 A JP H08162650A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光信号を高い感度で受光し得る受光装置を提
供する。 【構成】 回路基板２０の表面に設けた配線パターン１
６上にチップ状に形成した４個のピンフォトダイオード
ＰＤ1〜4の裏面を載せて銀ペースト２２で電気的接続す
るとともに固定する。ピンフォトダイオードＰＤ1〜4の
表面を、これに添って配設される別の配線パターン１６
にワイヤボンディングにより接続する。この別の配線パ
ターン１６をコンデンサＣ5，Ｃ7を介して近接して設け
た電界効果トランジスタＦＥＴ1，ＦＥＴ2のゲートに短
かい距離で接続する。ピンフォトダイオードＰＤ1〜4を
囲んで枠体２４を設け、この枠体内に赤外線の透過性の
良い樹脂２６を充填凝固させる。
供する。 【構成】 回路基板２０の表面に設けた配線パターン１
６上にチップ状に形成した４個のピンフォトダイオード
ＰＤ1〜4の裏面を載せて銀ペースト２２で電気的接続す
るとともに固定する。ピンフォトダイオードＰＤ1〜4の
表面を、これに添って配設される別の配線パターン１６
にワイヤボンディングにより接続する。この別の配線パ
ターン１６をコンデンサＣ5，Ｃ7を介して近接して設け
た電界効果トランジスタＦＥＴ1，ＦＥＴ2のゲートに短
かい距離で接続する。ピンフォトダイオードＰＤ1〜4を
囲んで枠体２４を設け、この枠体内に赤外線の透過性の
良い樹脂２６を充填凝固させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光信号を高い感度で受
光し得るようにした受光装置に関するものである。
光し得るようにした受光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】業務用のカラオケ装置等にあっては、カ
ラオケボックスにそれぞれ装備され、多数の装置が近接
して配設されることがある。そこで、混信を防ぐため
に、マイクロフォンから赤外線信号を放射し、これを受
信側の音響装置で受光するものが普及している。
ラオケボックスにそれぞれ装備され、多数の装置が近接
して配設されることがある。そこで、混信を防ぐため
に、マイクロフォンから赤外線信号を放射し、これを受
信側の音響装置で受光するものが普及している。
【０００３】かかるカラオケ装置等の赤外線信号を受光
するための従来の受光装置には、小さなチップ状の光−
電気変換素子がケース内に納められ、このケースから外
部リードが導出されたピンフォトダイオード等が用いら
れている。所定の感度を得るために、上述のピンフォト
ダイオードを複数個配設してこれらを並列接続し、また
はピンフォトダイオードの前方に集光レンズ等が配設さ
れている。
するための従来の受光装置には、小さなチップ状の光−
電気変換素子がケース内に納められ、このケースから外
部リードが導出されたピンフォトダイオード等が用いら
れている。所定の感度を得るために、上述のピンフォト
ダイオードを複数個配設してこれらを並列接続し、また
はピンフォトダイオードの前方に集光レンズ等が配設さ
れている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述の複数個
のピンフォトダイオードを並列接続したものにあって
は、ピンフォトダイオードの個数の割に、感度の向上が
得られない。また、集光レンズを用いるものは、その構
造が複雑なものとなる。
のピンフォトダイオードを並列接続したものにあって
は、ピンフォトダイオードの個数の割に、感度の向上が
得られない。また、集光レンズを用いるものは、その構
造が複雑なものとなる。
【０００５】特許出願人らは、構造が簡単でしかも受光
感度を向上させる研究および実験を重ねた結果、ピンフ
ォトダイオードを回路接続するための外部リードと回路
の構造および受光装置の回路に対する外来雑音電気信号
等が感度の向上を妨げていることを知見するに到った。
感度を向上させる研究および実験を重ねた結果、ピンフ
ォトダイオードを回路接続するための外部リードと回路
の構造および受光装置の回路に対する外来雑音電気信号
等が感度の向上を妨げていることを知見するに到った。
【０００６】本発明は、上述の事情に鑑みてなされたも
ので、チップ状の受光素子を回路基板に直接ボンディン
グすることで感度を向上させた受光装置を提供すること
を目的とする。
ので、チップ状の受光素子を回路基板に直接ボンディン
グすることで感度を向上させた受光装置を提供すること
を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
めに、本発明の受光装置は、回路基板に設けられた配線
パターン上に、チップ状に形成した受光素子を直接ボン
ディングして構成されている。
めに、本発明の受光装置は、回路基板に設けられた配線
パターン上に、チップ状に形成した受光素子を直接ボン
ディングして構成されている。
【０００８】また、複数個の前記受光素子を並べて配置
し、これらの受光素子を囲んで枠体を設け、この枠体内
に透光性の樹脂を充填凝固させて構成しても良い。
し、これらの受光素子を囲んで枠体を設け、この枠体内
に透光性の樹脂を充填凝固させて構成しても良い。
【０００９】そして、前記受光素子の出力信号を高イン
ピーダンスに変換する電界効果トランジスタを前記回路
基板上に前記受光素子に近接して設け、このインピーダ
ンス変換された出力信号を前記回路基板上に設けられた
増幅器で増幅するように構成することもできる。
ピーダンスに変換する電界効果トランジスタを前記回路
基板上に前記受光素子に近接して設け、このインピーダ
ンス変換された出力信号を前記回路基板上に設けられた
増幅器で増幅するように構成することもできる。
【００１０】さらに、前記回路基板に、前記受光素子と
電界効果トランジスタおよび増幅器を覆うように、網状
のシールドカバーを設けた構成も可能である。
電界効果トランジスタおよび増幅器を覆うように、網状
のシールドカバーを設けた構成も可能である。
【００１１】
【作 用】チップ状の受光装置を回路基板上の配線パタ
ーンに直接ボンディングするので、従来のごとき外部リ
ードを必要とせず、外部リードによる信号の減衰および
信号に対する外来雑音電気信号等の重畳を妨げ得る。
ーンに直接ボンディングするので、従来のごとき外部リ
ードを必要とせず、外部リードによる信号の減衰および
信号に対する外来雑音電気信号等の重畳を妨げ得る。
【００１２】また、複数個の受光素子を囲んで枠体を設
け、透光性の樹脂を充填凝固させるならば、受光素子は
樹脂によりモールドされた状態となり、受光素子自体に
塵芥等が付着せず、凝固した樹脂表面を拭うことで容易
に塵芥等による受光量の減少を改善し得る。また、振動
等に対して強固であり、従来のごときピンフォトダイオ
ードにみられる取り付け姿勢の変化等による受光量の減
少もない。
け、透光性の樹脂を充填凝固させるならば、受光素子は
樹脂によりモールドされた状態となり、受光素子自体に
塵芥等が付着せず、凝固した樹脂表面を拭うことで容易
に塵芥等による受光量の減少を改善し得る。また、振動
等に対して強固であり、従来のごときピンフォトダイオ
ードにみられる取り付け姿勢の変化等による受光量の減
少もない。
【００１３】そして、受光素子の出力信号を電界効果ト
ランジスタでインピーダンス変換して増幅器に与えるな
らば、光信号の変化に伴なう受光素子の抵抗変化を、電
気信号の変化として減衰させることなく効率良く増幅器
に入力させ得る。
ランジスタでインピーダンス変換して増幅器に与えるな
らば、光信号の変化に伴なう受光素子の抵抗変化を、電
気信号の変化として減衰させることなく効率良く増幅器
に入力させ得る。
【００１４】さらに、受光素子と電界効果トランジスタ
および増幅器等を囲んで網状のシールドカバーを設ける
ならば、外部からの光は網の目を透過して受光素子に入
力されるが、外来雑音電気信号はシールドカバーでシー
ルドされ、装置の出力信号に含まれる雑音レベルを抑制
し得る。
および増幅器等を囲んで網状のシールドカバーを設ける
ならば、外部からの光は網の目を透過して受光素子に入
力されるが、外来雑音電気信号はシールドカバーでシー
ルドされ、装置の出力信号に含まれる雑音レベルを抑制
し得る。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１ないし図４を
参照して説明する。図１（ａ）は、本発明の受光装置の
一実施例のピンフォトダイオードを設けた回路基板の平
面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ矢視断
面拡大図である。図２は、図１（ａ）に示す回路基板の
回路図である。図３（ａ）は、本発明の受光装置と従来
の装置との感度を比較するグラフであり、図３（ｂ）
は、図３（ａ）にグラフを示す従来の装置の回路図であ
る。図４は、回路基板とシールドカバーの分解斜視図で
ある。
参照して説明する。図１（ａ）は、本発明の受光装置の
一実施例のピンフォトダイオードを設けた回路基板の平
面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ矢視断
面拡大図である。図２は、図１（ａ）に示す回路基板の
回路図である。図３（ａ）は、本発明の受光装置と従来
の装置との感度を比較するグラフであり、図３（ｂ）
は、図３（ａ）にグラフを示す従来の装置の回路図であ
る。図４は、回路基板とシールドカバーの分解斜視図で
ある。
【００１６】まず、図２を参照して、本発明の受光装置
の一実施例の回路を説明する。受光装置の電源として、
例えば＋２８Ｖの直流電圧が受信側の音響装置から同軸
ケーブル（図示せず）等により入出力端子１０の中心導
体に与えられる。この直流電圧は交流阻止用のインダク
タンスＬ1を介して発光ダイオードＬＤの一端に与えら
れるとともに電流制限用の抵抗Ｒ1の一端に与えられ
る。発光ダイオードＬＤの他端は、電圧調整器１２に接
続されるとともに平滑用コンデンサＣ1を介して接地さ
れる。電圧調整器１２で適宜な電圧に調整された直流電
圧が、ＩＣからなる増幅器１４に電源として与えられる
とともに、抵抗Ｒ2，Ｒ3をそれぞれに介して第１と第２
の電界効果トランジスタＦＥＴ1，ＦＥＴ2のドレインに
それぞれ与える。また、電圧調整器１２の出力電圧は、
コンデンサＣ2を介して接地される。
の一実施例の回路を説明する。受光装置の電源として、
例えば＋２８Ｖの直流電圧が受信側の音響装置から同軸
ケーブル（図示せず）等により入出力端子１０の中心導
体に与えられる。この直流電圧は交流阻止用のインダク
タンスＬ1を介して発光ダイオードＬＤの一端に与えら
れるとともに電流制限用の抵抗Ｒ1の一端に与えられ
る。発光ダイオードＬＤの他端は、電圧調整器１２に接
続されるとともに平滑用コンデンサＣ1を介して接地さ
れる。電圧調整器１２で適宜な電圧に調整された直流電
圧が、ＩＣからなる増幅器１４に電源として与えられる
とともに、抵抗Ｒ2，Ｒ3をそれぞれに介して第１と第２
の電界効果トランジスタＦＥＴ1，ＦＥＴ2のドレインに
それぞれ与える。また、電圧調整器１２の出力電圧は、
コンデンサＣ2を介して接地される。
【００１７】抵抗Ｒ1の両端は、交流減衰用のコンデン
サＣ3，Ｃ4をそれぞれに介して接地される。そして、こ
の抵抗Ｒ1の他端は、４個の受光素子としてのピンフォ
トダイオードＰＤ1〜4の一端にそれぞれ接続される。こ
れらの４個のピンフォトダイオードＰＤ1〜4は、２個ず
つ並列接続され、第１と第２のピンフォトダイオードＰ
Ｄ1，ＰＤ2の並列接続体の他端が、インダクタンスＬ2
を介して接地されるとともに、コンデンサＣ5を介して
第１の電界効果トランジスタＦＥＴ1のゲートに接続さ
れる。さらに、この第１の電界効果トランジスタＦＥＴ
1は、ゲートが抵抗Ｒ4を介して接地され、ソースが抵抗
Ｒ5を介して接地されるとともにコンデンサＣ6を介して
増幅器１４の入力端子に接続される。また、第３と第４
のピンフォトダイオードＰＤ3，ＰＤ4の並列接続体の他
端が、インダクタンスＬ3を介して接地されるととも
に、コンデンサＣ7を介して第２の電界効果トランジス
タＦＥＴ2のゲートに接続される。さらに、この第２の
電界効果トランジスタＦＥＴ2は、ゲートが抵抗Ｒ6を介
して接地され、ソースが抵抗Ｒ7を介して接地されると
ともにコンデンサＣ8を介して増幅器１４の入力端子に
接続される。この増幅器１４の出力端子は、コンデンサ
Ｃ9を介して入出力端子１０の中心導体に接続される。
サＣ3，Ｃ4をそれぞれに介して接地される。そして、こ
の抵抗Ｒ1の他端は、４個の受光素子としてのピンフォ
トダイオードＰＤ1〜4の一端にそれぞれ接続される。こ
れらの４個のピンフォトダイオードＰＤ1〜4は、２個ず
つ並列接続され、第１と第２のピンフォトダイオードＰ
Ｄ1，ＰＤ2の並列接続体の他端が、インダクタンスＬ2
を介して接地されるとともに、コンデンサＣ5を介して
第１の電界効果トランジスタＦＥＴ1のゲートに接続さ
れる。さらに、この第１の電界効果トランジスタＦＥＴ
1は、ゲートが抵抗Ｒ4を介して接地され、ソースが抵抗
Ｒ5を介して接地されるとともにコンデンサＣ6を介して
増幅器１４の入力端子に接続される。また、第３と第４
のピンフォトダイオードＰＤ3，ＰＤ4の並列接続体の他
端が、インダクタンスＬ3を介して接地されるととも
に、コンデンサＣ7を介して第２の電界効果トランジス
タＦＥＴ2のゲートに接続される。さらに、この第２の
電界効果トランジスタＦＥＴ2は、ゲートが抵抗Ｒ6を介
して接地され、ソースが抵抗Ｒ7を介して接地されると
ともにコンデンサＣ8を介して増幅器１４の入力端子に
接続される。この増幅器１４の出力端子は、コンデンサ
Ｃ9を介して入出力端子１０の中心導体に接続される。
【００１８】かかる回路において、受光する光量の変化
に応じてピンフォトダイオードＰＤ1〜4の抵抗が変化
し、電気信号の電圧変化として第１と第２の電界効果ト
ランジスタＦＥＴ1，ＦＥＴ2のゲートに与えられる。す
ると、この電気信号は、第１と第２の電界効果トランジ
スタＦＥＴ1，ＦＥＴ2により高インピーダンスに変換さ
れ、インピーダンス変換された信号が合成されて増幅器
１４に与えられる。そして、増幅された電気信号が入力
端子１０に接続される同軸ケーブ等を介して受信側の音
響装置等に伝送される。ここで、コンデンサＣ5とイン
ダクタンスＬ2およびコンデンサＣ7とインダクタンスＬ
3は、それぞれ共振回路を形成し、共振信号で最も大き
な電流が流れ、所定搬送波周波数の光信号が選択され
る。
に応じてピンフォトダイオードＰＤ1〜4の抵抗が変化
し、電気信号の電圧変化として第１と第２の電界効果ト
ランジスタＦＥＴ1，ＦＥＴ2のゲートに与えられる。す
ると、この電気信号は、第１と第２の電界効果トランジ
スタＦＥＴ1，ＦＥＴ2により高インピーダンスに変換さ
れ、インピーダンス変換された信号が合成されて増幅器
１４に与えられる。そして、増幅された電気信号が入力
端子１０に接続される同軸ケーブ等を介して受信側の音
響装置等に伝送される。ここで、コンデンサＣ5とイン
ダクタンスＬ2およびコンデンサＣ7とインダクタンスＬ
3は、それぞれ共振回路を形成し、共振信号で最も大き
な電流が流れ、所定搬送波周波数の光信号が選択され
る。
【００１９】次に、回路の構造につき、図１を参照して
説明する。回路は、表面に適宜な配線パターン１６が設
けられ裏面にグランドパターン１８が設けられた回路基
板２０に搭載構成される。第１〜第４のピンフォトダイ
オードは、一例として一辺４．５ｍｍの正方形で比較的
に大きなチップ状に構成される。そして、４つのピンフ
ォトダイオードＰＤ1〜4は、並列に配置されて、所定の
配線パターン１６上に裏面全体を載せて銀ペースト２２
により電気的接続されるとともに固着されて直接ボンデ
ィングされ、このピンフォトダイオードＰＤ1〜4の表面
がこれに添うように設けられた別の配線パターン１６に
ワイヤボンディングにより接続される。さらに、４つの
ピンフォトダイオードＰＤ1〜4の側方を全体的に囲むよ
うに、表側が大きく開口された枠体２４が回路基板２０
上に接着等により固定され、この枠体２４内に赤外線の
透過率が良い樹脂２６が充填されて凝固される。そし
て、第１と第２の電界効果トランジスタＦＥＴ1，ＦＥ
Ｔ2が、ピンフォトダイオードＰＤ1〜4に比較的に近接
して回路基板２０上に適宜に配置される。そして、ピン
フォトダイオードＰＤ1〜4の表面にワイヤボンディング
により接続された配線パターン１６がコンデンサＣ5，
Ｃ7を介して第１と第２の電界効果トランジスタＦＥＴ
1，ＦＥＴ2のゲートにそれぞれ接続されるが、この接続
用の配線パターン１６はなるべく短かい距離となるよう
に構成されている。そして、他の回路素子が回路基板２
０上に適宜に配設されている。なお、発光ダイオードＬ
Ｄは、裏面のグランドパターン１８を一部切り欠いて配
線パターンが設けられている。
説明する。回路は、表面に適宜な配線パターン１６が設
けられ裏面にグランドパターン１８が設けられた回路基
板２０に搭載構成される。第１〜第４のピンフォトダイ
オードは、一例として一辺４．５ｍｍの正方形で比較的
に大きなチップ状に構成される。そして、４つのピンフ
ォトダイオードＰＤ1〜4は、並列に配置されて、所定の
配線パターン１６上に裏面全体を載せて銀ペースト２２
により電気的接続されるとともに固着されて直接ボンデ
ィングされ、このピンフォトダイオードＰＤ1〜4の表面
がこれに添うように設けられた別の配線パターン１６に
ワイヤボンディングにより接続される。さらに、４つの
ピンフォトダイオードＰＤ1〜4の側方を全体的に囲むよ
うに、表側が大きく開口された枠体２４が回路基板２０
上に接着等により固定され、この枠体２４内に赤外線の
透過率が良い樹脂２６が充填されて凝固される。そし
て、第１と第２の電界効果トランジスタＦＥＴ1，ＦＥ
Ｔ2が、ピンフォトダイオードＰＤ1〜4に比較的に近接
して回路基板２０上に適宜に配置される。そして、ピン
フォトダイオードＰＤ1〜4の表面にワイヤボンディング
により接続された配線パターン１６がコンデンサＣ5，
Ｃ7を介して第１と第２の電界効果トランジスタＦＥＴ
1，ＦＥＴ2のゲートにそれぞれ接続されるが、この接続
用の配線パターン１６はなるべく短かい距離となるよう
に構成されている。そして、他の回路素子が回路基板２
０上に適宜に配設されている。なお、発光ダイオードＬ
Ｄは、裏面のグランドパターン１８を一部切り欠いて配
線パターンが設けられている。
【００２０】さらに、本発明の受光装置にあっては、ピ
ンフォトダイオードＰＤ1〜4と第１と第２の電界効果ト
ランジスタＦＥＴ1，ＦＥＴ2と増幅器１４さらには他の
回路素子等を覆うように、回路基板２０の表側に網状の
シールドカバー２８が設けられる。このシールドカバー
２８は、ピンフォトダイオードＰＤ1〜4に対して網目を
通過して光信号を到達させ、外来雑音電気信号をシール
ドする作用をなす。網目の大きさは、前記作用を奏する
範囲で適宜に設定すれば良い。そして、網目の形状は、
図４に示すごとき格子状に限られるものでない。
ンフォトダイオードＰＤ1〜4と第１と第２の電界効果ト
ランジスタＦＥＴ1，ＦＥＴ2と増幅器１４さらには他の
回路素子等を覆うように、回路基板２０の表側に網状の
シールドカバー２８が設けられる。このシールドカバー
２８は、ピンフォトダイオードＰＤ1〜4に対して網目を
通過して光信号を到達させ、外来雑音電気信号をシール
ドする作用をなす。網目の大きさは、前記作用を奏する
範囲で適宜に設定すれば良い。そして、網目の形状は、
図４に示すごとき格子状に限られるものでない。
【００２１】かかる構造からなる本発明の受光装置の性
能を従来の装置と比較した実測値が図３（ａ）である。
この測定は以下の条件で行なわれている。まず、赤外線
信号を放射する赤外線ワイヤレスマイクには、４００Ｈ
ｚの信号を音声信号とし、２．３ＭＨｚの搬送波周波数
信号がＦＭ５ＫＨｚで変調され、この変調搬送波周波数
信号により赤外線発光ＬＥＤが駆動される。そして、こ
の赤外線ワイヤレスマイクより６０ｃｍの一定距離だけ
離して受光装置が赤外線ワイヤレスマイクに向けて配置
され、受光装置の出力信号がスペクトラムアナライザー
で記録される。本発明の受光装置は、上記のごとき回路
と構造であり、従来の装置は、図３（ｂ）に示すごと
く、従来の外部リードを有する４個のピンフォトダイオ
ードを並列接続し、他の回路定数および増幅器１４は同
じものが用いられている。しかも、赤外線信号を放射す
る赤外線ワイヤレスマイクは同じものである。
能を従来の装置と比較した実測値が図３（ａ）である。
この測定は以下の条件で行なわれている。まず、赤外線
信号を放射する赤外線ワイヤレスマイクには、４００Ｈ
ｚの信号を音声信号とし、２．３ＭＨｚの搬送波周波数
信号がＦＭ５ＫＨｚで変調され、この変調搬送波周波数
信号により赤外線発光ＬＥＤが駆動される。そして、こ
の赤外線ワイヤレスマイクより６０ｃｍの一定距離だけ
離して受光装置が赤外線ワイヤレスマイクに向けて配置
され、受光装置の出力信号がスペクトラムアナライザー
で記録される。本発明の受光装置は、上記のごとき回路
と構造であり、従来の装置は、図３（ｂ）に示すごと
く、従来の外部リードを有する４個のピンフォトダイオ
ードを並列接続し、他の回路定数および増幅器１４は同
じものが用いられている。しかも、赤外線信号を放射す
る赤外線ワイヤレスマイクは同じものである。
【００２２】図３（ａ）に示すごとく、本発明の受光装
置にあっては、信号レベルが−２２．４ｄＢｍであり雑
音レベルが−８２．０ｄＢｍであるのに対して、従来の
装置にあっては、信号レベルが−４５．４ｄＢｍであり
雑音レベルが−９６．０ｄＢｍであった。そこで、本発
明の受光装置は従来の装置に比べて、信号レベルが２３
ｄＢだけ上昇し、雑音レベルが１４ｄＢだけ上昇してい
る。したがって、Ｃ／Ｎ比が９ｄＢ、すなわち約２．８
倍ほど改善されており、Ｓ／Ｎ比の向上が達成されてい
る。
置にあっては、信号レベルが−２２．４ｄＢｍであり雑
音レベルが−８２．０ｄＢｍであるのに対して、従来の
装置にあっては、信号レベルが−４５．４ｄＢｍであり
雑音レベルが−９６．０ｄＢｍであった。そこで、本発
明の受光装置は従来の装置に比べて、信号レベルが２３
ｄＢだけ上昇し、雑音レベルが１４ｄＢだけ上昇してい
る。したがって、Ｃ／Ｎ比が９ｄＢ、すなわち約２．８
倍ほど改善されており、Ｓ／Ｎ比の向上が達成されてい
る。
【００２３】なお、上記実施例にあっては、４個のピン
フォトダイオードＰＤ1〜4を用いて回路構成がなされて
いるが、その個数はいくつであっても良い。また、光信
号を電気信号に変換する受光素子は、ピンフォトダイオ
ードに限られず、他のアバランシェフォトダイオードで
も良く、さらにはフォトトランジスタ等であっても良
い。さらに、上記実施例では、光信号として赤外線を用
いているが、これに限られず、可視光線でも同様の効果
が得られることは勿論である。
フォトダイオードＰＤ1〜4を用いて回路構成がなされて
いるが、その個数はいくつであっても良い。また、光信
号を電気信号に変換する受光素子は、ピンフォトダイオ
ードに限られず、他のアバランシェフォトダイオードで
も良く、さらにはフォトトランジスタ等であっても良
い。さらに、上記実施例では、光信号として赤外線を用
いているが、これに限られず、可視光線でも同様の効果
が得られることは勿論である。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の受光装置
は構成されているので、以下のごとき格別な効果を奏す
る。
は構成されているので、以下のごとき格別な効果を奏す
る。
【００２５】請求項１記載の受光装置にあっては、チッ
プ状の受光素子が配線パターンに直接ボンディングされ
ているので、従来の装置のごとく外部リード等を必要と
せず、それだけ信号の減衰が少ないとともに、外来雑音
電気信号が重畳されることがなく、感度の向上が図れ
る。
プ状の受光素子が配線パターンに直接ボンディングされ
ているので、従来の装置のごとく外部リード等を必要と
せず、それだけ信号の減衰が少ないとともに、外来雑音
電気信号が重畳されることがなく、感度の向上が図れ
る。
【００２６】また、請求項２記載の受光装置にあって
は、複数のチップ状の受光素子が樹脂によりモールドさ
れるので、振動等に対して強固に構成でき、取り付け姿
勢が変化して感度が劣化するようなことがない。しか
も、塵芥等を拭うことが容易である。
は、複数のチップ状の受光素子が樹脂によりモールドさ
れるので、振動等に対して強固に構成でき、取り付け姿
勢が変化して感度が劣化するようなことがない。しか
も、塵芥等を拭うことが容易である。
【００２７】そして、請求項３記載の受光装置にあって
は、受光素子の出力信号が、近接して配置された電界効
果トランジスタでインピーダンス変換されて増幅器に入
力されるので、出力信号の減衰がなく、それだけ感度が
向上する。
は、受光素子の出力信号が、近接して配置された電界効
果トランジスタでインピーダンス変換されて増幅器に入
力されるので、出力信号の減衰がなく、それだけ感度が
向上する。
【００２８】さらに、請求項４記載の受光装置にあって
は、網状のシールドカバーを設けることで、回路に対す
る外来雑音電気信号の影響を抑制でき、しかも網目を通
過した光信号を受光素子で受光でき、装置全体としての
Ｓ／Ｎ比が改善される。
は、網状のシールドカバーを設けることで、回路に対す
る外来雑音電気信号の影響を抑制でき、しかも網目を通
過した光信号を受光素子で受光でき、装置全体としての
Ｓ／Ｎ比が改善される。
【図１】（ａ）は、本発明の受光装置の一実施例のピン
フォトダイオードを設けた回路基板の平面図であり、
（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ矢視断面拡大図である。
フォトダイオードを設けた回路基板の平面図であり、
（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ矢視断面拡大図である。
【図２】図１（ａ）に示す回路基板の回路図である。
【図３】（ａ）は、本発明の受光装置と従来の装置との
感度を比較するグラフであり、（ｂ）は、（ａ）にグラ
フを示す従来の装置の回路図である。
感度を比較するグラフであり、（ｂ）は、（ａ）にグラ
フを示す従来の装置の回路図である。
【図４】回路基板とシールドカバーの分解斜視図であ
る。
る。
１４ 増幅器 １６ 配線パターン ２０ 回路基板 ２４ 枠体 ２６ 樹脂 ２８ シールドカバー ＰＤ1〜4 ピンフォトダイオード ＦＥＴ1，2 電界効果トランジスタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｂ 10/14 10/04 10/06 10/105 10/10 10/22 Ｈ０４Ｂ 9/00 Ｒ
Claims (4)
- 【請求項１】 回路基板に設けられた配線パターン上
に、チップ状に形成した受光素子を直接ボンディングし
て構成したことを特徴とする受光装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の受光装置において、複数
個の前記受光素子を並べて配置し、これらの受光素子を
囲んで枠体を設け、この枠体内に透光性の樹脂を充填凝
固させて構成したことを特徴とする受光装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の受光装置において、前記
受光素子の出力信号を高インピーダンスに変換する電界
効果トランジスタを前記回路基板上に前記受光素子に近
接して設け、このインピーダンス変換された出力信号を
前記回路基板上に設けられた増幅器で増幅するように構
成したことを特徴とする受光装置。 - 【請求項４】 請求項３記載の受光装置において、前記
回路基板に、前記受光素子と電界効果トランジスタおよ
び増幅器を覆うように、網状のシールドカバーを設けた
ことを特徴とする受光装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6321713A JP2858088B2 (ja) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | 受光装置 |
| CN 95107824 CN1123975A (zh) | 1994-11-30 | 1995-06-26 | 受光装置 |
| GB9513859A GB2295727A (en) | 1994-11-30 | 1995-07-07 | Light pickup device |
| TW84107207A TW269080B (en) | 1994-11-30 | 1995-07-12 | Infrared rays receiver |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6321713A JP2858088B2 (ja) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | 受光装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8093467A Division JPH08279622A (ja) | 1996-03-22 | 1996-03-22 | 受光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08162650A true JPH08162650A (ja) | 1996-06-21 |
| JP2858088B2 JP2858088B2 (ja) | 1999-02-17 |
Family
ID=18135612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6321713A Expired - Lifetime JP2858088B2 (ja) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | 受光装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2858088B2 (ja) |
| CN (1) | CN1123975A (ja) |
| GB (1) | GB2295727A (ja) |
| TW (1) | TW269080B (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2302995A (en) * | 1995-06-29 | 1997-02-05 | John Michael Walmsley Lawrence | Electromagnetic shielding of components on a circuit board |
| CN100435342C (zh) * | 2005-04-15 | 2008-11-19 | 业程科技股份有限公司 | 接触式影像截取结构 |
| EP1643556A3 (en) * | 2006-01-16 | 2006-11-22 | Elec Vision Inc. | Contact image capturing structure |
| CN112840171B (zh) * | 2018-10-19 | 2022-09-09 | 三菱电机株式会社 | 浴室干燥机 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52138888A (en) * | 1976-05-14 | 1977-11-19 | Nec Corp | Photo detector |
| JPS60218887A (ja) * | 1984-04-13 | 1985-11-01 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体光検出素子 |
| JPS6430861U (ja) * | 1987-08-19 | 1989-02-27 | ||
| JPH01107118A (ja) * | 1987-10-20 | 1989-04-25 | Yokogawa Electric Corp | 光パワー測定用半導体装置 |
| JPH04290477A (ja) * | 1991-03-19 | 1992-10-15 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその実装構造 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2126795B (en) * | 1982-09-09 | 1986-12-03 | Plessey Co Plc | Optical device |
| GB9225274D0 (en) * | 1992-12-03 | 1993-01-27 | Int Computers Ltd | Electronic circuit assemblies |
-
1994
- 1994-11-30 JP JP6321713A patent/JP2858088B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-06-26 CN CN 95107824 patent/CN1123975A/zh active Pending
- 1995-07-07 GB GB9513859A patent/GB2295727A/en not_active Withdrawn
- 1995-07-12 TW TW84107207A patent/TW269080B/zh active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52138888A (en) * | 1976-05-14 | 1977-11-19 | Nec Corp | Photo detector |
| JPS60218887A (ja) * | 1984-04-13 | 1985-11-01 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体光検出素子 |
| JPS6430861U (ja) * | 1987-08-19 | 1989-02-27 | ||
| JPH01107118A (ja) * | 1987-10-20 | 1989-04-25 | Yokogawa Electric Corp | 光パワー測定用半導体装置 |
| JPH04290477A (ja) * | 1991-03-19 | 1992-10-15 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその実装構造 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1123975A (zh) | 1996-06-05 |
| TW269080B (en) | 1996-01-21 |
| GB2295727A (en) | 1996-06-05 |
| JP2858088B2 (ja) | 1999-02-17 |
| GB9513859D0 (en) | 1995-09-06 |
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