JPH08111470A - Ｂｇａパッケ−ジ及び実装基板、並びにこれらから構成される半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】ＢＧＡパッケ−ジの実装時に球状半田がつぶれ
過ぎないようにする。 【構成】パッケ−ジ本体１１には、樹脂１２に覆われた
ＬＳＩチップ１３が搭載される。パッケ−ジ本体１１の
一面側には、球状の半田１４がアレイ状に配置される。
また、パッケ−ジ本体１１の一面側には、球状の半田１
４の高さと同じか、又はそれよりも低い高さを有する突
起１７Ａ〜１７Ｃが形成されている。突起１７Ａ〜１７
Ｃは、パッケ−ジ本体１１の周辺部に形成されるのがよ
い。突起１７Ａ〜１７Ｃは、パッケ−ジ本体１１と一体
化していてもよいし、別の部材から構成されていてもよ
い。突起１７Ａ〜１７Ｃは、低い熱抵抗を有しているの
がよい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、特に、ＢＧＡ（Ｂａｌ
ｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）パッケ−ジをプリント回路
基板に実装する技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、表面実装型多端子ＬＳＩパッケ−
ジは、ピン数の増大や狭ピッチ化の進行に伴い、実装歩
留りを向上させるため、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ
Ｐａｃｋａｇｅ）に変ってＢＧＡパッケ−ジが主流にな
りつつある。

【０００３】このＢＧＡパッケ−ジは、パッケ−ジ本体
（配線基板）にＬＳＩチップを搭載し、パッケ−ジ本体
の一面側に２次元のアレイ状の球状の半田を取り付けた
ものである。

【０００４】そして、このＢＧＡパッケ−ジによれば、
パッケ−ジ本体の一面側に２次元的に球状の半田（端
子）が取り付けられているため、ＱＦＰに比べて端子の
ピッチが緩和され、実装歩留りが向上し、実装コストを
削減できる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】図５１は、従来のＢＧ
Ａパッケ−ジをプリント回路基板に実装した状態を示し
ている。

【０００６】即ち、ＢＧＡパッケ−ジは、パッケ−ジ本
体（配線基板）１１と、このパッケ−ジ本体１１に搭載
され樹脂１２に覆われたＬＳＩチップ１３と、パッケ−
ジ本体１１の一面側に配置された複数の球状の半田１４
とを有している。また、プリント回路基板１５の一面側
には、複数の電極（端子）１６が形成されている。

【０００７】しかし、ＢＧＡパッケ−ジをプリント回路
基板に実装する際には、球状の半田１４と電極１６との
接合部は見えなくなる。このため、熱を与える時間が長
くなると、パッケ−ジの自重により球状の半田１４がつ
ぶれすぎて隣り合う半田１４同士が接触したり、位置ず
れを起こしたりする。

【０００８】このように、従来は、ＢＧＡパッケ−ジを
プリント回路基板に実装する際に、球状の半田がつぶれ
すぎて隣り合う半田同士が接触したり、位置ずれを起こ
したりする欠点がある。

【０００９】本発明は、上記欠点を解決すべくなされた
もので、その目的は、ＢＧＡパッケ−ジをプリント回路
基板に実装する際に、球状の半田のつぶれ具合を常に一
定に保つようにして、隣り合う半田同士が接触したり、
位置ずれを起こしたりしないようにすることである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のＢＧＡパッケ−ジ及び実装基板、並びにこ
れらから構成される半導体装置は、それぞれ以下の構成
を有している。

【００１１】本発明のＢＧＡパッケ−ジは、パッケ−ジ
本体と、前記パッケ−ジ本体に搭載されるＬＳＩチップ
と、前記パッケ−ジ本体の一面側に形成される複数の球
状の半田と、前記パッケ−ジ本体の一面側に形成され、
前記複数の球状の半田の高さと同じか又はそれよりも低
い高さを有する突起とを備えている。

【００１２】本発明の実装基板は、基板本体と、前記基
板本体の一面側に形成され、ＢＧＡパッケ−ジの複数の
球状の半田が接触する複数の電極と、前記基板本体の一
面側に前記ＢＧＡパッケ−ジを支えるために形成され、
前記複数の球状の半田の高さと同じか又はそれよりも低
い高さを有する突起とを備えている。

【００１３】本発明のＢＧＡパッケ−ジは、パッケ−ジ
本体と、前記パッケ−ジ本体に搭載されるＬＳＩチップ
と、前記パッケ−ジ本体の一面側に形成される複数の球
状の半田と、前記パッケ−ジ本体の一面側に形成され、
前記複数の球状の半田の高さと同じか又はそれよりも低
い高さを有する少なくとも３つの柱状の突起とを備えて
いる。

【００１４】前記突起は、前記パッケ−ジ本体の周辺部
にそれぞれ形成されているのがよい。

【００１５】本発明の実装基板は、基板本体と、前記基
板本体の一面側に形成され、ＢＧＡパッケ−ジの複数の
球状の半田が接触する複数の電極と、前記基板本体の一
面側に前記ＢＧＡパッケ−ジを支えるために形成され、
前記複数の球状の半田の高さと同じか又はそれよりも低
い高さを有する少なくとも３つの柱状の突起とを備えて
いる。

【００１６】前記突起は、前記複数の電極の周囲にそれ
ぞれ形成されているのがよい。

【００１７】本発明の半導体装置は、パッケ−ジ本体
と、前記パッケ−ジ本体に搭載されるＬＳＩチップと、
前記パッケ−ジ本体の一面側に形成される複数の球状の
半田と、前記パッケ−ジ本体の一面側に形成され、前記
複数の球状の半田の高さと同じか又はそれよりも低い高
さを有する少なくとも１つの第１突起とを有するＢＧＡ
パッケ−ジを備え、かつ、基板本体と、前記基板本体の
一面側に形成され、前記ＢＧＡパッケ−ジの複数の球状
の半田が接触する複数の電極と、前記基板本体の一面側
に前記ＢＧＡパッケ−ジを支えるために形成され、前記
複数の球状の半田の高さと同じか又はそれよりも低い高
さを有する少なくとも１つの第２突起とを有する実装基
板を備え、前記前記第１突起と前記第２突起が互いに重
なり合っていない。

【００１８】本発明の半導体装置は、パッケ−ジ本体
と、前記パッケ−ジ本体に搭載されるＬＳＩチップと、
前記パッケ−ジ本体の一面側に形成される複数の球状の
半田と、前記パッケ−ジ本体の一面側に形成され、前記
複数の球状の半田の高さの半分か又はそれよりも低い高
さを有する少なくとも１つの第１突起とを有するＢＧＡ
パッケ−ジを備え、かつ、基板本体と、前記基板本体の
一面側に形成され、前記ＢＧＡパッケ−ジの複数の球状
の半田が接触する複数の電極と、前記基板本体の一面側
に前記ＢＧＡパッケ−ジを支えるために形成され、前記
複数の球状の半田の高さの半分か又はそれよりも低い高
さを有する少なくとも１つの第２突起とを有する実装基
板とを備え、前記前記第１突起と前記第２突起が互いに
重なり合っている。

【００１９】本発明のＢＧＡパッケ−ジは、パッケ−ジ
本体と、前記パッケ−ジ本体に搭載されるＬＳＩチップ
と、前記パッケ−ジ本体の一面側に形成される複数の球
状の半田と、前記パッケ−ジ本体の一面側に前記複数の
球状の半田を取り囲むように形成され、前記複数の球状
の半田の高さと同じか又はそれよりも低い高さを有する
枠状の突起とを備えている。

【００２０】本発明の実装基板は、基板本体と、前記基
板本体の一面側に形成され、ＢＧＡパッケ−ジの複数の
球状の半田が接触する複数の電極と、前記基板本体の一
面側に前記ＢＧＡパッケ−ジを支えるために前記複数の
電極を取り囲むように形成され、前記複数の球状の半田
の高さと同じか又はそれよりも低い高さを有する枠状の
突起とを備えている。

【００２１】本発明のＢＧＡパッケ−ジは、パッケ−ジ
本体と、前記パッケ−ジ本体に搭載されるＬＳＩチップ
と、前記パッケ−ジ本体の一面側に形成される複数の球
状の半田と、前記パッケ−ジ本体の一面側の周辺部に前
記複数の球状の半田を挟み込むように形成され、前記複
数の球状の半田の高さと同じか又はそれよりも低い高さ
を有する線状の２つの突起とを備えている。

【００２２】本発明の実装基板は、基板本体と、前記基
板本体の一面側に形成され、ＢＧＡパッケ−ジの複数の
球状の半田が接触する複数の電極と、前記ＢＧＡパッケ
−ジを支えるために前記基板本体の一面側に前記複数の
電極を挟み込むようにして形成され、前記複数の球状の
半田の高さと同じか又はそれよりも低い高さを有する線
状の２つの突起とを備えている。

【００２３】

【作用】上記構成によれば、ＢＧＡパッケ−ジの一面側
（球状の半田が形成される側）及び実装基板の一面側
（球状の半田に接触する電極が形成される側）の少なく
とも一方には、突起が形成されている。

【００２４】また、この突起は、ＢＧＡパッケ−ジの球
状の半田の高さと同じか、又はそれよりも低い高さを有
している。

【００２５】従って、ＢＧＡパッケ−ジを実装基板に搭
載する際、この突起が支えとなるため、ＢＧＡパッケ−
ジの球状の半田のつぶれ具合を常に一定にすることがで
きる。また、球状の半田がつぶれ過ぎるという事態がな
いため、半田同士が接触して実装歩留りが低下すること
がなく、低い製造コストを達成できる。

【００２６】

【実施例】以下、図面を参照しながら、本発明のＢＧＡ
パッケ−ジ及び実装基板、並びにこれらから構成される
半導体装置について説明する。

【００２７】［Ａ］ 図１は、本発明の第１実施例に係
わるＢＧＡパッケ−ジの側面図を示している。また、図
２は、図１のＢＧＡパッケ−ジの底面図を示している。

【００２８】このＢＧＡパッケ−ジは、パッケ−ジ本体
（配線基板）１１と、このパッケ−ジ本体１１に搭載さ
れ樹脂１２に覆われたＬＳＩチップ１３と、パッケ−ジ
本体１１の一面側に配置された複数の球状の半田（以
下、半田ボ−ルという。）１４とを有している。複数の
半田ボ−ル１４は、パッケ−ジ本体１１の一面側にアレ
イ状に配置されている。

【００２９】また、パッケ−ジ本体１１の一面側には、
３つの突起１７Ａ〜１７Ｃが形成されている。各突起１
７Ａ〜１７Ｃは、パッケ−ジ本体１１の周辺部に形成さ
れ、かつ、一ヶ所にまとまらずに互いに一定距離だけ離
れて形成されている。

【００３０】この突起１７Ａ〜１７Ｃの形状は、柱状
（例えば角柱状）であり、その高さは、半田ボ−ル１４
の高さ（直径）と同じか、又はそれよりも低くなるよう
に設定されている。

【００３１】具体的には、半田ボ−ル１４の直径が約
０．７５ｍｍ、ピッチが約１．５ｍｍの場合には、突起
１７Ａ〜１７Ｃの高さは、約０．６ｍｍにすれば、最も
効果的に半田ボ−ル同士の接触を防止できると共に実装
も確実に行える。また、半田ボ−ル１４の直径が約０．
６ｍｍ、ピッチが約１．０ｍｍの場合には、突起１７Ａ
〜１７Ｃの高さは、約０．５ｍｍにするのがよい。

【００３２】突起１７Ａ〜１７Ｃは、パッケ−ジ本体１
１と一体的に形成するようにしてもよいし、又はパッケ
−ジ本体１１とは別々に形成するようにしてもよい。

【００３３】突起１７Ａ〜１７Ｃをパッケ−ジ本体１１
と一体的に形成する場合には、突起１７Ａ〜１７Ｃは、
パッケ−ジ本体１１と同じ材質（例えばガラスエポキ
シ）から構成される。また、突起１７Ａ〜１７Ｃをパッ
ケ−ジ本体１１とは別々に形成する場合には、突起１７
Ａ〜１７Ｃは、例えば金属や、樹脂などの絶縁体から構
成することができる。

【００３４】なお、突起の数は、３個に限られるもので
はなく、本実施例のように突起が柱状の場合には３個以
上であればよい。また、突起の位置は、パッケ−ジ本体
１１の周辺部に限られず、半田ボ−ル１４のアレイ内に
配置しても構わない。

【００３５】図３は、図１及び図２のＢＧＡパッケ−ジ
が実装されるプリント回路基板の側面図を示している。
また、図４は、図３のプリント回路基板の上面図を示し
ている。

【００３６】基板本体１５の一面側には、ＢＧＡパッケ
−ジの半田ボ−ル１４に対応するア；レイ状の電極（端
子）１６が形成されている。なお、ＢＧＡパッケ−ジ
は、基板本体１５の破線Ｘ内に配置される。従って、突
起１７Ａ〜１７Ｃは、それぞれ基板本体１５の破線１７
Ａ´〜１７Ｃ´内に接触することになる。

【００３７】図５は、図１及び図２のＢＧＡパッケ−ジ
を図３及び図４のプリント回路基板に搭載した状態の側
面図を示している。

【００３８】即ち、ＢＧＡパッケ−ジは、突起１７Ａ〜
１７Ｃに支えられているため、半田ボ−ル１４のつぶれ
具合は常に一定となり、半田ボ−ル１４がつぶれ過ぎる
という事態がない。

【００３９】上記構成によれば、ＢＧＡパッケ−ジの裏
面側（半田ボ−ルが形成される側）には、３つの突起１
７Ａ〜１７Ｃが形成されている。このため、この突起１
７Ａ〜１７Ｃが支えとなり、半田ボ−ル１４がつぶれ過
ぎるという事態がなくなる。従って、半田ボ−ル同士が
接触し、実装歩留りが低下することがなく、低い製造コ
ストを達成できる。

【００４０】また、突起１７Ａ〜１７Ｃを低い熱抵抗を
有する材料で構成すれば、チップ１３から発生する熱を
プリント回路基板に発散させることもできる。また、突
起１７Ａ〜１７Ｃを接地電極として用いることも可能で
ある。

【００４１】［Ｂ］ 図６は、本発明の第１実施例に係
わるプリント回路基板の側面図を示している。また、図
７は、図６のプリント回路基板の上面図を示している。

【００４２】基板本体１５の一面側には、ＢＧＡパッケ
−ジの半田ボ−ルに対応するアレイ状の電極（端子）１
６が形成されている。なお、ＢＧＡパッケ−ジは、基板
本体１５の破線Ｘ内に配置される。

【００４３】また、基板本体１５の一面側には、３つの
突起１８Ａ〜１８Ｃが形成されている。各突起１８Ａ〜
１８Ｃは、アレイ状の電極１６の周囲に形成され、か
つ、一ヶ所にまとまらずに互いに一定距離だけ離れて形
成されている。

【００４４】この突起１８Ａ〜１８Ｃの形状は、柱状
（例えば角柱状）であり、その高さは、ＢＧＡパッケ−
ジの半田ボ−ルの高さ（直径）と同じか、又はそれより
も低くなるように設定されている。

【００４５】具体的には、半田ボ−ル１４の直径が約
０．７５ｍｍ、ピッチが約１．５ｍｍの場合には、突起
１８Ａ〜１８Ｃの高さは、約０．６ｍｍにすれば、最も
効果的に半田ボ−ル同士の接触を防止できると共に実装
も確実に行える。また、半田ボ−ル１４の直径が約０．
６ｍｍ、ピッチが約１．０ｍｍの場合には、突起１８Ａ
〜１８Ｃの高さは、約０．５ｍｍにするのがよい。

【００４６】突起１８Ａ〜１８Ｃは、基板本体１５と一
体的に形成するようにしてもよいし、又は基板本体１５
とは別々に形成するようにしてもよい。

【００４７】突起１８Ａ〜１８Ｃを基板本体１５と一体
的に形成する場合には、突起１８Ａ〜１８Ｃは、基板本
体１５と同じ材質（例えばガラスエポキシ）から構成さ
れる。また、突起１８Ａ〜１８Ｃを基板本体１５とは別
々に形成する場合には、突起１８Ａ〜１８Ｃは、例えば
金属や、樹脂などの絶縁体から構成することができる。

【００４８】なお、突起の数は、３個に限られるもので
はなく、本実施例のように突起が柱状の場合には３個以
上であればよい。また、突起の位置は、アレイ状の電極
１６の周囲に限られず、電極１６のアレイ内に配置して
も構わない。

【００４９】図８は、図６及び図７のプリント回路基板
に実装するＢＧＡパッケ−ジの側面図を示している。ま
た、図９は、図８のＢＧＡパッケ−ジの底面図を示して
いる。

【００５０】このＢＧＡパッケ−ジは、パッケ−ジ本体
（配線基板）１１と、このパッケ−ジ本体１１に搭載さ
れ樹脂１２に覆われたＬＳＩチップ１３と、パッケ−ジ
本体１１の一面側に配置された複数の半田ボ−ル１４と
を有している。半田ボ−ル１４は、パッケ−ジ本体１１
の一面側にアレイ状に配置されている。

【００５１】図１０は、図６及び図７ののプリント回路
基板に図８及び図９のＢＧＡパッケ−ジを搭載した状態
の側面図を示している。

【００５２】即ち、ＢＧＡパッケ−ジは、プリント回路
基板に設けられた突起１８Ａ〜１８Ｃに支えられている
ため、半田ボ−ル１４のつぶれ具合は常に一定となり、
半田ボ−ル１４がつぶれ過ぎるという事態がない。

【００５３】上記構成によれば、プリント回路基板の一
面側（半田ボ−ルに接触する電極が形成される側）に
は、３つの突起１８Ａ〜１８Ｃが形成されている。この
ため、この突起１８Ａ〜１８Ｃが支えとなり、ＢＧＡパ
ッケ−ジの半田ボ−ル１４がつぶれ過ぎるという事態が
なくなる。従って、半田ボ−ル同士が接触し、実装歩留
りが低下することがなく、低い製造コストを達成でき
る。

【００５４】また、突起１８Ａ〜１８Ｃを低い熱抵抗を
有する材料で構成すれば、ＬＳＩチップ１３から発生す
る熱をプリント回路基板に発散させることもできる。

【００５５】［Ｃ］ 図１１は、本発明の第２実施例に
係わるＢＧＡパッケ−ジの側面図を示している。また、
図１２は、図１１のＢＧＡパッケ−ジの底面図を示して
いる。

【００５６】このＢＧＡパッケ−ジは、パッケ−ジ本体
（配線基板）１１と、このパッケ−ジ本体１１に搭載さ
れ樹脂１２に覆われたＬＳＩチップ１３と、パッケ−ジ
本体１１の一面側に配置された複数の半田ボ−ル１４と
を有している。複数の半田ボ−ル１４は、パッケ−ジ本
体１１の一面側にアレイ状に配置されている。

【００５７】また、パッケ−ジ本体１１の一面側には、
４つの突起１７Ａ〜１７Ｄが形成されている。各突起１
７Ａ〜１７Ｄは、パッケ−ジ本体１１の周辺部に形成さ
れ、かつ、一ヶ所にまとまらずに互いに一定距離だけ離
れて形成されている。例えば、突起１７Ａ〜１７Ｄは、
パッケ−ジ本体１１の４隅にそれぞれ１つずつ配置され
ている。

【００５８】この突起１７Ａ〜１７Ｄの形状は、柱状
（例えば角柱状）であり、その高さは、半田ボ−ル１４
の高さ（直径）と同じか、又はそれよりも低くなるよう
に設定されている。

【００５９】具体的には、半田ボ−ル１４の直径が約
０．７５ｍｍ、ピッチが約１．５ｍｍの場合には、突起
１７Ａ〜１７Ｄの高さは、約０．６ｍｍにすれば、最も
効果的に半田ボ−ル同士の接触を防止できると共に実装
も確実に行える。また、半田ボ−ル１４の直径が約０．
６ｍｍ、ピッチが約１．０ｍｍの場合には、突起１７Ａ
〜１７Ｄの高さは、約０．５ｍｍにするのがよい。

【００６０】突起１７Ａ〜１７Ｄは、パッケ−ジ本体１
１と一体的に形成するようにしてもよいし、又はパッケ
−ジ本体１１とは別々に形成するようにしてもよい。

【００６１】突起１７Ａ〜１７Ｄをパッケ−ジ本体１１
と一体的に形成する場合には、突起１７Ａ〜１７Ｄは、
パッケ−ジ本体１１と同じ材質（例えばガラスエポキ
シ）から構成される。また、突起１７Ａ〜１７Ｄをパッ
ケ−ジ本体１１とは別々に形成する場合には、突起１７
Ａ〜１７Ｄは、例えば金属や、樹脂などの絶縁体から構
成することができる。

【００６２】なお、突起の数は、４個に限られるもので
はなく、本実施例のように突起が柱状の場合には３個以
上であればよい。また、突起の位置は、パッケ−ジ本体
１１の周辺部に限られず、半田ボ−ル１４のアレイ内に
配置しても構わない。

【００６３】図１３は、図１１及び図１２のＢＧＡパッ
ケ−ジが実装されるプリント回路基板の側面図を示して
いる。また、図１４は、図１３のプリント回路基板の上
面図を示している。

【００６４】基板本体１５の一面側には、ＢＧＡパッケ
−ジの半田ボ−ル１４に対応するアレイ状の電極（端
子）１６が形成されている。なお、ＢＧＡパッケ−ジ
は、基板本体１５の破線Ｘ内に配置される。従って、突
起１７Ａ〜１７Ｄは、それぞれ基板本体１５の破線１７
Ａ´〜１７Ｄ´内に接触することになる。

【００６５】図１５は、図１１及び図１２のＢＧＡパッ
ケ−ジを図１３及び図１４のプリント回路基板に搭載し
た状態の側面図を示している。

【００６６】即ち、ＢＧＡパッケ−ジは、突起１７Ａ〜
１７Ｄに支えられているため、半田ボ−ル１４のつぶれ
具合は常に一定となり、半田ボ−ル１４がつぶれ過ぎる
という事態がない。

【００６７】上記構成によれば、ＢＧＡパッケ−ジの裏
面側（半田ボ−ルが形成される側）には、４つの突起１
７Ａ〜１７Ｄが形成されている。このため、この突起１
７Ａ〜１７Ｄが支えとなり、半田ボ−ル１４がつぶれ過
ぎるという事態がなくなる。従って、半田ボ−ル同士が
接触し、実装歩留りが低下することがなく、低い製造コ
ストを達成できる。

【００６８】また、突起１７Ａ〜１７Ｄを低い熱抵抗を
有する材料で構成すれば、ＬＳＩチップ１３から発生す
る熱をプリント回路基板に発散させることもできる。ま
た、突起１７Ａ〜１７Ｄを接地電極として用いることも
可能である。

【００６９】［Ｄ］ 図１６は、本発明の第２実施例に
係わるプリント回路基板の側面図を示している。また、
図１７は、図１６のプリント回路基板の上面図を示して
いる。

【００７０】基板本体１５の一面側には、ＢＧＡパッケ
−ジの半田ボ−ルに対応するアレイ状の電極（端子）１
６が形成されている。なお、ＢＧＡパッケ−ジは、基板
本体１５の破線Ｘ内に配置される。

【００７１】また、基板本体１５の一面側には、４つの
突起１８Ａ〜１８Ｄが形成されている。各突起１８Ａ〜
１８Ｄは、アレイ状の電極１６の周囲に形成され、か
つ、一ヶ所にまとまらずに互いに一定距離だけ離れて形
成されている。例えば、突起１８Ａ〜１８Ｄは、アレイ
状の電極１６の対角線上にそれぞれ配置される。

【００７２】この突起１８Ａ〜１８Ｄの形状は、柱状
（例えば角柱状）であり、その高さは、ＢＧＡパッケ−
ジの半田ボ−ルの高さ（直径）と同じか、又はそれより
も低くなるように設定されている。

【００７３】具体的には、半田ボ−ル１４の直径が約
０．７５ｍｍ、ピッチが約１．５ｍｍの場合には、突起
１８Ａ〜１８Ｄの高さは、約０．６ｍｍにすれば、最も
効果的に半田ボ−ル同士の接触を防止できると共に実装
も確実に行える。また、半田ボ−ル１４の直径が約０．
６ｍｍ、ピッチが約１．０ｍｍの場合には、突起１８Ａ
〜１８Ｄの高さは、約０．５ｍｍにするのがよい。

【００７４】突起１８Ａ〜１８Ｄは、基板本体１５と一
体的に形成するようにしてもよいし、又は基板本体１５
とは別々に形成するようにしてもよい。

【００７５】突起１８Ａ〜１８Ｄを基板本体１５と一体
的に形成する場合には、突起１８Ａ〜１８Ｄは、基板本
体１５と同じ材質（例えばガラスエポキシ）から構成さ
れる。また、突起１８Ａ〜１８Ｄを基板本体１５とは別
々に形成する場合には、突起１８Ａ〜１８Ｄは、例えば
金属や、樹脂などの絶縁体から構成することができる。

【００７６】なお、突起の数は、４個に限られるもので
はなく、本実施例のように突起が柱状の場合には３個以
上であればよい。また、突起の位置は、アレイ状の電極
１６の周囲に限られず、電極１６のアレイ内に配置して
も構わない。

【００７７】図１８は、図１６及び図１７のプリント回
路基板に実装するＢＧＡパッケ−ジの側面図を示してい
る。また、図１９は、図１８のＢＧＡパッケ−ジの底面
図を示している。

【００７８】このＢＧＡパッケ−ジは、パッケ−ジ本体
（配線基板）１１と、このパッケ−ジ本体１１に搭載さ
れ樹脂１２に覆われたＬＳＩチップ１３と、パッケ−ジ
本体１１の一面側に配置された複数の半田ボ−ル１４と
を有している。複数の半田ボ−ル１４は、パッケ−ジ本
体１１の一面側にアレイ状に配置されている。

【００７９】図２０は、図１６及び図１７ののプリント
回路基板に図１８及び図１９のＢＧＡパッケ−ジを搭載
した状態の側面図を示している。

【００８０】即ち、ＢＧＡパッケ−ジは、プリント回路
基板に設けられた突起１８Ａ〜１８Ｄに支えられている
ため、半田ボ−ル１４のつぶれ具合は常に一定となり、
半田ボ−ル１４がつぶれ過ぎるという事態がない。

【００８１】上記構成によれば、プリント回路基板の一
面側（半田ボ−ルに接触する電極が形成される側）に
は、３つの突起１８Ａ〜１８Ｄが形成されている。この
ため、この突起１８Ａ〜１８Ｄが支えとなり、ＢＧＡパ
ッケ−ジの半田ボ−ル１４がつぶれ過ぎるという事態が
なくなる。従って、半田ボ−ル同士が接触し、実装歩留
りが低下することがなく、低い製造コストを達成でき
る。

【００８２】また、突起１８Ａ〜１８Ｄを低い熱抵抗を
有する材料で構成すれば、ＬＳＩチップ１３から発生す
る熱をプリント回路基板に発散させることもできる。

【００８３】［Ｅ］ 図２１は、本発明の第３実施例に
係わるＢＧＡパッケ−ジの側面図を示している。また、
図２２は、図２１のＢＧＡパッケ−ジの底面図を示して
いる。

【００８４】このＢＧＡパッケ−ジは、パッケ−ジ本体
（配線基板）１１と、このパッケ−ジ本体１１に搭載さ
れ樹脂１２に覆われたＬＳＩチップ１３と、パッケ−ジ
本体１１の一面側に配置された複数の半田ボ−ル１４と
を有している。複数の半田ボ−ル１４は、パッケ−ジ本
体１１の一面側にアレイ状に配置されている。

【００８５】また、パッケ−ジ本体１１の一面側には、
２つの突起１７Ａ，１７Ｂが形成されている。各突起１
７Ａ，１７Ｂは、パッケ−ジ本体１１の周辺部に形成さ
れ、かつ、一ヶ所にまとまらずに互いに一定距離だけ離
れて形成されている。例えば、突起１７Ａ，１７Ｂは、
パッケ−ジ本体１１の１つの対角線上の２隅にそれぞれ
１つずつ配置されている。

【００８６】この突起１７Ａ，１７Ｂの形状は、柱状
（例えば角柱状）であり、その高さは、半田ボ−ル１４
の高さ（直径）と同じか、又はそれよりも低くなるよう
に設定されている。

【００８７】具体的には、半田ボ−ル１４の直径が約
０．７５ｍｍ、ピッチが約１．５ｍｍの場合には、突起
１７Ａ，１７Ｂの高さは、約０．６ｍｍにすれば、最も
効果的に半田ボ−ル同士の接触を防止できると共に実装
も確実に行える。また、半田ボ−ル１４の直径が約０．
６ｍｍ、ピッチが約１．０ｍｍの場合には、突起１７
Ａ，１７Ｂの高さは、約０．５ｍｍにするのがよい。

【００８８】突起１７Ａ，１７Ｂは、パッケ−ジ本体１
１と一体的に形成するようにしてもよいし、又はパッケ
−ジ本体１１とは別々に形成するようにしてもよい。

【００８９】突起１７Ａ，１７Ｂをパッケ−ジ本体１１
と一体的に形成する場合には、突起１７Ａ，１７Ｂは、
パッケ−ジ本体１１と同じ材質（例えばガラスエポキ
シ）から構成される。また、突起１７Ａ，１７Ｂをパッ
ケ−ジ本体１１とは別々に形成する場合には、突起１７
Ａ，１７Ｂは、例えば金属や、樹脂などの絶縁体から構
成することができる。

【００９０】図２３は、本発明の第３実施例に係わるプ
リント回路基板の側面図を示している。また、図２４
は、図２３のプリント回路基板の上面図を示している。

【００９１】基板本体１５の一面側には、ＢＧＡパッケ
−ジの半田ボ−ル１４に対応するアレイ状の電極（端
子）１６が形成されている。なお、ＢＧＡパッケ−ジ
は、基板本体１５の破線Ｘ内に配置される。

【００９２】なお、ＢＧＡパッケ−ジの突起１７Ａ，１
７Ｂは、それぞれプリント回路基板の破線１７Ａ´，１
７Ｂ´内に接触することになる。

【００９３】また、基板本体１５の一面側には、２つの
突起１８Ａ，１８Ｂが形成されている。各突起１８Ａ，
１８Ｂは、アレイ状の電極１６の周囲に形成され、か
つ、一ヶ所にまとまらずに互いに一定距離だけ離れて形
成されている。例えば、突起１８Ａ，１８Ｂは、アレイ
状の電極１６の１つの対角線上にそれぞれ１つずつ配置
されている。

【００９４】この突起１８Ａ，１８Ｂの形状は、柱状
（例えば角柱状）であり、その高さは、ＢＧＡパッケ−
ジの半田ボ−ルの高さ（直径）と同じか、又はそれより
も低くなるように設定されている。

【００９５】具体的には、半田ボ−ル１４の直径が約
０．７５ｍｍ、ピッチが約１．５ｍｍの場合には、突起
１８Ａ，１８Ｂの高さは、約０．６ｍｍにすれば、最も
効果的に半田ボ−ル同士の接触を防止できると共に実装
も確実に行える。また、半田ボ−ル１４の直径が約０．
６ｍｍ、ピッチが約１．０ｍｍの場合には、突起１８
Ａ，１８Ｂの高さは、約０．５ｍｍにするのがよい。

【００９６】突起１８Ａ，１８Ｂは、基板本体１５と一
体的に形成するようにしてもよいし、又は基板本体１５
とは別々に形成するようにしてもよい。

【００９７】突起１８Ａ，１８Ｂを基板本体１５と一体
的に形成する場合には、突起１８Ａ，１８Ｂは、基板本
体１５と同じ材質（例えばガラスエポキシ）から構成さ
れる。また、突起１８Ａ，１８Ｂを基板本体１５とは別
々に形成する場合には、突起１８Ａ，１８Ｂは、例えば
金属や、樹脂などの絶縁体から構成することができる。

【００９８】図２５は、図２１及び図２２のＢＧＡパッ
ケ−ジを図２３及び図２４のプリント回路基板に搭載し
た状態の側面図を示している。

【００９９】即ち、ＢＧＡパッケ−ジは、突起１７Ａ，
１７Ｂ及びプリント回路基板の突起１８Ａ，１８Ｂにに
支えられているため、半田ボ−ル１４のつぶれ具合は常
に一定となり、半田ボ−ル１４がつぶれ過ぎるという事
態がない。

【０１００】なお、ＢＧＡパッケ−ジの突起とプリント
回路基板の突起は、互いに重なり合うことがないように
配置される。

【０１０１】上記構成によれば、ＢＧＡパッケ−ジの裏
面側及びプリント回路基板側には、それぞれ突起部が形
成されている。このため、これらの突起１７Ａ，１７
Ｂ，１８Ａ，１８Ｂが支えとなり、半田ボ−ル１４がつ
ぶれ過ぎるという事態がなくなる。従って、半田ボ−ル
同士が接触し、実装歩留りが低下することがなく、低い
製造コストを達成できる。

【０１０２】また、突起１７Ａ，１７Ｂ，１８Ａ，１８
Ｂを低い熱抵抗を有する材料で構成すれば、ＬＳＩチッ
プ１３から発生する熱をプリント回路基板に発散させる
こともできる。また、突起１７Ａ，１７Ｂについては、
接地電極として用いることも可能である。

【０１０３】［Ｆ］ 図２６は、本発明の第４実施例に
係わるＢＧＡパッケ−ジの側面図を示している。また、
図２７は、図２６のＢＧＡパッケ−ジの底面図を示して
いる。

【０１０４】このＢＧＡパッケ−ジは、パッケ−ジ本体
（配線基板）１１と、このパッケ−ジ本体１１に搭載さ
れ樹脂１２に覆われたＬＳＩチップ１３と、パッケ−ジ
本体１１の一面側に配置された複数の半田ボ−ル１４と
を有している。複数の半田ボ−ル１４は、パッケ−ジ本
体１１の一面側にアレイ状に配置されている。

【０１０５】また、パッケ−ジ本体１１の一面側には、
３つの突起１７Ａ〜１７Ｃが形成されている。各突起１
７Ａ〜１７Ｃは、パッケ−ジ本体１１の周辺部に形成さ
れ、かつ、一ヶ所にまとまらずに互いに一定距離だけ離
れて形成されている。

【０１０６】この突起１７Ａ〜１７Ｃの形状は、柱状
（例えば角柱状）であり、その高さは、半田ボ−ル１４
の高さ（直径）の半分か、又はそれよりも低くなるよう
に設定されている。

【０１０７】具体的には、半田ボ−ル１４の直径が約
０．７５ｍｍ、ピッチが約１．５ｍｍの場合には、突起
１７Ａ〜１７Ｃの高さは、約０．３ｍｍにするのがよ
い。また、半田ボ−ル１４の直径が約０．６ｍｍ、ピッ
チが約１．０ｍｍの場合には、突起１７Ａ〜１７Ｃの高
さは、約０．２５ｍｍにするのがよい。

【０１０８】突起１７Ａ〜１７Ｃは、パッケ−ジ本体１
１と一体的に形成するようにしてもよいし、又はパッケ
−ジ本体１１とは別々に形成するようにしてもよい。

【０１０９】突起１７Ａ〜１７Ｃをパッケ−ジ本体１１
と一体的に形成する場合には、突起１７Ａ〜１７Ｃは、
パッケ−ジ本体１１と同じ材質（例えばガラスエポキ
シ）から構成される。また、突起１７Ａ〜１７Ｃをパッ
ケ−ジ本体１１とは別々に形成する場合には、突起１７
Ａ〜１７Ｃは、例えば金属や、樹脂などの絶縁体から構
成することができる。

【０１１０】図２８は、本発明の第４実施例に係わるプ
リント回路基板の側面図を示している。また、図２９
は、図２８のプリント回路基板の上面図を示している。

【０１１１】基板本体１５の一面側には、ＢＧＡパッケ
−ジの半田ボ−ル１４に対応するアレイ状の電極（端
子）１６が形成されている。なお、ＢＧＡパッケ−ジ
は、プリント回路基板の破線Ｘ内に配置される。

【０１１２】また、基板本体１５の一面側には、３つの
突起１８Ａ〜１８Ｃが形成されている。各突起１８Ａ〜
１８Ｃは、アレイ状の電極１６の周囲に形成され、か
つ、一ヶ所にまとまらずに互いに一定距離だけ離れて形
成されている。

【０１１３】この突起１８Ａ〜１８Ｃの形状は、柱状
（例えば角柱状）であり、その高さは、ＢＧＡパッケ−
ジの半田ボ−ルの高さ（直径）の半分か、又はそれより
も低くなるように設定されている。

【０１１４】具体的には、半田ボ−ル１４の直径が約
０．７５ｍｍ、ピッチが約１．５ｍｍの場合には、突起
１８Ａ〜１８Ｃの高さは、約０．３ｍｍにするのがよ
い。また、半田ボ−ル１４の直径が約０．６ｍｍ、ピッ
チが約１．０ｍｍの場合には、突起１８Ａ〜１８Ｃの高
さは、約０．２５ｍｍにするのがよい。

【０１１５】突起１８Ａ〜１８Ｃは、基板本体１５と一
体的に形成するようにしてもよいし、又は基板本体１５
とは別々に形成するようにしてもよい。

【０１１６】突起１８Ａ〜１８Ｃを基板本体１５と一体
的に形成する場合には、突起１８Ａ〜１８Ｃは、基板本
体１５と同じ材質（例えばガラスエポキシ）から構成さ
れる。また、突起１８Ａ〜１８Ｃを基板本体１５とは別
々に形成する場合には、突起１８Ａ〜１８Ｃは、例えば
金属や、樹脂などの絶縁体から構成することができる。

【０１１７】図３０は、図２６及び図２７のＢＧＡパッ
ケ−ジを図２８及び図２９のプリント回路基板に搭載し
た状態の側面図を示している。

【０１１８】即ち、ＢＧＡパッケ−ジは、突起１７Ａ〜
１７Ｃ及びプリント回路基板の突起部１８Ａ〜１８Ｃに
に支えられているため、半田ボ−ル１４のつぶれ具合は
常に一定となり、半田ボ−ル１４がつぶれ過ぎるという
事態がない。

【０１１９】なお、ＢＧＡパッケ−ジの突起とプリント
回路基板の突起は、互いに重なり合うように配置されて
いる。

【０１２０】上記構成によれば、ＢＧＡパッケ−ジの裏
面側及びプリント回路基板側には、それぞれ突起が形成
されている。このため、これらの突起１７Ａ〜１７Ｃ，
１８Ａ〜１８Ｃが支えとなり、半田ボ−ル１４がつぶれ
過ぎるという事態がなくなる。従って、半田ボ−ル同士
が接触し、実装歩留りが低下することがなく、低い製造
コストを達成できる。

【０１２１】また、突起１７Ａ〜１７Ｃ，１８Ａ〜１８
Ｃを低い熱抵抗を有する材料で構成すれば、ＬＳＩチッ
プ１３から発生する熱をプリント回路基板に発散させる
こともできる。

【０１２２】［Ｇ］ 図３１は、本発明の第５実施例に
係わるＢＧＡパッケ−ジの側面図を示している。また、
図３２は、図３１のＢＧＡパッケ−ジの底面図を示して
いる。

【０１２３】このＢＧＡパッケ−ジは、パッケ−ジ本体
（配線基板）１１と、このパッケ−ジ本体１１に搭載さ
れ樹脂１２に覆われたＬＳＩチップ１３と、パッケ−ジ
本体１１の一面側に配置された複数の半田ボ−ル１４と
を有している。複数の半田ボ−ル１４は、パッケ−ジ本
体１１の一面側にアレイ状に配置されている。

【０１２４】また、パッケ−ジ本体１１の一面側には、
枠状の突起１７が形成されている。突起１７は、パッケ
−ジ本体１１の周辺部に形成され、かつ、半田ボ−ル１
４を取り囲むようにして形成されている。

【０１２５】この突起１７の高さは、半田ボ−ル１４の
高さ（直径）と同じか、又はそれよりも低くなるように
設定されている。

【０１２６】具体的には、半田ボ−ル１４の直径が約
０．７５ｍｍ、ピッチが約１．５ｍｍの場合には、突起
１７の高さは、約０．６ｍｍにすれば、最も効果的に半
田ボ−ル同士の接触を防止できると共に実装も確実に行
える。また、半田ボ−ル１４の直径が約０．６ｍｍ、ピ
ッチが約１．０ｍｍの場合には、突起１７の高さは、約
０．５ｍｍにするのがよい。

【０１２７】突起１７は、パッケ−ジ本体１１と一体的
に形成するようにしてもよいし、又はパッケ−ジ本体１
１とは別々に形成するようにしてもよい。

【０１２８】突起１７をパッケ−ジ本体１１と一体的に
形成する場合には、突起１７は、パッケ−ジ本体１１と
同じ材質（例えばガラスエポキシ）から構成される。ま
た、突起１７をパッケ−ジ本体１１とは別々に形成する
場合には、突起１７は、例えば金属や、樹脂などの絶縁
体から構成することができる。

【０１２９】図３３は、図３１及び図３２のＢＧＡパッ
ケ−ジが実装されるプリント回路基板の側面図を示して
いる。また、図３４は、図３３のプリント回路基板の上
面図を示している。

【０１３０】基板本体１５の一面側には、ＢＧＡパッケ
−ジの半田ボ−ル１４に対応するアレイ状の電極（端
子）１６が形成されている。なお、ＢＧＡパッケ−ジ
は、プリント回路基板の破線Ｘ内に配置される。従っ
て、突起１７は、それぞれプリント回路基板の破線１７
´内に接触することになる。

【０１３１】図３５は、図３１及び図３２のＢＧＡパッ
ケ−ジを図３３及び図３４のプリント回路基板に搭載し
た状態の側面図を示している。

【０１３２】即ち、ＢＧＡパッケ−ジは、突起１７に支
えられているため、半田ボ−ル１４のつぶれ具合は常に
一定となり、半田ボ−ル１４がつぶれ過ぎるという事態
がない。

【０１３３】上記構成によれば、ＢＧＡパッケ−ジの裏
面側（半田ボ−ルが形成される側）には、枠状の突起１
７が形成されている。このため、この突起１７が支えと
なり、半田ボ−ル１４がつぶれ過ぎるという事態がなく
なる。従って、半田ボ−ル同士が接触し、実装歩留りが
低下することがなく、低い製造コストを達成できる。

【０１３４】また、突起１７を低い熱抵抗を有する材料
で構成すれば、ＬＳＩチップ１３から発生する熱をプリ
ント回路基板に発散させることもできる。また、突起１
７を接地電極として用いることも可能である。

【０１３５】［Ｈ］ 図３６は、本発明の第５実施例に
係わる実装基板の側面図を示している。また、図３７
は、図３６の実装基板の上面図を示している。

【０１３６】基板本体１５の一面側には、ＢＧＡパッケ
−ジの半田ボ−ルに対応するアレイ状に電極（端子）１
６が形成されている。なお、ＢＧＡパッケ−ジは、プリ
ント回路基板の破線Ｘ内に配置される。

【０１３７】また、基板本体１５の一面側には、枠状の
突起１８が形成されている。突起１８は、アレイ状の電
極１６の周囲に形成され、かつ、アレイ状の電極１６を
取り囲むようにして形成されている。

【０１３８】この突起１８の高さは、ＢＧＡパッケ−ジ
の半田ボ−ルの高さ（直径）と同じか、又はそれよりも
低くなるように設定されている。

【０１３９】具体的には、半田ボ−ル１４の直径が約
０．７５ｍｍ、ピッチが約１．５ｍｍの場合には、突起
１８の高さは、約０．６ｍｍにすれば、最も効果的に半
田ボ−ル同士の接触を防止できると共に実装も確実に行
える。また、半田ボ−ル１４の直径が約０．６ｍｍ、ピ
ッチが約１．０ｍｍの場合には、突起１８の高さは、約
０．５ｍｍにするのがよい。

【０１４０】突起１８は、基板本体１５と一体的に形成
するようにしてもよいし、又は基板本体１５とは別々に
形成するようにしてもよい。

【０１４１】突起１８を基板本体１５と一体的に形成す
る場合には、突起１８は、基板本体１５と同じ材質（例
えばガラスエポキシ）から構成される。また、突起１８
を基板本体１５とは別々に形成する場合には、突起１８
は、例えば金属や、樹脂などの絶縁体から構成すること
ができる。

【０１４２】図３８は、図３６及び図３７のプリント回
路基板に実装するＢＧＡパッケ−ジの側面図を示してい
る。また、図３９は、図３８のＢＧＡパッケ−ジの底面
図を示している。

【０１４３】このＢＧＡパッケ−ジは、パッケ−ジ本体
（配線基板）１１と、このパッケ−ジ本体１１に搭載さ
れ樹脂１２に覆われたＬＳＩチップ１３と、パッケ−ジ
本体１１の一面側に配置された複数の半田ボ−ル１４と
を有している。複数の半田ボ−ル１４は、パッケ−ジ本
体１１の一面側にアレイ状に配置されている。

【０１４４】図４０は、図３６及び図３７ののプリント
回路基板に図３８及び図３９のＢＧＡパッケ−ジを搭載
した状態の側面図を示している。

【０１４５】即ち、ＢＧＡパッケ−ジは、プリント回路
基板に設けられた突起１８に支えられているため、半田
ボ−ル１４のつぶれ具合は常に一定となり、半田ボ−ル
１４がつぶれ過ぎるという事態がない。

【０１４６】上記構成によれば、プリント回路基板の一
面側（半田ボ−ルに接触する電極が形成される側）に
は、枠状の突起１８が形成されている。このため、この
突起１８が支えとなり、ＢＧＡパッケ−ジの半田ボ−ル
１４がつぶれ過ぎるという事態がなくなる。従って、半
田ボ−ル同士が接触し、実装歩留りが低下することがな
く、低い製造コストを達成できる。

【０１４７】また、突起１８を低い熱抵抗を有する材料
で構成すれば、ＬＳＩチップ１３から発生する熱をプリ
ント回路基板に発散させることもできる。

【０１４８】［Ｉ］ 図４１は、本発明の第６実施例に
係わるＢＧＡパッケ−ジの側面図を示している。また、
図４２は、図４１のＢＧＡパッケ−ジの底面図を示して
いる。

【０１４９】このＢＧＡパッケ−ジは、パッケ−ジ本体
（配線基板）１１と、このパッケ−ジ本体１１に搭載さ
れ樹脂１２に覆われたＬＳＩチップ１３と、パッケ−ジ
本体１１の一面側に配置された複数の半田ボ−ル１４と
を有している。複数の半田ボ−ル１４は、パッケ−ジ本
体１１の一面側にアレイ状に配置されている。

【０１５０】また、パッケ−ジ本体１１の一面側には、
突起１７Ａ，１７Ｂが形成されている。各突起１７Ａ，
１７Ｂは、それぞれパッケ−ジ本体１１の周辺部に形成
され、かつ、線状に形成されている。例えば、突起１７
Ａ，１７Ｂは、パッケ−ジ本体１１の対向する辺にそれ
ぞれ１つずつ配置されている。

【０１５１】この突起１７Ａ，１７Ｂの高さは、半田ボ
−ル１４の高さ（直径）と同じか、又はそれよりも低く
なるように設定されている。

【０１５２】具体的には、半田ボ−ル１４の直径が約
０．７５ｍｍ、ピッチが約１．５ｍｍの場合には、突起
１７Ａ，１７Ｂの高さは、約０．６ｍｍにすれば、最も
効果的に半田ボ−ル同士の接触を防止できると共に実装
も確実に行える。また、半田ボ−ル１４の直径が約０．
６ｍｍ、ピッチが約１．０ｍｍの場合には、突起１７
Ａ，１７Ｂの高さは、約０．５ｍｍにするのがよい。

【０１５３】突起１７Ａ，１７Ｂは、パッケ−ジ本体１
１と一体的に形成するようにしてもよいし、又はパッケ
−ジ本体１１とは別々に形成するようにしてもよい。

【０１５４】突起１７Ａ，１７Ｂをパッケ−ジ本体１１
と一体的に形成する場合には、突起１７Ａ，１７Ｂは、
パッケ−ジ本体１１と同じ材質（例えばガラスエポキ
シ）から構成される。また、突起１７Ａ，１７Ｂをパッ
ケ−ジ本体１１とは別々に形成する場合には、突起１７
Ａ，１７Ｂは、例えば金属や、樹脂などの絶縁体から構
成することができる。

【０１５５】図４３は、図４１及び図４２のＢＧＡパッ
ケ−ジが実装されるプリント回路基板の側面図を示して
いる。また、図４４は、図４３のプリント回路基板の上
面図を示している。

【０１５６】基板本体１５の一面側には、ＢＧＡパッケ
−ジの半田ボ−ル１４に対応するアレイ状の電極（端
子）１６が形成されている。なお、ＢＧＡパッケ−ジ
は、プリント回路基板の破線Ｘ内に配置される。従っ
て、突起１７Ａ，１７Ｂは、それぞれプリント回路基板
の破線１７Ａ´，１７Ｂ´内に接触することになる。

【０１５７】図４５は、図４１及び図４２のＢＧＡパッ
ケ−ジを図４３及び図４４のプリント回路基板に搭載し
た状態の側面図を示している。

【０１５８】即ち、ＢＧＡパッケ−ジは、突起１７Ａ，
１７Ｂに支えられているため、半田ボ−ル１４のつぶれ
具合は常に一定となり、半田ボ−ル１４がつぶれ過ぎる
という事態がない。

【０１５９】上記構成によれば、ＢＧＡパッケ−ジの裏
面側（半田ボ−ルが形成される側）には、線状の突起１
７Ａ，１７Ｂが形成されている。このため、この突起１
７Ａ，１７Ｂが支えとなり、半田ボ−ル１４がつぶれ過
ぎるという事態がなくなる。従って、半田ボ−ル同士が
接触し、実装歩留りが低下することがなく、低い製造コ
ストを達成できる。

【０１６０】また、突起１７Ａ，１７Ｂを低い熱抵抗を
有する材料で構成すれば、ＬＳＩチップ１３から発生す
る熱をプリント回路基板に発散させることもできる。ま
た、突起１７Ａ，１７Ｂを接地電極として用いることも
可能である。

【０１６１】［Ｊ］ 図４６は、本発明の第６実施例に
係わる実装基板の側面図を示している。また、図４７
は、図４６の実装基板の上面図を示している。

【０１６２】基板本体１５の一面側には、ＢＧＡパッケ
−ジの半田ボ−ルに対応するアレイ状に電極（端子）１
６が形成されている。なお、ＢＧＡパッケ−ジは、プリ
ント回路基板の破線Ｘ内に配置される。

【０１６３】また、基板本体１５の一面側には、突起１
８Ａ，１８Ｂが形成されている。各突起１８Ａ，１８Ｂ
は、アレイ状の電極１６の周囲に形成され、かつ、線状
となるように形成されている。例えば、突起１８Ａ，１
８Ｂは、アレイ状の電極１６を間に挟み込むようにそれ
ぞれ対向して配置される。

【０１６４】この突起１８Ａ，１８Ｂの高さは、ＢＧＡ
パッケ−ジの半田ボ−ルの高さ（直径）と同じか、又は
それよりも低くなるように設定されている。

【０１６５】具体的には、半田ボ−ル１４の直径が約
０．７５ｍｍ、ピッチが約１．５ｍｍの場合には、突起
１８Ａ，１８Ｂの高さは、約０．６ｍｍにすれば、最も
効果的に半田ボ−ル同士の接触を防止できると共に実装
も確実に行える。また、半田ボ−ル１４の直径が約０．
６ｍｍ、ピッチが約１．０ｍｍの場合には、突起１８
Ａ，１８Ｂの高さは、約０．５ｍｍにするのがよい。

【０１６６】突起１８Ａ，１８Ｂは、基板本体１５と一
体的に形成するようにしてもよいし、又は基板本体１５
とは別々に形成するようにしてもよい。

【０１６７】突起１８Ａ，１８Ｂを基板本体１５と一体
的に形成する場合には、突起１８Ａ，１８Ｂは、基板本
体１５と同じ材質（例えばガラスエポキシ）から構成さ
れる。また、突起１８Ａ，１８Ｂを基板本体１５とは別
々に形成する場合には、突起１８Ａ，１８Ｂは、例えば
金属や、樹脂などの絶縁体から構成できる。

【０１６８】図４８は、図４６及び図４７のプリント回
路基板に実装するＢＧＡパッケ−ジの側面図を示してい
る。また、図４９は、図４８のＢＧＡパッケ−ジの底面
図を示している。

【０１６９】このＢＧＡパッケ−ジは、パッケ−ジ本体
（配線基板）１１と、このパッケ−ジ本体１１に搭載さ
れ樹脂１２に覆われたＬＳＩチップ１３と、パッケ−ジ
本体１１の一面側に配置された複数の半田ボ−ル１４と
を有している。複数の半田ボ−ル１４は、パッケ−ジ本
体１１の一面側にアレイ状に配置されている。

【０１７０】図５０は、図４６及び図４７ののプリント
回路基板に図４８及び図４９のＢＧＡパッケ−ジを搭載
した状態の側面図を示している。

【０１７１】即ち、ＢＧＡパッケ−ジは、プリント回路
基板に設けられた突起１８Ａ，１８Ｂに支えられている
ため、半田ボ−ル１４のつぶれ具合は常に一定となり、
半田ボ−ル１４がつぶれ過ぎるという事態がない。

【０１７２】上記構成によれば、プリント回路基板の一
面側（半田ボ−ルに接触する電極が形成される側）に
は、線状の突起１８Ａ，１８Ｂが形成されている。この
ため、この突起１８Ａ，１８Ｂが支えとなり、ＢＧＡパ
ッケ−ジの半田ボ−ル１４がつぶれ過ぎるという事態が
なくなる。従って、半田ボ−ル同士が接触し、実装歩留
りが低下することがなく、低い製造コストを達成でき
る。

【０１７３】また、突起１８Ａ，１８Ｂを低い熱抵抗を
有する材料で構成すれば、ＬＳＩチップ１３から発生す
る熱をプリント回路基板に発散させることもできる。

【０１７４】

【発明の効果】以上、説明したように、本発明のＢＧＡ
パッケ−ジ及び実装基板、並びにこれらから構成される
半導体装置によれば、次のような効果を奏する。

【０１７５】ＢＧＡパッケ−ジの裏面側（半田ボ−ルが
形成される側）及びプリント回路基板の一面側（半田ボ
−ルに接触する電極が形成される側）の少なくとも一方
には、突起部が形成されている。

【０１７６】従って、ＢＧＡパッケ−ジをプリント回路
基板に搭載する際、この突起が支えとなるため、ＢＧＡ
パッケ−ジの半田ボ−ルのつぶれ具合を常に一定にする
ことができる。

【０１７７】即ち、ＢＧＡパッケ−ジの半田ボ−ルがつ
ぶれ過ぎるという事態がないため、半田ボ−ル同士が接
触して実装歩留りが低下することがなく、低い製造コス
トを達成できる。

【０１７８】また、この突起を低い熱抵抗を有する材料
で構成すれば、チップから発生する熱をプリント回路基
板に発散させることもできる。

【０１７９】さらに、ＢＧＡパッケ−ジ側に突起が形成
される場合には、この突起を接地電極として用いること
も可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例に係わるＢＧＡパッケ−ジ
を示す側面図。

【図２】図１のＢＧＡパッケ−ジの底面図。

【図３】図１のＢＧＡパッケ−ジを搭載するプリント回
路基板を示す側面図。

【図４】図３のプリント回路基板の上面図。

【図５】図１のパッケ−ジを図３の基板に搭載した状態
を示す側面図。

【図６】本発明の第１実施例に係わるプリント回路基板
を示す側面図。

【図７】図６のプリント回路基板の上面図。

【図８】図６のプリント回路基板に搭載されるＢＧＡパ
ッケ−ジを示す側面図。

【図９】図８のＢＧＡパッケ−ジの底面図。

【図１０】図６の基板に図８のパッケ−ジを搭載した状
態を示す側面図。

【図１１】本発明の第２実施例に係わるＢＧＡパッケ−
ジを示す側面図。

【図１２】図１１のＢＧＡパッケ−ジの底面図。

【図１３】図１１のＢＧＡパッケ−ジを搭載するプリン
ト回路基板を示す側面図。

【図１４】図１３のプリント回路基板の上面図。

【図１５】図１１のパッケ−ジを図１３の基板に搭載し
た状態を示す側面図。

【図１６】本発明の第２実施例に係わるプリント回路基
板を示す側面図。

【図１７】図１６のプリント回路基板の上面図。

【図１８】図１６のプリント回路基板に搭載されるＢＧ
Ａパッケ−ジを示す側面図。

【図１９】図１８のＢＧＡパッケ−ジの底面図。

【図２０】図１６の基板に図１８のパッケ−ジを搭載し
た状態を示す側面図。

【図２１】本発明の第３実施例に係わるＢＧＡパッケ−
ジを示す側面図。

【図２２】図２１のＢＧＡパッケ−ジの底面図。

【図２３】本発明の第３実施例に係わるプリント回路基
板を示す側面図。

【図２４】図２３のプリント回路基板の上面図。

【図２５】図２１のパッケ−ジを図２３の基板に搭載し
た状態を示す側面図。

【図２６】本発明の第４実施例に係わるＢＧＡパッケ−
ジを示す側面図。

【図２７】図２６のＢＧＡパッケ−ジの底面図。

【図２８】本発明の第４実施例に係わるプリント回路基
板を示す側面図。

【図２９】図２８のプリント回路基板の上面図。

【図３０】図２６のパッケ−ジを図２８の基板に搭載し
た状態を示す側面図。

【図３１】本発明の第５実施例に係わるＢＧＡパッケ−
ジを示す側面図。

【図３２】図３１のＢＧＡパッケ−ジの底面図。

【図３３】図３１のＢＧＡパッケ−ジを搭載するプリン
ト回路基板を示す側面図。

【図３４】図３３のプリント回路基板の上面図。

【図３５】図３１のパッケ−ジを図３３の基板に搭載し
た状態を示す側面図。

【図３６】本発明の第５実施例に係わるプリント回路基
板を示す側面図。

【図３７】図３６のプリント回路基板の上面図。

【図３８】図３６のプリント回路基板に搭載されるＢＧ
Ａパッケ−ジを示す側面図。

【図３９】図３８のＢＧＡパッケ−ジの底面図。

【図４０】図３６の基板に図３８のパッケ−ジを搭載し
た状態を示す側面図。

【図４１】本発明の第６実施例に係わるＢＧＡパッケ−
ジを示す側面図。

【図４２】図４１のＢＧＡパッケ−ジの底面図。

【図４３】図４１のＢＧＡパッケ−ジを搭載するプリン
ト回路基板を示す側面図。

【図４４】図４３のプリント回路基板の上面図。

【図４５】図４１のパッケ−ジを図４３の基板に搭載し
た状態を示す側面図。

【図４６】本発明の第６実施例に係わるプリント回路基
板を示す側面図。

【図４７】図４６のプリント回路基板の上面図。

【図４８】図４６のプリント回路基板に搭載されるＢＧ
Ａパッケ−ジを示す側面図。

【図４９】図４８のＢＧＡパッケ−ジの底面図。

【図５０】図４６の基板に図４８のパッケ−ジを搭載し
た状態を示す側面図。

【図５１】従来のＢＧＡパッケ−ジをプリント回路基板
に搭載した状態を示す側面図。

【符号の説明】

１１ …パッケ−ジ本体（配線基
板）、 １２ …樹脂、 １３ …ＬＳＩチップ、 １４ …球状の半田（半田ボ−ル）、 １５ …基板本体、 １６ …電極（端子）、 １７，１７Ａ〜１７Ｄ …ＢＧＡパッケ−ジの突起、 １８，１８Ａ〜１８Ｄ …プリント回路基板の突起。

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 パッケ−ジ本体と、前記パッケ−ジ本体
   に搭載されるＬＳＩチップと、前記パッケ−ジ本体の一
   面側に形成される複数の球状の半田と、前記パッケ−ジ
   本体の一面側に形成され、前記複数の球状の半田の高さ
   と同じか又はそれよりも低い高さを有する突起とを具備
   することを特徴とするＢＧＡパッケ−ジ。
2. 【請求項２】 基板本体と、前記基板本体の一面側に形
   成され、ＢＧＡパッケ−ジの複数の球状の半田が接触す
   る複数の電極と、前記基板本体の一面側に前記ＢＧＡパ
   ッケ−ジを支えるために形成され、前記複数の球状の半
   田の高さと同じか又はそれよりも低い高さを有する突起
   とを具備することを特徴とする実装基板。
3. 【請求項３】 パッケ−ジ本体と、前記パッケ−ジ本体
   に搭載されるＬＳＩチップと、前記パッケ−ジ本体の一
   面側に形成される複数の球状の半田と、前記パッケ−ジ
   本体の一面側に形成され、前記複数の球状の半田の高さ
   と同じか又はそれよりも低い高さを有する少なくとも３
   つの柱状の突起とを具備することを特徴とするＢＧＡパ
   ッケ−ジ。
4. 【請求項４】 前記突起は、前記パッケ−ジ本体の周辺
   部にそれぞれ形成されていることを特徴とする請求項３
   に記載のＢＧＡパッケ−ジ。
5. 【請求項５】 基板本体と、前記基板本体の一面側に形
   成され、ＢＧＡパッケ−ジの複数の球状の半田が接触す
   る複数の電極と、前記基板本体の一面側に前記ＢＧＡパ
   ッケ−ジを支えるために形成され、前記複数の球状の半
   田の高さと同じか又はそれよりも低い高さを有する少な
   くとも３つの柱状の突起とを具備することを特徴とする
   実装基板。
6. 【請求項６】 前記突起は、前記複数の電極の周囲にそ
   れぞれ形成されていることを特徴とする請求項５に記載
   の実装基板。
7. 【請求項７】 パッケ−ジ本体と、前記パッケ−ジ本体
   に搭載されるＬＳＩチップと、前記パッケ−ジ本体の一
   面側に形成される複数の球状の半田と、前記パッケ−ジ
   本体の一面側に形成され、前記複数の球状の半田の高さ
   と同じか又はそれよりも低い高さを有する少なくとも１
   つの第１突起とを有するＢＧＡパッケ−ジと、 基板本体と、前記基板本体の一面側に形成され、前記Ｂ
   ＧＡパッケ−ジの複数の球状の半田が接触する複数の電
   極と、前記基板本体の一面側に前記ＢＧＡパッケ−ジを
   支えるために形成され、前記複数の球状の半田の高さと
   同じか又はそれよりも低い高さを有する少なくとも１つ
   の第２突起とを有する実装基板とを具備し、 前記前記第１突起と前記第２突起は、互いに重なり合っ
   ていないことを特徴とする半導体装置。
8. 【請求項８】 パッケ−ジ本体と、前記パッケ−ジ本体
   に搭載されるＬＳＩチップと、前記パッケ−ジ本体の一
   面側に形成される複数の球状の半田と、前記パッケ−ジ
   本体の一面側に形成され、前記複数の球状の半田の高さ
   の半分か又はそれよりも低い高さを有する少なくとも１
   つの第１突起とを有するＢＧＡパッケ−ジと、 基板本体と、前記基板本体の一面側に形成され、前記Ｂ
   ＧＡパッケ−ジの複数の球状の半田が接触する複数の電
   極と、前記基板本体の一面側に前記ＢＧＡパッケ−ジを
   支えるために形成され、前記複数の球状の半田の高さの
   半分か又はそれよりも低い高さを有する少なくとも１つ
   の第２突起とを有する実装基板とを具備し、 前記前記第１突起と前記第２突起は、互いに重なり合っ
   ていることを特徴とする半導体装置。
9. 【請求項９】 パッケ−ジ本体と、前記パッケ−ジ本体
   に搭載されるＬＳＩチップと、前記パッケ−ジ本体の一
   面側に形成される複数の球状の半田と、前記パッケ−ジ
   本体の一面側に前記複数の球状の半田を取り囲むように
   形成され、前記複数の球状の半田の高さと同じか又はそ
   れよりも低い高さを有する枠状の突起とを具備すること
   を特徴とするＢＧＡパッケ−ジ。
10. 【請求項１０】 基板本体と、前記基板本体の一面側に
    形成され、ＢＧＡパッケ−ジの複数の球状の半田が接触
    する複数の電極と、前記基板本体の一面側に前記ＢＧＡ
    パッケ−ジを支えるために前記複数の電極を取り囲むよ
    うに形成され、前記複数の球状の半田の高さと同じか又
    はそれよりも低い高さを有する枠状の突起とを具備する
    ことを特徴とする実装基板。
11. 【請求項１１】 パッケ−ジ本体と、前記パッケ−ジ本
    体に搭載されるＬＳＩチップと、前記パッケ−ジ本体の
    一面側に形成される複数の球状の半田と、前記パッケ−
    ジ本体の一面側の周辺部に前記複数の球状の半田を挟み
    込むように形成され、前記複数の球状の半田の高さと同
    じか又はそれよりも低い高さを有する線状の２つの突起
    とを具備することを特徴とするＢＧＡパッケ−ジ。
12. 【請求項１２】 基板本体と、前記基板本体の一面側に
    形成され、ＢＧＡパッケ−ジの複数の球状の半田が接触
    する複数の電極と、前記ＢＧＡパッケ−ジを支えるため
    に前記基板本体の一面側に前記複数の電極を挟み込むよ
    うにして形成され、前記複数の球状の半田の高さと同じ
    か又はそれよりも低い高さを有する線状の２つの突起と
    を具備することを特徴とする実装基板。