JPH0798823A - 磁気読み／書きヘッド - Google Patents
磁気読み／書きヘッドInfo
- Publication number
- JPH0798823A JPH0798823A JP6234517A JP23451794A JPH0798823A JP H0798823 A JPH0798823 A JP H0798823A JP 6234517 A JP6234517 A JP 6234517A JP 23451794 A JP23451794 A JP 23451794A JP H0798823 A JPH0798823 A JP H0798823A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- head
- layer
- magnetoresistive element
- coil
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 47
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims abstract description 37
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 6
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N iron nickel Chemical compound [Fe].[Ni] UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気情報の記録に用いられ、書き込み補償さ
れた磁気抵抗素子を有する磁気読み／書きヘッドを提供
する。 【構成】 磁気抵抗素子（ＭＲ）の下に電気導体素子
（４０）と、好ましくは、開口（４６）が設けられた追
加の磁性層（４４）とを備えている。導体素子（４０）
は、磁気抵抗素子を流れる電流によって生じる磁束が書
き込み漏れ磁束と方向が反対となるように、書き込みコ
イルに直列接続されている。
れた磁気抵抗素子を有する磁気読み／書きヘッドを提供
する。 【構成】 磁気抵抗素子（ＭＲ）の下に電気導体素子
（４０）と、好ましくは、開口（４６）が設けられた追
加の磁性層（４４）とを備えている。導体素子（４０）
は、磁気抵抗素子を流れる電流によって生じる磁束が書
き込み漏れ磁束と方向が反対となるように、書き込みコ
イルに直列接続されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、書き込み補償された磁
気抵抗素子を有する磁気読み／書きヘッドに関する。こ
れは、磁気情報の記録に用いられる。
気抵抗素子を有する磁気読み／書きヘッドに関する。こ
れは、磁気情報の記録に用いられる。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】読出し
手段として磁気抵抗素子を用いる磁気読み／書きヘッド
は公知である。このタイプの初期の装置においては、磁
気抵抗素子がヘッドの磁気回路のヘッドギャップ内に置
かれていた。
手段として磁気抵抗素子を用いる磁気読み／書きヘッド
は公知である。このタイプの初期の装置においては、磁
気抵抗素子がヘッドの磁気回路のヘッドギャップ内に置
かれていた。
【０００３】このようなヘッドは単純で安価であるが、
次のような問題点を有している。即ち、書き込み磁界が
磁気抵抗素子内に非常に強い磁界を形成し、磁気抵抗素
子を磁界方向に飽和させる。このため、このヘッドを読
み出しに用いようとした場合、磁気抵抗層の磁気領域が
読み出しに適した初期配向、即ち一般には素子の軸から
４５°の配向、に正確に戻るまで待たなければならな
い。
次のような問題点を有している。即ち、書き込み磁界が
磁気抵抗素子内に非常に強い磁界を形成し、磁気抵抗素
子を磁界方向に飽和させる。このため、このヘッドを読
み出しに用いようとした場合、磁気抵抗層の磁気領域が
読み出しに適した初期配向、即ち一般には素子の軸から
４５°の配向、に正確に戻るまで待たなければならな
い。
【０００４】しかしながら、書き込み磁界によって極度
に乱されたある種の磁気領域はこの理想状態に決して戻
らず、望ましくないノイズが読み出し信号を乱してしま
う。
に乱されたある種の磁気領域はこの理想状態に決して戻
らず、望ましくないノイズが読み出し信号を乱してしま
う。
【０００５】この問題の１つの解決法は、一方が書き込
み用、他方が読み出し用という２つのヘッドを使用し、
読み出しヘッドのみに磁気抵抗素子を設けることにあ
る。これにより、磁気抵抗素子は強い磁界を受けること
なく、非常に安定した磁気領域構造を有することとな
る。
み用、他方が読み出し用という２つのヘッドを使用し、
読み出しヘッドのみに磁気抵抗素子を設けることにあ
る。これにより、磁気抵抗素子は強い磁界を受けること
なく、非常に安定した磁気領域構造を有することとな
る。
【０００６】しかしながら、このヘッドは、構造が複雑
でありかつ高価となる。さらに、２つの独立したヘッド
ギャップを持つことが、ヘッドの記録トラックに沿った
位置決めに関する問題を複雑化する。特に、磁気媒体が
ディスクでありトラックがカーブしている場合により複
雑となる。
でありかつ高価となる。さらに、２つの独立したヘッド
ギャップを持つことが、ヘッドの記録トラックに沿った
位置決めに関する問題を複雑化する。特に、磁気媒体が
ディスクでありトラックがカーブしている場合により複
雑となる。
【０００７】このため本発明は、この解決法を適用せ
ず、単一のヘッドギャップを有するヘッド、特に薄層又
は薄膜を有するいわゆる水平構造のヘッドに戻ることと
なる。このようなヘッドは公知であり、フランス特許第
ＦＲ−Ａ−２，６４５，３１４号（又は対応する米国特
許第ＵＳ−Ａ−５，２０８，７１６号）に記載されてい
る。このタイプのヘッドが添付の図１に関連して記載さ
れている。
ず、単一のヘッドギャップを有するヘッド、特に薄層又
は薄膜を有するいわゆる水平構造のヘッドに戻ることと
なる。このようなヘッドは公知であり、フランス特許第
ＦＲ−Ａ−２，６４５，３１４号（又は対応する米国特
許第ＵＳ−Ａ−５，２０８，７１６号）に記載されてい
る。このタイプのヘッドが添付の図１に関連して記載さ
れている。
【０００８】図１は、凹部１２がエッチングされている
例えばシリコンの半導体基板１０を有する水平ヘッドを
断面で示している。この凹部内には、下部磁性層１４が
電気化学的に形成されており、２つの垂直ポスト１６1
及び１６2 が伸長している。これらポストには導体コイ
ル１８が巻回されている。このコイルは、絶縁層２０内
に埋め込まれている。磁気回路は、非磁性スペーサ２４
によって２つの部分２２1 及び２２2 に再分割された上
部ポール部片によって完成される。例えば鉄−ニッケル
の磁気抵抗素子ＭＲは、非磁性スペーサ２４の下側に設
けられている。この素子は、スペーサをマスクとして用
いたフォトエッチングによって形成可能であり、その結
果、スペーサに関して自己整合することとなる。このヘ
ッドは、読み出し又は書き込みすべき情報が記録されて
いる磁気媒体３０の前を移動する。
例えばシリコンの半導体基板１０を有する水平ヘッドを
断面で示している。この凹部内には、下部磁性層１４が
電気化学的に形成されており、２つの垂直ポスト１６1
及び１６2 が伸長している。これらポストには導体コイ
ル１８が巻回されている。このコイルは、絶縁層２０内
に埋め込まれている。磁気回路は、非磁性スペーサ２４
によって２つの部分２２1 及び２２2 に再分割された上
部ポール部片によって完成される。例えば鉄−ニッケル
の磁気抵抗素子ＭＲは、非磁性スペーサ２４の下側に設
けられている。この素子は、スペーサをマスクとして用
いたフォトエッチングによって形成可能であり、その結
果、スペーサに関して自己整合することとなる。このヘ
ッドは、読み出し又は書き込みすべき情報が記録されて
いる磁気媒体３０の前を移動する。
【０００９】この種のヘッドの動作は以下のごとくであ
る。書き込み時は、コイル１８を流れる電流によって磁
界が生成され、これによって磁気回路内に誘導磁束が生
じる。磁束は、スペーサの周囲で外部へ広がり媒体３０
に磁化を誘導する。
る。書き込み時は、コイル１８を流れる電流によって磁
界が生成され、これによって磁気回路内に誘導磁束が生
じる。磁束は、スペーサの周囲で外部へ広がり媒体３０
に磁化を誘導する。
【００１０】読み出し時は、媒体３０に記録されている
磁気情報によって読み出し磁界が生成され、これによっ
て磁気回路内に誘導磁束が生じる。この誘導磁束は磁気
抵抗素子ＭＲを横切って部分的に閉成する。これによ
り、磁気抵抗素子内に磁化が生じるのでその抵抗が変化
する。この磁気抵抗素子に電流を流すことにより抵抗変
化を測定することができ、その結果、読み出した情報を
再生することができる。
磁気情報によって読み出し磁界が生成され、これによっ
て磁気回路内に誘導磁束が生じる。この誘導磁束は磁気
抵抗素子ＭＲを横切って部分的に閉成する。これによ
り、磁気抵抗素子内に磁化が生じるのでその抵抗が変化
する。この磁気抵抗素子に電流を流すことにより抵抗変
化を測定することができ、その結果、読み出した情報を
再生することができる。
【００１１】この種のヘッドは、ある面においては満足
できるが、磁気抵抗素子を通る漏れ磁束によって書き込
み時にこの素子が乱れを受けることに伴う問題点を有し
ている。磁気抵抗素子がヘッドギャップ内に位置してい
たヘッドに比して小さくはあるが、この乱れ現象は残存
する。
できるが、磁気抵抗素子を通る漏れ磁束によって書き込
み時にこの素子が乱れを受けることに伴う問題点を有し
ている。磁気抵抗素子がヘッドギャップ内に位置してい
たヘッドに比して小さくはあるが、この乱れ現象は残存
する。
【００１２】従って本発明の目的は、この現象を減少さ
せるか又は除去することにある。
せるか又は除去することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】このために本発明は、磁
気抵抗素子の下方かつその近傍に書き込み電流が通過す
る導体素子を設けることを提案する。書き込み電流がこ
の導体素子の回りに磁気抵抗素子を通過するであろう追
加の磁束を発生させる。結合方向が正しければ、この追
加の磁束は書き込み漏れ磁束と反対方向となる。その結
果、この追加磁束は補償磁束のごとく作用し、書き込み
段階における磁気抵抗素子内の全ての磁界を低減又は除
去する。
気抵抗素子の下方かつその近傍に書き込み電流が通過す
る導体素子を設けることを提案する。書き込み電流がこ
の導体素子の回りに磁気抵抗素子を通過するであろう追
加の磁束を発生させる。結合方向が正しければ、この追
加の磁束は書き込み漏れ磁束と反対方向となる。その結
果、この追加磁束は補償磁束のごとく作用し、書き込み
段階における磁気抵抗素子内の全ての磁界を低減又は除
去する。
【００１４】より特定的には、本発明は、ヘッドギャッ
プを備えた磁気回路と、ヘッドギャップの下に位置する
磁気抵抗素子と、磁気回路の一部を巻回する導体コイル
とを有しており、このコイルには書き込み段階中の電流
が通過し、この電流は磁気回路内に書き込み磁束を生成
し、漏れ磁束として知られるこの磁束の一部が磁気抵抗
素子を流れる磁気読み／書きヘッドに関している。この
ヘッドは、磁気抵抗素子の下に電気導体素子を備えてい
る。この導体素子は、書き込み時に当該導体素子を流れ
る電流が、磁気抵抗素子を通過する漏れ磁束と反対方向
の磁束を磁気抵抗素子内に発生するような方向で導体コ
イルに直列接続されている。
プを備えた磁気回路と、ヘッドギャップの下に位置する
磁気抵抗素子と、磁気回路の一部を巻回する導体コイル
とを有しており、このコイルには書き込み段階中の電流
が通過し、この電流は磁気回路内に書き込み磁束を生成
し、漏れ磁束として知られるこの磁束の一部が磁気抵抗
素子を流れる磁気読み／書きヘッドに関している。この
ヘッドは、磁気抵抗素子の下に電気導体素子を備えてい
る。この導体素子は、書き込み時に当該導体素子を流れ
る電流が、磁気抵抗素子を通過する漏れ磁束と反対方向
の磁束を磁気抵抗素子内に発生するような方向で導体コ
イルに直列接続されている。
【００１５】本発明のヘッドは、好ましくは、磁気回路
に接続されており、磁気抵抗素子と電気導体素子との間
に開口を有する追加の磁性層を備えている。この追加の
磁性層は読み出し時のヘッドの効率を最適にする。
に接続されており、磁気抵抗素子と電気導体素子との間
に開口を有する追加の磁性層を備えている。この追加の
磁性層は読み出し時のヘッドの効率を最適にする。
【００１６】好ましい実施態様においては、薄い追加の
磁性層又はフィルムの開口は、磁気抵抗素子の幅にほぼ
等しいか又はこれより小さい幅を有している。
磁性層又はフィルムの開口は、磁気抵抗素子の幅にほぼ
等しいか又はこれより小さい幅を有している。
【００１７】
【実施例】図２は、本発明による磁気読み／書きヘッド
を示している。この図においても、図１で示したものと
同様の要素については同じ参照符号が用いられている。
ヘッドは、さらに、コイル１８に接続された（図３に最
も良く示されている）例えば銅による導体素子４０と開
口又はヘッドギャップ４６を有する追加の磁性層４４と
を備えている。上述の開口の幅は磁気抵抗素子ＭＲの幅
にほぼ等しいか又はこれより小さい。ただし、導体素子
４０の幅は磁気抵抗素子の幅より大きい。磁性層４０
は、約０．１μｍから約５μｍの厚さを有している。導
体素子４０は、磁性層４４から約０．１μｍから約１μ
ｍの距離に位置している。
を示している。この図においても、図１で示したものと
同様の要素については同じ参照符号が用いられている。
ヘッドは、さらに、コイル１８に接続された（図３に最
も良く示されている）例えば銅による導体素子４０と開
口又はヘッドギャップ４６を有する追加の磁性層４４と
を備えている。上述の開口の幅は磁気抵抗素子ＭＲの幅
にほぼ等しいか又はこれより小さい。ただし、導体素子
４０の幅は磁気抵抗素子の幅より大きい。磁性層４０
は、約０．１μｍから約５μｍの厚さを有している。導
体素子４０は、磁性層４４から約０．１μｍから約１μ
ｍの距離に位置している。
【００１８】さらにまた、磁気回路の上部磁性層は３つ
の対部分から形成されている。第１の対３２1 及び３２
2 は、水平であり追加の層４４に接している。第２の対
３４1 及び３４2 は、やや傾斜しており開口４６の周辺
で追加の層４４から自由になっている。第３の対３６1
及び３６2 は、これも水平でありスペーサ２４の各端に
接している。しかしながら、この構成はこれに限定され
ない実施態様を示すにすぎない。
の対部分から形成されている。第１の対３２1 及び３２
2 は、水平であり追加の層４４に接している。第２の対
３４1 及び３４2 は、やや傾斜しており開口４６の周辺
で追加の層４４から自由になっている。第３の対３６1
及び３６2 は、これも水平でありスペーサ２４の各端に
接している。しかしながら、この構成はこれに限定され
ない実施態様を示すにすぎない。
【００１９】図３は、２つの磁気ポスト１６1 及び１６
2 を囲む１対のらせん形状となっている導体コイル１８
を示している。２つの導体素子５１及び５２は、巻線を
いかなる供給手段へも接続可能である。コイル１８は、
ヘッドの中間の平面内に位置している２つの端５３及び
５４で終端している。これら２つのコイル端は、２つの
コネクタ５５及び５６に導通しており導体素子４０に接
続可能となっている。従って、コンダクタ又は巻線１８
を通過する書込み電流は、導体素子４０を一体的に通過
する。導体素子に対するコイル端の接続方向は、「反対
方向」として参照される。即ち、導体素子４０内の電流
の方向が、これによって磁気抵抗素子上に生じる追加の
磁束とコイル１８内を流れる電流によって磁気回路を流
れる磁束とが反対方向となるように接続方向が設定され
る。その結果、この追加の磁束が書き込み時の漏れ磁束
を補償することができる。
2 を囲む１対のらせん形状となっている導体コイル１８
を示している。２つの導体素子５１及び５２は、巻線を
いかなる供給手段へも接続可能である。コイル１８は、
ヘッドの中間の平面内に位置している２つの端５３及び
５４で終端している。これら２つのコイル端は、２つの
コネクタ５５及び５６に導通しており導体素子４０に接
続可能となっている。従って、コンダクタ又は巻線１８
を通過する書込み電流は、導体素子４０を一体的に通過
する。導体素子に対するコイル端の接続方向は、「反対
方向」として参照される。即ち、導体素子４０内の電流
の方向が、これによって磁気抵抗素子上に生じる追加の
磁束とコイル１８内を流れる電流によって磁気回路を流
れる磁束とが反対方向となるように接続方向が設定され
る。その結果、この追加の磁束が書き込み時の漏れ磁束
を補償することができる。
【００２０】図４及び図５は本発明のヘッドをより良い
理解を提供するものである。
理解を提供するものである。
【００２１】図４は書き込み時の動作に対応している。
追加の層４内を流れかつヘッドギャップとして作用する
開口４６をまたぐ漏れ磁束を構成している部分Ｈ２を有
しており、磁気回路を流れる書き込み磁束Ｈ１が示され
ている。導体素子４０内を流れる電流（図の平面と垂直
方向）によって形成される磁束Ｈ３は、磁束Ｈ２と反対
方向に流れる。ヘッドの寸法を適切に設定することによ
って結果がゼロとなるか、又はいかなる場合においても
磁束Ｈ２より小さくなる。
追加の層４内を流れかつヘッドギャップとして作用する
開口４６をまたぐ漏れ磁束を構成している部分Ｈ２を有
しており、磁気回路を流れる書き込み磁束Ｈ１が示され
ている。導体素子４０内を流れる電流（図の平面と垂直
方向）によって形成される磁束Ｈ３は、磁束Ｈ２と反対
方向に流れる。ヘッドの寸法を適切に設定することによ
って結果がゼロとなるか、又はいかなる場合においても
磁束Ｈ２より小さくなる。
【００２２】図５は読み出し時のヘッドの動作を表わし
ている。磁束Ｈ４は、読み出すべき情報によって生成さ
れる。この磁束の一部は磁気回路による磁束Ｈ５として
閉ループとなり、一部は追加の層４４を流れる磁束Ｈ６
となる。ヘッドギャップとして作用する開口４６の存在
により、磁束Ｈ６は磁気抵抗素子ＭＲ内を通過し、読み
出した情報についてのアクセスを行う。
ている。磁束Ｈ４は、読み出すべき情報によって生成さ
れる。この磁束の一部は磁気回路による磁束Ｈ５として
閉ループとなり、一部は追加の層４４を流れる磁束Ｈ６
となる。ヘッドギャップとして作用する開口４６の存在
により、磁束Ｈ６は磁気抵抗素子ＭＲ内を通過し、読み
出した情報についてのアクセスを行う。
【００２３】図６から図１０は、以上述べたヘッドを製
造する工程の異なる段階を示している。多数のこれに関
連する工程が前述したフランス特許第ＦＲ−Ａ−２，６
４５，３１４号（又は対応する米国特許第ＵＳ−Ａ−
５，２０８，７１６号）に既に記載されているので、こ
の明細書では詳述はしない。導体素子及び追加の磁性層
を実現する特定の処理工程についてのみ以下説明する。
造する工程の異なる段階を示している。多数のこれに関
連する工程が前述したフランス特許第ＦＲ−Ａ−２，６
４５，３１４号（又は対応する米国特許第ＵＳ−Ａ−
５，２０８，７１６号）に既に記載されているので、こ
の明細書では詳述はしない。導体素子及び追加の磁性層
を実現する特定の処理工程についてのみ以下説明する。
【００２４】図６に示すように、第１の段階は、フラン
ス特許第ＦＲ−Ａ−２，６４５，３１４号に記載されて
いるごとく、例えばシリコンによる半導体基板１０上に
凹部１２、下部磁性層１４並びに２つの磁気ポスト１６
1 及び１６2 を形成することにある。次いで、２つの相
互接続導体４７及び４９が基板１０及び下部磁性層を通
過して形成されると共に、図３にその構成が示されてい
る２つのコネクタ５１及び５２が形成される。従って、
図６は図３の線ａ−ａに沿った断面、即ちコネクタ５１
及び５２を通る断面に対応している。
ス特許第ＦＲ−Ａ−２，６４５，３１４号に記載されて
いるごとく、例えばシリコンによる半導体基板１０上に
凹部１２、下部磁性層１４並びに２つの磁気ポスト１６
1 及び１６2 を形成することにある。次いで、２つの相
互接続導体４７及び４９が基板１０及び下部磁性層を通
過して形成されると共に、図３にその構成が示されてい
る２つのコネクタ５１及び５２が形成される。従って、
図６は図３の線ａ−ａに沿った断面、即ちコネクタ５１
及び５２を通る断面に対応している。
【００２５】次いで、コネクタ５１及び５２から始まり
ポスト１６1 及び１６2 の回りを巻回する導体コイル１
８の形成が行われる。このコイルは、銅によって形成可
能である。図６には（図３と共に）数ターンのみが示さ
れているが、実際には、例えば同一平面内に１６ター
ン、８ターンの対の形態で分散させて構成され得る。
ポスト１６1 及び１６2 の回りを巻回する導体コイル１
８の形成が行われる。このコイルは、銅によって形成可
能である。図６には（図３と共に）数ターンのみが示さ
れているが、実際には、例えば同一平面内に１６ター
ン、８ターンの対の形態で分散させて構成され得る。
【００２６】コイル又は巻線はヘッドの中間の平面内に
位置する２つの端５３及び５４で終端している。図７は
図３の線ｂ−ｂに沿った断面、即ちコイルの終端５３を
通る断面に対応している。
位置する２つの端５３及び５４で終端している。図７は
図３の線ｂ−ｂに沿った断面、即ちコイルの終端５３を
通る断面に対応している。
【００２７】コイル１８の上には、約２μｍの厚さのシ
リカ（ＳｉＯ2 ）であり得る絶縁層６０がデポジットさ
れている。次いで、フォトリトグラフィが行われ、その
後、コイル端５３及び５４に垂直にこの絶縁層をエッチ
ングすべく反応性イオンエッチングが行われる。このよ
うに形成した２つの開口内に、例えば電気化学的に例え
ば銅によるコネクタ５５及び５６が成長される（図７の
断面ではコネクタ５５のみが見える）。
リカ（ＳｉＯ2 ）であり得る絶縁層６０がデポジットさ
れている。次いで、フォトリトグラフィが行われ、その
後、コイル端５３及び５４に垂直にこの絶縁層をエッチ
ングすべく反応性イオンエッチングが行われる。このよ
うに形成した２つの開口内に、例えば電気化学的に例え
ば銅によるコネクタ５５及び５６が成長される（図７の
断面ではコネクタ５５のみが見える）。
【００２８】次いで、これら２つのコネクタが絶縁層６
０の表面と同じ高さとなるように、銅のデポジットで平
面化される。
０の表面と同じ高さとなるように、銅のデポジットで平
面化される。
【００２９】次に、例えばカソードスパッタ等によって
例えば銅の薄い導体層又はフィルムのデポジションが行
われる。フォトリトグラフィ次いでエッチングが行わ
れ、導体素子４０を構成する小さなプレート又はウエフ
ァのみが残される。この導体素子の両端はコネクタ５５
及び５６上に載置されている。図８は、導体素子を、コ
ネクタ５５上に載置されているその端における断面で示
している。導体素子４０の幅は、約１μｍから約１５μ
ｍであり、その長さは約３μｍから約１５μｍである。
例えば銅の薄い導体層又はフィルムのデポジションが行
われる。フォトリトグラフィ次いでエッチングが行わ
れ、導体素子４０を構成する小さなプレート又はウエフ
ァのみが残される。この導体素子の両端はコネクタ５５
及び５６上に載置されている。図８は、導体素子を、コ
ネクタ５５上に載置されているその端における断面で示
している。導体素子４０の幅は、約１μｍから約１５μ
ｍであり、その長さは約３μｍから約１５μｍである。
【００３０】例えばシリカ（ＳｉＯ2 ）である薄い絶縁
層６２が、次いで、アセンブリ上にデポジット可能であ
り、これにはカソードスパッタが使用可能である。この
層は導体素子４０を被覆し、その厚さは約０．０５μｍ
から約３μｍであり得る。
層６２が、次いで、アセンブリ上にデポジット可能であ
り、これにはカソードスパッタが使用可能である。この
層は導体素子４０を被覆し、その厚さは約０．０５μｍ
から約３μｍであり得る。
【００３１】フォトリトグラフィ及びこれに続く反応性
イオンエッチングによって、ヘッドの各側部においてこ
のヘッドを解放すべく（図９）、２つの開口６６1 及び
６６2 がこの層６２内の２つの磁気ポスト１６1 及び１
６2 上に形成される。
イオンエッチングによって、ヘッドの各側部においてこ
のヘッドを解放すべく（図９）、２つの開口６６1 及び
６６2 がこの層６２内の２つの磁気ポスト１６1 及び１
６2 上に形成される。
【００３２】次いで例えば鉄−ニッケルのデポジション
が行われて磁性層４４が形成される。これには、例えば
カソードスパッタが使用可能である。この磁性層４４の
厚さは約０．１μｍから約５μｍとすることが可能であ
る。
が行われて磁性層４４が形成される。これには、例えば
カソードスパッタが使用可能である。この磁性層４４の
厚さは約０．１μｍから約５μｍとすることが可能であ
る。
【００３３】フォトリトグラフィ及びこれに続くエッチ
ングによって、磁性層４４の中心部に開口４６が形成さ
れる。この開口の幅は後に形成される磁気抵抗素子とほ
ぼ同じであるか又はこれより小さく、約１μｍから約６
μｍとすることが可能である。
ングによって、磁性層４４の中心部に開口４６が形成さ
れる。この開口の幅は後に形成される磁気抵抗素子とほ
ぼ同じであるか又はこれより小さく、約１μｍから約６
μｍとすることが可能である。
【００３４】次いで、このアセンブリ上に、例えばシリ
カ（ＳｉＯ2 ）の絶縁層７０のデポジションが行われる
（図１０）。この層の厚さは約０．１μｍから約１μｍ
である。その後、公知のいかなる方法であっても良い
が、磁気抵抗素子ＭＲがデポジットされる。
カ（ＳｉＯ2 ）の絶縁層７０のデポジションが行われる
（図１０）。この層の厚さは約０．１μｍから約１μｍ
である。その後、公知のいかなる方法であっても良い
が、磁気抵抗素子ＭＲがデポジットされる。
【００３５】磁気抵抗素子を電気的に絶縁すべく、絶縁
層７２がこの磁気抵抗素子上にデポジットされる。次い
で、読み出し電圧を測定可能とするための２つの出力素
子を得るために２つの内部接続体が基板１０を通って形
成される。本発明による導体素子４０及び磁性層４４の
追加は、フランス特許第ＦＲ−Ａ−２，６４５，３１４
号によるヘッドに比して、コネクタの数を増大させるも
のではない。即ち、４つの（２つが組み合わされた場合
は多分３つ）コネクタのままである。
層７２がこの磁気抵抗素子上にデポジットされる。次い
で、読み出し電圧を測定可能とするための２つの出力素
子を得るために２つの内部接続体が基板１０を通って形
成される。本発明による導体素子４０及び磁性層４４の
追加は、フランス特許第ＦＲ−Ａ−２，６４５，３１４
号によるヘッドに比して、コネクタの数を増大させるも
のではない。即ち、４つの（２つが組み合わされた場合
は多分３つ）コネクタのままである。
【００３６】磁気抵抗素子ＭＲを絶縁し内部接続体を形
成した後、磁気ポスト上の絶縁層７０及び７２がエッチ
ングされ、図２に既に示した磁性層３３1 及び３３2 並
びに３４1 及び３４2 のデポジションが行われる。次
に、従来技術、特にフランス特許第ＦＲ−Ａ−２，６４
５，３１４号に記載されている方法でスペーサ２４が形
成され、最後に、ポール片３６1 及び３６2 が形成され
る。
成した後、磁気ポスト上の絶縁層７０及び７２がエッチ
ングされ、図２に既に示した磁性層３３1 及び３３2 並
びに３４1 及び３４2 のデポジションが行われる。次
に、従来技術、特にフランス特許第ＦＲ−Ａ−２，６４
５，３１４号に記載されている方法でスペーサ２４が形
成され、最後に、ポール片３６1 及び３６2 が形成され
る。
【図１】磁気抵抗素子を有する従来技術の磁気ヘッドを
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】本発明による磁気ヘッドを示す断面図である。
【図３】磁気抵抗素子の下方に設けられた導体素子と導
体コイルとの電気的接続を説明する図である。
体コイルとの電気的接続を説明する図である。
【図４】書き込み時の磁束の流れを概略的に示す図であ
る。
る。
【図５】読み出し時の磁束の流れを概略的に示す図であ
る。
る。
【図６】コイルの中心を通る第１の断面に沿った第１の
サブアセンブリを示す断面図である。
サブアセンブリを示す断面図である。
【図７】導体素子のコネクタの１つを通る第２の断面に
沿った第２のサブアセンブリを示す断面図である。
沿った第２のサブアセンブリを示す断面図である。
【図８】コイルに接続された導体素子によって完成され
た第３のサブアセンブリの断面図である。
た第３のサブアセンブリの断面図である。
【図９】追加の磁界によって完成された第４のサブアセ
ンブリの断面図である。
ンブリの断面図である。
【図１０】磁気抵抗素子と合体した第５のサブアセンブ
リの断面図である。
リの断面図である。
１０ 基板 １４ 下部磁性層 １６1 、１６2 磁気ポスト １８ 導体コイル ２０ 絶縁層 ２４ 非磁性スペーサ ３０ 磁気媒体 ３２1 、３２2 、３４1 、３４2 、３６1 、３６2 上
部磁性層 ４０ 導体素子 ４４ 追加の磁性層 ４６ 開口又はヘッドギャップ ＭＲ 磁気抵抗素子
部磁性層 ４０ 導体素子 ４４ 追加の磁性層 ４６ 開口又はヘッドギャップ ＭＲ 磁気抵抗素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジャン−ピエール ラザリ フランス国， 38700 コレン， シュマ ン ドゥ マラノ， 45番地
Claims (5)
- 【請求項１】 ヘッドギャップ（２４）を備えた磁気回
路（１４、１６1 、１６2 、２２1 、２２2 ）と、前記
ヘッドギャップ（２４）の下に位置する磁気抵抗素子
（ＭＲ）と、前記磁気回路の一部（１６1 、１６2 ）を
巻回する導体コイル（１８）とを有しており、前記コイ
ルには書き込み段階中の電流が通過し、該電流は前記磁
気回路内に書き込み磁束（Ｈ１）を生成し、漏れ磁束と
して知られる該磁束の一部（Ｈ２）が前記磁気抵抗素子
（ＭＲ）を流れるように構成された磁気読み／書きヘッ
ドであって、該ヘッドが前記磁気抵抗素子（ＭＲ）の下
に電気導体素子（４０）を備えており、該導体素子（４
０）は、書き込み時に当該導体素子（４０）を流れる電
流が、前記磁気抵抗素子（ＭＲ）を通過する前記漏れ磁
束（Ｈ２）と反対方向の磁束（Ｈ３）を該磁気抵抗素子
（ＭＲ）内に発生するような方向で前記導体コイル（１
８）に直列接続されていることを特徴とする磁気読み／
書きヘッド。 - 【請求項２】 前記電気導体素子（４０）が前記磁気抵
抗素子（ＭＲ）より幅が広いことを特徴とする請求項１
に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記磁気回路（１６1 、１６2 ）に接続
されており、前記磁気抵抗素子（ＭＲ）と前記電気導体
素子（４０）との間に開口（４６）を有する追加の磁性
層（４４）を備えていることを特徴とする請求項１に記
載の磁気ヘッド。 - 【請求項４】 前記追加の磁性層（４４）は、約０．１
μｍから約５μｍの厚さを有していることを特徴とする
請求項３に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項５】 前記追加の磁性層（４４）の前記開口
（４６）は、前記磁気抵抗素子（ＭＲ）の幅にほぼ等し
いか又はこれより小さい幅を有していることを特徴とす
る請求項３に記載の磁気ヘッド。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9310560A FR2709855B1 (fr) | 1993-09-06 | 1993-09-06 | Tête magnétique de lecture et d'écriture à élément magnétorésistant compensé en écriture. |
| FR9310560 | 1993-09-06 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0798823A true JPH0798823A (ja) | 1995-04-11 |
Family
ID=9450576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6234517A Withdrawn JPH0798823A (ja) | 1993-09-06 | 1994-09-05 | 磁気読み／書きヘッド |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5504643A (ja) |
| EP (1) | EP0644528B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0798823A (ja) |
| DE (1) | DE69416224T2 (ja) |
| FR (1) | FR2709855B1 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2712420B1 (fr) * | 1993-11-08 | 1995-12-15 | Commissariat Energie Atomique | Tête magnétique de lecture à élément magnétorésistant multicouche et à concentrateur et son procédé de réalisation. |
| FR2727778B1 (fr) * | 1994-12-02 | 1997-01-03 | Commissariat Energie Atomique | Codeur magnetique pour la lecture de marques sur une piste magnetique associee |
| JP3151155B2 (ja) * | 1996-09-10 | 2001-04-03 | アルプス電気株式会社 | 薄膜磁気ヘッド |
| US7130152B1 (en) | 1999-04-01 | 2006-10-31 | Storage Technology Corporation | High track density magnetic recording head |
| US6407891B1 (en) * | 1999-05-24 | 2002-06-18 | International Business Machines Corporation | Magnetic read/write head having electromagnetic field cancellation element |
| EP1310962A1 (en) * | 2001-11-08 | 2003-05-14 | Hitachi Ltd. | Magnetic memory cell |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2975241A (en) * | 1956-12-12 | 1961-03-14 | Armour Res Found | Means for counteracting shunt reluctance of a transducer head gap |
| US3670114A (en) * | 1969-11-17 | 1972-06-13 | Mca Technology Inc | Electromagnetic transducer head having a bias frequency gap and an intelligence frequency gap |
| JPS6049969B2 (ja) * | 1977-07-05 | 1985-11-06 | 三菱電機株式会社 | 信号再生装置 |
| FR2559292A1 (fr) * | 1984-02-03 | 1985-08-09 | Commissariat Energie Atomique | Bobinage pour tete magnetique d'enregistrement en couche mince et son procede de realisation |
| FR2559297B1 (fr) * | 1984-02-03 | 1990-01-12 | Commissariat Energie Atomique | Nouveau patin de vol pour tetes magnetiques d'enregistrement |
| FR2559293B1 (fr) * | 1984-02-03 | 1988-09-09 | Commissariat Energie Atomique | Nouvelle tete magnetique d'ecriture et de lecture pour enregistrement magnetique et son procede de fabrication |
| FR2559294B1 (fr) * | 1984-02-03 | 1988-08-12 | Commissariat Energie Atomique | Nouvelle tete magnetique d'ecriture et de lecture pour enregistrement perpendiculaire et son procede de fabrication |
| US4689708A (en) * | 1985-08-02 | 1987-08-25 | Bbc Brown, Boveri & Co., Ltd. | Zone protective directional relay scheme |
| FR2604021B1 (fr) * | 1986-09-17 | 1988-10-28 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation de tetes magnetiques en couches minces et a structure planaire et tete obtenue par ce procede |
| FR2612676B1 (fr) * | 1987-03-19 | 1993-12-31 | Commissariat A Energie Atomique | Tete magnetique de lecture pour piste de tres faible largeur et procede de fabrication |
| WO1988007741A1 (en) * | 1987-04-01 | 1988-10-06 | Digital Equipment Corporation | Magneto-resistive thin film head for digital magnetic storage device |
| FR2645315B1 (fr) * | 1989-03-29 | 1991-05-31 | Commissariat Energie Atomique | Tete magnetique de lecture a magnetoresistance pour enregistrement perpendiculaire et procede de realisation d'une telle tete |
| FR2645314B1 (fr) * | 1989-03-29 | 1991-05-31 | Commissariat Energie Atomique | Tete magnetique a magnetoresistance pour enregistrement longitudinal et procede de realisation d'une telle tete |
| FR2652669B1 (fr) * | 1989-09-29 | 1992-11-20 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'une tete d'enregistrement magnetique et tete obtenue par ce procede. |
| FR2657189B1 (fr) * | 1990-01-18 | 1993-12-31 | Commissariat A Energie Atomique | Tete magnetique de lecture et d'ecriture a element magnetoresistant. |
| FR2658647B1 (fr) * | 1990-02-21 | 1992-04-30 | Commissariat Energie Atomique | Tete magnetique horizontale a effet hall et son procede de realisation. |
| US5274521A (en) * | 1990-08-23 | 1993-12-28 | Sony Corporation | Planar thin film magnetic head |
| JP3200060B2 (ja) * | 1990-09-12 | 2001-08-20 | ソニー株式会社 | 薄膜磁気ヘッド |
| JPH0554341A (ja) * | 1991-08-20 | 1993-03-05 | Sony Corp | 複合型磁気ヘツド |
-
1993
- 1993-09-06 FR FR9310560A patent/FR2709855B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-08-30 US US08/297,815 patent/US5504643A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-09-02 EP EP94401955A patent/EP0644528B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1994-09-02 DE DE69416224T patent/DE69416224T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-09-05 JP JP6234517A patent/JPH0798823A/ja not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2709855B1 (fr) | 1995-10-20 |
| DE69416224T2 (de) | 1999-07-29 |
| EP0644528A1 (fr) | 1995-03-22 |
| DE69416224D1 (de) | 1999-03-11 |
| US5504643A (en) | 1996-04-02 |
| FR2709855A1 (fr) | 1995-03-17 |
| EP0644528B1 (fr) | 1999-01-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5703740A (en) | Toroidal thin film head | |
| US6195232B1 (en) | Low-noise toroidal thin film head with solenoidal coil | |
| US5446613A (en) | Magnetic head assembly with MR sensor | |
| US6329211B1 (en) | Method of manufacturing thin film magnetic head | |
| US5379172A (en) | Laminated leg for thin film magnetic transducer | |
| US20020006013A1 (en) | Thin-film magnetic head for perpendicular magnetic recording having main magnetic pole layer on flat surface | |
| JPH11283216A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| US5771141A (en) | Magnetoresistive head and magnetic recording/reproducing apparatus | |
| JPH10255239A (ja) | インダクティブ／ｍｒ複合型薄膜磁気ヘッド | |
| JPH0567316A (ja) | 磁気ヘツドおよびその製造方法 | |
| JPH10334410A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPS61120318A (ja) | 一体化薄膜磁気ヘツド | |
| JPH0798823A (ja) | 磁気読み／書きヘッド | |
| US6424508B1 (en) | Magnetic tunnel junction magnetoresistive head | |
| US20040257711A1 (en) | Composite magnetic thin film head | |
| USRE29326E (en) | Integrated magnetic head having alternate conducting and insulating layers within an open loop of two magnetic films | |
| JP2003282324A (ja) | マイクロデバイス及びその製造方法 | |
| JPH103617A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JP2618380B2 (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド及びその製造方法 | |
| JP2003016608A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPH05242429A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JP2816150B2 (ja) | 複合型磁気ヘッド | |
| JP2000020914A (ja) | 金属膜形成方法及び薄膜磁気ヘッドのポール形成方法 | |
| JPH05342529A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| US6253445B1 (en) | Planar thin film head and method for forming a gap of a planar thin film magnetic head |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011106 |