JPH0790564A - 高純度チタニウムスパッタリングターゲット - Google Patents
高純度チタニウムスパッタリングターゲットInfo
- Publication number
- JPH0790564A JPH0790564A JP5260384A JP26038493A JPH0790564A JP H0790564 A JPH0790564 A JP H0790564A JP 5260384 A JP5260384 A JP 5260384A JP 26038493 A JP26038493 A JP 26038493A JP H0790564 A JPH0790564 A JP H0790564A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- content ratio
- sputtering
- crystal orientation
- crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
ーションスパッタ法における成膜速度の問題を解決しう
るTiターゲットの開発。 【構成】 (a) スパッタ面においてX線回折法で測定さ
れ、定義された数式により算出したターゲットの各部位
での(002),(103),(014),(015) 面と関連しての結晶方位
含有比Aが80%以下、特に50%以下を基本とし、
(b) 各部位での前記結晶方位含有比Aがターゲット全体
の平均化結晶方位含有比に対して、そのバラツキが±2
0%以内、(c) スパッタ面においてX線回折法で測定さ
れ、定義された数式により算出したターゲット各部位で
の(002) 面と関連しての結晶方位含有比Bが20%以
下、(d) 結晶組織が再結晶組織、(e) ターゲット各部位
での平均結晶粒径が500μm以下、好ましくは100
μm以下及び(f) 各部位の平均結晶粒径を平均化したタ
ーゲット全体の平均結晶粒径に対する各部位の平均粒径
のバラツキが±20%以内の要件を単独で或いは組合せ
て採用する。
Description
なるスパッタリングターゲットに関するものであり、特
には今後の半導体デバイスに対応して従来とは異なる結
晶方位、更には結晶組織及び結晶粒径を備えた高純度チ
タニウムからなるスパッタリングターゲットに関するも
のである。
リングにより各種半導体デバイスの電極、ゲート、配
線、素子、絶縁膜、保護膜等を基板上に形成するための
スパッタリング源となる、通常は円盤状の板である。加
速された粒子がターゲット表面に衝突するとき運動量の
交換によりターゲットを構成する原子が空間に放出され
て対向する基板上に堆積する。スパッタリングターゲッ
トとしては、Al及びAl合金ターゲット、高融点金属
及び合金(W、Mo、Ti、Ta、Zr、Nb等及びW
−Tiのようなその合金)ターゲット、金属シリサイド
(MoSiX 、WSix 、NiSix 等)ターゲット等
が代表的に使用されてきた。
して注目を浴びているものの一つがTi配線、Ti保護
膜等の形成用のTiターゲットである。
チと大型化し、かつ回路配線の幅が0.5μm以下と微
細化するにしたがってスパッタリングによりウエハ上に
形成された薄膜の均一性は、従来の膜厚分布のバラツキ
の標準偏差(σ)が5%以下という規格から、その標準
偏差の3倍値(3σ)が5%以下と、形成された微細配
線の特性を確保する上で要求される規格が厳しくなって
きている。このような背景の中、スパッタ装置、スパッ
タ条件、ターゲット等について膜厚の均一性を改善する
ことを目的として検討がなされているが、特に従来のタ
ーゲット品質では、異なったターゲット間で、また同一
ターゲット使用時においても膜厚分布のバラツキ及びそ
の変動が大きく、膜厚分布に関する上記規格(3σ<5
%)を満足しないことが明らかになっている。
るパーティクルが回路断線及び短絡の原因として大きく
問題視されており、回路配線幅の微細化に伴っていかに
パーティクルの発生を抑えるかがLSI製造歩留を高め
る上で成膜プロセスのキーファクターとなっている。特
に、近年、Tiターゲットの窒素雰囲気下でのレアクテ
ィブスパッタリングにより成膜するTiNがバリア層と
して広く用いられ始めているが、TiN堆積層膜は膜応
力が高く且つ脆いために、ウエハー以外のスパッタチャ
ンバー内に連続的に厚く堆積したTiN膜は剥離しやす
く、パーティクルの主発生源となっている。このような
レアクティブスパッタリングプロセスにおけるパーティ
クル発生源の一つとして、Tiターゲットの外周部或い
は中心部等のスパッタリングによるエロージョンが比較
的浅い若しくはエロジョンされない領域に層状または島
状にに堆積するTiN層があり、これらのTiN層から
のパーティクルの発生を抑えるためスパッタ装置、スパ
ッタ条件等について改善及び検討がなされている。
るに従って、スルーホール及びコンタクトホールのアス
ペクト比が2以上と大きくなってきており、これらホー
ルへの下地TiまたはTiNの埋め込み技術としてコリ
メーションスパッタ法が注目されている。コリメーショ
ンスパッタ法とは、ターゲットと基板との間にコリメー
ターを介在させた状態でスパッタを行う方法であり、ス
パッタされた原子のうち基板に垂直な方向のもののみが
コリメーターを通して基板に達するようにしたものであ
る。コリメーションスパッタ法の特徴として、従来から
の通常のスパッタではホールのアスペクト比が2以上で
はボトムカバレッジ率が10%未満であるのに対して、
コリメーションスパッタ法を用いることによりプロセス
上要求されるボトムカバレッジ率10%以上の要件を達
成できることがあるが、成膜速度が従来のスパッタ法と
比較して約1/5に落ちるという問題がある。
布に関する規格、パーティクル問題及びコリメーション
スパッタ法における成膜速度の問題については、従来、
主にスパッタ装置、スパッタ条件等の面から改善及び検
討がなされているだけであり、特にターゲット自体の品
質については深く考慮されていなかったのが実情であ
る。一般に、結晶性材料の表面及び内部の組織及び結晶
構造(結晶粒径や結晶配向性等)がターゲットからのス
パッタ原子の放出特性に大きな影響を与えることが一般
に知られている。このことから、Tiターゲットにおい
ても、その組織及び結晶構造の差異及び不均一性がスパ
ッタ原子の放出特性及びその方向指向特性等に大きく影
響を及ぼしていると考えられる。
5, No4, Jul/Aug 1967 の1755〜1768頁に掲載
された、シー・イ−・ウイッカーシャーム・ジュニアに
よる論文「Crystallographic target effects in magne
tron sputtering 」は、スパッタリング薄膜の膜厚均一
性に対する結晶方位の影響について記載している。チタ
ンではなく、アルミニウムターゲットについてはこれま
で多くの研究がなされている。特開昭63−31297
5号は、スパッタリングによりウエハ上に形成されたア
ルミニウム薄膜の膜厚が中央部が厚くそして周辺部が薄
い分布を有していることに鑑み、アルミニウムターゲッ
ト中心部の結晶方位含有比{220}/{200}が外
周部のそれより大きいことを特徴とするアルミニウムス
パッタリングターゲットを記載している。特開平2−1
5167号は、ターゲット表面の面積の50%以上を
(111)結晶面より構成したアルミニウムスパッタリ
ングターゲットを記載する。特開平3−2369号は、
マグネトロンスパッタリングによりアルミニウムターゲ
ットが消耗するにつれ、マグネットの回転に沿ってリン
グ状の溝が表面に形成されると共に原子の放出方向が変
化し、膜厚分布が悪くなることを解決するべく、結晶方
位強度比{100}/{110}をターゲット表面から
内部に入るにつれ小さくすることを提唱している。特開
平3−10709号は、アルミニウムターゲットのスパ
ッタ面の結晶方位含有比{220}/{200}が0.
5以上であることを特徴とするターゲットを記載してい
る。更には、特開平4−2346170号は、2mm以
下の粒度及び〈110〉繊維組織を有するアルミニウム
ターゲットにおいて繊維軸をランダムの20倍以上のX
線回析強度を有するものとするターゲットを記載してい
る。
造の差異及び不均一性について配慮されたことのなかっ
たTiターゲットにおいて、上記膜厚分布に関する規
格、パーティクル問題及びコリメーションスパッタ法に
おける成膜速度の問題を軽減或いは解決することのでき
るTiターゲットを開発することである。
解決に向けて、従来のTiターゲットでは考慮されてい
なかった結晶配向性、更には結晶組織及び結晶粒径の膜
厚分布への影響を検討した結果、(a)ターゲットのス
パッタ面においてX線回折法で測定された、次の数式
Aが80%以下、好ましくは50%以下であることを基
本とし、加えて、(b)各部位での前記結晶方位含有比
Aが同ターゲットの全体の平均化した同結晶方位含有比
に対して、そのバラツキが±20%以内であること、
(c)ターゲットのスパッタ面においてX線回折法で測
定された、次の数式
Bが20%以下であること、(d)ターゲット結晶組織
が再結晶組織であること及び(e)ターゲットの各部位
での平均結晶粒径が500μm以下、好ましくは100
μm以下であること、並びに(f)各部位の平均結晶粒
径を平均化したターゲット全体の平均結晶粒径に対する
各部位の平均粒径のバラツキが±20%以内であるよう
に調整することを単独で或いは一つ以上組合せて採用す
ることにより、従来のTiターゲットの品質では達成す
ることができなかった前記問題を軽減或いは解決しうる
ことが明らかになった。
ーゲットのスパッタ面においてX線回折法で測定された
ターゲットの各部位での結晶方位含有比Aが80%以下
であることを特徴とする高純度チタニウムスパッタリン
グターゲット、(2)各部位での前記結晶方位含有比A
が同ターゲットの全体の平均化した同結晶方位含有比に
対して、そのバラツキが±20%以内であることを特徴
とする(1)の高純度チタニウムスパッタリングターゲ
ット、(3)各部位での前記結晶方位含有比Aが50%
以下であることを特徴とする(1)又は(2)の高純度
チタニウムスパッタリングターゲット、(4)各部位で
の前記結晶方位含有比Bが20%以下であることを特徴
とする(1)〜(3)の高純度チタニウムスパッタリン
グターゲット、(5)ターゲット結晶組織が再結晶組織
であることを特徴とする(1)〜(4)の高純度チタニ
ウムスパッタリングターゲット、(6)ターゲットの各
部位での平均結晶粒径が500μm以下であることを特
徴とする(1)〜(5)の高純度チタニウムスパッタリ
ングターゲット、(7)ターゲット全体の平均結晶粒径
に対する各部位の平均結晶粒径のバラツキが±20%以
内であることを特徴とする(1)〜(6)の高純度チタ
ニウムスパッタリングターゲット、及び(8)ターゲッ
トの各部位での平均結晶粒径が100μm以下であるこ
とを特徴とする(1)〜(7)の高純度チタニウムスパ
ッタリングターゲットを提供する。
中で塑性加工を鍛造または圧延等で行なった場合、その
加工比の増加にともなってターゲットスパッタ面に対し
て(002)面が±35°以内の傾きを有する集合組織
が形成される。X線回折法により(002)面が±35
°以内の傾きを有するこのチタニウムの代表的な集合組
織の結晶配向性を評価する場合、各回折ピークはターゲ
ットスッパタ面に平行な結晶面に対応したものであるこ
とから、表1に示すように、(002)面から面間角が
35°以内である結晶面、すなわち、30°傾いた(1
03)面、24°傾いた(014)面、20°傾いた
(015)面の回折ピークが上記集合組織とともに増大
する傾向があり、これらの結晶面も(002)面に加え
て考慮する必要がある。こうした事実に基づいて、本発
明においては、結晶方位含有比A及び結晶方位含有Bが
定義される。その測定方法については、測定試料は試料
表面の加工変質層を電解研磨等で化学的に除去した後、
X線回折計で各結晶方位に対応する回折線の強度を測定
する。得られた回折線の強度値は各結晶方位の回折線の
相対強度比{JCPDS Cardを参照}で補正し、
その補正強度から結晶方位含有比A及びBを算出する。
なお、結晶方位含有比の算出方法を表1に示す。
法で測定された各部位の結晶方位含有比Aが80%以下
とされる。ターゲット全体の平均結晶方位含有比Aに対
してそのバラツキが±20%以内であり、加えて結晶方
位含有比Bが20%以下とすることが好ましい。ここ
で、各部位の結晶方位含有比Aが80%以下であり、好
ましくは結晶方位含有比Bが20%以下と規定したの
は、一般にスパッタ原子は最稠密原子列方向に飛び出す
確率が高いことが知られており、ターゲットが(00
2)面に強く結晶配向した場合、ターゲットエロージョ
ン面を構成する各結晶粒面は(002)面である割合が
強くなり、最稠密原子面である(002)面内に最稠密
原子列方向があることから、スパッタ原子はエロージョ
ン面に平行に飛び出す確率が高くなるためである。結果
として、ターゲットエロージョン面のミクロ凹凸に対応
した斜面に捕獲されるスパッタ原子の数は(002)面
の結晶配向性が大きくなる程高くなることを意味してお
り、ターゲット外周部及び中心部に層状または島状に堆
積するTiN層が増大する。各部位の結晶方位含有比A
が80%以上ではまた結晶方位含有比Bが20%以上で
は、この傾向が一層顕著化する。
体の平均結晶方位含有比に対してそのバラツキが±20
%以内であると規定したのは膜厚分布の均一性を狙った
ものである。
ターゲットの各部位での平均結晶粒径が100μm以下
であり、各部位の平均結晶粒径を平均化したターゲット
全体の平均結晶粒径に対する各部位の平均粒径のバラツ
キが±20%以内であることが好ましい。ここで、再結
晶組織でありターゲット全体の平均結晶粒径に対する各
部位の平均粒径のバラツキが±20%以下とした規定は
上記と同じく膜厚分布の均一性を狙ったものである。ま
た、ターゲットの各部位での平均結晶粒径が100μm
以下としたのは、一般にターゲットのエロージョン面の
ミクロモホロジーはターゲットの結晶組織に対応した結
晶粒から構成され、結晶粒径が大きくなる程エロージョ
ン面のミクロ的な凹凸は大きくなる。このことは、ター
ゲットエロージョン面に平行にスパッタされた原子がこ
の凹凸に対応した斜面に捕獲される確率は結晶粒径が大
きくなる程高くなることを意味しており、結果として、
ターゲット外周部及び中心部に層状または島状に堆積す
るTiN層が増大する。平均結晶粒径が100μm以上
ではこの傾向が顕著化する。
法で測定された各部位の結晶方位含有比Aが50%以下
であり、加えて結晶方位含有比Bが20%以下であるこ
とが好ましい。ここで、各部位の結晶方位含有比Aが5
0%以下であり、加えて結晶方位含有比Bが20%以下
と規定したのは、上記同様に、一般にスパッタ原子は最
稠密原子列方向に飛び出す確率が高いため、ターゲット
が(002)面結晶配向性を低く抑えることにより、タ
ーゲットエロージョン面を構成する各結晶粒面を(00
2)面以外の結晶面に対してスパッタ原子がエロージョ
ン面に平行に飛び出す確率を低くさせ、ターゲットエロ
ージョン面に対して垂直に飛び出すスパッタ原子の割合
を増加させるためである。結果として、コリメーション
スパッタ時にコリメーターに捕獲されるスパッタ原子は
減少し、コリメーターを通過するスパッタ原子は増加す
ることから成膜速度は増加し、かつホールのボトムカバ
レッジ率が改善される。各部位の結晶方位含有比Bが2
0%以上であり結晶方位含有比Aが50%以上では、
(002)面結晶配向性の影響が顕著化する。
として用いる高純度チタニウムは4N以上のチタニウム
を意味するものである。そして、本発明のターゲットの
上記品質の調整は圧延や鍛造等の塑性加工と熱処理を組
み合わせることにより行なうことができるが、具体的な
品質調整の程度はターゲット素材の純度、また鋳造組
織、塑性加工及び熱処理の方法等に強く依存して一般的
に規定できない。しかし、ターゲット素材及び鋳造組
織、塑性加工及び熱処理の方法等が特定されれば、容易
に上記所定の品質を得るための塑性及び熱処理条件を見
いだすことは可能である。
含有比Aが80%以下であり、かつ結晶方位含有比Bを
20%以下の条件を実現するには、上記工程の内、加工
比を1.5以下として均一に温間加工を行い、その後素
材の再結晶温度域でターゲット全体に均一な熱処理を施
し、再結晶を完了させることが必要である。
有比Aが50%以下であり、かつ結晶方位含有比Bを2
0%以下の条件を実現するには、上記工程の内、加工比
を0.8以下として均一に温間加工を行い、その後素材
の再結晶温度域でターゲット全体に均一な熱処理を施
し、再結晶を完了させることが必要である。
全体の平均化した同結晶方位含有比に対してのバラツキ
が±20%以内の条件を実現するためには、上記加工工
程の内、加工比を0.3以上として均一に温間加工を行
う必要がある。ここで、加工比が0.3未満では、熱処
理後の再結晶組織に対応する均一な結晶方位含有比を実
現することはできない。
粒径が500μm以下であり、各部位の平均結晶粒径を
平均化したターゲット全体の平均結晶粒径に対する各部
位の平均粒径のバラツキが±20%以内の条件を達成す
るためには、アルミニウムインゴットを素材の再結晶温
度以上で熱間加工し、鋳造組織を破壊して結晶粒度を均
一化すると共に、最終的な均一微細な再結晶組織を付与
するため、再結晶温度未満で所定の最終形状に均一に温
間もしくは冷間加工を行った後、素材の再結晶温度域で
ターゲット全体に均一な熱処理を施し、再結晶化を完了
させる。ここで、素材の再結晶温度は素材の純度、及び
熱処理前の塑性加工状態に主に依存する。
件を実現するためには、上記両方の条件を満たす加工方
法を採用すればよい。
・H0501に記載される切断法により行った。
ムのインゴットを塑性加工及び熱処理により、それぞれ
表2に示す結晶組織及び結晶配向性を有するターゲット
A、ターゲットB及びターゲットCを製造した。ターゲ
ットの形状は直径約300mm、厚み約6mmの平板状
スパッタリングターゲットであった。ターゲットA、B
及びCの製造方法は次の通りであった。 (A)ターゲットA:チタンのインゴットを700℃で
熱間加工し、その後、400℃で加工比を1.1として
温間加工を行い、600℃で1時間ターゲット全体に均
一な熱処理を施した。 (B)ターゲットB:チタンのインゴットを700℃で
熱間加工し、その後、400℃で加工比を1.1として
温間加工を行い、700℃で2時間ターゲット全体に均
一な熱処理を施した。 (C)ターゲットC:チタンのインゴットを700℃で
熱間加工し、その後、室温で鍛造材を加工比1.8とし
て、温間加工を行い、700℃で2時間ターゲット全体
に均一な熱処理を施した。
6”ウエハ基板上に成膜した。表3は各ターゲットにつ
いてターゲットのエンドライフまでウエハー処理した際
のウエハー1枚当たりの平均パーティクル数を示したも
のである。なお、ウエハー上のパーティクル数はパーテ
ィクル計測計によりTiNを0.1μm成膜した後の
0.3μm以上のパーティクル数を計測した。表3に示
すように、結晶方位含有比Aが低くかつ結晶粒径が微細
なターゲットAが一番低い平均パーティクル数を示し、
結晶方位含有比Aが低くかつ結晶粒径が大きいターゲッ
トB、そして結晶方位含有比Aが高くかつ結晶粒径が大
きいターゲットCの順で平均パーティクル数が増加し
た。
トを塑性加工及び熱処理により、それぞれ表4に示す結
晶組織及び結晶配向性を有するターゲットA及びターゲ
ットBを製造した。ターゲットの形状は直径約300m
m、厚み約6mmの平板状スパッタリングターゲットで
あり、次のようにして製造した。 (A)ターゲットA:チタンのインゴットを700℃で
熱間加工し、その後、450℃で加工比を0.6として
温間加工を行い、600℃で1時間ターゲット全体に均
一な熱処理を施した。 (B)ターゲットB:チタンのインゴットを700℃で
熱間加工し、その後、275℃で加工比を2.0として
温間加工を行い、630℃で1時間ターゲット全体を均
一な熱処理を施した。
コリメーションはアスペクト比が1あるものを用い6”
ウエハ基板上に成膜した。表5は各ターゲットについて
のコリメーションを使用しない場合に対する成膜速度比
を示したものである。表5に示すように、結晶方位含有
比Aが低いターゲットAが結晶方位含有比Aが高いター
ゲットBと比較して成膜速度比が高い。
ーゲット間及び同一ターゲット使用時においてもパーテ
ィクル発生のバラツキ及びその変動が少なく、安定して
優れた低パーティクル性を示す。これにより、ウエハ上
に形成されたLSI等の回路の不良率が改善される。 (2)コリメーションスパッタ時、ターゲット間及び同
一ターゲット使用時においても成膜速度のバラツキ及び
その変動が少なく、安定して優れた成膜速度性を示す。
これにより、成膜時のボトムカバレッジ率及びTiター
ゲットの使用歩留が改善される。 (3)ターゲット間及び同一ターゲット使用時において
も膜厚分布のバラツキ及びその変動が少なく、安定して
優れた膜厚分布均一性を示す。これにより、ウエハ上に
形成されたLSI等の回路の不良率が改善される。
Claims (8)
- 【請求項1】 ターゲットのスパッタ面においてX線回
折法で測定され、次の数式1に基づいて算出されたター
ゲットの各部位での結晶方位含有比Aが80%以下であ
ることを特徴とする高純度チタニウムスパッタリングタ
ーゲット。 【数1】 - 【請求項2】 各部位での前記結晶方位含有比Aの同タ
ーゲットの全体の平均化した同結晶方位含有比に対して
のバラツキが±20%以内であることを特徴とする請求
項1の高純度チタニウムスパッタリングターゲット。 - 【請求項3】 各部位での前記結晶方位含有比Aが50
%以下であることを特徴とする請求項1又は2の高純度
チタニウムスパッタリングターゲット。 - 【請求項4】 ターゲットのスパッタ面においてX線回
折法で測定され、次の数式2に基づいて算出された各部
位での結晶方位含有比Bが20%以下であることを特徴
とする請求項1、2又は3の高純度チタニウムスパッタ
リングターゲット。 【数2】 - 【請求項5】 ターゲット結晶組織が再結晶組織である
ことを特徴とする請求項1、2、3又は4の高純度チタ
ニウムスパッタリングターゲット。 - 【請求項6】 ターゲットの各部位での平均結晶粒径が
500μm以下であることを特徴とする請求項1〜5の
いずれか一項の高純度チタニウムスパッタリングターゲ
ット。 - 【請求項7】 ターゲット全体の平均結晶粒径に対する
各部位の平均結晶粒径のバラツキが±20%以内である
ことを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項の高純度
チタニウムスパッタリングターゲット。 - 【請求項8】 ターゲットの各部位での平均結晶粒径が
100μm以下であることを特徴とする請求項1〜7の
いずれか一項の高純度チタニウムスパッタリングターゲ
ット。
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26038493A JP2901854B2 (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | 高純度チタニウムスパッタリングターゲット |
US08/308,234 US5772860A (en) | 1993-09-27 | 1994-09-19 | High purity titanium sputtering targets |
DE69425284T DE69425284T2 (de) | 1993-09-27 | 1994-09-20 | Hochreine Titansputtertargets |
EP96120376A EP0785292B1 (en) | 1993-09-27 | 1994-09-20 | High purity titanium sputtering targets |
EP96120377A EP0785293B1 (en) | 1993-09-27 | 1994-09-20 | High purity titanium sputtering targets |
DE69414526T DE69414526T2 (de) | 1993-09-27 | 1994-09-20 | Hochreine Titan-Aufstäube-Targets |
DE69425335T DE69425335T2 (de) | 1993-09-27 | 1994-09-20 | Hochreine Titan-Aufstäube-Targets |
EP94114820A EP0653498B1 (en) | 1993-09-27 | 1994-09-20 | High purity titanium sputtering targets |
KR1019940024128A KR0135369B1 (ko) | 1993-09-27 | 1994-09-26 | 고순도티타늄 스퍼터링타겟 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26038493A JP2901854B2 (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | 高純度チタニウムスパッタリングターゲット |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP03980198A Division JP3177208B2 (ja) | 1998-02-06 | 1998-02-06 | 高純度チタニウムスパッタリングターゲット |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0790564A true JPH0790564A (ja) | 1995-04-04 |
JP2901854B2 JP2901854B2 (ja) | 1999-06-07 |
Family
ID=17347175
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26038493A Expired - Lifetime JP2901854B2 (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | 高純度チタニウムスパッタリングターゲット |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2901854B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002038258A (ja) * | 2000-07-21 | 2002-02-06 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲット |
JP2003017491A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Toshiba Corp | スパッタターゲット、ゲート絶縁膜および電子部品 |
JP2009149996A (ja) * | 1998-06-29 | 2009-07-09 | Toshiba Corp | スパッタターゲット |
WO2012057057A1 (ja) * | 2010-10-25 | 2012-05-03 | Jx日鉱日石金属株式会社 | スパッタリング用チタンターゲット |
-
1993
- 1993-09-27 JP JP26038493A patent/JP2901854B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009149996A (ja) * | 1998-06-29 | 2009-07-09 | Toshiba Corp | スパッタターゲット |
JP2002038258A (ja) * | 2000-07-21 | 2002-02-06 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲット |
JP2003017491A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Toshiba Corp | スパッタターゲット、ゲート絶縁膜および電子部品 |
WO2012057057A1 (ja) * | 2010-10-25 | 2012-05-03 | Jx日鉱日石金属株式会社 | スパッタリング用チタンターゲット |
JPWO2012057057A1 (ja) * | 2010-10-25 | 2014-05-12 | Jx日鉱日石金属株式会社 | スパッタリング用チタンターゲット |
JP5571196B2 (ja) * | 2010-10-25 | 2014-08-13 | Jx日鉱日石金属株式会社 | スパッタリング用チタンターゲット |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2901854B2 (ja) | 1999-06-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR0135369B1 (ko) | 고순도티타늄 스퍼터링타겟 | |
JP2857015B2 (ja) | 高純度アルミニウムまたはその合金からなるスパッタリングターゲット | |
US6451135B1 (en) | High-purity copper sputtering targets and thin films | |
JP3413782B2 (ja) | スパッタリング用チタンタ−ゲットおよびその製造方法 | |
KR20050085232A (ko) | 고순도 니켈/바나듐 스퍼터링 부재 및 스퍼터링 부재의제조방법 | |
JP3338476B2 (ja) | スパッタリング用の金属Tiターゲットの製造方法 | |
JP2901854B2 (ja) | 高純度チタニウムスパッタリングターゲット | |
JP2002363736A (ja) | スパッタターゲット、バリア膜および電子部品 | |
JP3177208B2 (ja) | 高純度チタニウムスパッタリングターゲット | |
JPH06128737A (ja) | スパッタリングターゲット | |
JP2712561B2 (ja) | スパッタリング用アルミニウムターゲット | |
JPH0790560A (ja) | 高純度チタニウムスパッタリングターゲット | |
JP3898043B2 (ja) | スパッタリングターゲットとそれを用いた半導体デバイスおよびスパッタリング装置 | |
US7517417B2 (en) | Tantalum PVD component producing methods | |
JP2901852B2 (ja) | 高純度チタニウムスパッタリングターゲット | |
JP2706635B2 (ja) | スパッタリング用高純度チタンターゲット及びその製造方法 | |
JP2000239835A (ja) | スパッタリングターゲット | |
JPH0790561A (ja) | 高純度チタニウムスパッタリングターゲット | |
JPH0925565A (ja) | 高純度チタニウムスパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JP2901853B2 (ja) | 高純度チタニウムスパッタリングターゲット | |
JP2004520492A (ja) | Ti及びZrを含む物理的蒸着ターゲット、及び使用方法 | |
TWI665325B (zh) | Tantalum sputtering target | |
JP2002069626A (ja) | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
JPH09268368A (ja) | マグネトロンスパッタリング用Tiターゲット | |
JPH1088334A (ja) | マグネトロンスパッタリング用ターゲット |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990302 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090319 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090319 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100319 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100319 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110319 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110319 Year of fee payment: 12 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110319 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120319 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120319 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140319 Year of fee payment: 15 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |