CN107425010A - 阵列基板及其制作方法、显示面板 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板，该制作方法包括：在衬底的一侧表面形成多个薄膜晶体管；在各薄膜晶体管上覆盖平坦化材料层，利用第一半色调掩膜板曝光显影形成平坦化层，平坦化层形成有多个贯穿该平坦化层的通孔，各通孔暴露薄膜晶体管，平坦化层还形成有台阶状第一凸起，且第一凸起向衬底的表面的正投影呈网格状；在平坦化层上覆盖电极材料层，利用第二掩膜板曝光显影形成多个第一电极，每个第一电极通过通孔与暴露出的薄膜晶体管电连接，且每个第一电极向衬底的表面的正投影位于各网格内。上述制作方法制作的第一凸起有助于将相邻的第一电极完全分离，避免了相邻第一电极存在刻蚀残留的问题，提高了阵列基板的成品率。
Description
技术领域
本申请一般涉及显示技术领域，尤其涉及阵列基板及其制作方法、包括该阵列基板的显示面板。
背景技术
随着电子技术的发展，电子产品已经遍及人们的生活。显示技术是电子技术中至关重要的一项技术，关系到电子产品的显示效果。
在显示技术领域，显示装置分为两类：有机发光显示装置和液晶显示装置，并且上述两种类型的显示装置均包括阵列基板。现有的阵列基板通常可以通过在衬底上依次形成薄膜晶体管、平坦化层以及电极等形成。其中的平坦化层上可以设有通孔，薄膜晶体管可以通过通孔与电极电连接。通常，阵列基板中形成的平坦化层除去通孔以外的部分成膜平坦，并且设置在平坦化层上的、与相邻像素对应的电极之间的距离较小，这使得在平坦化层上制备电极时容易出现相邻电极之间存在刻蚀残留的问题，导致阵列基板上的相邻电极容易出现电连接的现象。这就造成阵列基板所在的显示面板容易出现显示亮点的问题，降低了显示面板的显示质量。
发明内容
鉴于现有技术中的上述缺陷，本申请实施例提供一种阵列基板及其制作方法以及包括该阵列基板的显示面板，来解决以上背景技术部分提到的技术问题。
为了实现上述目的，第一方面，本申请实施例提供了一种阵列基板的制作方法，包括在衬底的一侧表面形成多个薄膜晶体管；在各薄膜晶体管上覆盖平坦化材料层，利用第一半色调掩膜板曝光显影形成平坦化层，其中，平坦化层形成有多个贯穿该平坦化层的通孔，各通孔暴露薄膜晶体管，平坦化层还形成有台阶状第一凸起，且第一凸起向衬底的表面的正投影呈网格状；在平坦化层上覆盖电极材料层，利用第二掩膜板曝光显影形成多个第一电极，其中，每个第一电极通过通孔与暴露出的薄膜晶体管电连接，且每个第一电极向衬底的表面的正投影位于各网格内。
第二方面，本申请实施例还提供了一种阵列基板，包括：衬底；多个薄膜晶体管，设置在衬底的一侧表面；平坦化层，覆盖多个薄膜晶体管，并且平坦化层设有多个贯穿该平坦化层的通孔，各通孔与薄膜晶体管对应，平坦化层还包括台阶状第一凸起，且第一凸起向衬底的表面的正投影呈网格状；多个第一电极，形成在平坦化层上，每个第一电极通过通孔与对应的薄膜晶体管电连接，且每个第一电极向衬底的表面的正投影位于各网格内。
第三方面，本申请实施例还提供了一种显示面板，包括上述的阵列基板。
本申请实施例提供的阵列基板的制作方法，首先在衬底的表面形成多个薄膜晶体管，之后利用第一半色调掩膜板在各薄膜晶体管上覆盖形成有通孔和台阶状第一凸起的平坦化层，其中，各通孔可以暴露对应的薄膜晶体管，第一凸起向衬底的投影呈网格状，而后利用第二掩膜板在平坦化层上形成多个第一电极，各第一电极可以通过通孔与对应的薄膜晶体管电连接，且各第一电极向衬底的投影可以位于第一凸起向衬底的投影形成的各网格内，这样，第一凸起形成的网格有助于将相邻的第一电极完全分离，从而避免了因相邻第一电极存在电极材料刻蚀残留造成的显示亮点的问题，提高了显示面板的显示质量。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1示出了根据本申请的阵列基板的制作方法的一个实施例的流程图；
图2示出了利用本申请阵列基板的制作方法制作阵列基板过程中的第一截面结构示意图；
图3示出了利用本申请阵列基板的制作方法制作阵列基板过程中的第二截面结构示意图；
图4示出了利用本申请阵列基板的制作方法制备的第一凸起的平面结构示意图；
图5示出了利用本申请阵列基板的制作方法制作阵列基板过程中的第三截面结构示意图；
图6示出了利用本申请阵列基板的制作方法制作阵列基板过程中的第四截面结构示意图；
图7示出了利用本申请阵列基板的制作方法制作阵列基板过程中的一种第五截面结构示意图；
图8示出了利用本申请阵列基板的制作方法制作阵列基板过程中的另一种第五截面结构示意图；
图9示出了根据本申请的显示面板的一个实施例的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本申请的原理和特征作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与发明相关的部分。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
请参考图1，其为根据本申请的阵列基板的制作方法的一个实施例的流程图100。如图所示，本申请的阵列基板的制作方法，包括如下步骤：
步骤101，在衬底的一侧表面形成多个薄膜晶体管。
在本实施例中，首先可以设置用于制作阵列基板的衬底，该衬底可以由玻璃衬底、石英衬底或有机材料等制成。之后可以在该衬底的一侧表面依次形成多个薄膜晶体管。
通常，薄膜晶体管可以包括栅极、有源层、源极和漏极。这里，可以在上述衬底的一侧表面依次形成薄膜晶体管的栅极、有源层以及包括源极和漏极的源漏极层以构成薄膜晶体管。可选地，在制备上述薄膜晶体管时，还可以制备其所需要的绝缘层，例如栅极绝缘层等，为了不模糊本实施例的核心结构，这里不再赘述。
需要说明的是，上述阵列基板中的栅极、有源层、源极和漏极等的形成过程可以包括金属层、半导体层等的成膜、涂布光刻胶、曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等一系列的工序。因通过涂布光刻胶、剥离光刻胶等工艺制备薄膜晶体管为本领域的常规手段，因此本申请在描述阵列基板制作过程时，不对上述过程进行具体的描述。本领域技术人员可以理解，未描述相关过程并不意味各实施例不存在或省略相关步骤。
步骤102，在各薄膜晶体管上覆盖平坦化材料层，利用第一半色调掩膜板曝光显影形成平坦化层。
在本实施例中，基于步骤101形成的多个薄膜晶体管，可以继续在各薄膜晶体管上覆盖一层平坦化材料层。并且，利用第一半色调掩膜板进行曝光显影，可以在平坦化层材料层上刻蚀出多个贯穿该平坦化层的通孔。每个通孔可以与上述薄膜晶体管相对应，使得平坦化层上刻蚀出的通孔可以暴露出对应的薄膜晶体管。同时，还可以在平坦化材料层上刻蚀出台阶状的第一凸起，该第一凸起向上述衬底的表面的正投影可以呈网格状。
在本实施例的一些可选的实现方式中，上述第一半色调掩膜板可以包括光可以完全通过的透光区、光可以部分通过的半透光区和光不能透过的不透光区。这里，半透光区指的是光的透过率介于不透光区和透光区之间的区域。
利用上述第一半色调掩膜板曝光显影形成上述平坦化层的步骤具体可以包括如下过程。在上述各薄膜晶体管上覆盖平坦化材料层后，首先，可以在该平坦化材料层上涂布第一光刻胶层。之后，可以利用上述第一半色调掩膜板对该第一光刻胶层进行曝光，并在该第一光刻胶层上显影形成光刻胶完全保留区、光刻胶半保留区和光刻胶完全去除区。需要说明的是，上述光刻胶完全保留区对应的第一光刻胶层的光刻胶被完全保留，上述光刻胶完全去除区对应的第一光刻胶层的光刻胶被完全去除，上述光刻胶半保留区对应的第一光刻胶层被保留部分厚度的光刻胶。并且，上述光刻胶完全保留区可以覆盖平坦化材料层中待形成上述第一凸起的区域，上述光刻胶完全去除区可以覆盖上述平坦化材料层中待形成各通孔的区域，上述光刻胶半保留区可以覆盖平坦化材料层中的其它区域。上述光刻胶完全保留区对应的平坦化材料层不会被刻蚀掉，设置在光刻胶完全保留区周围的光刻胶半保留区对应的平坦化材料层被部分刻蚀掉，从而形成上述第一凸起；上述光刻胶完全去除区对应的平坦化材料层被完全刻蚀，形成上述平坦化层中与各薄膜晶体管对应的通孔；上述光刻胶半保留区对应的平坦化材料层被部分刻蚀后形成平坦化层中除去上述通孔和第一凸起的其它区域。
通常，形成上述平坦化层的材料可以为ZrO2、TiO2、Ta2O5、Nb2O5中的任意一种，形成上述平坦化层的材料还可以为氟化聚酰亚胺，氟化聚酰胺，这里不做限定。
步骤103，在平坦化层上覆盖电极材料层，利用第二掩膜板曝光显影形成多个第一电极。
在本实施例中，基于步骤102形成的平坦化层，首先可以继续在其上覆盖用于形成第一电极的电极材料层。而后，利用第二掩膜板曝光显影可以在该电极材料层刻蚀出多个第一电极。这里，刻蚀形成的每个第一电极可以通过上述贯穿平坦化层的通孔与暴露出的各薄膜晶体管电连接。需要说明的是，上述各第一电极向上述衬底的表面的正投影可以位于上述第一凸起向衬底的表面的正投影形成的各网格内。
在本实施例的一些可选的实现方式中，上述利用第二掩膜板曝光显影形成多个第一电极可以包括如下步骤。首先，可以在上述电极材料层上涂布完全覆盖该电极材料层的第二光刻胶层。而后，可以利用上述第二掩膜板对该第二光刻胶层进行曝光，在其上显影形成光刻胶完全去除区和光刻胶完全保留区。最后，可以刻蚀电极材料层中与光刻胶完全去除区对应的部分，并保留电极材料层与光刻胶完全保留区对应的部分，形成多个上述第一电极。
这里，电极材料层中覆盖上述第一凸起的部分向上述衬底的表面的正投影可以位于该光刻胶完全去除区向衬底的表面的正投影内，该光刻胶完全去除区对应的第二光刻胶层的光刻胶可以完全被剥离。进一步地，上述电极材料层中覆盖第一凸起的部分向衬底的表面的正投影的图形与上述光刻胶完全去除区向衬底的表面的正投影的图形之间的距离可以大于零。如此，完全剥离上述光刻胶完全去除区对应的光刻胶后，在光刻胶完全保留区与光刻胶完全去除区相邻的边界处可以形成一台阶。在电极材料层中覆盖第一凸起的部分与上述光刻胶完全保留区和光刻胶完全去除区相邻的边界处的台阶可以形成一凹槽。采用湿法刻蚀工艺刻蚀电极材料层中与上述光刻胶完全去除区对应的部分电极材料层，可以形成多个上述第一电极。即，采用湿法刻蚀工艺刻蚀上述电极材料层中覆盖第一凸起的电极材料层部分以及凹槽处暴露出的电极层材料可以形成上述第一电极。需要说明的是，在采用湿法刻蚀工艺刻蚀形成上述第一电极时，覆盖第一凸起的电极材料层与光刻胶完全保留区的边缘处形成的凹槽可以利于刻蚀液的堆积，而刻蚀液堆积可以加快凹槽处暴露出的电极材料层被刻蚀的速度，从而保证了凹槽处的电极材料层可以在预定的时间内被完全刻蚀，避免了相邻的第一电极之间出现电极材料残留造成的电连接的问题。另外，在上述平坦化层上覆盖电极材料层时，覆盖第一凸起处的电极材料层成膜较薄，因此，电极材料层中覆盖第一凸起的部分比较容易刻蚀，通常不会出现刻蚀残留的问题。
在本实施例的一些可选的实现方式中，上述阵列基板可以用于制备有机发光显示面板，此时，上述第一电极可以为有机发光器件的阳极，该第一电极可以包括发光部分和非发光部分。其中，各第一电极的非发光部分可以通过通孔和与该通孔对应的薄膜晶体管电连接。在上述第一电极所在的层上可以继续形成用于限定像素的像素定义层(PDL)，各第一电极中的发光部分未被该像素定义层覆盖，且第一电极的非发光部分被该像素定义层覆盖。上述阵列基板还可以包括多个有机发光层，该有机发光层可以由低分子量有机材料或高分子量有机材料形成，且每个有机发光层可以与各第一电极的发光部分相对设置。上述阵列基板还可以包括第二电极，该第二电极可以为阴极，各第二电极可以设置在每个有机发光层上。上述阳极和阴极之间可以形成电场，使得电子和空穴可以在有机发光层复合发光，上述阵列基板所在的有机发光显示面板可以进行显示。
在本实施例的一些可选的实现方式中，上述阵列基板还可以用于制备液晶显示面板。此时，上述第一电极可以为像素电极。上述阵列基板还可以包括依次形成在各第一电极所在层的钝化层和公共电极。上述像素电极和公共电极之间可以形成控制液晶偏转的电场，从而使得该阵列基板所在的液晶显示面板可以进行显示。
在本实施例的一些可选的实现方式中，上述薄膜晶体管可以包括源极、漏极、栅极和有源层。形成在上述平坦化层的各通孔可以暴露出对应的薄膜晶体管的漏极，各第一电极可以通过通孔和与该通孔对应的薄膜晶体管的漏极电连接。
下面结合本申请的阵列基板的制作方法的各中间态的截面结构示意图来具体描述阵列基板的制作工艺流程。
在本实施例中，预先设置阵列基板中的衬底210，之后在上述衬底210的一侧表面依次形成多个薄膜晶体管220，如图2所示，图2示出了利用本申请阵列基板的制作方法制作阵列基板过程中的第一截面结构示意图。可选地，各薄膜晶体管220可以包括依次形成在衬底210一侧表面上的栅极201、有源层202和包括源极203和漏极204的源漏极层，如图2所示。
在本实施例中，在上述形成的薄膜晶体管220上可以继续覆盖一平坦化材料层，而后利用上述第一半色调掩膜板240曝光显影，在该平坦化材料层上形成平坦化层230，如图3所示，图3示出了利用本申请阵列基板的制作方法制作阵列基板过程中的第二截面结构示意图。上述平坦化层230可以包括贯穿该平坦化层230的多个通孔CH1，并且每个通孔CH1可以与各薄膜晶体管220对应。上述平坦化层230还可以包括台阶状的第一凸起231，并且该第一凸起231向上述衬底210的表面的正投影可以呈网格状，如图4所示，图4示出了利用本申请阵列基板的制作方法制备的第一凸起的平面结构示意图。图3可以为图4中沿虚线m的截面结构示意图。
可选地，上述第一半色调掩膜板240可以如图3所示，该第一半色调掩膜板240可以包括完全透光区241、半透光区242和不透光区243。利用该第一半色调掩膜板240曝光显影，可以形成与上述完全透光区241对应的光刻胶完全去除区、与上述不透光区243对应的光刻胶完全保留区和与上述半透光区242对应的光刻胶半保留区。上述光刻胶完全去除区覆盖平坦化材料层中待形成通孔的区域，光刻胶完全保留区覆盖平坦化材料层中待形成第一凸起的区域，光刻胶半保留区覆盖平坦化材料层中的其它区域。完全剥离光刻胶完全保留区的第一光刻胶层后可以形成第一凸起231，完全刻蚀光刻胶完全去除区对应的平坦化材料层可以形成通孔CH1，刻蚀光刻胶半保留区对应的部分厚度的平坦化材料层可以形成除第一凸起231和通孔CH1外的其它区域，如图3所示。在整个阵列基板上形成的第一凸起231的形状可以呈网格状，如图4所示。可选地，上述各通孔CH1可以暴露出与该通孔CH1对应的薄膜晶体管220的漏极224，如图3所示。
在本实施例中，可以继续在上述平坦化层230上覆盖用于形成第一电极251的电极材料层250，如图5所示，图5示出了利用本申请阵列基板的制作方法制作阵列基板过程中的第三截面结构示意图。需要说明的是，由于第一凸起231沿与衬底210的表面垂直的方向上高度大于平坦化层230上的其它部分，使得上述电极材料层250中覆盖在第一凸起231的部分成膜较薄，因此，在形成上述第一电极251时，覆盖第一凸起231的电极材料层250容易被完全刻蚀。
在本实施例中，利用第二掩膜板曝光显影，可以在上述电极材料层250刻蚀出多个第一电极251，如图6所示，图6示出了利用本申请阵列基板的制作方法制作阵列基板过程中的第四截面结构示意图。上述各第一电极251可以通过通孔CH1与刻蚀该通孔CH1暴露出的薄膜晶体管220电连接。需要说明的是，上述各第一电极251向上述衬底210的表面的正投影可以位于上述第一凸起231向衬底210的表面的正投影的形成的网格内，如图4所示。可见，由于相邻的第一电极251之间存在第一凸起231，可以有助于相邻的第一电极251之间的电极材料层250被完全刻蚀，避免了显示面板因相邻第一电极251电连接出现亮点的问题。
可选地，利用上述第二掩膜板曝光形成多个第一电极251时，首先可以在上述电极材料层250上覆盖第二光刻胶层。而后，对该第二光刻胶层进行曝光显影，形成光刻胶完全去除区和光刻胶完全保留区261，如图5所示。这里，光刻胶完全去除区向衬底210的表面的正投影可以完全覆盖上述电极材料层250中覆盖第一凸起231的部分向衬底210的正投影。进一步地，上述电极材料层250中覆盖第一凸起231的部分向衬底210的表面的正投影的图形与上述光刻胶完全去除区向衬底210的表面的正投影的图形之间的距离可以为a，且满足距离a大于零，如图5所示。因此，对第二光刻胶层进行显影时，需要剥离位于第一凸起231上的第二光刻胶层，还需要剥离位于第一凸起231附近的第二光刻胶层，使得光刻胶完全保留区261与覆盖在第一凸起231上的电极材料层250之间可以形成凹槽CH2，如图5所示。
这里，可以采用湿法刻蚀工艺刻蚀与上述光刻胶完全去除区对应的电极材料层250，形成如图6所示的第一电极251。具体地，在利用上述第二掩膜板曝光显影形成如图5所示的第二光刻胶层后，可以利用刻蚀液刻蚀暴露出的覆盖第一凸起231的电极材料层250和凹槽CH2处暴露出的电极材料层250。需要说明的是，在采用湿法刻蚀工艺刻蚀的过程中，大量的刻蚀液会堆积在凹槽CH2处，增加了凹槽CH2处暴露出的电极材料层250的刻蚀速率，因此在预设的时间内凹槽CH2处暴露出的电极材料层250容易被完全刻蚀。同时，由于覆盖第一凸起231的电极材料层250较薄，因此在预设的时间内覆盖第一凸起231的电极材料层250也容易被完全刻蚀，这避免了在刻蚀第一电极251时出现相邻第一电极251之间的电极材料刻蚀不完全的情况的发生，即避免了相邻第一电极251电连接形成显示亮点的情况发生。
在本实施例的一些可选的实现方式中，上述阵列基板可以用于制备有机发光显示面板，该第一电极251包括发光部分和非发光部分，其中，非发光部分可以通过通孔CH1和与该通孔CH1对应的薄膜晶体管220电连接。上述阵列基板还可以包括像素定义层270，如图7所示，该像素定义层270可以覆盖第一电极251的非发光部分。图7示出了利用本申请阵列基板的制作方法制作阵列基板过程中的一种第五截面结构示意图。上述阵列基板还可以包括多个有机发光层280和第二电极290，如图7所示。上述第一电极251的发光部分被有机发光层280覆盖，且该第一电极251可以与第二电极290共同作用，控制有机发光层280中电子和空穴的复合，即控制上述阵列基板所在的有机发光显示面板的发光。
在本实施例的一些可选的实现方式中，上述阵列基板还可以用于制备液晶显示面板。上述第一电极251可以为像素电极，此种情况下，可以在上述第一电极251所在层上依次形成钝化层271和公共电极281，如图8所示，图8示出了利用本申请阵列基板的制作方法制作阵列基板过程中的另一种第五截面结构示意图。
本申请的上述实施例提供的阵列基板的制作方法，首先在衬底210的表面形成多个薄膜晶体管220，之后利用第一半色调掩膜板240在各薄膜晶体管220上覆盖形成有通孔CH1和台阶状第一凸起231的平坦化层230，其中，各通孔CH1可以暴露出对应的薄膜晶体管220，第一凸起231向衬底210的投影呈网格状，而后利用第二掩膜板在平坦化层230上形成多个第一电极251，各第一电极251可以通过通孔CH1与对应的薄膜晶体管220电连接，且各第一电极251向衬底210的投影可以位于各网格内，可见第一凸起231形成的网格可以有助于将相邻的第一电极251完全分离，从而避免了因相邻第一电极251存在电极材料刻蚀残留造成的显示亮点的问题，提高了显示面板的显示质量。
此外，本申请还提供了一种阵列基板，这里可以采用上述实施例提供的阵列基板的制作方法制备该阵列基板，该阵列基板的截面结构可以如图6所示。
在本实施例中，上述阵列基板可以包括衬底210、以及设置在衬底210的一侧表面的多个薄膜晶体管220，如图6所示。上述阵列基板还可以包括平坦化层230，该平坦化层230可以覆盖上述多个薄膜晶体管220，并且该平坦化层230可以设有多个贯穿该平坦化层230的通孔CH1。需要说明的是，每个通孔CH1可以与各薄膜晶体管220相对应。该平坦化层230还可以包括台阶状的第一凸起231，并且第一凸起231向衬底210的正投影呈如图4所示的网格状。
在本实施例中，上述阵列基板还可以包括多个第一电极251。各第一电极251可以形成在上述平坦化层230上，如图6所示，并且每个第一电极251可以通过通孔CH1和与该通孔CH1对应的薄膜晶体管220电连接。上述各第一电极251向衬底210的表面的正投影可以位于上述第一凸起231向衬底210的表面的正投影形成的各网格内。
在本实施例的一些可选的实现方式中，上述阵列基板可以用于制备有机发光显示面板，上述各第一电极251可以为有机发光器件的阳极，各第一电极251可以包括发光部分和非发光部分。第一电极251的非发光部分可以通过通孔CH1与对应的薄膜晶体管220电连接。上述阵列基板还可以包括像素定义层270、有机发光层280和第二电极层290。该第二电极290可以为阴极。此时该阵列基板的截面结构可以如图7所示。上述像素定义层270可以覆盖各通孔CH1和各第一电极251的非发光部分。上述各有机发光层280可以与各第一电极251的发光部分对应设置，上述第二电极290设置在每个有机发光层280上。
在本实施例的一些可选的实现方式中，上述阵列基板还可以用于制备液晶显示面板，上述各第一电极251可以为像素电极。该阵列基板还可以包括设置在第一电极251上的钝化层271，以及设置在该钝化层271上的公共电极281，如图8所示。这里的公共电极281和第一电极251形成用于控制液晶偏转的电场，从而控制该阵列基板所在的液晶显示面板显示预定的画面。
在本实施例的一些可选的实现方式中，上述薄膜晶体管220可以包括栅极221、有源层222、源极223和漏极224。上述各通孔CH1可以与各薄膜晶体管220的漏极224对应，即各通孔CH1可以贯穿位于各薄膜晶体管220的漏极224上方的平坦化层230，如图6所示。上述第一电极251可以通过通孔CH1和与该通孔CH1对应的薄膜晶体管220的漏极224电连接，从而可以实现通过控制薄膜晶体管220的导通和截止来向上述第一电极251输出信号。
可以理解，本申请中的阵列基板还可以包括数据线、扫描线等公知结构，为了不模糊本实施例的核心结构，在描述本实施例的阵列基板时，略去了对这些公知结构的描述。
最后，本申请实施例提供一种显示面板900，该显示面板900可以为液晶显示面板或有机发光显示面板。当该显示面板900为液晶显示面板时，该显示面板900可以包括阵列基板910和彩膜基板920，如图9所示，其中的阵列基板910的具体结构和制备方法可以与上述实施例中液晶显示面板中的阵列基板相同，这里不再赘述。当该显示面板900为有机发光显示面板时，该显示面板900可以包括阵列基板910和盖板920，其中的阵列基板910的具体结构和制备方法可以与上述实施例中有机发光显示面板中的阵列基板相同，这里不再赘述。需要说明的是，该显示面板可以使用在液晶电视、液晶显示器、有机发光显示器等显示装置中。
以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离所述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。
Claims (11)
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底的一侧表面形成多个薄膜晶体管；
在各所述薄膜晶体管上覆盖平坦化材料层，利用第一半色调掩膜板曝光显影形成平坦化层，其中，所述平坦化层形成有多个贯穿该平坦化层的通孔，各所述通孔暴露所述薄膜晶体管，所述平坦化层还形成有台阶状第一凸起，且所述第一凸起向所述衬底的表面的正投影呈网格状；
在所述平坦化层上覆盖电极材料层，利用第二掩膜板曝光显影形成多个第一电极，其中，每个所述第一电极通过所述通孔与暴露出的所述薄膜晶体管电连接，且每个所述第一电极向所述衬底的表面的正投影位于各所述网格内。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述利用第一半色调掩膜板曝光显影形成平坦化层，包括：
在所述平坦化材料层上涂布第一光刻胶层；
利用所述第一半色调掩膜板对所述第一光刻胶层曝光显影后形成光刻胶完全保留区、光刻胶半保留区和光刻胶完全去除区；
所述光刻胶完全保留区覆盖所述平坦化材料层中待形成所述第一凸起的区域，所述光刻胶完全去除区覆盖所述平坦化材料层中待形成所述通孔的区域，所述光刻胶半保留区覆盖所述平坦化材料层中的其它区域；
刻蚀所述光刻胶完全去除区覆盖的所述平坦化材料层形成所述通孔，刻蚀所述光刻胶半保留区覆盖的所述平坦化材料层形成所述平坦化层中除去所述通孔和所述第一凸起的其它区域，去除所述光刻胶完全保留区的光刻胶形成所述第一凸起。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述利用第二掩膜板曝光显影形成多个第一电极，包括：
在所述电极材料层涂布第二光刻胶层；
利用所述第二掩膜板对所述第二光刻胶层曝光显影后形成光刻胶完全去除区，所述电极材料层中覆盖所述第一凸起的部分向所述衬底的表面的正投影位于所述光刻胶完全去除区向所述衬底的表面的正投影内，并且，所述电极材料层中覆盖所述第一凸起的部分向所述衬底的表面的正投影的图形与所述光刻胶完全去除区向所述衬底的表面的正投影的图形之间的距离大于零；
采用湿法刻蚀工艺刻蚀与所述光刻胶完全去除区对应的所述电极材料层，形成多个所述第一电极。
4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述阵列基板用于制备有机发光显示面板，各所述第一电极包括发光部分和非发光部分，所述非发光部分通过所述通孔和与该通孔对应的所述薄膜晶体管电连接；
所述制作方法进一步包括：
形成像素定义层，所述像素定义层覆盖各所述第一电极的非发光部分；
形成多个有机发光层，每个有机发光层与各所述第一电极的发光部分对应设置；
形成第二电极，所述第二电极设置在每个所述有机发光层上。
5.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述阵列基板用于制备液晶显示面板；
所述制作方法进一步包括：
在各所述第一电极上依次形成钝化层和公共电极。
6.根据权利要求4或5所述的制作方法，其特征在于，所述薄膜晶体管包括源极、漏极、栅极和有源层，所述通孔与各所述薄膜晶体管的漏极对应，各所述第一电极通过所述通孔与对应的所述薄膜晶体管的漏极电连接。
7.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底；
多个薄膜晶体管，设置在所述衬底的一侧表面；
平坦化层，覆盖多个所述薄膜晶体管，并且所述平坦化层设有多个贯穿该平坦化层的通孔，各所述通孔与所述薄膜晶体管对应，所述平坦化层还包括台阶状第一凸起，且所述第一凸起向所述衬底的表面的正投影呈网格状；
多个第一电极，形成在所述平坦化层上，每个所述第一电极通过所述通孔与对应的所述薄膜晶体管电连接，且每个所述第一电极向所述衬底的表面的正投影位于各所述网格内。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板用于制备有机发光显示面板，各所述第一电极包括发光部分和非发光部分，所述非发光部分通过所述通孔和与该通孔对应的所述薄膜晶体管电连接；
所述阵列基板还包括：
像素定义层，所述像素定义层覆盖各所述通孔和各所述第一电极的非发光部分；
多个有机发光层，每个有机发光层与各所述第一电极的发光部分对应设置；
第二电极，所述第二电极设置在每个所述有机发光层上。
9.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板用于制备液晶显示面板；
所述阵列基板进一步包括：
设置在各所述第一电极上的钝化层，以及设置在所述钝化层上的公共电极。
10.根据权利要求8或9所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括源极、漏极、栅极和有源层，所述通孔与各所述薄膜晶体管的漏极对应，各所述第一电极通过所述通孔与对应的所述薄膜晶体管的漏极电连接。
11.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求7-10之一所述的阵列基板。
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