JPH08138971A - セラミック基板及びそれを用いたコンデンサ - Google Patents
セラミック基板及びそれを用いたコンデンサInfo
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- JPH08138971A JPH08138971A JP26955994A JP26955994A JPH08138971A JP H08138971 A JPH08138971 A JP H08138971A JP 26955994 A JP26955994 A JP 26955994A JP 26955994 A JP26955994 A JP 26955994A JP H08138971 A JPH08138971 A JP H08138971A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は電子機器の直流回路、ＯＡ機器の電
源回路に用いられるセラミック基板及びそれを用いたコ
ンデンサに関するもので、容量のばらつきが小さく、歩
留まりが良いセラミック基板及びそれを用いたコンデン
サを提供することを目的とするものである。 【構成】 セラミック基板１の両面に電極２，３を形成
し、電極２，３にリード線４，５を接合剤６，７を用い
て接合する。このときセラミック基板の最大表面粗度１
００μｍ未満とした。また造粒粉体の平均粒子径を４０
〜３００μｍ、滑落時間を４〜２０秒、嵩密度を０．６
〜３．０ｇ／ｃｍ3、安息角を５０度未満、成形体の成
形密度を２．２〜４．６ｇ／ｃｍ3という条件を組み合
わせてセラミック基板を製造する。
源回路に用いられるセラミック基板及びそれを用いたコ
ンデンサに関するもので、容量のばらつきが小さく、歩
留まりが良いセラミック基板及びそれを用いたコンデン
サを提供することを目的とするものである。 【構成】 セラミック基板１の両面に電極２，３を形成
し、電極２，３にリード線４，５を接合剤６，７を用い
て接合する。このときセラミック基板の最大表面粗度１
００μｍ未満とした。また造粒粉体の平均粒子径を４０
〜３００μｍ、滑落時間を４〜２０秒、嵩密度を０．６
〜３．０ｇ／ｃｍ3、安息角を５０度未満、成形体の成
形密度を２．２〜４．６ｇ／ｃｍ3という条件を組み合
わせてセラミック基板を製造する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子機器の直流回路、
ＯＡ機器の電源回路等の電子部品に用いられるセラミッ
ク基板及びそれを用いたコンデンサに関するものであ
る。
ＯＡ機器の電源回路等の電子部品に用いられるセラミッ
ク基板及びそれを用いたコンデンサに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】以下従来のセラミック基板について、コ
ンデンサを例に、図２を用いて説明する。
ンデンサを例に、図２を用いて説明する。
【０００３】９はセラミック基板、１０，１１はセラミ
ック基板９の両面に設けられた電極、１２，１３はそれ
ぞれ電極１０，１１上に接合されたリード線で、電極１
０，１１とリード線１２，１３はそれぞれ接合剤１４，
１５で接合されている。１６はセラミック基板９を覆う
ように設けられた外装材である。
ック基板９の両面に設けられた電極、１２，１３はそれ
ぞれ電極１０，１１上に接合されたリード線で、電極１
０，１１とリード線１２，１３はそれぞれ接合剤１４，
１５で接合されている。１６はセラミック基板９を覆う
ように設けられた外装材である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、高密度のセラミック基板９が得られたとし
ても、セラミック基板９の表面粗度が大きいため、電極
１０，１１がセラミック基板９上にうまく形成できず、
不良の発生や容量のばらつきを抑えられなかったので、
コンデンサの歩留まりが悪かった。
の構成では、高密度のセラミック基板９が得られたとし
ても、セラミック基板９の表面粗度が大きいため、電極
１０，１１がセラミック基板９上にうまく形成できず、
不良の発生や容量のばらつきを抑えられなかったので、
コンデンサの歩留まりが悪かった。
【０００５】本発明は上記課題を解決するもので、容量
のばらつきが小さく、歩留まりが良いセラミック基板及
びそれを用いたコンデンサを提供することを目的として
いる。
のばらつきが小さく、歩留まりが良いセラミック基板及
びそれを用いたコンデンサを提供することを目的として
いる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、セラミック基板の表面の最大粗度を１００μｍ未満
とした。また造粒粉体の平均粒子径を４０〜３００μ
ｍ、滑落時間を４〜２０秒、嵩密度を０．６〜３．０ｇ
／ｃｍ3、安息角を５０度未満、成形体の成形密度を
２．２〜４．６ｇ／ｃｍ3という条件を組み合わせてセ
ラミック基板を製造するという構成を有している。
に、セラミック基板の表面の最大粗度を１００μｍ未満
とした。また造粒粉体の平均粒子径を４０〜３００μ
ｍ、滑落時間を４〜２０秒、嵩密度を０．６〜３．０ｇ
／ｃｍ3、安息角を５０度未満、成形体の成形密度を
２．２〜４．６ｇ／ｃｍ3という条件を組み合わせてセ
ラミック基板を製造するという構成を有している。
【０００７】
【作用】上記構成により、セラミック基板表面に良好な
電極が形成される。また造粒粉体の流動性が高くなり、
成形体内部の密度を均一にできる。さらに成形金型への
造粒粉体の付着をなくし、基板の表面を滑らかにするこ
とができる。
電極が形成される。また造粒粉体の流動性が高くなり、
成形体内部の密度を均一にできる。さらに成形金型への
造粒粉体の付着をなくし、基板の表面を滑らかにするこ
とができる。
【０００８】
【実施例】図１は本発明の一実施例におけるセラミック
コンデンサの側断面図である。１はセラミック基板で、
セラミック基板１は板形状若しくは円筒形状に成形され
ており、一般には円板形にすることが好ましい。また円
板形の場合のセラミック基板１の寸法は、直径９〜２４
ｍｍ、厚さは７．５ｍｍ以下である事が好ましい。また
セラミック基板１の最大表面粗度は１００μｍ未満、好
ましくは８０μｍ未満がよい。２，３はそれぞれ基板１
の両端面に形成された電極で、電極２，３は、スクリー
ン印刷法、無電界メッキ法、溶射法等の方法を用いて形
成される。電極２，３を形成する方法の中でも、スクリ
ーン印刷法若しくは無電界Ｎｉメッキ法を用いるのが好
ましい。スクリーン印刷法に用いる導電性ペースト材料
としては、一般にＡｇ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｐ
ｔ，Ｐｄ等が用いられる。その中でも特にＡｇが、金属
中最も抵抗率が小さく、常温で表面が非常に安定なの
で、最も好ましい材料である。また電極２，３の大きさ
はセラミック基板１の寸法まで調整が可能であり、その
厚さは数μｍ〜数百μｍの間にする事が好ましい４，５
は電極２，３にそれぞれ接合されたリード線で、リード
線４，５は通常Ｃｕ線の上にＳｎ，Ｐｂ，Ｓｎ・Ｐｂ等
の材料をメッキしたものを用いる。６，７は電極２，３
とリード線４，５を接合する接合材である。接合材６，
７は導電性接合材を用いるのが好ましい。導電性接合材
としては、一般に半田や導電性樹脂を用いるが、ここで
は特に半田が好ましい。また接合材の代わりに溶接等の
方法を用いてもかまわない。８は基板１、電極２，３、
接合材６，７を覆うように設けられた外装材で、外装材
８は絶縁材料で構成されている。また外装材８は難燃性
であることが好ましい。外装材８の具体的な材料として
はエポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコン樹脂等の熱
硬化性樹脂が好ましい。
コンデンサの側断面図である。１はセラミック基板で、
セラミック基板１は板形状若しくは円筒形状に成形され
ており、一般には円板形にすることが好ましい。また円
板形の場合のセラミック基板１の寸法は、直径９〜２４
ｍｍ、厚さは７．５ｍｍ以下である事が好ましい。また
セラミック基板１の最大表面粗度は１００μｍ未満、好
ましくは８０μｍ未満がよい。２，３はそれぞれ基板１
の両端面に形成された電極で、電極２，３は、スクリー
ン印刷法、無電界メッキ法、溶射法等の方法を用いて形
成される。電極２，３を形成する方法の中でも、スクリ
ーン印刷法若しくは無電界Ｎｉメッキ法を用いるのが好
ましい。スクリーン印刷法に用いる導電性ペースト材料
としては、一般にＡｇ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｐ
ｔ，Ｐｄ等が用いられる。その中でも特にＡｇが、金属
中最も抵抗率が小さく、常温で表面が非常に安定なの
で、最も好ましい材料である。また電極２，３の大きさ
はセラミック基板１の寸法まで調整が可能であり、その
厚さは数μｍ〜数百μｍの間にする事が好ましい４，５
は電極２，３にそれぞれ接合されたリード線で、リード
線４，５は通常Ｃｕ線の上にＳｎ，Ｐｂ，Ｓｎ・Ｐｂ等
の材料をメッキしたものを用いる。６，７は電極２，３
とリード線４，５を接合する接合材である。接合材６，
７は導電性接合材を用いるのが好ましい。導電性接合材
としては、一般に半田や導電性樹脂を用いるが、ここで
は特に半田が好ましい。また接合材の代わりに溶接等の
方法を用いてもかまわない。８は基板１、電極２，３、
接合材６，７を覆うように設けられた外装材で、外装材
８は絶縁材料で構成されている。また外装材８は難燃性
であることが好ましい。外装材８の具体的な材料として
はエポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコン樹脂等の熱
硬化性樹脂が好ましい。
【０００９】以上の様に構成されたセラミックコンデン
サは、セラミック基板１の表面の最大粗度を１００μｍ
未満とすることによって、セラミック基板１上に形成さ
れる電極２，３が凸凹なく、均一に形成される。またセ
ラミック基板１の最大表面粗度を８０μｍ未満とする
と、さらに好ましい電極２，３が形成される。なおセラ
ミック基板１の最大表面粗度が１００μｍ以上となる
と、電極２，３の均一な形成が困難になるため歩留まり
が非常に悪くなる。以上の構成を持つセラミックコンデ
ンサは工程での歩留まりが従来比約６０％増と非常に高
い。従って本実施例でのセラミックコンデンサは、電子
機器の直流回路、ＯＡ機器の電源回路等に好適な信頼性
の高いコンデンサであるということができる。
サは、セラミック基板１の表面の最大粗度を１００μｍ
未満とすることによって、セラミック基板１上に形成さ
れる電極２，３が凸凹なく、均一に形成される。またセ
ラミック基板１の最大表面粗度を８０μｍ未満とする
と、さらに好ましい電極２，３が形成される。なおセラ
ミック基板１の最大表面粗度が１００μｍ以上となる
と、電極２，３の均一な形成が困難になるため歩留まり
が非常に悪くなる。以上の構成を持つセラミックコンデ
ンサは工程での歩留まりが従来比約６０％増と非常に高
い。従って本実施例でのセラミックコンデンサは、電子
機器の直流回路、ＯＡ機器の電源回路等に好適な信頼性
の高いコンデンサであるということができる。
【００１０】次に本発明の一実施例におけるセラミック
基板について説明する。まずセラミック基板の製造過程
について示す。
基板について説明する。まずセラミック基板の製造過程
について示す。
【００１１】まずＢａＴｉＯ3 ６４〜７１モル％，Ｂａ
ＺｒＯ3 ７〜２２モル％，ＣａＴｉＯ3 １４〜２２モル
％の範囲からなる主組成物１００モル％に対して、Ｐｂ
ＴｉＯ3 ０．３〜７．０ｗｔ％，ＭｎＣＯ3 ０．０３〜
０．５ｗｔ％，ＣｅＯ2 ０．０３〜０．５ｗｔ％，Ｍｇ
Ｏ０．０１〜０．２ｗｔ％，ＳｎＯ2 ０．０３〜０．４
ｗｔ％，Ｂｉ2Ｏ3 ０．０３〜０．４ｗｔ％の範囲から
なる添加物を含有するセラミックコンデンサ用粉末と、
ポリビニールアルコール系、酢酸ビニール系、アクリル
系等の結合剤と、水溶性高分子系もしくは分散性高分子
系の離形剤と、高分子ポリカルボン酸系の分散剤と水と
を、攪拌機付きタンク内で４〜４０時間混合して粉末ス
ラリーを作製した。このときの投入量は、コンデンサ用
粉末１００ｗｔ％に対して、結合剤を１．５〜４．５ｗ
ｔ％、離形剤を０．１〜０．３ｗｔ％、分散剤を０．１
〜０．３ｗｔ％、水を４０．０〜７５．０ｗｔ％であ
る。次に、前記粉末スラリーをスプレードライヤー若し
くはスプレーバックドライヤーを使用して噴霧乾燥し造
粒粉体を得た。この際、ドライヤーの熱風の温度条件を
８０〜１９０℃とした。次に上記造粒粉体を直径１６．
０ｍｍ、厚さ２．４ｍｍの円板状に成形して成形体を
得、その後、得られた成形体を電気炉を使用して大気中
で１３４０〜１４５０℃位で３０分〜６時間程度焼成し
てセラミック基板を作製した。
ＺｒＯ3 ７〜２２モル％，ＣａＴｉＯ3 １４〜２２モル
％の範囲からなる主組成物１００モル％に対して、Ｐｂ
ＴｉＯ3 ０．３〜７．０ｗｔ％，ＭｎＣＯ3 ０．０３〜
０．５ｗｔ％，ＣｅＯ2 ０．０３〜０．５ｗｔ％，Ｍｇ
Ｏ０．０１〜０．２ｗｔ％，ＳｎＯ2 ０．０３〜０．４
ｗｔ％，Ｂｉ2Ｏ3 ０．０３〜０．４ｗｔ％の範囲から
なる添加物を含有するセラミックコンデンサ用粉末と、
ポリビニールアルコール系、酢酸ビニール系、アクリル
系等の結合剤と、水溶性高分子系もしくは分散性高分子
系の離形剤と、高分子ポリカルボン酸系の分散剤と水と
を、攪拌機付きタンク内で４〜４０時間混合して粉末ス
ラリーを作製した。このときの投入量は、コンデンサ用
粉末１００ｗｔ％に対して、結合剤を１．５〜４．５ｗ
ｔ％、離形剤を０．１〜０．３ｗｔ％、分散剤を０．１
〜０．３ｗｔ％、水を４０．０〜７５．０ｗｔ％であ
る。次に、前記粉末スラリーをスプレードライヤー若し
くはスプレーバックドライヤーを使用して噴霧乾燥し造
粒粉体を得た。この際、ドライヤーの熱風の温度条件を
８０〜１９０℃とした。次に上記造粒粉体を直径１６．
０ｍｍ、厚さ２．４ｍｍの円板状に成形して成形体を
得、その後、得られた成形体を電気炉を使用して大気中
で１３４０〜１４５０℃位で３０分〜６時間程度焼成し
てセラミック基板を作製した。
【００１２】次にこのセラミック基板の評価を行う。上
記製造方法でセラミック基板を複数個作製した。その際
の造粒粉体の平均粒子径、滑落時間、嵩密度、安息角の
各粉体特性は（表１）に示すような値であり、成形体の
成形密度とセラミック基板の最大表面粗度は（表２）に
示す値であった。ここで平均粒子径は造粒粉体の金属顕
微鏡写真を撮影し対角線法により求めた。滑落時間は造
粒粉体１００ｃｍ3がロート内を滑り落ちるのに要する
時間を自動タイマーで計測することにより求めた。この
計測に用いたロートは図３に示したものである。嵩密度
は１００ｃｍ3の造粒粉体の重量を測定することによっ
て、また安息角は粉体特性測定装置を用いることによっ
て、それぞれ求めた。またセラミック基板の最大表面粗
度の測定には表面粗度計を用いた。さらに成形体内部に
ラミネーションが発生していないかどうかと造粒粉体が
成形金型に付着していないかどうかを、それぞれ肉眼で
観察して、その結果を（表２）に示した。またスクリー
ン印刷法でセラミック基板に銀電極を形成し、その難易
を（表２）に示した。
記製造方法でセラミック基板を複数個作製した。その際
の造粒粉体の平均粒子径、滑落時間、嵩密度、安息角の
各粉体特性は（表１）に示すような値であり、成形体の
成形密度とセラミック基板の最大表面粗度は（表２）に
示す値であった。ここで平均粒子径は造粒粉体の金属顕
微鏡写真を撮影し対角線法により求めた。滑落時間は造
粒粉体１００ｃｍ3がロート内を滑り落ちるのに要する
時間を自動タイマーで計測することにより求めた。この
計測に用いたロートは図３に示したものである。嵩密度
は１００ｃｍ3の造粒粉体の重量を測定することによっ
て、また安息角は粉体特性測定装置を用いることによっ
て、それぞれ求めた。またセラミック基板の最大表面粗
度の測定には表面粗度計を用いた。さらに成形体内部に
ラミネーションが発生していないかどうかと造粒粉体が
成形金型に付着していないかどうかを、それぞれ肉眼で
観察して、その結果を（表２）に示した。またスクリー
ン印刷法でセラミック基板に銀電極を形成し、その難易
を（表２）に示した。
【００１３】（表１）、（表２）の試料番号に※印を記
したものは本実施例外の試料である。
したものは本実施例外の試料である。
【００１４】
【表１】
【００１５】
【表２】
【００１６】（表１）、（表２）からわかるように、ほ
とんどの試料は、内部にラミネーションの発生も少なく
なく、表面もかなり滑らかなセラミック基板になってい
ることがわかる。しかしながら、いくつかの基板につい
ては問題が発生したので、その原因を考える。試料番号
１，５の基板は、明らかに平均粒子径に問題があってラ
ミネーションが発生したと思われる。また試料番号６，
１０の基板は、嵩密度に問題があったため造粒粉体が成
形金型に付着したものと思われる。また試料番号１１，
１５の基板は、明らかに滑落時間に問題があってラミネ
ーション、粉体の金型付着が発生し、また造粒粉体の取
り扱いが難しくなったと思われる。試料番号１７，１８
の基板は、安息角に問題があってラミネーションが発生
したと思われる。試料番号１９，２２は、成形密度に問
題があってラミネーションが発生したり、成形体の機械
的強度が弱かったりしていると思われる。またセラミッ
ク基板の最大表面粗度が１００μｍ以上では電極の形成
が困難になる傾向が見られる。以上の結果から、造粒粉
体の平均粒子径、滑落時間、嵩密度、安息角、成形体の
成形密度、及びセラミック基板の最大表面粗度の各値
は、それぞれ下記のように限定することが望ましいと思
われる。
とんどの試料は、内部にラミネーションの発生も少なく
なく、表面もかなり滑らかなセラミック基板になってい
ることがわかる。しかしながら、いくつかの基板につい
ては問題が発生したので、その原因を考える。試料番号
１，５の基板は、明らかに平均粒子径に問題があってラ
ミネーションが発生したと思われる。また試料番号６，
１０の基板は、嵩密度に問題があったため造粒粉体が成
形金型に付着したものと思われる。また試料番号１１，
１５の基板は、明らかに滑落時間に問題があってラミネ
ーション、粉体の金型付着が発生し、また造粒粉体の取
り扱いが難しくなったと思われる。試料番号１７，１８
の基板は、安息角に問題があってラミネーションが発生
したと思われる。試料番号１９，２２は、成形密度に問
題があってラミネーションが発生したり、成形体の機械
的強度が弱かったりしていると思われる。またセラミッ
ク基板の最大表面粗度が１００μｍ以上では電極の形成
が困難になる傾向が見られる。以上の結果から、造粒粉
体の平均粒子径、滑落時間、嵩密度、安息角、成形体の
成形密度、及びセラミック基板の最大表面粗度の各値
は、それぞれ下記のように限定することが望ましいと思
われる。
【００１７】造粒粉体の平均粒子径は４０〜３００μ
ｍ、好ましくは８０〜２００μｍがよい。４０μｍ未満
では造粒粉体の流動性が悪く、成形体内部にラミネーシ
ョンが発生したり、成形金型に造粒粉体が付着したりす
る。また３００μｍより大きいと造粒粉体の流動性がよ
くなりすぎて粉体の取り扱いが非常に難しくなる。なお
４０〜８０μｍ、２００〜３００μｍの範囲は粉体特性
上多少問題があるが、製品の特性、歩留まりを大きく損
なうことはない。
ｍ、好ましくは８０〜２００μｍがよい。４０μｍ未満
では造粒粉体の流動性が悪く、成形体内部にラミネーシ
ョンが発生したり、成形金型に造粒粉体が付着したりす
る。また３００μｍより大きいと造粒粉体の流動性がよ
くなりすぎて粉体の取り扱いが非常に難しくなる。なお
４０〜８０μｍ、２００〜３００μｍの範囲は粉体特性
上多少問題があるが、製品の特性、歩留まりを大きく損
なうことはない。
【００１８】焼成体の最大表面粗度は１００μｍ未満、
好ましくは８０μｍ未満がよい。１００μｍ以上ではス
クリーン印刷法による均一な電極の形成ができなくな
る。なお８０〜１００μｍの範囲では均一な電極の形成
が多少難しくなる傾向にあるが、これによる歩留まりの
悪化はほとんどない。
好ましくは８０μｍ未満がよい。１００μｍ以上ではス
クリーン印刷法による均一な電極の形成ができなくな
る。なお８０〜１００μｍの範囲では均一な電極の形成
が多少難しくなる傾向にあるが、これによる歩留まりの
悪化はほとんどない。
【００１９】滑落時間は４〜２０秒、好ましくは６〜１
６秒がよい。このとき４秒未満では造粒粉体の流動性が
良過ぎるため粉体の取り扱いが非常に困難になり、成形
工程において造粒粉体が成形金型からこぼれ落ちてしま
う。また２０秒以上では造粒粉体の流動性が非常に悪
く、成形体の内部にラミネーションが発生したり、造粒
粉体が成形金型へ付着するので、いずれも好ましくな
い。なお４〜６秒と１６〜２０秒の範囲はいずれも粉体
特性上は多少問題はあるが許容できる範囲である。
６秒がよい。このとき４秒未満では造粒粉体の流動性が
良過ぎるため粉体の取り扱いが非常に困難になり、成形
工程において造粒粉体が成形金型からこぼれ落ちてしま
う。また２０秒以上では造粒粉体の流動性が非常に悪
く、成形体の内部にラミネーションが発生したり、造粒
粉体が成形金型へ付着するので、いずれも好ましくな
い。なお４〜６秒と１６〜２０秒の範囲はいずれも粉体
特性上は多少問題はあるが許容できる範囲である。
【００２０】嵩密度は０．６〜３．０ｇ／ｃｍ3、好ま
しくは１．０〜２．６ｇ／ｃｍ3がよい。このとき０．
６ｇ／ｃｍ3未満では成形過程での圧縮比が大きくなり
成形体の厚みの調整が困難になる。また３。０ｇ／ｃｍ
3以上では成形体の内部にラミネーションが発生してし
まう。なお０．６〜１．０ｇ／ｃｍ3、２．６〜３．０
ｇ／ｃｍ3の範囲は、粉体特性上は多少問題があるが、
製品の特性、歩留まりを大きく損なうことはない。
しくは１．０〜２．６ｇ／ｃｍ3がよい。このとき０．
６ｇ／ｃｍ3未満では成形過程での圧縮比が大きくなり
成形体の厚みの調整が困難になる。また３。０ｇ／ｃｍ
3以上では成形体の内部にラミネーションが発生してし
まう。なお０．６〜１．０ｇ／ｃｍ3、２．６〜３．０
ｇ／ｃｍ3の範囲は、粉体特性上は多少問題があるが、
製品の特性、歩留まりを大きく損なうことはない。
【００２１】安息角は５０度未満、好ましくは４０度未
満がよい。このとき５０度以上では造粒粉体の流動性が
悪く、成形体内部にラミネーションが発生する。なお４
０〜５０度の範囲は粉体の流動性が悪くなる傾向にある
が、許容できる範囲である。
満がよい。このとき５０度以上では造粒粉体の流動性が
悪く、成形体内部にラミネーションが発生する。なお４
０〜５０度の範囲は粉体の流動性が悪くなる傾向にある
が、許容できる範囲である。
【００２２】成形密度は２．２〜４．６ｇ／ｃｍ3、好
ましくは３．０〜４．０ｇ／ｃｍ3がよい。このとき
２．２ｇ／ｃｍ3以下では成形体の機械的強度が弱く容
易に破壊されやすい。さらに焼成収縮率も大きくなる傾
向を示す。また４．６ｇ／ｃｍ3以上では成形過程での
成形圧力が大きくなり、成形体内部にラミネーションが
発生する。なお２．２〜３．０ｇ／ｃｍ3、４．０〜
４．６ｇ／ｃｍ3の範囲は、特性上は多少問題がある
が、製品の特性、歩留まりを大きく損なうことはない。
ましくは３．０〜４．０ｇ／ｃｍ3がよい。このとき
２．２ｇ／ｃｍ3以下では成形体の機械的強度が弱く容
易に破壊されやすい。さらに焼成収縮率も大きくなる傾
向を示す。また４．６ｇ／ｃｍ3以上では成形過程での
成形圧力が大きくなり、成形体内部にラミネーションが
発生する。なお２．２〜３．０ｇ／ｃｍ3、４．０〜
４．６ｇ／ｃｍ3の範囲は、特性上は多少問題がある
が、製品の特性、歩留まりを大きく損なうことはない。
【００２３】以上のように造粒粉体の平均粒子径、滑落
時間、嵩密度、安息角、成形体の成形密度、及びセラミ
ック基板の最大表面粗度の範囲に限定を加えることによ
り、本実施例のセラミック基板は、従来のものに比べ
て、基板の表面が非常に滑らかになり、さらに内部での
ラミネーションの発生も抑えることができる。またコン
デンサに用いた場合、歩留まりが高く、容量のばらつき
を抑える効果もある。以上のことから本実施例のセラミ
ック基板は非常に優れたものであると言える。
時間、嵩密度、安息角、成形体の成形密度、及びセラミ
ック基板の最大表面粗度の範囲に限定を加えることによ
り、本実施例のセラミック基板は、従来のものに比べ
て、基板の表面が非常に滑らかになり、さらに内部での
ラミネーションの発生も抑えることができる。またコン
デンサに用いた場合、歩留まりが高く、容量のばらつき
を抑える効果もある。以上のことから本実施例のセラミ
ック基板は非常に優れたものであると言える。
【００２４】なお本実施例中では造粒粉体の平均粒子
径、滑落時間、嵩密度、安息角、成形体の成形密度、及
びセラミック基板の最大表面粗度の６つの全てを限定し
ていたが、本実施例では滑落時間、嵩密度、安息角、成
形密度、最大表面粗度の内どれか１つでも限定すること
により工程での歩留まりが従来の方法に比べてはるかに
良くなり、それら６つの限定のうちどれか２つを限定す
ることによりさらに歩留まりを良くすることができ、さ
らに３つ、４つと限定条件を増やしていくに従って工程
での歩留まり、製品の信頼性が共に上がっていく。なお
造粒粉体の平均粒子径、滑落時間、嵩密度、安息角、成
形体の成形密度、及びセラミック基板の最大表面粗度の
６つを数値限定した場合、工程での歩留まりはだいたい
６０％程度増加する。
径、滑落時間、嵩密度、安息角、成形体の成形密度、及
びセラミック基板の最大表面粗度の６つの全てを限定し
ていたが、本実施例では滑落時間、嵩密度、安息角、成
形密度、最大表面粗度の内どれか１つでも限定すること
により工程での歩留まりが従来の方法に比べてはるかに
良くなり、それら６つの限定のうちどれか２つを限定す
ることによりさらに歩留まりを良くすることができ、さ
らに３つ、４つと限定条件を増やしていくに従って工程
での歩留まり、製品の信頼性が共に上がっていく。なお
造粒粉体の平均粒子径、滑落時間、嵩密度、安息角、成
形体の成形密度、及びセラミック基板の最大表面粗度の
６つを数値限定した場合、工程での歩留まりはだいたい
６０％程度増加する。
【００２５】また本実施例中では造粒粉体の作成方法は
上述のスプレードライヤー若しくはスプレーバックドラ
イヤーによる方法としていたが、そのほかにも造粒粉体
の粉体特性を損なわない範囲であれば、例えばポリビニ
ールアルコール溶液等を用いた機械的混合方法であって
も差し支えない。
上述のスプレードライヤー若しくはスプレーバックドラ
イヤーによる方法としていたが、そのほかにも造粒粉体
の粉体特性を損なわない範囲であれば、例えばポリビニ
ールアルコール溶液等を用いた機械的混合方法であって
も差し支えない。
【００２６】なお本実施例ではセラミック基板をコンデ
ンサとして用いたが、配線基板等の他のセラミック製品
にも利用できる。
ンサとして用いたが、配線基板等の他のセラミック製品
にも利用できる。
【００２７】
【発明の効果】以上のように本発明は、最大表面粗度を
１００μｍ未満に限定したことにより、表面に良好な電
極を形成することができるセラミック基板になってい
る。また造粒粉体の平均粒子径、滑落速度、嵩密度、安
息角、及び成形体の成形密度を限定したことによって、
セラミック基板の表面を滑らかにすることができ、また
基板内部のラミネーションの発生を抑えることができ
る。またこの基板をコンデンサに用いた場合、最大表面
粗度を限定したことによって、電極の形成が容易で、容
量のばらつきを小さくすることができ、歩留まりの高い
コンデンサとなる。
１００μｍ未満に限定したことにより、表面に良好な電
極を形成することができるセラミック基板になってい
る。また造粒粉体の平均粒子径、滑落速度、嵩密度、安
息角、及び成形体の成形密度を限定したことによって、
セラミック基板の表面を滑らかにすることができ、また
基板内部のラミネーションの発生を抑えることができ
る。またこの基板をコンデンサに用いた場合、最大表面
粗度を限定したことによって、電極の形成が容易で、容
量のばらつきを小さくすることができ、歩留まりの高い
コンデンサとなる。
【図１】本発明の一実施例におけるセラミックコンデン
サの側断面図
サの側断面図
【図２】セラミックコンデンサの側断面図
【図３】滑落時間の測定に用いたロートを示す図
１ セラミック基板 ２，３ 電極 ４，５ リード線 ６，７ 接合剤 ８ 外装材 ９ セラミック基板 １０，１１ 電極 １２，１３ リード線 １４，１５ 接合剤 １６ 外装材
Claims (10)
- 【請求項１】造粒粉体を成形し、焼成したセラミック基
板であって、最大表面粗度が１００μｍ未満であること
を特徴とするセラミック基板。 - 【請求項２】滑落時間が４〜２０秒、安息角が５０度未
満、嵩密度が０．６〜３．０ｇ／ｃｍ3のうち少なくと
も１つを満たす造粒粉体を成形して成形体を作製し、そ
の後、その成形体を焼成して得られることを特徴とする
セラミック基板の製造方法。 - 【請求項３】成形体の成形密度を２．２〜４．６ｇ／ｃ
ｍ3としたことを特徴とする請求項２記載のセラミック
基板の製造方法。 - 【請求項４】造粒粉体を成形して成形密度が２．２〜
４．６ｇ／ｃｍ3の成形体を得、その後、その成形体を
焼成して得られることを特徴とするセラミック基板の製
造方法。 - 【請求項５】造粒粉体の平均粒子径を４０〜３００μｍ
としたことを特徴とする少なくとも請求項２，４いずれ
か１項記載のセラミック基板の製造方法。 - 【請求項６】セラミック基板と、前記セラミック基板の
両端に設けられた電極と、その電極に接合されたリード
線と、前記セラミック基板と前記電極を覆う外装材とを
備えたセラミックコンデンサであって、前記セラミック
基板の最大表面粗度が１００μｍ未満であることを特徴
とするコンデンサ。 - 【請求項７】滑落時間４〜２０秒、安息角５０度未満、
嵩密度０．６〜３．０ｇ／ｃｍ3のうち少なくとも１つ
条件を満たす造粒粉体を成形して成形体を得、その後、
その成形体を焼成して得られるセラミック基板に電極を
形成し、その電極にリード線を接合し、前記基板及び前
記電極を外装材で覆うことを特徴とするセラミックコン
デンサの製造方法。 - 【請求項８】成形体の成形密度を２．２〜４．６ｇ／ｃ
ｍ3としたことを特徴とする請求項７記載のセラミック
コンデンサの製造方法。 - 【請求項９】造粒粉体を成形して成形密度が２．２〜
４．６ｇ／ｃｍ3の成形体を得、その後、その成形体を
焼成して得られるセラミック基板に電極を形成し、その
電極にリード線を接合し、前記セラミック基板及び前記
電極を外装材で覆うことを特徴とするセラミックコンデ
ンサの製造方法。 - 【請求項１０】造粒粉体の平均粒子径を４０〜３００μ
ｍとしたことを特徴とする少なくとも請求項７，９のい
ずれか１項記載のセラミックコンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26955994A JP3666908B2 (ja) | 1994-11-02 | 1994-11-02 | セラミックコンデンサ用のセラミック基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26955994A JP3666908B2 (ja) | 1994-11-02 | 1994-11-02 | セラミックコンデンサ用のセラミック基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08138971A true JPH08138971A (ja) | 1996-05-31 |
| JP3666908B2 JP3666908B2 (ja) | 2005-06-29 |
Family
ID=17474070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26955994A Expired - Lifetime JP3666908B2 (ja) | 1994-11-02 | 1994-11-02 | セラミックコンデンサ用のセラミック基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3666908B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013251503A (ja) * | 2012-06-04 | 2013-12-12 | Toshiba Corp | 電流−電圧非直線抵抗体およびその製造方法 |
| CN112713013A (zh) * | 2020-12-28 | 2021-04-27 | 金照辉 | 一种特高压电容器制备工艺 |
-
1994
- 1994-11-02 JP JP26955994A patent/JP3666908B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013251503A (ja) * | 2012-06-04 | 2013-12-12 | Toshiba Corp | 電流−電圧非直線抵抗体およびその製造方法 |
| CN112713013A (zh) * | 2020-12-28 | 2021-04-27 | 金照辉 | 一种特高压电容器制备工艺 |
| CN112713013B (zh) * | 2020-12-28 | 2022-11-22 | 深圳锐取电子有限公司 | 一种特高压电容器制备工艺 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3666908B2 (ja) | 2005-06-29 |
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