JPH08129772A - 合成樹脂製光ピックアップ用回折格子 - Google Patents
合成樹脂製光ピックアップ用回折格子Info
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- JPH08129772A JPH08129772A JP6269726A JP26972694A JPH08129772A JP H08129772 A JPH08129772 A JP H08129772A JP 6269726 A JP6269726 A JP 6269726A JP 26972694 A JP26972694 A JP 26972694A JP H08129772 A JPH08129772 A JP H08129772A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 耐高温、耐低温、耐湿度、ヒートショック等
の耐環境性に優れた合成樹脂製光ピックアップ用回折格
子を提供する。 【構成】 合成樹脂からなる光ピックアップ用の回折格
子１において、回折格子１の基板１ａの表面側から順
に、第１層として膜厚１／２０λ〜１／２λのＳｉＯ2
層３ａを形成する。第２層として膜厚１／８λのＺｒＯ
2 とＴａ2 Ｏ5 との混合物層３ｂ、同膜厚のＺｒＯ2 と
ＴｉＯ2 との混合物層、または同膜厚のＺｒＯ2 とＴｉ
Ｏ2 とＡｌ2 Ｏ3 との混合物層を形成する。第３層とし
て膜厚１／３λのＳｉＯ2 層を形成する。
の耐環境性に優れた合成樹脂製光ピックアップ用回折格
子を提供する。 【構成】 合成樹脂からなる光ピックアップ用の回折格
子１において、回折格子１の基板１ａの表面側から順
に、第１層として膜厚１／２０λ〜１／２λのＳｉＯ2
層３ａを形成する。第２層として膜厚１／８λのＺｒＯ
2 とＴａ2 Ｏ5 との混合物層３ｂ、同膜厚のＺｒＯ2 と
ＴｉＯ2 との混合物層、または同膜厚のＺｒＯ2 とＴｉ
Ｏ2 とＡｌ2 Ｏ3 との混合物層を形成する。第３層とし
て膜厚１／３λのＳｉＯ2 層を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ピックアップに用い
られる合成樹脂製の回折格子に関する。
られる合成樹脂製の回折格子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えば実開平２−１１３７０３号
公報に開示されるような回折格子がある。この回折格子
は、回折格子の入出射面にシリカまたはフッ化マグネシ
ウムあるいは酸化チタン等の保護膜を蒸着することによ
り光の透過率を向上させるというものである。
公報に開示されるような回折格子がある。この回折格子
は、回折格子の入出射面にシリカまたはフッ化マグネシ
ウムあるいは酸化チタン等の保護膜を蒸着することによ
り光の透過率を向上させるというものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の技
術によれば、以下のような問題点を有していた。すなわ
ち、光ピックアップは過酷な環境下で使用されることが
想定され、耐高温、耐低温、耐湿度、ヒートショック等
の種々の耐久性を満たさなければならない。ところが、
従来の回折格子では、高温下やヒートショックにおいて
クラックが発生したり、また、多湿環境下において膜の
剥離を生じ、上記耐久性を満足せず、光ピックアップと
しての性能を損なってしまうという問題があった。
術によれば、以下のような問題点を有していた。すなわ
ち、光ピックアップは過酷な環境下で使用されることが
想定され、耐高温、耐低温、耐湿度、ヒートショック等
の種々の耐久性を満たさなければならない。ところが、
従来の回折格子では、高温下やヒートショックにおいて
クラックが発生したり、また、多湿環境下において膜の
剥離を生じ、上記耐久性を満足せず、光ピックアップと
しての性能を損なってしまうという問題があった。
【０００４】本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてな
されたもので、耐高温、耐低温、耐湿度、ヒートショッ
ク等の耐環境性に優れた合成樹脂製光ピックアップ用回
折格子を提供することを目的とする。
されたもので、耐高温、耐低温、耐湿度、ヒートショッ
ク等の耐環境性に優れた合成樹脂製光ピックアップ用回
折格子を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１に係る発明は、合成樹脂からなる光ピック
アップ用回折格子において、回折格子の基板の表面側か
ら順に、第１層として膜厚１／２０λ〜１／２λのＳｉ
Ｏ2 層、第２層として膜厚１／８λのＺｒＯ2とＴａ2
Ｏ5 との混合物層、同膜厚のＺｒＯ2 とＴｉＯ2 との混
合物層、または同膜厚のＺｒＯ2 とＴｉＯ2 とＡｌ2 Ｏ
3 との混合物層、第３層として膜厚１／３λのＳｉＯ2
層を形成した。
に、請求項１に係る発明は、合成樹脂からなる光ピック
アップ用回折格子において、回折格子の基板の表面側か
ら順に、第１層として膜厚１／２０λ〜１／２λのＳｉ
Ｏ2 層、第２層として膜厚１／８λのＺｒＯ2とＴａ2
Ｏ5 との混合物層、同膜厚のＺｒＯ2 とＴｉＯ2 との混
合物層、または同膜厚のＺｒＯ2 とＴｉＯ2 とＡｌ2 Ｏ
3 との混合物層、第３層として膜厚１／３λのＳｉＯ2
層を形成した。
【０００６】
【作用】まず、本発明者は、多湿環境下における膜の剥
離が第２層の材料の密度の低さに起因することを実験に
より明らかにした。そして、密度の高い膜を得られるＺ
ｒＯ2 とＴａ2 Ｏ5 との混合物、ＺｒＯ2 とＴｉＯ2 と
の混合物、またはＺｒＯ 2 とＴｉＯ2 とＡｌ2 Ｏ3 との
混合物を用いることによって耐湿性が改善されることを
見い出した。次に、クラックの発生は、高温下において
膜に引っ張り応力が加わることに起因するものであると
考え、本発明者は、膜の応力が５０Ｐａ・ｍ以上の圧縮
応力であればクラックの発生を抑えられることを見い出
した。そして、上記混合物材料を用いることにより上記
応力の条件を満たすことを見い出した。
離が第２層の材料の密度の低さに起因することを実験に
より明らかにした。そして、密度の高い膜を得られるＺ
ｒＯ2 とＴａ2 Ｏ5 との混合物、ＺｒＯ2 とＴｉＯ2 と
の混合物、またはＺｒＯ 2 とＴｉＯ2 とＡｌ2 Ｏ3 との
混合物を用いることによって耐湿性が改善されることを
見い出した。次に、クラックの発生は、高温下において
膜に引っ張り応力が加わることに起因するものであると
考え、本発明者は、膜の応力が５０Ｐａ・ｍ以上の圧縮
応力であればクラックの発生を抑えられることを見い出
した。そして、上記混合物材料を用いることにより上記
応力の条件を満たすことを見い出した。
【０００７】また、各層の膜厚は、反射防止性能および
回折性能を良好にするために満たすべき条件である。特
に、合成樹脂製回折格子表面から第１層目の膜厚が１／
２０λより薄いと、膜応力の条件を満たさず、クラック
を発生させてしまう。一方、１／２λより厚いと、全体
の膜厚が回折格子の溝深さに対して大きくなってしま
い、溝形状を変化させ、回折効率性能を悪化させてしま
う。
回折性能を良好にするために満たすべき条件である。特
に、合成樹脂製回折格子表面から第１層目の膜厚が１／
２０λより薄いと、膜応力の条件を満たさず、クラック
を発生させてしまう。一方、１／２λより厚いと、全体
の膜厚が回折格子の溝深さに対して大きくなってしま
い、溝形状を変化させ、回折効率性能を悪化させてしま
う。
【０００８】
［実施例１］図１〜図３に基づき説明する。図１は本実
施例のＣＤ用の合成樹脂製光ピックアップ用回折格子を
示す側面図である。この回折格子１は、波長７８０ｎｍ
の半導体レーザにおいて用いるものである。図２は本実
施例の回折格子１の光ピックアップにおける使用状態を
示す概念図である。半導体レーザ４より出た光は、パッ
ケージ５に固着された回折格子１を通り、その０次光が
対物レンズ６を通って、ディスク７に到達する。ディス
ク７で反射した光は、行きと同じ光路を戻り、対物レン
ズ６、回折格子１を再び通って回折した光がフォトダイ
オード８に入るようになっている。
施例のＣＤ用の合成樹脂製光ピックアップ用回折格子を
示す側面図である。この回折格子１は、波長７８０ｎｍ
の半導体レーザにおいて用いるものである。図２は本実
施例の回折格子１の光ピックアップにおける使用状態を
示す概念図である。半導体レーザ４より出た光は、パッ
ケージ５に固着された回折格子１を通り、その０次光が
対物レンズ６を通って、ディスク７に到達する。ディス
ク７で反射した光は、行きと同じ光路を戻り、対物レン
ズ６、回折格子１を再び通って回折した光がフォトダイ
オード８に入るようになっている。
【０００９】図１において、基板１ａの材料はアモルフ
ァス・ポリオレフィン樹脂（日本ゼオン（株）製、ＺＥ
ＯＮＥＸ）であり、基板１ａは射出成形にて成形したも
のである。グレーティング部２はピッチ３μｍ、深さ
０．４μｍ、デューティ比１：１の矩形格子となってい
る。ＡＲコート３のない基板１ａの状態での０次光の回
折効率は５３％、±１次光の回折効率は１９％である。
回折格子１の基板１ａ両面には、その表面側から順に、
光学的膜厚１５０ｎｍのＳｉＯ2 層３ａ、光学的膜厚９
５ｎｍの、ＺｒＯ2 とＴａ2 Ｏ5 との重量比９：１の混
合物層３ｂ、光学的膜厚２５４ｎｍのＳｉＯ2 層３ｃが
形成されている。
ァス・ポリオレフィン樹脂（日本ゼオン（株）製、ＺＥ
ＯＮＥＸ）であり、基板１ａは射出成形にて成形したも
のである。グレーティング部２はピッチ３μｍ、深さ
０．４μｍ、デューティ比１：１の矩形格子となってい
る。ＡＲコート３のない基板１ａの状態での０次光の回
折効率は５３％、±１次光の回折効率は１９％である。
回折格子１の基板１ａ両面には、その表面側から順に、
光学的膜厚１５０ｎｍのＳｉＯ2 層３ａ、光学的膜厚９
５ｎｍの、ＺｒＯ2 とＴａ2 Ｏ5 との重量比９：１の混
合物層３ｂ、光学的膜厚２５４ｎｍのＳｉＯ2 層３ｃが
形成されている。
【００１０】本実施例のＡＲコート３の応力を測定した
ところ、９０Ｐａ・ｍの圧縮応力であった。また、ＡＲ
コート３の反射率特性を図３に示す。図３から判るよう
に、使用波長において反射率は０．５％以下になってい
る。また、本実施例による合成樹脂製の回折格子１は、
８５℃に２００時間放置、−４０℃に２００時間放置、
６５℃／湿度９０％に２００時間放置および８５℃と−
４０℃とにそれぞれ３０分ずつの放置を２００サイクル
繰り返すヒートショック試験に対して、それぞれ外観お
よび反射率特性に劣化が見られなかった。さらに、回折
効率性能も上記基板状態での性能に対して劣化しておら
ず、ＡＲコート３を形成したことによる回折性能劣化と
いう問題も有していないことが確認された。
ところ、９０Ｐａ・ｍの圧縮応力であった。また、ＡＲ
コート３の反射率特性を図３に示す。図３から判るよう
に、使用波長において反射率は０．５％以下になってい
る。また、本実施例による合成樹脂製の回折格子１は、
８５℃に２００時間放置、−４０℃に２００時間放置、
６５℃／湿度９０％に２００時間放置および８５℃と−
４０℃とにそれぞれ３０分ずつの放置を２００サイクル
繰り返すヒートショック試験に対して、それぞれ外観お
よび反射率特性に劣化が見られなかった。さらに、回折
効率性能も上記基板状態での性能に対して劣化しておら
ず、ＡＲコート３を形成したことによる回折性能劣化と
いう問題も有していないことが確認された。
【００１１】すなわち、本実施例のＣＤ用の合成樹脂製
光ピックアップ用回折格子は、光学的性能が良好で、耐
高温、耐低温、耐湿度、ヒートショック等の耐久性に優
れている。
光ピックアップ用回折格子は、光学的性能が良好で、耐
高温、耐低温、耐湿度、ヒートショック等の耐久性に優
れている。
【００１２】［実施例２］以下、実施例１と異なる点の
みについて図１に基づき説明する。回折格子１の基板１
ａの両面には、その表面側から順に、光学的膜厚４０ｎ
ｍのＳｉＯ2 層３ａ、光学的膜厚１００ｎｍの、ＺｒＯ
2 とＴａ2 Ｏ5 との重量比９：１の混合物層３ｂ、光学
的膜厚２４５ｎｍのＳｉＯ2 層３ｃが形成されている。
みについて図１に基づき説明する。回折格子１の基板１
ａの両面には、その表面側から順に、光学的膜厚４０ｎ
ｍのＳｉＯ2 層３ａ、光学的膜厚１００ｎｍの、ＺｒＯ
2 とＴａ2 Ｏ5 との重量比９：１の混合物層３ｂ、光学
的膜厚２４５ｎｍのＳｉＯ2 層３ｃが形成されている。
【００１３】本実施例のＡＲコート３の応力を測定した
ところ、６７Ｐａ・ｍの圧縮応力であった。本実施例に
よっても実施例１と同様の効果が得られた。
ところ、６７Ｐａ・ｍの圧縮応力であった。本実施例に
よっても実施例１と同様の効果が得られた。
【００１４】［実施例３］実施例１と異なる点のみにつ
いて図１に基づき説明する。回折格子１の基板１ａの両
面には、その表面側から順に、光学的膜厚３５０ｎｍの
ＳｉＯ2 層３ａ、光学的膜厚９０ｎｍの、ＺｒＯ2 とＴ
ａ2 Ｏ5 との重量比９：１の混合物層３ｂ、光学的膜厚
２４３ｎｍのＳｉＯ2 層３ｃが形成されている。
いて図１に基づき説明する。回折格子１の基板１ａの両
面には、その表面側から順に、光学的膜厚３５０ｎｍの
ＳｉＯ2 層３ａ、光学的膜厚９０ｎｍの、ＺｒＯ2 とＴ
ａ2 Ｏ5 との重量比９：１の混合物層３ｂ、光学的膜厚
２４３ｎｍのＳｉＯ2 層３ｃが形成されている。
【００１５】本実施例のＡＲコート３の応力を測定した
ところ、１００Ｐａ・ｍの圧縮応力であった。本実施例
においても実施例１と同様の効果が得られた。
ところ、１００Ｐａ・ｍの圧縮応力であった。本実施例
においても実施例１と同様の効果が得られた。
【００１６】［実施例４］本実施例のＣＤ用の合成樹脂
製光ピックアップ用回折格子は、波長６５０ｎｍの半導
体レーザにおいて用いるものである。回折格子の概略形
状および使用方法は実施例１と同様である。以下、図１
に基づき説明する。基板１ａの材料はＺＥＯＮＥＸで、
基板１ａは射出成形にて成形したものである。グレーテ
ィング部２はピッチ３μｍ、深さ０．３３μｍ、デュー
ティ比１：１の矩形格子となっている。ＡＲコート３の
ない基板１ａの状態での０次光の回折効率は５３％、±
１次光の回折効率は１９％である。回折格子１の基板１
ａの両面には、その表面側から順に、光学的膜厚２００
ｎｍのＳｉＯ2 層３ａ、光学的膜厚７７ｎｍの、ＺｒＯ
2 とＴｉＯ2 との重量比８：２の混合物層３ｂ、光学的
膜厚２０４ｎｍのＳｉＯ2 層３ｃが形成されている。
製光ピックアップ用回折格子は、波長６５０ｎｍの半導
体レーザにおいて用いるものである。回折格子の概略形
状および使用方法は実施例１と同様である。以下、図１
に基づき説明する。基板１ａの材料はＺＥＯＮＥＸで、
基板１ａは射出成形にて成形したものである。グレーテ
ィング部２はピッチ３μｍ、深さ０．３３μｍ、デュー
ティ比１：１の矩形格子となっている。ＡＲコート３の
ない基板１ａの状態での０次光の回折効率は５３％、±
１次光の回折効率は１９％である。回折格子１の基板１
ａの両面には、その表面側から順に、光学的膜厚２００
ｎｍのＳｉＯ2 層３ａ、光学的膜厚７７ｎｍの、ＺｒＯ
2 とＴｉＯ2 との重量比８：２の混合物層３ｂ、光学的
膜厚２０４ｎｍのＳｉＯ2 層３ｃが形成されている。
【００１７】本実施例のＡＲコート３の応力を測定した
ところ、８３Ｐａ・ｍの圧縮応力であった。また、ＡＲ
コート３の反射率特性を図４に示す。図４から判るよう
に、使用波長において反射率は０．５％以下になってい
る。また、本実施例による合成樹脂製の回折格子１は、
８５℃に２００時間放置、−４０℃に２００時間放置、
６５℃／湿度９０％に２００時間放置および８５℃と−
４０℃とにそれぞれ３０分ずつの放置を２００サイクル
繰り返すヒートショック試験に対して、それぞれ外観お
よび反射率特性に劣化が見られなかった。さらに、回折
効率性能も上記基板状態での性能に対して劣化しておら
ず、ＡＲコート３を形成したことによる回折性能劣化と
いう問題も有していないことが確認された。
ところ、８３Ｐａ・ｍの圧縮応力であった。また、ＡＲ
コート３の反射率特性を図４に示す。図４から判るよう
に、使用波長において反射率は０．５％以下になってい
る。また、本実施例による合成樹脂製の回折格子１は、
８５℃に２００時間放置、−４０℃に２００時間放置、
６５℃／湿度９０％に２００時間放置および８５℃と−
４０℃とにそれぞれ３０分ずつの放置を２００サイクル
繰り返すヒートショック試験に対して、それぞれ外観お
よび反射率特性に劣化が見られなかった。さらに、回折
効率性能も上記基板状態での性能に対して劣化しておら
ず、ＡＲコート３を形成したことによる回折性能劣化と
いう問題も有していないことが確認された。
【００１８】すなわち、本実施例のＣＤ用の合成樹脂製
光ピックアップ用回折格子は、光学的性能が良好で、耐
高温、耐低温、耐湿度、ヒートショック等の耐久性に優
れている。
光ピックアップ用回折格子は、光学的性能が良好で、耐
高温、耐低温、耐湿度、ヒートショック等の耐久性に優
れている。
【００１９】［実施例５］図５および図６に基づき説明
する。図５は本実施例の光磁気ディスク用の合成樹脂製
光ピックアップ用回折格子の光ピックアップにおける使
用状態を示す概念図である。波長７８５ｎｍの半導体レ
ーザ４より出た光は、パッケージ５に固着された回折格
子１を通り、その０次光がコリメートレンズ１２、偏光
ビームスプリッタ９、対物レンズ６を経てディスク７に
到達する。ディスク７で反射した一部の光は、行きと同
じ光路を戻り、対物レンズ６、偏光ビームスプリッタ
９、回折格子１を再び通って回折した光がフォトダイオ
ード８に入る。また、他の一部の光は、偏光ビームスプ
リッタ９から偏光プリズム１０、集光レンズ１３を通っ
てフォトダイオード１１に入る。
する。図５は本実施例の光磁気ディスク用の合成樹脂製
光ピックアップ用回折格子の光ピックアップにおける使
用状態を示す概念図である。波長７８５ｎｍの半導体レ
ーザ４より出た光は、パッケージ５に固着された回折格
子１を通り、その０次光がコリメートレンズ１２、偏光
ビームスプリッタ９、対物レンズ６を経てディスク７に
到達する。ディスク７で反射した一部の光は、行きと同
じ光路を戻り、対物レンズ６、偏光ビームスプリッタ
９、回折格子１を再び通って回折した光がフォトダイオ
ード８に入る。また、他の一部の光は、偏光ビームスプ
リッタ９から偏光プリズム１０、集光レンズ１３を通っ
てフォトダイオード１１に入る。
【００２０】図１に基づき本実施例の回折格子１を説明
する。基板１ａの材料はＰＭＭＡであり、基板１ａは射
出成形にて成形したものである。グレーティング部２は
ピッチ３μｍ、深さ０．２μｍ、デューティ比１：１の
矩形格子となっている。ＡＲコート３のない基板１ａの
状態での回折効率は８０％、±１次光の回折効率は７％
である。回折格子１の基板１ａの両面には、その表面側
から順に、光学的膜厚４０ｎｍのＳｉＯ2 層３ａ、光学
的膜厚１００ｎｍの、ＺｒＯ2 とＴａ2 Ｏ5 との重量比
９：１の混合物層３ｂ、光学的膜厚２４５ｎｍのＳｉＯ
2 層３ｃが形成されている。
する。基板１ａの材料はＰＭＭＡであり、基板１ａは射
出成形にて成形したものである。グレーティング部２は
ピッチ３μｍ、深さ０．２μｍ、デューティ比１：１の
矩形格子となっている。ＡＲコート３のない基板１ａの
状態での回折効率は８０％、±１次光の回折効率は７％
である。回折格子１の基板１ａの両面には、その表面側
から順に、光学的膜厚４０ｎｍのＳｉＯ2 層３ａ、光学
的膜厚１００ｎｍの、ＺｒＯ2 とＴａ2 Ｏ5 との重量比
９：１の混合物層３ｂ、光学的膜厚２４５ｎｍのＳｉＯ
2 層３ｃが形成されている。
【００２１】本実施例のＡＲコート３の応力を測定した
ところ、９０Ｐａ・ｍの圧縮応力であった。また、ＡＲ
コート３の反射率特性を図６に示す。図６から判るよう
に、使用波長において反射率は０．５％以下になってい
る。また、本実施例による合成樹脂製の回折格子１は、
８５℃に２００時間放置、−４０℃に２００時間放置、
６５℃／湿度９０％に２００時間放置および８５℃と−
４０℃とにそれぞれ３０分ずつの放置を２００サイクル
繰り返すヒートショック試験に対して、それぞれ外観お
よび反射率特性に劣化が見られなかった。さらに、回折
効率性能も上記基板状態での性能に対して劣化しておら
ず、ＡＲコート３を形成したことによる回折性能劣化と
いう問題も有していないことが確認された。
ところ、９０Ｐａ・ｍの圧縮応力であった。また、ＡＲ
コート３の反射率特性を図６に示す。図６から判るよう
に、使用波長において反射率は０．５％以下になってい
る。また、本実施例による合成樹脂製の回折格子１は、
８５℃に２００時間放置、−４０℃に２００時間放置、
６５℃／湿度９０％に２００時間放置および８５℃と−
４０℃とにそれぞれ３０分ずつの放置を２００サイクル
繰り返すヒートショック試験に対して、それぞれ外観お
よび反射率特性に劣化が見られなかった。さらに、回折
効率性能も上記基板状態での性能に対して劣化しておら
ず、ＡＲコート３を形成したことによる回折性能劣化と
いう問題も有していないことが確認された。
【００２２】すなわち、本実施例のＣＤ用の合成樹脂製
光ピックアップ用回折格子は、光学的性能が良好で、耐
高温、耐低温、耐湿度、ヒートショック等の耐久性に優
れている。
光ピックアップ用回折格子は、光学的性能が良好で、耐
高温、耐低温、耐湿度、ヒートショック等の耐久性に優
れている。
【００２３】［実施例６］実施例１と異なる点のみにつ
いて図１に基づき説明する。回折格子１の基板１ａの両
面には、その表面側から順に、光学的膜厚２５０ｎｍの
ＳｉＯ2 層３ａ、光学的膜厚８０ｎｍの、ＺｒＯ2 とＴ
ｉＯ2 とＡｌ2 Ｏ3との重量比８：１：１の混合物層３
ｂ、光学的膜厚２６０ｎｍのＳｉＯ2 層３ｃが形成され
ている。
いて図１に基づき説明する。回折格子１の基板１ａの両
面には、その表面側から順に、光学的膜厚２５０ｎｍの
ＳｉＯ2 層３ａ、光学的膜厚８０ｎｍの、ＺｒＯ2 とＴ
ｉＯ2 とＡｌ2 Ｏ3との重量比８：１：１の混合物層３
ｂ、光学的膜厚２６０ｎｍのＳｉＯ2 層３ｃが形成され
ている。
【００２４】本実施例のＡＲコート３の応力を測定した
ところ、９２Ｐａ・ｍの圧縮応力であった。本実施例に
よっても実施例１と同様の効果が得られた。
ところ、９２Ｐａ・ｍの圧縮応力であった。本実施例に
よっても実施例１と同様の効果が得られた。
【００２５】［比較例１］回折格子１の基板１ａの両面
には、その表面側から順に、光学的膜厚１５０ｎｍのＳ
ｉＯ2 層３ａ、光学的膜厚９５ｎｍのＣｅＯ2 層３ｂ、
光学的膜厚２５４ｎｍのＳｉＯ2 層３ｃが形成されてい
る。本比較例のＡＲコート３の応力を測定したところ、
３２Ｐａ・ｍの圧縮応力であった。本比較例による合成
樹脂製の回折格子１は、８５℃に２００時間放置および
８５℃と−４０℃とにそれぞれ３０分ずつの放置を２０
０サイクル繰り返すヒートショック試験によって表面に
クラックが発生した。また、６５℃／湿度９０％に２０
０時間放置によって膜剥離があった。
には、その表面側から順に、光学的膜厚１５０ｎｍのＳ
ｉＯ2 層３ａ、光学的膜厚９５ｎｍのＣｅＯ2 層３ｂ、
光学的膜厚２５４ｎｍのＳｉＯ2 層３ｃが形成されてい
る。本比較例のＡＲコート３の応力を測定したところ、
３２Ｐａ・ｍの圧縮応力であった。本比較例による合成
樹脂製の回折格子１は、８５℃に２００時間放置および
８５℃と−４０℃とにそれぞれ３０分ずつの放置を２０
０サイクル繰り返すヒートショック試験によって表面に
クラックが発生した。また、６５℃／湿度９０％に２０
０時間放置によって膜剥離があった。
【００２６】［比較例２］回折格子１の基板１ａの両面
には、その表面側から順に、光学的膜厚１５０ｎｍのＳ
ｉＯ2 層３ａ、光学的膜厚９５ｎｍのＺｒＯ2 層３ｂ、
光学的膜厚２５４ｎｍのＳｉＯ2 層３ｃが形成されてい
る。本比較例のＡＲコート３の応力を測定したところ、
３２Ｐａ・ｍの圧縮応力であった。本比較例による合成
樹脂製の回折格子１は、６５℃／湿度９０％に２００時
間放置する試験はクリアしたものの、８５℃に２００時
間放置および８５℃と−４０℃にそれぞれ３０分ずつの
放置を２００サイクル繰り返すヒートショック試験によ
って、圧縮応力が足りないために表面にクラックが発生
した。
には、その表面側から順に、光学的膜厚１５０ｎｍのＳ
ｉＯ2 層３ａ、光学的膜厚９５ｎｍのＺｒＯ2 層３ｂ、
光学的膜厚２５４ｎｍのＳｉＯ2 層３ｃが形成されてい
る。本比較例のＡＲコート３の応力を測定したところ、
３２Ｐａ・ｍの圧縮応力であった。本比較例による合成
樹脂製の回折格子１は、６５℃／湿度９０％に２００時
間放置する試験はクリアしたものの、８５℃に２００時
間放置および８５℃と−４０℃にそれぞれ３０分ずつの
放置を２００サイクル繰り返すヒートショック試験によ
って、圧縮応力が足りないために表面にクラックが発生
した。
【００２７】
【発明の効果】以上のように、本発明の合成樹脂製光ピ
ックアップ用回折格子によれば、耐高温、耐低温、耐湿
度、ヒートショック等の耐環境性に優れたものとなる。
ックアップ用回折格子によれば、耐高温、耐低温、耐湿
度、ヒートショック等の耐環境性に優れたものとなる。
【図１】実施例１の回折格子を示す側面図である。
【図２】実施例１の回折格子を組み込んだ光ピックアッ
プを示す概念図である。
プを示す概念図である。
【図３】実施例１の回折格子のＡＲコートの反射率特性
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図４】実施例４の回折格子のＡＲコートの反射率特性
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図５】実施例５の回折格子を組み込んだ光ピックアッ
プを示す概念図である。
プを示す概念図である。
【図６】実施例５の回折格子のＡＲコートの反射率特性
を示すグラフである。
を示すグラフである。
１ 回折格子 １ａ 基板 ２ グレーティング部 ３ ＡＲコート ３ａ，３ｃ ＳｉＯ2 層 ３ｂ 混合物層
Claims (1)
- 【請求項１】 合成樹脂からなる光ピックアップ用回折
格子において、回折格子の基板の表面側から順に、第１
層として膜厚１／２０λ〜１／２λのＳｉＯ 2 層、第２
層として膜厚１／８λのＺｒＯ2 とＴａ2 Ｏ5 との混合
物層、同膜厚のＺｒＯ2 とＴｉＯ2 との混合物層、また
は同膜厚のＺｒＯ2 とＴｉＯ2 とＡｌ 2 Ｏ3 との混合物
層、第３層として膜厚１／３λのＳｉＯ2 層を形成した
ことを特徴とする合成樹脂製光ピックアップ用回折格
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6269726A JPH08129772A (ja) | 1994-11-02 | 1994-11-02 | 合成樹脂製光ピックアップ用回折格子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6269726A JPH08129772A (ja) | 1994-11-02 | 1994-11-02 | 合成樹脂製光ピックアップ用回折格子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08129772A true JPH08129772A (ja) | 1996-05-21 |
Family
ID=17476315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6269726A Pending JPH08129772A (ja) | 1994-11-02 | 1994-11-02 | 合成樹脂製光ピックアップ用回折格子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08129772A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005018061A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Agilent Technol Inc | 反射防止コーティングを施された回折光学素子 |
| JP2010066468A (ja) * | 2008-09-10 | 2010-03-25 | Soken Chem & Eng Co Ltd | 波長分波分光光学素子 |
| JP2011138169A (ja) * | 2004-07-26 | 2011-07-14 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 透過型回折光学素子 |
| KR101051372B1 (ko) * | 2010-04-19 | 2011-07-22 | 주식회사 엘엠에스 | 블루-레이 디스크 용 파장판 |
-
1994
- 1994-11-02 JP JP6269726A patent/JPH08129772A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005018061A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Agilent Technol Inc | 反射防止コーティングを施された回折光学素子 |
| JP2011138169A (ja) * | 2004-07-26 | 2011-07-14 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 透過型回折光学素子 |
| JP2010066468A (ja) * | 2008-09-10 | 2010-03-25 | Soken Chem & Eng Co Ltd | 波長分波分光光学素子 |
| KR101051372B1 (ko) * | 2010-04-19 | 2011-07-22 | 주식회사 엘엠에스 | 블루-레이 디스크 용 파장판 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040106 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040205 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20040524 |
|
| A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20050304 |