JPH0812616A - ビシクロヘキサン−４−オン誘導体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｌは水素原子またはフッ素原子を表わし、シク
ロヘキサン環はトランス配置を表わす。）で表わされる
ビシクロヘキサン−４−オン誘導体、及びそれを中間体
とするアルケニル基を側鎖として有する（４−トリフル
オロメトキシフェニル）ビシクロヘキサン誘導体である
液晶化合物の製造方法。 【効果】 本発明の一般式（Ｉ）で表わされる新規化合
物を中間体として用いることにより、アルケニル基を側
鎖として有する（４−トリフルオロメトキシフェニル）
ビシクロヘキサン誘導体を容易に製造することができ
る。製造された化合物は、添加により液晶組成物のネマ
チック相の温度範囲を拡大させ、応答時間を短縮させる
ことができる。従って、高速応答性を重視する表示装置
に用いる液晶の製造上極めて有用である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は電気光学的表示材料とし
て有用なトリフルオロメトキシベンゼン誘導体の製造方
法及びその製造中間体である新規化合物に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示素子は、時計、ゲーム、電卓を
はじめとして、最近ではワープロ、コンピューター、テ
レビ等に用いられ、電子装置と人とのインターフェース
として重要なものとなっている。

【０００３】液晶を用いた表示方式は、（１）電界効果
（ＦＥＭ）型、（２）動的散乱（ＤＳＭ）型、及び
（３）熱効果（ＴＥＭ）型に大別されるが、現在までの
ところ実用化されているのは、電界効果型に基づく表示
方式である。電界効果型には、ねじれネマチック（Ｔ
Ｎ）型、超ねじれネマチック（ＳＴＮ）型、ゲスト−ホ
スト（ＧＨ）型、電界制御複屈折（ＥＣＢ）型、コレス
テリック−ネマチック相転移（ＣＮ−ＰＴ）型、表面安
定化強誘電性液晶（ＳＳＦＬＣ）型等が知られており、
現在主流となっているのはＴＮ型及びＳＴＮ型である。
また、表示容量の増加要求に対応するため、駆動方式に
おいても、従来のスタティック駆動からマルチプレック
ス駆動、単純マトリックス駆動が実用化されてきた。こ
れらの駆動方式を用いてもＴＮ型では大容量化は困難で
あったが、ＳＴＮ型を改良することより、ある程度まで
は容量の増加が可能となった。しかしながら、このＳＴ
Ｎ型も近年の大表示容量要求に対してはもはや対応でき
ない状況にある。そこで、表示画素ごとに閾特性をもつ
非線形素子を用いた、ＭＩＭ（Metal Insurator Meta
l）方式、能動素子を用いた、ＴＦＴ（Thin Film Trans
istor）方式等のアクティブマトリックス方式が開発さ
れ、これによればＣＲＴに匹敵する大容量化や高精細化
が可能となるため、液晶テレビや高精細ディスプレイと
して実用化され、現在急速に発展している。

【０００４】このアクティブマトリックス表示方式に用
いられる液晶材料としては、通常の液晶表示方式と同様
に、種々の特性が要求されているが、特に、（１）比抵
抗が高く、電圧保持率に優れること、（２）閾値電圧が
低いこと、（３）作動温度範囲が広いこと、（４）応答
性に優れること等が重要である。

【０００５】一般に、液晶表示における閾値電圧を低く
するためには、液晶材料の弾性定数を小さくするか、あ
るいは誘電率異方性を大きくする必要がある。しかしな
がら、弾性定数を小さくすると応答も同時に遅くなる傾
向にあり、高速応答性を保持しつつ閾値電圧を低くする
ためには、通常、誘電率異方性を大きくする必要があ
る。そこで、液晶化合物の誘電率異方性を大きくするた
めには、液晶分子の分子長軸方向に極性の大きい基を導
入する必要があり、そのための極性基としてはこれまで
主としてシアノ基が用いられてきた。

【０００６】しかしながら、シアノ基を有する化合物を
用いた液晶材料は、高い比抵抗値や高い電圧保持率を得
ることは困難であるため、アクティブマトリックス表示
方式には適さない。よって、誘電率異方性を大きくする
ためには、４−フルオロフェニル基や３，４−ジフルオ
ロフェニル基、３，４，５−トリフルオロフェニル基、
４−トリフルオロメチルフェニル基、４−トリフルオロ
メトキシフェニル基等のように、極性基としてシアノ基
に換えてフッ素原子を用いた基を有する液晶化合物が用
いられてきている。

【０００７】一方、応答を高速にするためには、液晶材
料の粘性を低くする必要がある。上記のフッ素系の化合
物のうち、４−トリフルオロメトキシフェニル基を有す
る液晶化合物は例えば、対応する４−トリフルオロメチ
ルフェニル基を有する液晶化合物より低粘性であり、高
速応答性に優れていることが報告されている。（G.W.Gr
ay et al., Mol. Cryst. Liq. Cryst., 204, 91,(1991)
及び第１６回液晶討論会予稿集2K215） しかしながら、この４−トリフルオロメトキシフェニル
基を有する液晶化合物は、ネマチック相上限温度があま
り高くないこと、及びスメクチック相温度範囲が広いと
いう問題点を有していた。そのため、これを用いて温度
範囲の広い液晶組成物を得ることは決して容易ではな
く、また、より優れた応答性も要求されていた。

【０００８】一方、ジフルオロフェニル基を有する液晶
化合物において、そのアルキル側鎖をアルケニル基に置
き換えることにより、液晶相上限温度を上昇させ、粘度
を低下させ、且つ高い比抵抗値を維持できることが報告
されている。（特開平３−２２３２２３号公報） そこで、４−トリフルオロメトキシフェニル基を有する
液晶化合物の側鎖をアルケニル基に変換することによ
り、ネマチック相上限温度や応答性が改善されることが
期待できる。中でもその温度範囲や粘性の点で一般式
（ＩＶ）

【０００９】

【化６】

【００１０】（式中、ｙは０〜７の整数を、ｍは０〜４
の整数を表わし、Ｌは水素原子またはフッ素原子を表わ
し、シクロヘキサン環はトランス配置を表わす。）で表
わされるフェニルビシクロヘキサン誘導体が好ましいと
考えられた。

【００１１】このように側鎖がアルケニル基で且つ４−
トリフルオロメトキシフェニル基を有する化合物は、特
表平４−５０１２７０号公報に記載されている。しかし
ながら、本公報に記載されている一般的製造方法によれ
ば、中間体としてシクロヘキサンカルボン酸誘導体を経
由するわけであるが、カルボン酸をアルデヒドに変換す
る必要があるなど製造工程が頻雑であり、このような一
般式（ＩＶ）で表わされるフェニルビシクロヘキサン骨
格を有する化合物を製造する場合、原料となる４’−ケ
トビシクロヘキサン−４−カルボン酸エチルの入手、中
間体のビシクロヘキサンカルボン酸誘導体（Ｂ）

【００１２】

【化７】

【００１３】の異性化等についても問題が多く、工業的
にも容易に製造できるものではない。以上のように、側
鎖がアルケニル基で且つ４−トリフルオロメトキシフェ
ニル基を有する化合物は、その優れた特性が期待されて
いるにもかかわらず、実用的な製造方法については知ら
れていなかった。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、液晶相の温度範囲及び表示装置の応答速度
等の改善に効果的と考えられるアルケニル側鎖を有する
トリフルオロメトキシベンゼン誘導体の新規な製造方法
を提供し、さらに、上記製造方法において、合成中間体
として有用な新規なビシクロヘキサン−４−オン誘導体
を提供することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、一般式（ＩＶ）で表わされるアルケニル
側鎖を有するトリフルオロメトキシベンゼン誘導体の製
造中間体として、一般式（Ｉ）

【００１６】

【化８】

【００１７】（式中、Ｌは水素原子またはフッ素原子を
表わし、シクロヘキサン環はトランス配置を表わす。）
で表わされる新規な４’−フェニルビシクロヘキサン−
４−オン誘導体を提供する。

【００１８】一般式（Ｉ）で表わされる化合物は、以下
のようにして製造することができる。

【００１９】

【化９】

【００２０】（式中、Ｑは臭素原子または塩素原子を表
わし、Ｌは水素原子またはフッ素原子を表わす。） 一般式（ＶＩ）で表わされるトリフルオロメトキシベン
ゼン誘導体から調製されたグリニヤール反応剤を式（Ｖ
ＩＩ）のビシクロヘキサン−４，４’−ジオンモノエチ
レンアセタールと反応させ、次いで酸触媒存在下で脱水
させることにより一般式（ＶＩＩＩ）で表わされるシク
ロヘキセン誘導体を得ることができる。

【００２１】

【化１０】

【００２２】（式中、Ｌは水素原子またはフッ素原子を
表わす。） 次に、一般式（ＶＩＩＩ）の化合物を、パラジウムカー
ボン等の触媒の存在下で接触還元することにより、シク
ロヘキサン環がシス及びトランス配置の異性体混合物を
得ることができる。このシス、トランス体の混合物を、
ｔ−ブトキシカリウム等の強塩基と反応させることによ
り、トランス体に異性化させて、次いで蟻酸等の酸存在
下で、脱アセタール化することにより、本発明の新規化
合物である一般式（Ｉ）の化合物を得ることができる。

【００２３】斯くして得られた一般式（Ｉ）の化合物を
中間体として、前述の一般式（ＩＶ）で表わされるアル
ケニル側鎖を有するトリフルオロメトキシベンゼン誘導
体を以下のようにして容易に製造することができるが、
本発明はこの一般式（ＩＶ）の化合物の製造方法をも提
供するものである。

【００２４】一般式（Ｉ）の化合物を式（ＩＩ）のヴィ
ッティヒ反応剤と反応させ、次いで酸存在下で加水分解
することにより、シクロヘキサンカルバルデヒド誘導体
を得ることができるが、これはホルミル基の結合したシ
クロヘキサン環が、シス及びトランス配置の異性体混合
物である。このシス、トランス体の混合物を塩基により
トランス体に異性化させて一般式（ＩＸ）

【００２５】

【化１１】

【００２６】（式中、Ｌは水素原子またはフッ素原子を
表わし、シクロヘキサン環はトランス配置を表わす。）
のシクロヘキサンカルバルデヒド誘導体を得ることがで
きる。

【００２７】

【化１２】

【００２８】この一般式（ＩＸ）の化合物を式（ＩＩ）
のヴィッティヒ反応剤と反応させた後、酸存在下で加水
分解する工程を必要に応じてｍ回繰り返し、次いで式
（ＩＩＩ）のヴィッティヒ反応剤と反応させることによ
り一般式（ＩＶ）の化合物を得ることができる。

【００２９】ここでｙ≧１である場合には、得られた一
般式（ＩＶ）の２重結合は主としてシス体である。この
シス体は、トリエチルボラン、トリフェニルゲルマン、
あるいはｐ−トルエンスルフィン酸等によりトランス体
に異性化することが可能である。

【００３０】上記工程中、式（ＩＩ）のヴィッティヒ反
応剤との反応を３回繰り返す代わりに、式（Ｖ）

【００３１】

【化１３】

【００３２】のヴィッティヒ反応剤を反応させた後、ラ
ネーニッケル等の触媒の存在下に接触還元し、脱アセタ
ール化してもよい。以上のように、一般式（Ｉ）で表わ
される化合物を合成中間体として反応させることにより
製造された一般式（ＩＶ）で表わされる化合物の代表例
を第１表に掲げる。

【００３３】

【表１】

【００３４】（表中、Ｃは結晶相を表わし、Ｓはスメク
チック相を表わし、Ｎはネマチック相を表わし、Ｉは等
方性液体相を表わし、括弧内の温度はモノトロピック転
移温度を表わす。） 比較のため、第１表の（Ｎｏ．１）及び（Ｎｏ．２）と
類似構造を有する化合物を第２表に示す。

【００３５】

【表２】

【００３６】上表より、本発明における新規中間体化合
物及びそれを用いた製造方法により合成された一般式
（ＩＶ）で表わされる化合物は、比較的高い温度までネ
マチック相を示すことが理解できる。

【００３７】

【実施例】以下に本発明の実施例を示し、本発明を更に
説明する。しかしながら、本発明はこれらの実施例に限
定されるものではない。

【００３８】なお、化合物の構造は核磁気共鳴スペクト
ル（ＮＭＲ）及び質量スペクトル（ＭＳ）で確認した。
ＭＳにおけるＭ⁺は親ピークを表わし、ＮＭＲにおける
ｓは１重線、ｄは２重線、ｔは３重線、ｍは多重線を表
わし、ｂは幅広い吸収を表わす。 （実施例１） トランス−４’−（４−トリフルオロメ
トキシフェニル）ビシクロヘキサン−４−オンの合成 （１−ａ） ４−［１−（４−メトキシフェニル）シ
クロヘキセン−４−イル］シクロヘキサノンエチレンア
セタールの合成

【００３９】

【化１４】

【００４０】マグネシウム１６．６ｇをテトラヒドロフ
ラン（ＴＨＦ）５０ｍｌに懸濁し、１−ブロモ−４−ト
リフルオロメトキシベンゼン１５０ｇのＴＨＦ６００ｍ
ｌ溶液をＴＨＦが穏やかに還流を続ける速度で滴下し、
１時間室温で攪拌した。さらに、４，４’−ビシクロヘ
キサンジオンモノエチレンアセタール１２３ｇのＴＨＦ
５００ｍｌ溶液を室温で２時間で滴下し、３時間室温で
攪拌した。反応終了後、２０％塩化アンモニウム水溶液
５００ｍｌを加え、反応生成物を酢酸エチル１０００ｍ
ｌで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗條し、無水硫酸
ナトリウムで乾燥した後、溶媒を溜去して、得られた結
晶をトルエン１０００ｍｌに溶解して、ここに硫酸水素
カリウム１０ｇを加え、５時間加熱還流させた。得られ
た反応生成物を室温まで放冷し、飽和炭酸水素ナトリウ
ム水溶液、水、飽和食塩水で順次洗條し、無水硫酸ナト
リウムで乾燥し、溶媒を溜去した後、これをエタノール
から再結晶させて、４−［１−（４−メトキシフェニ
ル）シクロヘキセン−４−イル］シクロヘキサノンエチ
レンアセタール１５０ｇを得た。 （１−ｂ） トランス−４’−（４−メトキシフェニ
ル）ビシクロヘキサン−４−オンエチレンアセタールの
合成 上記（１−ａ）で得た４−［１−（４−メトキシフェニ
ル）シクロヘキセン−４−イル］シクロヘキサノンエチ
レンアセタール１５０ｇを酢酸エチル７５０ｍｌに溶解
し、５％パラジウム炭素１５ｇを加え、オートクレーブ
を用いて水素圧３気圧下で８時間反応させた。反応終了
後、触媒を濾別し溶媒を溜去して、ベンゼン環に直結し
たシクロヘキサン環がシス及びトランス配置である混合
物（シス／トランス比：１／２）１４９ｇを得た。これ
をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）７５０ｍｌ
に溶解し、ｔ−ブトキシカリウム４３ｇを加え、７０℃
で６時間攪拌した後、水１０００ｍｌを加え、反応生成
物を酢酸エチル１０００ｍｌで抽出した。有機相を水、
飽和食塩水で順次洗條し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し
た。溶媒を溜去した後、メタノールから再結晶させて、
トランス−４’−（４−メトキシフェニル）ビシクロヘ
キサン−４−オンエチレンアセタール１１２ｇを得た。 （１−ｃ） トランス−４’−（４−トリフルオロメト
キシフェニル）ビシクロヘキサン−４−オンの合成 上記（１−ｂ）で得たトランス−４’−（４−メトキシ
フェニル）ビシクロヘキサン−４−オンエチレンアセタ
ール１１２ｇをトルエン３００ｍｌに溶解し、蟻酸３０
０ｍｌを加えて１時間加熱還流させた。反応生成物を室
温まで放冷し、ここに水３００ｍｌを加え有機相を分離
した。有機相を水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽
和食塩水で順次洗條し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、
溶媒を溜去した後、これをヘキサンから再結晶させてト
ランス−４’−（４−トリフルオロメトキシフェニル）
ビシクロヘキサン−４−オンの白色結晶９０．２ｇを得
た。 融点：７３．７℃ ＭＳ：ｍ／ｅ＝３４０（Ｍ⁺） ＮＭＲ：δ＝１．１〜２．２（ｍ，１４Ｈ）、２．２〜
２．６（ｍ，５Ｈ）、７．１〜７．２５（ｍ，４Ｈ） （実施例２） トランス−４’−（３−フルオロ−４−
トリフルオロメトキシフェニル）ビシクロヘキサン−４
−オンの合成

【００４１】

【化１５】

【００４２】実施例１において１−ブロモ−４−トリフ
ルオロメトキシベンゼンに換えて、１−ブロモ−３−フ
ルオロ−４−トリフルオロメトキシベンゼンを用いた他
は実施例１と同様にしてトランス−４’−（３−フルオ
ロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）ビシクロヘキ
サン−４−オンを得た。 ＭＳ：ｍ／ｅ＝３５８（Ｍ⁺） ＮＭＲ：δ＝１．１〜２．２（ｍ，１４Ｈ）、２．２〜
２．７（ｍ，５Ｈ）、６．８５〜７．３５（ｍ，３Ｈ） （参考例１） トランス−４’−（４−トリフルオロメ
トキシフェニル）−トランス−４−エテニルビシクロヘ
キサン（第１表Ｎｏ．１の化合物）の合成

【００４３】

【化１６】

【００４４】塩化メトキシメチルトリフェニルホスホニ
ウム５７．０ｇをＴＨＦ１８０ｍｌに溶解し、５℃で冷
却した。冷却後、ｔ−ブトキシカリウム１８．７ｇを内
温が１０℃を越えない速度で加え、さらに３０分間攪拌
した。これに、実施例１で得られたトランス−４’−
（４−トリフルオロメトキシフェニル）ビシクロヘキサ
ン−４−オン４０．０ｇのＴＨＦ２００ｍｌ溶液を液温
が１０℃を越えない速度で滴下し、さらに３０分間攪拌
した。反応終了後、水１００ｍｌを加え、有機相を分離
し、溶媒を溜去した。有機相にヘキサン４００ｍｌを加
え不溶物を濾別して、濾液をメタノールと水の混合液、
飽和食塩水で順次洗條し、溶媒を溜去して、これをＴＨ
Ｆ１５０ｍｌで溶解し、１０％塩酸１５０ｍｌを加え、
３０分間加熱還流させた。反応終了後、室温まで放冷
し、有機相を分離し、溶媒を溜去した。これをエタノー
ル３００ｍｌに溶解し、１０％水酸化ナトリウム水溶液
３０ｍｌを加え、１時間室温で攪拌した後、水３００ｍ
ｌを加えて、析出した結晶を濾過し、水、メタノールで
洗條し、減圧乾燥した後、トランス−４’−（トリフル
オロメトキシフェニル）ビシクロヘキサン−トランス−
４−カルバルデヒド３９．１ｇを得た。

【００４５】沃化メチルトリフェニルホスホニウム５
７．９ｇをＴＨＦ３００ｍｌに溶解し、５℃で冷却し
た。ここに、ｔ−ブトキシカリウム１６．１ｇを内温が
１０℃を越えない速度で加え、さらに３０分間攪拌し
た。これに、上記で得たトランス−４’−（トリフルオ
ロメトキシフェニル）ビシクロヘキサン−トランス−４
−カルバルデヒド３９．０ｇのＴＨＦ１６０ｍｌ溶液を
内温が１０℃を越えない速度で滴下し、さらに１時間攪
拌した。反応終了後、水１００ｍｌを加え、有機相を分
離し、溶媒を減圧下で溜去した。有機相にヘキサン２０
０ｍｌを加え不溶物を濾別して、濾液をメタノールと水
の混合液、飽和食塩水で順次洗條した後、溶媒を溜去し
て、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）
を用いて精製して、トランス−４’−（４−トリフルオ
ロメトキシフェニル）−トランス−４−エテニルビシク
ロヘキサン３３．０ｇを得た。 （参考例２） トランス−４’−（４−トリフルオロメ
トキシフェニル）−トランス−４−（３−ブテニル）ビ
シクロヘキサン（第１表Ｎｏ．２の化合物）の合成

【００４６】

【化１７】

【００４７】臭化２−（１，３−ジオキソラン−２−イ
ル）エチルトリフェニルホスホニウム６２．５ｇをＴＨ
Ｆ２００ｍｌに溶解し、５℃で冷却した。ここにｔ−ブ
トキシカリウム１５．８ｇを内温が１０℃を越えない速
度で加え、さらに３０分間攪拌した。反応終了後、トラ
ンス−４’−（４−トリフルオロメトキシフェニル）ビ
シクロヘキサン−４−オン４０．０ｇのＴＨＦ２００ｍ
ｌ溶液を内温が１０℃を越えない速度で滴下し、さらに
３０分間攪拌した後、水１００ｍｌを加え、有機相を分
離し、溶媒を溜去した。有機相にヘキサン４００ｍｌを
加え不溶物を濾別し、濾液をメタノールと水の混合液、
飽和食塩水で順次洗條した後、溶媒を溜去して、トラン
ス−４’−（４−トリフルオロメトキシフェニル）−４
−［２−（１，３−ジオキソラン−２−イル）エチリデ
ン］ビシクロヘキサン４９．７ｇを得た。

【００４８】上記で得られたトランス−４’−（４−ト
リフルオロメトキシフェニル）−４−［２−（１，３−
ジオキソラン−２−イル）エチリデン］ビシクロヘキサ
ンの全量を酢酸エチル２５０ｍｌに溶解し、ラネーニッ
ケル５ｇを加え、オートクレーブを用いて水素圧３気圧
下で１８時間室温で攪拌した。反応終了後、触媒を濾別
後、溶媒を溜去して得られた粗生成物を、エタノールか
ら再結晶させて、トランス−４’−（４−トリフルオロ
メトキシフェニル）−トランス−４−（３−ブテニル）
ビシクロヘキサン１６．１ｇを得た。

【００４９】上記で得られたトランス−４’−（４−ト
リフルオロメトキシフェニル）−トランス−４−（３−
ブテニル）ビシクロヘキサン１６．０ｇをトルエン８０
ｍｌに溶解し、蟻酸８０ｍｌを加え１時間加熱還流させ
た。室温まで放冷し、水８００ｍｌを加え有機相を分離
した。有機相を水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽
和食塩水で順次洗條し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、
溶媒を溜去して、トランス−４’−（４−トリフルオロ
メトキシフェニル）ビシクロヘキサン−トランス−４−
プロパナール１４．０ｇを得た。

【００５０】沃化メチルトリフェニルホスホニウム２
１．３ｇをＴＨＦ１００ｍｌに溶解し、５℃で冷却し
た。ここにｔ−ブトキシカリウム５．９ｇを内温が１０
℃を越えない速度で加え、さらに３０分間攪拌した。反
応終了後、上記で得たトランス−４’−（４−トリフル
オロメトキシフェニル）ビシクロヘキサン−トランス−
４−プロパナール１３．９ｇのＴＨＦ５０ｍｌ溶液を内
温が１０℃を越えない速度で滴下し、さらに１時間攪拌
し、ここに水２０ｍｌを加え、有機相を分離し、溶媒を
溜去した。有機相にヘキサン７５ｍｌを加え不溶物を濾
別し、濾液をメタノールと水の混合液、飽和食塩水で順
次洗條した後、溶媒を溜去して、シリカゲルカラムクロ
マトグラフィー（ヘキサン）を用いて精製して、トラン
ス−４’−（４−トリフルオロメトキシフェニル）−ト
ランス−４−（３−ブテニル）ビシクロヘキサン１２．
５ｇを得た。 （参考例３） 液晶組成物の調製（１） 低粘性で高速応答性に優れたアクティブマトリックス用
母体液晶（Ｍ）

【００５１】

【化１８】

【００５２】を調製した。この母体液晶（Ｍ）のネマチ
ック相上限温度（Ｔ_N-I）及びこの組成物をセル厚４．
５μｍのＴＮセルに封入して作製した液晶素子の２０℃
における応答時間を測定したところ以下の通りであっ
た。

【００５３】Ｔ_N-I： １１６℃ 応答時間： ２１．５ｍ秒 この組成物（Ｍ）７０重量％及び参考例１で合成した、
トランス−４’−（４−トリフルオロメトキシフェニ
ル）−トランス−４−エテニルビシクロヘキサン（第１
表Ｎｏ．１の化合物）

【００５４】

【化１９】

【００５５】３０重量％から成る液晶組成物（Ｍ−１）
を調製し、同様にしてそのＴ_N-Iと応答時間を測定した
ところ以下の通りであった。 Ｔ_N-I： １２０．９℃ 応答時間： １７．７ｍ秒 従って、（Ｎｏ．１）の化合物を添加することにより、
ネマチック相の温度範囲が拡大し、且つ応答時間の短い
液晶組成物が得られることがわかる。また、この組成物
の比抵抗値は１０¹²Ωｃｍ以上であり、電圧保持率も９
９％と高いものであった。 （参考例４） 液晶組成物の調製（２） 参考例３と同様に、母体液晶（Ｍ）７０重量％及び参考
例２で合成した、トランス−４’−（４−トリフルオロ
メトキシフェニル）−トランス−４−（３−ブテニル）
ビシクロヘキサン（第１表Ｎｏ．２の化合物）

【００５６】

【化２０】

【００５７】３０重量％から成る液晶組成物（Ｍ−２）
を調製し、同様にしてそのＴ_N-Iと応答時間を測定した
ところ以下の通りであった。 Ｔ_N-I： １２５．３℃ 応答時間： １６．７ｍ秒 従って、（Ｎｏ．２）の化合物を添加することにより、
ネマチック相の温度範囲がさらに拡大し、且つ応答時間
のより短い液晶組成物が得られることがわかる。また、
この組成物の比抵抗値も１０¹²Ωｃｍ以上であり、電圧
保持率も９９％と高いものであった。 （参考例５）比較のために、（Ｎｏ．１）の化合物と類
似構造を有する式（Ｒ−１）

【００５８】

【化２１】

【００５９】７０重量％及び母体液晶（Ｍ）３０重量％
から成る液晶組成物（ＭＲ−１）を調製し、参考例３と
同様にしてそのＴ_N-Iと応答時間を測定したところ以下
の通りであった。

【００６０】Ｔ_N-I： １１５．１℃ 応答時間： １９．８ｍ秒 従って、式（Ｒ−１）の化合物を含有する液晶組成物で
はネマチック相上限温度は上昇させることができず、応
答時間についてもあまり短縮させることはできないこと
が理解できる。

【００６１】

【発明の効果】本発明に係わる一般式（Ｉ）で表わされ
る新規化合物であるビシクロヘキサン−４−オン誘導体
を中間体として用いることにより、一般式（ＩＶ）で表
わされるアルケニル基を側鎖として有する（４−トリフ
ルオロメトキシフェニル）ビシクロヘキサン誘導体を容
易に製造することができる。製造された化合物は、添加
により液晶組成物のネマチック相の温度範囲を拡大さ
せ、応答時間を短縮させることができ、高い電圧保持率
を得ることも可能である。従って、アクティブマトリッ
クス駆動用液晶材料として極めて優れており、ワープロ
やノートパソコン、液晶テレビなど高速応答性を重視す
る液晶表示に有用な液晶材料の製造上、極めて有用であ
る。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｌは水素原子またはフッ素原子を表わし、シク
   ロヘキサン環はトランス配置を表わす。）で表わされる
   化合物。
2. 【請求項２】 Ｌが水素原子である請求項１記載の化合
   物。
3. 【請求項３】 請求項１及び２記載の一般式（Ｉ）で表
   わされる化合物を式（ＩＩ） 【化２】ＣＨ₃ＯＣＨ＝ＰＰｈ₃ （ＩＩ） のヴィッティヒ反応剤と反応させ、次いで加水分解する
   工程をｍ＋１回繰り返した後、一般式（ＩＩＩ） 【化３】 Ｈ−（ＣＨ₂）_y−ＣＨ＝ＰＰｈ₃ （ＩＩＩ） （式中、ｙは０〜７の整数を表わす。）で表わされるヴ
   ィッティヒ反応剤と反応させることを特徴とする一般式
   （ＩＶ） 【化４】 （式中、ｙは０〜７の整数を表わし、ｍは０〜４の整数
   を表わし、Ｌは水素原子またはフッ素原子を表わし、シ
   クロヘキサン環はトランス配置を表わす。）で表わされ
   る化合物の製造方法。
4. 【請求項４】 請求項３において、ｍ≧２の場合に、式
   （ＩＩ）のヴィッティヒ反応剤を３回反応させるかわり
   に、式（Ｖ） 【化５】 のヴィッティヒ反応剤と反応させ、触媒存在下で接触還
   元させた後に、脱アセタール化させることを特徴とする
   一般式（ＩＶ）で表わされる化合物の製造方法。
5. 【請求項５】 ｙが０である請求項３及び４記載の化合
   物の製造方法。