JPH09205654A

JPH09205654A - 陰極線管表示装置

Info

Publication number: JPH09205654A
Application number: JP1164396A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Jitsukata; 寛實方; Soichi Sakurai; 宗一桜井; Hiroshi Yoshioka; 洋吉岡; Yoshio Sato; 佳雄佐藤
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1996-01-26
Filing date: 1996-01-26
Publication date: 1997-08-05

Abstract

(57)【要約】【課題】陰極線管を用いた画像表示装置から放射される
交番電界ＶＬＥＦとＥＬＥＦを低減する。【解決手段】陰極線管１の内装黒鉛膜１３に生ずる交番
電圧成分を含む高電圧を検出し、該交番電圧の極性を反
転，増幅した電圧成分を含む逆電圧を発生させて該逆電
圧を前記内装黒鉛膜に静電結合によって供給する。交番
電圧と逆電圧は互いに打消し合って不要輻射電界の発生
源となる交番電圧を低減する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、陰極線管を用いた
陰極線管表示装置に係り、特に陰極線管の表示面から前
方に放射される交番電界の抑制に関する。

【０００２】

【従来の技術】陰極線管表示装置は高周波信号処理回
路，電子ビームの偏向磁界発生回路，高電圧発生回路な
どを備える。このため、この陰極線管表示装置からは、
不要な電波，磁界，電界などが放射されることから、こ
れらの不要な電波，磁界，電界の輻射を規制する各種の
規格が制定されている。しかも、最近は、このような陰
極線管表示装置を使用したパーソナルコンピュータ等の
普及に伴い、陰極線管表示装置を長時間に亘って使用す
る機会が増えており、該表示装置から輻射される低周波
数の電界が操作者の身体へ及す悪影響が懸念されてい
る。このような状況のもとで、陰極線管表示装置から放
射される不要な輻射電界の規制に関する規格が北欧で制
定され、この規格が世界各国に広がりつつある。このよ
うに規制される不要輻射電界は、電界強度が時刻と共に
変化する交番電界であり、周波数帯域によって２種類に
分類されている。その１つは、周波数帯域が２ｋＨｚか
ら４００ｋＨｚで、映像信号の水平偏向周波数ｆＨを含
む交番電界ＶＬＥＦ（ＶｅｒｙＬｏｗｆｒｅｑｕｅｎ
ｃｙＥｌｅｃｔｒｉｃＦｉｅｌｄ）であり、他の１
つは、周波数帯域が５Ｈｚから２ｋＨｚで、垂直偏向周
波数ｆｖを含む交番電界ＥＬＥＦ（Ｅｘｔｒｅｍｅｌｙ
ＬｏｗｆｒｅｑｕｅｎｃｙＥｌｅｃｔｒｉｃＦ
ｉｅｌｄ）である。

【０００３】画像表示装置から放射される不要な輻射電
界に関する規格として、例えば１９９０年にスウェーデ
ンで制定されたＭＰＲー２が広く知られている。このＭ
ＰＲ−２規格は、２ｋＨｚから４００ｋＨｚ帯のＶＬＥ
Ｆの電界値を２．５Ｖ／ｍ以下（測定距離は画像表示装
置の周囲５０ｃｍ）に規制し、５Ｈｚから２ｋＨｚ帯の
ＥＬＥＦの電界値を２５Ｖ／ｍ以下（画像表示装置の前
方５０ｃｍのみ）に規制するものである。その後、この
ＭＰＲ−２規格を大幅に厳しくしたＴＣＯガイドライン
が制定され、画像表示装置から放射される交番電界の抑
制効果を大幅に改善する必要性が高まっている。ＴＣＯ
ガイドラインは、ＶＬＥＦに関しては電界値を１．０Ｖ
／ｍ以下（画像表示装置の前方３０ｃｍ及び周囲５０ｃ
ｍ）に規制し、ＥＬＥＦに関しては電界値を１０Ｖ／ｍ
以下（画像表示装置の前方３０ｃｍのみ）に規制するよ
うに強化した規格である。

【０００４】陰極線管表示装置の場合には、画像表示面
（蛍光面）を除いた部分は、金属板や金網等による静電
シールドによって比較的簡単に交番電界を遮蔽でき、比
較的簡単に電界強度を規制値以下に抑制することができ
る。しかし、陰極線管の前面は、透明なガラスであるフ
ェースプレートの内面に形成した蛍光面を発光させて再
生画像を表示する構成であるので、不透明な金属板を蛍
光面の前方に設置して静電シールドすることができな
い。そこで、米国特許第５，１９８，７２９号明細書及
び図面に記載されているように、ガラス容器の外壁に電
極を貼付け、該電極に水平偏向トランスから得た逆極性
のＨパルスを印加することにより、陰極線管表示装置か
ら放射されるＶＬＥＦを抑制することが提案されてい
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たようなＶＬＥＦ抑制手段を備えた陰極線管表示装置
は、陰極線管の動作条件が変化した場合、例えばビーム
電流量が増大して画面が明るくなった場合には、ＶＬＥ
Ｆが増大して不要輻射電界を規格値以下に抑制すること
ができなくなるという問題がある。

【０００６】本発明の目的は、このような問題点に鑑
み、陰極線管表示装置の動作条件が変化した場合でも該
表示装置の前方に放射される不要輻射電界を効果的に抑
制することができる陰極線管表示装置を提供することに
ある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、陰極線管の内
装陽極電極膜に供給される高電圧に重畳している交番電
圧成分に対して極性が反転した電圧成分を含む逆電圧を
発生させ、この逆電圧を静電結合によって前記高電圧に
重畳させて該高電圧の交番電圧成分を低減することによ
り、不要輻射電界の発生を低減するものである。

【０００８】または、前記逆電圧に基づいた電界を発生
させ、前記高電圧によって発生する電界の交番成分を打
ち消すようにすることにより、不要輻射電界を低減す
る。

【０００９】前記逆電圧は、内装陽極電極膜に供給する
高電圧から取得した検出電圧を反転増幅して発生し、あ
るいは、高圧変成器回路の変成器あるいは水平偏向制御
回路に接続した変成器によって発生する。

【００１０】更に具体的には、本発明は、次のようにし
て課題を解決する。

【００１１】陰極線管のガラス容器の内面に形成された
内装陽極電極膜と、この内装陽極電極膜に印加する高電
圧を発生する高電圧発生手段とを備えた陰極線管表示装
置において、前記高電圧に応じた検出電圧を取得する電
圧検出手段と、前記検出電圧に重畳している交番電圧成
分に対して極性が反転した電圧成分を含む逆交番電圧を
発生する逆交番電圧発生手段と、前記逆交番電圧を静電
結合により前記高電圧に重畳させる静電結合手段と、前
記高電圧に重畳した前記交番電圧成分が設定値以下とな
るように前記電圧検出手段の検出電圧に基づいて前記逆
交番電圧発生手段の発生電圧を制御する電圧制御手段を
設けることにより、不要輻射電界の発生を低減する。

【００１２】前記逆交番電圧発生手段は、前記電圧検出
手段によって検出した検出電圧を増幅する利得可変型の
反転増幅回路を使用して構成する。

【００１３】前記逆交番電圧発生手段は、前記交番電圧
検出手段によって検出した検出電圧を増幅する利得可変
型の反転増幅回路と、前記反転増幅回路の利得を前記検
出電圧に重畳している交番電圧成分の大きさに基づいて
制御する利得制御回路を使用して構成する。

【００１４】前記利得制御回路は、前記検出電圧に重畳
されている帰線パルス電圧成分または残留パルス電圧成
分のピーク値を検出し、その符号の正／負に応じて前記
反転増幅器の利得を制御するように構成する。

【００１５】前記静電結合手段は、前記陰極線管の内装
陽極電極膜に対向させてガラス容器の外面に設けた導電
部材を使用して構成する。

【００１６】前記静電結合手段は、前記陰極線管の内装
陽極電極膜に高電圧を供給する高圧変成器の高圧出力端
子に接続されたコンデンサを使用して構成する。

【００１７】前記静電結合手段は、前記陰極線管の内装
陽極電極膜に高電圧を導くアノードキャップ部に接続さ
れたコンデンサを使用して構成する。

【００１８】前記静電結合手段は、前記陰極線管の内装
陽極電極膜に高電圧を導くアノードケーブルの外周に設
けられて該アノードケーブルの心線に静電結合する導電
体を使用して構成する。

【００１９】また、陰極線管のガラス容器の内面に形成
されて高電圧が印加される内装陽極電極膜と、前記陰極
線管に装着された水平偏向コイルと、前記内装陽極電極
膜に印加する高電圧を発生する高電圧発生手段とを備え
た陰極線管表示装置において、前記水平偏向コイルに生
ずる帰線パルス電圧に対して極性が反転した電圧成分を
含む第１の逆パルス電圧を発生する第１の逆パルス電圧
発生手段と、前記内装陽極電極膜に供給する高電圧を発
生する高圧変成器回路の出力電圧に重畳したパルス電圧
成分に対して極性が反転した電圧成分を含む第２の逆パ
ルス電圧を発生する第２の逆パルス電圧発生手段と、前
記高電圧に応じた検出電圧を取得する電圧検出手段と、
前記検出電圧に対して極性が反転した電圧成分を含む第
３の逆電圧を発生する第３の逆電圧発生手段と、前記第
１の逆パルス電圧または第２の逆パルス電圧または第３
の逆電圧を前記内装陽極電極膜に静電結合により供給す
る静電結合手段と、前記内装陽極電極膜の交番電圧成分
が設定値以下となるように前記電圧発生手段を制御する
制御手段とを設けることにより、不要輻射電界を低減す
る。

【００２０】そして、前記第１の逆パルス電圧発生手段
は、前記水平偏向制御回路に接続された変成器を使用し
て構成する。

【００２１】前記第２の逆パルス電圧発生手段は、内装
電極膜に供給する高電圧を発生する高圧変成器回路にお
ける高圧変成器の補助巻線を使用して構成する。

【００２２】前記第３の逆電圧発生手段は、前記電圧検
出手段によって検出した検出電圧を増幅する利得可変型
の反転増幅回路をして構成する。

【００２３】また、陰極線管のガラス容器の内面に形成
された内装陽極電極膜と、この内装陽極電極膜に印加す
る高電圧を発生する高電圧発生手段とを備えた陰極線管
表示装置において、前記高電圧に応じた検出電圧を取得
する電圧検出手段と、前記検出電圧に重畳している交番
電圧成分に対して極性が反転した電圧成分を含む逆交番
電圧を発生する逆交番電圧発生手段と、前記陰極線管の
フェースプレート部の近傍に設置され、前記逆交番電圧
が供給されて電界を発生する電極を設けることにより、
不要輻射電界を低減する。

【００２４】前記逆交番電圧発生手段は、前記電圧検出
手段によって検出した検出電圧を増幅する反転増幅回路
を使用して構成する。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。

【００２６】図１は、本発明になる陰極線管表示装置の
第１の実施形態の主要部を示す電気回路図である。図２
は、陰極線管から放射される交番電界を説明する模式断
面図であり、各図において同一の構成手段には同一の参
照符号を付した。

【００２７】図１において、陰極線管１は大きく分けて
３つの部分からなるガラス容器であり、ファンネル部
２，フェースプレート部３，ネック部７を備える。ファ
ンネル部２はガラス容器の略コーン状部分であり、高圧
変成器回路２０の高電圧出力端子２７からの直流高電圧
（以下、高電圧またはＨＶと略記する）を導入するアノ
ードボタン９及び接地された外装電極（黒鉛）膜５を備
える。フェースプレート部３は、ガラス容器の先端部の
緩やかに湾曲した透明な前面の画像表示部分であり、内
面にモノクローム蛍光体または赤色，緑色，青色の三原
色蛍光体を塗布した蛍光面（図示せず）を備える。ネッ
ク部７は、後端に伸びる筒状部であり、電子ビームを発
生する電子銃（図示せず）が封止され、外側に偏向ヨー
ク６が装着される。この偏向ヨーク６は、電子ビームを
水平及び垂直方向に偏向してラスターを得るための偏向
磁界を発生する水平偏向コイル６１（図示せず）と垂直
偏向コイル６２（図示せず）を備える。なお、フェース
プレート部３の側面部の周囲には陰極線管１のガラス容
器が破損したときの安全性を高める金属製の補強バンド
４が巻き付けられ、外装黒鉛膜５と共に電気的に接地さ
れる。

【００２８】高圧変成器回路２０は、高電圧発生制御回
路５１から１次コイル２１に印加されたパルス電圧を２
次コイル２２で昇圧する高圧変成器を備える。２次コイ
ル２２で昇圧したパルス電圧はダイオード２３で整流
し、コンデンサ２４によって平滑して高電圧出力端子２
７に２５ｋＶ〜３０ｋＶの直流高電圧を出力してアノー
ドボタン９に供給する。

【００２９】図２（ｂ）に示すように、ファンネル２の
ガラス容器部分の内面には導電性の黒鉛を塗布した内装
陽極電極膜（以下、内装黒鉛膜ともいう）１３が形成さ
れており、高電圧出力端子２７から供給される前記直流
高電圧がアノードボタン９を介して該内装黒鉛膜１３に
印加される。

【００３０】一方、フェースプレート部３の内面には電
子ビーム照射により発光する蛍光体を塗布することによ
り蛍光膜１１を形成し、該蛍光膜１１の表面にアルミニ
ウムメタルバック膜１２が蒸着される。メタルバック膜
１２により内装黒鉛膜１３と蛍光膜１１が電気的に接続
されて蛍光膜１１に高電圧が印加される。なお、図示を
省略するが、カラー陰極線管の場合には蛍光膜１１のご
く近傍に３原色の色蛍光体を選別する金属製のシャドウ
マスクが色選別電極として内装黒鉛膜１３と同電位とな
るように設置される。

【００３１】外装黒鉛膜５は、ガラス容器のファンネル
部２の外壁面の一部に導電体である黒鉛の水溶液を塗布
して乾燥させて形成したもので、該外装黒鉛膜５を電気
的に接地することにより陰極線管１の前記内装黒鉛膜
（陽極）１３との間に静電容量を形成する。すなわち、
接地された外装黒鉛膜５は、ファンネル部２のガラス容
器を介して内装黒鉛膜１３との間に静電容量（以下、外
装容量と呼ぶ）５５を形成する。この外装容量５５は、
高圧変成器回路２０に内蔵された静電容量２４と並列接
続関係になり、高電圧出力端子２７から出力される高電
圧ＨＶを平滑するように作用する。しかし、高電圧出力
端子２７から出力される高電圧ＨＶは、完全な直流電圧
ではなく、図２（ａ）に示すように、直流電圧成分Ｅｂ
（ＤＣ）に垂直偏向周期（以下、Ｖ周期と略記する）で
繰返す交流的な高電圧の変動電圧成分ΔＥｂ（ＡＣ）が
重畳した電圧波形であり、特にビーム電流量が増大した
場合には大きな変動電圧成分ΔＥｂ（ＡＣ）が重畳す
る。更に、高電圧ＨＶには、図２（ａ）の拡大部に示す
ように、水平偏向周期（以下、Ｈ周期と略記する）のリ
ップル電圧成分（以下、残留パルス電圧成分と略記す
る）Ｖ１が重畳している。

【００３２】一方、水平偏向制御回路５０に接続された
水平偏向コイル６１（図示せず）には、Ｈ周期で繰返す
約１０００Ｖｐ−ｐのパルス電圧（以下、帰線パルス電
圧と略記する）Ｖ０が帰線期間（電子ビームを表示画面
の水平方向の右端から左端に戻す期間）に発生してい
る。なお、帰線パルス電圧Ｖ０と残留パルス電圧成分Ｖ
１は、共に、同一のＨ周期で繰返すパルス電圧である
が、水平偏向制御回路５０と高電圧発生制御回路５１が
別々であるので、数μ秒程度の位相差を生じている。

【００３３】ここで、陰極線管１が動作しているときに
放射される不要輻射電界を解析し、その発生機構を明ら
かにしたので、そのメカニズムを説明する。不要輻射電
界の発生原因は、陰極線管１の内装黒鉛膜１３に生じた
交流的な変動電圧である交番電圧成分に起因しており、
陰極線管１が動作しているときには２種類の不要輻射電
界ＶＬＥＦ１００，ＥＬＥＦ２００がフェースプレート
部３のガラス面を通過して前方に放射されていることを
突止めた。

【００３４】周波数帯域が２ｋＨｚから４００ｋＨｚで
あるＶＬＥＦ１００は、Ｈ周期の帰線パルス電圧Ｖ０，
残留パルス電圧成分Ｖ１及びＨ周期の変動電圧成分ΔＥ
ｂ（Ｈ）によって生じる交番電界である。一方、周波数
帯域が５Ｈｚから２ｋＨｚ帯のＥＬＥＦ２００は、映像
信号の内容に応じて陰極線管１の電子銃から放出される
電子ビーム量が変化するためにＶ周期で生じる変動電圧
成分ΔＥｂ（ＡＣ）に起因して生じる交番電界である。

【００３５】初めに、ＶＬＥＦ１００がフェースプレー
ト部３から放射されるメカニズムを詳しく説明する。偏
向ヨーク６の水平偏向コイル６１（図示せず）と内装黒
鉛膜１３は２ｍｍ程度の厚さのガラス容器を介して対向
している。従って、図２（ｂ）に静電容量６３で示した
ように、水平偏向コイル６１と内装黒鉛膜１３の間の静
電結合により、水平偏向コイル６１に印加した帰線パル
ス電圧Ｖ０と相似なパルス電圧成分Ｖ０１が内装黒鉛膜
１３に発生し、更に高電圧ラインに存在する残留パルス
電圧成分Ｖ１及び変動電圧成分ΔＥｂ（Ｈ）が内装黒鉛
膜１３に印加される。その結果、内装黒鉛膜１３，導電
性膜のメタルバック膜１２，金属製のシャドウマスク
（図示せず）などの導電性材にＨ周期の交番電圧成分Ｖ
０１，Ｖ１，ΔＥｂ（Ｈ）が印加されることにより、フ
ェースプレート部３の前方に不要輻射電界ＶＬＥＦ１０
０が放射される。

【００３６】同様に、ＥＬＥＦ２００は高電圧ラインに
生じたＶ周期の変動電圧成分ΔＥｂ（ＡＣ）が内装黒鉛
膜１３，メタルバック膜１２，金属製のシャドウマスク
（図示せず）に印加されることにより、フェースプレー
ト部３の前方に不要輻射電界ＥＬＥＦ２００が放射され
る。

【００３７】この実施形態では、このような不要輻射電
界の発生を抑制するために、前記した内装黒鉛膜１３に
生じる交番電圧成分Ｖ０１，Ｖ１，ΔＥｂ（Ｈ）及びΔ
Ｅｂ（ＡＣ）、即ち交番電界の発生源となる交番電圧成
分そのもを低減する。

【００３８】図１におて、内装黒鉛膜１３に生じる交番
電圧成分Ｖ０１，Ｖ１，ΔＥｂ（Ｈ）及びΔＥｂ（Ａ
Ｃ）を含む検出電圧を、高圧変成器回路２０の高電圧出
力端子２７に接続した抵抗４０と一端を接地した抵抗４
１の接続点から得て検出端子４２に出力する。これらの
交番電圧成分（Ｖ０１，Ｖ１，ΔＥｂ（Ｈ）及びΔＥｂ
（ＡＣ））を含む検出電圧は、利得可変型の反転増幅器
４５によって反転増幅し、極性が反転された逆交番電圧
として帰還端子２６からコンデンサ２５を介して高電圧
出力端子２７に供給する。

【００３９】一方、検出端子４２から検出した検出電圧
は、高域通過濾波器４３によりＶ周期の変動電圧成分Δ
Ｅｂ（ＡＣ）が遮断され、Ｈ周期の帰線パルス電圧Ｖ０
などが通過してピーク検出器４４に入力される。ピーク
検知器４４は、帰線パルス電圧成分Ｖ０１または残留パ
ルス電圧成分Ｖ１のピーク値を検出し、その符号の正／
負に応じて前記利得可変型の反転増幅器４５の利得を制
御するようにし、検出されるピーク値の絶対値が所定の
設定値以下となるように該利得可変型の反転増幅器４５
の利得を変化させる。即ち、検出端子４２から検出した
帰線パルス電圧成分Ｖ０１のピーク値が正のときには反
転増幅器４５の利得を増大するように制御し、該反転増
幅器４５から出力する逆極性の逆交番電圧成分の振幅を
大きくして高電圧出力端子２７に重畳する。その結果、
高電圧出力端子２７に生じていた交番電圧成分は、前記
逆極性の逆交番電圧成分と互いに打消し合って内装黒鉛
膜１３の交番電圧成分を低減し、不要輻射電界を規制値
以下に抑制する。反対に、検出端子４２から検出される
帰線パルス電圧成分Ｖ０１または残留パルス電圧成分Ｖ
１のピーク値が負のときは、反転増幅器４５の利得を減
少するように制御し、該反転増幅器４５から出力する逆
極性の交番電圧成分の振幅を小さくして高電圧出力端子
２７に重畳する。その結果、高電圧出力端子２７に生じ
ていた交番電圧成分は該逆極性の交番電圧成分と互いに
打消し合って内装黒鉛膜１３の交番電圧成分を低減し、
不要輻射電界を抑制することができる。

【００４０】この実施形態を適用した１７形ディスプレ
イを試作し、陰極線管１の管面から３０ｃｍの距離に交
番電界測定器（例えば、スウェーデンのＣｏｍｂｉｎｏ
ｖａ社ＥＦＭ２００）を配置して不要輻射電界を測定し
た結果、対策前には７Ｖ／ｍであったＶＬＥＦが０．６
Ｖ／ｍに低減し、また、対策前には２５Ｖ／ｍであった
ＥＬＥＦを６．５Ｖ／ｍに改善できることを確認でき
た。この不要輻射電界の値は、ＴＣＯガイドライン（Ｖ
ＬＥＦ≦１Ｖ／ｍ，ＥＬＥＦ≦１０Ｖ／ｍ）を満足する
ものである。

【００４１】図３は、本発明の第２の実施形態を示した
電気回路図である。なお、第１の実施形態と同一の構成
手段には同一の参照符号を付した。

【００４２】この第２の実施形態では、反転増幅器４５
から出力した逆極性の交番電圧成分を、陰極線管１のフ
ァンネル部２の外装黒鉛膜５の無いガラス地の部分に設
けたファンネル電極８に印加している。ファンネル電極
８は、粘着剤付の金属箔（例えば３５μｍ程度の厚さの
銅箔）または水溶性黒鉛を塗布して乾燥させたものなど
を使用することができ、ファンネル部２のガラス容器部
分の外壁面に密着して内装黒鉛膜１３と対向するように
設けた種々の導電性部材を該電極８として使用すること
ができる。

【００４３】図４は、ファンネル電極８の動作を説明す
る模式断面図である。反転増幅器４５から出力された逆
交番電圧成分は、ファンネル電極８と内装黒鉛膜１３の
間の静電結合（静電容量８８）によって内装黒鉛膜１３
に供給され、不要輻射電界の発生源となっている高電圧
の交番電圧成分と互いに打消し合う。その結果、第１の
実施形態と同様に、不要輻射電界をＴＣＯガイドライン
（ＶＬＥＦ≦１Ｖｍ，ＥＬＥＦ≦１０Ｖ／ｍ）を満足す
る値にまで低減することができる。

【００４４】図５は、逆交番電圧成分を内装黒鉛膜１３
に静電結合によって供給するための他の方法を示してい
る。高圧変成器回路２０から出力される高電圧を陰極線
管１に印加する第１のアノードケーブル９１は、弾力性
のある絶縁ゴムからなるアノードキャップ９０の内部に
おいてケーブル９２の一端と接続され、該ケーブル９２
の他端がコンデンサ９４の一端に接続されている。この
コンデンサ９４は、樹脂製の容器９３に内蔵されて耐電
圧性能が高い充填樹脂で覆われ、他端に電線９５が接続
される。

【００４５】コンデンサ９４の機能は、第１の実施形態
で説明したコンデンサ２５と同様であるから説明を省略
する。

【００４６】また、図６は、逆交番電圧成分を内装黒鉛
膜１３に静電結合によって供給する他の方法を示してい
る。図６（ａ）は、アノードケーブル９１とアノードキ
ャップ９０を示す斜視図であり、該アノードケーブル９
１のＡ−Ａ断面を図８（ｂ）に示している。アノードケ
ーブル９１には、心線９７と同軸状に導電体９６を取り
付け、導電体９６に印加した逆交番電圧成分を該導電体
９６と心線９７の間の静電結合により該心線９７に供給
して内装黒鉛膜１３に印加するものである。

【００４７】図７は、本発明の第３の実施形態を示す電
気回路図である。なお、第１及び第２の実施形態と同一
の構成手段には同一の参照符号を付した。

【００４８】この第３の実施形態は、水平偏向制御回路
５０に接続された変成器３０の２次コイル３２を高圧変
成器回路２０に設けた高圧変成器の補助巻線２８に接続
している。この接続により、２次コイル３２で発生した
第１の逆帰線パルス電圧ＶＶ１と補助巻線２８で発生し
た第２の逆パルス電圧ＶＶ２を加算する。２つのパルス
電圧ＶＶ１，ＶＶ２を加算した逆パルス電圧（ＶＶ１＋
ＶＶ２）はファンネル電極８に供給され、該逆パルス電
圧（ＶＶ１＋ＶＶ２）は、第２の実施形態と同様に、フ
ァンネル電極８と内装黒鉛膜１３の間の静電結合により
内装黒鉛膜１３に供給される。第１の逆帰線パルス電圧
ＶＶ１は帰線パルス電圧成分Ｖ０と同位相且つ逆極性の
パルス電圧であり、第２の逆パルス電圧ＶＶ２は残留パ
ルス電圧成分Ｖ１と同位相且つ逆極性のパルス電圧であ
る。従って、前記逆パルス電圧（ＶＶ１＋ＶＶ２）は、
内装黒鉛膜１３に生じた交番電圧成分（Ｖ０１及びＶ
１）と互いに打消し合うので、Ｈ周期の交番電圧を低減
してフェースプレート部３の前方に放射されるＶＬＥＦ
１００の発生を抑制する。

【００４９】一方、高圧変成器回路２０の検出端子４２
から検出したＶ周期の高電圧の電圧変動成分ΔＥｂ（Ａ
Ｃ）を含む検出電圧は、反転増幅器４５によって極性を
反転し且つ増幅されて第３の逆電圧ＶＶ３となる。この
第３の逆電圧ＶＶ３は、フェースプレート部３の周縁部
に配置した電極４６に印加される。電極４６は、前記第
３の逆電圧ＶＶ３が印加されると、この第３の逆電圧Ｖ
Ｖ３に応じた交番電界２０１を陰極線管１の前方に向け
て放射する。そして、電極４６から放射される交番電界
２０１とフェースプレート部３から放射されるＥＬＥＦ
２００とは同位相且つ逆極性であるので、陰極線管１の
前方で互いに打消し合ってＥＬＥＦ２００が低減する。
その結果、第１，第２の実施形態と同様に、不要輻射電
界をＴＣＯガイドライン（ＶＬＥＦ≦１Ｖｍ，ＥＬＥＦ
≦１０Ｖ／ｍ）以下に低減することができた。

【００５０】なお、第３の逆電圧ＶＶ３は、静電容量
（コンデンサ）を介して高圧変成器回路２０で発生する
高電圧に重畳したり、内装黒鉛膜１３に供給するように
変形することもできる。

【００５１】また、本発明は、前述した各実施形態を部
分的に組み合わせることにより、水平偏向制御や垂直偏
向制御あるいは表示画面の明るさの変動などに起因して
発生する不要輻射電界ＶＬＥＦ，ＥＬＥＦを軽減あるい
は打ち消す構成の実施形態に変形して、不要輻射電界の
放射を軽減するように実施することができる。

【００５２】

【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、陰極線管のフェースプレート部から前面に放射され
る２種類の不要輻射電界ＥＬＥＦ，ＶＬＥＦを該陰極線
管の動作条件に応じて低減することがきるので、陰極線
管の動作条件が変化しても不要輻射電界ＥＬＥＦ，ＶＬ
ＥＦを規制値以下に抑制することができる効果がある。
その結果、陰極線管表示装置の操作者の身体への悪影響
を低減し、安心して長時間使用できる陰極線管表示装置
を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明になる陰極線管表示装置の第１の実施形
態を示す電気回路図である。

【図２】不要輻射電界の発生原因を説明する陰極線管の
模式断面図である。

【図３】本発明になる陰極線管表示装置の第２の実施形
態を示す電気回路図である。

【図４】第２の実施形態におけるファンネル電極の動作
を説明する模式断面図である。

【図５】逆交番電圧を内装黒鉛膜に印加する方法を示す
斜視図である。

【図６】逆交番電圧を内装黒鉛膜に印加する他の方法を
示す斜視図である。

【図７】本発明になる陰極線管表示装置の第３の実施形
態を示す電気回路図である。

【符号の説明】

１…陰極線管、２…ファンネル部、３…フェースプレー
ト部、５…外装黒鉛膜、６…偏向ヨーク、７…ネック
部、８…ファンネル電極、９…アノードボタン、１１…
蛍光膜、１２…メタルバック膜、１３…内装黒鉛膜、２
０…高圧変成器回路、２５，９４…コンデンサ、２８…
補助巻線、３０…変成器、４３…高域通過濾波器、４４
…ピーク検出器、４５…反転増幅器、４６…電極、５０
…水平偏向制御回路、５１…高圧発生制御回路、１００
…交番電界ＶＬＥＦ、２００…交番電界ＥＬＥＦ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者吉岡洋千葉県茂原市早野3300番地株式会社日立製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者佐藤佳雄千葉県茂原市早野3300番地株式会社日立製作所電子デバイス事業部内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】陰極線管のガラス容器の内面に形成された
内装陽極電極膜と、この内装陽極電極膜に印加する高電
圧を発生する高電圧発生手段とを備えた陰極線管表示装
置において、前記高電圧に応じた検出電圧を取得する電圧検出手段
と、前記検出電圧に重畳している交番電圧成分に対して極性
が反転した電圧成分を含む逆交番電圧を発生する逆交番
電圧発生手段と、前記逆交番電圧を静電結合により前記高電圧に重畳させ
る静電結合手段と、前記高電圧に重畳した前記交番電圧成分が設定値以下と
なるように前記電圧検出手段の検出電圧に基づいて前記
逆交番電圧発生手段の発生電圧を制御する電圧制御手段
を設けたことを特徴とする陰極線管表示装置。
【請求項２】請求項１において、前記逆交番電圧発生手
段は、前記電圧検出手段によって検出した検出電圧を増
幅する利得可変型の反転増幅回路を備えたことを特徴と
する陰極線管装置。
【請求項３】請求項１において、前記逆交番電圧発生手
段は、前記交番電圧検出手段によって検出した検出電圧
を増幅する利得可変型の反転増幅回路と、前記反転増幅
回路の利得を前記検出電圧に重畳している交番電圧成分
の大きさに基づいて制御する利得制御回路を備えたこと
を特徴とする陰極線管表示装置。
【請求項４】請求項３において、前記利得制御回路は、
前記検出電圧に重畳されている帰線パルス電圧成分また
は残留パルス電圧成分のピーク値を検出し、その符号の
正／負に応じて前記反転増幅器の利得を制御するとを特
徴とする陰極線管表示装置。
【請求項５】請求項１において、前記静電結合手段は、
前記陰極線管の内装陽極電極膜に対向させてガラス容器
の外面に設けた導電部材を備えたことを特徴とする陰極
線管表示装置。
【請求項６】請求項１において、前記静電結合手段は、
前記陰極線管の内装陽極電極膜に高電圧を供給する高圧
変成器の高圧出力端子に接続されたコンデンサを備えた
ことを特徴とする陰極線管表示装置。
【請求項７】請求項１において、前記静電結合手段は、
前記陰極線管の内装陽極電極膜に高電圧を導くアノード
キャップ部に接続されたコンデンサを備えたことを特徴
とする陰極線管表示装置。
【請求項８】請求項１において、前記静電結合手段は、
前記陰極線管の内装陽極電極膜に高電圧を導くアノード
ケーブルの外周に設けられて該アノードケーブルの心線
に静電結合する導電体を備えたことを特徴とする陰極線
管表示装置。
【請求項９】陰極線管のガラス容器の内面に形成されて
高電圧が印加される内装陽極電極膜と、前記陰極線管に
装着された水平偏向コイルと、前記内装陽極電極膜に印
加する高電圧を発生する高電圧発生手段とを備えた陰極
線管表示装置において、前記水平偏向コイルに生ずる帰線パルス電圧に対して極
性が反転した電圧成分を含む第１の逆パルス電圧を発生
する第１の逆パルス電圧発生手段と、前記内装陽極電極膜に供給する高電圧を発生する高圧変
成器回路の出力電圧に重畳したパルス電圧成分に対して
極性が反転した電圧成分を含む第２の逆パルス電圧を発
生する第２の逆パルス電圧発生手段と、前記高電圧に応じた検出電圧を取得する電圧検出手段
と、前記検出電圧に対して極性が反転した成分を含む第３の
逆電圧を発生する第３の逆電圧発生手段と、前記第１の逆パルス電圧または第２の逆パルス電圧また
は第３の逆電圧を前記内装陽極電極膜に静電結合により
供給する静電結合手段と、前記内装陽極電極膜の交番電圧成分が設定値以下となる
ように前記電圧発生手段を制御する制御手段とを備えた
ことを特徴とする陰極線管表示装置。
【請求項１０】請求項９において、前記第１の逆パルス
電圧発生手段は、前記水平偏向制御回路に接続された変
成器を備えたことを特徴とする陰極線管表示装置。
【請求項１１】請求項９において、前記第２の逆パルス
電圧発生手段は、内装陽極電極膜に供給する高電圧を発
生する高圧変成器回路における高圧変成器の補助巻線を
備えたことを特徴とする陰極線管表示装置。
【請求項１２】請求項９において、前記第３の逆電圧発
生手段は、前記電圧検出手段によって検出した検出電圧
を増幅する利得可変型の反転増幅回路を備えたことを特
徴とする陰極線管装置。
【請求項１３】陰極線管のガラス容器の内面に形成され
た内装陽極電極膜と、この内装陽極電極膜に印加する高
電圧を発生する高電圧発生手段とを備えた陰極線管表示
装置において、前記高電圧に応じた検出電圧を取得する電圧検出手段
と、前記検出電圧に重畳している交番電圧成分に対して極性
が反転した電圧成分を含む逆交番電圧を発生する逆交番
電圧発生手段と、前記陰極線管のフェースプレート部の近傍に設置され、
前記逆交番電圧が供給されて電界を発生する電極を備え
たことを特徴とする陰極線管表示装置。
【請求項１４】請求項１３において、前記逆交番電圧発
生手段は、前記電圧検出手段によって検出した検出電圧
を増幅する反転増幅回路を備えたことを特徴とする陰極
線管装置。