JPH08161385A - 計算機支援による不良アドレス/ヒューズ切断座標変換テーブル作成方法及びその装置 - Google Patents

計算機支援による不良アドレス/ヒューズ切断座標変換テーブル作成方法及びその装置

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JPH08161385A
JPH08161385A JP6307440A JP30744094A JPH08161385A JP H08161385 A JPH08161385 A JP H08161385A JP 6307440 A JP6307440 A JP 6307440A JP 30744094 A JP30744094 A JP 30744094A JP H08161385 A JPH08161385 A JP H08161385A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】より短時間で正確に、不良メモリセルのアドレ
スとヒューズ切断座標との対応テーブルを作成する。 【構成】不良メモリセルを含むブロックを冗長メモリセ
ルアレイ中のブロックで置換するために切断されるヒュ
ーズの階層構造レイアウトデータに対し、この構造を示
すヒューズ名を付与し(32)、該レイアウトデータに
基づいて各ヒューズの切断座標を求め、該切断座標を該
ヒューズ名に対応させ(34)、各ヒューズ名に、該ヒ
ューズに対応した該ブロックのアドレス範囲を付与し
(35)、該ヒューズ名と該切断座標との対応及び該ヒ
ューズ名と該アドレス範囲との対応から該アドレス範囲
と該切断座標との対応テーブルを作成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、不良メモリセルを含む
ブロックを冗長メモリセルアレイ中のブロックで置換す
るためのヒューズをレーザで切断する装置に用いられ
る、計算機支援による不良アドレス/ヒューズ切断座標
変換テーブルの作成方法及びその装置に関する。
【0002】
【従来の技術】メモリの記憶容量増大に伴い、製造歩留
りが低下する。この歩留りを向上させるために、冗長メ
モリセルアレイを備えておき、不良メモリセルを含むブ
ロックを冗長メモリセルアレイ中のブロックで置換する
ことが行われている。この置換は、不良メモリセルを含
むブロックのアドレス範囲に対応したヒューズを電気的
に又はレーザにより加熱溶融させて切断することにより
行われる。
【0003】電気的切断は、切断のための回路が必要で
あり、この回路には、ヒューズを加熱溶融するために大
電流を流す必要があるので、サイズが大きい回路素子を
用いなければならず、そのチップ上占有面積が広くな
る。これに対し、レーザ切断は、切断用回路が不要であ
るので、ヒューズ数を増やして置換ブロックのサイズを
小さくすることにより、歩留りをより向上させることが
できる。このため、ヒューズ切断方式の主流が電気的切
断型からレーザ切断型に移行しつつある。
【0004】レーザ切断型では、不良メモリセルのアド
レスに対応したヒューズ切断座標をヒューズ切断装置に
与える必要がある。レーザ切断型は上記のようにヒュー
ズ数が多いので、不良メモリセルのアドレスに対応した
ヒューズ切断座標を見つけ出す処理に間違いが生じやす
く、この処理を慎重に行わなければならない。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来ではこの処理を、
作業者が、ヒューズのレイアウト表示画面を見ながらヒ
ューズ切断座標をヒューズ切断装置に1つずつ入力して
いたので、作業時間が長くなり且つミスが生じやすい原
因となっていた。本発明の目的は、このような問題点に
鑑み、より短時間で正確に、不良メモリセルのアドレス
とヒューズ切断座標との対応テーブルを作成することが
できる、計算機支援による不良アドレス/ヒューズ切断
座標変換テーブル作成方法及びその装置を提供すること
にある。
【0006】
【課題を解決するための手段及びその作用】第1発明の
計算機支援による不良アドレス/ヒューズ切断座標変換
テーブル作成方法では、不良メモリセルを含むブロック
を冗長メモリセルアレイ中のブロックで置換するために
切断されるヒューズのレイアウトデータに対し、ヒュー
ズ配列構造を示すヒューズ名を付与し、該レイアウトデ
ータに基づいて各ヒューズの切断座標を求め、該切断座
標を該ヒューズ名に対応させ、各ヒューズ名に、該ヒュ
ーズに対応した該ブロックのアドレス範囲を付与し、該
ヒューズ名と該切断座標との対応及び該ヒューズ名と該
アドレス範囲との対応から該アドレス範囲と該切断座標
との対応テーブルを作成する。
【0007】この第1発明によれば、ヒューズ配列構造
を示すヒューズ名を付与し、このヒューズ名との関係で
切断座標とアドレス範囲とを対応させるので、従来より
短時間で正確に、不良メモリセルのアドレスとヒューズ
切断座標との対応テーブルを作成することが可能とな
る。第1発明の第1態様では、上記レイアウトデータは
階層構造であり、各階層内のブロックに名前を付与し、
最下位の階層のヒューズに名前を付与することにより、
ヒューズ名を付与し、該ヒューズ名を、該ブロックの名
前と該最下位の階層のヒューズの名前との積構造で表す
ことにより、該ヒューズ名で上記ヒューズ配列構造を示
す。
【0008】この第1態様によれば、ヒューズ名が積構
造で表されるので、積構造の要素名を付与すればよく、
ヒューズ名付与のためのデータ数を大幅に低減でき、ヒ
ューズ名付与作業が容易になる。また、ヒューズ名が階
層構造に対応した積構造で表されるので、このヒューズ
名を、階層構造のヒューズ切断座標に対応させることが
容易にできる。
【0009】第1発明の第2態様では、計算機により、
ヒューズ配列画像を表示装置に表示させ、かつ、上記レ
イアウトデータの階層構造に基き名前付与対象の上記ブ
ロック及び上記最下位の階層のヒューズを順に選択表示
させて、作業者にヒューズ名付与を要求し、これに応じ
て作業者が名前を入力する。この第2態様によれば、名
前付与対象を操作者が指定する必要がないのでヒューズ
名付与作業が容易になり、かつ、漏れなくヒューズ名を
付与することができる。
【0010】第1発明の第3態様では、上記レイアウト
データの階層構造とヒューズ名付与との関係の規則を計
算機に与えておき、該規則に従って該計算機でヒューズ
名付与を自動的に行う。この第3態様によれば、ヒュー
ズ名付与作業が不要になる。第2発明の不良アドレス/
ヒューズ切断座標変換テーブル作成装置は、上記第1発
明の方法を実施するためのものであり、不良メモリセル
を含むブロックを冗長メモリセルアレイ中のブロックで
置換するために切断されるヒューズに対し、ヒューズ配
列構造を示すのヒューズ名を入力し且つ該ヒューズに対
応した該ブロックのアドレス範囲を入力するための入力
装置と、表示装置と、該ヒューズのレイアウトデータに
基づいて各ヒューズの切断座標を求め、該レイアウトデ
ータを画像データに変換し該表示装置に表示させて、表
示されたヒューズの名前の入力を操作者に促し、入力さ
れたヒューズ名を該切断座標と対応させ、該ヒューズ名
を該表示装置に表示させて、該ヒューズ名と対応した該
アドレス範囲の入力を操作者に促し、該ヒューズ名と該
切断座標との対応及び該ヒューズ名と該アドレス範囲と
の対応から該アドレス範囲と該切断座標との対応テーブ
ルを作成する計算機と、を有する。
【0011】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の一実施例を説
明する。図1は、メモリチップに対するヒューズ切断シ
ステムの概略構成を示す。量産されているメモリチップ
が試験装置10に供給され、各メモリセルに対するデー
タの書き込み・読み出しの試験が行われる。不良メモリ
セルが検出されると、そのアドレスが不良アドレスとし
てヒューズ切断装置20の不良アドレス/切断座標変換
部21に供給され、かつ、そのチップが不良チップとし
てヒューズ切断装置20のヒューズ切断部22に供給さ
れる。ヒューズ切断部22は、レーザ及びX−Y−Zス
テージを備えている。
【0012】不良アドレス/切断座標変換部21は、不
良アドレスを、対応するヒューズ切断座標に変換するテ
ーブルが格納された記憶装置を有し、このテーブルを参
照して、不良アドレスから、不良アドレスが含まれるア
ドレス範囲に対応したヒューズ切断座標を求め、ヒュー
ズ切断部22に供給する。ヒューズ切断部22はこの座
標にレーザ光を照射してヒューズを加熱熔融し切断す
る。これにより、不良メモリチップが良メモリチップと
なり、歩留りが向上する。
【0013】上記テーブルは、コンピュータで構成され
た不良アドレス/ヒューズ切断座標変換テーブル作成装
置30を用いて作成され、不良アドレス/切断座標変換
部21に供給される。ヒューズ切断座標は、設計部で作
成された、メモリチップに対するレイアウトデータ41
に基づいて、コンピュータで容易に求めることができる
が、ヒューズ切断座標とメモリ内アドレス範囲とを直接
対応付けようとすると、画面上でヒューズの配列位置を
1つずつ確認しなければならないので、作業が煩雑であ
り、ミスが生じやすい。そこで、ヒューズ配列構造を示
すヒューズ名付与という中間的な処理を含ませる。
【0014】不良アドレス/ヒューズ切断座標変換テー
ブル作成装置30は、レイアウトデータ41と、作業者
の操作により対話的に入出力装置42から供給されるデ
ータとに基づいて、上記テーブルを作成する。以下、こ
の装置30の処理の詳細を説明する。 (31)レイアウトデータ41を読み込み、これを展開
し、画面に表示可能なデータに変換する。
【0015】レイアウトデータ41は、階層構造により
圧縮されており、例えば図2(A)に示す如く、座標原
点をO1とするヒューズFS1とヒューズFS2のパタ
ーンデータからブロックFIG1が構成され、ブロック
FIG1の原点O1の原点O2に対する相対的な位置座
標とブロックFIG1のX方向及びY方向の繰り返しピ
ッチと繰り返し個数とからブロックFIG2が構成さ
れ、ブロックFIG2の原点O2の原点O3に対する相
対的な位置座標とブロックFIG2のX方向及びY方向
の繰り返しピッチと繰り返し個数とからブロックFIG
3が構成されている。
【0016】レイアウトデータ41は、全体としてパタ
ーンを形成できればよく、レイアウトデータ41から個
々のヒューズを識別できない。 (32)この識別を行うために、入出力装置42の操作
に基づいてヒューズ名を付与する。ヒューズ名は、レイ
アウトデータ41の階層構造と対応させて付与すると、
ヒューズ配列構造を示すことができ、さらに、付与デー
タ数を大幅に低減できるのでその作業が容易になり、か
つ、階層構造で区分けできるので後述のヒューズ名とヒ
ューズ切断座標との対応テーブルを容易に作成すること
ができる。
【0017】そこで、図2(B)に示す如く、ヒューズ
FS1及びFS2にそれぞれヒューズ名FS1及びFS
2を付与し、2つのブロックFIG1にそれぞれブロッ
ク名NAME1及びNAME2を付与し、2つのブロッ
クFIG2にそれぞれブロック名NAME3及びNAM
E4を付与し、ブロックFIG3にブロック名NAME
4を付与する。
【0018】この名前付与は、不良アドレス/ヒューズ
切断座標変換テーブル作成装置30が、レイアウトデー
タ41の階層構造を展開しながら、名前付対象FS1、
FS2、FIG1、・・・を順に色、点滅又は囲み等で
選択表示させて、作業者にヒューズ名付与を要求し、こ
れに応じて作業者が名前を入力することにより、容易に
行われる。
【0019】(33)ヒューズ名が付与された画像デー
タを、データ処理が容易なフォーマット、例えばレイア
ウトデータ41と同一のフォーマットに変換する。 (34)ヒューズ名とヒューズ切断座標との対応テーブ
ルを作成する。図2(B)の場合のこのテーブルを図3
(A)に示す。ヒューズ名は、階層構造となっており、
例えば図中のヒューズ名NAME3・NAME1・FS
1は、ブロック名NAME3かつブロック名NAME1
の ヒューズFS1に対する名前である。
【0020】例えばヒューズ名NAME3・NAME1
・ FS1のヒューズ切断座標は、ブロックFIG3の
原点O3の座標に、ベクトルV3と、ベクトルV2と、
ベクトルV1とを加算して得られる。ベクトルV3は、
原点O3を始点とし、ブロック名NAME3のブロック
FIG2の原点O2を終点とする。ベクトルV2は、原
点O2を始点とし、ブロック名NAME1のブロックF
IG1の原点O1を終点とする。ベクトルV1は、原点
O1を始点とし、ブロックFIG1のヒューズFS1の
切断位置を終点とする。
【0021】(35)ヒューズ名と、これに対応したメ
モリ内アドレス範囲との対応テーブルを、入出力装置4
2の操作に基づいて作成する。図2(B)の場合のこの
テーブルを図3(B)に示す。 (36)ステップ34で作成されたテーブルとステップ
35で作成されたテーブルとから、アドレス範囲とヒュ
ーズ切断座標との対応テーブルを作成し、これを不良ア
ドレス/切断座標変換部21に供給する。
【0022】このようにして、アドレス範囲とヒューズ
切断座標との対応テーブルを容易・正確に且つ短時間で
作成することができる。なお、本発明には外にも種々の
変形例が含まれる。例えば、レイアウトデータ41の階
層構造とヒューズ名付与との関係の規則を不良アドレス
/ヒューズ切断座標変換テーブル作成装置30に与えて
おき、この規則に従ってヒューズ名付与を自動的に行う
構成であってもよい。
【0023】
【発明の効果】以上説明した如く、本発明に係る計算機
支援による不良アドレス/ヒューズ切断座標変換テーブ
ル作成方法及びその装置によれば、ヒューズ配列構造を
示すヒューズ名を付与し、このヒューズ名との関係で切
断座標とアドレス範囲とを対応させるので、従来より短
時間で正確に、不良メモリセルのアドレスとヒューズ切
断座標との対応テーブルを作成することが可能となると
いう効果を奏する。
【0024】第1発明の第1態様によれば、ヒューズ名
が積構造で表されるので、積構造の要素名を付与すれば
よく、ヒューズ名付与のためのデータ数を大幅に低減で
き、ヒューズ名付与作業が容易になり、また、ヒューズ
名が階層構造に対応した積構造で表されるので、このヒ
ューズ名を、階層構造のヒューズ切断座標に対応させる
ことが容易にできるという効果を奏する。
【0025】第1発明の第2態様によれば、名前付与対
象を操作者が指定する必要がないのでヒューズ名付与作
業が容易になり、かつ、漏れなくヒューズ名を付与する
ことができるという効果を奏する。第1発明の第3態様
によれば、ヒューズ名付与作業が不要になるという効果
を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例のヒューズ切断システムの概
略構成図である。
【図2】(A)は階層構造のヒューズレイアウトデータ
説明図であり、(B)はヒューズ名付与説明図である。
【図3】(A)はヒューズ名/切断座標テーブルを示
し、(B)はヒューズ名/アドレステーブルを示す図で
ある。
【符号の説明】
20 ヒューズ切断装置 30 不良アドレス/ヒューズ切断座標変換テーブル作
成装置 41 レイアウトデータ 42 入出力装置 FS1、FS2 ヒューズ FIG1〜FIG3 ブロック NAME1〜NAME4 ブロック名
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/82 C

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 不良メモリセルを含むブロックを冗長メ
    モリセルアレイ中のブロックで置換するために切断され
    るヒューズのレイアウトデータに対し、ヒューズ配列構
    造を示すヒューズ名を付与し、 該レイアウトデータに基づいて各ヒューズの切断座標を
    求め、該切断座標を該ヒューズ名に対応させ、 各ヒューズ名に、該ヒューズに対応した該ブロックのア
    ドレス範囲を付与し、 該ヒューズ名と該切断座標との対応及び該ヒューズ名と
    該アドレス範囲との対応から該アドレス範囲と該切断座
    標との対応テーブルを作成することを特徴とする計算機
    支援による不良アドレス/ヒューズ切断座標変換テーブ
    ル作成方法。
  2. 【請求項2】 前記レイアウトデータは階層構造であ
    り、各階層内のブロックに名前を付与し、最下位の階層
    のヒューズに名前を付与することにより、ヒューズ名を
    付与し、 該ヒューズ名を、該ブロックの名前と該最下位の階層の
    ヒューズの名前との積構造で表すことにより、該ヒュー
    ズ名で前記ヒューズ配列構造を示すことを特徴とする請
    求項1記載の方法。
  3. 【請求項3】 計算機により、ヒューズ配列画像を表示
    装置に表示させ、かつ、前記レイアウトデータの階層構
    造に基き名前付与対象の前記ブロック及び前記最下位の
    階層のヒューズを順に選択表示させて、作業者にヒュー
    ズ名付与を要求し、これに応じて作業者が名前を入力す
    る、 ことを特徴とする請求項2記載の方法。
  4. 【請求項4】 前記レイアウトデータの階層構造とヒュ
    ーズ名付与との関係の規則を計算機に与えておき、該規
    則に従って該計算機でヒューズ名付与を自動的に行う、 ことを特徴とする請求項2記載の方法。
  5. 【請求項5】 不良メモリセルを含むブロックを冗長メ
    モリセルアレイ中のブロックで置換するために切断され
    るヒューズに対し、ヒューズ配列構造を示すヒューズ名
    を入力し且つ該ヒューズに対応した該ブロックのアドレ
    ス範囲を入力するための入力装置と、 表示装置と、 該ヒューズのレイアウトデータに基づいて各ヒューズの
    切断座標を求め、該レイアウトデータを画像データに変
    換し該表示装置に表示させて、表示されたヒューズの名
    前の入力を操作者に促し、入力されたヒューズ名を該切
    断座標と対応させ、該ヒューズ名を該表示装置に表示さ
    せて、該ヒューズ名と対応した該アドレス範囲の入力を
    操作者に促し、該ヒューズ名と該切断座標との対応及び
    該ヒューズ名と該アドレス範囲との対応から該アドレス
    範囲と該切断座標との対応テーブルを作成する計算機
    と、 を有することを特徴とする不良アドレス/ヒューズ切断
    座標変換テーブル作成装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020033955A (ko) * 2000-10-31 2002-05-08 윤종용 반도체 장치에 포함되는 퓨즈의 좌표 추출 방법 및 이를이용하는 반도체 장치의 리페어 방법
US6658637B2 (en) * 2000-07-21 2003-12-02 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device trimming method, semiconductor device trimming apparatus, and method for creating semiconductor device trimming table

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