JPH08142398A - イオンフロー静電記録ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】本発明は動作時に、第２電極の各開口部からの
放電状態を均一化してイオン発生量を安定化させ、かつ
第２電極の開口部周辺の電極表面の侵蝕状態のばらつき
を防止して耐久性を向上させ、安価に製造することを最
も主要な特徴とする。 【構成】第２電極１４をステンレス材料によって形成
し、第２電極１４の開口部１４ａ内壁面及び開口部１４
ａの周囲表面に、溶融塩中からの電解析出によって成膜
されたチタン薄膜の被覆層２２を設けたものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は静電式の印刷や複写に利
用されるイオンフロー静電記録ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、例えば静電印刷などにおいて、
高電流密度のイオンを発生させ、これを抽出して選択的
に被帯電部材に付与して、この被帯電部材を画像上に帯
電させる静電記録装置が知られている。

【０００３】この静電記録装置に用いられるイオンフロ
ー静電記録ヘッドには図３（Ａ），（Ｂ）に示すよう
に、絶縁基板１上に同方向に略直線状に延設され、略平
行に並設された複数の第１電極２が設けられている。こ
れらの第１電極２は誘電体層３の一方の面に固着されて
いる。

【０００４】また、誘電体層３の他方の面には第１電極
２の延設方向と異なる方向に延設された複数の第２電極
４が固着されている。そして、複数の第１電極２…と複
数の第２電極４…とでマトリックスが構成されている。
さらに、この第２電極４のマトリックスと対応する部位
にはイオン発生用の開口部４ａが形成されている。

【０００５】また、第２電極４の第１電極２と反対側に
は絶縁体層５を介して第３電極６が配設されている。こ
れらの絶縁体層５および第３電極６には第２電極４の開
口部４ａと対応する開口部５ａ，６ａが形成されてお
り、これらの開口部５ａ，６ａによってイオン流通過口
７が形成されている。

【０００６】そして、第１電極２と第２電極４との間の
マトリックスの選択された部分に対応する第１電極２と
第２電極４との間に交互に高電圧を印加することによ
り、その部分に対向する第２電極４の開口部４ａ近傍に
正・負のイオンが発生する。

【０００７】また、第２電極４と第３電極６との間には
バイアス電圧が印加され、その極性によって決まるイオ
ンのみが発生したイオンから選択的に抽出され、イオン
流通過口７を通過し、第３電極６と対向配置される被帯
電部材を部分的に帯電させることができる。したがっ
て、マトリックス構造の電極を選択的に駆動することに
より、ドットによる静電記録を行なうことができる。

【０００８】ここで使用される誘電体層３を形成する誘
電物質は、イオン発生のために印加される高電圧でも絶
縁破壊しないことが要求される。また、この誘電体層３
はイオンを効率良く発生させ、絶縁破壊にも耐えられる
程度の厚さを必要とするため、高誘電率を有するものが
適している。例えば、特開平２−１５３７６０号公報で
は誘電体層３の材料として、シリコーン変性ポリエステ
ルアルキド樹脂中に酸化チタン粉を混在させたものが用
いられている。

【０００９】また、同公報では第２電極４用の材料とし
てはステンレス鋼のシートが用いられているとともに、
この第２電極４を誘電体層３に固着する接着剤８にはシ
リコーン系の感圧接着剤が用いられている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】特開平２−１５３７６
０号公報に開示されているように、第２電極４の材料と
してステンレス鋼のシートを用いた場合には、この第２
電極４は厚さ５μｍ以下の接着剤８の層を介して誘電体
層３の表面に固着される。この場合、第２電極４の厚さ
や、接着剤８の塗布条件、第２電極４との貼り合わせ作
業時の加圧のばらつき、或いは第２電極４の開口部４ａ
内に露出される誘電体層３の表面の接着剤除去条件等に
より、第２電極４と誘電体層３の表面との間の接着状態
に局部的なばらつきが発生する問題がある。そのため、
イオンフロー静電記録ヘッドの動作時には第２電極４の
開口部４ａの内周壁面以外に、第２電極４の非開口部の
表面からも放電が発生するおそれがある。

【００１１】このように、第２電極４の開口部４ａの内
周壁面以外の部分から局部的に放電が発生した場合に
は、イオンフロー静電記録ヘッドの動作時に、局部的に
放電状態のばらつきが発生するので、静電記録される画
像の画質が低下する問題がある。

【００１２】さらに、イオンフロー静電記録ヘッドの動
作によって生じる、経時的な第２電極４の開口部４ａの
周辺のステンレス表面の酸化劣化速度にも、局部的にば
らつきが発生するので、耐久性の向上を図る上でも問題
がある。

【００１３】本発明は上記事情に着目してなされたもの
で、その目的は、イオン発生時に、第２電極の各開口部
からの放電状態を均一化してイオン発生量を安定化させ
ることができるとともに、第２電極の開口部周辺の電極
表面の侵蝕状態のばらつきを防止することができ、耐久
性の向上を図ることもでき、加えて安価に製作できるイ
オンフロー静電記録ヘッドを提供することにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は絶縁基
板上に一方向にかつ平行に延設された複数の第１電極
と、この第１電極と交差する方向に延設され、前記第１
電極とともにマトリックスを形成し、このマトリックス
と対応する部位に開口部が形成された複数の第２電極
と、この第２電極に対し前記第１電極とは反対側に配置
され、前記マトリックスと対応する部位に開口部が形成
された第３電極と、前記第１電極と第２電極との間に設
けられた誘電体層と、前記第２電極と第３電極との間に
設けられ、前記マトリックスに対応する部位に開口部が
形成された絶縁体層とを備えたイオンフロー静電記録ヘ
ッドにおいて、前記第２電極をステンレス材料によって
形成し、少なくとも前記第２電極の開口部内壁面及び前
記開口部の周囲表面に、溶融塩中からの電解析出によっ
て成膜されたチタンの薄膜を被覆した被覆層を設けたも
のである。

【００１５】請求項２の発明は請求項１の溶融塩は塩化
物−フッ化物混合溶融塩であり、且つ前記電解析出はパ
ルス電析法によるものである。請求項３の発明は請求項
２の溶融塩中にフッ化セリウムを添加するものである。

【００１６】

【作用】請求項１の発明ではイオン発生時に第２電極の
開口部の内壁面及びこの開口部の周囲表面のチタン薄膜
の被覆層を通した放電となり、第２電極の各開口部から
の放電にともなう第２電極の開口部の内壁面及びこの開
口部の周囲表面状態の劣化を少なくし、各開口部の放電
イオン量を均一化するようにしたものである。さらに、
安価なステンレス材料によって形成された第２電極の開
口部内壁面及び開口部の周囲表面に、チタン薄膜の被覆
層を設けることにより、第２の電極全体を耐食性に優れ
るチタンで製作するよりも、安価に製作できるようにし
たものである。

【００１７】請求項２の発明では請求項１の溶融塩を塩
化物−フッ化物混合溶融塩にすることにより、効率良く
チタンイオンを発生させ易くするとともに、パルス波形
を用いるパルス電析法により、電解析出を行うことによ
り、電析時の大電流により不安定なチタンの結晶を生む
デンドライト成長を抑え、かつイオンの濃度分極を避け
て濃度分布を改善できるようにしたものである。

【００１８】請求項３の発明では請求項２の溶融塩中に
フッ化セリウムを添加することにより、フッ素イオンの
濃度を増加し、これによりフッ化チタン錯体あるいは塩
化物−フッ化チタン錯体イオンをより安定にすると同時
に、チタン錯体イオンの還元反応を一旦生じさせること
により、３価の活性イオンとして吸着しやすいセリウム
がチタンと共析しようとしてチタンの析出を誘導させ、
これを促進させるようにしたものである。

【００１９】

【実施例】以下、本発明のイオンフロー静電記録ヘッド
の第１の実施例について図１および図２（Ａ）〜（Ｆ）
を参照して説明する。図１は静電記録装置のイオンフロ
ー静電記録ヘッドの概略構成を示すもので、１１はイオ
ンフロー静電記録ヘッドの絶縁基板である。

【００２０】この絶縁基板１１上にはイオン発生用の誘
導電極である複数の第１電極１２…が設けられている。
これらの複数の第１電極１２…は一方向に向けて略平行
に並設されている。

【００２１】また、絶縁基板１１および第１電極１２…
上には誘電体層１３が設けられている。この誘電体層１
３の表面には後述する方法で製造された放電電極である
複数の第２電極１４…が設けられている。

【００２２】さらに、複数の第２電極１４…は誘電体層
１３における絶縁基板１１とは反対側の面に配置され、
第１電極１２…と交差する方向に並設されており、第１
電極１２…と第２電極１４…とによってマトリックスが
構成されている。そして、第２電極１４…にはこのマト
リックスと対応する部位にそれぞれイオン発生用の開口
部１４ａ…が形成されている。

【００２３】ここで、第２電極１４の本体２１はステン
レス材料によって形成されている。そして、この第２電
極本体２１の表面（第２電極１４の各開口部１４ａの内
壁面及び各開口部１４ａの周囲表面）には溶融塩中から
の電解析出によって成膜されたチタンの薄膜が被覆され
た被覆層２２が設けられている。

【００２４】また、誘電体層１３における第２電極１４
…の並設面側には第２電極１４…を埋設する状態で絶縁
体層１５が設けられている。さらに、絶縁体層１５の表
面には帯状の第３電極１６が接着されている。この第３
電極１６には第１電極１２…と第２電極１４…とのマト
リックスと対応する部位に開口部１６ａ…が形成されて
いる。

【００２５】また、絶縁体層１５には第２電極１４…の
各開口部１４ａ…と第３電極１６の各開口部１６ａ…と
の間を連通する開口部１５ａ…が形成されている。そし
て、第３電極１６の開口部１６ａ…は絶縁体層１５の開
口部１５ａ…を介して第２電極１４…の開口部１４ａ…
と連通されてイオンフロー静電記録ヘッドのイオン流通
過口１７…が形成されている。

【００２６】そして、イオンフロー静電記録ヘッドの動
作時には印字信号にもとづいて第１電極１２…と第２電
極１４…との間のマトリックスが適宜選択され、選択さ
れたマトリックス部分に対応する第１電極１２…と第２
電極１４…との間に交流電圧が印加される。

【００２７】これにより、選択されたマトリックス部分
に対応する第２電極１４…の開口部１４ａ…内の近傍部
位に正・負イオンが発生する。このとき、第２電極１４
…と第３電極１６との間にはバイアス電圧が印加され、
その極性によって決まるイオンのみが第２電極１４…の
開口部１４ａ…内の近傍部位に発生したイオンから抽出
される。

【００２８】そして、抽出されたイオンは絶縁体層１５
の開口部１５ａおよび第３電極１６の開口部１６ａ…を
通過し、図示しない誘電体ドラムを局部的に帯電させ
る。したがって、第１電極１２…および第２電極１４…
の選択的駆動により、誘電体ドラム上にドット潜像を形
成することができる。

【００２９】次に、上記イオンフロー静電記録ヘッドの
製造方法について、図２（Ａ）〜（Ｆ）を参照して具体
的に説明する。本実施例では絶縁基板１１は厚さ０．６
ｍｍで表面をグレーズ処理した純度９６％のアルミナ製
基板によって形成されている。さらに、この絶縁基板１
１の板面にはその表面が洗浄された後、スクリーン印刷
によって金レジネートが全面に塗布される。

【００３０】続いて、絶縁基板１１上の金レジネート塗
布層に次のフォトエッチング処理が施されることによ
り、絶縁基板１１上に第１電極１２が形成される。この
フォトエッチング処理工程では絶縁基板１１上の金レジ
ネート塗布層の表面に厚さ１０μｍのレジストフィルム
がラミネートされる。さらに、このレジストフィルムの
上に予め第１電極１２のパターンが描画されたフォトマ
スクが載置される。そして、このフォトマスクを介して
レジストフィルムが紫外線で露光されたのち、現像して
レジストのパターニングが行われる。さらに、ここでパ
ターニングされたレジストをマスクにして絶縁基板１１
上の金レジネート塗布層のエッチングを行うことによ
り、図２（Ａ）に示すように絶縁基板１１上に第１電極
１２のパターンが形成される。

【００３１】さらに、絶縁基板１１における第１電極１
２のパターン形成面側に、ガラスバインダー系の比誘電
率１４の誘電体ペーストが塗布され、８５０℃で焼き付
けられる。この作業が４回繰り返されて図２（Ｂ）に示
すように厚さ３０μｍの誘電体層１３が形成される。

【００３２】次に、厚さ３０μｍのＳＵＳ３０４製ステ
ンレス箔をフォトエッチング加工することにより、図２
（Ｃ）に示すように第２電極１４の本体２１が成形され
る。この第２電極１４の本体２１には複数の第２電極１
４…および各第２電極１４の開口部１４ａ…のパターン
が形成されている。

【００３３】また、第２電極１４の本体２１が成形され
た後、この第２電極本体２１の表面全体に溶融塩中から
の電解析出によって成膜されたチタンの薄膜が被覆され
た被覆層２２を形成する次の被覆層形成工程が行われ
る。この被覆層形成工程では、まず、第２電極１４の本
体２１がアセトンで超音波洗浄され、乾燥後、電解析出
用のカソード電極としてアルミナ製電解セルにセットさ
れる。ここで、電解用の対極であるアノード電極として
は、純度９９．５％、直径１０ｍｍφのチタン棒または
チタン板が用いられる。

【００３４】また、電解析出に用いられる溶融塩として
は、例えば塩化物溶融塩、フッ化物溶融塩、塩化物−フ
ッ化物混合溶融塩等のハロゲン化物の溶融塩が用いられ
る。なお、本実施例の溶融塩としては脱水した等モルＫ
Ｃｌ−ＮａＣｌ（塩化カリウム−塩化ナトリウム）混合
塩１２０ｇに、２４ｇのＫ₂ ＴｉＦ₆ と適量のチタン線
を添加したものが用いられる。

【００３５】そして、電解セルをアルゴンガス不活性雰
囲気下で、５００℃以上の目的温度、例えば６００℃に
加熱昇温したのち、チタン補助電極を用いて予備電解を
行い、ＴｉとＴｉ⁴⁺とが反応される。さらに、この状態
で１時間経過した後、７００℃まで昇温してパルス電流
によるチタンコーティングが行われ、第２電極１４の本
体２１の表面にチタン薄膜の被覆層２２が電析される。
なお、溶融塩からの電解析出にはパルス電流や、パルス
電位等のパルス電析法が用いられる。ここで、パルス電
流の場合、カソード方向のみの波形、またはアノードに
反転する波形等方法がある。本実施例のアルミナ製電解
セルではアノード反転したパルス電流が用いられる。こ
のパルス電流は−１．０Ａ／ｃｍ² で０．５秒、続いて
−０．５Ａ／ｃｍ² で３．５秒、引き続き０．５Ａ／ｃ
ｍ² で１．０秒を１周期として設定されている。

【００３６】また、第２電極１４の本体２１の表面への
チタン薄膜の被覆層２２の電析後、この電析部品を徐冷
し、超音波水洗後、乾燥させることにより、図２（Ｄ）
に示すように第２電極本体２１にチタン薄膜の被覆層２
２が電析された第２電極１４の電析部品が製作される。
なお、この第２電極１４の電析部品のＸ線回析の結果、
ここで得られたチタン薄膜の被覆層２２の結晶配向性
は、（０１１）面のピーク強度が最も強く現れた。

【００３７】次に、この第２電極１４における誘電体層
１３側の表面に、シリコーン系粘着剤２３を厚さ約５μ
ｍにスプレーで塗布し、第１電極１２と位置合わせしな
がら図２（Ｅ）に示すように第２電極１４を誘電体層１
３上に貼り付ける。

【００３８】続いて、誘電体層１３と第２電極１４の表
面に厚さ５０μｍの感光性のフィルム状絶縁体層１５が
真空ラミネートされたのち、通常の感光性フィルムと同
様に、露光・現像等のフォトリソグラフィー処理が施さ
れて図２（Ｆ）に示すように開口部１５ａが形成され
る。

【００３９】次に、第２電極１４…の開口部１４ａ…と
対応した開口部１６ａ…が予め形成された第３電極１６
が絶縁体層１５の開口部１５ａと第３電極１６の開口部
１６ａとを位置合わせさせた状態で絶縁体層１５上に重
ね合わされて図１に示すイオンフロ−静電記録ヘッドが
製造される。なお、第３電極１６はステンレス箔をフォ
トエッチングにより作製し、絶縁体層１５と第３電極１
６とは粘着剤や両面テープで貼り合わせる他、第３電極
１５上から片面テープで絶縁体層１５に貼り付けてもよ
い。

【００４０】そこで、上記構成のイオンフロー静電記録
ヘッドでは次の効果を奏する。すなわち、第２電極１４
の開口部１４ａの内壁面及び開口部１４ａの周囲表面が
高融点で耐食性が高いチタン薄膜である被覆層２２で被
覆されているので、イオンフロー静電記録ヘッドの第２
電極１４の各開口部１４ａからのイオン発生時には被覆
層２２を通した放電となる。そのため、この放電による
第２電極１４の各開口部１４ａの内壁面及び開口部１４
ａの周囲表面からの酸化、劣化が防止できるので、これ
に伴う第２電極１４の表面の侵食が防止できる。その結
果、第２電極１４の各開口部１４ａの内壁面及び開口部
１４ａの周辺の表面状態を経時的にも安定で、均一な状
態に維持することができるので、各開口部１４ａからの
放電状態を均一化してイオン発生量を安定化させること
ができ、静電記録される画像の高画質化を図ることがで
きる。

【００４１】また、第２電極１４の本体２１を安価なス
テンレス材料（ステンレス箔）によって形成し、この第
２電極本体２１の表面（第２電極１４の各開口部１４ａ
の内壁面及び各開口部１４ａの周囲表面）だけに電解表
面処理を行いチタンの薄膜が被覆された被覆層２２を設
けたので、第２電極１４全体を耐食性に優れるチタンで
製作する場合に比べて安価に製作することができる。そ
のため、格別に高価なチタン合金製の部品を加工するこ
となく、安価にイオンフロー静電記録ヘッドを製作する
ことができるので、イオンフロー静電記録ヘッド全体の
コスト低下を図ることができる。

【００４２】さらに、ステンレス製の第２電極１４の表
面を所定の溶融塩中の電解析出法でチタンコーティング
する方法では第２電極本体２１のステンレス表面に耐食
性に優れるチタンの被覆層２２が薄膜状に成膜され、且
つその膜は緻密で被覆性に優れたものとなる。

【００４３】なお、溶融塩中の電解析出法でチタンコー
ティングする際のネット電流量の制御を高精度に行うこ
とにより、第２電極本体２１のステンレス表面に成膜さ
れるチタン薄膜の被覆層２２の性質・膜厚を再現性良く
することができる。

【００４４】また、溶融塩中の電解析出法で使用される
溶融塩として塩化物系、フッ化物系、塩化物−フッ化物
混合系等のハロゲン系の溶融塩を用いることにより、効
率良くチタンイオンを発生させ易く、更に、電解析出に
パルス波形を用いることにより、電析時の大電流により
不安定なチタンの結晶を生むデンドライト成長を抑える
ことができるとともに、イオンの濃度分極を避けて濃度
分布を改善できる。

【００４５】特に、パルス電流による電析の初期に、分
布が均一で、表面被覆率が高い結晶核が生成及び成長す
ることは、平滑で緻密な電析薄膜になる為の必要条件で
ある。なお、電解析出にパルス電流を利用した場合には
直流電析よりも電析物の結晶粒は大きくなるが、これは
吸着阻害効果が強められたためと考えられる。さらに、
パルス電流の場合には、反転電流により、電析薄膜の突
出部や、エッジ部が優先放電して溶解し、チタン薄膜の
被覆層２２を一層平滑化することができる。

【００４６】次に、本発明の第２の実施例について説明
する。これは、第１の実施例において、第２電極本体２
１の表面全体に溶融塩中からの電解析出によってチタン
薄膜の被覆層２２を形成する被覆層形成工程で電解析出
に使用される溶融塩として、脱水した等モルＫＣｌ−Ｎ
ａＣｌ混合塩１２０ｇに、２４ｇのＫ₂ ＴｉＦ₆ （フッ
化チタンカリウム）と適量のチタン線を添加したものを
用いた代わりに、脱水した共晶ＬｉＣｌ（塩化リチウ
ム）−ＮａＣｌ−ＫＣｌ（５２−１０−３８ｍｏｌ％）
の混合塩を用い、ここに２ｍｏｌ％のＫ₂ ＴｉＦ₆ と適
量のチタン線を添加したものを用いたものである。その
他は、第１の実施例と同様である。なお、本実施例で用
いたパルス電流は、−０．４５Ａ／ｃｍ² で０．５秒、
続いて−０．２Ａ／ｃｍ² で４秒、引き続いて０．５Ａ
／ｃｍ² で０．５秒を１周期として設定したものであ
る。

【００４７】そこで、上記構成のものにあっては第１の
実施例と同様の効果が得られる他、本実施例では特に第
１の実施例よりも若干電流密度を少なくして被覆層形成
工程で電解析出処理できるので、第２電極本体２１の表
面全体により緻密な被覆層２２を成膜できる。

【００４８】次に、本発明の第３の実施例について説明
する。これは、第２の実施例において用いた溶融塩中
に、ＣｅＦ₃ （フッ化セリウム）を１ｍｏｌ％添加した
ものである。その他は、第１の実施例と同様である。

【００４９】そして、電解析出に使用される溶融塩中に
フッ化セリウムの添加により、フッ素イオンの濃度が増
加してフッ化チタン錯体あるいは塩化物−フッ化チタン
錯体イオンがより安定になると同時に、チタン錯体イオ
ンの還元反応が一旦生じると、３価の活性イオンとして
吸着しやすいセリウムがチタンと共析しようとして、チ
タンの析出を誘導し促進する。なお、溶融塩中のフッ化
セリウムの添加量は１ｍｏｌ％以上で十分な効果が得ら
れる。そのため、電解析出中のチタンの析出が促進され
て、第２電極本体２１の表面全体により緻密で均一で被
覆性に富んだ被覆層２２を成膜できる。但し、この場合
には被覆層２２中の結晶粒は大きくなり、被覆層２２の
膜厚が厚くなり易いので、予め放電特性に対する第２電
極１４の厚さ設定をシミュレーションしておく必要があ
る。

【００５０】そこで、上記構成のものにあっては第２の
実施例と同様の効果が得られる他、本実施例ではさらに
電析薄膜である被覆層２２の均一性、被覆性が向上し、
その結果、耐食性も向上させることができる。

【００５１】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではない。例えば、本発明に用いられる誘電体層１３
としては、誘電体粉末、例えば高誘電率の無機物粉末を
有機高分子材料中、或いはセラミック系バインダー中に
分散させたペースト状のものを、加圧焼成したり、グリ
ーンシート化して焼成し、シート状に成形したものを用
いることができる。ここで、誘電体粉末としては、酸化
チタン、チタン酸バリウム、ジルコン酸鉛等を用いるこ
とができる。さらに、ポリフッ化ビニリデンや、シアノ
基含有ポリマーや、シアノエチルソルビトール含有ポリ
マー等の有機高誘電率フィルムを用いることもできる。

【００５２】また、有機高分子材料としては、熱硬化性
アルキド樹脂や、エポキシ樹脂等の合成樹脂成分、ある
いは金属アルコキシド等の有機化合物に必要に応じて有
機溶剤を添加したものを、セラミック系バインダーとし
ては低融点ガラス、水ガラス、非結晶ガラス、結晶性ガ
ラス等を用いることができる。

【００５３】また、第２電極本体２１の溶融塩中の電解
析出法での電解浴温度は、十分に溶融させられる５００
〜９００℃の範囲位を適用すればよい。特に、十分に脱
水およびＴｉ²⁺等の低価チタンイオンを生成させるため
には５００〜６００℃でチタン補助電極を用いて予備電
解すると良い。但し、電解浴温度が７５０〜８００℃を
超えると、結晶粒は大きくなり、耐食性に優れる（０１
１）面よりも若干耐食性の劣る（１１０）面が多く配向
してくる。さらに、電解浴温度が５５０℃未満の場合に
は銀白色の金属光沢のある良好な膜とならないため、電
解浴温度は好ましくは５５０℃以上７５０℃以下で処理
する方が良い。但し、欠陥をより少なく、且つチタン薄
膜の被覆層２２の膜厚を厚くしても良い場合には、電解
浴温度としては原子の拡散速度が大きくなり、結晶化が
十分に達成される高温度域を用いた方が良い。

【００５４】さらに、その他本発明の要旨を逸脱しない
範囲で種々変形実施できることは勿論である。次に、本
出願の他の特徴的な技術事項を下記の通り付記する。

【００５５】記 （付記項１） 絶縁基板上に一方向にかつ平行に延設さ
れた複数の第１の電極と、この第１の電極と交差する方
向に延設され、前記第１の電極とともにマトリックスを
形成し、このマトリックスに対応する部位に開口部が形
成された複数の第２の電極と、この第２の電極に対し前
記第１の電極とは反対側に配置され、前記マトリックス
に対応する部位に開口部が形成された第３の電極と、前
記第１の電極と第２の電極との間に設けられた誘電体層
と、前記第２の電極と第３の電極との間に設けられ、前
記マトリックスに対応する部位に開口部が形成された絶
縁層とを具備するイオンフロー静電記録ヘッドにおい
て、前記第２の電極がステンレス製であり、その表面の
全部または一部に、溶融塩中からの電解析出によるチタ
ンの薄膜を成膜した事を特徴とするイオンフロー静電記
録ヘッド。

【００５６】（付記項２） 前記溶融塩が塩化物−フッ
化物混合溶融塩であり、且つ前記電解析出がパルス電析
法によることを特徴とする特許請求第１項記載のイオン
フロー静電記録ヘッド。 （付記項３） 前記溶融塩中にフッ化セリウムを添加す
ることを特徴とする特許請求第２項記載のイオンフロー
静電記録ヘッド。

【００５７】

【発明の効果】請求項１の発明によれば第２電極をステ
ンレス材料によって形成し、少なくとも第２電極の開口
部内壁面及び開口部の周囲表面に、溶融塩中からの電解
析出によって成膜されたチタンの薄膜を被覆した被覆層
を設けたので、チタン薄膜の被覆層を通した放電とな
り、この放電による第２電極の表面からの酸化、劣化が
防止できる。そのため、第２電極表面の侵食を防止して
第２電極の各開口部内壁面及び開口部周辺の表面状態が
経時的にも安定で、均一な状態に維持され、耐久性を高
めることができるとともに、各開口部からの放電も安定
で均一化し、静電画像の高画質化を図ることができる。
さらに、安価なステンレス材料によって形成された第２
電極の開口部内壁面及び開口部の周囲表面に、チタン薄
膜の被覆層を設けることにより、第２の電極全体を耐食
性に優れるチタンで製作するよりも、安価に製作でき
る。

【００５８】請求項２の発明によれば請求項１の溶融塩
を塩化物−フッ化物混合溶融塩にすることにより、効率
良くチタンイオンを発生させ易くするとともに、パルス
波形を用いるパルス電析法により、電解析出を行うこと
により、電析時の大電流により不安定なチタンの結晶を
生むデンドライト成長を抑え、かつイオンの濃度分極を
避けて濃度分布を改善できる。

【００５９】請求項３の発明によれば請求項２の溶融塩
中にフッ化セリウムを添加することにより、フッ素イオ
ンの濃度を増加し、これによりフッ化チタン錯体あるい
は塩化物−フッ化チタン錯体イオンをより安定にすると
同時に、チタン錯体イオンの還元反応を一旦生じさせる
ことにより、３価の活性イオンとして吸着しやすいセリ
ウムがチタンと共析しようとしてチタンの析出を誘導さ
せ、これを促進させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１の実施例のイオンフロ−静電記
録ヘッドの要部の縦断面図。

【図２】 同実施例のイオンフロ−静電記録ヘッドの製
造工程を示す説明図。

【図３】 （Ａ）はイオンフロ−静電記録ヘッドの概略
構成を示す要部の縦断面図、（Ｂ）はイオンフロ−静電
記録ヘッドの断面斜視図。

【符号の説明】 １１…絶縁基板、１２…第１電極、１３…誘電体層、１
４…第２電極、１５…絶縁体層、１６…第３電極、２２
…被覆層。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁基板上に一方向にかつ平行に延設さ
   れた複数の第１電極と、この第１電極と交差する方向に
   延設され、前記第１電極とともにマトリックスを形成
   し、このマトリックスと対応する部位に開口部が形成さ
   れた複数の第２電極と、この第２電極に対し前記第１電
   極とは反対側に配置され、前記マトリックスと対応する
   部位に開口部が形成された第３電極と、前記第１電極と
   第２電極との間に設けられた誘電体層と、前記第２電極
   と第３電極との間に設けられ、前記マトリックスに対応
   する部位に開口部が形成された絶縁体層とを備えたイオ
   ンフロー静電記録ヘッドにおいて、 前記第２電極をステンレス材料によって形成し、少なく
   とも前記第２電極の開口部内壁面及び前記開口部の周囲
   表面に、溶融塩中からの電解析出によって成膜されたチ
   タンの薄膜を被覆した被覆層を設けたことを特徴とする
   イオンフロー静電記録ヘッド。
2. 【請求項２】 前記溶融塩は塩化物−フッ化物混合溶融
   塩であり、且つ前記電解析出はパルス電析法によるもの
   であることを特徴とする請求項１に記載のイオンフロー
   静電記録ヘッド。
3. 【請求項３】 前記溶融塩中にフッ化セリウムを添加す
   ることを特徴とする請求項２に記載のイオンフロー静電
   記録ヘッド。