JPH08115685A - 陰極線管表示装置 - Google Patents
陰極線管表示装置Info
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- JPH08115685A JPH08115685A JP6253208A JP25320894A JPH08115685A JP H08115685 A JPH08115685 A JP H08115685A JP 6253208 A JP6253208 A JP 6253208A JP 25320894 A JP25320894 A JP 25320894A JP H08115685 A JPH08115685 A JP H08115685A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】陰極線管装置１のファンネル２の外部に形成
し、接地される外装黒鉛膜５と電気的に分離して陰極線
管ガラス容器外壁に接してキャンセル電極８を具備し、
電極に偏向ヨーク６の水平偏向コイルに供給するパルス
電圧と極性が反転した逆パルス電圧を供給し、更に陰極
線管のパネルガラスの外表面に形成した透明導電膜の単
位面積当りの抵抗値を２×１０6［Ω／□］以下とす
る。 【効果】偏向ヨークに供給するパルス電圧に起因して内
装導電膜に生じた交番電圧をキャンセル電極に供給する
逆パルス電圧で互いに打消し合い、交番電界VLEFを抑制
し、透明導電膜のシールド作用により交番電界ELEFを規
制値以下に抑制する。
し、接地される外装黒鉛膜５と電気的に分離して陰極線
管ガラス容器外壁に接してキャンセル電極８を具備し、
電極に偏向ヨーク６の水平偏向コイルに供給するパルス
電圧と極性が反転した逆パルス電圧を供給し、更に陰極
線管のパネルガラスの外表面に形成した透明導電膜の単
位面積当りの抵抗値を２×１０6［Ω／□］以下とす
る。 【効果】偏向ヨークに供給するパルス電圧に起因して内
装導電膜に生じた交番電圧をキャンセル電極に供給する
逆パルス電圧で互いに打消し合い、交番電界VLEFを抑制
し、透明導電膜のシールド作用により交番電界ELEFを規
制値以下に抑制する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は陰極線管を用いた画像表
示装置に係り、特に、陰極線管の表示面から正面に放射
される交番電界を抑制する機構を有する陰極線管表示装
置に関する。
示装置に係り、特に、陰極線管の表示面から正面に放射
される交番電界を抑制する機構を有する陰極線管表示装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】陰極線管表示装置は高周波信号処理回
路、電子ビームの偏向磁界発生回路、高電圧発生回路な
どから構成されている。このため、不要な電波、磁界、
電界などが放射され可能性があるため、これらの不要輻
射を抑制する各種の規制が世界各国で加えられている。
また、最近はパーソナルコンピュータ等の普及に伴い、
陰極線管表示装置を長時間使用する機会が増えているの
で、特に装置から輻射される低周波電界の操作者の身体
へ及す影響が懸念され始めており、画像表示装置から放
射される交番電界（不要輻射電界）値に関する規制が制
定されている。交番電界は周波数帯によって２種類に分
類されており、周波数が２ｋＨｚから４００ｋＨｚの交
番電界をVLEF（Very Low Electric Field）、周波数が
５Ｈｚから２ｋＨｚの交番電界をELEF（Extermely Low
Electric Field）と呼ばれている。
路、電子ビームの偏向磁界発生回路、高電圧発生回路な
どから構成されている。このため、不要な電波、磁界、
電界などが放射され可能性があるため、これらの不要輻
射を抑制する各種の規制が世界各国で加えられている。
また、最近はパーソナルコンピュータ等の普及に伴い、
陰極線管表示装置を長時間使用する機会が増えているの
で、特に装置から輻射される低周波電界の操作者の身体
へ及す影響が懸念され始めており、画像表示装置から放
射される交番電界（不要輻射電界）値に関する規制が制
定されている。交番電界は周波数帯によって２種類に分
類されており、周波数が２ｋＨｚから４００ｋＨｚの交
番電界をVLEF（Very Low Electric Field）、周波数が
５Ｈｚから２ｋＨｚの交番電界をELEF（Extermely Low
Electric Field）と呼ばれている。
【０００３】画像表示装置からの不要輻射電界に関する
規格として、例えば、１９９０年にスウェーデンで制定
されたＭＰＲー２が広く知られている。その後、ＭＰＲ
−２規格を厳しく強化したＴＣＯガイドラインが制定さ
れ、交番電界の抑制効果を今以上に改善する必要性が増
大している。ＴＣＯガイドラインでは２ｋＨｚから４０
０ｋＨｚ帯のVLEFに関して電界値１．０［Ｖ／ｍ］以下
（表示装置の正面３０ｃｍ及び周囲５０ｃｍ）、５Ｈｚ
から２ｋＨｚ帯のELEFに関して電界値１０［Ｖ／ｍ］以
下（表示装置の正面３０ｃｍのみ）となっている。
規格として、例えば、１９９０年にスウェーデンで制定
されたＭＰＲー２が広く知られている。その後、ＭＰＲ
−２規格を厳しく強化したＴＣＯガイドラインが制定さ
れ、交番電界の抑制効果を今以上に改善する必要性が増
大している。ＴＣＯガイドラインでは２ｋＨｚから４０
０ｋＨｚ帯のVLEFに関して電界値１．０［Ｖ／ｍ］以下
（表示装置の正面３０ｃｍ及び周囲５０ｃｍ）、５Ｈｚ
から２ｋＨｚ帯のELEFに関して電界値１０［Ｖ／ｍ］以
下（表示装置の正面３０ｃｍのみ）となっている。
【０００４】陰極線管表示装置の場合には画像表示面
（正面）を除いた部分は、金属板等による静電シールド
により、比較的簡単に交番電界値を規制値以下に抑制で
きる。しかし、陰極線管の正面は画像を表示するため、
不透明な金属板を用いてシールドすることはできない。
そこで、特開平５ー２８３０２０号公報に記載されてい
るように、陰極線管のファンネル部からネック部に導電
性膜を形成し、導電性膜を電気的に接地することにより
偏向ヨークから放出される交番電界をシールドして、陰
極線管表示装置から放射される交番電界VLEFを抑制する
ものがある。
（正面）を除いた部分は、金属板等による静電シールド
により、比較的簡単に交番電界値を規制値以下に抑制で
きる。しかし、陰極線管の正面は画像を表示するため、
不透明な金属板を用いてシールドすることはできない。
そこで、特開平５ー２８３０２０号公報に記載されてい
るように、陰極線管のファンネル部からネック部に導電
性膜を形成し、導電性膜を電気的に接地することにより
偏向ヨークから放出される交番電界をシールドして、陰
極線管表示装置から放射される交番電界VLEFを抑制する
ものがある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来技術は交
番電界VLEFの抑制が十分ではなく、発生原因が異なる交
番電界ELEFを効果的に抑制できない問題があった。すな
わち、交番電界ELEFは高圧回路から陰極線管に供給され
る直流の高電圧が再生する画像内容によりビーム電流が
変化し、動的な電圧変動を生じることが原因となって発
生する交番電界であり、従来技術の対策は十分でなかっ
た。
番電界VLEFの抑制が十分ではなく、発生原因が異なる交
番電界ELEFを効果的に抑制できない問題があった。すな
わち、交番電界ELEFは高圧回路から陰極線管に供給され
る直流の高電圧が再生する画像内容によりビーム電流が
変化し、動的な電圧変動を生じることが原因となって発
生する交番電界であり、従来技術の対策は十分でなかっ
た。
【０００６】本発明の目的は陰極線管表示装置の正面か
ら放出されている二種類の交番電界VLEF、ELEFを効果的
に抑制した陰極線管表示装置を提供することにある。
ら放出されている二種類の交番電界VLEF、ELEFを効果的
に抑制した陰極線管表示装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は陰極線管のガラス容器外壁に接して外装黒
鉛膜のない部分に電極（以下、キャンセル電極と表記す
る）を具備する。前記キャンセル電極には水平偏向コイ
ルに供給するパルス電圧（振幅Ｖ０）と極性が反転した
逆パルス電圧（振幅Ｖ１）を印加する。陰極線管の内装
導電膜と水平偏向コイル、前記キャンセル電極との間の
静電容量をそれぞれＣ０、Ｃ１とし、（Ｖ０×Ｃ０）の
電圧値が（Ｖ１×Ｃ１）の電圧値より大きくなるように
する。
に、本発明は陰極線管のガラス容器外壁に接して外装黒
鉛膜のない部分に電極（以下、キャンセル電極と表記す
る）を具備する。前記キャンセル電極には水平偏向コイ
ルに供給するパルス電圧（振幅Ｖ０）と極性が反転した
逆パルス電圧（振幅Ｖ１）を印加する。陰極線管の内装
導電膜と水平偏向コイル、前記キャンセル電極との間の
静電容量をそれぞれＣ０、Ｃ１とし、（Ｖ０×Ｃ０）の
電圧値が（Ｖ１×Ｃ１）の電圧値より大きくなるように
する。
【０００８】更にフェースプレートの外表面に単位面積
当たりの抵抗値が１．２×１０6［Ω／□］以下の透明
導電膜を具備、接地する。
当たりの抵抗値が１．２×１０6［Ω／□］以下の透明
導電膜を具備、接地する。
【０００９】
【作用】この構成によれば、偏向ヨークに供給されるパ
ルス電圧に起因し、静電結合により陰極線管の内部導電
膜に生じていた交番電圧を、キャンセル電極に印加した
逆パルス電圧によって内装導電膜に発生させたパルス電
圧により互いに打消し合い、内装導電膜に生じていた交
番電圧の振幅を低減させる。従って、内装導電膜に生じ
た動的な電圧変動（交番電圧）に起因した交番電界VLEF
を低減できる。更にフェースプレートの外表面に形成
し、接地した透明導電膜により交番電界ELEFをシールド
することにより、陰極線管表示装置の正面から放出され
ていた二種類の交番電界VLEF及びELEFを効果的に抑制す
る。
ルス電圧に起因し、静電結合により陰極線管の内部導電
膜に生じていた交番電圧を、キャンセル電極に印加した
逆パルス電圧によって内装導電膜に発生させたパルス電
圧により互いに打消し合い、内装導電膜に生じていた交
番電圧の振幅を低減させる。従って、内装導電膜に生じ
た動的な電圧変動（交番電圧）に起因した交番電界VLEF
を低減できる。更にフェースプレートの外表面に形成
し、接地した透明導電膜により交番電界ELEFをシールド
することにより、陰極線管表示装置の正面から放出され
ていた二種類の交番電界VLEF及びELEFを効果的に抑制す
る。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は本発明の第１の実施例の陰極線管表示装置
の主要部を側面から示した説明図、図２は陰極線管を後
方から示した説明図、図３は陰極線管装置から放射され
る交番電界の断面図である。
する。図１は本発明の第１の実施例の陰極線管表示装置
の主要部を側面から示した説明図、図２は陰極線管を後
方から示した説明図、図３は陰極線管装置から放射され
る交番電界の断面図である。
【００１１】図１において、陰極線管１は大きく分けて
三つのガラス容器からなり、フェースプレート部３、フ
ァンネル部２、ネック部７から構成される。少なくとも
フェースプレート３は透明ガラスの内面に蛍光体（図示
せず）を塗布した蛍光面を具備する。ファンネル部２は
略コーン状のガラス容器であり、少なくとも高圧ー偏向
回路２０からの高電圧（以下、高圧またはH.V.と略記す
る）を印加するアノードボタン９、外装黒鉛膜５、ファ
ンネル電極８を具備する。外装黒鉛膜５はファンネル２
のガラス容器外壁の一部に電気的な導電体である黒鉛の
水溶液を塗布、乾燥させたもので、外装黒鉛膜５を電気
的に接地して陰極線管１の陽極に静電容量を付加する。
ネック部７には電子ビームを発生する電子銃（図示せ
ず）を封止しており、少なくとも偏向ヨーク６が外部よ
り装着される。ネック部７に装着した偏向ヨーク６は電
子ビームを水平及び垂直方向に偏向してラスターを得る
ための偏向磁界を発生する水平偏向コイルと垂直偏向コ
イルからなる。なお、フェースプレート３の側面部の周
囲には陰極線管のガラス容器が破損した場合の安全性を
高める金属製バンド（防爆バンド）４を巻き付け、電気
的に接地して使用する。
三つのガラス容器からなり、フェースプレート部３、フ
ァンネル部２、ネック部７から構成される。少なくとも
フェースプレート３は透明ガラスの内面に蛍光体（図示
せず）を塗布した蛍光面を具備する。ファンネル部２は
略コーン状のガラス容器であり、少なくとも高圧ー偏向
回路２０からの高電圧（以下、高圧またはH.V.と略記す
る）を印加するアノードボタン９、外装黒鉛膜５、ファ
ンネル電極８を具備する。外装黒鉛膜５はファンネル２
のガラス容器外壁の一部に電気的な導電体である黒鉛の
水溶液を塗布、乾燥させたもので、外装黒鉛膜５を電気
的に接地して陰極線管１の陽極に静電容量を付加する。
ネック部７には電子ビームを発生する電子銃（図示せ
ず）を封止しており、少なくとも偏向ヨーク６が外部よ
り装着される。ネック部７に装着した偏向ヨーク６は電
子ビームを水平及び垂直方向に偏向してラスターを得る
ための偏向磁界を発生する水平偏向コイルと垂直偏向コ
イルからなる。なお、フェースプレート３の側面部の周
囲には陰極線管のガラス容器が破損した場合の安全性を
高める金属製バンド（防爆バンド）４を巻き付け、電気
的に接地して使用する。
【００１２】図３（ａ）に示したように、ファンネル２
の内面には導電性の黒鉛を塗布した内層導電膜１３が形
成されており、アノードボタン９を介して高圧‐偏向回
路２０の端子Ｔ４からの数万［Ｖ］の直流電圧が供給さ
る。一方、フェースプレート３の内面には電子ビーム照
射により発光する蛍光体を塗布して蛍光膜１１を形成
し、蛍光膜１１と内装導電膜１３とが同電位となるよう
にアルミニウムを蒸着したメタルバック膜１２により電
気的な接続がされる。なお、図には示していないが、カ
ラー陰極線管の場合には蛍光膜１１のごく近くに三原色
の色蛍光体を選別するためのシャドウマスク等の色選別
電極が内装導電膜１３と同電位となるように具備され
る。端子Ｔ４から供給される高圧の変動（リップル）を
低減するために、外装黒鉛膜５は接地され、ファンネル
ガラスを介して内装導電膜１３との間に約数千［ｐＦ］
の静電容量Ｃ５を形成し、高圧回路２０の平滑容量とし
て用いる。接地した外装黒鉛膜５と偏向ヨーク６の間に
は本発明の主要部をなすキャンセル電極８を具備してい
る。キャンセル電極８は導電性コーティング膜をファン
ネル２のガラス面の表面に形成したもの、又は粘着剤付
の金属箔（例えば、厚さ３５μｍ程度の銅箔）をガラス
外壁に貼付けたもの、又は水溶性黒鉛を塗布し乾燥させ
たもの等が使用でき、ファンネル部ガラス容器外壁に接
して電極を具備したものである。
の内面には導電性の黒鉛を塗布した内層導電膜１３が形
成されており、アノードボタン９を介して高圧‐偏向回
路２０の端子Ｔ４からの数万［Ｖ］の直流電圧が供給さ
る。一方、フェースプレート３の内面には電子ビーム照
射により発光する蛍光体を塗布して蛍光膜１１を形成
し、蛍光膜１１と内装導電膜１３とが同電位となるよう
にアルミニウムを蒸着したメタルバック膜１２により電
気的な接続がされる。なお、図には示していないが、カ
ラー陰極線管の場合には蛍光膜１１のごく近くに三原色
の色蛍光体を選別するためのシャドウマスク等の色選別
電極が内装導電膜１３と同電位となるように具備され
る。端子Ｔ４から供給される高圧の変動（リップル）を
低減するために、外装黒鉛膜５は接地され、ファンネル
ガラスを介して内装導電膜１３との間に約数千［ｐＦ］
の静電容量Ｃ５を形成し、高圧回路２０の平滑容量とし
て用いる。接地した外装黒鉛膜５と偏向ヨーク６の間に
は本発明の主要部をなすキャンセル電極８を具備してい
る。キャンセル電極８は導電性コーティング膜をファン
ネル２のガラス面の表面に形成したもの、又は粘着剤付
の金属箔（例えば、厚さ３５μｍ程度の銅箔）をガラス
外壁に貼付けたもの、又は水溶性黒鉛を塗布し乾燥させ
たもの等が使用でき、ファンネル部ガラス容器外壁に接
して電極を具備したものである。
【００１３】偏向ヨーク６の水平偏向コイルは高圧‐偏
向回路２０の端子Ｔ１、Ｔ２に接続されており、Ｔ２か
ら図３（ｂ）に示したような水平周期（以下、Ｈ周期と
略記する。その周期は水平偏向周波数ｆＨの逆数）で繰
り返す約一千［Ｖp-p］のパルス電圧Ｖ0が供給されてい
る。パルス電圧Ｖ0により水平偏向コイルに水平周期の
鋸歯状電流が生じ、電子ビームを左右に偏向する水平偏
向磁界を発生する。一方、高圧‐偏向回路２０の端子Ｔ
３には端子Ｔ２のパルス電圧Ｖ0と相似形かつ、極性が
ｖ０と反転した逆パルス電圧Ｖ１を発生させており、電
圧Ｖ１をファンネル電極８に供給する。
向回路２０の端子Ｔ１、Ｔ２に接続されており、Ｔ２か
ら図３（ｂ）に示したような水平周期（以下、Ｈ周期と
略記する。その周期は水平偏向周波数ｆＨの逆数）で繰
り返す約一千［Ｖp-p］のパルス電圧Ｖ0が供給されてい
る。パルス電圧Ｖ0により水平偏向コイルに水平周期の
鋸歯状電流が生じ、電子ビームを左右に偏向する水平偏
向磁界を発生する。一方、高圧‐偏向回路２０の端子Ｔ
３には端子Ｔ２のパルス電圧Ｖ0と相似形かつ、極性が
ｖ０と反転した逆パルス電圧Ｖ１を発生させており、電
圧Ｖ１をファンネル電極８に供給する。
【００１４】ここで、陰極線管装置１が動作している時
に放射される交番電界を解析し、その発生機構を明らか
にしたので、そのメカニズムを説明する。交番電界の発
生原因の主なものは、陰極線管の内層導電膜１３に生じ
た動的な電圧変動（交番電圧）に起因しており、陰極線
管装置１が動作している時には二種類の交番電界VLEF１
００とELEF２００がフェースプレート３のガラス面を介
して前方に放射されている。更に、図３、図４を用い
て、交番電界VLEF１００とELEF２００の発生要因と本発
明の対策方法を詳細に説明する。
に放射される交番電界を解析し、その発生機構を明らか
にしたので、そのメカニズムを説明する。交番電界の発
生原因の主なものは、陰極線管の内層導電膜１３に生じ
た動的な電圧変動（交番電圧）に起因しており、陰極線
管装置１が動作している時には二種類の交番電界VLEF１
００とELEF２００がフェースプレート３のガラス面を介
して前方に放射されている。更に、図３、図４を用い
て、交番電界VLEF１００とELEF２００の発生要因と本発
明の対策方法を詳細に説明する。
【００１５】周波数帯域が２ｋＨｚから４００ｋＨｚ帯
のVLEF１００は偏向ヨーク６に供給したパルス電圧Ｖ0
に起因して生じるＨ周期の交番電界である。一方、周波
数帯域が５Ｈｚから２ｋＨｚ帯のELEF２００は映像信号
の内容に応じて陰極線管１の電子銃から放射される電子
ビーム量が変化し、陰極線管１の陽極に供給するH.V.が
垂直周期（以下、Ｖ周期と略記する。その周期は垂直偏
向周波数ｆｖの逆数）の動的な電圧変動（ΔHVと略記す
る）を生じることに起因して生じる交番電界である。
のVLEF１００は偏向ヨーク６に供給したパルス電圧Ｖ0
に起因して生じるＨ周期の交番電界である。一方、周波
数帯域が５Ｈｚから２ｋＨｚ帯のELEF２００は映像信号
の内容に応じて陰極線管１の電子銃から放射される電子
ビーム量が変化し、陰極線管１の陽極に供給するH.V.が
垂直周期（以下、Ｖ周期と略記する。その周期は垂直偏
向周波数ｆｖの逆数）の動的な電圧変動（ΔHVと略記す
る）を生じることに起因して生じる交番電界である。
【００１６】はじめに、VLEF１００がフェースプレート
３から放射されるメカニズムと交番電界VLEF１００を抑
制する原理を詳しく説明する。偏向ヨーク６の水平偏向
コイルと内装導電膜１３間の静電結合（図３（ａ）には
分布容量を等価的な静電容量Ｃ０と表した）により、端
子Ｔ２から供給されたパルス電圧Ｖ0と相似なパルス電
圧ｖ0１が内装導電膜１３に発生する。
３から放射されるメカニズムと交番電界VLEF１００を抑
制する原理を詳しく説明する。偏向ヨーク６の水平偏向
コイルと内装導電膜１３間の静電結合（図３（ａ）には
分布容量を等価的な静電容量Ｃ０と表した）により、端
子Ｔ２から供給されたパルス電圧Ｖ0と相似なパルス電
圧ｖ0１が内装導電膜１３に発生する。
【００１７】同様に、キャンセル電極８と内装導電膜間
１３間の静電結合（図３（ａ）には等価的な静電容量を
Ｃ１と表した）により、内装導電膜間１３には端子Ｔ３
からファンネル電極８に供給した逆パルス電圧Ｖ１と相
似なパルス電圧ｖ１１を生じる。図４は静電容量Ｃ０、
Ｃ１などの接続状態を説明する等価回路であり、Ｃ５は
外装黒鉛膜５と内装導電膜１３間の静電容量、Ｒ５は外
装黒鉛膜５の抵抗、Ｃ１０はフェースプレート３の表面
に形成した透明導電膜１０と内装導電膜１３間の静電容
量、Ｒ１０は透明導電膜１０の抵抗である。なお、Ｃ２
０、Ｒ２０は高圧ー偏向回路２０のＦＢＴ（フライバッ
ク・トランス）の内部容量と保護抵抗を表す。
１３間の静電結合（図３（ａ）には等価的な静電容量を
Ｃ１と表した）により、内装導電膜間１３には端子Ｔ３
からファンネル電極８に供給した逆パルス電圧Ｖ１と相
似なパルス電圧ｖ１１を生じる。図４は静電容量Ｃ０、
Ｃ１などの接続状態を説明する等価回路であり、Ｃ５は
外装黒鉛膜５と内装導電膜１３間の静電容量、Ｒ５は外
装黒鉛膜５の抵抗、Ｃ１０はフェースプレート３の表面
に形成した透明導電膜１０と内装導電膜１３間の静電容
量、Ｒ１０は透明導電膜１０の抵抗である。なお、Ｃ２
０、Ｒ２０は高圧ー偏向回路２０のＦＢＴ（フライバッ
ク・トランス）の内部容量と保護抵抗を表す。
【００１８】内装導電膜１３（図４に示した等価回路の
Ｐ点）に動的な電圧変化（交番電圧）を生じると、交番
電圧は容量Ｃ１０を介してフェースプレート３の表面に
形成した透明導電膜１０（図４のＱ点）に生じる。Ｑ点
に生じる交番電圧は静電容量Ｃ１０と抵抗Ｒ１０のイン
ピーダンス分割の比率に応じた電圧振幅を透明導電膜１
０に発生し、フェースプレート３の前方に交番電界VLEF
１００、ELEF２００を放射する。従って、もしも透明導
電膜１０の抵抗値Ｒ１０を十分に小さくでき、シ−ルド
効果を大きくできければ、Ｑ点に発生する交番電圧が小
さくなり、交番電界を小さな値に抑制できる。
Ｐ点）に動的な電圧変化（交番電圧）を生じると、交番
電圧は容量Ｃ１０を介してフェースプレート３の表面に
形成した透明導電膜１０（図４のＱ点）に生じる。Ｑ点
に生じる交番電圧は静電容量Ｃ１０と抵抗Ｒ１０のイン
ピーダンス分割の比率に応じた電圧振幅を透明導電膜１
０に発生し、フェースプレート３の前方に交番電界VLEF
１００、ELEF２００を放射する。従って、もしも透明導
電膜１０の抵抗値Ｒ１０を十分に小さくでき、シ−ルド
効果を大きくできければ、Ｑ点に発生する交番電圧が小
さくなり、交番電界を小さな値に抑制できる。
【００１９】ところで前述のように、交番電界VLEF１０
０の発生原因は静電容量Ｃ０の存在により端子Ｔ２に供
給されたパルス電圧Ｖ０と相似な交番電圧ｖ０１が内装
導電膜１３に発生するためである。図５（ａ）に示すよ
うに交番電圧ｖ０１は図４のＰ点においてＰ点とアース
間の合成インピーダンスをＺ００、Ｃ０のインピーダン
スをＺ０とすると、Ｐ点の電圧は下式で示され、ｚ００
≪ｚ０であるから数１で近似される。
０の発生原因は静電容量Ｃ０の存在により端子Ｔ２に供
給されたパルス電圧Ｖ０と相似な交番電圧ｖ０１が内装
導電膜１３に発生するためである。図５（ａ）に示すよ
うに交番電圧ｖ０１は図４のＰ点においてＰ点とアース
間の合成インピーダンスをＺ００、Ｃ０のインピーダン
スをＺ０とすると、Ｐ点の電圧は下式で示され、ｚ００
≪ｚ０であるから数１で近似される。
【００２０】〔数１〕 ｖ０１＝（Ｚ００×Ｖ0）／（Ｚ００＋Ｚ０） ≒（Ｚ００×Ｖ0）／Ｚ０ ∝（Ｃ０×Ｖ0） （数１） 数１から、発生電圧ｖ０１の振幅は水平偏向コイルの静
電容量Ｃ０と水平偏向コイルに供給するパルス電圧Ｖ0
の積（Ｃ０×Ｖ0）に比例することがわかる。
電容量Ｃ０と水平偏向コイルに供給するパルス電圧Ｖ0
の積（Ｃ０×Ｖ0）に比例することがわかる。
【００２１】同様にファンネル電極８の静電容量Ｃ１に
より、電極に印加した逆パルス電圧Ｖ１と相似な交番電
圧ｖ１１が内装導電膜１３に発生する。図５（ｂ）に示
すように交番電圧ｖ１１は図４のＰ点においてＰ点とア
ース間の合成インピーダンスをＺ１１、Ｃ１のインピー
ダンスをＺ１とすると、Ｐ点の電圧はｚ１１≪ｚ１であ
るから数２で近似される。
より、電極に印加した逆パルス電圧Ｖ１と相似な交番電
圧ｖ１１が内装導電膜１３に発生する。図５（ｂ）に示
すように交番電圧ｖ１１は図４のＰ点においてＰ点とア
ース間の合成インピーダンスをＺ１１、Ｃ１のインピー
ダンスをＺ１とすると、Ｐ点の電圧はｚ１１≪ｚ１であ
るから数２で近似される。
【００２２】〔数２〕 ｖ１１＝（Ｚ１１×Ｖ１）／（Ｚ１１＋Ｚ１） ≒（Ｚ１１×Ｖ１）／Ｚ１ ∝（Ｃ１×Ｖ１） （数２） 数２から、発生した電圧ｖ１１の振幅はファンネル電極
の静電容量Ｃ１と逆パルス電圧Ｖ１の積（Ｃ１×Ｖ１）
に比例することがわかる。
の静電容量Ｃ１と逆パルス電圧Ｖ１の積（Ｃ１×Ｖ１）
に比例することがわかる。
【００２３】逆パルス電圧Ｖ１と相似なパルス電圧ｖ１
１を内装導電膜１３に誘起することにより、内装導電膜
１３に生じていた交番電圧ｖ０１は極性が反転した交番
電圧ｖ１１と互いに打消し合う。図６はファンネル電極
８の面積を変え、電極の静電容量Ｃ１をパラメータにし
て逆パルス電圧を変化させた時の内装導電膜１３の交番
電圧Δｖ１３（＝ｖ０１−ｖ１１）の振幅を測定したも
のである。各ファンネル電極８の静電容量値に応じて逆
パルス電圧値を最適に設定することにより、VLEF１００
の発生源となる交番電圧Δｖ１３を零にできる。図７は
陰極線管装置１の正面、管面から３０ｃｍの距離に交番
電界測定器（例えば、スウェーデンのCombinova社EFM20
0）を設置してVLEFを測定した結果である。管面から放
射される交番電界VLEFと内装導電膜１３における交番電
圧Δｖ１３は一対一の対応があり、交番電圧Δｖ１３を
ほぼ零とすることにより交番電界VLEF１００を対策前の
４．３［Ｖ／ｍ］から対策後の０．８〜０．５［Ｖ／
ｍ］に低減できることを実験により確認している。すな
わち、本発明により、ファンネル電極８の静電容量ｃ１
と逆パルス電圧Ｖ１を適宜設定することによりVLEFの交
番電界値をＴＣＯガイドライン（≦１［Ｖ／ｍ］）以下
にでき、不要輻射電界の人体への影響が問題とならない
レベルに改善できる。
１を内装導電膜１３に誘起することにより、内装導電膜
１３に生じていた交番電圧ｖ０１は極性が反転した交番
電圧ｖ１１と互いに打消し合う。図６はファンネル電極
８の面積を変え、電極の静電容量Ｃ１をパラメータにし
て逆パルス電圧を変化させた時の内装導電膜１３の交番
電圧Δｖ１３（＝ｖ０１−ｖ１１）の振幅を測定したも
のである。各ファンネル電極８の静電容量値に応じて逆
パルス電圧値を最適に設定することにより、VLEF１００
の発生源となる交番電圧Δｖ１３を零にできる。図７は
陰極線管装置１の正面、管面から３０ｃｍの距離に交番
電界測定器（例えば、スウェーデンのCombinova社EFM20
0）を設置してVLEFを測定した結果である。管面から放
射される交番電界VLEFと内装導電膜１３における交番電
圧Δｖ１３は一対一の対応があり、交番電圧Δｖ１３を
ほぼ零とすることにより交番電界VLEF１００を対策前の
４．３［Ｖ／ｍ］から対策後の０．８〜０．５［Ｖ／
ｍ］に低減できることを実験により確認している。すな
わち、本発明により、ファンネル電極８の静電容量ｃ１
と逆パルス電圧Ｖ１を適宜設定することによりVLEFの交
番電界値をＴＣＯガイドライン（≦１［Ｖ／ｍ］）以下
にでき、不要輻射電界の人体への影響が問題とならない
レベルに改善できる。
【００２４】ところで、Ｃ０、Ｖ０、Ｃ１、Ｖ１の関係
を種々な値に設定して実験を行なった結果、（Ｖ０×Ｃ
０）の電圧値が（Ｖ１×Ｃ１）の電圧値より必ず大きい
ことが判明した。また、Ｋを定数として数３に示した関
係式において、 〔数３〕 Ｋ×（Ｖ０×Ｃ０）＝（Ｖ１×Ｃ１） （数３） 定数Ｋの値は実験に使用した偏向ヨーク６の水平偏向コ
イルの巻線仕様により異なっていた。表１は仕様の異な
る３種類の偏向ヨーク＃１、＃２及び＃３に関して、定
数Ｋの値を実験結果から算出したもので、Ｋは０．１か
ら０．９の範囲であった。なお、図６、図７に示したデ
ータの偏向ヨーク＃２の定数Ｋは約０．５であった。
を種々な値に設定して実験を行なった結果、（Ｖ０×Ｃ
０）の電圧値が（Ｖ１×Ｃ１）の電圧値より必ず大きい
ことが判明した。また、Ｋを定数として数３に示した関
係式において、 〔数３〕 Ｋ×（Ｖ０×Ｃ０）＝（Ｖ１×Ｃ１） （数３） 定数Ｋの値は実験に使用した偏向ヨーク６の水平偏向コ
イルの巻線仕様により異なっていた。表１は仕様の異な
る３種類の偏向ヨーク＃１、＃２及び＃３に関して、定
数Ｋの値を実験結果から算出したもので、Ｋは０．１か
ら０．９の範囲であった。なお、図６、図７に示したデ
ータの偏向ヨーク＃２の定数Ｋは約０．５であった。
【００２５】
【表１】
【００２６】また、ファンネル電極８の静電容量Ｃ１は
電極面積の大小によって設定でき、電極形状、電極を設
置する位置には余り関係しない。従って、電極の形状、
設置位置は図１に示したものに限定されるものではな
く、例えば図８に示したように外装黒鉛膜１３の無い領
域に任意な形状のファンネル電極８８を配置できる。
電極面積の大小によって設定でき、電極形状、電極を設
置する位置には余り関係しない。従って、電極の形状、
設置位置は図１に示したものに限定されるものではな
く、例えば図８に示したように外装黒鉛膜１３の無い領
域に任意な形状のファンネル電極８８を配置できる。
【００２７】ところで、外装黒鉛膜５の面積を可能な限
り小さくして、ファンネル電極８の面積を大きく（Ｃ１
を大きく）設定すれば、小さな逆パルス電圧で交番電界
VLEFを抑制できる。逆にファンネル電極６の面積を小さ
く（Ｃ１を小さく）設定すれば、交番電界VLEFを抑制す
るには大きな逆パルス電圧を要する。表２は表１に示し
た偏向ヨーク＃２を用い、ファンネル電極６の面積を変
えた時に必要な逆パルス電圧Ｖ１及び静電容量Ｃ０とＣ
１の比Ｒ＝Ｃ１／Ｃ０を実験結果から算出したものであ
る。比Ｒの値はほぼ０．５から１５の間にあることがわ
かる。
り小さくして、ファンネル電極８の面積を大きく（Ｃ１
を大きく）設定すれば、小さな逆パルス電圧で交番電界
VLEFを抑制できる。逆にファンネル電極６の面積を小さ
く（Ｃ１を小さく）設定すれば、交番電界VLEFを抑制す
るには大きな逆パルス電圧を要する。表２は表１に示し
た偏向ヨーク＃２を用い、ファンネル電極６の面積を変
えた時に必要な逆パルス電圧Ｖ１及び静電容量Ｃ０とＣ
１の比Ｒ＝Ｃ１／Ｃ０を実験結果から算出したものであ
る。比Ｒの値はほぼ０．５から１５の間にあることがわ
かる。
【００２８】
【表２】
【００２９】一方、交番電界VLEF１００の発生源となる
内装導電膜１３の交番電圧ｖ０１は数１に示したように
静電容量Ｃ０に比例する。従って、Ｃ０を低減できれ
ば、VLEFを抑制するのに必要なファンネル電極容量Ｃ
１、又は逆パルス電圧Ｖ１を小さくできるので、本発明
を実施する上での利点となる。ところで、平行平板コン
デンサの静電容量Ｃは数４で表されることが知られてい
る。
内装導電膜１３の交番電圧ｖ０１は数１に示したように
静電容量Ｃ０に比例する。従って、Ｃ０を低減できれ
ば、VLEFを抑制するのに必要なファンネル電極容量Ｃ
１、又は逆パルス電圧Ｖ１を小さくできるので、本発明
を実施する上での利点となる。ところで、平行平板コン
デンサの静電容量Ｃは数４で表されることが知られてい
る。
【００３０】〔数４〕 Ｃ＝εＳ／ｄ （数４） ここに、εは平行平板間の誘電率 Ｓは平行平板の面積 ｄは平行平板間の距離 数４から、静電容量Ｃを低減するにはεとＳを小さく、
反対にｄを大きくすればよい。これを水平偏向コイルの
静電容量Ｃ０に適用し、偏向ヨ−クと対向する部分のガ
ラス容器材として、例えばよく用いられる鉛アルカリガ
ラス（誘電率ε≒８．３）から誘電率εが８以下のホウ
ケイ酸ガラス（誘電率≒５）等を用いる。又は、水平偏
向コイルに対向する内装導電膜１３をメッシュ状等に
し、その一部を欠くようにして等価的な面積Ｓを低減す
る。又は、水平偏向コイルと対向する部分のガラス容器
厚を容器の内面側に大きくすることによりｄを増大させ
る。これらを単独又は併用する事により静電容量Ｃ０を
９０［ｐＦ］以下にでき、ファンネル電極の面積、逆パ
ルス電圧値も耐電圧上問題のない実用的な値で交番電界
VLEFを抑制できることを確認している。
反対にｄを大きくすればよい。これを水平偏向コイルの
静電容量Ｃ０に適用し、偏向ヨ−クと対向する部分のガ
ラス容器材として、例えばよく用いられる鉛アルカリガ
ラス（誘電率ε≒８．３）から誘電率εが８以下のホウ
ケイ酸ガラス（誘電率≒５）等を用いる。又は、水平偏
向コイルに対向する内装導電膜１３をメッシュ状等に
し、その一部を欠くようにして等価的な面積Ｓを低減す
る。又は、水平偏向コイルと対向する部分のガラス容器
厚を容器の内面側に大きくすることによりｄを増大させ
る。これらを単独又は併用する事により静電容量Ｃ０を
９０［ｐＦ］以下にでき、ファンネル電極の面積、逆パ
ルス電圧値も耐電圧上問題のない実用的な値で交番電界
VLEFを抑制できることを確認している。
【００３１】ファンネル電極８に供給する逆パルス電圧
Ｖ１の発生手段の１例を図９に示す。図９（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）は各々偏向ヨーク６の側面図、正面図及
び磁性体コアの磁束の説明図である。偏向ヨーク６は磁
性体コア６０の内面に垂直偏向コイル６１、水平偏向コ
イル６２を設ける。更に本発明では水平偏向コイル６２
が発生する磁束６３を検出する補助巻線６４をコア部６
０に具備する。補助巻線６４には水平偏向磁界６３が鎖
交し、端子Ｔ３’には逆パルス電圧Ｖ１’が得られる。
逆パルス電圧Ｖ１’は端子Ｔ２に供給されるパルス電圧
Ｖ０と極性が反転したパルス電圧であり、前述の逆パル
ス電圧ｖ１と同様に交番電界VLEFの抑制に使用できるこ
とは説明するまでもない。別の実施例では偏向ヨーク６
にパルス電圧ｖ０を印加する端子Ｔ２から検出したパル
ス電圧を所定な振幅に減衰後、反転したパルス電圧を逆
パルス電圧Ｖ１”としてファンネル電極８に供給し、交
番電界VLEFの抑制に使用した。
Ｖ１の発生手段の１例を図９に示す。図９（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）は各々偏向ヨーク６の側面図、正面図及
び磁性体コアの磁束の説明図である。偏向ヨーク６は磁
性体コア６０の内面に垂直偏向コイル６１、水平偏向コ
イル６２を設ける。更に本発明では水平偏向コイル６２
が発生する磁束６３を検出する補助巻線６４をコア部６
０に具備する。補助巻線６４には水平偏向磁界６３が鎖
交し、端子Ｔ３’には逆パルス電圧Ｖ１’が得られる。
逆パルス電圧Ｖ１’は端子Ｔ２に供給されるパルス電圧
Ｖ０と極性が反転したパルス電圧であり、前述の逆パル
ス電圧ｖ１と同様に交番電界VLEFの抑制に使用できるこ
とは説明するまでもない。別の実施例では偏向ヨーク６
にパルス電圧ｖ０を印加する端子Ｔ２から検出したパル
ス電圧を所定な振幅に減衰後、反転したパルス電圧を逆
パルス電圧Ｖ１”としてファンネル電極８に供給し、交
番電界VLEFの抑制に使用した。
【００３２】一方、周波数帯が５Ｈｚから２ｋＨｚの交
番電界ELEF２００は、前述の交番電界VLEFとは異なり、
図３（ｃ）に示した高圧の動的な電圧変動であるΔHVが
発生原因である。本発明では交番電界ELEF２００を抑制
するために、陰極線管１のフェースプレート３の表面に
抵抗値を最適に設定した透明導電膜１０を具備する。透
明導電膜の材料としては酸化インジウムや酸化スズの微
粒子を分散させたもの等が用いられる。更に透明導電膜
１０の表面には酸化珪素の薄膜（図３には図示せず）が
成膜され、反射防止膜としての機能を付加している。図
１０は陰極線管表示装置１の正面３０［ｃｍ］の距離に
おいて、透明導電膜１０の単位面積当りの抵抗値（単位
［Ω／□］）と交番電界ELEFの関係を測定した結果であ
る。ＴＣＯガイドラインのELEFの規制値（≦１０［Ｖ／
ｍ］、正面３０ｃｍの距離）を達成するには透明電極の
抵抗値を２×１０6［Ω／□］以下にすればよい。図１
１は一般的な透明導電膜の抵抗値の周波数特性を示した
ものである。製造コストが高い透明導電膜は二種類の交
番電界ELEF、VLEFの周波数領域において抵抗値が小さ
く、十分に二種類の交番電界をシールドできる。しか
し、この透明導電膜のコストは高いものとなり、ごく一
部の高級機種のみに使用されていた。ところが、製造コ
ストが安い透明導電膜はELEF帯の周波数領域では抵抗値
が小さいが、周波数が高くなると抵抗値が増大し、交番
電界VLEFのシールド効果が低減する欠点がある。この測
定結果を踏まえ、安価な透明導電膜を用い、ELEFの抑制
は透明導電膜のシールド作用で行い、シールド効果が低
減するVLEF帯はのファンネル電極に逆パルスを供給して
VLEFを抑制する方式とを併用する方法が経済的にも有利
であることを確認している。
番電界ELEF２００は、前述の交番電界VLEFとは異なり、
図３（ｃ）に示した高圧の動的な電圧変動であるΔHVが
発生原因である。本発明では交番電界ELEF２００を抑制
するために、陰極線管１のフェースプレート３の表面に
抵抗値を最適に設定した透明導電膜１０を具備する。透
明導電膜の材料としては酸化インジウムや酸化スズの微
粒子を分散させたもの等が用いられる。更に透明導電膜
１０の表面には酸化珪素の薄膜（図３には図示せず）が
成膜され、反射防止膜としての機能を付加している。図
１０は陰極線管表示装置１の正面３０［ｃｍ］の距離に
おいて、透明導電膜１０の単位面積当りの抵抗値（単位
［Ω／□］）と交番電界ELEFの関係を測定した結果であ
る。ＴＣＯガイドラインのELEFの規制値（≦１０［Ｖ／
ｍ］、正面３０ｃｍの距離）を達成するには透明電極の
抵抗値を２×１０6［Ω／□］以下にすればよい。図１
１は一般的な透明導電膜の抵抗値の周波数特性を示した
ものである。製造コストが高い透明導電膜は二種類の交
番電界ELEF、VLEFの周波数領域において抵抗値が小さ
く、十分に二種類の交番電界をシールドできる。しか
し、この透明導電膜のコストは高いものとなり、ごく一
部の高級機種のみに使用されていた。ところが、製造コ
ストが安い透明導電膜はELEF帯の周波数領域では抵抗値
が小さいが、周波数が高くなると抵抗値が増大し、交番
電界VLEFのシールド効果が低減する欠点がある。この測
定結果を踏まえ、安価な透明導電膜を用い、ELEFの抑制
は透明導電膜のシールド作用で行い、シールド効果が低
減するVLEF帯はのファンネル電極に逆パルスを供給して
VLEFを抑制する方式とを併用する方法が経済的にも有利
であることを確認している。
【００３３】
【発明の効果】本発明によれば、陰極線管のフェースプ
レートから正面に放出されている二種類の交番電界VLE
F、ELEFのうち、VLEFは陰極線管の外装黒鉛膜のないフ
ァンネル部のガラス容器外壁に接して設けたキャンセル
電極に逆パルス電圧を供給し管内に誘起した交番電圧を
互いに打消し合うことによって抑制し、またELEFは陰極
線管のフェースプレートの表面に形成した透明導電膜の
抵抗値を最適に設定して抑制することにより、安いコス
トで二種類の交番電界を規制値以下に抑制できる効果が
ある。その結果、画像表示装置の操作者の身体への悪影
響を低減し、安心して長時間使用できる陰極線管表示装
置を実現できる。
レートから正面に放出されている二種類の交番電界VLE
F、ELEFのうち、VLEFは陰極線管の外装黒鉛膜のないフ
ァンネル部のガラス容器外壁に接して設けたキャンセル
電極に逆パルス電圧を供給し管内に誘起した交番電圧を
互いに打消し合うことによって抑制し、またELEFは陰極
線管のフェースプレートの表面に形成した透明導電膜の
抵抗値を最適に設定して抑制することにより、安いコス
トで二種類の交番電界を規制値以下に抑制できる効果が
ある。その結果、画像表示装置の操作者の身体への悪影
響を低減し、安心して長時間使用できる陰極線管表示装
置を実現できる。
【図１】本発明の一実施例による陰極線管表示装置の構
成を示す説明図。
成を示す説明図。
【図２】図１の陰極線管をネック側から示した説明図。
【図３】本発明の実施例の動作を説明する断面図。
【図４】等価回路図。
【図５】内装導電膜に生ずる交番電圧の説明図。
【図６】逆パルス電圧と内装導電膜に生じる交番電圧の
関係を示す説明図。
関係を示す説明図。
【図７】逆パルス電圧と交番電界VLEFの関係を示す説明
図。
図。
【図８】ファンネル電極の他の実施例を示す説明図。
【図９】本発明の偏向ヨークの構成を示す説明図。
【図１０】透明導電膜の抵抗値と交番電界ELEFの関係を
示す特性図。
示す特性図。
【図１１】透明導電膜の抵抗値の周波数の特性図。
１…陰極線管装置、 ２…ファンネル、 ３…フェースプレート、 ４…防爆バンド、 ５…外装黒鉛膜、 ６…偏向ヨーク、 ７…ネック、 ８…キャンセル電極、 ９…アノードボタン、 ２０…高圧−偏向回路、 １００…交番電界VLEF、 ２００…交番電界ELEF。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉岡 洋 千葉県茂原市早野3300番地株式会社日立製 作所電子デバイス事業部内 (72)発明者 佐藤 佳雄 千葉県茂原市早野3300番地株式会社日立製 作所電子デバイス事業部内
Claims (6)
- 【請求項１】陰極線管に装着した偏向ヨークの水平偏向
コイルと前記陰極線管のガラス容器の内部に形成した内
装導電膜との間の静電容量をＣ０、前記水平偏向コイル
の端子に供給するパルス電圧の振幅をＶ０、前記陰極線
管の外壁面に形成され接地される外装黒鉛膜と電気的に
分離してファンネル部の前記ガラス容器の外壁に接して
電極を具備し、前記電極に前記偏向ヨークに供給するパ
ルス電圧と極性が反転した逆パルス電圧を印加する手段
を有し、前記電極と前記内装導電膜との間の静電容量を
Ｃ１、前記電極に供給する逆パルス電圧の振幅をＶ１と
するとき、（Ｖ０×Ｃ０）＞（Ｖ１×Ｃ１）であること
を特徴とする陰極線管表示装置。 - 【請求項２】請求項１において、Ｋ×Ｖ０×Ｃ０＝Ｖ１
×Ｃ１の関係式における定数Ｋが０．１≦Ｋ≦０．９の
範囲である陰極線管表示装置。 - 【請求項３】請求項１または２において、水平偏向コイ
ルに対向する部分のガラス肉厚を他の部分より陰極線管
の内面側に厚くすること、又は、水平偏向コイルと対向
する部分の内装導電膜の一部を欠くこと、又は水平偏向
コイルが対向する部分のガラス材の誘電率を８以下とす
ることのうちのいずれか一つ以上により、前記水平偏向
コイルと前記内装導電膜との間の静電容量Ｃ０を９０
［ｐＦ］以下とした陰極線管表示装置。 - 【請求項４】請求項１、２または３において、前記水平
偏向コイルと前記内装導電膜との間の静電容量Ｃ０とフ
ァンネル部の前記ガラス容器の外壁に接して設けた前記
電極と前記内装導電膜との間の静電容量Ｃ１の比(Ｃ１
／Ｃ０)が、０．５≦(Ｃ１／Ｃ０)≦１5の範囲である陰
極線管表示装置。 - 【請求項５】請求項１、２、３または４において、前記
陰極線管のパネルガラスの外表面に単位面積当りの抵抗
値が２×１０6［Ω／□］以下の透明導電膜を形成し、
前記透明導電膜を接地した陰極線管表示装置。 - 【請求項６】陰極線管の外壁面に形成され接地される外
装黒鉛膜と電気的に分離してファンネル部のガラス容器
の外壁に接して電極を具備し、前記電極に水平偏向コイ
ル端子に供給するパルス電圧と極性が反転した逆パルス
電圧を印加する手段を有する陰極線管表示装置におい
て、偏向ヨークのコアに発生した磁束と前記コアに設け
た補助巻線とを磁気結合させることにより逆パルス電圧
を発生する補助巻線を前記コアに具備、又は前記水平偏
向コイルより検出したパルス電圧の極性を反転させ、振
幅を減衰させることにより逆パルス電圧を得る反転減衰
回路を具備したことを特徴とする陰極線管表示装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25320894A JP3218887B2 (ja) | 1994-10-19 | 1994-10-19 | 陰極線管表示装置 |
| TW87211602U TW395550U (en) | 1994-10-19 | 1995-10-16 | Cathode-ray tube display unit in which the unwanted radiant electric field from the face plate of cathode-ray tube is decreased |
| KR1019950035737A KR100204724B1 (ko) | 1994-10-19 | 1995-10-17 | 음극선관의 페이스플레이트로 부터의 불필요한 복사전계를 저감한 음극선관 표시장치 |
| DE1995618713 DE69518713T2 (de) | 1994-10-19 | 1995-10-18 | Kathodenstrahlröhreeinheit in die das vom Bildschirm unerwünschten Strahlungselektrischesfeld des Kathoderstrahlröhre vermindert ist |
| US08/544,923 US5689157A (en) | 1992-05-08 | 1995-10-18 | Cathode-ray tube display unit in which unwanted radiant electric field from face plate of cathode-ray tube is decreased |
| EP19950116440 EP0708474B1 (en) | 1994-10-19 | 1995-10-18 | Cathode-ray tube display unit in which unwanted radiant electric field from face plate of cathode-ray tube is decreased |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25320894A JP3218887B2 (ja) | 1994-10-19 | 1994-10-19 | 陰極線管表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08115685A true JPH08115685A (ja) | 1996-05-07 |
| JP3218887B2 JP3218887B2 (ja) | 2001-10-15 |
Family
ID=17248066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25320894A Expired - Fee Related JP3218887B2 (ja) | 1992-05-08 | 1994-10-19 | 陰極線管表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3218887B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5831390A (en) * | 1996-07-25 | 1998-11-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | CRT with a transparent film and a compensating electrode |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009084716A1 (en) | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface-modified inorganic pigment, colored surface-modified inorganic pigment, recording medium and production processes thereof, and image forming method and recorded image |
-
1994
- 1994-10-19 JP JP25320894A patent/JP3218887B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5831390A (en) * | 1996-07-25 | 1998-11-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | CRT with a transparent film and a compensating electrode |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3218887B2 (ja) | 2001-10-15 |
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